JPH08138224A - 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記録再生装置Info
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- JPH08138224A JPH08138224A JP27247394A JP27247394A JPH08138224A JP H08138224 A JPH08138224 A JP H08138224A JP 27247394 A JP27247394 A JP 27247394A JP 27247394 A JP27247394 A JP 27247394A JP H08138224 A JPH08138224 A JP H08138224A
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- cocr
- coercive force
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノイズが低く、Ｓ／Ｎが高い磁気記録媒体を
提供する。 【構成】 磁気記録媒体の磁性層として、複数の強磁性
薄膜を非磁性層を介して積層し、残留磁化保磁力ないし
は保磁力と等しい磁界強度での２５℃における磁気粘性
の揺らぎ場が１５エールステッド以上であり、その保磁
力が２０００エールステッド以上である磁性層を用い
る。
提供する。 【構成】 磁気記録媒体の磁性層として、複数の強磁性
薄膜を非磁性層を介して積層し、残留磁化保磁力ないし
は保磁力と等しい磁界強度での２５℃における磁気粘性
の揺らぎ場が１５エールステッド以上であり、その保磁
力が２０００エールステッド以上である磁性層を用い
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性金属薄膜磁気記
録媒体に係り、特に、電磁変換特性に優れた磁気記録媒
体および大容量の磁気記録再生装置に関する。
録媒体に係り、特に、電磁変換特性に優れた磁気記録媒
体および大容量の磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の記録密度の向上、高出力
化、低ノイズ化には塗布型媒体では磁性粉、薄膜媒体で
は結晶粒子の微細化が不可欠である。たとえば、従来よ
り検討されてきた鉄粉を用いた媒体では、微細化が進
み、現在では長軸長約２００ｎｍ、軸径約３０ｎｍの微
細粉を用いたＨｉ−８（８ｍｍ高性能テープ）などの高
性能テープが実用化されつつある。ところで、磁性媒体
の磁性粉あるいは結晶粒子が微細でも、磁性粉がクラス
ター状の塊になっていたり、結晶粒子間の相互作用が強
い場合には、複数の粒子が一団となって磁化反転して記
録されるようになる。このように、複数の粒子が一団と
なって磁化反転し、磁化反転単位が大きくなると、再生
時のノイズが増す。このため、高密度化の大きな障害に
なる。
化、低ノイズ化には塗布型媒体では磁性粉、薄膜媒体で
は結晶粒子の微細化が不可欠である。たとえば、従来よ
り検討されてきた鉄粉を用いた媒体では、微細化が進
み、現在では長軸長約２００ｎｍ、軸径約３０ｎｍの微
細粉を用いたＨｉ−８（８ｍｍ高性能テープ）などの高
性能テープが実用化されつつある。ところで、磁性媒体
の磁性粉あるいは結晶粒子が微細でも、磁性粉がクラス
ター状の塊になっていたり、結晶粒子間の相互作用が強
い場合には、複数の粒子が一団となって磁化反転して記
録されるようになる。このように、複数の粒子が一団と
なって磁化反転し、磁化反転単位が大きくなると、再生
時のノイズが増す。このため、高密度化の大きな障害に
なる。
【０００３】磁化反転単位の大きさは磁気粘性と関連が
ある。すなわち、磁気粘性の揺らぎ場が大きいほど磁化
反転単位は小さいと考えられている。磁気粘性の揺らぎ
場の意味については、Journal of Physics F: Metal Ph
ysics 14巻L155〜L159頁（1984年）に記載されている。
さらに、詳細な測定条件については、Journal of Magne
tism and Magnetic Materials 127巻 233〜240頁（1993
年）に記載されている。以下に磁気粘性の揺らぎ場の測
定原理を説明する。
ある。すなわち、磁気粘性の揺らぎ場が大きいほど磁化
反転単位は小さいと考えられている。磁気粘性の揺らぎ
場の意味については、Journal of Physics F: Metal Ph
ysics 14巻L155〜L159頁（1984年）に記載されている。
さらに、詳細な測定条件については、Journal of Magne
tism and Magnetic Materials 127巻 233〜240頁（1993
年）に記載されている。以下に磁気粘性の揺らぎ場の測
定原理を説明する。
【０００４】磁性材料に新たな磁場を印加すると、磁化
Ｉ(ｔ)は磁場印加時間の対数 ln tに対して、 Ｉ(ｔ)＝const.＋Ｓ・ln t （１） の関係で変化する場合が多い。ここで、Ｉ(ｔ)は単位体
積あたりの磁気モーメントであり、ｔは新たな磁場を印
加した後の経過時間である。粘性係数Ｓは磁場を正方向
にシフトして印加したときには正、負にシフトしたとき
には負の値をもつ。Ｓは非可逆磁化率χirr と揺らぎ場
Ｈf との積で表せることが知られている。すなわち、 Ｓ＝χirr・Ｈf （２） が成立する。したがって、実験からＳおよびχirr を求
めれば、揺らぎ場が求まる。揺らぎ場は熱揺らぎの影響
の大小を示す量であり、揺らぎ場が大きいことは熱揺ら
ぎの影響を受けやすく、磁化反転単位の大きさが小さい
ことを意味する。
Ｉ(ｔ)は磁場印加時間の対数 ln tに対して、 Ｉ(ｔ)＝const.＋Ｓ・ln t （１） の関係で変化する場合が多い。ここで、Ｉ(ｔ)は単位体
積あたりの磁気モーメントであり、ｔは新たな磁場を印
加した後の経過時間である。粘性係数Ｓは磁場を正方向
にシフトして印加したときには正、負にシフトしたとき
には負の値をもつ。Ｓは非可逆磁化率χirr と揺らぎ場
Ｈf との積で表せることが知られている。すなわち、 Ｓ＝χirr・Ｈf （２） が成立する。したがって、実験からＳおよびχirr を求
めれば、揺らぎ場が求まる。揺らぎ場は熱揺らぎの影響
の大小を示す量であり、揺らぎ場が大きいことは熱揺ら
ぎの影響を受けやすく、磁化反転単位の大きさが小さい
ことを意味する。
【０００５】磁界強度が保磁力ないしは残留磁化保磁力
に等しいところでの揺らぎ場は、保磁力Ｈｃないしは残
留磁化保磁力Ｈｒの磁場印加時間依存性からも求めるこ
とができる。保磁力ないしは残留磁化保磁力は、磁場印
加時間ｔとともに、 Ｈｃ（又はＨｒ）＝−Ａ・ln t＋const. （３） の関係で印加時間とともに低下する場合が多い。本明細
書に記載した試料では、すべて式（３）の関係が成立し
た。式（３）にしたがって保磁力ないしは残留磁化保磁
力が磁場印加時間ｔとともに変化する場合、Ａは磁界強
度が保磁力ないしは残留磁化保磁力に等しいところでの
揺らぎ場Ｈf とほとんど同じ値を示すことが知られてい
る。この方法は簡便かつ再現性が良い。そこで本発明で
はＡの値を揺らぎ場とした。
に等しいところでの揺らぎ場は、保磁力Ｈｃないしは残
留磁化保磁力Ｈｒの磁場印加時間依存性からも求めるこ
とができる。保磁力ないしは残留磁化保磁力は、磁場印
加時間ｔとともに、 Ｈｃ（又はＨｒ）＝−Ａ・ln t＋const. （３） の関係で印加時間とともに低下する場合が多い。本明細
書に記載した試料では、すべて式（３）の関係が成立し
た。式（３）にしたがって保磁力ないしは残留磁化保磁
力が磁場印加時間ｔとともに変化する場合、Ａは磁界強
度が保磁力ないしは残留磁化保磁力に等しいところでの
揺らぎ場Ｈf とほとんど同じ値を示すことが知られてい
る。この方法は簡便かつ再現性が良い。そこで本発明で
はＡの値を揺らぎ場とした。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来法に従って、無電
解メッキのＮｉ−Ｐで被覆したＡｌ−Ｍｇ合金からなる
鏡面研磨した円板上にＣｒ下地層を形成し、ついでＣｏ
ＣｒＴａ磁性層、さらにカーボン保護膜を形成して磁気
ディスクを作製した。Ｃｒ下地層、磁性層、保護膜はと
もにＡｒガスを用いたスパッタリングで形成した。この
際、基板温度は３００℃、Ａｒ圧力は２．０ミリＴｏｒ
ｒとした。Ｃｒ下地層の厚さは５０ｎｍ、磁性層は２５
ｎｍ、保護膜は１０ｎｍである。ＣｏＣｒＴａ磁性層の
組成は原子％で表し、Ｃｏ：８０％、Ｃｒ：１６％、Ｔ
ａ：４％である。この組成を以下本明細書ではＣｏＣｒ
16Ｔａ4 のように表す。
解メッキのＮｉ−Ｐで被覆したＡｌ−Ｍｇ合金からなる
鏡面研磨した円板上にＣｒ下地層を形成し、ついでＣｏ
ＣｒＴａ磁性層、さらにカーボン保護膜を形成して磁気
ディスクを作製した。Ｃｒ下地層、磁性層、保護膜はと
もにＡｒガスを用いたスパッタリングで形成した。この
際、基板温度は３００℃、Ａｒ圧力は２．０ミリＴｏｒ
ｒとした。Ｃｒ下地層の厚さは５０ｎｍ、磁性層は２５
ｎｍ、保護膜は１０ｎｍである。ＣｏＣｒＴａ磁性層の
組成は原子％で表し、Ｃｏ：８０％、Ｃｒ：１６％、Ｔ
ａ：４％である。この組成を以下本明細書ではＣｏＣｒ
16Ｔａ4 のように表す。
【０００７】この媒体の保磁力Ｈｃは１６４５エールス
テッド、残留磁化保磁力Ｈｒは１６５５エールステッド
であった。また、保磁力と等しい磁界強度での２５℃に
おける磁気粘性の揺らぎ場は１３．５エールステッド、
残留磁化保磁力と等しい磁界強度での２５℃における磁
気粘性の揺らぎ場は１３．２エールステッドであった。
このように、保磁力と等しい磁界強度での２５℃におけ
る磁気粘性の揺らぎ場と残留磁化保磁力と等しい磁界強
度での２５℃における磁気粘性の揺らぎ場とはほとんど
同じ値を示す。以下本明細書ではこれらを単に揺らぎ場
と呼ぶ。なお、揺らぎ場の測定時間は０〜３０分とし
た。
テッド、残留磁化保磁力Ｈｒは１６５５エールステッド
であった。また、保磁力と等しい磁界強度での２５℃に
おける磁気粘性の揺らぎ場は１３．５エールステッド、
残留磁化保磁力と等しい磁界強度での２５℃における磁
気粘性の揺らぎ場は１３．２エールステッドであった。
このように、保磁力と等しい磁界強度での２５℃におけ
る磁気粘性の揺らぎ場と残留磁化保磁力と等しい磁界強
度での２５℃における磁気粘性の揺らぎ場とはほとんど
同じ値を示す。以下本明細書ではこれらを単に揺らぎ場
と呼ぶ。なお、揺らぎ場の測定時間は０〜３０分とし
た。
【０００８】上記媒体に、ギャップ長が０．４μｍ、巻
線数が２４ターンのパーマロイヘッドを用いて磁気情報
を記録し、パーマロイ磁気抵抗ヘッドを用いて再生して
電磁変換特性を調べた。この際、記録および再生時の浮
上高さは８０ｎｍとした。測定した結果、線記録密度１
５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Change per Inch)でのノイズ
は２２μＶｒｍｓであった。
線数が２４ターンのパーマロイヘッドを用いて磁気情報
を記録し、パーマロイ磁気抵抗ヘッドを用いて再生して
電磁変換特性を調べた。この際、記録および再生時の浮
上高さは８０ｎｍとした。測定した結果、線記録密度１
５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Change per Inch)でのノイズ
は２２μＶｒｍｓであった。
【０００９】この媒体を用いると３００メガビット／平
方インチの記録密度を有する磁気ディスク装置を作製す
ることができたが、１ギガビット／平方インチの記録密
度を有する磁気ディスク装置を作製することはできなか
った。本発明の目的は、再生時のノイズを低減し、高密
度記録に適する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提
供することにある。
方インチの記録密度を有する磁気ディスク装置を作製す
ることができたが、１ギガビット／平方インチの記録密
度を有する磁気ディスク装置を作製することはできなか
った。本発明の目的は、再生時のノイズを低減し、高密
度記録に適する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明による磁
気記録媒体の拡大断面図である。図１で、１はＮｉ−Ｐ
を被着したアルミニウム−マグネシウム合金、ガラス、
カーボン等の非磁性基板である。２は非磁性下地層で、
Ｃｒ，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｖな
どの金属層からなる。３はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−
Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ
等のコバルトを主成分とする強磁性薄膜である。４は強
磁性薄膜を分離する中間層で、Ｃｒ，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ
−Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｖなどの金属ないしは酸化
物、窒化物などの非磁性物質からなる。５はＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等のコバルトを主成分とする強磁性
薄膜である。６は保護潤滑層で、炭素膜、酸化膜、プラ
ズマ重合膜、脂肪酸、パーフルオロカルボン酸、パーフ
ルオロポリエーテル等を単独ないしは複合体として用い
ることができる。
気記録媒体の拡大断面図である。図１で、１はＮｉ−Ｐ
を被着したアルミニウム−マグネシウム合金、ガラス、
カーボン等の非磁性基板である。２は非磁性下地層で、
Ｃｒ，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｖな
どの金属層からなる。３はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−
Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ
等のコバルトを主成分とする強磁性薄膜である。４は強
磁性薄膜を分離する中間層で、Ｃｒ，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ
−Ｗ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｖなどの金属ないしは酸化
物、窒化物などの非磁性物質からなる。５はＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等のコバルトを主成分とする強磁性
薄膜である。６は保護潤滑層で、炭素膜、酸化膜、プラ
ズマ重合膜、脂肪酸、パーフルオロカルボン酸、パーフ
ルオロポリエーテル等を単独ないしは複合体として用い
ることができる。
【００１１】中間層４を介して積層した強磁性薄膜３お
よび５からなる磁性層を備える媒体は、残留磁化保磁力
ないしは保磁力と等しい磁界強度での２５℃における磁
気粘性の揺らぎ場が１５エールステッド以上であり、保
磁力が２０００エールステッド以上であり、磁性層中の
強磁性薄膜の総膜厚は８ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が望ま
しい。残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度
での２５℃における磁気粘性の揺らぎ場は２０ないしは
３０エールステッド以上、６０エールステッド以下であ
ることがより望ましい。また、強磁性薄膜はＣｒ，Ｔ
ａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，
Ｗ，Ｏからなる群の少なくとも一種を含むコバルト基磁
性合金薄膜であることが望ましい。図１には強磁性薄膜
が２層の場合を示したが、中間層を介して、３層以上と
してもよい。また、複数の強磁性薄膜３、５等は、同一
組成でもよいし、異なる組成でもよい。
よび５からなる磁性層を備える媒体は、残留磁化保磁力
ないしは保磁力と等しい磁界強度での２５℃における磁
気粘性の揺らぎ場が１５エールステッド以上であり、保
磁力が２０００エールステッド以上であり、磁性層中の
強磁性薄膜の総膜厚は８ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が望ま
しい。残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度
での２５℃における磁気粘性の揺らぎ場は２０ないしは
３０エールステッド以上、６０エールステッド以下であ
ることがより望ましい。また、強磁性薄膜はＣｒ，Ｔ
ａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，
Ｗ，Ｏからなる群の少なくとも一種を含むコバルト基磁
性合金薄膜であることが望ましい。図１には強磁性薄膜
が２層の場合を示したが、中間層を介して、３層以上と
してもよい。また、複数の強磁性薄膜３、５等は、同一
組成でもよいし、異なる組成でもよい。
【００１２】本発明における揺らぎ場の具体的測定方法
は以下の通りである。揺らぎ場Ａを求めるため、磁気デ
ィスクから切りだした７ｍｍ角の試料片に−１００００
エールステッドの磁場を印加して直流消磁したのち、保
磁力ないしは残留磁化保磁力よりもわずかに低い正の磁
場を印加し、磁化ないしは残留磁化がゼロになるまでの
時間ｔを求める。この操作を直流消磁後に印加する正の
磁場を少しずつ低くして繰り返す。こうして求めた保磁
力ないしは残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から式
（３）にしたがって揺らぎ場Ａの値が求まる。保磁力の
磁場印加時間依存性から求めた揺らぎ場は残留磁化保磁
力の磁場印加時間依存性から求めた揺らぎ場とほとんど
同じ値を示す。測定が容易であることから、本発明にお
いては残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から揺らぎ
場Ａを求めた。測定はＤＭＳ（Degital Measurement Sy
stems)社製の振動型磁束計を用いて行なった。この際、
測定温度は２５℃、直流消磁後の磁場印加時間は０から
３０分とした。上述の例では、磁気ディスクを対象とし
ているが、磁気テープなどの磁気記録媒体に対しても本
発明は有効である。
は以下の通りである。揺らぎ場Ａを求めるため、磁気デ
ィスクから切りだした７ｍｍ角の試料片に−１００００
エールステッドの磁場を印加して直流消磁したのち、保
磁力ないしは残留磁化保磁力よりもわずかに低い正の磁
場を印加し、磁化ないしは残留磁化がゼロになるまでの
時間ｔを求める。この操作を直流消磁後に印加する正の
磁場を少しずつ低くして繰り返す。こうして求めた保磁
力ないしは残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から式
（３）にしたがって揺らぎ場Ａの値が求まる。保磁力の
磁場印加時間依存性から求めた揺らぎ場は残留磁化保磁
力の磁場印加時間依存性から求めた揺らぎ場とほとんど
同じ値を示す。測定が容易であることから、本発明にお
いては残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から揺らぎ
場Ａを求めた。測定はＤＭＳ（Degital Measurement Sy
stems)社製の振動型磁束計を用いて行なった。この際、
測定温度は２５℃、直流消磁後の磁場印加時間は０から
３０分とした。上述の例では、磁気ディスクを対象とし
ているが、磁気テープなどの磁気記録媒体に対しても本
発明は有効である。
【００１３】
【作用】強磁性薄膜を２層以上積層した磁性層を備え、
残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での２
５℃における磁気粘性の揺らぎ場が１５エールステッド
以上であり、保磁力が２０００エールステッド以上であ
る媒体を用い、磁性層中の強磁性薄膜の総膜厚を８ｎｍ
以上、３０ｎｍ以下とすることにより、磁化反転の際の
クラスタサイズを小さくできるので、ノイズレベルが低
く、Ｓ／Ｎを高くすることができる。磁極の一部に金属
磁性膜を用いた磁気ヘッドと組み合わせることにより、
急峻に記録できる媒体の性能を引き出せるので大容量の
記録再生装置を提供することができる。
残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での２
５℃における磁気粘性の揺らぎ場が１５エールステッド
以上であり、保磁力が２０００エールステッド以上であ
る媒体を用い、磁性層中の強磁性薄膜の総膜厚を８ｎｍ
以上、３０ｎｍ以下とすることにより、磁化反転の際の
クラスタサイズを小さくできるので、ノイズレベルが低
く、Ｓ／Ｎを高くすることができる。磁極の一部に金属
磁性膜を用いた磁気ヘッドと組み合わせることにより、
急峻に記録できる媒体の性能を引き出せるので大容量の
記録再生装置を提供することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。 〔実施例１〕無電解のＮｉ−Ｐで被覆したＡｌ−Ｍｇ合
金からなる鏡面研磨した円板上にＣｒ合金下地層を形成
し、ついで強磁性薄膜、中間層、強磁性薄膜、さらにカ
ーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
る。 〔実施例１〕無電解のＮｉ−Ｐで被覆したＡｌ−Ｍｇ合
金からなる鏡面研磨した円板上にＣｒ合金下地層を形成
し、ついで強磁性薄膜、中間層、強磁性薄膜、さらにカ
ーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
【００１５】Ｃｒ合金下地層、強磁性薄膜、中間層、保
護膜はともにＡｒガスを用いたスパッタリングで形成し
た。この際、Ａｒ圧力は２．０ミリＴｏｒｒとした。Ｃ
ｒ合金下地層にはＣｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃ
ｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｍｏを用い、下地膜の組成の異なる試
料を合計２０箇用意した。Ｃｒ合金層の厚さは５０ｎ
ｍ、強磁性薄膜はいずれもＣｏＣｒ16Ｔａ4 からなり、
下層、上層ともに膜厚を１２．５ｎｍとした。したがっ
て、強磁性薄膜の総膜厚は２５ｎｍである。また、保護
膜の厚さは１０ｎｍである。中間層にはＣｒ−Ｔｉ合金
を用い、その膜厚は１ｎｍとした。Ｃｒ合金下地層およ
びカーボン保護膜形成時の基板温度は３００℃とし、強
磁性薄膜および中間層形成時の基板温度は２５０〜３０
０℃とした。
護膜はともにＡｒガスを用いたスパッタリングで形成し
た。この際、Ａｒ圧力は２．０ミリＴｏｒｒとした。Ｃ
ｒ合金下地層にはＣｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃ
ｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｍｏを用い、下地膜の組成の異なる試
料を合計２０箇用意した。Ｃｒ合金層の厚さは５０ｎ
ｍ、強磁性薄膜はいずれもＣｏＣｒ16Ｔａ4 からなり、
下層、上層ともに膜厚を１２．５ｎｍとした。したがっ
て、強磁性薄膜の総膜厚は２５ｎｍである。また、保護
膜の厚さは１０ｎｍである。中間層にはＣｒ−Ｔｉ合金
を用い、その膜厚は１ｎｍとした。Ｃｒ合金下地層およ
びカーボン保護膜形成時の基板温度は３００℃とし、強
磁性薄膜および中間層形成時の基板温度は２５０〜３０
０℃とした。
【００１６】こうして得られた媒体の保磁力Ｈｃは１１
８６〜２１９５エールステッドの範囲に分布した。ま
た、媒体の揺らぎ場は１３．２〜１８．３エールステッ
ドの範囲に分布した。磁性層中の強磁性薄膜を２層とし
た上記媒体に、ギャップ長が０．４μｍ、巻線数が２４
ターンのパーマロイヘッドを用いて磁気情報を記録し、
パーマロイＭＲヘッドで再生して電磁変換特性を調べ
た。この際、記録および再生時の浮上高さは８０ｎｍと
した。測定した結果、線記録密度１５０ｋＦＣＩでのノ
イズは１３．２〜１８．３μＶｒｍｓであった。測定結
果を表１にまとめて示す。
８６〜２１９５エールステッドの範囲に分布した。ま
た、媒体の揺らぎ場は１３．２〜１８．３エールステッ
ドの範囲に分布した。磁性層中の強磁性薄膜を２層とし
た上記媒体に、ギャップ長が０．４μｍ、巻線数が２４
ターンのパーマロイヘッドを用いて磁気情報を記録し、
パーマロイＭＲヘッドで再生して電磁変換特性を調べ
た。この際、記録および再生時の浮上高さは８０ｎｍと
した。測定した結果、線記録密度１５０ｋＦＣＩでのノ
イズは１３．２〜１８．３μＶｒｍｓであった。測定結
果を表１にまとめて示す。
【００１７】 表 １ 磁性膜組成 磁性膜総膜厚 揺らぎ場 保磁力 ノイズ （ｎｍ） （Ｏｅ） （Ｏｅ） （μVrms） CoCr16Ta4 ２５ １３．２ １１８６ １８．１ CoCr16Ta4 ２５ １３．５ １６２５ １８．３ CoCr16Ta4 ２５ １４．２ １４５８ １７．２ CoCr16Ta4 ２５ １４．４ １３５６ １７．０ CoCr16Ta4 ２５ １４．７ １８６９ １６．９ CoCr16Ta4 ２５ １５．１ １５２４ １６．３ CoCr16Ta4 ２５ １５．３ ２０１５ １５．８ CoCr16Ta4 ２５ １５．５ １８５６ １５．６ CoCr16Ta4 ２５ １５．８ ２００１ １５．３ CoCr16Ta4 ２５ １５．９ １８３０ １５．５ CoCr16Ta4 ２５ １６．２ １９４０ １４．８ CoCr16Ta4 ２５ １６．３ １９５９ １５．２ CoCr16Ta4 ２５ １６．５ ２０２２ １４．９ CoCr16Ta4 ２５ １６．８ １６５３ １４．７ CoCr16Ta4 ２５ １７．１ １７５６ １４．２ CoCr16Ta4 ２５ １７．３ １８９５ １３．１ CoCr16Ta4 ２５ １７．５ ２０３０ １２．９ CoCr16Ta4 ２５ １７．７ ２１９５ １３．３ CoCr16Ta4 ２５ １７．９ ２０４６ １３．５ CoCr16Ta4 ２５ １８．３ １８６５ １３．２ また、図２に揺らぎ場と保磁力およびノイズの相関を示
した。図２から明らかなように、揺らぎ場が大きな値を
示す媒体のノイズは低い値を持つ。
した。図２から明らかなように、揺らぎ場が大きな値を
示す媒体のノイズは低い値を持つ。
【００１８】〔比較例〕比較のため、磁性膜の膜厚を２
５ｎｍとした単層試料を２０箇作製した。作製条件は、
磁性層を除いて実施例１と全く同じにした。こうして得
られた媒体の保磁力Ｈｃは１５００〜２４００エールス
テッドの範囲に分布した。また、揺らぎ場は１１．３〜
１６．５エールステッドの範囲に分布した。磁性層を単
層とした媒体についても、２層の場合と同様の条件で電
磁変換特性を調べた。測定した結果、線記録密度１５０
ｋＦＣＩでのノイズは１８〜２５μＶｒｍｓであった。
測定結果を表２にまとめて示す。
５ｎｍとした単層試料を２０箇作製した。作製条件は、
磁性層を除いて実施例１と全く同じにした。こうして得
られた媒体の保磁力Ｈｃは１５００〜２４００エールス
テッドの範囲に分布した。また、揺らぎ場は１１．３〜
１６．５エールステッドの範囲に分布した。磁性層を単
層とした媒体についても、２層の場合と同様の条件で電
磁変換特性を調べた。測定した結果、線記録密度１５０
ｋＦＣＩでのノイズは１８〜２５μＶｒｍｓであった。
測定結果を表２にまとめて示す。
【００１９】 表 ２ 磁性膜組成 磁性膜総膜厚 揺らぎ場 保磁力 ノイズ （ｎｍ） （Ｏｅ） （Ｏｅ） （μVrms） CoCr16Ta4 ２５ １１．３ １５００ ２５．０ CoCr16Ta4 ２５ １１．５ １６０１ ２４．６ CoCr16Ta4 ２５ １１．８ １６８５ ２４．３ CoCr16Ta4 ２５ １２．１ １７２３ ２４．５ CoCr16Ta4 ２５ １２．３ １７５６ ２３．６ CoCr16Ta4 ２５ １２．６ １８３２ ２３．２ CoCr16Ta4 ２５ １２．９ １８８９ ２２．６ CoCr16Ta4 ２５ １３．０ １８９０ ２２．５ CoCr16Ta4 ２５ １３．１ １９２６ ２２．０ CoCr16Ta4 ２５ １３．２ １９５６ ２２．１ CoCr16Ta4 ２５ １３．４ １９８５ ２１．８ CoCr16Ta4 ２５ １３．６ １９８９ ２１．５ CoCr16Ta4 ２５ １３．９ ２０２３ ２１．３ CoCr16Ta4 ２５ １４．１ ２０５６ ２１．４ CoCr16Ta4 ２５ １４．３ ２１２２ ２０．７ CoCr16Ta4 ２５ １４．６ ２１４６ ２０．２ CoCr16Ta4 ２５ １４．７ ２２５０ ２０．５ CoCr16Ta4 ２５ １５．０ ２２８０ １９．５ CoCr16Ta4 ２５ １５．５ ２４２０ １９．０ CoCr16Ta4 ２５ １６．５ ２４００ １８．０
【００２０】また、図３に比較例の試料における揺らぎ
場と保磁力およびノイズの相関を示した。図３から明ら
かなように、揺らぎ場が大きな値を示す媒体のノイズは
低い値を持つ。しかし、図２と図３との比較から明らか
なように、同じ揺らぎ場で比較すると実施例１の２層媒
体の方がノイズが低い。また、強磁性薄膜を３層以上と
してもこうした多層化の効果があることが判明した。
場と保磁力およびノイズの相関を示した。図３から明ら
かなように、揺らぎ場が大きな値を示す媒体のノイズは
低い値を持つ。しかし、図２と図３との比較から明らか
なように、同じ揺らぎ場で比較すると実施例１の２層媒
体の方がノイズが低い。また、強磁性薄膜を３層以上と
してもこうした多層化の効果があることが判明した。
【００２１】揺らぎ場が１５．０エールステッド以上、
保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を用いて
も、単層媒体の場合には１ギガビット／平方インチの記
録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた
が、１．５ギガビット／平方インチの記録密度を持つ装
置を作製することはできなかった。一方、実施例１の２
層媒体の場合には１．５ギガビット／平方インチの記録
密度を持つ装置を作製することができた。
保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を用いて
も、単層媒体の場合には１ギガビット／平方インチの記
録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた
が、１．５ギガビット／平方インチの記録密度を持つ装
置を作製することはできなかった。一方、実施例１の２
層媒体の場合には１．５ギガビット／平方インチの記録
密度を持つ装置を作製することができた。
【００２２】〔実施例２〕実施例１と同様、無電解のＮ
ｉ−Ｐで被覆したＡｌ−Ｍｇ合金からなる鏡面研磨した
円板上にＣｒ下地層を形成し、ついで磁性層、さらにカ
ーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
ｉ−Ｐで被覆したＡｌ−Ｍｇ合金からなる鏡面研磨した
円板上にＣｒ下地層を形成し、ついで磁性層、さらにカ
ーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
【００２３】Ｃｒ下地層、磁性層、保護膜はともにＡｒ
ガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ
圧力は２．０ミリＴｏｒｒとし、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄
膜のＣｒ含量を変え、ＣｏＣｒ15Ｐｔ8 からＣｏＣｒ23
Ｐｔ8 の組成を持つ試料を合計２０箇用意した。Ｃｒ下
地層の厚さは５０ｎｍ、磁性層中の強磁性薄膜は下層、
上層ともに同一組成で厚さ１２．５ｎｍ、Ｃｒ中間層は
１ｎｍ、保護膜は１０ｎｍとした。また、Ｃｒ下地層、
磁性層およびカーボン保護膜形成時の基板温度は３００
℃とした。こうして得られた媒体の保磁力Ｈｃは１４１
５〜２４００エールステッドの範囲に分布した。揺らぎ
場は１４．３〜２６．３エールステッドの範囲に分布し
た。実施例１と同様にして、電磁変換特性を測定した結
果、線記録密度１５０ｋＦＣＩでのノイズは１１．６〜
２０．３μＶｒｍｓの範囲に分布した。測定結果を表３
にまとめて示す。
ガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ
圧力は２．０ミリＴｏｒｒとし、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄
膜のＣｒ含量を変え、ＣｏＣｒ15Ｐｔ8 からＣｏＣｒ23
Ｐｔ8 の組成を持つ試料を合計２０箇用意した。Ｃｒ下
地層の厚さは５０ｎｍ、磁性層中の強磁性薄膜は下層、
上層ともに同一組成で厚さ１２．５ｎｍ、Ｃｒ中間層は
１ｎｍ、保護膜は１０ｎｍとした。また、Ｃｒ下地層、
磁性層およびカーボン保護膜形成時の基板温度は３００
℃とした。こうして得られた媒体の保磁力Ｈｃは１４１
５〜２４００エールステッドの範囲に分布した。揺らぎ
場は１４．３〜２６．３エールステッドの範囲に分布し
た。実施例１と同様にして、電磁変換特性を測定した結
果、線記録密度１５０ｋＦＣＩでのノイズは１１．６〜
２０．３μＶｒｍｓの範囲に分布した。測定結果を表３
にまとめて示す。
【００２４】 表 ３ 磁性膜組成 磁性膜総膜厚 揺らぎ場 保磁力 ノイズ （ｎｍ） （Ｏｅ） （Ｏｅ） （μVrms） CoCr15Pt8 ２５ １４．３ １５２３ ２０．３ CoCr15Pt8 ２５ １４．８ １４１５ ２０．１ CoCr16Pt8 ２５ １５．３ １９５４ １６．９ CoCr16Pt8 ２５ １５．５ ２０３０ １６．３ CoCr17Pt8 ２５ １６．４ ２１３６ １５．５ CoCr17Pt8 ２５ １７．５ １９８６ １５．８ CoCr17Pt8 ２５ １９．６ １８８９ １４．２ CoCr18Pt8 ２５ １９．３ ２２１６ １３．５ CoCr18Pt8 ２５ １９．６ ２１５６ １３．３ CoCr19Pt8 ２５ １８．８ ２０１２ １３．１ CoCr19Pt8 ２５ ２０．２ ２４００ １３．０ CoCr20Pt8 ２５ ２２．３ ２３２２ １３．２ CoCr20Pt8 ２５ ２４．５ ２２６４ １２．４ CoCr21Pt8 ２５ ２４．２ ２３４５ １２．９ CoCr21Pt8 ２５ ２５．０ ２００６ １３．１ CoCr22Pt8 ２５ ２３．１ １８６５ １２．５ CoCr22Pt8 ２５ ２５．４ ２２０８ １２．６ CoCr23Pt8 ２５ ２３．８ ２３４５ １２．１ CoCr23Pt8 ２５ ２５．５ ２１００ １２．０ CoCr23Pt8 ２５ ２６．３ １９５０ １１．６
【００２５】また、図４に揺らぎ場と保磁力およびノイ
ズの相関を示した。図４から明らかなように、実施例１
と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイズが低い
値を持つ。揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力
が２０００エールステッド以上の媒体では、１．５ギガ
ビット／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置
を作製することができた。また、揺らぎ場が２０エール
ステッド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の
媒体では２．０ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。しかし、
本実施例に示したどの媒体を用いても２．５ギガビット
／平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を
作製することはできなかった。
ズの相関を示した。図４から明らかなように、実施例１
と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイズが低い
値を持つ。揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力
が２０００エールステッド以上の媒体では、１．５ギガ
ビット／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置
を作製することができた。また、揺らぎ場が２０エール
ステッド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の
媒体では２．０ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。しかし、
本実施例に示したどの媒体を用いても２．５ギガビット
／平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を
作製することはできなかった。
【００２６】〔実施例３〕鏡面研磨したガラス円板上に
Ｃｒ下地層を形成し、ついで非磁性中間層を介して２層
のＣｏＣｒＰｔを積層した磁性層、さらにカーボン保護
膜を形成して磁気ディスクを作製した。
Ｃｒ下地層を形成し、ついで非磁性中間層を介して２層
のＣｏＣｒＰｔを積層した磁性層、さらにカーボン保護
膜を形成して磁気ディスクを作製した。
【００２７】Ｃｒ下地層、磁性層、保護膜はともにＡｒ
ガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ
圧力は２．０ミリＴｏｒｒ、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄膜の
組成はＣｏＣｒ19Ｐｔ8 とした。Ｃｒ下地層の厚さを３
〜５０ｎｍまで、磁性層中の強磁性薄膜の総膜厚を８〜
３０ｎｍまで変え、保護膜を１０ｎｍとした合計３０箇
の試料を用意した。磁性層中の強磁性薄膜は下層と上層
を膜厚１ｎｍＣｒ中間層を介して分離し、下層と上層の
膜厚は同じにした。また、Ｃｒ下地層、磁性層およびカ
ーボン保護膜形成時の基板温度は３００℃とした。こう
して得られた媒体の保磁力Ｈｃは１０５０〜２６００エ
ールステッドの範囲に分布した。揺らぎ場は１４．１〜
７２．５エールステッドの範囲に分布した。実施例１と
同様にして、電磁変換特性を測定した結果、線記録密度
１５０ｋＦＣＩでのノイズは５〜２６μＶｒｍｓの広い
範囲に分布した。測定結果を表４にまとめて示す。
ガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ
圧力は２．０ミリＴｏｒｒ、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄膜の
組成はＣｏＣｒ19Ｐｔ8 とした。Ｃｒ下地層の厚さを３
〜５０ｎｍまで、磁性層中の強磁性薄膜の総膜厚を８〜
３０ｎｍまで変え、保護膜を１０ｎｍとした合計３０箇
の試料を用意した。磁性層中の強磁性薄膜は下層と上層
を膜厚１ｎｍＣｒ中間層を介して分離し、下層と上層の
膜厚は同じにした。また、Ｃｒ下地層、磁性層およびカ
ーボン保護膜形成時の基板温度は３００℃とした。こう
して得られた媒体の保磁力Ｈｃは１０５０〜２６００エ
ールステッドの範囲に分布した。揺らぎ場は１４．１〜
７２．５エールステッドの範囲に分布した。実施例１と
同様にして、電磁変換特性を測定した結果、線記録密度
１５０ｋＦＣＩでのノイズは５〜２６μＶｒｍｓの広い
範囲に分布した。測定結果を表４にまとめて示す。
【００２８】 表 ４ 磁性膜組成 磁性膜総膜厚 揺らぎ場 保磁力 ノイズ （ｎｍ） （Ｏｅ） （Ｏｅ） （μVrms） CoCr19Pt8 ３０ １４．１ １３８６ ２６．０ CoCr19Pt8 ３０ １５．３ １７７２ ２５．６ CoCr19Pt8 ３０ １５．５ １８５６ １７．６ CoCr19Pt8 ３０ １６．６ ２１０２ １６．９ CoCr19Pt8 ３０ １６．６ ２００２ １７．２ CoCr19Pt8 ２７ １５．３ １７６３ １９．５ CoCr19Pt8 ２７ １５．５ １８４６ １９．０ CoCr19Pt8 ２７ １５．６ １６５８ １７．０ CoCr19Pt8 ２７ １９．２ ２０５６ １４．２ CoCr19Pt8 ２７ ２２．６ ２３５６ １３．１ CoCr19Pt8 ２５ １６．３ １７５４ １６．９ CoCr19Pt8 ２５ １８．６ １８１８ １３．３ CoCr19Pt8 ２５ ２３．３ ２６２３ １２．５ CoCr19Pt8 ２２ ２８．２ ２２１８ １１．４ CoCr19Pt8 ２２ ３６．１ ２６００ １０．６ CoCr19Pt8 ２０ ２９．３ ２５２０ １１．５ CoCr19Pt8 ２０ ３３．９ ２４５６ １０．８ CoCr19Pt8 ２０ ３８．７ ２２３５ ９．７ CoCr19Pt8 １５ ２９．４ １９５７ ９．５ CoCr19Pt8 １５ ４６．８ ２０４２ ８．８ CoCr19Pt8 １５ ４９．７ １７０３ ９．１ CoCr19Pt8 １２ ５４．５ ２０１２ ８．５ CoCr19Pt8 １２ ６３．３ １８５３ ６．２ CoCr19Pt8 １２ ６７．８ １６２８ ７．９ CoCr19Pt8 １０ ５９．１ ２００３ ５．９ CoCr19Pt8 １０ ６６．４ １８０２ ７．１ CoCr19Pt8 １０ ７０．４ １４００ ６．３ CoCr19Pt8 ８ ６８．３ １３２６ ６．１ CoCr19Pt8 ８ ７１．１ １１２１ ５．０ CoCr19Pt8 ８ ７２．５ １０５０ ５．２
【００２９】また、図５に揺らぎ場と保磁力およびノイ
ズの相関を示した。図５から明らかなように、実施例１
および２と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイ
ズが低い値を持つ。磁性膜の総膜厚が１０〜２７ｎｍで
あり、揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力が２
０００エールステッド以上の媒体では１．５ギガビット
／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製
することができた。また、磁性膜の総膜厚が１０〜２５
ｎｍであり、揺らぎ場が２０エールステッド以上、保磁
力が２０００エールステッド以上の媒体では２．０ギガ
ビット／平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク
装置を作製することができた。さらに、磁性膜の総膜厚
が１０〜２２ｎｍであり、揺らぎ場が３０エールステッ
ド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を
用いて、２．５ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。
ズの相関を示した。図５から明らかなように、実施例１
および２と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイ
ズが低い値を持つ。磁性膜の総膜厚が１０〜２７ｎｍで
あり、揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力が２
０００エールステッド以上の媒体では１．５ギガビット
／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製
することができた。また、磁性膜の総膜厚が１０〜２５
ｎｍであり、揺らぎ場が２０エールステッド以上、保磁
力が２０００エールステッド以上の媒体では２．０ギガ
ビット／平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク
装置を作製することができた。さらに、磁性膜の総膜厚
が１０〜２２ｎｍであり、揺らぎ場が３０エールステッ
ド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を
用いて、２．５ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。
【００３０】揺らぎ場が６０エールステッド以上になる
と保磁力が２０００エールステッド以上の媒体が得られ
なくなり、２０００エールステッド以下の媒体では出力
が低く、ノイズが低くても、１．５ギガビット／平方イ
ンチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製する
ことができなかった。しかし、揺らぎ場が６０エールス
テッドを超えても、２０００あるいは３０００エールス
テッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、２ギガ
あるいはそれ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を
作製することが可能と考えられる。
と保磁力が２０００エールステッド以上の媒体が得られ
なくなり、２０００エールステッド以下の媒体では出力
が低く、ノイズが低くても、１．５ギガビット／平方イ
ンチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製する
ことができなかった。しかし、揺らぎ場が６０エールス
テッドを超えても、２０００あるいは３０００エールス
テッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、２ギガ
あるいはそれ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を
作製することが可能と考えられる。
【００３１】しかしながら、揺らぎ場が保磁力の２０分
の１を超えると熱揺らぎのため、記録状態が不安定とな
り実用に耐えないものとなる。なお、磁性膜の総膜厚が
８ｎｍ以下の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出
力を得ることができず、１．５ギガビット／平方インチ
以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製すること
ができなかった。さらに、磁性膜の総膜厚が３０ｎｍを
超える場合には、膜厚が厚いことによる記録減磁が大き
く、１．５ギガビット／平方インチ以上の記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができなかった。
の１を超えると熱揺らぎのため、記録状態が不安定とな
り実用に耐えないものとなる。なお、磁性膜の総膜厚が
８ｎｍ以下の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出
力を得ることができず、１．５ギガビット／平方インチ
以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製すること
ができなかった。さらに、磁性膜の総膜厚が３０ｎｍを
超える場合には、膜厚が厚いことによる記録減磁が大き
く、１．５ギガビット／平方インチ以上の記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができなかった。
【００３２】〔実施例４〕鏡面研磨したガラス円板上に
Ｃｒ下地層を形成し、ついでＣｒ中間層を介してＣｏＣ
ｒＴａからなる下層磁性膜とＣｏＣｒＰｔからなる上層
磁性膜を積層した磁性層を形成し、さらにカーボン保護
膜を形成して磁気ディスクを作製した。
Ｃｒ下地層を形成し、ついでＣｒ中間層を介してＣｏＣ
ｒＴａからなる下層磁性膜とＣｏＣｒＰｔからなる上層
磁性膜を積層した磁性層を形成し、さらにカーボン保護
膜を形成して磁気ディスクを作製した。
【００３３】Ｃｒ下地層、磁性層、保護膜はともにＡｒ
ガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ
圧力は２．０ミリＴｏｒｒ、ＣｏＣｒＴａ強磁性膜膜の
組成はＣｏＣｒ16Ｔａ6 、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄膜の組
成はＣｏＣｒ19Ｐｔ12とした。Ｃｒ下地層の厚さを３〜
５０ｎｍまで、磁性層中の強磁性膜膜の総膜厚を８〜３
０ｎｍまで変え、保護膜を１０ｎｍとした合計３０箇の
試料を用意した。磁性層中の強磁性薄膜は下層と上層を
膜厚１ｎｍＣｒ中間層を介して分離し、下層と上層の膜
厚は同じにした。また、Ｃｒ下地層、磁性層およびカー
ボン保護膜形成時の基板温度は３００℃とした。こうし
て得られた媒体の保磁力Ｈｃは９６０〜２４６０エール
ステッドの範囲に分布した。揺らぎ場は１３．８〜７
５．２エールステッドの範囲に分布した。実施例１と同
様にして、電磁変換特性を測定した結果、線記録密度１
５０ｋＦＣＩでのノイズは５．１から２４．３μＶｒｍ
ｓの広い範囲に分布した。測定結果を表５にまとめて示
す。
ガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ
圧力は２．０ミリＴｏｒｒ、ＣｏＣｒＴａ強磁性膜膜の
組成はＣｏＣｒ16Ｔａ6 、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄膜の組
成はＣｏＣｒ19Ｐｔ12とした。Ｃｒ下地層の厚さを３〜
５０ｎｍまで、磁性層中の強磁性膜膜の総膜厚を８〜３
０ｎｍまで変え、保護膜を１０ｎｍとした合計３０箇の
試料を用意した。磁性層中の強磁性薄膜は下層と上層を
膜厚１ｎｍＣｒ中間層を介して分離し、下層と上層の膜
厚は同じにした。また、Ｃｒ下地層、磁性層およびカー
ボン保護膜形成時の基板温度は３００℃とした。こうし
て得られた媒体の保磁力Ｈｃは９６０〜２４６０エール
ステッドの範囲に分布した。揺らぎ場は１３．８〜７
５．２エールステッドの範囲に分布した。実施例１と同
様にして、電磁変換特性を測定した結果、線記録密度１
５０ｋＦＣＩでのノイズは５．１から２４．３μＶｒｍ
ｓの広い範囲に分布した。測定結果を表５にまとめて示
す。
【００３４】 表 ５ 磁性膜組成 磁性膜総膜厚 揺らぎ場 保磁力 ノイズ （ｎｍ） （Ｏｅ） （Ｏｅ） （μVrms） CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ３０ １３．８ １８３７ ２４．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ３０ １４．３ １８９２ ２４．３ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ３０ １４．６ １７５２ １８．５ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２６ １６．２ ２０８９ １７．５ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２６ １５．８ １９８６ １６．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２６ １４．９ ２０１３ １８．７ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２４ １５．６ ２０５５ １８．２ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２４ １６．１ １７６３ １６．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２４ １８．７ ２０２０ １３．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２２ １９．７ ２２２１ １４．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２２ ２１．５ ２０４５ １４．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２２ １９．５ ２２４６ １３．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２０ ２４．１ ２４６０ １３．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２０ ２７．８ ２３８９ １０．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ２０ ２９．８ ２４２０ １１．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １８ ３３．５ ２３９０ １１．２ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １８ ３４．２ ２３８６ ９．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １８ ３７．６ ２４０３ １０．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １６ ３５．５ ２１５４ ９．８ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １６ ４９．４ １９５７ ８．４ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １６ ４７．７ ２０５６ ８．８ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １４ ５６．８ ２００９ ８．３ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １４ ６７．７ １９５７ ５．９ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １４ ７１．３ １７３２ ７．２ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １２ ６８．２ １８５２ ５．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １２ ７２．３ １７３７ ６．５ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １０ ７３．２ １３８６ ６．１ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 １０ ７１．９ １２７４ ５．６ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ８ ７４．８ １０１８ ５．３ CoCr19Pt12／CoCr16Ta6 ８ ７５．２ ９６０ ５．１
【００３５】また、図６に揺らぎ場と保磁力およびノイ
ズの相関を示した。図６から明らかなように、実施例１
および２と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイ
ズが低い値を持つ。磁性膜の総膜厚が１４〜２４ｎｍで
あり、揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力が２
０００エールステッド以上の媒体では１．５ギガビット
／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製
することができた。また、磁性膜の総膜厚が１４〜２２
ｎｍであり、揺らぎ場が２０エールステッド以上、保磁
力が２０００エールステッド以上の媒体では２．０ギガ
ビット／平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク
装置を作製することができた。さらに、磁性膜の総膜厚
が１４〜２０ｎｍであり、揺らぎ場が３０エールステッ
ド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を
用いて、２．５ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。
ズの相関を示した。図６から明らかなように、実施例１
および２と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイ
ズが低い値を持つ。磁性膜の総膜厚が１４〜２４ｎｍで
あり、揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力が２
０００エールステッド以上の媒体では１．５ギガビット
／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製
することができた。また、磁性膜の総膜厚が１４〜２２
ｎｍであり、揺らぎ場が２０エールステッド以上、保磁
力が２０００エールステッド以上の媒体では２．０ギガ
ビット／平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク
装置を作製することができた。さらに、磁性膜の総膜厚
が１４〜２０ｎｍであり、揺らぎ場が３０エールステッ
ド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を
用いて、２．５ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。
【００３６】揺らぎ場が６５エールステッド以上になる
と保磁力が２０００エールステッド以上の媒体が得られ
なくなり、２０００エールステッド以下の媒体では出力
が低く、ノイズが低くても、１．５ギガビット／平方イ
ンチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製する
ことができなかった。しかし、揺らぎ場が６５エールス
テッドを超えても、２０００あるいは３０００エールス
テッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、２ギガ
ビット／平方インチあるいはそれ以上の記録密度を持つ
磁気ディスク装置を作製することが可能と考えられる。
と保磁力が２０００エールステッド以上の媒体が得られ
なくなり、２０００エールステッド以下の媒体では出力
が低く、ノイズが低くても、１．５ギガビット／平方イ
ンチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製する
ことができなかった。しかし、揺らぎ場が６５エールス
テッドを超えても、２０００あるいは３０００エールス
テッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、２ギガ
ビット／平方インチあるいはそれ以上の記録密度を持つ
磁気ディスク装置を作製することが可能と考えられる。
【００３７】しかしながら、揺らぎ場が保磁力の１／２
０を超えると熱揺らぎのため、記録状態が不安定となり
実用に耐えないものとなる。また、磁性膜の総膜厚が１
２ｎｍ以下の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出
力を得ることができず、１．５ギガビット／平方インチ
以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製すること
ができなかった。さらに、３０ｎｍ以上の場合には、膜
厚が厚いことによる記録減磁が大きく、１．５ギガビッ
ト／平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置
を作製することができなかった。
０を超えると熱揺らぎのため、記録状態が不安定となり
実用に耐えないものとなる。また、磁性膜の総膜厚が１
２ｎｍ以下の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出
力を得ることができず、１．５ギガビット／平方インチ
以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製すること
ができなかった。さらに、３０ｎｍ以上の場合には、膜
厚が厚いことによる記録減磁が大きく、１．５ギガビッ
ト／平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置
を作製することができなかった。
【００３８】〔実施例５〕鏡面研磨したガラス円板上に
Ｃｒ下地層を形成し、ついでＣｏＣｒＰｔからなる下層
磁性膜、Ｃｒ中間層、ＣｏＣｒＰｔからなる中間磁性
膜、Ｃｒ中間層、ＣｏＣｒＰｔからなる上層磁性膜、さ
らにカーボン保護膜を形成して３層構造の磁気ディスク
を作製した。
Ｃｒ下地層を形成し、ついでＣｏＣｒＰｔからなる下層
磁性膜、Ｃｒ中間層、ＣｏＣｒＰｔからなる中間磁性
膜、Ｃｒ中間層、ＣｏＣｒＰｔからなる上層磁性膜、さ
らにカーボン保護膜を形成して３層構造の磁気ディスク
を作製した。
【００３９】Ｃｒ下地層、Ｃｒ中間層を介して３層の強
磁性薄膜を積層してなる磁性層、保護膜はともにＡｒガ
スを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ圧
力は２．０ミリＴｏｒｒ、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄膜の組
成はＣｏＣｒ19Ｐｔ12とした。Ｃｒ下地層の厚さを３〜
５０ｎｍまで、磁性層中の下層、中間および上層強磁性
薄膜の総膜厚を６から３０ｎｍまで変え、保護膜を１０
ｎｍとした合計３０箇の試料を用意した。磁性膜は下
層、中間および上層を膜厚１ｎｍのＣｒ中間層を介して
分離し、下層、中間および上層の膜厚は同じにした。ま
た、Ｃｒ下地層、磁性層およびカーボン保護膜形成時の
基板温度は３００℃とした。こうして得られた媒体の保
磁力Ｈｃは５２０〜２３３０エールステッドの範囲に分
布した。揺らぎ場は１５．２〜９３．８エールステッド
の範囲に分布した。実施例１と同様にして、電磁変換特
性を測定した結果、線記録密度１５０ｋＦＣＩでのノイ
ズは３．４から２１．４μＶｒｍｓの広い範囲に分布し
た。測定結果を表６にまとめて示す。
磁性薄膜を積層してなる磁性層、保護膜はともにＡｒガ
スを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ａｒ圧
力は２．０ミリＴｏｒｒ、ＣｏＣｒＰｔ強磁性薄膜の組
成はＣｏＣｒ19Ｐｔ12とした。Ｃｒ下地層の厚さを３〜
５０ｎｍまで、磁性層中の下層、中間および上層強磁性
薄膜の総膜厚を６から３０ｎｍまで変え、保護膜を１０
ｎｍとした合計３０箇の試料を用意した。磁性膜は下
層、中間および上層を膜厚１ｎｍのＣｒ中間層を介して
分離し、下層、中間および上層の膜厚は同じにした。ま
た、Ｃｒ下地層、磁性層およびカーボン保護膜形成時の
基板温度は３００℃とした。こうして得られた媒体の保
磁力Ｈｃは５２０〜２３３０エールステッドの範囲に分
布した。揺らぎ場は１５．２〜９３．８エールステッド
の範囲に分布した。実施例１と同様にして、電磁変換特
性を測定した結果、線記録密度１５０ｋＦＣＩでのノイ
ズは３．４から２１．４μＶｒｍｓの広い範囲に分布し
た。測定結果を表６にまとめて示す。
【００４０】 表 ６ 磁性膜組成 磁性膜総膜厚 揺らぎ場 保磁力 ノイズ （ｎｍ） （Ｏｅ） （Ｏｅ） （μVrms） CoCr19Pt12 ３０ １５．２ １８５６ ２１．４ CoCr19Pt12 ３０ １５．６ ２０２３ １７．３ CoCr19Pt12 ３０ １７．１ １９５６ １６．６ CoCr19Pt12 ３０ １７．６ １８３２ １７．２ CoCr19Pt12 ２７ １９．３ １９８４ １６．９ CoCr19Pt12 ２７ １８．５ ２１５６ １８．５ CoCr19Pt12 ２７ １９．６ ２０２２ １７．４ CoCr19Pt12 ２７ １９．９ １９８３ １６．１ CoCr19Pt12 ２４ ２２．３ ２１２７ １３．３ CoCr19Pt12 ２４ ２３．２ ２２４５ １２．９ CoCr19Pt12 ２４ ２４．８ ２３３０ １１．６ CoCr19Pt12 ２４ ２０．７ １９５６ １２．３ CoCr19Pt12 ２１ ２５．８ ２０３６ １１．４ CoCr19Pt12 ２１ ３２．６ １９９８ １０．８ CoCr19Pt12 ２１ ３７．９ ２３２１ １０．３ CoCr19Pt12 １８ ３５．５ ２１１９ １０．９ CoCr19Pt12 １８ ３９．７ ２０４９ ９．６ CoCr19Pt12 １８ ４５．６ ２０１２ ９．２ CoCr19Pt12 １５ ４２．６ １８２５ ８．９ CoCr19Pt12 １５ ４８．３ ２００２ ８．１ CoCr19Pt12 １５ ５１．９ １６９８ ８．９ CoCr19Pt12 １２ ５７．８ １９８６ ７．９ CoCr19Pt12 １２ ６８．２ ２０１８ ６．５ CoCr19Pt12 １２ ７２．６ １７５２ ６．９ CoCr19Pt12 ９ ７５．５ １６６３ ５．８ CoCr19Pt12 ９ ８２．１ １４８７ ６．２ CoCr19Pt12 ９ ８９．６ １２０６ ５．３ CoCr19Pt12 ６ ８７．７ ９５６ ４．６ CoCr19Pt12 ６ ９２．７ ６２２ ３．９ CoCr19Pt12 ６ ９３．８ ５２０ ３．４
【００４１】また、図７に揺らぎ場と保磁力およびノイ
ズの相関を示した。図７から明らかなように、実施例１
および２と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイ
ズが低い値を持つ。磁性膜の総膜厚が１２〜２７ｎｍで
あり、揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力が２
０００エールステッド以上の媒体では１．５ギガビット
／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製
することができた。また、磁性膜の総膜厚が１２〜２４
ｎｍであり、揺らぎ場が２０エールステッド以上、保磁
力が２０００エールステッド以上の媒体では２．０ギガ
ビット／平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク
装置を作製することができた。さらに、磁性膜の総膜厚
が１２〜２１ｎｍであり、揺らぎ場が３０エールステッ
ド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を
用いて、２．５ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。
ズの相関を示した。図７から明らかなように、実施例１
および２と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイ
ズが低い値を持つ。磁性膜の総膜厚が１２〜２７ｎｍで
あり、揺らぎ場が１５エールステッド以上、保磁力が２
０００エールステッド以上の媒体では１．５ギガビット
／平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製
することができた。また、磁性膜の総膜厚が１２〜２４
ｎｍであり、揺らぎ場が２０エールステッド以上、保磁
力が２０００エールステッド以上の媒体では２．０ギガ
ビット／平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク
装置を作製することができた。さらに、磁性膜の総膜厚
が１２〜２１ｎｍであり、揺らぎ場が３０エールステッ
ド以上、保磁力が２０００エールステッド以上の媒体を
用いて、２．５ギガビット／平方インチの記録密度を持
つ磁気ディスク装置を作製することができた。
【００４２】揺らぎ場が７０エールステッド以上になる
と保磁力が２０００エールステッド以上の媒体が得られ
なくなり、２０００エールステッド以下の媒体では出力
が低く、ノイズが低くても、１．５ギガビット／平方イ
ンチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製する
ことができなかった。しかし、揺らぎ場が７０エールス
テッドを超えても、２０００あるいは３０００エールス
テッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、２ギガ
ビット／平方インチあるいはそれ以上の記録密度を持つ
磁気ディスク装置を作製することが可能と考えられる。
と保磁力が２０００エールステッド以上の媒体が得られ
なくなり、２０００エールステッド以下の媒体では出力
が低く、ノイズが低くても、１．５ギガビット／平方イ
ンチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製する
ことができなかった。しかし、揺らぎ場が７０エールス
テッドを超えても、２０００あるいは３０００エールス
テッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、２ギガ
ビット／平方インチあるいはそれ以上の記録密度を持つ
磁気ディスク装置を作製することが可能と考えられる。
【００４３】しかしながら、揺らぎ場が保磁力の１／２
０を超えると熱揺らぎのため、記録状態が不安定となり
実用に耐えないものとなる。また、磁性膜の総膜厚が９
ｎｍ以下の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出力
を得ることができず、１．５ギガビット／平方インチ以
上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することが
できなかった。さらに、３０ｎｍ以上の場合には、膜厚
が厚いことによる記録減磁が大きく、１．５ギガビット
／平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を
作製することができなかった。
０を超えると熱揺らぎのため、記録状態が不安定となり
実用に耐えないものとなる。また、磁性膜の総膜厚が９
ｎｍ以下の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出力
を得ることができず、１．５ギガビット／平方インチ以
上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することが
できなかった。さらに、３０ｎｍ以上の場合には、膜厚
が厚いことによる記録減磁が大きく、１．５ギガビット
／平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を
作製することができなかった。
【００４４】〔実施例６〕本発明による媒体を使用して
作製した磁気ディスク装置の断面構造を図８に示す。図
８において、７は本発明の磁気記録媒体、８は磁気記録
媒体駆動部、９は磁気ヘッド、１０は磁気ヘッド駆動
部、１１は記録再生信号処理系を示す。本発明の磁気記
録媒体を用いることにより、記録密度を１．５ギガビッ
ト／平方インチ以上にすることができた。
作製した磁気ディスク装置の断面構造を図８に示す。図
８において、７は本発明の磁気記録媒体、８は磁気記録
媒体駆動部、９は磁気ヘッド、１０は磁気ヘッド駆動
部、１１は記録再生信号処理系を示す。本発明の磁気記
録媒体を用いることにより、記録密度を１．５ギガビッ
ト／平方インチ以上にすることができた。
【００４５】
【発明の効果】上述したように、強磁性金属薄膜を２層
以上重ねた磁性層を備える磁気記録媒体において、残留
磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での２５℃
における磁気粘性の揺らぎ場が１５エールステッド以上
であり、その保磁力が２０００エールステッド以上であ
る磁性層を用いると、媒体のＳ／Ｎを著しく向上させる
ことができ、高密度記録が可能になる。
以上重ねた磁性層を備える磁気記録媒体において、残留
磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での２５℃
における磁気粘性の揺らぎ場が１５エールステッド以上
であり、その保磁力が２０００エールステッド以上であ
る磁性層を用いると、媒体のＳ／Ｎを著しく向上させる
ことができ、高密度記録が可能になる。
【図１】本発明の一実施例による磁気記録媒体の断面
図。
図。
【図２】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図３】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図４】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図５】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図６】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図７】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す
特性図。
特性図。
【図８】本発明の磁気記憶装置の断面構造図。
１…非磁性基板、２…非磁性下地層、３…強磁性薄膜、
４…非磁性中間層、５…強磁性薄膜、６…保護潤滑層、
７…磁気記録媒体、８…磁気記録媒体駆動部、９…磁気
ヘッド、１０…磁気ヘッド駆動部、１１…記録再生信号
処理系
４…非磁性中間層、５…強磁性薄膜、６…保護潤滑層、
７…磁気記録媒体、８…磁気記録媒体駆動部、９…磁気
ヘッド、１０…磁気ヘッド駆動部、１１…記録再生信号
処理系
フロントページの続き (72)発明者 萬行 恵美 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 強磁性薄膜を非磁性中間層を介して２層
以上積層した磁性層を備え、残留磁化保磁力又は保磁力
と等しい磁界強度での２５℃における磁気粘性の揺らぎ
場が１５エールステッド以上であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項２】強磁性薄膜を非磁性中間層を介して２層以
上積層した磁性層を備え、残留磁化保磁力又は保磁力と
等しい磁界強度での２５℃における磁気粘性の揺らぎ場
が２０エールステッド以上であることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項３】 強磁性薄膜を非磁性中間層を介して２層
以上積層した磁性層を備え、残留磁化保磁力又は保磁力
と等しい磁界強度での２５℃における磁気粘性の揺らぎ
場が３０エールステッド以上であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 前記磁性層の保磁力が２０００エールス
テッド以上であることを特徴とする請求項１、２又は３
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記磁性層中の強磁性薄膜の総膜厚が１
０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記強磁性薄膜はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｏの群から選ばれたコバルトを主たる成分とする薄
膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気
記録媒体を用いたことを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項８】 強磁性薄膜を磁極の一部とする磁気ヘッ
ドを用い、請求項１に記載の磁気記録媒体を用いて１．
５ギガビット／平方インチ以上の密度で情報を記録、再
生することを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項９】 強磁性薄膜を磁極の一部とする磁気ヘッ
ドを用い、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体を用い
て２．０ギガビット／平方インチ以上の密度で情報を記
録、再生することを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項１０】 強磁性薄膜を磁極の一部とする磁気ヘ
ッドを用い、請求項１、２又は３に記載の磁気記録媒体
を用いて２．５ギガビット／平方インチ以上の密度で情
報を記録、再生することを特徴とする磁気記録再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27247394A JPH08138224A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27247394A JPH08138224A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138224A true JPH08138224A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17514417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27247394A Pending JPH08138224A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08138224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981054A (en) * | 1996-07-22 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP27247394A patent/JPH08138224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981054A (en) * | 1996-07-22 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
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