JP2002100018A

JP2002100018A - 磁気記録媒体及びその製造方法並び磁気記憶装置

Info

Publication number: JP2002100018A
Application number: JP2000291144A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Okuyama; 智明奥山; Reiko Murao; 玲子村尾; Atsushi Endo; 敦遠藤; Akira Kikuchi; 暁菊池
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2000-09-25
Filing date: 2000-09-25
Publication date: 2002-04-05
Also published as: US6682834B2; US20020037441A1

Abstract

(57)【要約】【課題】低ｔＢｒ値で高い保磁力Ｈｃを有する磁気記
録層を形成して、再生出力の分解能の向上と共にノイズ
低減も可能とした磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方
に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁
気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層には、Ｃｏ（α）Ｃｒ（β）Ｐｔ（γ）
Ｂ（δ）Ｃｕ（ε）の組成で示されるコバルト、クロ
ム、白金、硼素及び銅を含む合金で形成された合金磁気
記録層を少なくとも１層含み、前記合金磁気記録層の層
厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積ｔ・Ｂｒが２．０〜７．
０ｎＴｍである。但し、α、β、γ、δ及びεのそれぞ
れは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２
０、１≦δ≦７、２≦ε≦７にあり、残部はαである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報の記録・再生を
行う磁気記憶装置に用いられるハードディスク等の磁気
記録媒体に関する。特に、再生出力の分解能を向上させ
且つノイズ低減を図り高記録密度を実現できる磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の情報処理技術の発達に伴い、コン
ピュータの外部記憶装置として用いられる磁気ディスク
装置については高密度化の要求が益々高まっている。こ
の要求を満たすためは磁気記録媒体からの再生出力の分
解能を向上させること及びノイズの低減を図ることが必
要である。

【０００３】一般的な面内記録（長手記録）タイプの磁
気記録媒体について、再生波形のパルス幅Ｐｗ５０は媒
体の静磁気特性である保磁力Ｈｃ、残留磁化Ｂｒ、磁気
記録層厚ｔを用いて下記式（１）のように示されること
が知られている。Ｐｗ５０＝（２（ａ＋ｄ）^２＋（ａ／２）^２）^１／２ …… （１）但し、ａ∝（ｔ×Ｂｒ／Ｈｃ）^１／２であり、ｄは磁
気スペーシングである。一般的に上記パルス幅Ｐｗ５０
が狭い程、記録再生信号の分解能が向上することが知ら
れている。よって、磁気記録媒体の高密度化のために
は、磁気記録層厚ｔを薄くし、高い保磁力Ｈｃを有する
ように形成することが必要であることが分かる。

【０００４】また、磁気記録媒体に求められる他の重要
な特性として高Ｓ／Ｎｍ（出力対媒体ノイズ比）化があ
る。このような磁気記録媒体のノイズ低減化を促進する
には、例えば磁気記録層を形成する磁性粒子の微細化、
及び磁性粒子間の磁気的相互作用を抑制することが必要
である。そこで、磁気記録媒体のＳ／Ｎｍを改善する手
法として、例えば特開平８−３１６３８号公報で開示さ
れる技術の提案がある。この技術では、磁気記録媒体の
磁気記録層に６〜２０ａｔ%（原子％）のＣｒと９ａｔ%
以下のＴａを含むＣｏ系合金膜に、Ｃｕを０．５〜７ａ
ｔ％を含有せせることにより粒径を微細化して、上記Ｓ
／Ｎｍを改善することが記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記特開平８−３１６
３８号公報では、Ｃｒの濃度が６〜２０ａｔ%であるよ
うなＣｏ系合金の磁性膜へＣｕを含有させることにより
磁気記録媒体のＳ／Ｎｍを改善できることが開示されて
いる。しかしながら、最近ではより高密度記録が可能な
磁気記録用媒体への要求が高く、ここで開示されている
組成の磁気記録層を有する磁気記録媒体ではその要求を
十分に満たすことができない。

【０００６】また、磁気記録層の特性を向上させること
に関して、異方性磁界（Ｈｋ）を改善に関する検討や、
磁気記録層の層厚（ｔ）とその残留磁束密度（Ｂｒ）の
積ｔ・Ｂｒの値が低い側での保磁力Ｈｃの低下を抑制す
ることに関して種々の検討がなされているが、何れも具
体的な手段を開示するものではない。

【０００７】さらに、前述した磁気記録媒体の高密度化
との関係で、最近特に重大な課題であると指摘されてい
るもの１つに所謂、「熱揺ゆらぎ」による問題がある。
この熱揺らぎは、磁気記録層の層厚ｔを薄くしたり、結
晶粒子径を小さくすると磁気的緩和（残留磁化の減少）
が進む現象であり、磁気記録媒体においては抑制すべき
現象である。

【０００８】すなわち、磁気記録媒体の高記録密度化の
ため重大な課題の１として耐熱揺らぎ性の向上がある。
その一方で、磁気記録媒体の記録密度を向上させるため
にはノイズの低減が必須であり、その為には前述したよ
うに磁気記録媒体のｔＢｒ値を低くすることへの要求が
ある。

【０００９】また、Ｎｅｅｌ−Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ等に
よると磁気記録媒体の磁化の緩和は、下記式（２）で示
される緩和時間（τ）に従うことが知られている。 τ^−１＝ｆ0ｅｘｐ（−ΔE／ｋＴ) …… （２）但し、ΔE＝ＫｕＶ（１−Ｈ／Ｈ₀）^１／ｎ；ｎ＝２／
３であり、Ｋｕ＝Ｈｋ・Ｍｓ／２、Ｈ＝Ｈｅ＋Ｈｄであ
る。ここで，ｆ0はスピン歳差運動の周波数で１０
^９（Ｓ^−１）であり、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温
度、Ｋｕは磁気異方性エネルギー定数、Ｖは実効的な粒
子の体積、Ｈ0は熱揺らぎが無い場合のイントリンジッ
ク（固有）な保磁力、Ｍｓは飽和磁化、Ｈｅは外部磁
界、Ｈｄはビットトランジッションでの反磁界、Ｈｋは
異方性磁界である。

【００１０】上記式（２）を参照すると、磁気記録媒体
のノイズ低減のために前述した低ｔＢｒ化を図ろうとす
ると上式（２）の実効的な粒子の体積Ｖ若しくは飽和磁
化Ｍｓの低下を招来して緩和時間（τ）が短くなる。よ
って、耐熱揺らぎ性が低下して時間と共に再生出力が低
下し易くなる。

【００１１】そこで、最近、上記のように低ｔＢｒ化を
図りつつ十分な耐熱揺らぎ性を確保するため、異方性磁
界Ｈｋを向上させＫｕＶ（磁気異方性エネルギー定数×
実効的な粒子の体積）を高い値に保つことができるよう
な技術への要請も高くなっている。

【００１２】また、磁気記録層の保磁力Ｈｃも測定温度
と測定時間の関数であり、上記熱揺らぎの影響を受け易
く、一般の磁気記録媒体では温度が高い程、保磁力Ｈｃ
の値が低く測定される。リマネンス保持力Ｈｃｒの値は
下記式（３）に従うことが知られている。Ｈｃｒ／Ｈ0＝１−｛Ｃｌｎ（ｆ0tim／ｌｎ２）｝ⁿ …… （３）但し、Ｃ^−１＝ΔＥ／ｋＴである。

【００１３】ここで、timは外部磁界（Ｈｅ）が印加さ
れている時間である．よって、低ｔＢｒ化して熱揺らぎ
の影響を受け易い磁気記録媒体では、通常では保磁力Ｈ
ｃの値が低下する。そして、耐熱揺らぎ性の低下と共に
Ｓ／Ｎｍも低下してしまう。

【００１４】前述したように、磁気記録媒体で高密度化
を図るためには、低いｔＢｒ値（低ｔＢｒ）でも高い保
磁力Ｈｃが得られるように磁気記録層の磁気的特性を設
定することが良いことは確認されているものの、前述し
たように磁気記録層の磁気的特性は相互に影響を与えて
おり、特に熱揺らぎの問題を抑制しつつ、低ｔＢｒでし
かも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を作成するこ
とは極めて困難であるとされいる。

【００１５】したがって本発明の主な目的は、ｔＢｒ値
が低くとも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録層を形成し
て、再生出力の分解能と共に低ノイズ性も向上させて高
記録密度化が可能な磁気記録媒体を提供することであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的は請求項１に記
載される如く、非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方
に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁
気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層には、Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ
（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）の組成で示されるコバル
ト、クロム、白金、硼素及び銅を含む合金で形成された
合金磁気記録層を少なくとも１層含み、前記合金磁気記
録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積ｔ・Ｂｒが２．
０〜７．０ｎＴｍである、構成により達成される。

【００１７】但し、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは
含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１
≦δ≦７、２≦ε≦７にあり、残部はαである。

【００１８】請求項１記載の発明によれば磁気記録媒体
の磁気記録層の積ｔ・Ｂｒが低い２．０〜７．０ｎＴｍ
であっても所望の保磁力Ｈｃ、例えば２０００（×１／
４πｋＡ／ｍ）以上を得ることができる。よって、再生
出力の分解能を向上させると共にノイズ低減が図られて
いるので、高記録密度化が可能な磁気記録媒体として提
供できる。本磁気記録媒体は高い異方性磁界を有し、前
述した耐熱揺らぎ性においても優れている。

【００１９】なお、上記Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ
（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）の組成で示される合金磁
気記録層は、コバルト系の合金である。クロムの含有率
β（ａｔ％）、白金の含有率γ（ａｔ％）、硼素の含有
率δ（ａｔ％）及び銅の含有率ε（ａｔ％）の総和が例
えば５５ａｔ％であれば、１００−５５＝４５がαであ
り、コバルトの含有率は４５ａｔ％となる。

【００２０】また、ｔ・Ｂｒ値は、本磁気記録媒体を設
計する際の合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒ
とにより相対的に定められる。よって、層厚ｔと残留磁
束密度Ｂｒのそれぞれは広い値を取り得るが、例えば磁
気記録層の層厚（ｔ）は１０〜２５ｎｍである。

【００２１】また、請求項２に記載の如く、非磁性支持
体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該
下地層の上方に形成された磁気記録層を少なくとも１層
含む磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は２層以上
で形成され、該磁気記録層の少なくとも１層はＣｕを含
んだ合金磁気記録層である構成とすることができる。

【００２２】請求項２記載の発明によれば、Ｃｕを含ん
だ合金磁気記録層を１層以上形成して、より低ｔＢｒ側
でも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録層を備えた磁気記
録媒体とすることもできる。

【００２３】ただし、上記磁気記録層が複数層で形成さ
れる場合には、上記合金磁気記録層の他に、この合金磁
気記録層とは異なる組成の磁性層を含んでもよい。この
ような場合でも上記合金磁気記録層を少なくとも１層含
むことで、従来の磁気記録層と比較して低ｔＢｒでも高
い保磁力Ｈｃを有する磁気記録層を備えた磁気記録媒体
となる。

【００２４】また、前記下地層には、モリブデン、タン
タル、チタン、タングステン及びバナジウムから成る群
から選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合
金層を少なくとも１層含む構成とすることが好ましい。

【００２５】この場合には、上記モリブデン等を含有し
たクロム系合金の下地層はその上に形成される磁気記録
層の面内配向性を向上させるのでより良好な磁気記録媒
体とすることができる。

【００２６】また、前記下地層は前記クロム系合金層の
下側に、さらにクロム層を含む構成としてもよい。

【００２７】この場合には、さらに高い円周方向への配
向性性と良好な面内配向性を有する磁気記録層を備えた
磁気記録媒体となる。

【００２８】また、前記下地層は複数の前記クロム系合
金層で形成され、前記非磁性支持体側に近い下側層とな
る程、当該各クロム系合金層に含むクロム以外の元素の
比率が低い構成とすることもできる。

【００２９】この場合には、非磁性支持体側に近いクロ
ム系合金層はクロムの含有率が高く、反対側（磁気記録
層側）はクロムの含有率が低い。このような磁気記録媒
体は高Ｓ／Ｎ性と良好な面内配向性を有すると共に、Ｔ
ｅｘｔｕｒｅ処理を施した基板上に形成した場合には磁
気記録層のＣ軸の円周方向への配向性も良化する。

【００３０】また、請求項３に記載の如く、請求項１又
は２記載の磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁
気記録層との間にコバルト系合金からなる中間層を少な
くとも１層配設した構成としてもよい。

【００３１】請求項３記載の発明によれば、下地層と磁
気記録層との間にコバルト系合金層中間層として介在さ
せることで、磁気記録層の面内配向性をさらに向上させ
ることができる。

【００３２】上記中間層は、磁気記録層のＣ軸の面内配
向性を向上させるようなｈｃｐ構造を有するコバルト系
合金である。このようなコバルト系合金としては、例え
ばコバルト−クロム−タンタル（ＣｏＣｒＴａ）があ
り、１〜５ｎｍ程度の膜厚に形成する。上記中間層とし
て採用できるコバルト系合金としては、他にＣｏＣｒ
Ｂ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ等がある。

【００３３】また、請求項４に記載の如く、請求項３記
載の磁気記録媒体において、前記中間層の飽和磁束密度
（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔとするのが好ましい。

【００３４】請求項４記載の発明によれば、磁気記録層
の低ｔＢｒと高Ｈｃを維持しつつ磁気記録層の面内配項
性の向上を図ることができる。

【００３５】また、上記磁気記録媒体は、成膜開始時温
度を１６０〜３００℃の範囲として前記下地層を形成し
て製造することが好ましい。この場合より高いＳ／Ｎ性
を有した磁気記録媒体を製造できる。

【００３６】また、請求項５に記載の如く、請求項１か
ら４いずれかに記載の磁気記録媒体と、磁気抵抗効果型
ヘッドとを含む磁気記憶装置も本発明の範疇に含む。

【００３７】請求項５記載の発明によれば、前述したよ
うな高記録密度化した磁気記録媒体を搭載しているので
より多くの情報を記録・再生できる磁気記憶装置として
提供できる。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下には本発明の実施例に係る磁
気記録媒体を図面に基づき説明する。

【００３９】図１は本発明の第１実施例に係る磁気記録
媒体１０の層構成を示した図である。磁気記録媒体１０
は非磁性である支持体１１上に、下地層、磁気記録層、
カーボン系（Ｃ系）保護膜等を下から順次積層した基本
構造を有している。非磁性の支持体１１としては、Ａｌ
基板を用いることができその表面に無電解メッキによる
ＮｉＰ膜をコートし、その表面にテクスチャ処理を施し
ておくことが好ましい。

【００４０】支持体１１上に形成される下地層は非磁性
層であり、純クロム単独の層或いはクロムを主成分とす
るクロム系合金を用いる。この下地層は１層でも複数層
でもよい。この下地層にはこの上に成膜される磁気記録
層１５の面内配向性を向上させる観点からクロム系合金
を用いることが好ましい。よって、下地層を１層とする
ときはクロム系合金層とすることが推奨される。また、
下地層を２層以上とするときには支持体１１側（下側）
の下地層はクロムの含有率が高く、磁気記録層１５側
（上側）の下地層はクロムの含有率を低くすることが望
ましい。

【００４１】図１では、純クロム（Ｃｒ）単独層１２と
クロムとモリブデン（ＣｒＭｏ）のクロム系合金層１３
との２層で下地層が構成されている。このクロム系合金
層は、モリブデンの他にタンタル、チタン、タングステ
ン、バナジウムを用いて形成することができる。これら
元素を複数組合せたクロム系合金により下地層を形成し
てもよい。

【００４２】上記下地層１３の上部には、磁気記録層１
５が形成される。本第１実施例の磁気記録層１５は、コ
バルト（Ｃｏ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）、白金
（Ｐｔ）、硼素（Ｂ）及び銅（Ｃｕ）を所定の組成で含
むコバルト系合金で形成される合金磁気記録層である。
磁気記録層１５は１層であっても、複数層であってもよ
い。上記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕを含む合金層からなる磁気
記録層を少なくとも１層含めばよい。２層以上で磁気記
録層を形成するときには、全ての層について同様に所定
組成を有するＣｏＣｒＰｔＢＣｕの合金層としてもよい
し、所定組成を有さない磁気記録層を含んでいてもよ
い。図１の場合は所定組成のＣｏＣｒＰｔＢＣｕから成
る磁気記録層１５が示されている。

【００４３】本発明の磁気記録媒体１０では、必須では
ないが、上記下地層１３と磁気記録層１５との間に中間
層を配設しておくことが推奨される。図１の場合は、下
地層１３と磁気記録層１５の間に、ＣｏＣｒＴａから成
る中間層１４が形成されている。この中間層１５はコバ
ルト系合金で形成することが好ましいく、例えば１〜５
ｎｍの層厚である。さらに、上記磁気記録層１５上には
Ｃ系保護膜が設けらている。

【００４４】上記磁気記録媒体１０は従来の薄膜形成技
術を用いて、非磁性支持体１１上に前述した各層を順次
成膜して製作される。例えば、無電解メッキＮｉＰ膜が
コートされた非磁性支持体１１としてのＡｌ基板表面に
テクスチャ処理を施す。その後、スパッタリング法によ
り下からＣｒ、ＣｒＭｏから成る下地層１２、１３を形
成し、ＣｏＣｒＴａの中間層１４を形成する。さらにＣ
ｏＣｒＰｔＢＣｕの磁性膜１５及びＣ系保護膜１７を順
次形成して積層構造とする。

【００４５】その際、下地層１２、１３の成膜前にスパ
ッタ室内を例えば４×１０^−５Ｐａ以下となるように排
気を行う。次に、基板１１の温度が２２０℃程度になる
まで加熱し、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を０．６
７Ｐａ程度に保持する。

【００４６】そして、例えばＣｒ下地層１２（６ｎ
ｍ）、ＣｒＭｏ下地層１３（４ｎｍ）、ＣｏＣｒＴａ中
間層１４（１ｎｍ）、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁気記録層１
５（１０〜２５ｎｍ）、Ｃ系保護膜１７（６ｎｍ)の順
で、非磁性ＮｉＰ−Ａｌ基板１１上に形成する。ここ
で、括弧内に示したのは各層の例示的な膜厚（ｎｍ）で
ある。特に磁気記録層１５の膜厚は磁気記録媒体を設計
する際に適宜調整される。

【００４７】なお、本発明者等は上記製造工程において
下地層１２，１３の成膜を開始する時の温度を１６０〜
３００℃の範囲とすると、磁気記録層１５のＳ／Ｎ特性
を向上させることができることを確認している。

【００４８】さて、本第１実施例の磁気記録媒体１０で
は前述したようにｔＢｒ値が低く設定しても高い保磁力
Ｈｃを有する磁気記録層１５を備えている。そのため
に、磁気記録媒体１０の磁気記録層１５はＣｏＣｒＰｔ
ＢＣｕで示されるコバルト系の合金であり、所定の組成
を有している。

【００４９】すなわち、磁気記録層１５の原子％組成は
下記式（４）により示される。Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε） …… （４）ここで、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、
２≦ε≦７であり、残部はα（＞０）となるような組成
を有している。ここで、α、β、γ、δ及びεのそれぞ
れは含有ａｔ％（原子％）を示している。すなわち、磁
気記録層１５はコバルト（Ｃｏ）系の合金であり、上記
範囲からβ、γ、δ及びεが特定されると、その残部の
αａｔ％のコバルトとなる。

【００５０】以下、さらに具体的にデータを示して上記
のように特定される磁気記録媒体についてより詳細に説
明をする。

【００５１】図２は室温でトルクロス法にて測定した磁
気記録層１５のＨｋ（磁気異方性磁界）と磁気記録層１
５のＣｕ含有率（ａｔ％）との関係を示す図である。図
２により、磁気記録層１５のＣｕ含有率依存性を確認す
ることができる。なお、図２で示すＣｏＣｒＰｔＢＣｕ
の組成は、Ｃｒ（２４ａｔ％）、Ｐｔ（９ａｔ％）Ｂ
（４ａｔ％）であり、Ｃｕの含有率をＸａｔ％としてそ
れぞれ０，１，２，３，４，５，６，７ａｔ％と変化さ
せ、その際に残部をコバルトとした場合について示して
いる。

【００５２】図２から磁気記録層１５のＣｕ含有率を２
〜７ａｔ%の範囲とすると磁気異方性磁界Ｈｋが改善さ
れることが確認できる。前記本発明の課題でも説明した
ように磁気異方性磁界Ｈｋが向上すると耐熱揺らぎ性が
向上するので磁気記録媒体１０を高密度化するために必
要な条件の１つである。図２から明らかなように磁気記
録層１５のＣｕ含有率は、より好ましくは３〜７ａｔ%
であり、さらに好ましくは４〜６ａｔ%である。

【００５３】図３は、磁気記録層１５のｔＢｒ値と保磁
力Ｈｃとの関係について示す図である。図３では、磁気
記録層１５のＣｕ含有率を３ａｔ％、５ａｔ％とした場
合について保磁力ＨｃのｔＢｒへの依存性が確認でき
る。さらに、比較のためＣｕ含有率が０ａｔ％であり本
発明に従わない磁気記録層についても示している。

【００５４】本実施例によるＣｕ含有率が３ａｔ％及び
５ａｔ％である磁気記録層は、本発明に従わないＣｕ含
有しない場合と比較して、特に低ｔＢｒ側で高い保磁力
Ｈｃを保持していることが確認できる。また、Ｃｕ含有
率が５ａｔ％の場合はその効果がより顕著である。前述
したように、低ｔＢｒであり且つ高い保磁力Ｈｃを確保
することは従来において困難であったが、本実施例によ
ればこれを可能としていることが分かる。

【００５５】なお、図３で示したデータも図２で用いた
磁気記録層と同様の基本組成を有する磁気記録層に基づ
くものでありＣｒ（２４ａｔ％）、Ｐｔ（９ａｔ％）Ｂ
（４ａｔ％）とし、Ｃｕの含有率を０，３，５ａｔ％と
変化させ、残部をコバルトとした場合である。

【００５６】図４は、磁気記録層１５のＣｒ濃度と孤立
波Ｓ／Ｎ（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）との関係について示す図で
ある。図４では孤立波Ｓ／Ｎ（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）がＣｒ
濃度に依存性があることが確認できる。なお、図４に示
すデータにつても磁気記録層１５の組成は前述したα、
γ、δ及びεの条件を満たすものであり、クロムの含有
率をＸとして変化させた場合である。

【００５７】図４によれば、前述した従来技術（特開平
８−３１６３８号）で示した組成範囲Ｃｒ＝６〜２０ａ
ｔ％では２７ｄＢまでの不十分なＳ／Ｎしか得られてい
ない。しかし、この範囲の最高値２０ａｔ％以上となる
とＣｒ濃度に依存して所望のＳｉｓｏ／Ｎｍ＝２７ｄＢ
が得られることが分かる。これは、従来例のＣｒ含有率
では磁性粒界へのＣｒの析出が十分でないために、磁性
粒同士の磁気的相互作用が大きく、媒体ノイズが比較的
大きいためと考えられる。よって、図４から磁気記録層
１５のＣｒ含有率は２０ａｔ％以上が好ましいことが確
認できる。

【００５８】次に、図５は磁気記録層１５のＣｒ濃度と
保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。図５では、
磁気記録層１５の保磁力ＨｃがＣｒ濃度に依存すること
が確認できる。

【００５９】前記図４では、Ｃｒの含有率を多くすると
磁気記録層１５のノイズ低減を促進できること、すなわ
ちＳｉｓｏ／Ｎｍを向上できることが示された。しか
し、図５からＣｒの含有率を多くすると保磁力Ｈｃが低
下することが確認される。そのために、磁気記録媒体１
０の記録再生分解能が劣化することになる。

【００６０】一般に磁気記録層の保磁力Ｈｃの値はＰ
ｔ、Ｂの含有率によっても変化するが、例えば図５に示
す様にＰｔ＝８ａｔ％、Ｂ＝３ａｔ％の場合には所望の
２０００（×１／４π ｋＡ／ｍ）以上の保磁力Ｈｃを
得るには、Ｃｒ濃度は２６ａｔ％以下とすることが望ま
しい。すなわち、高い保磁力Ｈｃと高いＳｉｓｏ／Ｎｍ
を両立できるＣｒ濃度として採用できる組成範囲は２０
≦Ｃｒ≦２６ａｔ％となる。

【００６１】さらに、前述したように２≦Ｃｕ≦７ａｔ
％含有することにより、異方性磁界Ｈｋ値を向上させ、
低ｔＢｒでも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を作
成すできることが分かる。

【００６２】次に、図６は磁気記録層１５のＰｔ含有率
（ａｔ％）と保磁力Ｈｃとの関係について示している。
図６では、磁気記録層１５の保磁力ＨｃがＰｔ含有率に
依存性があることが示されている。図６によれば、保磁
力ＨｃはＰｔの含有率１２ａｔ％までは単調に増大して
いる。よって、所望の保磁力Ｈｃ＝２０００（×４／π
ｋＡ／ｍ）以上を得るには、Ｐｔの組成は６ａｔ％以
上必要であることが分かる。

【００６３】また、ＣｏＰｔ二元合金（バルク）の相図
（phase diagram）より、εＣｏ（ｈｃｐ）相が得られ
るのはＰｔ≦２０ａｔ％の範囲である。よって、強磁性
で高い保磁力Ｈｃの得られる白金Ｐｔの好ましい組成範
囲は６≦Ｐｔ≦２０ａｔ％となる。

【００６４】また、図７は磁気記録層１５の硼素Ｂの含
有率（ａｔ％）と保磁力Ｈｃとの関係について示す図で
ある。Ｂの含有率が１≦Ｂ≦７ａｔ％であると、保磁力
Ｈｃとしての所望の値２０００（×１／４π ｋＡ／
ｍ)を得ることができる。さらにＢの含有率が２≦Ｂ≦
６ａｔ％であると、保磁力Ｈｃとして２５００（×１／
４π ｋＡ／ｍ)以上を得られることが確認できる。

【００６５】図８は、本第１実施例による磁気記録層１
５としてＣｏ（５９ａｔ％）Ｃｒ（２０ａｔ％）Ｐｔ
（１０ａｔ％）Ｂ（６ａｔ％）Ｃｕ（５ａｔ％）を有す
る磁気記録媒体１０と、比較例のＣｕを含有しない磁気
記録層Ｃｏ（６４ａｔ％）Ｃｒ（２０ａｔ％）Ｐｔ（１
０ａｔ％）Ｂ（６ａｔ％）を有する磁気記録媒体との線
記録密度２７０ｋＦＣＩにおけるｔＢｒとＳ／Ｎｍの関
係を示す図である。図８では、Ｓ／ＮｍがｔＢｒに依存
性を有することが示されている。

【００６６】本第１実施例によるＣｏＣｒＰｔＢＣｕで
形成された磁気記録層１５を備えた磁気記録媒体では比
較例と比較してＳ／Ｎｍが高く、特にｔＢｒ値の低い側
で高いＳ／Ｎｍの得られることが確認できる。本第１実
施例による磁気記録層では、ｔＢｒの値が特に低い２ｎ
Ｔｍから所望の１５ｄＢ以上のＳ／Ｎｍを得られてい
る。

【００６７】ここで、スピンバルブ等のＧＭＲ（巨大磁
気抵抗効果）膜を用いた高感度な磁気再生ヘッドを採用
する磁気ディスク装置では、ｔＢｒ値が７ｎＴｍ以下で
も十分に高い信号再生出力が得ることができる。よっ
て、磁気記録媒体１０のｔＢｒを低めの７ｎＴｍ以下と
することにより、高いトータルＳ／Ｎ（信号出力をヘッ
ド、媒体、回路ノイズで割った値）が得られることにな
る。よって、本第１実施例の磁気記録媒体１０ではｔＢ
ｒが２〜７ｎＴｍの範囲となるような低い範囲に設定す
ることができる。

【００６８】さらに、本発明の第２から第４実施例の磁
気記録媒体について説明する。図９から図１１のそれぞ
れは、第２〜第４実施例の磁気記録媒体２０、３０、４
０の層構成を図１と同様に示した図である。前記図１で
示した、第１実施例の磁気記録媒体１０では磁気記録層
が１層であったが、以下の第２〜第４実施例では磁気記
録層が２層である場合について示している。これら実施
例の磁気記録媒体も第１実施例の場合と同様に従来の薄
膜形成技術を用いて製造することができる。

【００６９】図９に示す第２実施例の磁気記録媒体２０
は、非磁性支持体２１として無電解メッキＮｉＰ膜がコ
ートされたＡｌ基板を用い、その表面にテクスチャ処理
を施す。その後、スパッタリング法により下から順にＣ
ｒとＣｒＭｏの２層の下地層２２、２３を形成し、Ｃｏ
ＣｒＴａの中間層２４を形成する。さらに、Ｃｏ−Ｃｒ
（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ（４ａｔ％）
−Ｃｕ（５ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０ａｔ％）−Ｐ
ｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）
の組成を有する２層の磁気記録層２５、２６を形成し、
最後にＣ系保護膜２７を形成した積層体である。

【００７０】本第２実施例の磁気記録層２５及び２６で
は含有している元素は同じであり、共にＣｏＣｒＰｔＢ
Ｃｕである。例えば磁気記録層２５はＣｒが２５ａｔ
％、Ｐｔが１１ａｔ％、Ｂが４ａｔ％、Ｃｕが５ａｔ％
であり、残部が５５ａｔ％となりこれがコバルトの含有
率となる。同様に、磁気記録層２６はＣｒが２０ａｔ
％、Ｐｔが１０ａｔ％、Ｂが６ａｔ％、Ｃｕが５ａｔ％
であり、残部が５９ａｔ％でコバルトの含有率となる。

【００７１】図１０に示す第３実施例の磁気記録媒体３
０は、上記第２実施例とは異なり磁気記録層３６にＣｕ
を含まない構成である。この磁気記録媒体３０も同様
に、非磁性支持体３１上に、スパッタリング法により下
から順にＣｒとＣｒＭｏの２層の下地層３２、３３を形
成し、ＣｏＣｒＴａの中間層３４を形成する。さらに、
Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ
（４ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０
ａｔ％）−Ｐｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）の組成
を有する２層の磁気記録層３５、３６を形成し、最後に
Ｃ系保護膜３７を形成した積層体である。

【００７２】本第３実施例の磁気記録層３５及び３６の
場合は、含有している元素が異なる。磁気記録層３５は
ＣｏＣｒＰｔＢＣｕを含むが、磁気記録層３６にはＣｕ
を含んでいない。例えば磁気記録層３５はＣｒが２５ａ
ｔ％、Ｐｔが１１ａｔ％、Ｂが４ａｔ％、Ｃｕが５ａｔ
％であり、残部の５５ａｔ％がコバルトとなる。同様
に、磁気記録層３６ではＣｒが２０ａｔ％、Ｐｔが１０
ａｔ％、Ｂが６ａｔ％であり、残部６４ａｔがコバルト
である。

【００７３】図１１に示す第４実施例の磁気記録媒体４
０は、上記第３実施例とは反体に下側の磁気記録層４５
にＣｕを含まない構成である。この磁気記録媒体４０も
同様に、非磁性支持体４１上に、スパッタリング法によ
り下から順にＣｒとＣｒＭｏの２層の下地層４２、４３
を形成し、ＣｏＣｒＴａの中間層４４を形成する。さら
に、Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−
Ｂ（４ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０ａｔ％）−Ｐｔ
（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）の
組成を有する２層の磁気記録層４５、４６を形成し、最
後にＣ系保護膜４７を形成した積層体である。

【００７４】本第４実施例の磁気記録層４５及び４６の
場合についても含有している元素が異なることになる。
磁気記録層４５はＣｕを含んでいないが、磁気記録層３
６はＣｏＣｒＰｔＢＣｕでありＣｕを含む。磁気記録層
４５及び４６に含まれる各元素の含有率（原子％）はカ
ッコ内に示されている。例えば磁気記録層４５ではＣｒ
が２５ａｔ％、Ｐｔが１１ａｔ％、Ｂが４ａｔ％であ
り、残部５０ａｔ％がコバルトとなる。同様に磁気記録
層３６はＣｒが２０ａｔ％、Ｐｔが１０ａｔ％、Ｂが６
ａｔ％、Ｃｕ５ａｔ％であり、残部５９ａｔ％がコバル
トとなる。

【００７５】上記第２〜４実施例に示すように、本発明
の磁気記録媒体はその磁気記録層として前述した所定の
組成を有するＣｏＣｒＰｔＢＣｕを少なくとも１層含む
構成である。

【００７６】さらに、図１２には本発明に従わない比較
例の磁気記録媒体１００の層構成を示している。この磁
気記録媒体１００は、実施例２〜４と同様に２層の磁気
記録層１０５、１０６を有するが両者ともＣｕを含んで
いない。この磁気記録層１０５と１０６は共にＣｏＣｒ
ＰｔＢであり、その組成はＣｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−
Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ（４ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ
（２０ａｔ％）−Ｐｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）
である。なお、磁気記録媒体１００の他の構成、下地層
１０２、１０３、中間層１０４、Ｃ系保護膜１０７は前
述した実施例と同様である。

【００７７】図１３は上記第２〜４実施例の磁気記録媒
体と図１２で示す比較例の磁気記録媒体とに関して、ｔ
Ｂｒと保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。図１
３ではＩで示すのが上記第２実施例の磁気記録媒体２０
であり、IIで示すのが上記第３実施例の磁気記録媒体３
０であり、IIIで示すのが上記第４実施例の磁気記録媒
体４０である。図１３にはそれぞれの磁気記録層の構成
を簡略化して示している。Ｂｏｔが下層、Ｔｏｐが上層
である。

【００７８】図１３では保磁力ＨｃがｔＢｒに依存性を
有することが示されている。本第２〜４実施例の磁気記
録媒体の何れもが、比較例と比べて高い保磁力Ｈｃを有
することが確認できる。ｔＢｒの値が低い５．５〜７．
０ｎＴｍ側で高い保磁力Ｈｃが得られることが確認でき
る。特に、第２実施例の様に磁気記録層の両方にＣｕを
含むと５．５〜７．０ｎＴｍでより高い保持力Ｈｃで安
定することが確認できる。また、第３実施例のように２
層の磁気記録層の内でＢｏｔ側（媒体の支持体側）にＣ
ｕを含むと第２実施例よりは劣るが同様に５．５〜７．
０ｎＴｍで高い保持力Ｈｃで安定することが確認でき
る。さらに、第４実施例のように２層の磁気記録層の内
でＴｏｐ側（媒体の表面側）にＣｕを含むと５．５ｎＴ
ｍ近辺では第２実施例よりは劣り第３実施例と同様であ
るが７．０ｎＴｍに向けて高い保持力Ｈｃを示す傾向が
確認できる。

【００７９】なお、図１３ではｔＢｒ値が約５．５〜約
８．０ｎＴｍの範囲でのデータとしているが、従来の磁
気記憶装置において採用されているｔＢｒ値に対応して
データを取得したためであり、本第２〜４実施例の磁気
記録媒体は５．５ｎＴｍ以下でも所望の保持力Ｈｃを保
持している。次の図１４についても同様である。

【００８０】図１４は、上記第２実施例の磁気記録媒体
（Ｉ）と上記比較例の磁気記録媒体について、ｔＢｒと
Ｓ／Ｎｍについて示す図である。ｔＢｒの低い値５．５
〜７．０ｎＴｍでも第２実施例の磁気記録媒体は比較例
の場合と比べて高いＳ／Ｎｍ（ｄＢ）を有していること
が確認できる。

【００８１】本実施例の磁気記録媒体は磁気記録層とし
て前述したように所定の組成を有したコバルト系合金Ｃ
ｏＣｒＰｔＢＣｕを用いている。よって、低ｔＢｒの範
囲でも高いＳ／Ｎｍや高い保持力Ｈｃを得ることができ
る。したがって、高記録密度の磁気記録媒体とすること
ができる。

【００８２】なお、本発明の磁気記録層は低ｔＢｒでも
高い保磁力Ｈｃを得ることができるという長所を有する
ので、上記第２実施例のようにこの磁気記録層を積み重
ねて形成した多層磁性層では、さらに特にその効果が顕
在化すると考察できる。

【００８３】以下さらに、本実施例の磁気記録媒体で用
いている下地層について説明する。本実施例では図６に
基づいて説明したように所望の保磁力Ｈｃを得るための
構成として比較的Ｐｔの濃度が高い磁気記録層（６≦Ｐ
ｔ≦２０ａｔ％）となっている。この場合、磁気記録層
の結晶格子と下地層のＣｒ結晶格子のミスフィットを低
減することが必要である。そこで、本実施例の磁気記録
媒体ではクロムを主成分とし、モリブデン、タンタル、
チタン、タングステン、バナジウムからなる群から選択
された元素を少なくとも１種以上を含有している下地層
を用いている。このように、下地層側の構成を選定する
ことで面内配向性が良好な磁気記録層を形成して好適な
磁気記録媒体とすることができる。

【００８４】さらに、テクスチャ処理を施したＡｌ基板
等の上に２層の下地層、例えば上記実施例でも示したよ
うに基板側Ｃｒ／表層側ＣｒＭｏを形成した場合には、
面内配向性のみでなく、Ｏ．Ｒ．（Orientation Rati
o：記録媒体の周方向における保磁力Ｈｃ／半径方向の
保磁力Ｈｃ）も改善したより好ましい磁気記録媒体を作
成することができる。

【００８５】図１５は、純Ｃｒ又はＣｒ（８０ａｔ％）
Ｍｏ（２０ａｔ％）の合金を下地層として単層で形成し
た場合と、前記実施例のようにＣｒ（８０ａｔ％）Ｍｏ
（２０ａｔ％）／Ｃｒの２層で下地層を形成した場合と
について、トータルの下地層厚（ｔ）と上記Ｏ．Ｒ．と
の関係について示す図である。図１５からトータル下地
膜厚（ｔ）にＯ．Ｒ．が依存性を有することが示されて
いる。

【００８６】図１５において、下地層がＣｒＭｏ単層で
あるとき比較して、本実施例のＣｒＭｏ／Ｃｒの２層と
した磁気記録媒体ではＯ．Ｒ．が改善していることが分
かる。

【００８７】特に、下地層を純Ｃｒ層とＣｒ合金層で形
成するときには、下側（支持体側）をクロム層とし上側
（磁気記録層側）をＣｒ合金層とする磁気記録媒体は前
述したように面内配向性も良好である。この点について
は、膜垂直方向と面内方向での保磁力Ｈｃを測定して本
願発明者等が確認している。

【００８８】上記Ｏ．Ｒ．は周／径方向での下地層格子
の歪方が異なる事に起因し発現すると推測される。実
際、ＣｒＭｏ等のクロム系合金と比較して、純Ｃｒの方
が周／径での格子歪が大きい。これに起因して図１５に
示す様に純Ｃｒ単層により下地層で高いＯ．Ｒ．が得ら
れると推定される。

【００８９】そこで、本実施例では、Ｃｒを用いて形成
した場合に得られる高Ｏ．Ｒ．性と、ＣｒＭｏを用いて
形成した場合の高面内配向性を両立させることを意図
し、Ｂｏｔ：Ｃｒ／Ｔｏｐ：ＣｒＭｏの２層で下地層を
形成している。なお、下地層を１層で形成するときに
は、磁気記録層の面内配向性を考慮してクロム系合金を
用いることが望ましい。

【００９０】また、図１６に示す第５実施例の磁気記録
媒体５０のように、２層の下地層５２、５３を共に、ク
ロム系合金で形成してもよい。その際には、前述した磁
気記録層の面内配向性とＯ．Ｒ．を考慮して、支持体５
１側に近いクロム系合金層はクロムの含有率が高く、反
対側（磁気記録層５５側）はクロムの含有率が低くなる
ように形成する。このような磁気記録媒体は高Ｓ／Ｎ性
と良好な面内配向性を有すると共に歪み難い磁気記録媒
体とすることができる。

【００９１】さらに、前述した各実施例の磁気記録媒体
では磁気記録層のＣ軸の面内配向性を高めるために、１
〜５ｎｍの膜厚で、下地層と磁気記録層との間にｈｃｐ
構造を有するＣｏ系合金を中間層として配設している。
この中間層として使用するＣｏ系合金としては、含有す
る非磁性材料の成分が少ないほど面内配向性が良好で、
非磁性材料の含有率が高くなるほど面内配向性が劣化す
る傾向がある。しかし、非磁性材料成分が少ない場合、
中間層の飽和磁束密度Ｂｓが高くなり、磁性膜全体とし
て前記ｔＢｒ値の合わせを行う際、相対的に磁気記録層
の膜厚を薄く形成することになり、保磁力Ｈｃが低下さ
せることになる。そこで、上記中間層の飽和磁束密度Ｂ
ｓは０．４〜０．６Ｔ程度に設定すことが好ましい。

【００９２】続いて、本発明になる磁気記憶装置の一実
施例を、図１７及び図１８と共に説明する。図１７は磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１
８は同装置の要部を示す平面図である。

【００９３】図１７及び図１８に示すように、磁気記憶
装置は大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１
３内には、モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録
媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサス
ペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエ
ータユニット１２０が設けられている。磁気記録媒体１
１６はモータ１１４により回転されるハブ１１５に取付
けられている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲヘッドや
ＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド
等の記録ヘッドとからな複合型の記録再生ヘッドであ
る。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９
の先端にサスペンション１１８を介して取付けられてい
る。アーム１１９はアクチュエータユニット１２０によ
り駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知
であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。

【００９４】上記磁気記憶装置では例えば前述した実施
例で示した磁気記録媒体を用いている。各磁気記録媒体
１０は、前記図１、図９、図１０、図１１或いは図１６
で説明した構成を有する。勿論、磁気記録媒体１０の数
は３枚には限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上で
あってもよい。

【００９５】本磁気記憶装置の基本構成は、図１７及び
図１８に示すものに限定されるものではない。また、本
発明の磁気記憶媒体は磁気ディスクに限定されるもので
はない。

【００９６】以上本発明の好ましい実施例について詳述
したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の
範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【００９７】なお、以上の説明に関して更に以下の付記
を開示する。

【００９８】（付記１）非磁性支持体と、該非磁性支
持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形
成された磁気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体
であって、前記磁気記録層には、Ｃｏ（α）−Ｃｒ
（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）の組成で示
されるコバルト、クロム、白金、硼素及び銅を含む合金
で形成された合金磁気記録層を少なくとも１層含み、前
記合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積ｔ
・Ｂｒが２．０〜７．０ｎＴｍである、ことを特徴とす
る磁気記録媒体。

【００９９】（但し、α、β、γ、δ及びεのそれぞれ
は含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、
１≦δ≦７、２≦ε≦７にあり、残部はαとなる）（付記２）非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に
形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁気
記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、前
記磁気記録層は２層以上で形成され、該磁気記録層の少
なくとも１層はＣｕを含んだ合金磁気記録層であること
を特徴とする磁気記録媒体。

【０１００】（付記３）付記１又は２記載の磁気記録
媒体において、前記下地層には、モリブデン、タンタ
ル、チタン、タングステン及びバナジウムから成る群か
ら選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合金
層を少なくとも１層含むことを特徴とする磁気記録媒
体。

【０１０１】（付記４）付記３記載の磁気記録媒体に
おいて、前記下地層は前記クロム系合金層の下側に、さ
らにクロム層を含むことを特徴とする磁気記録媒体。

【０１０２】（付記５）付記３又は４記載の磁気記録
媒体において、前記下地層は複数の前記クロム系合金層
で形成され、前記非磁性支持体側に近い下側層となる
程、当該各クロム系合金層に含むクロム以外の元素の比
率が低いことを特徴とする磁気記録媒体。

【０１０３】（付記６）付記１から５いずれかに記載
の磁気記録媒体において、前記下地層と前記磁気記録層
との間にコバルト系合金からなる中間層を少なくとも１
層配設したことを特徴とする磁気記録媒体。

【０１０４】（付記７）付記６記載の磁気記録媒体に
おいて、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜
０．６Ｔであることを特徴とする磁気記録媒体。

【０１０５】（付記８）付記１から７いずれかに記載
の磁気記録媒体を製造する方法であって、成膜開始時温
度を１６０〜３００℃の範囲として前記下地層を形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

【０１０６】（付記９）付記１から７いずれかに記載
の磁気記録媒体と、磁気抵抗効果型ヘッドとを含むこと
を特徴とする磁気記憶装置。

【０１０７】

【発明の効果】以上詳述したところから明らかなよう
に、請求項１記載の発明によれば磁気記録媒体のｔ・Ｂ
ｒが低い値であっても所望の保磁力Ｈｃを得ることがで
きる。よって、再生出力の分解能を向上させると共にノ
イズ低減が図られているので、高記録密度化が可能な磁
気記録媒体として提供できる。このような磁気記録媒体
は高い磁気異方性磁界を有し、耐熱揺らぎ性においても
優れている。

【０１０８】また、請求項２記載の発明によれば、Ｃｕ
を含んだ合金磁気記録層を１層以上形成して、より低ｔ
Ｂｒ側でも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を提供
できる。

【０１０９】また、請求項３記載の発明によれば、コバ
ルト系合金層を下地層と磁気記録層との間に介在させる
ことで、磁気記録層の面内配向性をさらに向上させるこ
とができる。

【０１１０】また、請求項４記載の発明によれば、磁気
記録層の低ｔＢｒと高Ｈｃを維持しつつ磁気記録層の面
内配項性の向上を図ることができる。

【０１１１】また、請求項５記載の発明によれば、前述
したような高記録密度化した磁気記録媒体を搭載してい
るのでより多くの情報を記録・再生できる磁気記憶装置
として提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の層構
成を示した図である。

【図２】トルクロス法にて測定した磁気記録層のＨｋ
（磁気異方性磁界）と磁気記録層１５のＣｕ含有率（ａ
ｔ％）との関係を示す図である。

【図３】磁気記録層のｔＢｒ値と保磁力Ｈｃとの関係に
ついて示す図である。

【図４】磁気記録層のＣｒ濃度とＳｉｓｏ／Ｎｍとの関
係について示す図である。

【図５】磁気記録層のＣｒ濃度と保磁力Ｈｃとの関係に
ついて示す図である。

【図６】磁気記録層のＰｔ含有率（ａｔ％）と保磁力Ｈ
ｃとの関係について示している。

【図７】磁気記録層１５の硼素Ｂの含有率（ａｔ％）と
保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。

【図８】第１実施例による磁気記録媒体と、比較例の磁
気記録媒体との線記録密度２７０ｋＦＣＩにおけるｔＢ
ｒとＳ／Ｎｍの関係を示す図である。

【図９】本発明の第２実施例に係る磁気記録媒体の層構
成を示した図である。

【図１０】本発明の第３実施例に係る磁気記録媒体の層
構成を示した図である。

【図１１】本発明の第４実施例に係る磁気記録媒体の層
構成を示した図である。

【図１２】比較例の磁気記録媒体の層構成を示した図で
ある。

【図１３】第２〜４実施例の磁気記録媒体と図１２で示
す比較例の磁気記録媒体とに関して、ｔＢｒと保磁力Ｈ
ｃとの関係について示す図である。

【図１４】第２実施例の磁気記録媒体（Ｉ）と比較例の
磁気記録媒体について、ｔＢｒとＳ／Ｎｍについて示す
図である。

【図１５】純Ｃｒ又はＣｒＭｏの合金を下地層として単
層で形成した場合と、ＣｒＭｏ／Ｃｒの２層で下地層を
形成した場合について、トータルの下地層厚（ｔ）と
Ｏ．Ｒ．との関係について示す図である。

【図１６】本発明の第５実施例に係る磁気記録媒体の層
構成を示した図である。

【図１７】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図
である。

【図１８】図１７に示した装置の要部を示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１０磁気記録媒体１１非磁性支持体１２下地層（クロム）１３下地層（クロム系合金）１４中間層１５磁気記録層（合金磁気磁性層）１７Ｃ系保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｆ 10/30 Ｈ０１Ｆ 10/30 (72)発明者遠藤敦山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内 (72)発明者菊池暁山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内Ｆターム(参考） 4K029 AA02 AA24 BA06 BA07 BA08 BA13 BA33 BB02 BC06 BD11 CA05 5D006 BB01 BB07 BB08 CA01 FA09 5E049 AA04 AA09 BA06 CB02 DB12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方
に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁
気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、前記磁気記録層には、Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ
（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）の組成で示されるコバル
ト、クロム、白金、硼素及び銅を含む合金で形成された
合金磁気記録層を少なくとも１層含み、前記合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積
ｔ・Ｂｒが２．０〜７．０ｎＴｍである、ことを特徴と
する磁気記録媒体。（但し、α、β、γ、δ及びεのそ
れぞれは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦
２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７にあり、残部はαとな
る）
【請求項２】非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方
に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁
気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は２層以上で形成され、該磁気記録層の
少なくとも１層はＣｕを含んだ合金磁気記録層であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の磁気記録媒体にお
いて、前記下地層と前記磁気記録層との間にコバルト系合金か
らなる中間層を少なくとも１層配設したことを特徴とす
る磁気記録媒体。
【請求項４】請求項３記載の磁気記録媒体において、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔ
であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】請求項１から４いずれかに記載の磁気記
録媒体と、磁気抵抗効果型ヘッドとを含むことを特徴と
する磁気記憶装置。