JP3390957B2 - 面内磁気記録媒体、該面内磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気記録媒体及びこ
れを用いた磁気記憶装置に関し、特に低ノイズかつ高記
録密度特性に優れた薄膜磁気記録媒体及び磁気記憶装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度な記録が可能な媒体の材料とし
て、純Ｃｒ膜上にＣｏ合金膜が形成されたものや、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐｔ系薄膜などが提案されており、一部実用化
されている。Ｃｏ合金磁性膜としては例えばアイトリプ
ルイ−・トランザクション・オン・マグネティックス
（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍａｇｎ．）第２３巻（１
９８７年）１２２ペ−ジに記載されているようにＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ系薄膜が用いられている。

【０００３】また、磁性層が多層構造の薄膜媒体を用い
て再生出力を更に向上させ、高記録密度化を達成しよう
とする動きもある（特開平１−１７３３１３号公報、特
開平１−２１７７２３号公報）。磁性層と非磁性層を積
層することにより、Ｎｉを含有したＣｏ基合金、Ｃｏ−
Ｐｔ合金等では出力向上が確かに期待できる。

【０００４】しかしながら、特開平３−２８３０１６号
公報に記載のように、これらの媒体では記録時の隣接ビ
ット間の遷移領域に由来すると考えられるノイズやビッ
トシフトが従来の塗布型媒体に比べ大きく、より一層の
高記録密度化を達成するためにはノイズおよびビットシ
フト等の特性を向上させる必要があった。このような背
景から、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜とＣｒ系薄膜非磁
性層を交互に繰り返してなる磁気記録媒体が提案されて
いる。

【０００５】このほか、磁性層の材料としてＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金を用いた場合には、アイトリプルイ−・トラ
ンザクション・オン・マグネティックス(ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ． Ｍａｇｎ．)第２６巻(１９９０年)２７０
６ペ−ジに記載のように、交互に繰り返してなる磁性薄
膜の厚さを一定にした場合には、非磁性中間層の数を増
加させることにより、ノイズが減少することも明らかに
されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術による媒体では、非磁性の金属中間層を形成する必要
が生じるために、非磁性下地層と磁性層を形成後、さら
に少なくとも一層のＣｒ系薄膜非磁性中間層と磁性層を
形成しなければならない。従って、結晶構造の異なった
非磁性中間層の形成により上部磁性層の結晶性が低下
し、静磁気特性が劣化するという欠点があった。また高
記録密度における媒体ノイズの低減に限界があり、それ
らの媒体を用いた磁気記憶装置は、単位体積あたりの大
容量化に制約があった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上部磁性層の
結晶性、静磁気特性を劣化させること無く、高出力かつ
低ノイズの媒体を提供することを目的とする。すなわ
ち、基板上に非磁性下地層を形成後、例えば強磁性層と
して結晶構造が稠密六方構造をとるＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合
金膜を形成し、その表面に結晶構造が同じく稠密六方構
造をとり、主として常磁性のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金中間
領域を形成後、更に強磁性のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性層を
形成した。このように結晶構造が同じで常磁性の中間領
域を用いることにより、従来の結晶構造の異なった非磁
性金属中間層プロセスを除くことにより本発明は達成さ
れる。前記常磁性の中間領域は、必ずしも連続膜である
必要はなく、面内で不連続な島状に孤立した状態であっ
ても、本発明が解決しようとする課題は達成される。前
記非磁性下地層としては、Ｎｉ-Ｐ薄膜、Ｃｒ、あるい
はＣｒを主成分とする薄膜からなる下地層を用いること
が好ましい。

【０００８】本発明における磁気記録媒体であって、磁
性層内でＣｏ濃度の高い領域間にＣｏ濃度が低くかつＣ
ｒ濃度が高く主として常磁性体である領域を膜厚方向に
一領域含むように積層した媒体も、従来の記録媒体に比
べ媒体ノイズを低減できるが、磁性層のＣｏ濃度の高い
領域間にＣｏ濃度が低く、かつ、Ｃｒ濃度が高く主とし
て常磁性体である領域を、膜厚方向に複数領域含むよう
に積層を繰り返した媒体は、媒体ノイズをさらに低減で
きた。そこで本発明を用いた磁気記録媒体を有する磁気
記憶装置は、磁気記録媒体において媒体ノイズが低減で
きたため、Ｓ／Ｎ比が良好になり従来の磁気記憶装置よ
りも性能が向上した。

【０００９】磁気記憶装置に設けられた磁気ヘッドに対
して本発明を用いた磁気記録媒体は、従来から記録／再
生に用いているインダクティブヘッドとの組合せに対し
て、Ｓ／Ｎ比の向上を得ることができた。さらに、磁気
抵抗効果を用いた読み出し用磁気ヘッドと書き込み用の
インダクティブヘッドを組み合わせてなる記録／再生分
離型磁気ヘッドとの組合せでも、Ｓ／Ｎ比が向上した磁
気記憶装置を得ることができた。

【００１０】また前記磁性層の残留磁化Ｂｒ［Ｇ］と膜
厚ｔ［μｍ］の積の値が100Ｇ・μｍ以上400Ｇ・μｍ以下
の値を有する媒体を磁気記録装置に用いた場合、磁気抵
抗効果を用いた読み出し用磁気ヘッドと書き込み用のイ
ンダクティブヘッドを組み合わせてなる記録／再生分離
型磁気ヘッドと本発明が適用された磁気記録媒体との組
合せでも、Ｓ／Ｎ比が向上した磁気記憶装置を得ること
ができる。さらに従来から記録／再生に用いているイン
ダクティブヘッドに対しては、１５０Ｇ・μｍ以上２８
０Ｇ・μｍ以下の値を有する媒体を磁気記録装置に用い
た場合の方が、よりＳ／Ｎ比の向上を得ることができ
た。

【００１１】

【作用】本発明者は、磁性層間にＣｒ濃度が高く主とし
て常磁性体である領域を少なくとも一領域含ませた磁気
記録媒体において、記録再生時の媒体ノイズを減少でき
ることを見出した。これは、磁気的相互作用を低減でき
るためであると考えられる。したがって、基板上に、非
磁性下地層、Ｃｏを主成分とする薄膜磁性層が順次形成
され、該磁性層内のＣｏ濃度の高い領域間でＣｏ濃度が
低くかつＣｒ濃度が高く主として常磁性体である領域を
膜厚方向で一領域含ませる構造は、磁気記録媒体の低ノ
イズ化に非常に有効であり、さらに上記構造から成る磁
気記録媒体を有する磁気記録装置に対しても有効である
と考えた。さらに磁性層のＣｏ濃度の高い領域間にＣｏ
濃度が低くかつＣｒ濃度が高く、主として常磁性体であ
る領域を膜厚方向に複数領域含ませた構造においても、
膜厚方向に磁気的相互作用が低減し、記録再生時の媒体
ノイズは一層低減され、磁気記録装置の大容量化に効果
があることも見出した。この効果も主として常磁性の層
を形成することにより強磁性層間の磁気的相互作用を低
減できるためと考えられる。

【００１２】主として常磁性体である領域を形成する際
に、Ｃｏ合金中のＣｒ組成を調整することにより、主と
して２種類の中間領域が形成可能である。例えばＣｏ−
２５ａｔ．％Ｃｒ合金膜が常磁性体であるような薄膜形
成条件（１）でＣｏ−２３ａｔ．％Ｃｒ合金膜を形成し
た場合、強磁性体と常磁性体が混在した膜が形成可能で
ある。薄膜形成条件（１）に比べ、基板温度を上昇させ
たり、薄膜形成時の放電ガス圧力を低下させたりするこ
とにより、膜の平均組成に比べＣｒ濃度の低い強磁性体
の体積比は、より高くなる傾向があった。このような、
主として常磁性体からなる中間領域を介して、例えば常
磁性体と強磁性体とを共存させ、あるいはその割合を変
化させることにより、上部磁性体と下部磁性体の磁気的
相互作用を低減することが可能になった。このような中
間領域形成条件によって強磁性体の存在する割合が変化
する傾向は、Ｃｏ−Ｃｒ二元系に限定されたものではな
く数原子％の第３元素を添加した場合にも同様であっ
た。格子の不整合を考慮し、下部磁性層の平均した原子
サイズに合わせた組成の中間領域組成が選択しうる。

【００１３】一方、Ｃｏ−２５ａｔ．％Ｃｒに比べＣｒ
組成の高いＣｏ−３０ａｔ．％Ｃｒ合金膜を薄膜形成条
件（１）で形成した場合には、常磁性の結晶質と非磁性
の非晶質からなる膜が混在していた。薄膜形成条件
（１）に比べ、基板温度を低下させたり、薄膜形成時の
放電ガス圧力を増加させたりすることにより、例えば
「スパッタリング現象、東京大学出版会、１９８４年、
金原 粲 著、１８１頁」に記載のように「自己陰影効
果」を生じ、常磁性体に比べ非晶質の割合が多くなるも
のの、上部磁性層を形成する際に放電ガス圧力を低下さ
せることにより、上部磁性体と下部磁性体の磁気的相互
作用を低減できるようになった。

【００１４】前記非磁性下地層としてＣｒ系薄膜からな
る下地層を用いる理由は、この上に連続して形成する面
内磁化膜の磁化容易軸を面内方向に高配向させるためで
ある。 磁気抵抗効果を用いた読み出し用磁気ヘッドを
用いて再生を行なう際に、本発明による媒体は前記磁性
層の残留磁化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１
００Ｇ・μｍ以上４００Ｇ・μｍ以下、より好ましくは
１５０Ｇ・μｍ以上２８０Ｇ・μｍ以下である必要があ
る。この理由は、高いＳ／Ｎを得るためである。残留磁
化Ｂｒと膜厚ｔの積の値が４００Ｇ・μｍ以上とした場
合には、Ｓ／Ｎが低下する。一方、膜厚ｔと残留磁化Ｂ
ｒの積の値が１００Ｇ・μｍ以下の場合には、出力が低
下してしまう。

【００１５】インダクティブヘッドを用いて再生を行な
う際に、本発明による媒体は前記磁性層の残留磁化Ｂｒ
［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μｍ以上
４００Ｇ・μｍ以下、より好ましくは３００Ｇ・μｍ以
上４００Ｇ・μｍ以下である必要がある。前記磁性層の
残留磁化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００
Ｇ・μｍ以上であるのは膜厚ｔと残留磁化Ｂｒの積の値
が１００Ｇ・μｍ以下の場合には、出力が低下してしま
うことによる。

【００１６】

【実施例】本発明を以下の実施例により説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明の一実施例における磁気記
録媒体を示す断面図である。図１において、１１は強化
ガラス、プラスチック、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミニウ
ム合金等の基板、１２、３２はＮｉ−Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｗなどの金属下地
層、１３、３３はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ等の下部磁性層、
１４、３４は下部磁性層１３、３３に比べ優位的にＣｒ
濃度が高くＣｏ濃度が低い領域、１５、３５は１３、３
３と同様な上部磁性層、１６、３６はＣ、Ｂ、Ｂ４Ｃ、
Ｓｉ−Ｃ、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｗ−
Ｃ、Ｚｒ−Ｗ−Ｃ、Ｗ−Ｍｏ−Ｃ−Ｎｉ等からなる保護
層である。なお、本発明が達成できる円板の直径は、例
えば１０．８、１０．５、９．５、６．５、５．２５、
３．５、２．５、１．８、１．３、１．０インチ等の円
板であり、特に円板の外径等の形状は限定されない。

【００１７】前記の各層は、たとえば以下に示す例のよ
うに形成される。直径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ
１．９ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミニウム合金
ディスク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮｉ−１２ｗ
ｔ．％Ｐメッキを施した後、このメッキ面にほぼ同心円
状の微細な溝を形成する。このために中心線平均面粗さ
は１０ｎｍになるように研磨して、Ｎｉ−１２ｗｔ．％
Ｐメッキ膜厚を１５μｍとなるように研磨した。この種
の表面加工を一般にテクスチャ−加工と称しているが、
テクスチャ−の溝方向は、円周方向だけではなく、偏心
した加工であっても、ヘッドの粘着を回避できる構造で
あればこの基板上に薄膜記録媒体を形成しても電磁変換
特性上何ら問題はない。

【００１８】これらの基板を洗浄乾燥後、ＤＣマグネト
ロンカソ−ドを用いた枚葉式成膜装置を用いて、下地層
１２、３２となるＮｉ−Ｐを厚さで５０ｎｍスパッタ
し、さらに下部磁性層１３、３３となるＣｏ−１５ａ
ｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ膜を１２ｎｍ形成し、この
磁性層表面にＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ
合金中間領域１４、３４を０．５ｎｍ形成した。この上
に上部磁性層１５、３５として１３、３３と同一組成の
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を１２ｎｍ形成し、保護層１６、３
６としてＣ膜を形成した。このＣ保護膜上には、パ−フ
ルオロアルキルポリエ−テル等の潤滑剤を付着させた。

【００１９】この円板の断面薄片を作製し、透過電子顕
微鏡で観察した結果、図２に示すように中間領域１４、
３４は必ずしも連続膜ではなく、島状の部分、或いは分
離した部分もあり、部分的に下部磁性層１３、３３と上
部磁性層１５、３５が接して結晶成長している部分があ
った。したがって、図１、図２において、中間領域１
４、３４が、あたかも明確に分離された境界を有する層
状態のように表現が成されているが、実際の本願発明に
おいては明確に分離されていない状態をも含まれる。

【００２０】〔比較例１〕磁性膜を単層で形成した保護
膜Ｃ／磁性層（Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐ
ｔ）／下地層Ｃｒ媒体を形成し、〔実施例１〕と特性の
比較を行った。

【００２１】ここで本発明が適用される磁気記録装置に
ついて図４及び図５を用いて説明する。図４は、本発明
によって得られる磁気記録媒体である磁気ディスクに、
情報の記録／再生を行う磁気記録装置、即ち磁気ディス
ク装置の概略図である。磁気ディスク１０１はスピンド
ル１０４に複数枚固定されており、スピンドル１０４が
駆動することによって磁気ディスク装置１００の内部に
略密閉された状態で高速回転をし、磁気ヘッド１０２に
よって磁気情報の書き込み／読み出しが行われる。磁気
ヘッド１０２はロータリーアクチュエータ１０３によっ
て、磁気ディスク１０１の記録可能領域に位置決めを行
う。図５は、本発明が適用された磁気ディスクと磁気ヘ
ッドとの関係を表す概略図である。図５に示した磁気ヘ
ッド３は、記録用ヘッド２００と、再生用ヘッド３００
とを有する磁気ヘッドである。記録用ヘッド２００は、
従来、記録及び再生の両方の目的に使用されてきたイン
ダクティブ型薄膜磁気ヘッドと概ね等しいものである。
上部磁気コア２０１と下部磁気コア２０４と磁気ギャッ
プ２０６、及び磁気記録媒体の磁性層とで磁気回路を構
成し、導電コイル２０３に流れる電流により磁気ディス
ク２０７へ記録／再生を行うことができる。本実施例に
おいては記録専用に用いた。再生用ヘッド３００は、磁
気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドである再生用ヘッド３００
は、磁界の変化によって変化する磁気抵抗効果素子３０
３の抵抗変化を再生出力として検出する。上部シールド
膜３０１及び下部シールド膜３０４は、非磁性絶縁膜３
０２を介して磁気抵抗効果素子３０３への余分な磁界を
遮断する。本実施例における磁気ヘッド１０２の再生用
ヘッド３００及び記録用ヘッド２００は、非磁性絶縁層
２０５を介してヘッドスライダ基板３０５上に順次積層
されて形成する。

【００２２】そこで〔実施例１〕、〔比較例１〕におい
て形成した磁気記録媒体を、上記の如き磁気ディスク装
置に適用し、磁気抵抗効果を利用したヘッドにより電磁
変換特性を評価した。その結果、〔比較例１〕で形成し
た媒体の孤立波再生出力の大きさは、〔実施例１〕で形
成した孤立波再生出力の大きさと同等であった。一方、
〔比較例１〕で形成した媒体において同じ記録密度で信
号を記録した場合、ディスクノイズは、〔実施例１〕で
形成したディスクノイズに比べ２５％大きかった。

【００２３】〔実施例２〕直径１３０ｍｍ、内径４０ｍ
ｍ、厚さ１．２７ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミ
ニウム合金ディスク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮ
ｉ−１２ｗｔ．％Ｐメッキを施した後、〔実施例１〕と
同様なテクスチャ−加工を施した。

【００２４】この基板を洗浄乾燥後、枚葉式成膜装置で
下地層１２、３２としてＣｒを厚さ５０ｎｍで形成し、
さらに下部磁性層１３、３３としてＣｏ−１１ａｔ．％
Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、この磁性層
表面にＣｏ−２１ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ中間領
域１４、３４を４ｎｍ形成した。この後、さらに上部磁
性層１５、３５として１３、３３と同一組成のＣｏ−１
１ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、
保護層１６、３６としてＣ膜を形成した。Ｃ保護層の膜
厚は３０ｎｍとした。このＣ保護膜上にフェニキシアミ
ン等の潤滑剤を付着させた。

【００２５】〔比較例２〕直径１３０ｍｍ、内径４０ｍ
ｍ、厚さ１．２７ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミ
ニウム合金ディスク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮ
ｉ−１２ｗｔ．％Ｐメッキを施した後、実施例１と同様
なテクスチャ−加工を施した。

【００２６】この基板を洗浄乾燥後、枚葉式成膜装置で
下地層１２、３２としてＣｒを厚さ５０ｎｍで形成し、
さらに下部磁性層１３、３３としてＣｏ−１１ａｔ．％
Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成後、表面を酸化
させること無くただちに非磁性Ｃｒ中間層を厚みで４ｎ
ｍ形成した。さらに連続して上部磁性層１５、３５とし
て１３、３３と同一組成のＣｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４
ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、保護層１６、３６と
してＣ膜を形成した。Ｃ保護層の膜厚は〔実施例２〕と
同様に３０ｎｍとした。このＣ保護膜上にフェニキシア
ミン等の潤滑剤を付着させた。これらの積層膜につい
て、振動式磁力計により測定した保磁力の値は、〔実施
例２〕に記載した積層膜で１４６０Ｏｅであったのに対
し、非磁性Ｃｒ中間領域を設けた場合には１１００Ｏｅ
まで減少していた。

【００２７】〔実施例３〕直径３．５インチで厚みが
０．８ｍｍのガラス円板１１上に〔実施例１〕と同様に
して（Ｃｒ−Ｔｉ）合金下地層１２、３２を形成した。
磁性層１３、３３を２０ｎｍ形成する際にＣｏ−１５ａ
ｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金を、中間領域１４、３
４を４ｎｍ形成する際にＣｏ−２３ａｔ．％Ｃｒ−４ａ
ｔ％Ｔａ合金を、磁性層１５、３５を２０ｎｍ形成する
際にＣｏ−１０ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ合金を用い
た他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成し
た。

【００２８】〔比較例３〕 〔実施例３〕に記載の磁性層として１３、３３を形成
後、Ｃｏ−２３ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ合金中間領
域のかわりに非磁性Ｃｒ中間層を４ｎｍ設け、その後磁
性層１５、３５を形成した他は、〔実施例３〕と同様に
して磁気記録媒体を形成した。これらの円板から８ｍｍ
角の試料を切り出し、Ｘ線ディフラクトメ−タでθ−２
θ走査を行ない、結晶性を評価した。その結果、〔実施
例３〕で作製した試料ではｈｃｐ構造をとるＣｏ合金磁
性層の１１０回折積分強度が〔比較例３〕で作製した試
料に比べ１．８倍以上大きく、強磁性体と同じ結晶構造
をとる中間領域を用いることにより上部磁性層の結晶性
も改善できることが明らかになった。

【００２９】〔実施例４〕図３は、本願発明の他の実施
例における磁気記録媒体の断面図である。図３に示すよ
うに、インラインスパッタ装置を用いて、グラッシ−カ
−ボン基板１１上にＤＣマグネトロンスパッタ法で、厚
さ５０ｎｍのＣｒ下地膜１２、３２、下部磁性膜１３、
３３として厚さ９ｎｍのＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−２ａ
ｔ．％Ｔａ膜を連続して形成後、中間領域１４、３４と
して厚さ０．５ｎｍのＣｏ−２３ａｔ．％Ｃｒ−２ａ
ｔ．％Ｔａ膜を形成した。

【００３０】その後、さらに下部磁性層１３、３３と同
じ厚さの磁性層２４、２５としてＣｏ−１２ａｔ．％Ｃ
ｒ−２ａｔ．％Ｔａ膜、中間領域１４、３４として厚さ
０．５ｎｍのＣｏ−２３ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａ
膜を形成後、さらに下部磁性層１３、３３と同じ厚さの
上部磁性層１５、３５としてＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−
２ａｔ．％Ｔａ膜、保護膜１６、３６としてＣ膜を形成
した。

【００３１】〔実施例５〕〔実施例１〕に記載の媒体に
用いた磁性層の膜厚と残留磁化の積の値が３６０Ｇ・μ
ｍの値をとるように媒体の膜厚を変更した他は、〔実施
例１〕と同様にしてインダクティブヘッドを用いて電磁
変換特性を評価した。図４に示した磁気ディスク装置と
同様の装置で、磁気ヘッド１０２における再生部がイン
ダクティブ型の磁気ヘッドを用いた。その結果、磁性層
を単層膜として形成した場合に比べ、本実施例に記載の
媒体は孤立波再生出力は変化しないが、同じ記録密度で
信号を記録した場合、ディスクノイズは約２２％低減し
た。

【００３２】この磁気記録媒体を、図５に示した如く、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドとインダクティブ型磁気ヘッ
ドを組み合わせた磁気ヘッドを用いることにより、７０
ｋＦＣＩ以上の高密度磁気記録が実現できた。

【００３３】以上いくつかの実施例における磁気記録媒
体を用いることによって、従来の多層膜を有する磁気記
録媒体に比べて、高記録密度の磁気記録装置を得ること
ができる。

【００３４】

【発明の効果】静磁気特性、結晶性を劣化させることな
く高記録密度におけるディスクノイズを低減可能とす
る。また、本発明の磁気記録媒体を用いて、Ｓ／Ｎが良
好な大容量磁気記憶装置を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図

【図２】本発明の他の実施例の磁気記録媒体の断面図

【図３】本発明の他の実施例の磁気記録媒体の断面図

【図４】本発明が適用された磁気記録媒体を用いる磁気
記憶装置の概略図

【図５】本発明が適用された磁気記録媒体と磁気ヘッド
との関係を表す概略図

【符号の説明】

１１：基板、１２及び３２：金属下地層、１３及び３
３：下部磁性層、１４、２４、３４及び４４：１３、３
３に比べ優位的にＣｒ濃度が高い中間領域、１５及び３
５：上部磁性層、１６及び３６：保護層、２５及び４
５：磁性層、１００：磁気記憶装置、１０１：磁気ディ
スク、１０２：磁気ヘッド、１０３：ロータリーアクチ
ュエータ、１０４：スピンドル、２００：記録用ヘッ
ド、２０１：上部磁気コア、２０２：非磁性絶縁層、２
０３：導体コイル、２０４：下部磁気コア、２０５：非
磁性絶縁層、２０６：磁気ギャップ、２０７：磁気記録
媒体、３００：再生用ヘッド、３０１：上部シールド
膜、３０２：非磁性絶縁膜、３０３：磁気抵抗効果素
子、３０４：下部シールド膜、３０５：ヘッドスライダ
基板、

フロントページの続き (72)発明者 米川 隆生 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社 日立製作所 ストレージシステム 事業部内 (72)発明者 高垣 篤補 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社 日立製作所 ストレージシステム 事業部内 (72)発明者 遠藤 直人 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社 日立製作所 ストレージシステム 事業部内 (72)発明者 阿部 勝男 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社 日立製作所 ストレージシステム 事業部内 (56)参考文献 特開 平１−298518（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−366417（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292715（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−21921（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−368611（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/66

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、非磁性下地層、コバルトＣｏ
   を主成分とする薄膜合金磁性層が順次積層され、 該薄膜合金磁性層は、Ｃｏ濃度の高い磁性層間に、Ｃｏ
   濃度が低くかつＣｒ濃度が高く主として常磁性体である
   中間領域を、膜厚方向に一領域有してなることを特徴と
   する面内磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に、非磁性下地層、Ｃｏを主成分
   とする薄膜合金磁性層が順次積層され、 該薄膜合金磁性層は、Ｃｏ濃度の高い磁性層間に、Ｃｏ
   濃度が低くかつＣｒ濃度が高く主として常磁性体である
   中間領域を、膜厚方向に複数領域有してなることを特徴
   とする面内磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記常磁性体である中間領域が膜面内で
   不連続な島状に孤立した状態であることを特徴とする請
   求項１乃至２に記載の面内磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記常磁性体である中間領域と、前記Ｃ
   ｏ濃度の高い磁性層とが同じ結晶構造を有していること
   を特徴とする請求項１乃至３に記載の面内磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 前記中間領域は、スパッタ法により形成
   された層であることを特徴とする請求項１乃至４に記載
   の面内磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記非磁性下地層が、Ｎｉ−Ｐ，Ｍｏ，
   Ｗ，ＣｒもしくはＣｒを主成分とする薄膜の内の何れか
   一つからなることを特徴とする請求項１乃至５に記載の
   面内磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 前記基板が、強化ガラス，プラスチッ
   ク，Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミニウム合金の内の何れか
   一つからなることを特徴とする請求項１乃至６に記載の
   面内磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 基板上に、非磁性下地層を介して磁性層
   をスパッタ法により形成した面内磁気記録媒体の製造方
   法において、コバルトを主成分とする強磁性層間に、少
   なくとも一層の常磁性層をスパッタ法により形成する工
   程を有することを特徴とする面内磁気記録媒体の製造方
   法。
9. 【請求項９】 請求項１乃至７に記載の面内磁気記録媒
   体を少なくとも１枚 以上と、磁気抵抗効果を用いた読み
   出し用磁気ヘッドと、書き込み用のインダクティブヘッ
   ドと、を組み合わせてなることを特徴とする磁気記憶装
   置。