JPH0991660A - 磁気記録媒体およびこれを応用した磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体およびこれを応用した磁気記録装置Info
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- JPH0991660A JPH0991660A JP24594095A JP24594095A JPH0991660A JP H0991660 A JPH0991660 A JP H0991660A JP 24594095 A JP24594095 A JP 24594095A JP 24594095 A JP24594095 A JP 24594095A JP H0991660 A JPH0991660 A JP H0991660A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体を提供
する。 【解決手段】非磁性基板１０1上に、直接もしくは非磁
性下地層を介して積層された磁性膜および保護膜１０４
からなる磁気記録媒体であって、上記磁性膜が、互いに
異なる垂直磁化膜１０２および１０３の積層膜から形成
されている。 【効果】媒体ノイズが低く、しかも、再生出力の大きい
磁気記録媒体が得られる。
する。 【解決手段】非磁性基板１０1上に、直接もしくは非磁
性下地層を介して積層された磁性膜および保護膜１０４
からなる磁気記録媒体であって、上記磁性膜が、互いに
異なる垂直磁化膜１０２および１０３の積層膜から形成
されている。 【効果】媒体ノイズが低く、しかも、再生出力の大きい
磁気記録媒体が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体および
これを用いた磁気記憶装置に関し、特に磁気記録媒体か
ら発生するノイズを著しく低減できるとともに、大きな
再生出力を得ることができる、改良された垂直磁気記録
媒体およびこれを用いた磁気記録装置に関する。
これを用いた磁気記憶装置に関し、特に磁気記録媒体か
ら発生するノイズを著しく低減できるとともに、大きな
再生出力を得ることができる、改良された垂直磁気記録
媒体およびこれを用いた磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】垂直磁気記録は、磁気記録媒体の膜面に
対して垂直方向に情報の記録を行うものであって、高密
度記録の際の各ビット間の反磁界が小さいので、記録密
度を上げるのに適した方式である。垂直磁気記録に使用
できる磁気記録媒体としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ、
Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔおよび
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂなど、Ｃｏ基合金膜が用いられ
た。これらのＣｏ基合金膜は六方最密（ｈｃｐ）構造を
持ち、薄膜を構成する結晶粒のｃ軸が垂直に配向しやす
い性質を持っている。また、IEEE Trans. Magnetics, M
AG-15,1456(1979)において論じられているように、磁気
記録の感度を高くするためには、上記Ｃｏ基合金膜の下
に、パ−マロイなどの高透磁率を持った軟磁性材料から
なる薄膜を設けることが有効とされている。Ｃｏ膜とＣ
ｒ膜からなる多層膜（特開平１−２９８５１９）、Ｃｏ
膜とＰｄもしくはＰｔ膜の交互積層膜（特開平２−０３
１０２、特開平３−８０４２１）およびＣｏ−ＣｏＯ膜
（特開昭６３−２８１２１５）からなる垂直磁化膜など
が、それぞれ提案されており、さらに、従来は光磁気記
録膜として検討されてきたＴｂなど稀土類金属にＦｅな
どの遷移金属を添加した非晶質合金膜も、磁気記録用の
垂直磁化膜として検討され始めている。
対して垂直方向に情報の記録を行うものであって、高密
度記録の際の各ビット間の反磁界が小さいので、記録密
度を上げるのに適した方式である。垂直磁気記録に使用
できる磁気記録媒体としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ、
Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔおよび
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂなど、Ｃｏ基合金膜が用いられ
た。これらのＣｏ基合金膜は六方最密（ｈｃｐ）構造を
持ち、薄膜を構成する結晶粒のｃ軸が垂直に配向しやす
い性質を持っている。また、IEEE Trans. Magnetics, M
AG-15,1456(1979)において論じられているように、磁気
記録の感度を高くするためには、上記Ｃｏ基合金膜の下
に、パ−マロイなどの高透磁率を持った軟磁性材料から
なる薄膜を設けることが有効とされている。Ｃｏ膜とＣ
ｒ膜からなる多層膜（特開平１−２９８５１９）、Ｃｏ
膜とＰｄもしくはＰｔ膜の交互積層膜（特開平２−０３
１０２、特開平３−８０４２１）およびＣｏ−ＣｏＯ膜
（特開昭６３−２８１２１５）からなる垂直磁化膜など
が、それぞれ提案されており、さらに、従来は光磁気記
録膜として検討されてきたＴｂなど稀土類金属にＦｅな
どの遷移金属を添加した非晶質合金膜も、磁気記録用の
垂直磁化膜として検討され始めている。
【０００３】パ−マロイなどの高透磁率を有する軟磁性
材料からなる薄膜を設けた垂直磁気記録媒体は、単磁極
ヘッドからなる自己録再兼用型ヘッドもしくは単磁極ヘ
ッドと磁気抵抗効果（ＭＲ）型の再生ヘッドからなる録
再分離型ヘッドと組み合わせて用いられる。一方、単層
垂直磁化膜からなる磁気記録媒体の場合は、自己録音再
生兼用型のリングヘッドもしくはリングヘッドとＭＲ再
生ヘッドを組み合わせた録音再生分離型ヘッドと組み合
わせて用いられる。
材料からなる薄膜を設けた垂直磁気記録媒体は、単磁極
ヘッドからなる自己録再兼用型ヘッドもしくは単磁極ヘ
ッドと磁気抵抗効果（ＭＲ）型の再生ヘッドからなる録
再分離型ヘッドと組み合わせて用いられる。一方、単層
垂直磁化膜からなる磁気記録媒体の場合は、自己録音再
生兼用型のリングヘッドもしくはリングヘッドとＭＲ再
生ヘッドを組み合わせた録音再生分離型ヘッドと組み合
わせて用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録の面密度を向
上させるためには、磁気記録の分解能を向上するととも
に充分な再生出力を確保し、かつ磁気記録媒体から発生
するノイズを低減し、再生信号のＳ／Ｎを向上させるこ
とが必要である。従来の垂直磁気記録技術では、磁気記
録の面記録密度が２Ｇｂ／ｉｎ2以上になると、従来の
媒体では媒体のノイズ低減が困難になるとともに高密度
記録時の再生出力が低下し、充分なエラ−レ−トが得難
くなるという問題が生じていた。
上させるためには、磁気記録の分解能を向上するととも
に充分な再生出力を確保し、かつ磁気記録媒体から発生
するノイズを低減し、再生信号のＳ／Ｎを向上させるこ
とが必要である。従来の垂直磁気記録技術では、磁気記
録の面記録密度が２Ｇｂ／ｉｎ2以上になると、従来の
媒体では媒体のノイズ低減が困難になるとともに高密度
記録時の再生出力が低下し、充分なエラ−レ−トが得難
くなるという問題が生じていた。
【０００５】本発明の目的は、上記従来の磁気記録技術
の有する問題を解決し、高密度磁気記録を行なうことの
できる磁気記録媒体およびこれ用いた磁気記録装置を提
供することである。
の有する問題を解決し、高密度磁気記録を行なうことの
できる磁気記録媒体およびこれ用いた磁気記録装置を提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、磁気記録媒体を構成する磁性膜を、複数
の層の積層膜とし、それぞれの層に機能分担させること
により、高出力、高分解能、低ノイズ特性を実現するも
のである。例えば、第１の磁性膜に低ノイズおよび高分
解能特性を有する磁性膜を用い、第２層の磁性膜として
高出力特性を有する磁性膜を用いて積層することによ
り、上記目的が達成される。
め、本発明は、磁気記録媒体を構成する磁性膜を、複数
の層の積層膜とし、それぞれの層に機能分担させること
により、高出力、高分解能、低ノイズ特性を実現するも
のである。例えば、第１の磁性膜に低ノイズおよび高分
解能特性を有する磁性膜を用い、第２層の磁性膜として
高出力特性を有する磁性膜を用いて積層することによ
り、上記目的が達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】磁化容易軸が垂直配向した例えば
Ｃｏ合金系の多結晶垂直磁化膜は、高分解能で低ノイズ
であるが、膜面垂直方向で測定した磁化曲線の残留磁化
が小さいため、磁気ヘッドとして用いたときの再生出力
が低いという問題点がある。これに対し、例えばＣｏ膜
とＰｔ膜を交互に積層して形成された多層膜からなる垂
直磁化膜は、記録再生を行ったときの媒体ノイズは大き
いが、磁化曲線の残留磁化が大きく、再生出力が大きい
という特徴がある。このような異なる種類の垂直磁化膜
を、直接もしくは薄い非磁性層を介して基板上に積層す
ることにより、両者の特長を引き出すことができ、高分
解能、低ノイズ、高出力の垂直磁気記録媒体を実現する
ことができる。
Ｃｏ合金系の多結晶垂直磁化膜は、高分解能で低ノイズ
であるが、膜面垂直方向で測定した磁化曲線の残留磁化
が小さいため、磁気ヘッドとして用いたときの再生出力
が低いという問題点がある。これに対し、例えばＣｏ膜
とＰｔ膜を交互に積層して形成された多層膜からなる垂
直磁化膜は、記録再生を行ったときの媒体ノイズは大き
いが、磁化曲線の残留磁化が大きく、再生出力が大きい
という特徴がある。このような異なる種類の垂直磁化膜
を、直接もしくは薄い非磁性層を介して基板上に積層す
ることにより、両者の特長を引き出すことができ、高分
解能、低ノイズ、高出力の垂直磁気記録媒体を実現する
ことができる。
【０００８】すなわち、上記多層膜からなる垂直磁化膜
は垂直性の向上に有効で、一方、多結晶構造を有する垂
直磁化膜をノイズを低減して記録再生特性の向上に有効
であり、両者を組合わせて使用することによって極めて
優れた磁気記録媒体が得られることが確認された。
は垂直性の向上に有効で、一方、多結晶構造を有する垂
直磁化膜をノイズを低減して記録再生特性の向上に有効
であり、両者を組合わせて使用することによって極めて
優れた磁気記録媒体が得られることが確認された。
【０００９】上記二つの垂直磁化膜の間に、薄い非磁性
膜を介在させることにより、磁性膜間の磁気的な結合力
を調整することができるので磁気媒体ノイズが低減され
る。この非磁性膜の望ましい膜厚は０．１〜１０ｎｍ、
特に望ましい範囲は０．５〜５ｎｍである。
膜を介在させることにより、磁性膜間の磁気的な結合力
を調整することができるので磁気媒体ノイズが低減され
る。この非磁性膜の望ましい膜厚は０．１〜１０ｎｍ、
特に望ましい範囲は０．５〜５ｎｍである。
【００１０】Ｃｏ合金系の多結晶垂直磁化膜としては、
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−
Ｒｅ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂなどを用いるこ
とができ、これにＣｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｂ、Ｒｅ、Ｒｕ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎから選ばれてなる少なくとも１種の元
素を含む六方最密構造のＣｏ合金が最適である。
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−
Ｒｅ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂなどを用いるこ
とができ、これにＣｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｂ、Ｒｅ、Ｒｕ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎから選ばれてなる少なくとも１種の元
素を含む六方最密構造のＣｏ合金が最適である。
【００１１】Ｃｏ合金にＳｉＯ2やＺｒＯ2が添加された
混合物、あるいはＣｏ−ＣｏＯのように、六方最密構造
のＣｏに他の結晶構造を持った材料が混じった混合物で
あってもよい。これらＣｏ合金系多結晶膜の望ましい膜
厚は、１０−１００ｎｍである。多層構造を有する垂直
磁化膜としては、ＣｏもしくはＣｏ合金とＰｔ、Ｐｔ合
金、Ｐｄ、Ｐｄ合金のいずれかの膜からなる多層膜が適
当である。この多層膜の望ましい膜厚は、５〜５０ｎｍ
である。
混合物、あるいはＣｏ−ＣｏＯのように、六方最密構造
のＣｏに他の結晶構造を持った材料が混じった混合物で
あってもよい。これらＣｏ合金系多結晶膜の望ましい膜
厚は、１０−１００ｎｍである。多層構造を有する垂直
磁化膜としては、ＣｏもしくはＣｏ合金とＰｔ、Ｐｔ合
金、Ｐｄ、Ｐｄ合金のいずれかの膜からなる多層膜が適
当である。この多層膜の望ましい膜厚は、５〜５０ｎｍ
である。
【００１２】図１に、非磁性基板１０１上に上記２種の
磁性膜１０２、１０３を積層して形成した本発明による
磁気記録媒体の断面構造を示した。基板１０１と多結晶
磁性膜１０２の間に、必要に応じて、多結晶磁性膜１０
３と基板１０１の間の接着力強化あるいは磁性膜の構造
制御のための非磁性の下地膜（図示せず）を介在させて
もよい。
磁性膜１０２、１０３を積層して形成した本発明による
磁気記録媒体の断面構造を示した。基板１０１と多結晶
磁性膜１０２の間に、必要に応じて、多結晶磁性膜１０
３と基板１０１の間の接着力強化あるいは磁性膜の構造
制御のための非磁性の下地膜（図示せず）を介在させて
もよい。
【００１３】また、本発明の磁気記録媒体は、図２に示
すように、基板１０１と磁性膜１０２との間に軟磁性膜
２０５を介在させても良い。さらに、図１、図２に示し
た多層膜からなる垂直磁化膜１０３の代わりに、光磁気
記録膜として検討されているＴｂなどの稀土類金属にＦ
ｅなどの遷移金属が添加された非晶質合金膜を用いても
同様の望ましい効果が得られる。さらに、媒体ノイズを
低減するためには、図３、４に示したように、２枚の磁
性膜１０２、１０３の間に、非磁性膜３０５を介在させ
ることが有効であることが認められた。
すように、基板１０１と磁性膜１０２との間に軟磁性膜
２０５を介在させても良い。さらに、図１、図２に示し
た多層膜からなる垂直磁化膜１０３の代わりに、光磁気
記録膜として検討されているＴｂなどの稀土類金属にＦ
ｅなどの遷移金属が添加された非晶質合金膜を用いても
同様の望ましい効果が得られる。さらに、媒体ノイズを
低減するためには、図３、４に示したように、２枚の磁
性膜１０２、１０３の間に、非磁性膜３０５を介在させ
ることが有効であることが認められた。
【００１４】図１から図４に示した磁気記録媒体におい
て、上記２枚の磁性膜１０２、１０３の積層順を逆にし
ても、同等の望ましい効果が得られる。また、上記２枚
の垂直磁化膜１０２、１０３を複数回繰り返して積層し
ても良い。
て、上記２枚の磁性膜１０２、１０３の積層順を逆にし
ても、同等の望ましい効果が得られる。また、上記２枚
の垂直磁化膜１０２、１０３を複数回繰り返して積層し
ても良い。
【００１５】図１、図３に示した軟磁性膜を持たない磁
気記録媒体は、自己録音再生兼用のリングヘッドもしく
は記録用にリングヘッド再生用にＭＲヘッドを用いた録
音再生分離ヘッドと組み合わせて用いられる。図２、４
に示した軟磁性膜を有する磁気記録媒体は、単磁極ヘッ
ドからなる自己録音再生兼用型ヘッドもしくは単磁極ヘ
ッドとＭＲ再生ヘッドを組み合わせた録音再生分離ヘッ
ドを組み合わせて用いることができる。磁気記録の面記
録密度が２Ｇｂ／ｉｎ2以上の場合、磁気記録媒体表面
と磁気ヘッド先端とのスペ−シングを０．１μｍ以下、
望ましくは０．０８μｍ以下０．０２μｍ以上に設定し
なければならない。０．１μｍ以上になると２Ｇｂ／ｉ
ｎ2以上の面記録密度を実現するのに必要な線記録密度
が１００ｋＦＣＩ以上の磁気信号が有効に記録できなく
なり、また、０．０２μｍ以下では磁気記録媒体表面に
設ける耐摺動保護膜や潤滑膜の厚さが不十分となり、耐
久性が極端に劣化するので望ましくない。
気記録媒体は、自己録音再生兼用のリングヘッドもしく
は記録用にリングヘッド再生用にＭＲヘッドを用いた録
音再生分離ヘッドと組み合わせて用いられる。図２、４
に示した軟磁性膜を有する磁気記録媒体は、単磁極ヘッ
ドからなる自己録音再生兼用型ヘッドもしくは単磁極ヘ
ッドとＭＲ再生ヘッドを組み合わせた録音再生分離ヘッ
ドを組み合わせて用いることができる。磁気記録の面記
録密度が２Ｇｂ／ｉｎ2以上の場合、磁気記録媒体表面
と磁気ヘッド先端とのスペ−シングを０．１μｍ以下、
望ましくは０．０８μｍ以下０．０２μｍ以上に設定し
なければならない。０．１μｍ以上になると２Ｇｂ／ｉ
ｎ2以上の面記録密度を実現するのに必要な線記録密度
が１００ｋＦＣＩ以上の磁気信号が有効に記録できなく
なり、また、０．０２μｍ以下では磁気記録媒体表面に
設ける耐摺動保護膜や潤滑膜の厚さが不十分となり、耐
久性が極端に劣化するので望ましくない。
【００１６】記録音再生に用いる磁気ヘッドのトラック
幅の望ましい範囲は２μｍ以下、０．３μｍ以上であ
る。２μｍ以上であると、２Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録
密度を実現するための線記録密度を大きくしなければな
らいため、磁気記録系の設計上望ましくない。一方、
０．３μｍ以下になると磁気ヘッドの加工精度を保つこ
とが困難になり、実用上望ましくない。
幅の望ましい範囲は２μｍ以下、０．３μｍ以上であ
る。２μｍ以上であると、２Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録
密度を実現するための線記録密度を大きくしなければな
らいため、磁気記録系の設計上望ましくない。一方、
０．３μｍ以下になると磁気ヘッドの加工精度を保つこ
とが困難になり、実用上望ましくない。
【００１７】本発明の磁気記録媒体を磁気ヘッドと組み
合わせて磁気記録装置を構成する場合、数Ｇｂ／ｉｎ2
以上の面記録密度を実現するためには、磁気ヘッドと磁
気記録媒体を接触状態で相対運動させるコンタクト磁気
記録方式を用いるのが望ましい。さらに、再生用の磁気
ヘッド素子としては、巨大磁気抵抗効果（Ｇ−ＭＲ）を
用いた高感度な再生素子を用いる方が、高い面記録密度
を実現するには有利である。
合わせて磁気記録装置を構成する場合、数Ｇｂ／ｉｎ2
以上の面記録密度を実現するためには、磁気ヘッドと磁
気記録媒体を接触状態で相対運動させるコンタクト磁気
記録方式を用いるのが望ましい。さらに、再生用の磁気
ヘッド素子としては、巨大磁気抵抗効果（Ｇ−ＭＲ）を
用いた高感度な再生素子を用いる方が、高い面記録密度
を実現するには有利である。
【００１８】本発明により、特に磁気記録媒体から発生
するノイズが低減され、かつ高分解能、高出力で高密度
磁気記録に適することのできる改良された垂直磁気記録
媒体が実現され、面記録密度を２Ｇｂ／ｉｎ2以上の磁
気記録装置の実現が容易になった。
するノイズが低減され、かつ高分解能、高出力で高密度
磁気記録に適することのできる改良された垂直磁気記録
媒体が実現され、面記録密度を２Ｇｂ／ｉｎ2以上の磁
気記録装置の実現が容易になった。
【００１９】〈実施例１〉図５は本発明の第１の実施例
の磁気記録媒体の断面構造を示す図である。直径２．５
インチのガラスからなる基板１０１を３００Ｃの温度に
保って、周知の高周波ＤＣマグネトロンスパッタ法を用
いて、Ｃｒ−５ａｔ％Ｔｉからなる厚さ３０ｎｍの下地
膜５０２を形成した。こ膜は、磁性膜の結晶配向性を磁
化容易軸が基板と垂直になるように制御するための膜で
あり、圧力１０ｍＴｏｒｒのＡｒガスをスパッタガスに
用いて形成した。
の磁気記録媒体の断面構造を示す図である。直径２．５
インチのガラスからなる基板１０１を３００Ｃの温度に
保って、周知の高周波ＤＣマグネトロンスパッタ法を用
いて、Ｃｒ−５ａｔ％Ｔｉからなる厚さ３０ｎｍの下地
膜５０２を形成した。こ膜は、磁性膜の結晶配向性を磁
化容易軸が基板と垂直になるように制御するための膜で
あり、圧力１０ｍＴｏｒｒのＡｒガスをスパッタガスに
用いて形成した。
【００２０】上記下地膜５０２の上に、ｈ．ｃ．ｐ．結
晶構造を持ったＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａか
らなる厚さ４０ｎｍの多結晶の垂直磁化膜１０２を形成
しタ後、厚さ２ｎｍのＰｔ膜と厚さ３ｎｍのＣｏ膜を交
互に１０層積層して、積層垂直磁化膜１０３を形成し
た。これら多結晶の垂直磁化膜１０２および積層垂直磁
化膜１０３の形成時のＡｒ圧力は、いずれも５ｍＴｏｒ
ｒとした。
晶構造を持ったＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａか
らなる厚さ４０ｎｍの多結晶の垂直磁化膜１０２を形成
しタ後、厚さ２ｎｍのＰｔ膜と厚さ３ｎｍのＣｏ膜を交
互に１０層積層して、積層垂直磁化膜１０３を形成し
た。これら多結晶の垂直磁化膜１０２および積層垂直磁
化膜１０３の形成時のＡｒ圧力は、いずれも５ｍＴｏｒ
ｒとした。
【００２１】厚さ１０ｎｍカ−ボン膜からなる保護膜１
０４および有機材料からなる厚さ５ｎｍの潤滑膜（図示
せず）を形成して、磁気記録媒体を作製し、得られた磁
気記録媒体の、膜面垂直方向で測定した保磁力の値は、
１．５ｋＯｅであった。
０４および有機材料からなる厚さ５ｎｍの潤滑膜（図示
せず）を形成して、磁気記録媒体を作製し、得られた磁
気記録媒体の、膜面垂直方向で測定した保磁力の値は、
１．５ｋＯｅであった。
【００２２】この磁気記録媒体を（ａ）とし、上記Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａの代わりに（ｂ）Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−
１２ａｔ％Ｐｔ、（ｃ）Ｃｏ−１３ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ
％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａ、（ｄ）Ｃｏ−１３ａｔ％Ｃｒ−
１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｂおよび（ｅ）Ｃｏ−Ｃｏ
Ｏ、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１３ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％
Ｚｒ−６ａｔ％Ｏの多結晶膜を、それぞれ上記多結晶垂
直磁化膜１０２として用いて、第５図に示したのと同様
な構造の磁気記録媒体を作成した。
−Ｃｒ−Ｔａの代わりに（ｂ）Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−
１２ａｔ％Ｐｔ、（ｃ）Ｃｏ−１３ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ
％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａ、（ｄ）Ｃｏ−１３ａｔ％Ｃｒ−
１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｂおよび（ｅ）Ｃｏ−Ｃｏ
Ｏ、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−１３ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％
Ｚｒ−６ａｔ％Ｏの多結晶膜を、それぞれ上記多結晶垂
直磁化膜１０２として用いて、第５図に示したのと同様
な構造の磁気記録媒体を作成した。
【００２３】一方、比較例（１）として、厚さ３０ｎｍ
のＣｒ−５ａｔ％Ｔｉ膜、厚さ９０ｎｍのＣｏ−１６ａ
ｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、厚さ１０ｎｍのカ−ボン膜お
よび厚さ５ｎｍの潤滑膜をガラス基板上に順次積層して
形成した垂直磁気記録媒体を作成した。同様に、比較例
（２）として、厚さ２ｎｍのＰｔ膜と厚さ３ｎｍのＣｏ
膜を交互に２０層積層して形成した積層垂直磁化膜、厚
さ１０ｎｍのカ−ボン膜および厚さ５ｎｍの潤滑膜をガ
ラス基板上に順次積層して、垂直磁気記録媒体を作成し
た。
のＣｒ−５ａｔ％Ｔｉ膜、厚さ９０ｎｍのＣｏ−１６ａ
ｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、厚さ１０ｎｍのカ−ボン膜お
よび厚さ５ｎｍの潤滑膜をガラス基板上に順次積層して
形成した垂直磁気記録媒体を作成した。同様に、比較例
（２）として、厚さ２ｎｍのＰｔ膜と厚さ３ｎｍのＣｏ
膜を交互に２０層積層して形成した積層垂直磁化膜、厚
さ１０ｎｍのカ−ボン膜および厚さ５ｎｍの潤滑膜をガ
ラス基板上に順次積層して、垂直磁気記録媒体を作成し
た。
【００２４】これらの磁気記録媒体の記録再生特性を、
記録用にリングヘッド、再生用にＭＲヘッドからなる録
再分離型の磁気ヘッドを用い、磁気ヘッドと磁気記録媒
体間の距離を０．０４μｍとして測定した。リングヘッ
ドのトラック幅は１．２μｍ、ギャップ間隔は０．１８
μｍ、ＭＲヘッドのトラック幅は０．９μｍ、磁気シ−
ルド間隔は０．２５μｍであった。
記録用にリングヘッド、再生用にＭＲヘッドからなる録
再分離型の磁気ヘッドを用い、磁気ヘッドと磁気記録媒
体間の距離を０．０４μｍとして測定した。リングヘッ
ドのトラック幅は１．２μｍ、ギャップ間隔は０．１８
μｍ、ＭＲヘッドのトラック幅は０．９μｍ、磁気シ−
ルド間隔は０．２５μｍであった。
【００２５】測定結果を表１に示す。表１から明らかな
ように、本発明の磁気記録媒体は、比較例１、２より
も、記録分解能、再生信号および媒体ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）のバランスが良く、１０~6以下の良好なエラ−レ−
トが得られることが確認された。
ように、本発明の磁気記録媒体は、比較例１、２より
も、記録分解能、再生信号および媒体ノイズ比（Ｓ／
Ｎ）のバランスが良く、１０~6以下の良好なエラ−レ−
トが得られることが確認された。
【００２６】
【表１】
【００２７】〈実施例２〉本実施例は、図２に示す断面
構造を有する磁気記録媒体を形成した例である。図２に
示したように、直径２．５インチのＳｉ基板１０１の上
に、周知のＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、厚さ
１００ｎｍのＮｉ−Ｆｅパ−マロイ膜からなる軟磁性膜
２０５を形成した。この際の基板温度は３５０Ｃとし、
スパッタガスとしては圧力３ｍＴｏｒｒのＡｒガスを使
用した。
構造を有する磁気記録媒体を形成した例である。図２に
示したように、直径２．５インチのＳｉ基板１０１の上
に、周知のＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、厚さ
１００ｎｍのＮｉ−Ｆｅパ−マロイ膜からなる軟磁性膜
２０５を形成した。この際の基板温度は３５０Ｃとし、
スパッタガスとしては圧力３ｍＴｏｒｒのＡｒガスを使
用した。
【００２８】次に、ｈｃｐ構造を持ったＣｏ−１７ａｔ
％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａからなる厚さ２
５ｎｍの多結晶垂直磁化膜１０２を、同様に、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で形成し、厚さ２ｎｍのＰｄ膜と厚
さ３ｎｍのＣｏ−１０ａｔ％Ｃｒ膜を、高周波スパッタ
法を用いて交互に１０層積層して形成された積層垂直磁
化膜１０３および、厚さ７ｎｍのカ−ボンからなる保護
膜２０５をＤＣマグネトロンスパッタ法で形成した。さ
らに成膜装置から試料をとりだして、有機材料からなる
厚さ５ｎｍの潤滑膜（図示せず）を形成して磁気記録媒
体を作成した。得られた磁気記録媒体の媒体保磁力は
２．７ｋＯｅであった。この磁気記録媒体を試料（ａ）
とする。
％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａからなる厚さ２
５ｎｍの多結晶垂直磁化膜１０２を、同様に、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で形成し、厚さ２ｎｍのＰｄ膜と厚
さ３ｎｍのＣｏ−１０ａｔ％Ｃｒ膜を、高周波スパッタ
法を用いて交互に１０層積層して形成された積層垂直磁
化膜１０３および、厚さ７ｎｍのカ−ボンからなる保護
膜２０５をＤＣマグネトロンスパッタ法で形成した。さ
らに成膜装置から試料をとりだして、有機材料からなる
厚さ５ｎｍの潤滑膜（図示せず）を形成して磁気記録媒
体を作成した。得られた磁気記録媒体の媒体保磁力は
２．７ｋＯｅであった。この磁気記録媒体を試料（ａ）
とする。
【００２９】試料（ａ）において、上記多結晶垂直磁化
膜１０２として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ膜の代わり
に、Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ、Ｃｏ−２３ａｔ％Ｖ、Ｃｏ
−１８ａｔ％ＭｏおよびＣｏ−１６ａｔ％Ｒｅをそれぞ
れ用いた以外は、試料（ａ）と同じである試料（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）を作成した。さらに上記積
層垂直磁化膜１４として、試料（ａ）において、Ｐｄと
Ｃｏ−Ｃｒ交互積層膜の代わりに光磁気記録媒体として
検討されている非晶質のＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜を用いた以
外は試料（ａ）と同じである試料（ｆ）を作成した。
膜１０２として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ膜の代わり
に、Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ、Ｃｏ−２３ａｔ％Ｖ、Ｃｏ
−１８ａｔ％ＭｏおよびＣｏ−１６ａｔ％Ｒｅをそれぞ
れ用いた以外は、試料（ａ）と同じである試料（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）を作成した。さらに上記積
層垂直磁化膜１４として、試料（ａ）において、Ｐｄと
Ｃｏ−Ｃｒ交互積層膜の代わりに光磁気記録媒体として
検討されている非晶質のＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜を用いた以
外は試料（ａ）と同じである試料（ｆ）を作成した。
【００３０】これらの磁気記録媒体を単磁極ヘッドから
なる自己録再兼用型ヘッドを用いてヘッドと記録媒体の
間の平均スペ−シングが０．０３μｍとなるコンタクト
磁気記録方式を用いて記録再生特性を調べた。磁気ヘッ
ドのトラック幅は１μｍとした。得られた結果を表２に
示す。表２から明らかなように、いずれの磁気記録媒体
においても、５Ｇｂ／ｉｎ2の条件で１０~6以下のエラ
−レ−トが得らた。
なる自己録再兼用型ヘッドを用いてヘッドと記録媒体の
間の平均スペ−シングが０．０３μｍとなるコンタクト
磁気記録方式を用いて記録再生特性を調べた。磁気ヘッ
ドのトラック幅は１μｍとした。得られた結果を表２に
示す。表２から明らかなように、いずれの磁気記録媒体
においても、５Ｇｂ／ｉｎ2の条件で１０~6以下のエラ
−レ−トが得らた。
【００３１】
【表２】
【００３２】〈実施例３〉本実施例は、図６に示す断面
構造を有する磁気記録媒体を形成した例である。図６に
示したように、直径１．８インチのＳｉディスクからな
る基板１０１の上に、周知ＤＣマグネトロンスパッタ法
を用いて、ｈｃｐ構造を持ったＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−
８ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａからなる厚さ３０ｎｍの多
結晶垂直磁化膜１０２を、基板温度２００Ｃとして形成
した。
構造を有する磁気記録媒体を形成した例である。図６に
示したように、直径１．８インチのＳｉディスクからな
る基板１０１の上に、周知ＤＣマグネトロンスパッタ法
を用いて、ｈｃｐ構造を持ったＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−
８ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａからなる厚さ３０ｎｍの多
結晶垂直磁化膜１０２を、基板温度２００Ｃとして形成
した。
【００３３】次に、周知の高周波スパッタ法を用いて、
Ｔｂ−７６ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｃｏからなる厚さ２５
ｎｍの非晶質垂直磁化膜６０３およびカ−ボンからなる
厚さ５ｎｍの保護膜１０４を連続して形成して、磁気記
録媒体を作成した。上記Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏからなる非晶
質垂直磁化膜６０３の構造をＸ線回折法で調べ、非晶質
であることを確認した。
Ｔｂ−７６ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｃｏからなる厚さ２５
ｎｍの非晶質垂直磁化膜６０３およびカ−ボンからなる
厚さ５ｎｍの保護膜１０４を連続して形成して、磁気記
録媒体を作成した。上記Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏからなる非晶
質垂直磁化膜６０３の構造をＸ線回折法で調べ、非晶質
であることを確認した。
【００３４】本実施例の磁気記録媒体において、Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ膜の代わりに、Ｔｂ−８１ａｔ％Ｆｅ、Ｇｄ
−８１ａｔ％Ｃｏ、Ｓｍ−８７ａｔ％Ｃｏ、Ｓｍ−５８
ａｔ％Ｃｏ−１５ａｔ％Ｂを用いて作成した磁気記録媒
体をそれぞれ作成した。Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｓｍ
−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ−Ｂ膜は、いずれも非晶質構造をも
つ垂直磁化膜であることが確認された。
Ｆｅ−Ｃｏ膜の代わりに、Ｔｂ−８１ａｔ％Ｆｅ、Ｇｄ
−８１ａｔ％Ｃｏ、Ｓｍ−８７ａｔ％Ｃｏ、Ｓｍ−５８
ａｔ％Ｃｏ−１５ａｔ％Ｂを用いて作成した磁気記録媒
体をそれぞれ作成した。Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｓｍ
−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ−Ｂ膜は、いずれも非晶質構造をも
つ垂直磁化膜であることが確認された。
【００３５】これらの磁気記録媒体の記録再生特性を、
実施例１と同様な条件で調べたところ、３Ｇｂ／ｉｎ2
の条件で１０~6以下のエラ−レ−トが得られた。
実施例１と同様な条件で調べたところ、３Ｇｂ／ｉｎ2
の条件で１０~6以下のエラ−レ−トが得られた。
【００３６】〈実施例４〉本実施例は、図７に示す断面
構造を有する磁気記録媒体を形成した例である。図７に
示したように、直径１．８インチのガラスからなる基板
１０１上に、この基板１０１の温度を１０００Ｃに保っ
て、周知の高周波マグネトロンスパッタ法を用いてで厚
さ２５ｎｍのＴｂ−７８ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｃｏ膜か
らなる非晶質垂直磁化膜６０３、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法を用いてｈｃｐ構造を持った厚さ３０ｎｍのＣｏ
−１５ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａ膜から
なる多結晶垂直磁化膜１０２および厚さ７ｎｍのカ−ボ
ン膜からなる保護膜１０４を、順次形成して磁気記録媒
体を作成した。
構造を有する磁気記録媒体を形成した例である。図７に
示したように、直径１．８インチのガラスからなる基板
１０１上に、この基板１０１の温度を１０００Ｃに保っ
て、周知の高周波マグネトロンスパッタ法を用いてで厚
さ２５ｎｍのＴｂ−７８ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｃｏ膜か
らなる非晶質垂直磁化膜６０３、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法を用いてｈｃｐ構造を持った厚さ３０ｎｍのＣｏ
−１５ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａ膜から
なる多結晶垂直磁化膜１０２および厚さ７ｎｍのカ−ボ
ン膜からなる保護膜１０４を、順次形成して磁気記録媒
体を作成した。
【００３７】上記Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜は非晶質構造を持
つ垂直磁化膜であることが確認された。これらの磁気記
録媒体を実施例１と同様な磁気ヘッドを用いてコンタク
ト条件で記録再生特性を調べたところ、４Ｇｂ／ｉｎ2
の条件で１０~6以下のエラ−レ−トが得られることが分
かった。
つ垂直磁化膜であることが確認された。これらの磁気記
録媒体を実施例１と同様な磁気ヘッドを用いてコンタク
ト条件で記録再生特性を調べたところ、４Ｇｂ／ｉｎ2
の条件で１０~6以下のエラ−レ−トが得られることが分
かった。
【００３８】〈実施例５〉上記実施例１において、多結
晶垂直磁化膜１０２と積層垂直磁化膜１０３の間に厚さ
２ｎｍのＴｉ−５ａｔ％Ｃｒ膜を挿入した以外は、実施
例１と同じ構成を有する磁気記録媒体を作成した。これ
らの磁気記録媒体を、実施例１と同様な磁気ヘッドを用
いて、コンタクト条件で記録再生特性を調べたところ、
４Ｇｂ／ｉｎ2の条件で２ｘ１０~7以下のエラ−レ−ト
が得られた。
晶垂直磁化膜１０２と積層垂直磁化膜１０３の間に厚さ
２ｎｍのＴｉ−５ａｔ％Ｃｒ膜を挿入した以外は、実施
例１と同じ構成を有する磁気記録媒体を作成した。これ
らの磁気記録媒体を、実施例１と同様な磁気ヘッドを用
いて、コンタクト条件で記録再生特性を調べたところ、
４Ｇｂ／ｉｎ2の条件で２ｘ１０~7以下のエラ−レ−ト
が得られた。
【００３９】〈実施例６〉上記実施例３において、多結
晶垂直磁化膜１０２と非晶質垂直磁化膜６０３の間に、
厚さ２ｎｍの非磁性のＲｅ膜を導入した以外は、実施例
３と同じ構成を有する磁気記録媒体を作成した。これら
の磁気記録媒体を、実施例１と同様な磁気ヘッドを用い
てコンタクト条件で記録再生特性を調べたところ、４Ｇ
ｂ／ｉｎ2の条件で１０~7以下のエラ−レ−トが得られ
た。
晶垂直磁化膜１０２と非晶質垂直磁化膜６０３の間に、
厚さ２ｎｍの非磁性のＲｅ膜を導入した以外は、実施例
３と同じ構成を有する磁気記録媒体を作成した。これら
の磁気記録媒体を、実施例１と同様な磁気ヘッドを用い
てコンタクト条件で記録再生特性を調べたところ、４Ｇ
ｂ／ｉｎ2の条件で１０~7以下のエラ−レ−トが得られ
た。
【００４０】〈実施例７〉上記実施例２において、多結
晶垂直磁化膜１０２と非晶質垂直磁化膜１０３の間に、
厚さ２ｎｍの非磁性のＲｅ膜を導入した以外は、実施例
２と同じ構成を有する磁気記録媒体を作成した。これら
の磁気記録媒体を、実施例２と同様な磁気ヘッドを用い
てコンタクト条件で記録再生特性を調べたところ、４Ｇ
ｂ／ｉｎ2の条件で１０~7以下のエラ−レ−トが得られ
た。
晶垂直磁化膜１０２と非晶質垂直磁化膜１０３の間に、
厚さ２ｎｍの非磁性のＲｅ膜を導入した以外は、実施例
２と同じ構成を有する磁気記録媒体を作成した。これら
の磁気記録媒体を、実施例２と同様な磁気ヘッドを用い
てコンタクト条件で記録再生特性を調べたところ、４Ｇ
ｂ／ｉｎ2の条件で１０~7以下のエラ−レ−トが得られ
た。
【００４１】〈実施例８〉図８は本発明の他の実施例を
示す断面図である。図８に示したように、直径２．５イ
ンチのガラスからなる基板１０１の上に、周知のＤＣマ
グネトロンスパッタ法を用いて、基板温度３５０Ｃ、Ａ
ｒガス圧力３ｍＴｏｒｒという条件で、厚さ１００ｎｍ
のＮｉ−Ｆｅパ−マロイからなる軟磁性膜２０５を形成
した。
示す断面図である。図８に示したように、直径２．５イ
ンチのガラスからなる基板１０１の上に、周知のＤＣマ
グネトロンスパッタ法を用いて、基板温度３５０Ｃ、Ａ
ｒガス圧力３ｍＴｏｒｒという条件で、厚さ１００ｎｍ
のＮｉ−Ｆｅパ−マロイからなる軟磁性膜２０５を形成
した。
【００４２】非晶質構造を持つ厚さ２５ｎｍのＴｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏからなる非晶質垂直磁化膜６０３、厚さ２５ｎ
ｍのＣｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％
Ｔａからなる多結晶垂直磁化膜１０２おおび厚さ７ｎｍ
のカ−ボン膜からなる保護膜１０４を、いずれもＤＣマ
グネトロンスパッタ法で順次形成した。さらに、成膜装
置から試料を取り出し、厚さ５ｎｍの潤滑膜８０６を形
成して、図８に示した磁気記録媒体を作成した。
ｅ−Ｃｏからなる非晶質垂直磁化膜６０３、厚さ２５ｎ
ｍのＣｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％
Ｔａからなる多結晶垂直磁化膜１０２おおび厚さ７ｎｍ
のカ−ボン膜からなる保護膜１０４を、いずれもＤＣマ
グネトロンスパッタ法で順次形成した。さらに、成膜装
置から試料を取り出し、厚さ５ｎｍの潤滑膜８０６を形
成して、図８に示した磁気記録媒体を作成した。
【００４３】得られた媒体保磁力は２．２ｋＯｅであっ
た。この磁気記録媒体を試料（ａ）とする。試料（ａ）
において、上記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ膜８０４の代わ
りに、Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ膜、Ｃｏ−
２０ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｐｔ膜、Ｃｏ−ＣｏＯ膜およ
びＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｓｉ
膜をそれぞれ用いた以外は、上記（ａ）と同じ試料
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）を作成した。さら
に、上記試料（ａ）において、非晶質垂直磁化膜のＴｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ膜８０３とＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ多結晶
垂直磁化膜８０４の積層順を逆にした以外は上記試料
（ａ）と同じ試料（ｆ）を作成した。
た。この磁気記録媒体を試料（ａ）とする。試料（ａ）
において、上記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ膜８０４の代わ
りに、Ｃｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ膜、Ｃｏ−
２０ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｐｔ膜、Ｃｏ−ＣｏＯ膜およ
びＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｓｉ
膜をそれぞれ用いた以外は、上記（ａ）と同じ試料
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）を作成した。さら
に、上記試料（ａ）において、非晶質垂直磁化膜のＴｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ膜８０３とＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ多結晶
垂直磁化膜８０４の積層順を逆にした以外は上記試料
（ａ）と同じ試料（ｆ）を作成した。
【００４４】これらの磁気記録媒体を単磁極ヘッドから
なる記録ヘッドとＭＲヘッドからなる再生ヘッドから構
成された録再分離ヘッドを用い、記録媒体と磁気ヘッド
の間の平均スペ−シングが０．０３５μｍとなるコンタ
クト磁気記録方式を用いて記録再生特性を調べた。記録
磁気ヘッドのトラック幅は０．８μｍ、再生磁気ヘッド
のトラック幅は０．６μｍとした。得られた結果を表３
に示す。表３から明らかなように、低周波再生出力が半
減する記録密度（Ｄ50）はいずれも２００ｋＦＣＩ以上
であり、利用線記録密度が１００ｋＦＣＩ以上の高密度
磁気記録に適することが確認された。いずれの磁気記録
媒体においても５Ｇｂ／ｉｎ2の条件で１０~6以下のエ
ラ−レ−トが得られることが認められた。
なる記録ヘッドとＭＲヘッドからなる再生ヘッドから構
成された録再分離ヘッドを用い、記録媒体と磁気ヘッド
の間の平均スペ−シングが０．０３５μｍとなるコンタ
クト磁気記録方式を用いて記録再生特性を調べた。記録
磁気ヘッドのトラック幅は０．８μｍ、再生磁気ヘッド
のトラック幅は０．６μｍとした。得られた結果を表３
に示す。表３から明らかなように、低周波再生出力が半
減する記録密度（Ｄ50）はいずれも２００ｋＦＣＩ以上
であり、利用線記録密度が１００ｋＦＣＩ以上の高密度
磁気記録に適することが確認された。いずれの磁気記録
媒体においても５Ｇｂ／ｉｎ2の条件で１０~6以下のエ
ラ−レ−トが得られることが認められた。
【００４５】
【表３】
【００４６】〈実施例９〉上記実施例８において、２種
類の上記垂直磁化膜６０３、２０５の間に、厚さ３ｎｍ
のＣｏ−２８ａｔ％Ｃｒ膜を介在させた以外は、実施例
８と同じ磁気記録媒体を作成した。上記Ｃｏ−２８ａｔ
％Ｃｒ膜は、非磁性であった。得られた磁気記録媒体
を、トラック幅が０．８μｍの単磁極リングヘッドとＧ
−ＭＲ膜を用いた高感度再生ヘッドからなる録再分離ヘ
ッドを、コンタクト条件で摺動させて記録再生特性を測
定した。磁気ヘッドと媒体磁性膜表面との距離は０．０
３μｍとした。その結果、８Ｇｂ／ｉｎ2の条件で１０~
6以下のエラ−レ−トが得られることが確認された。
類の上記垂直磁化膜６０３、２０５の間に、厚さ３ｎｍ
のＣｏ−２８ａｔ％Ｃｒ膜を介在させた以外は、実施例
８と同じ磁気記録媒体を作成した。上記Ｃｏ−２８ａｔ
％Ｃｒ膜は、非磁性であった。得られた磁気記録媒体
を、トラック幅が０．８μｍの単磁極リングヘッドとＧ
−ＭＲ膜を用いた高感度再生ヘッドからなる録再分離ヘ
ッドを、コンタクト条件で摺動させて記録再生特性を測
定した。磁気ヘッドと媒体磁性膜表面との距離は０．０
３μｍとした。その結果、８Ｇｂ／ｉｎ2の条件で１０~
6以下のエラ−レ−トが得られることが確認された。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、媒体ノイズが低減さ
れ、しかも再生出力が大きい垂直磁気記録媒体が得られ
たので、２Ｇｂ／ｉｎ2以上の高い記録密度を持つ磁気
ディスク装置を容易に実現することができ、装置の小型
化と大容量化が容易になった。
れ、しかも再生出力が大きい垂直磁気記録媒体が得られ
たので、２Ｇｂ／ｉｎ2以上の高い記録密度を持つ磁気
ディスク装置を容易に実現することができ、装置の小型
化と大容量化が容易になった。
【図１】本発明の磁気記録媒体を示す断面図、
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図、
【図３】非磁性膜を有する発明の磁気記録媒体を示す断
面図、
面図、
【図４】非磁性膜を有する本発明の磁気記録媒体を示す
断面図、
断面図、
【図５】本発明の第１の実施例を示す断面図、
【図６】本発明の第３の実施例を示す断面図、
【図７】本発明の第４の実施例を示す断面図、
【図８】本発明の第８の実施例を示す断面図。
１０１……基板、１０２……多結晶垂直磁化膜、１０３
……多層垂直磁化膜、１０４……保護膜、２０５……軟
磁性膜、３０５……非磁性膜、６０３……非晶質垂直磁
化膜、８０６……潤滑膜。
……多層垂直磁化膜、１０４……保護膜、２０５……軟
磁性膜、３０５……非磁性膜、６０３……非晶質垂直磁
化膜、８０６……潤滑膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲葉 信幸 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 中村 敦 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 高山 孝信 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (17)
- 【請求項１】非磁性基板の表面上に、順次積層して形成
された磁性膜および保護膜を少なくとも具備し、上記磁
性膜は、特性が互いに異なる第１の垂直磁化膜および第
２の垂直磁化膜が積層されてなる膜であることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項２】上記第１の垂直磁化膜は多結晶構造を有す
る単層の垂直磁化膜であり、上記第２の垂直磁化膜は多
層構造を有する垂直磁化膜若しくは非晶質構造を有する
垂直磁化膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項３】上記多結晶構造を有する垂直磁化膜と上記
非磁性基板の間には軟磁性体膜が介在していることを特
徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】上記多結晶構造を有する垂直磁化膜と上記
多層構造を有する垂直磁化膜の間には非磁性体膜が介在
していることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項５】上記多結晶構造を有する垂直磁化膜と上記
基板の間には軟磁性体膜が介在し、上記多結晶構造を有
する垂直磁性膜と、上記多層構造を有する垂直磁化膜の
間には、非磁性体膜が介在していいることを特徴とする
請求項４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】上記多結晶構造を有する垂直磁化膜と上記
非磁性基板の間には非磁性の下地膜が形成されているこ
とを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】上記第１の磁性膜は非晶質構造を有する垂
直磁化膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項８】上記第２の磁性膜は多結晶構造を有する垂
直磁化膜であることを特徴とする請求項７に記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項９】上記多結晶構造を有する垂直磁化膜は上記
非晶質構造を有する垂直磁化膜の上側に配置されている
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】上記非晶質構造を有する垂直磁化膜と上
記基板の間には、軟磁性体膜が介在していることを特徴
とする請求項９にに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】上記保護膜の上には潤滑層が形成されて
いることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項１２】上記多結晶構造を有する垂直磁化膜は、
Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｂ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｐ、Ｏおよ
びＮからなる群から選択された少なくとも１種の元素を
含む六方最密構造を有するＣｏ合金遷移金属を基体とす
る膜であることを特徴とする請求項２から１１のいずれ
か一に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１３】上記多層構造を有する垂直磁化膜は、Ｃ
ｏおよびＣｏ合金から選択された材料からなる膜とＰ
ｔ、Ｐｔ合金、ＰｄおよびＰｄ合金から選択された材料
からなる膜が、交互に積層された膜であることを特徴と
する請求項２から６のいずれか一にに記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項１４】上記非晶質の垂直磁化膜は、遷移金属を
含む稀土類を基体とする膜であることを特徴とする請求
項２から１１のいずれか一にに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１５】磁気記録媒体、誘導リング型の記録用の
薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果を応用した再生
用のヘッド素子を組み合わしてなる記録再生分離型ヘッ
ドを具備し、上記記録媒体は請求項１から１４のいずれ
か一に記載された磁気記録媒体であることを特徴とする
磁気記録装置。 - 【請求項１６】上記磁気記録媒体の上記磁性膜の表面と
上記磁気ヘッド素子の先端の間の距離を、０．０２〜
０．０８μｍの範囲に保って磁気記録再生が行なわれる
ことを特長とする請求項１５に記載の磁気記録装置。 - 【請求項１７】上記磁気ヘッド素子のトラック幅は０．
３μｍ〜２μｍであり、利用線記録密度の最大値は少な
くとも１００ｋＦＣＩであることを特徴とする請求項１
５若しくは１６に記載の磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24594095A JP3670728B2 (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 磁気記録媒体およびこれを応用した磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24594095A JP3670728B2 (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 磁気記録媒体およびこれを応用した磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991660A true JPH0991660A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3670728B2 JP3670728B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=17141127
Family Applications (1)
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