JP2000163732A

JP2000163732A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000163732A
Application number: JP10337111A
Authority: JP
Inventors: Hideo Ogiwara; 英夫荻原; Kazuyuki Hikosaka; 和志彦坂
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-11-27
Filing date: 1998-11-27
Publication date: 2000-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】低ノイズで、高密度記録が可能な磁気記録媒
体を得る。【解決手段】基板にバイアスを印加しながら下地層を
形成するか、あるいは基板上に少なくともＮａＣｌ構造
層／ＣｓＣｌ構造層／Ｖ金属層の積層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
に用いられる磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク（ＨＤＤ）は、高速・高
密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い
等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置とし
て、今後も、記録密度の向上が望まれている。

【０００３】ＨＤＤに用いられる媒体には、これまでコ
バルトクロム（ＣｏＣｒ）系合金を主成分とする磁気記
録層が主に用いられてきた。ＣｏＣｒ系では、Ｃｒ濃度
を高め、ＣｒをＣｏＣｒ結晶の粒界に偏析させること
で、磁気的にＣｏＣｒ磁性粒子を分離・孤立化し、高Ｈ
ｃおよび低ノイズを達成していると考えられる。

【０００４】近年、高密度化に伴って、媒体Ｓ／Ｎｍを
向上させるため、磁性層の微粒子化を進める結果、熱ゆ
らぎによる記録信号の劣化が問題視され始めている。こ
れは、磁性粒子の体積が小さくなると、磁化を反転させ
る活性化エネルギーが小さくなり、特に、大きな反磁界
が作用するような状態すなわち磁化遷移領域にある磁性
粒子の状態では、室温程度の熱エネルギーでも無視でき
なくなり、自然に、磁化が反転してしまうことがある。

【０００５】このような問題に対処する方法の１つとし
て、磁気異方性が大きいコバルトプラチナ（ＣｏＰｔ）
系合金を主成分とする磁性層の採用があげられる。Ｃｏ
とＰｔは、固溶体を形成するため、このままでは記録媒
体に適する微粒子化構造を形成することが難しいが、酸
素（Ｏ）や窒素（Ｎ）偏析または非磁性物質を利用し
て、結晶粒界を非磁性化し、記録媒体として適した構造
にする方法および媒体が知られている。

【０００６】このような磁性層を用いた媒体では、面内
記録の特性を向上させる目的で、磁性層を形成する前
に、下地層を設けることができる。

【０００７】例えばＣｏＣｒ系磁性層を用いた媒体で
は、ＣｒやＣｒ合金層を下地層として用いることが知ら
れている。

【０００８】また、例えばＣｏＰｔＯ系磁性層では、バ
ナジウム（Ｖ）を下地層として用いることが知られてい
る。Ｖ下地層を用いた場合、ＣｏＰｔＯ層では、極薄膜
の特性が向上する。

【０００９】Ｖ下地層等のｂｃｃ構造層は、六方晶最密
充填（ＨＣＰ）構造を持ったＣｏ系磁性層の磁化容易軸
であるＣ軸を面内配向させるために使用されるが、まだ
その効果は十分とはいえない。そこで、最近、この面内
配向をさらに向上するために、（１１０）配向の強いＶ
下地層の下に、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＭｇＯ等のＮａＣｌ構
造層を設けて、（１１０）配向を（００２）配向に変化
させることにより配向性の制御を行ない、Ｃｏ系磁性層
のＣ軸を面内配向させることが試みられている。

【００１０】しかしながら、このＮａＣｌ構造層は、Ｖ
下地層との格子状数の不整合が大きく、また、下地粒子
の粒界、さらには磁性粒子の粒界の分断には十分な効果
をあげることができない。

【００１１】また、このＮａＣｌ構造層は、最密面が出
やすいので（１１１）配向が強い。ＭｇＯ膜以外のＮａ
Ｃｌ構造層の場合には、（１００）、（１１０）配向に
完全に制御することが困難であり、スパッタ法等の物理
蒸着法では（１１１）配向が混在してしまい、配向性制
御という点で不十分であった。また、コスト面でも劣っ
ていた。

【００１２】以上のように、従来の技術では、Ｃｏ系磁
性層のＣ軸の面内配向や、粒界の分断が不十分であるた
め、低ノイズで、高密度記録が可能な磁気記録媒体を実
現することが困難であった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、その第１の目的は、低ノイズで、
高密度記録が可能な磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。

【００１４】また、本発明の第２の目的は、低ノイズ
で、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することを
目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、非磁
性基板上に少なくとも１層以上の下地層を形成した後、
磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、該
基板にバイアスを印加しながら、該下地層または該多層
下地層の第１の層を形成する工程、該第１の層の上に磁
性層または多層下地層の他の一部を構成する第２の層を
形成する工程を具備することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法を提供する。

【００１６】本発明は、第２に、非磁性基板、該非磁性
基板上に設けられたＮａＣｌ構造層、該ＮａＣｌ構造層
上に設けられたＣｓＣｌ構造層、該ＣｓＣｌ構造膜上に
設けられたバナジウムあるいはバナジウムを主成分とす
る金属層、及び該金属層上に設けられた磁性層を含むこ
とを特徴とする磁気記録媒体を提供する。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明者らは、低ノイズで、高密
度記録が可能な磁気記録媒体を得るために鋭意研究を行
なった結果、本発明をなすに至った。

【００１８】本発明は、第１及び第２の観点に大別され
る。

【００１９】まず、本発明の第１の観点について説明す
る。

【００２０】第１の観点にかかる発明は、基板上に下地
層を形成する際にバイアスを印加する工程、少なくとも
この下地層上にさらに他の層を形成を有することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法であって、下地層が多層
からなる場合には、基板にバイアスを印加しながら第１
の下地層を形成する工程、及び第１の下地層上に第２の
下地層を形成する工程を含み、あるいは、下地層が単層
である場合には、基板にバイアスを印加しながら下地層
を形成する工程、及び下地層の上に磁性層を形成する工
程を含む。

【００２１】本発明の方法により得られる磁気記録媒体
の例を図面を参照して説明する。

【００２２】図１は、下地層が単層である場合の磁気記
録媒体の一例を表す図を示す。

【００２３】図示するように、この磁気記録媒体３０
は、基板１上に、基板にバイアスを印加して形成された
下地層８、磁性層５、保護層６及び潤滑層７が順に形成
された構造を有する。

【００２４】図２は、下地層が多層からなる場合の磁気
記録媒体の一例を表す図を示す。

【００２５】図示するように、この磁気記録媒体４０
は、基板１上に、基板にバイアスを印加して形成された
第１の下地層９、第２の下地層１０、磁性層５、保護層
６及び潤滑層７が順に形成された構造を有する。

【００２６】第１の観点にかかる発明によれば、第１の
層にバイアスを印加しながら第２の層を形成することに
より、第２の層の配向性の制御が可能となり、また、印
加する投入する電圧により、その構造の制御も可能とな
る。このため、磁性層の面内配向が良好となり、低ノイ
ズで高密度記録が可能な磁気記録媒体が、複雑な設備を
使用することなく、低コストで容易に得られる。

【００２７】下地層が多層の場合、第１の下地層は、Ｎ
ａＣｌ型結晶構造を有することが好ましい。

【００２８】第２の下地層としては、バナジウム、クロ
ム及びそれらの合金を主成分とすることが好ましい。

【００２９】また、印加するバイアスとしては、ＤＣバ
イアス、ＲＦバイアスのいずれも使用し得る。

【００３０】なお、基板がガラス等の絶縁物からなる場
合には、下地層と基板の間、もしくは基板の側面に導電
性膜を設けることによって、バイアスを印加することが
できる。導電性膜は、外部からバイアスが印加できるよ
うに少なくとも基板のエッジ部分に必要であり、下地層
の下の基板全面にあることが好ましい。

【００３１】本発明に用いられる下地層、磁性膜を基板
面に供給する手段としては、スパッタ法、真空蒸着法、
ガス中スパッタ法、ガスフロースパッタ法等の物理蒸着
法を用いることができる。

【００３２】磁性体としては、少なくともＣｏ、Ｆｅ、
Ｎｉから選択された少なくとも一種の元素を含有する強
磁性体材料、例えば、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏｔａＣｒ、Ｃ
ｏＴａＰｔ、ＣｏＮｉＴａ、及びＣｏＰｔ等が用いられ
る。

【００３３】また、ＮａＣｌ構造を有する下地膜として
は、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＯ、ＭｇＯ、ＶＮ、ＶＣ、Ｚ
ｒＣ、ＺｒＯ₂等が用いられる。

【００３４】本発明では、例えば基板にバイアスを印加
しながら、基板上に、ＮａＣｌ構造を有する第１の下地
層を形成した後、バナジウム、クロム及びそれらの合金
を主成分とする第２の下地層を成膜し、その投入電圧の
変化によって下地膜の配向性を制御することができる。

【００３５】このＮａＣｌ構造の下地膜が（１００）配
向になると、直上下地であるバナジウム等の下地膜が
（１００）配向になり、その上のＣｏ合金系磁性膜が
（１１０）配向を示す。

【００３６】また、このＮａＣｌ構造の下地膜が、（１
１０）配向を示すと、バナジウム等の下地膜が（２１
１）乃至は（１００）配向し、磁性膜は（１００）配向
を示す。

【００３７】次に、本発明の第２の観点について説明す
る。

【００３８】第２の観点にかかる発明は、非磁性基板上
に、多層の下地層と、磁性層とが形成された構造を有
し、この下地層は、少なくともＮａＣｌ構造層、ＣｓＣ
ｌ構造層、及びＶを主成分とする金属層の積層を含む磁
気記録媒体を提供する。

【００３９】第２の観点にかかる発明によれば、Ｖある
いはＶを主成分とする金属層の下に粒子分断制御膜とし
てＣｓＣｌ構造層を設け、その下に配向制御膜としてＮ
ａＣｌ構造層を設けることにより、Ｖを主成分とする金
属層の配向性及び粒子分断を制御し、その上に形成され
る磁性層のＣ軸の面内配向、及びその粒子の微細化、分
断化を向上し得る。

【００４０】ＮａＣｌ構造層及び磁性層としては、第１
の観点にかかる発明に使用される材料と同様の材料を使
用することができる。

【００４１】ＣｓＣｌ構造層は、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、
ＣｓＢｒ、ＣｕＰｄ、ＣｓＣｌ、ＣｕＺｎ、ＡｇＭｇ、
及びＢｅＣｕからなる群から選択される少なくとも１種
の金属材料を含むことが好ましい。

【００４２】また、これらＮａＣｌ構造層、ＣｓＣｌ構
造層及び磁性層の形成方法としては、スパッタ法、真空
蒸着法、ガス中スパッタ法、ガスフロースパッタ法等の
物理蒸着法を用いることができる。

【００４３】ＣｓＣｌ構造層は、上述の金属材料単体か
らなる層でも、例えばＳｉＯ₂等の母材中に分散された
グラニュラ構造からなる層のいずれでも良い。グラニュ
ラ構造の場合には、さらに粒子の分断が促進、低ノイズ
化が可能となる。

【００４４】また、下地層は、必要に応じて上記ＮａＣ
ｌ構造層の下に設け、４層以上にすることができる。

【００４５】この発明では、Ｃｏ系磁性膜の下地膜とし
て、Ｖ単体、あるいはＶを主成分とした合金下地を用
い、その下地層の下に例えばＮｉＡｌからなるＣｓＣｌ
構造層、さらにその下に例えばＭｇＯからなるＮａＣｌ
構造層を配した構造を持つ磁気記録媒体では、ＭｇＯ膜
が配向性制御膜、ＮｉＡｌ膜が粒子分断制御膜の役割を
果たすために、配向性が向上し、磁性粒子の分断も良好
で低ノイズの媒体ができる。

【００４６】ｈｃｐ−Ｃｏ磁性層を面内配向させるに
は、ｈｃｐ−Ｃｏ磁性層を（１１０）または（１００）
配向させる必要がある。そのために、Ｖ下地で配向制御
を行い、ＶをＶ（００２）あるいはＶ（２１１）配向に
することが望ましい。Ｖ下地のみでは、配向制御が不十
分なので、さらに他の下地層が必要となる。

【００４７】通常、ＮａＣｌ構造膜はｈｃｐ−Ｃｏ磁性
層の配向制御に使われる。しかし、配向制御には有効で
あるが、その上の下地の粒子分断に関しては不十分なの
で、第２の観点にかかる発明では、粒子の分断制御にＣ
ｓＣｌ構造膜を、下地層と他の下地層の間に挿入する。
このとき、ＣｓＣｌ構造膜の配向性も制御する必要があ
るために、第２の観点にかかる発明では、ＣｓＣｌ構造
膜はＮａＣｌ構造膜の上に適用される。本発明では、Ｎ
ａＣｌ構造膜は、（００２）あるいは（１１０）配向
が、ＣｓＣｌ構造膜は、（００２）あるいは（２１１）
配向で使用されることが望ましい。

【００４８】なお、本発明によれば、第１の観点にかか
る製造方法を第２の観点にかかる磁気記録媒体を製造す
るために適用することができる。

【００４９】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。

【００５０】まず、本発明の第１の観点にかかる実施例
を示す。

【００５１】実施例１２．５インチガラス基板を用意し、ＮａＣｌ構造を有す
る下地層としてＴｉＮターゲット、その直上の下地膜と
してＶターゲット、磁性薄膜としてＣｏＰｔ₂₀Ｃｒ₁₀合
金ターゲットを使用して、マグネトロンスパッタ法でグ
ラニュラー膜の成膜を行った。

【００５２】まず、Ａｒガス雰囲気中で、ガラス基板上
に導電性膜として、バナジウムを５０ｎｍ成膜した。基
板押えの影の影響を考慮し、Ｖが基板ホルダーと十分接
するように、基板を時計方向に９０度回転させた。その
上に、基板バイアスＤＣ４００Ｖを印加して、ＤＣ２０
００ＷでＴｉＮを５０ｎｍ成膜し、その後、バナジウム
下地膜１０ｎｍ成膜し、Ａｒガスに酸素を微量添加した
混合ガス雰囲気中で、磁性膜を１５ｎｍ成膜し、さら
に、保護膜、潤滑層を形成して、ディスクＡを得た。

【００５３】得られたディスクＡについて、ＶＳＭによ
り磁気特性を測定した。その結果を下記表１に示す。ま
た、Ｘ線回折装置により配向性を測定した。

【００５４】実施例２基板に印加するバイアスをＲＦ４００Ｗに変更した以外
は、実施例１と同様にして、ディスクＢを得た。ディス
クＢについて実施例１と同様の測定を行なった。その結
果を下記表１に示す。

【００５５】実施例３基板に、ＤＣバイアス４００Ｖを印加して、ＲＦ２００
０ＷでＴｉＮを５０ｎｍ成膜し以外は、実施例１と同様
にしてディスクＣを得た。ディスクＣについて実施例１
と同様の測定を行なった。その結果を下記表１に示す。

【００５６】実施例４ＮａＣｌ構造を示す下地層をＭｇＯに変更した以外は、
実施例３と同様にしてディスクＤを得た。ディスクＤに
ついて実施例１と同様の測定を行なった。その結果を下
記表１に示す。

【００５７】比較例１〜２基板にバイアスを印加せずに、各々ＤＣ２０００Ｗ、Ｒ
Ｆ２０００Ｗで、ＴｉＮを５０ｎｍ成膜した以外は、実
施例１と同様にしてディスクＥ、Ｆを得た。ディスク
Ｅ、Ｆについて、実施例１と同様の測定を行なった。そ
の結果を下記表１に示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】各測定結果について以下に述べる。

【００６０】磁気特性表１に示すように、磁気特性に関して、ディスクＥのＤ
Ｃスパッタのみの場合、ＨｃもＳ* も低くあまり特性は
良くないが、バイアスを印加する（ディスクＡ、Ｂ）こ
とでＨｃは増加している。この場合、Ｓ* に関しては、
ＲＦバイアスでは、配向の分散が大きいため、Ｓ* があ
まり向上していないと思われる。ＲＦスパッタの場合、
ＲＦバイアスを印加した以外（バイアスなし、ＤＣバイ
アス）は、ディスクＢ同様、配向の分散が大きいためＳ
* の向上が小さい。ディスクＡ，Ｄに関しては、配向性
の制御ができており、ＨｃもＳ＊もどちらも向上してい
る。以上のように、Ｎａｃｌ型結晶構造の下地膜に基板
バイアスを印加することで、下地膜、磁性膜の配向性を
制御、適正化することが可能である。

【００６１】Ｘ線回折Ｘ線回折測定を行ったところ、ディスクＥにおいて、Ｔ
ｉＮは（１１１）配向しか見られず、他にはＶ（１１
０）、ＣｏＰｔ（１０１）配向が得られた。ディスクＡ
のように、基板にＤＣバイアスを印加した場合は、Ｔｉ
Ｎ（１１１）配向がほとんど見られず、（１００）配向
のみが得られており、さらにＶ（１００）、ＣｏＰｔ
（１００）のピークが得られ、ＣｏＰｔが面内に配向し
ていることが分かった。ディスクＢのように、ＲＦバイ
アスを印加した場合には、ＴｉＮの（１００）ピークが
出ていたが、（１１１）ピークも同程度出ており、配向
が不十分であることがわかった。

【００６２】投入パワーをＲＦにした場合は、ディスク
Ｆのようにバイアスの無い場合、ディスクＣのようにＤ
Ｃバイアスを印加した場合では、ディスクＢと同様に、
ＴｉＮあるいはＭｇＯの（１００）、（１１０）、（１
１１）の全てのピークが得られており、配向は不十分で
あった。ただし、バイアスを印加した方が（１１０）の
ピークが大きくでてはいるが、ディスクＤのように、Ｒ
Ｆバイアスを印加した場合では、ディスクＡと同様にＭ
ｇＯ（１１１）は見られず、ＭｇＯ（１１０）、Ｖ（１
００）、ＣｏＰｔ（１００）が得られた。この結果から
も、投入パワーとバイアスの組合せで配向性の制御がで
きることがわかった。

【００６３】ノイズ特性次に、これらのディスクＡ〜Ｆのノイズ特性を調べた。
測定には、再生ギャップ長０．１２μｍ、再生トラック
幅１μｍ、記録ギャップ長０．３μｍ、記録トラック幅
３μｍのＧＭＲヘッドを用いて、浮上量４０ｎｍでスピ
ンスタンドを使用して測定を行った。記録密度２４０ｋ
ｆｃｉで記録したときの規格化媒体ノイズＮｍ／Ｓ０を
比較したとき、ディスクＡ、Ｄは、約０．０２０μｍ
^1/2μＶｒｍｓ／μＶｐｐ程度と小さな値を示したのに
対し、それ以上のディスクは、０．０２３〜５μｍ^1/2
μＶｒｍｓ／μＶｐｐとやや大きな値を示した。オーバ
ーライト特性では、ディスクＣ、Ｅ、Ｆが３０ｄＢとや
や低い値を示したが、残りのディスクは４０ｄＢ以上あ
り、十分な値が得られていた。ＰＷ５０は、ディスク
Ａ、Ｂ、Ｄが、２４ｎｓｅｃ、それ以外のディスクが２
６ｎｓｅｃと配向性が低いためやや大きくなっていると
考えられる。

【００６４】以上のように、本発明の第１の観点によれ
ば、基板にバイアスを印加して、下地層を形成すること
により、下地層の配向制御を行うことにより、配向性の
向上した低ノイズの媒体を作製することが可能である。

【００６５】次に、本発明の第２の観点にかかる実施例
を示す。

【００６６】実施例５２．５インチガラス基板を用意し、ＮａＣｌ構造を有す
る下地層としてＴｉＮターゲット、ＣｓＣｌ構造を有す
る下地層としてＮｉＡｌターゲット、下地膜としてＶタ
ーゲット、磁性薄膜としてＣｏＰｔ20Ｃｒ10合金ターゲ
ットを使用して、マグネトロンスパッタ法で成膜を行っ
た。

【００６７】まず、Ａｒガス雰囲気中で、ガラス基板上
に、ＮａＣｌ構造層としてＴｉＮをＲＦ２０００Ｗで４
０ｎｍ、次にＣｓＣｌ構造層としてＮｉＡｌをＤＣ２０
００Ｗで２０ｎｍ、Ｖ下地をＤＣ２０００Ｗで４０ｎｍ
成膜し、さらに、Ａｒガスに酸素を微量添加した混合ガ
ス中雰囲気中で、磁性層を１５ｎｍ成膜し、さらに、保
護膜、潤滑層を形成して、ディスクＧを得た。得られた
ディスクの構成を表す図を図３に示す。図示するよう
に、このディスクＧは、基板１上に、ＮａＣｌ構造層
２、ＣｓＣｌ構造層３、Ｖ下地層４、磁性層５、保護膜
６、及び潤滑層７が順に積層された構成を有する。

【００６８】得られたディスクＧについて、ＶＳＭによ
り磁気特性を調べた。その結果を下記表２に示す。また
配向性を調べるためにＸ線回折装置を使用した。

【００６９】実施例６ＣｓＣｌ構造膜をＳｉＯ₂とＮｉＡｌとのグラニュラ構
造にし、得られた膜が体積比ＮｉＡｌ：ＳｉＯ₂＝５
０：５０になるように調整したＮｉＡｌとＳｉＯ ₂のコ
ンポジットターゲットを用い、ＲＦ１０００Ｗで１０ｎ
ｍ成膜した以外は、実施例１と同様にしてディスクＨを
得た。

【００７０】得られたディスクＨについて、実施例１と
同様にして磁気特性を調べた。その結果を下記表２に示
す。また同様にして配向性を調べた。

【００７１】比較例１〜２ＣｓＣｌ構造膜を成膜しない以外は、実施例１と同様に
してディスクＩを得た。また、ＮａＣｌ構造膜を成膜し
ない以外は、実施例１と同様にしてディスクＪを得た。

【００７２】得られたディスクＩ，Ｊについて、実施例
１と同様にして磁気特性を調べた。その結果を下記表２
に示す。また同様にして配向性を調べた。

【００７３】

【表２】

【００７４】各測定結果について以下に述べる。

【００７５】Ｘ線回折まず、Ｘ線回折測定を行ったところ、ディスクＧ、Ｈで
は、ＣｏＰｔ（１１０）、Ｖ（２００）、ＮｉＡｌ（２
００）、ＭｇＯ（００１）のピークが強く現れた。ディ
スクＩでは、ＣｏＰｔ（１１０)、Ｖ（２００）、ＭｇＯ
（００１）、ディスクＪでは、ＣｏＰｔ（１００）Ｃｏ
Ｐｔ（１０１）、Ｖ（２１１）、Ｖ（１１０）、ＮｉＡ
ｌ（１１０）が得られた。ディスクＧ〜Ｉでは、ＭｇＯ
膜によって配向制御が行われ、ＣｏＰｔのｃ軸が完全に
面内配向をしていることがわかるが、ディスクＪではＭ
ｇＯ膜が無いために、配向が不十分で、ＣｏＰｔの斜め
の成分（１０１）が見られる。以上から、ＮａＣｌ膜の
配向制御層としての役割が有効であることが分かる。

【００７６】磁気特性表２に示すように保磁力Ｈｃに関しては、どのディスク
もほとんど大きな差が見られないが、保磁力角型比Ｓ＊
が、ＭｇＯの配向制御膜が無いディスクＪが他のディス
クの０．８程度と比較して、０．６７と低い値を示して
いる。このことからも配向性が制御できていることがわ
かる。また、活性化磁気モーメントｖＩｓｂは、ＭｇＯ
により粒子分断制御層としてのＮｉＡｌが無いディスク
Ｉが他のディスクと比較して、やや大きな０．１１とい
う値を示しており、Ｖ下地の粒子が分断されていないた
め、ｖＩｓｂが大きくなってしまったのではないかと考
えられ、その他はＣａＣｌ構造膜の効果が得られている
と思われる。

【００７７】ノイズ特性最後に、これらのディスクＧ〜Ｊのノイズ特性を調べ
た。測定には、再生ギャップ長０．１２μｍ、再生トラ
ック幅１μｍ、記録ギャップ長０．３μｍ、記録トラッ
ク幅３μｍのＧＭＲヘッドを用いて、浮上量４０ｎｍで
スピンスタンドを使用して測定を行った。記録密度２４
０ｋｆｃｉで記録したときの規格化媒体ノイズＮｍ／Ｓ
０を比較したとき、ディスクＧ、Ｈ、Ｊは、約０．０１
５μｍ^1/2μＶｒｍｓ／μＶｐｐ程度と小さな値を示し
たのに対し、ディスクＩは、０．０２４ μｍ^1/2μＶ
ｒｍｓ／μＶｐｐとやや大きな値を示した。これは、粒
子分断制御層ＮｉＡｌの効果で粒間の分断が十分行われ
ているため、交換相互作用が小さくなり、ノイズが減少
したと考えられる。オーバーライト特性では、ディスク
Ｊが３０ｄＢとやや低い値を示したが、残りのディスク
は４５ｄＢ以上あり、十分な値が得られていた。ＰＷ５
０は、ディスクＧ〜Ｉが、２４ｎｓｅｃ、ディスクＪが
２６ｎｓｅｃであり、配向性が低いため、ディスクＪが
やや大きくなっていると考えられる。以上のように、本
発明の第２の観点によれば、ＮａＣｌ構造膜で配向制御
を行い。ＣｓＣｌ構造膜で粒子の分断を制御すること
で、配向性の向上した低ノイズの媒体を作製することが
可能である。

【００７８】

【発明の効果】本発明によれば、低ノイズで、高密度記
録が可能な磁気記録媒体が得られる。また、本発明の方
法を用いると、低ノイズで、高密度記録が可能な磁気記
録媒体が、低コストで容易に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の観点にかかる方法により得ら
れる磁気記録媒体の一例の構成を表す該略図

【図２】本発明の第１の観点にかかる方法により得ら
れる磁気記録媒体の他の一例の構成を表す該略図

【図３】本発明の第２の観点にかかる磁気記録媒体の
一例の構成を表す該略図

【符号の説明】

１…基板２…ＮａＣｌ構造層３…ＣｓＣｌ構造層４…Ｖ下地層５…磁性層６…保護層７…潤滑層８…下地層９…第１の下地層１０…第２の下地層２０，３０，４０…磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CA05 CA06 DA03 FA09 5D112 AA03 AA05 AA11 AA24 BB05 BD03 BD04 FA04 FB14 FB26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に少なくとも１層以上の下
地層を形成した後、磁性層を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、該基板にバイアスを印加しながら、該
下地層または該多層下地層の第１の層を形成する工程、
該第１の層の上に磁性層または多層下地層の他の一部を
構成する第２の層を形成する工程を具備することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】前記第１の層は、ＮａＣｌ型結晶構造を
有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記下地層の磁性層の直下の層は、バナ
ジウム、クロム及びそれらの合金を主成分とすることを
特徴する請求項１に記載の方法。
【請求項４】非磁性基板、該非磁性基板上に設けられ
たＮａＣｌ構造層、該ＮａＣｌ構造層上に設けられたＣ
ｓＣｌ構造層、該ＣｓＣｌ構造膜上に設けられたバナジ
ウムあるいはバナジウムを主成分とする金属層、及び該
金属層上に設けられた磁性層を含むことを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項５】前記ＣｓＣｌ構造層は、ＮｉＡｌ、Ｆｅ
Ａｌ、ＣｓＢｒ、ＣｕＰｄ、ＣｓＣｌ、ＣｕＺｎ、Ａｇ
Ｍｇ、及びＢｅＣｕからなる群から選択される少なくと
も１種の金属材料を含むことを特徴とする請求項４に記
載の磁気記録媒体。
【請求項６】前記ＮａＣｌ構造層は、ＴｉＮ、Ｔｉ
Ｃ、ＴｉＯ、ＭｇＯ、ＶＮ、ＶＣ、ＺｒＣ、ＺｒＮ、Ｚ
ｒＯ₂及びＴａＣからなる群から選択される少なくも１
種の金属材料を含むことを特徴とする請求項４に記載の
磁気記録媒体。