JP4185518B2 - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents

Description

本発明は情報の記録・再生を行う磁気記憶装置に用いられるハードディスク等の磁気記録媒体に関する。特に、再生出力の分解能を向上させ且つノイズ低減を図り高記録密度を実現できる磁気記録媒体に関する。

近年の情報処理技術の発達に伴い、コンピュータの外部記憶装置として用いられる磁気ディスク装置については高密度化の要求が益々高まっている。この要求を満たすためは磁気記録媒体からの再生出力の分解能を向上させること及びノイズの低減を図ることが必要である。

一般的な面内記録（長手記録）タイプの磁気記録媒体について、再生波形のパルス幅Ｐｗ５０は媒体の静磁気特性である保磁力Ｈｃ、残留磁化Ｂｒ、磁気記録層厚ｔを用いて下記式（１）のように示されることが知られている。

Ｐｗ５０ ＝（２（ａ＋ｄ）²＋（ａ／２）²）^1/2 …… （１）
但し、ａ∝（ｔ×Ｂｒ／Ｈｃ）^1/2 であり、ｄは磁気スペーシングである。

一般的に上記パルス幅Ｐｗ５０が狭い程、記録再生信号の分解能が向上することが知られている。よって、磁気記録媒体の高密度化のためには、磁気記録層厚ｔを薄くし、高い保磁力Ｈｃを有するように形成することが必要であることが分かる。

また、磁気記録媒体に求められる他の重要な特性として高Ｓ／Ｎｍ（出力対媒体ノイズ比）化がある。このような磁気記録媒体のノイズ低減化を促進するには、例えば磁気記録層を形成する磁性粒子の微細化、及び磁性粒子間の磁気的相互作用を抑制することが必要である。そこで、磁気記録媒体のＳ／Ｎｍを改善する手法として、例えば特開平８−３１６３８号公報で開示される技術の提案がある。この技術では、磁気記録媒体の磁気記録層に６〜２０ａｔ%（原子％）のＣｒと９ａｔ%以下のＴａを含むＣｏ系合金膜に、Ｃｕを０．５〜７ａｔ％を含有せせることにより粒径を微細化して、上記Ｓ／Ｎｍを改善することが記載されている。
特開平８−３１６３８号公報

前記特開平８−３１６３８号公報では、Ｃｒの濃度が６〜２０ａｔ%であるようなＣｏ系合金の磁性膜へＣｕを含有させることにより磁気記録媒体のＳ／Ｎｍを改善できることが開示されている。しかしながら、最近ではより高密度記録が可能な磁気記録用媒体への要求が高く、ここで開示されている組成の磁気記録層を有する磁気記録媒体ではその要求を十分に満たすことができない。

また、磁気記録層の特性を向上させることに関して、異方性磁界（Ｈｋ）を改善に関する検討や、磁気記録層の層厚（ｔ）とその残留磁束密度（Ｂｒ）の積ｔ・Ｂｒの値が低い側での保磁力Ｈｃの低下を抑制することに関して種々の検討がなされているが、何れも具体的な手段を開示するものではない。

さらに、前述した磁気記録媒体の高密度化との関係で、最近特に重大な課題であると指摘されているもの１つに所謂、「熱揺ゆらぎ」による問題がある。この熱揺らぎは、磁気記録層の層厚ｔを薄くしたり、結晶粒子径を小さくすると磁気的緩和（残留磁化の減少）が進む現象であり、磁気記録媒体においては抑制すべき現象である。

すなわち、磁気記録媒体の高記録密度化のため重大な課題の１として耐熱揺らぎ性の向上がある。その一方で、磁気記録媒体の記録密度を向上させるためにはノイズの低減が必須であり、その為には前述したように磁気記録媒体のｔＢｒ値を低くすることへの要求がある。

また、Ｎｅｅｌ−Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ等によると磁気記録媒体の磁化の緩和は、下記式（２）で示される緩和時間（τ）に従うことが知られている。

τ^-1＝ｆ₀ｅｘｐ（−ΔE／ｋＴ) …… （２）
但し、ΔE＝ＫｕＶ（１−Ｈ／Ｈ₀）^1/n ；ｎ＝２／３であり、
Ｋｕ＝Ｈｋ・Ｍｓ／２、Ｈ＝Ｈｅ＋Ｈｄである。

ここで，ｆ₀はスピン歳差運動の周波数で１０^９（Ｓ^−１）であり、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、Ｋｕは磁気異方性エネルギー定数、Ｖは実効的な粒子の体積、Ｈ₀は熱揺らぎが無い場合のイントリンジック（固有）な保磁力、Ｍｓは飽和磁化、Ｈｅは外部磁界、Ｈｄはビットトランジッションでの反磁界、Ｈｋは異方性磁界である。

上記式（２）を参照すると、磁気記録媒体のノイズ低減のために前述した低ｔＢｒ化を図ろうとすると上式（２）の実効的な粒子の体積Ｖ若しくは飽和磁化Ｍｓの低下を招来して緩和時間（τ）が短くなる。よって、耐熱揺らぎ性が低下して時間と共に再生出力が低下し易くなる。

そこで、最近、上記のように低ｔＢｒ化を図りつつ十分な耐熱揺らぎ性を確保するため、異方性磁界Ｈｋを向上させＫｕＶ（磁気異方性エネルギー定数×実効的な粒子の体積）を高い値に保つことができるような技術への要請も高くなっている。

また、磁気記録層の保磁力Ｈｃも測定温度と測定時間の関数であり、上記熱揺らぎの影響を受け易く、一般の磁気記録媒体では温度が高い程、保磁力Ｈｃの値が低く測定される。リマネンス保磁力Ｈｃｒの値は下記式（３）に従うことが知られている。

Ｈｃｒ／Ｈ₀＝１−｛Ｃｌｎ（ｆ₀tim／ｌｎ２）｝ⁿ …… （３）
但し、Ｃ^−１＝ΔＥ／ｋＴである。

ここで、timは外部磁界（Ｈｅ）が印加されている時間である．
よって、低ｔＢｒ化して熱揺らぎの影響を受け易い磁気記録媒体では、通常では保磁力Ｈｃの値が低下する。そして、耐熱揺らぎ性の低下と共にＳ／Ｎｍも低下してしまう。

前述したように、磁気記録媒体で高密度化を図るためには、低いｔＢｒ値（低ｔＢｒ）でも高い保磁力Ｈｃが得られるように磁気記録層の磁気的特性を設定することが良いことは確認されているものの、前述したように磁気記録層の磁気的特性は相互に影響を与えており、特に熱揺らぎの問題を抑制しつつ、低ｔＢｒでしかも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を作成することは極めて困難であるとされている。

したがって本発明の主な目的は、高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録層を形成して、再生出力の分解能と共に低ノイズ性も向上させて高記録密度化が可能な磁気記録媒体を提供することである。

上記目的は請求項１に記載される如く、非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された中間層と、該中間層の上方に形成された少なくとも２層の磁気記録層とを備える磁気記録媒体であって、前記下地層は、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン及びバナジウムからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合金層を少なくとも１層含み、前記中間層の膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍで、前記中間層はｈｃｐ構造を有するコバルト系合金からなり、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔに設定され、前記少なくとも２層の磁気記録層は、いずれもＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層であり、前記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層の組成をＣｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）と表したときに、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７、および残部はαの範囲に設定される、構成により達成される。

請求項１記載の発明によれば、所望の保磁力Ｈｃ、例えば２０００（×１／４π ｋＡ／ｍ）以上を得ることができる。よって、再生出力の分解能を向上させると共にノイズ低減が図られているので、高記録密度化が可能な磁気記録媒体として提供できる。本磁気記録媒体は高い異方性磁界を有し、前述した耐熱揺らぎ性においても優れている。
また、上記Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）の組成で示される合金磁気記録層は、コバルト系の合金である。クロムの含有率β（ａｔ％）、白金の含有率γ（ａｔ％）、硼素の含有率δ（ａｔ％）及び銅の含有率ε（ａｔ％）の総和が例えば５５ａｔ％であれば、１００−５５＝４５がαであり、コバルトの含有率は４５ａｔ％となる。
また、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔとするのが好ましい。磁気記録層の低ｔＢｒと高Ｈｃを維持しつつ磁気記録層の面内配項性の向上を図ることができるからである。

また、上記モリブデン等を含有したクロム系合金の下地層は磁気記録層の面内配向性を向上させるのでより良好な磁気記録媒体とすることができる。

さらに、下地層と磁気記録層との間にコバルト系合金層中間層として介在させることで、磁気記録層の面内配向性をさらに向上させることができる。上記中間層は、磁気記録層のＣ軸の面内配向性を向上させるようなｈｃｐ構造を有するコバルト系合金である。このようなコバルト系合金としては、例えばコバルト−クロム−タンタル（ＣｏＣｒＴａ）があり、１〜５ｎｍ程度の膜厚に形成する。上記中間層として採用できるコバルト系合金としては、他にＣｏＣｒＢ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ等がある。

また、請求項２の記載の如く、非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された中間層と、該中間層の上方に形成された少なくとも２層の磁気記録層とを備える磁気記録媒体であって、
前記下地層は、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン及びバナジウムからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合金層を少なくとも１層含み、前記中間層の膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍで、前記中間層はｈｃｐ構造を有するコバルト系合金からなり、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔに設定され、前記少なくとも２層の磁気記録層のうち少なくとも一層は、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層であり、前記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層の組成をＣｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）と表したときに、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７、および残部はαに設定されるものであって、前記少なくとも２層の磁気記録層のうち少なくとも他の一層は、ＣｏＣｒＰｔＢからなる合金磁気記録層であり、前記ＣｏＣｒＰｔＢからなる合金磁気記録層の組成は、前記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層の組成とは、異なるものである構成とすることができる。

また、請求項３の記載の如く、請求項１または２に記載の磁気記録媒体において、前記少なくとも２層の合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積ｔ・Ｂｒが２．０〜７．０ｎＴｍである構成とすることができる。

また、ｔ・Ｂｒ値は、本磁気記録媒体を設計する際の合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとにより相対的に定められる。よって、層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒのそれぞれは広い値を取り得るが、例えば磁気記録層の層厚（ｔ）は１０〜２５ｎｍである。

また、請求項４に記載の如く、請求項１から３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体において、前記下地層は複数の前記クロム系合金層で形成され、前記非磁性支持体側に近い下側層となる程、当該各クロム系合金層に含むクロム以外の元素の比率が低い構成とすることもできる。

請求項４記載の発明によれば、非磁性支持体側に近いクロム系合金層はクロムの含有率が高く、反対側（磁気記録層側）はクロムの含有率が低い。このような磁気記録媒体は高Ｓ／Ｎ性と良好な面内配向性を有すると共に、Ｔｅｘｔｕｒｅ処理を施した基板上に形成した場合には磁気記録層のＣ軸の円周方向への配向性も良化する。

なお、上記磁気記録媒体は、成膜開始時温度を１６０〜３００℃の範囲として前記下地層を形成して製造することが好ましい。この場合より高いＳ／Ｎ性を有した磁気記録媒体を製造できる。

また、請求項５に記載の如く、請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、磁気抵抗効果型ヘッドとを備える磁気記憶装置も本発明の範疇に含む。

請求項５記載の発明によれば、前述したような高記録密度化した磁気記録媒体を搭載しているのでより多くの情報を記録・再生できる磁気記憶装置として提供できる。

本発明によれば磁気記録媒体のｔ・Ｂｒが低い値であっても所望の保磁力Ｈｃを得ることができる。よって、再生出力の分解能を向上させると共にノイズ低減が図られているので、高記録密度化が可能な磁気記録媒体として提供できる。このような磁気記録媒体は高い磁気異方性磁界を有し、耐熱揺らぎ性においても優れている。

以下には本発明の実施例に係る磁気記録媒体を図面に基づき説明する。

図１は本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体１０の層構成を示した図である。磁気記録媒体１０は非磁性である支持体１１上に、下地層、磁気記録層、カーボン系（Ｃ系）保護膜等を下から順次積層した基本構造を有している。非磁性の支持体１１としては、Ａｌ基板を用いることができその表面に無電解メッキによるＮｉＰ膜をコートし、その表面にテクスチャ処理を施しておくことが好ましい。

支持体１１上に形成される下地層は非磁性層であり、純クロム単独の層或いはクロムを主成分とするクロム系合金を用いる。この下地層は１層でも複数層でもよい。この下地層にはこの上に成膜される磁気記録層１５の面内配向性を向上させる観点からクロム系合金を用いることが好ましい。よって、下地層を１層とするときはクロム系合金層とすることが推奨される。また、下地層を２層以上とするときには支持体１１側（下側）の下地層はクロムの含有率が高く、磁気記録層１５側（上側）の下地層はクロムの含有率を低くすることが望ましい。

図１では、純クロム（Ｃｒ）単独層１２とクロムとモリブデン（ＣｒＭｏ）のクロム系合金層１３との２層で下地層が構成されている。このクロム系合金層は、モリブデンの他にタンタル、チタン、タングステン、バナジウムを用いて形成することができる。これら元素を複数組合せたクロム系合金により下地層を形成してもよい。

上記下地層１３の上部には、磁気記録層１５が形成される。本第１実施例の磁気記録層１５は、コバルト（Ｃｏ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、硼素（Ｂ）及び銅（Ｃｕ）を所定の組成で含むコバルト系合金で形成される合金磁気記録層である。磁気記録層１５は１層であっても、複数層であってもよい。上記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕを含む合金層からなる磁気記録層を少なくとも１層含めばよい。２層以上で磁気記録層を形成するときには、全ての層について同様に所定組成を有するＣｏＣｒＰｔＢＣｕの合金層としてもよいし、所定組成を有さない磁気記録層を含んでいてもよい。図１の場合は所定組成のＣｏＣｒＰｔＢＣｕから成る磁気記録層１５が示されている。

本発明の磁気記録媒体１０では、必須ではないが、上記下地層１３と磁気記録層１５との間に中間層を配設しておくことが推奨される。図１の場合は、下地層１３と磁気記録層１５の間に、ＣｏＣｒＴａから成る中間層１４が形成されている。この中間層１５はコバルト系合金で形成することが好ましいく、例えば１〜５ｎｍの層厚である。さらに、上記磁気記録層１５上にはＣ系保護膜が設けられている。

上記磁気記録媒体１０は従来の薄膜形成技術を用いて、非磁性支持体１１上に前述した各層を順次成膜して製作される。例えば、無電解メッキＮｉＰ膜がコートされた非磁性支持体１１としてのＡｌ基板表面にテクスチャ処理を施す。その後、スパッタリング法により下からＣｒ、ＣｒＭｏから成る下地層１２、１３を形成し、ＣｏＣｒＴａの中間層１４を形成する。さらにＣｏＣｒＰｔＢＣｕの磁性膜１５及びＣ系保護膜１７を順次形成して積層構造とする。

その際、下地層１２、１３の成膜前にスパッタ室内を例えば４×１０^−５Ｐａ以下となるように排気を行う。次に、基板１１の温度が２２０℃程度になるまで加熱し、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を０．６７Ｐａ程度に保持する。

そして、例えばＣｒ下地層１２（６ｎｍ）、ＣｒＭｏ下地層１３（４ｎｍ）、ＣｏＣｒＴａ中間層１４（１ｎｍ）、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁気記録層１５（１０〜２５ｎｍ）、Ｃ系保護膜１７（６ｎｍ)の順で、非磁性ＮｉＰ−Ａｌ基板１１上に形成する。ここで、括弧内に示したのは各層の例示的な膜厚（ｎｍ）である。特に磁気記録層１５の膜厚は磁気記録媒体を設計する際に適宜調整される。

なお、本発明者等は上記製造工程において下地層１２，１３の成膜を開始する時の温度を１６０〜３００℃の範囲とすると、磁気記録層１５のＳ／Ｎ特性を向上させることができることを確認している。

さて、本第１実施例の磁気記録媒体１０では前述したようにｔＢｒ値が低く設定しても高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録層１５を備えている。そのために、磁気記録媒体１０の磁気記録層１５はＣｏＣｒＰｔＢＣｕで示されるコバルト系の合金であり、所定の組成を有している。

すなわち、磁気記録層１５の原子％組成は下記式（４）により示される。

Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε） …… （４）
ここで、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７であり、残部はα（＞０）となるような組成を有している。ここで、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは含有ａｔ％（原子％）を示している。

すなわち、磁気記録層１５はコバルト（Ｃｏ）系の合金であり、上記範囲からβ、γ、δ及びεが特定されると、その残部のαａｔ％のコバルトとなる。

以下、さらに具体的にデータを示して上記のように特定される磁気記録媒体についてより詳細に説明をする。

図２は室温でトルクロス法にて測定した磁気記録層１５のＨｋ（磁気異方性磁界）と磁気記録層１５のＣｕ含有率（ａｔ％）との関係を示す図である。図２により、磁気記録層１５のＣｕ含有率依存性を確認することができる。なお、図２で示すＣｏＣｒＰｔＢＣｕの組成は、Ｃｒ（２４ａｔ％）、Ｐｔ（９ａｔ％）Ｂ（４ａｔ％）であり、Ｃｕの含有率をＸａｔ％としてそれぞれ０，１，２，３，４，５，６，７ａｔ％と変化させ、その際に残部をコバルトとした場合について示している。

図２から磁気記録層１５のＣｕ含有率を２〜７ａｔ%の範囲とすると磁気異方性磁界Ｈｋが改善されることが確認できる。前記本発明の課題でも説明したように磁気異方性磁界Ｈｋが向上すると耐熱揺らぎ性が向上するので磁気記録媒体１０を高密度化するために必要な条件の１つである。図２から明らかなように磁気記録層１５のＣｕ含有率は、より好ましくは３〜７ａｔ%であり、さらに好ましくは４〜６ａｔ%である。

図３は、磁気記録層１５のｔＢｒ値と保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。図３では、磁気記録層１５のＣｕ含有率を３ａｔ％、５ａｔ％とした場合について保磁力ＨｃのｔＢｒへの依存性が確認できる。さらに、比較のためＣｕ含有率が０ａｔ％であり本発明に従わない磁気記録層についても示している。

本実施例によるＣｕ含有率が３ａｔ％及び５ａｔ％である磁気記録層は、本発明に従わないＣｕ含有しない場合と比較して、特に低ｔＢｒ側で高い保磁力Ｈｃを保持していることが確認できる。また、Ｃｕ含有率が５ａｔ％の場合はその効果がより顕著である。前述したように、低ｔＢｒであり且つ高い保磁力Ｈｃを確保することは従来において困難であったが、本実施例によればこれを可能としていることが分かる。

なお、図３で示したデータも図２で用いた磁気記録層と同様の基本組成を有する磁気記録層に基づくものでありＣｒ（２４ａｔ％）、Ｐｔ（９ａｔ％）Ｂ（４ａｔ％）とし、Ｃｕの含有率を０，３，５ａｔ％と変化させ、残部をコバルトとした場合である。

図４は、磁気記録層１５のＣｒ濃度と孤立波Ｓ／Ｎ（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）との関係について示す図である。図４では孤立波Ｓ／Ｎ（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）がＣｒ濃度に依存性があることが確認できる。なお、図４に示すデータにつても磁気記録層１５の組成は前述したα、γ、δ及びεの条件を満たすものであり、クロムの含有率をＸとして変化させた場合である。

図４によれば、前述した従来技術（特開平８−３１６３８号）で示した組成範囲Ｃｒ＝６〜２０ａｔ％では２７ｄＢまでの不十分なＳ／Ｎしか得られていない。しかし、この範囲の最高値２０ａｔ％以上となるとＣｒ濃度に依存して所望のＳｉｓｏ／Ｎｍ＝２７ｄＢが得られることが分かる。これは、従来例のＣｒ含有率では磁性粒界へのＣｒの析出が十分でないために、磁性粒同士の磁気的相互作用が大きく、媒体ノイズが比較的大きいためと考えられる。よって、図４から磁気記録層１５のＣｒ含有率は２０ａｔ％以上が好ましいことが確認できる。

次に、図５は磁気記録層１５のＣｒ濃度と保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。図５では、磁気記録層１５の保磁力ＨｃがＣｒ濃度に依存することが確認できる。

前記図４では、Ｃｒの含有率を多くすると磁気記録層１５のノイズ低減を促進できること、すなわちＳｉｓｏ／Ｎｍを向上できることが示された。しかし、図５からＣｒの含有率を多くすると保磁力Ｈｃが低下することが確認される。そのために、磁気記録媒体１０の記録再生分解能が劣化することになる。

一般に磁気記録層の保磁力Ｈｃの値はＰｔ、Ｂの含有率によっても変化するが、例えば図５に示す様にＰｔ＝８ａｔ％、Ｂ＝３ａｔ％の場合には所望の２０００（×１／４π ｋＡ／ｍ）以上の保磁力Ｈｃを得るには、Ｃｒ濃度は２６ａｔ％以下とすることが望ましい。すなわち、高い保磁力Ｈｃと高いＳｉｓｏ／Ｎｍを両立できるＣｒ濃度として採用できる組成範囲は２０≦Ｃｒ≦２６ａｔ％となる。

さらに、前述したように２≦Ｃｕ≦７ａｔ％含有することにより、異方性磁界Ｈｋ値を向上させ、低ｔＢｒでも高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を作成すできることが分かる。

次に、図６は磁気記録層１５のＰｔ含有率（ａｔ％）と保磁力Ｈｃとの関係について示している。図６では、磁気記録層１５の保磁力ＨｃがＰｔ含有率に依存性があることが示されている。図６によれば、保磁力ＨｃはＰｔの含有率１２ａｔ％までは単調に増大している。よって、所望の保磁力Ｈｃ＝２０００（×４／π ｋＡ／ｍ）以上を得るには、Ｐｔの組成は６ａｔ％以上必要であることが分かる。

また、ＣｏＰｔ二元合金（バルク）の相図（ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍ）より、εＣｏ（ｈｃｐ）相が得られるのはＰｔ≦２０ａｔ％の範囲である。よって、強磁性で高い保磁力Ｈｃの得られる白金Ｐｔの好ましい組成範囲は６≦Ｐｔ≦２０ａｔ％となる。

また、図７は磁気記録層１５の硼素Ｂの含有率（ａｔ％）と保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。Ｂの含有率が１≦Ｂ≦７ａｔ％であると、保磁力Ｈｃとしての所望の値２０００（×１／４π ｋＡ／ｍ)を得ることができる。さらにＢの含有率が２≦Ｂ≦６ａｔ％であると、保磁力Ｈｃとして２５００（×１／４π ｋＡ／ｍ)以上を得られることが確認できる。

図８は、本第１実施例による磁気記録層１５としてＣｏ（５９ａｔ％）Ｃｒ（２０ａｔ％）Ｐｔ（１０ａｔ％）Ｂ（６ａｔ％）Ｃｕ（５ａｔ％）を有する磁気記録媒体１０と、比較例のＣｕを含有しない磁気記録層Ｃｏ（６４ａｔ％）Ｃｒ（２０ａｔ％）Ｐｔ（１０ａｔ％）Ｂ（６ａｔ％）を有する磁気記録媒体との線記録密度２７０ｋＦＣＩにおけるｔＢｒとＳ／Ｎｍの関係を示す図である。図８では、Ｓ／ＮｍがｔＢｒに依存性を有することが示されている。

本第１実施例によるＣｏＣｒＰｔＢＣｕで形成された磁気記録層１５を備えた磁気記録媒体では比較例と比較してＳ／Ｎｍが高く、特にｔＢｒ値の低い側で高いＳ／Ｎｍの得られることが確認できる。本第１実施例による磁気記録層では、ｔＢｒの値が特に低い２ｎＴｍから所望の１５ｄＢ以上のＳ／Ｎｍを得られている。

ここで、スピンバルブ等のＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）膜を用いた高感度な磁気再生ヘッドを採用する磁気ディスク装置では、ｔＢｒ値が７ｎＴｍ以下でも十分に高い信号再生出力が得ることができる。よって、磁気記録媒体１０のｔＢｒを低めの７ｎＴｍ以下とすることにより、高いトータルＳ／Ｎ（信号出力をヘッド、媒体、回路ノイズで割った値）が得られることになる。よって、本第１実施例の磁気記録媒体１０ではｔＢｒが２〜７ｎＴｍの範囲となるような低い範囲に設定することができる。

さらに、本発明の第２から第４実施例の磁気記録媒体について説明する。図９から図１１のそれぞれは、第２〜第４実施例の磁気記録媒体２０、３０、４０の層構成を図１と同様に示した図である。前記図１で示した、第１実施例の磁気記録媒体１０では磁気記録層が１層であったが、以下の第２〜第４実施例では磁気記録層が２層である場合について示している。これら実施例の磁気記録媒体も第１実施例の場合と同様に従来の薄膜形成技術を用いて製造することができる。

図９に示す第２実施例の磁気記録媒体２０は、非磁性支持体２１として無電解メッキＮｉＰ膜がコートされたＡｌ基板を用い、その表面にテクスチャ処理を施す。その後、スパッタリング法により下から順にＣｒとＣｒＭｏの２層の下地層２２、２３を形成し、ＣｏＣｒＴａの中間層２４を形成する。さらに、Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ（４ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０ａｔ％）−Ｐｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）の組成を有する２層の磁気記録層２５、２６を形成し、最後にＣ系保護膜２７を形成した積層体である。

本第２実施例の磁気記録層２５及び２６では含有している元素は同じであり、共にＣｏＣｒＰｔＢＣｕである。例えば磁気記録層２５はＣｒが２５ａｔ％、Ｐｔが１１ａｔ％、Ｂが４ａｔ％、Ｃｕが５ａｔ％であり、残部が５５ａｔ％となりこれがコバルトの含有率となる。同様に、磁気記録層２６はＣｒが２０ａｔ％、Ｐｔが１０ａｔ％、Ｂが６ａｔ％、Ｃｕが５ａｔ％であり、残部が５９ａｔ％でコバルトの含有率となる。

図１０に示す第３実施例の磁気記録媒体３０は、上記第２実施例とは異なり磁気記録層３６にＣｕを含まない構成である。この磁気記録媒体３０も同様に、非磁性支持体３１上に、スパッタリング法により下から順にＣｒとＣｒＭｏの２層の下地層３２、３３を形成し、ＣｏＣｒＴａの中間層３４を形成する。さらに、Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ（４ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０ａｔ％）−Ｐｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）の組成を有する２層の磁気記録層３５、３６を形成し、最後にＣ系保護膜３７を形成した積層体である。

本第３実施例の磁気記録層３５及び３６の場合は、含有している元素が異なる。磁気記録層３５はＣｏＣｒＰｔＢＣｕを含むが、磁気記録層３６にはＣｕを含んでいない。例えば磁気記録層３５はＣｒが２５ａｔ％、Ｐｔが１１ａｔ％、Ｂが４ａｔ％、Ｃｕが５ａｔ％であり、残部の５５ａｔ％がコバルトとなる。同様に、磁気記録層３６ではＣｒが２０ａｔ％、Ｐｔが１０ａｔ％、Ｂが６ａｔ％であり、残部６４ａｔがコバルトである。

図１１に示す第４実施例の磁気記録媒体４０は、上記第３実施例とは反対に下側の磁気記録層４５にＣｕを含まない構成である。この磁気記録媒体４０も同様に、非磁性支持体４１上に、スパッタリング法により下から順にＣｒとＣｒＭｏの２層の下地層４２、４３を形成し、ＣｏＣｒＴａの中間層４４を形成する。さらに、Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ（４ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０ａｔ％）−Ｐｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）−Ｃｕ（５ａｔ％）の組成を有する２層の磁気記録層４５、４６を形成し、最後にＣ系保護膜４７を形成した積層体である。

本第４実施例の磁気記録層４５及び４６の場合についても含有している元素が異なることになる。磁気記録層４５はＣｕを含んでいないが、磁気記録層３６はＣｏＣｒＰｔＢＣｕでありＣｕを含む。磁気記録層４５及び４６に含まれる各元素の含有率（原子％）はカッコ内に示されている。例えば磁気記録層４５ではＣｒが２５ａｔ％、Ｐｔが１１ａｔ％、Ｂが４ａｔ％であり、残部５０ａｔ％がコバルトとなる。同様に磁気記録層３６はＣｒが２０ａｔ％、Ｐｔが１０ａｔ％、Ｂが６ａｔ％、Ｃｕ５ａｔ％であり、残部５９ａｔ％がコバルトとなる。

上記第２〜４実施例に示すように、本発明の磁気記録媒体はその磁気記録層として前述した所定の組成を有するＣｏＣｒＰｔＢＣｕを少なくとも１層含む構成である。

さらに、図１２には本発明に従わない比較例の磁気記録媒体１００の層構成を示している。この磁気記録媒体１００は、実施例２〜４と同様に２層の磁気記録層１０５、１０６を有するが両者ともＣｕを含んでいない。この磁気記録層１０５と１０６は共にＣｏＣｒＰｔＢであり、その組成はＣｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％）−Ｐｔ（１１ａｔ％）−Ｂ（４ａｔ％）及びＣｏ−Ｃｒ（２０ａｔ％）−Ｐｔ（１０ａｔ％）−Ｂ（６ａｔ％）である。なお、磁気記録媒体１００の他の構成、下地層１０２、１０３、中間層１０４、Ｃ系保護膜１０７は前述した実施例と同様である。

図１３は上記第２〜４実施例の磁気記録媒体と図１２で示す比較例の磁気記録媒体とに関して、ｔＢｒと保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。図１３ではＩで示すのが上記第２実施例の磁気記録媒体２０であり、IIで示すのが上記第３実施例の磁気記録媒体３０であり、IIIで示すのが上記第４実施例の磁気記録媒体４０である。図１３にはそれぞれの磁気記録層の構成を簡略化して示している。Ｂｏｔが下層、Ｔｏｐが上層である。

図１３では保磁力ＨｃがｔＢｒに依存性を有することが示されている。本第２〜４実施例の磁気記録媒体の何れもが、比較例と比べて高い保磁力Ｈｃを有することが確認できる。ｔＢｒの値が低い５．５〜７．０ｎＴｍ側で高い保磁力Ｈｃが得られることが確認できる。特に、第２実施例の様に磁気記録層の両方にＣｕを含むと５．５〜７．０ｎＴｍでより高い保磁力Ｈｃで安定することが確認できる。また、第３実施例のように２層の磁気記録層の内でＢｏｔ側（媒体の支持体側）にＣｕを含むと第２実施例よりは劣るが同様に５．５〜７．０ｎＴｍで高い保磁力Ｈｃで安定することが確認できる。さらに、第４実施例のように２層の磁気記録層の内でＴｏｐ側（媒体の表面側）にＣｕを含むと５．５ｎＴｍ近辺では第２実施例よりは劣り第３実施例と同様であるが７．０ｎＴｍに向けて高い保磁力Ｈｃを示す傾向が確認できる。

なお、図１３ではｔＢｒ値が約５．５〜約８．０ｎＴｍの範囲でのデータとしているが、従来の磁気記憶装置において採用されているｔＢｒ値に対応してデータを取得したためであり、本第２〜４実施例の磁気記録媒体は５．５ｎＴｍ以下でも所望の保磁力Ｈｃを保持している。次の図１４についても同様である。

図１４は、上記第２実施例の磁気記録媒体（Ｉ）と上記比較例の磁気記録媒体について、ｔＢｒとＳ／Ｎｍについて示す図である。ｔＢｒの低い値５．５〜７．０ｎＴｍでも第２実施例の磁気記録媒体は比較例の場合と比べて高いＳ／Ｎｍ（ｄＢ）を有していることが確認できる。

本実施例の磁気記録媒体は磁気記録層として前述したように所定の組成を有したコバルト系合金ＣｏＣｒＰｔＢＣｕを用いている。よって、低ｔＢｒの範囲でも高いＳ／Ｎｍや高い保磁力Ｈｃを得ることができる。したがって、高記録密度の磁気記録媒体とすることができる。

なお、本発明の磁気記録層は低ｔＢｒでも高い保磁力Ｈｃを得ることができるという長所を有するので、上記第２実施例のようにこの磁気記録層を積み重ねて形成した多層磁性層では、さらに特にその効果が顕在化すると考察できる。

以下さらに、本実施例の磁気記録媒体で用いている下地層について説明する。本実施例では図６に基づいて説明したように所望の保磁力Ｈｃを得るための構成として比較的Ｐｔの濃度が高い磁気記録層（６≦Ｐｔ≦２０ａｔ％）となっている。この場合、磁気記録層の結晶格子と下地層のＣｒ結晶格子のミスフィットを低減することが必要である。そこで、本実施例の磁気記録媒体ではクロムを主成分とし、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、バナジウムからなる群から選択された元素を少なくとも１種以上を含有している下地層を用いている。このように、下地層側の構成を選定することで面内配向性が良好な磁気記録層を形成して好適な磁気記録媒体とすることができる。

さらに、テクスチャ処理を施したＡｌ基板等の上に２層の下地層、例えば上記実施例でも示したように基板側Ｃｒ／表層側ＣｒＭｏを形成した場合には、面内配向性のみでなく、Ｏ．Ｒ．（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ：記録媒体の周方向における保磁力Ｈｃ／半径方向の保磁力Ｈｃ）も改善したより好ましい磁気記録媒体を作成することができる。

図１５は、純Ｃｒ又はＣｒ（８０ａｔ％）Ｍｏ（２０ａｔ％）の合金を下地層として単層で形成した場合と、前記実施例のようにＣｒ（８０ａｔ％）Ｍｏ（２０ａｔ％）／Ｃｒの２層で下地層を形成した場合とについて、トータルの下地層厚（ｔ）と上記Ｏ．Ｒ．との関係について示す図である。図１５からトータル下地膜厚（ｔ）にＯ．Ｒ．が依存性を有することが示されている。

図１５において、下地層がＣｒＭｏ単層であるとき比較して、本実施例のＣｒＭｏ／Ｃｒの２層とした磁気記録媒体ではＯ．Ｒ．が改善していることが分かる。

特に、下地層を純Ｃｒ層とＣｒ合金層で形成するときには、下側（支持体側）をクロム層とし上側（磁気記録層側）をＣｒ合金層とする磁気記録媒体は前述したように面内配向性も良好である。この点については、膜垂直方向と面内方向での保磁力Ｈｃを測定して本願発明者等が確認している。

上記Ｏ．Ｒ．は周／径方向での下地層格子の歪方が異なる事に起因し発現すると推測される。実際、ＣｒＭｏ等のクロム系合金と比較して、純Ｃｒの方が周／径での格子歪が大きい。これに起因して図１５に示す様に純Ｃｒ単層により下地層で高いＯ．Ｒ．が得られると推定される。

そこで、本実施例では、Ｃｒを用いて形成した場合に得られる高Ｏ．Ｒ．性と、ＣｒＭｏを用いて形成した場合の高面内配向性を両立させることを意図し、Ｂｏｔ：Ｃｒ／Ｔｏｐ：ＣｒＭｏの２層で下地層を形成している。なお、下地層を１層で形成するときには、磁気記録層の面内配向性を考慮してクロム系合金を用いることが望ましい。

また、図１６に示す第５実施例の磁気記録媒体５０のように、２層の下地層５２、５３を共に、クロム系合金で形成してもよい。その際には、前述した磁気記録層の面内配向性とＯ．Ｒ．を考慮して、支持体５１側に近いクロム系合金層はクロムの含有率が高く、反対側（磁気記録層５５側）はクロムの含有率が低くなるように形成する。このような磁気記録媒体は高Ｓ／Ｎ性と良好な面内配向性を有すると共に歪み難い磁気記録媒体とすることができる。

さらに、前述した各実施例の磁気記録媒体では磁気記録層のＣ軸の面内配向性を高めるために、１〜５ｎｍの膜厚で、下地層と磁気記録層との間にｈｃｐ構造を有するＣｏ系合金を中間層として配設している。この中間層として使用するＣｏ系合金としては、含有する非磁性材料の成分が少ないほど面内配向性が良好で、非磁性材料の含有率が高くなるほど面内配向性が劣化する傾向がある。しかし、非磁性材料成分が少ない場合、中間層の飽和磁束密度Ｂｓが高くなり、磁性膜全体として前記ｔＢｒ値の合わせを行う際、相対的に磁気記録層の膜厚を薄く形成することになり、保磁力Ｈｃが低下させることになる。そこで、上記中間層の飽和磁束密度Ｂｓは０．４〜０．６Ｔ程度に設定することが好ましい。

続いて、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図１７及び図１８と共に説明する。図１７は磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１８は同装置の要部を示す平面図である。

図１７及び図１８に示すように、磁気記憶装置は大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１３内には、モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータユニット１２０が設けられている。磁気記録媒体１１６はモータ１１４により回転されるハブ１１５に取付けられている。記録再生ヘッド１１７は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからな複合型の記録再生ヘッドである。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介して取付けられている。アーム１１９はアクチュエータユニット１２０により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。

上記磁気記憶装置では例えば前述した実施例で示した磁気記録媒体を用いている。各磁気記録媒体１０は、前記図１、図９、図１０、図１１或いは図１６で説明した構成を有する。勿論、磁気記録媒体１０の数は３枚には限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上であってもよい。

本磁気記憶装置の基本構成は、図１７及び図１８に示すものに限定されるものではない。また、本発明の磁気記憶媒体は磁気ディスクに限定されるものではない。

以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１） 非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層には、Ｃｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）の組成で示されるコバルト、クロム、白金、硼素及び銅を含む合金で形成された合金磁気記録層を少なくとも１層含み、
前記合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積ｔ・Ｂｒが２．０〜７．０ｎＴｍである、ことを特徴とする磁気記録媒体。

（但し、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７にあり、残部はαとなる）
（付記２） 非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された磁気記録層を少なくとも１層含む磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は２層以上で形成され、該磁気記録層の少なくとも１層はＣｕを含んだ合金磁気記録層であることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記３） 付記１又は２記載の磁気記録媒体において、
前記下地層には、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン及びバナジウムから成る群から選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合金層を少なくとも１層含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記４） 付記３記載の磁気記録媒体において、
前記下地層は前記クロム系合金層の下側に、さらにクロム層を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記５） 付記３又は４記載の磁気記録媒体において、
前記下地層は複数の前記クロム系合金層で形成され、前記非磁性支持体側に近い下側層となる程、当該各クロム系合金層に含むクロム以外の元素の比率が低いことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記６） 付記１から５いずれかに記載の磁気記録媒体において、
前記下地層と前記磁気記録層との間にコバルト系合金からなる中間層を少なくとも１層配設したことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記７） 付記６記載の磁気記録媒体において、
前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔであることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記８） 付記１から７いずれかに記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、
成膜開始時温度を１６０〜３００℃の範囲として前記下地層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記９） 付記１から７いずれかに記載の磁気記録媒体と、磁気抵抗効果型ヘッドとを含むことを特徴とする磁気記憶装置。

本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の層構成を示した図である。 トルクロス法にて測定した磁気記録層のＨｋ（磁気異方性磁界）と磁気記録層１５のＣｕ含有率（ａｔ％）との関係を示す図である。 磁気記録層のｔＢｒ値と保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。 磁気記録層のＣｒ濃度とＳｉｓｏ／Ｎｍとの関係について示す図である。 磁気記録層のＣｒ濃度と保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。 磁気記録層のＰｔ含有率（ａｔ％）と保磁力Ｈｃとの関係について示している。 磁気記録層１５の硼素Ｂの含有率（ａｔ％）と保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。 第１実施例による磁気記録媒体と、比較例の磁気記録媒体との線記録密度２７０ｋＦＣＩにおけるｔＢｒとＳ／Ｎｍの関係を示す図である。 本発明の第２実施例に係る磁気記録媒体の層構成を示した図である。 本発明の第３実施例に係る磁気記録媒体の層構成を示した図である。 本発明の第４実施例に係る磁気記録媒体の層構成を示した図である。 比較例の磁気記録媒体の層構成を示した図である。 第２〜４実施例の磁気記録媒体と図１２で示す比較例の磁気記録媒体とに関して、ｔＢｒと保磁力Ｈｃとの関係について示す図である。 第２実施例の磁気記録媒体（Ｉ）と比較例の磁気記録媒体について、ｔＢｒとＳ／Ｎｍについて示す図である。 純Ｃｒ又はＣｒＭｏの合金を下地層として単層で形成した場合と、ＣｒＭｏ／Ｃｒの２層で下地層を形成した場合について、トータルの下地層厚（ｔ）とＯ．Ｒ．との関係について示す図である。 本発明の第５実施例に係る磁気記録媒体の層構成を示した図である。 磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。 図１７に示した装置の要部を示す平面図である。

符号の説明

１０ 磁気記録媒体
１１ 非磁性支持体
１２ 下地層（クロム）
１３ 下地層（クロム系合金）
１４ 中間層
１５ 磁気記録層（合金磁気磁性層）
１７ Ｃ系保護膜

Claims (5)

1. 非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された中間層と、該中間層の上方に形成された少なくとも２層の磁気記録層とを備える磁気記録媒体であって、
   前記下地層は、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン及びバナジウムからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合金層を少なくとも１層含み、
   前記中間層の膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍで、前記中間層はｈｃｐ構造を有するコバルト系合金からなり、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔに設定され、
   前記少なくとも２層の磁気記録層は、いずれもＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層であり、前記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層の組成をＣｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）と表したときに、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７、および残部はαの範囲に設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 非磁性支持体と、該非磁性支持体の上方に形成される下地層と、該下地層の上方に形成された中間層と、該中間層の上方に形成された少なくとも２層の磁気記録層とを備える磁気記録媒体であって、
   前記下地層は、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン及びバナジウムからなる群から選択された少なくとも１つの元素を含むクロム系合金層を少なくとも１層含み、
   前記中間層の膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍで、前記中間層はｈｃｐ構造を有するコバルト系合金からなり、前記中間層の飽和磁束密度（Ｂｓ）は０．４〜０．６Ｔに設定され、
   前記少なくとも２層の磁気記録層のうち少なくとも一層は、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層であり、前記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層の組成をＣｏ（α）−Ｃｒ（β）−Ｐｔ（γ）−Ｂ（δ）−Ｃｕ（ε）と表したときに、α、β、γ、δ及びεのそれぞれは含有ａｔ％を示し、２０≦β≦２６、６≦γ≦２０、１≦δ≦７、２≦ε≦７、および残部はαに設定されるものであって、
   前記少なくとも２層の磁気記録層のうち少なくとも他の一層は、ＣｏＣｒＰｔＢからなる合金磁気記録層であり、前記ＣｏＣｒＰｔＢからなる合金磁気記録層の組成は、前記ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる合金磁気記録層の組成とは、異なるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
3. 前記少なくとも２層の合金磁気記録層の層厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積ｔ・Ｂｒが２．０〜７．０ｎＴｍであることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
4. 前記下地層は複数の前記クロム系合金層で形成され、前記非磁性支持体側に近い下側層となる程、当該各クロム系合金層に含むクロム以外の元素の比率が低いことを特徴とする請求項１から３のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体。
5. 請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、磁気抵抗効果型ヘッドとを備える磁気記憶装置。

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