JP2002042318A - 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置Info
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- JP2002042318A JP2002042318A JP2000219447A JP2000219447A JP2002042318A JP 2002042318 A JP2002042318 A JP 2002042318A JP 2000219447 A JP2000219447 A JP 2000219447A JP 2000219447 A JP2000219447 A JP 2000219447A JP 2002042318 A JP2002042318 A JP 2002042318A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低ノイズでかつ高密度記録が可能な垂直磁気
記録媒体 【解決手段】 非磁性基板と、垂直磁気記録層との間
に、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁性
層及び非磁性層から構成されるか、あるいは第１の軟磁
性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２
の軟磁性層から構成される軟磁性積層体を設ける。
記録媒体 【解決手段】 非磁性基板と、垂直磁気記録層との間
に、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁性
層及び非磁性層から構成されるか、あるいは第１の軟磁
性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２
の軟磁性層から構成される軟磁性積層体を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録再生装置
及びこれに用いられる磁気記録媒体に関する。
及びこれに用いられる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のコンピュータの高性能化、画像・
音声のデジタル化，高画質化に伴い、特に計算機周辺記
憶装置（ＨＤＤ）、画像・音声記録装置（ＤＶＴＲ）な
どの分野において、より高密度の記録・再生が可能な磁
気記録媒体が要求されるようになっている。
音声のデジタル化，高画質化に伴い、特に計算機周辺記
憶装置（ＨＤＤ）、画像・音声記録装置（ＤＶＴＲ）な
どの分野において、より高密度の記録・再生が可能な磁
気記録媒体が要求されるようになっている。
【０００３】例えば通常の面内記録において、記録ビッ
トの微細化により、高記録密度を実現しようとすると、
記録磁化の熱揺らぎやヘッドの記録能よりも保磁力が高
くなりすぎるなどの問題が生じる。これらの問題を回避
するために、近年、垂直異方性を有する垂直磁化膜を用
いた垂直磁気記録方式が提案されている。
トの微細化により、高記録密度を実現しようとすると、
記録磁化の熱揺らぎやヘッドの記録能よりも保磁力が高
くなりすぎるなどの問題が生じる。これらの問題を回避
するために、近年、垂直異方性を有する垂直磁化膜を用
いた垂直磁気記録方式が提案されている。
【０００４】このような垂直磁気記録方式に使用される
磁気記録媒体は、通常、軟磁性下地膜とその上に設けら
れた垂直磁化膜とから構成される。軟磁性下地膜として
は、高透磁率かつ高飽和磁束密度のものが好ましいが、
磁壁が生じるため、磁壁移動や磁壁の揺らぎによりノイ
ズが発生し、Ｓ／Ｎｍの劣化の問題があった。
磁気記録媒体は、通常、軟磁性下地膜とその上に設けら
れた垂直磁化膜とから構成される。軟磁性下地膜として
は、高透磁率かつ高飽和磁束密度のものが好ましいが、
磁壁が生じるため、磁壁移動や磁壁の揺らぎによりノイ
ズが発生し、Ｓ／Ｎｍの劣化の問題があった。
【０００５】このようなノイズを低減する技術として、
特開昭５８−１６６５３１号公報には、非磁性基板と垂
直記録層との間に例えば１μｍ厚のＣｏ−Ｍｏ−Ｚｒか
らなる軟磁性層と非磁性層とを設けることにより、スパ
イクノイズを低減する技術が開示されている。しかしな
がら、この技術では、スパイクノイズの低減を図ること
はできても、ホワイトノイズの低減には効果がなく、ま
た、スパイクノイズの低減も十分ではなかった。したが
って、十分なＳ／Ｎｍが得られなかった。
特開昭５８−１６６５３１号公報には、非磁性基板と垂
直記録層との間に例えば１μｍ厚のＣｏ−Ｍｏ−Ｚｒか
らなる軟磁性層と非磁性層とを設けることにより、スパ
イクノイズを低減する技術が開示されている。しかしな
がら、この技術では、スパイクノイズの低減を図ること
はできても、ホワイトノイズの低減には効果がなく、ま
た、スパイクノイズの低減も十分ではなかった。したが
って、十分なＳ／Ｎｍが得られなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、低ノイズでかつ高密度記録が可能な垂直磁気記録媒
体を提供することにある。
は、低ノイズでかつ高密度記録が可能な垂直磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００７】本発明の第２の目的は、低ノイズでかつ高
密度記録が可能な磁気記録再生装置を提供することにあ
る。
密度記録が可能な磁気記録再生装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、非磁
性基板と、該非磁性基板上に形成された、５００オング
ストローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層か
ら構成される軟磁性積層体と、該軟磁性積層体上に形成
された垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂
直磁気記録媒体を提供する。
性基板と、該非磁性基板上に形成された、５００オング
ストローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層か
ら構成される軟磁性積層体と、該軟磁性積層体上に形成
された垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂
直磁気記録媒体を提供する。
【０００９】本発明は、第２に、非磁性基板と、該非磁
性基板上に形成された、第１の軟磁性層及び該第１の軟
磁性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構
成される軟磁性積層体と、該軟磁性積層体上に形成され
た垂直磁気記録媒体とを具備することを特徴とする垂直
磁気記録媒体を提供する。
性基板上に形成された、第１の軟磁性層及び該第１の軟
磁性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構
成される軟磁性積層体と、該軟磁性積層体上に形成され
た垂直磁気記録媒体とを具備することを特徴とする垂直
磁気記録媒体を提供する。
【００１０】本発明は、第３に、非磁性基板、該非磁性
基板上に形成された、５００オングストローム以下の厚
さを有する軟磁性層と非磁性層から構成される軟磁性積
層体、及び該軟磁性積層体上に形成された垂直磁気記録
層を有する垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体
を支持及び回転駆動する駆動手段と、前記垂直磁気記録
媒体に対して情報の記録を行うための素子、及び記録さ
れた情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッド
と、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移
動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備する
ことを特徴とする垂直磁気記録再生装置を提供する。
基板上に形成された、５００オングストローム以下の厚
さを有する軟磁性層と非磁性層から構成される軟磁性積
層体、及び該軟磁性積層体上に形成された垂直磁気記録
層を有する垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体
を支持及び回転駆動する駆動手段と、前記垂直磁気記録
媒体に対して情報の記録を行うための素子、及び記録さ
れた情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッド
と、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移
動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備する
ことを特徴とする垂直磁気記録再生装置を提供する。
【００１１】本発明は、第４に、非磁性基板上に、５０
０オングストローム以下の厚さのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
磁性薄膜層を非磁性薄膜層を介して積層したＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金軟磁性積層体を提供する。
０オングストローム以下の厚さのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
磁性薄膜層を非磁性薄膜層を介して積層したＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金軟磁性積層体を提供する。
【００１２】本発明は、第５に、非磁性基板上に形成し
た、５００オングストローム以下の厚さのＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ合金磁性薄膜層を、非磁性薄膜層を介して積層した
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体上に、少なくとも１
層のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系の磁性薄膜からなる垂直磁
気記録層を形成した垂直磁気記録媒体を提供する。
た、５００オングストローム以下の厚さのＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ合金磁性薄膜層を、非磁性薄膜層を介して積層した
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体上に、少なくとも１
層のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系の磁性薄膜からなる垂直磁
気記録層を形成した垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１３】本発明は、第６に、非磁性基板と、該非磁
性基板上に形成された、第１の軟磁性層と該第１の軟磁
性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構成
される軟磁性積層体、及び該軟磁性積層体上に形成され
た垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体と、前記
垂直磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための
素子、及び記録された情報の再生を行うための素子を有
する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録
媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブ
リとを具備することを特徴とする垂直磁気記録再生装置
を提供する。
性基板上に形成された、第１の軟磁性層と該第１の軟磁
性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構成
される軟磁性積層体、及び該軟磁性積層体上に形成され
た垂直磁気記録層とを有する垂直磁気記録媒体と、前記
垂直磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための
素子、及び記録された情報の再生を行うための素子を有
する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録
媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブ
リとを具備することを特徴とする垂直磁気記録再生装置
を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の垂直磁気記録媒体は、基
本的に、非磁性基板と、非磁性基板上に形成された所定
の軟磁性積層体と、この軟磁性積層体上に形成された垂
直磁気記録層とを有する。軟磁性積層体としては、以下
の第１または第２の軟磁性積層体のいずれかが使用され
る。
本的に、非磁性基板と、非磁性基板上に形成された所定
の軟磁性積層体と、この軟磁性積層体上に形成された垂
直磁気記録層とを有する。軟磁性積層体としては、以下
の第１または第２の軟磁性積層体のいずれかが使用され
る。
【００１５】第１の軟磁性積層体は、５００オングスト
ローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層から構
成される。
ローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層から構
成される。
【００１６】また、第２の軟磁性積層体は、第１の軟磁
性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２
の軟磁性層から構成される。
性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２
の軟磁性層から構成される。
【００１７】また、本発明の垂直磁気記録再生装置は、
上述の磁気記録媒体を適用した装置であって、非磁性基
板、非磁性基板上に設けられた第１または第２の軟磁性
積層体、及び軟磁性積層体上に形成された垂直磁気記録
層を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録媒体を支
持及び回転駆動する駆動手段と、垂直磁気記録媒体に対
して情報の記録を行うための素子、及び記録された情報
の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁気ヘ
ッドを垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキ
ャリッジアッセンブリとを有する。
上述の磁気記録媒体を適用した装置であって、非磁性基
板、非磁性基板上に設けられた第１または第２の軟磁性
積層体、及び軟磁性積層体上に形成された垂直磁気記録
層を有する垂直磁気記録媒体と、垂直磁気記録媒体を支
持及び回転駆動する駆動手段と、垂直磁気記録媒体に対
して情報の記録を行うための素子、及び記録された情報
の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、磁気ヘ
ッドを垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキ
ャリッジアッセンブリとを有する。
【００１８】本発明によれば、非磁性基板と垂直磁気記
録層との間に、所定の軟磁性積層体を設けることによ
り、磁壁の発生を抑制し、軟磁性層からのノイズを低減
することができる。
録層との間に、所定の軟磁性積層体を設けることによ
り、磁壁の発生を抑制し、軟磁性層からのノイズを低減
することができる。
【００１９】第１の軟磁性積層体において、この軟磁性
層と非磁性層は、必要に応じて交互に複数層積層され得
る。
層と非磁性層は、必要に応じて交互に複数層積層され得
る。
【００２０】また、第２の軟磁性積層体において、第１
の軟磁性層と第２の軟磁性層は、必要に応じて交互に複
数層積層され得る。また、隣り合う第１または第２の軟
磁性層とは異なる結晶構造を有する他の軟磁性層を種々
使用することができる。
の軟磁性層と第２の軟磁性層は、必要に応じて交互に複
数層積層され得る。また、隣り合う第１または第２の軟
磁性層とは異なる結晶構造を有する他の軟磁性層を種々
使用することができる。
【００２１】非磁性基板と垂直磁気記録層との間に、軟
磁性層間の結晶構造のつながりを絶ちながら積層された
所定の軟磁性積層体が設けられることにより、各軟磁性
層の特性が保たれ、磁壁の発生を抑制し、軟磁性層から
のノイズを低減することができる。
磁性層間の結晶構造のつながりを絶ちながら積層された
所定の軟磁性積層体が設けられることにより、各軟磁性
層の特性が保たれ、磁壁の発生を抑制し、軟磁性層から
のノイズを低減することができる。
【００２２】さらに、第２の軟磁性積層体は、第１の軟
磁性積層体において軟磁性層と非磁性層を同じ数だけ積
層したときよりも、そのＭｓｔが大きくなるという利点
を有する。
磁性積層体において軟磁性層と非磁性層を同じ数だけ積
層したときよりも、そのＭｓｔが大きくなるという利点
を有する。
【００２３】第１の軟磁性積層体において、軟磁性層の
厚さは、５００オングストロームを越えると、良好なＳ
／Ｎｍが得られず、十分にノイズを低減できない。軟磁
性層の好ましい厚さは、５０ないし２００オングストロ
ームである。
厚さは、５００オングストロームを越えると、良好なＳ
／Ｎｍが得られず、十分にノイズを低減できない。軟磁
性層の好ましい厚さは、５０ないし２００オングストロ
ームである。
【００２４】また、第１の軟磁性積層体において、非磁
性層の厚さは、好ましくは、軟磁性層の厚さの１．５倍
以下である。より好ましくは０．２倍ないし１．０倍で
ある。非磁性層が軟磁性層の１．５倍を越えると、磁壁
が生じない効果を得るのが困難となる。
性層の厚さは、好ましくは、軟磁性層の厚さの１．５倍
以下である。より好ましくは０．２倍ないし１．０倍で
ある。非磁性層が軟磁性層の１．５倍を越えると、磁壁
が生じない効果を得るのが困難となる。
【００２５】軟磁性層が５００オングストーム以下であ
るのは、磁壁がネール磁壁となる厚さであり、非磁性層
の厚さが軟磁性層の厚さの１．５倍以下であると、特
に、非磁性層と軟磁性層を多層積層した場合、軟磁性層
間が離れすぎない。このような厚さであると、軟磁性層
間におけるネール磁壁カップリングが生じ、内部エネル
ギーが減少して磁壁がシャープでなくなるため、Ｒ／Ｗ
特性を測定したときのノイズを低減することができる。
るのは、磁壁がネール磁壁となる厚さであり、非磁性層
の厚さが軟磁性層の厚さの１．５倍以下であると、特
に、非磁性層と軟磁性層を多層積層した場合、軟磁性層
間が離れすぎない。このような厚さであると、軟磁性層
間におけるネール磁壁カップリングが生じ、内部エネル
ギーが減少して磁壁がシャープでなくなるため、Ｒ／Ｗ
特性を測定したときのノイズを低減することができる。
【００２６】また、第２の軟磁性積層体においても、軟
磁性層間におけるネール磁壁カップリングが生じ、内部
エネルギーが減少して磁壁がシャープでなくなり、ノイ
ズを低減することができる。
磁性層間におけるネール磁壁カップリングが生じ、内部
エネルギーが減少して磁壁がシャープでなくなり、ノイ
ズを低減することができる。
【００２７】第１または第２の軟磁性積層体全体の厚さ
は、好ましくは、５００ないし４０００オングストロー
ムであり、さらに好ましくは、約２０００オングストロ
ームである。
は、好ましくは、５００ないし４０００オングストロー
ムであり、さらに好ましくは、約２０００オングストロ
ームである。
【００２８】また、第１または第２の軟磁性積層体に用
いられる軟磁性層の一層当たりの飽和磁化の値は、バル
クの状態における軟磁性層の飽和磁化の９０％以下の値
であることが好ましい。このとき、各軟磁性層が磁性粒
子が分離された構造に近い状態となり、分離されている
ことにより、保磁力が小さくなり、磁壁が発生しにく
い。
いられる軟磁性層の一層当たりの飽和磁化の値は、バル
クの状態における軟磁性層の飽和磁化の９０％以下の値
であることが好ましい。このとき、各軟磁性層が磁性粒
子が分離された構造に近い状態となり、分離されている
ことにより、保磁力が小さくなり、磁壁が発生しにく
い。
【００２９】軟磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉより選ばれ
る少なくとも１元素を主成分とすることが好ましい。
る少なくとも１元素を主成分とすることが好ましい。
【００３０】非磁性層は、Ｂ、Ｃ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａより選ばれる少なくとも
１種以上の元素で構成されることが好ましい。
Ｃｒ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａより選ばれる少なくとも
１種以上の元素で構成されることが好ましい。
【００３１】また、本発明では、垂直二層磁気記録媒体
の軟磁性層から発せられるノイズを減じるために、非磁
性基板上に、５００オングストローム以下の厚さのＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜層を非磁性薄膜層を介して積
層したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体を用いること
ができる。
の軟磁性層から発せられるノイズを減じるために、非磁
性基板上に、５００オングストローム以下の厚さのＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜層を非磁性薄膜層を介して積
層したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体を用いること
ができる。
【００３２】元来、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜は、
外乱磁場の影響を受けづらいため出力が安定し、また、
磁壁を生じない性質を持つため、スパイクノイズが発生
しないという利点があった。しかし、大きな磁壁は生じ
ないものの、１ないし１０μｍ程度の細かな磁壁から生
じるノイズがホワイトノイズとして発生するため実用的
ではなかった。本発明によれば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
磁性薄膜を積層構造とすることにより、細かな磁壁も消
去してノイズを抑えることができるため、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ合金磁性薄膜の持つ特性と合わせて、より低ノイズ
化可能な軟磁性層を提供する。
外乱磁場の影響を受けづらいため出力が安定し、また、
磁壁を生じない性質を持つため、スパイクノイズが発生
しないという利点があった。しかし、大きな磁壁は生じ
ないものの、１ないし１０μｍ程度の細かな磁壁から生
じるノイズがホワイトノイズとして発生するため実用的
ではなかった。本発明によれば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金
磁性薄膜を積層構造とすることにより、細かな磁壁も消
去してノイズを抑えることができるため、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ合金磁性薄膜の持つ特性と合わせて、より低ノイズ
化可能な軟磁性層を提供する。
【００３３】さらに、本発明では、非磁性基板上に形成
した、５００オングストローム以下の厚さのＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金磁性薄膜層を、非磁性薄膜層を介して積層し
たＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体上に、少なくとも
１層のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系の磁性薄膜からなる垂直
磁気記録層を形成した垂直磁気記録媒体を提供し得る。
した、５００オングストローム以下の厚さのＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金磁性薄膜層を、非磁性薄膜層を介して積層し
たＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体上に、少なくとも
１層のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系の磁性薄膜からなる垂直
磁気記録層を形成した垂直磁気記録媒体を提供し得る。
【００３４】Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系垂直磁気記録層
は、記録減磁が少なく熱揺らぎ耐性に優れた媒体である
（The 2000 IEEE International Magmetic Conference
DP-05）。Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体との組み
合わせにより、記録効率が向上し、高ＫｕのＣｏ−Ｐｔ
−Ｃｒ−Ｏの本来の特性をより引き出すことができる。
また、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜は、積層すること
により、より表面が平坦化するので、軟磁性裏打ち層を
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性積層体とすることにより、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ垂直磁性記録層の表面もより平坦化
する。さらに、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系垂直磁気記録層
と、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性積層体は、ともに熱処理
を施すことなく、その優れた特性を得ることができる。
この２つを組み合わせることにより、熱処理により表面
平坦性を悪化させることなく、ヘッド低浮上可能な垂直
二層磁気記録媒体を容易に提供する。また、熱処理の必
要がないために、たとえば、より安価ではあるが耐熱性
のない非磁性樹脂基板上への成膜も可能となる。
は、記録減磁が少なく熱揺らぎ耐性に優れた媒体である
（The 2000 IEEE International Magmetic Conference
DP-05）。Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層体との組み
合わせにより、記録効率が向上し、高ＫｕのＣｏ−Ｐｔ
−Ｃｒ−Ｏの本来の特性をより引き出すことができる。
また、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜は、積層すること
により、より表面が平坦化するので、軟磁性裏打ち層を
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性積層体とすることにより、Ｃ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ垂直磁性記録層の表面もより平坦化
する。さらに、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系垂直磁気記録層
と、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性積層体は、ともに熱処理
を施すことなく、その優れた特性を得ることができる。
この２つを組み合わせることにより、熱処理により表面
平坦性を悪化させることなく、ヘッド低浮上可能な垂直
二層磁気記録媒体を容易に提供する。また、熱処理の必
要がないために、たとえば、より安価ではあるが耐熱性
のない非磁性樹脂基板上への成膜も可能となる。
【００３５】以下、図面を参照し、本発明をより詳細に
説明する。
説明する。
【００３６】図１は、第１の軟磁性積層体を用いた磁気
記録媒体の一例を表す図である。
記録媒体の一例を表す図である。
【００３７】図１に示すように、磁気記録媒体４０は、
非磁性基板４１と、非磁性基板４１上に設けられた５０
０オングストローム以下の厚さを有する軟磁性層４２及
び非磁性層４３からなる軟磁性積層体４５と、軟磁性積
層体４５上に設けられた垂直記録層４４とを有する。
非磁性基板４１と、非磁性基板４１上に設けられた５０
０オングストローム以下の厚さを有する軟磁性層４２及
び非磁性層４３からなる軟磁性積層体４５と、軟磁性積
層体４５上に設けられた垂直記録層４４とを有する。
【００３８】軟磁性層４２、非磁性層４３、及び垂直記
録層４４は、スパッタにより形成することができる。
録層４４は、スパッタにより形成することができる。
【００３９】図２は、第２の軟磁性積層体を用いた磁気
記録媒体の一例を表す図である。
記録媒体の一例を表す図である。
【００４０】図２に示すように、磁気記録媒体５０は、
非磁性基板５１と、非磁性基板５１上に設けられた第１
の軟磁性層５２及び第２の軟磁性層５３からなる軟磁性
積層体５５と、軟磁性積層体５５上に設けられた垂直記
録層５４とを有する。
非磁性基板５１と、非磁性基板５１上に設けられた第１
の軟磁性層５２及び第２の軟磁性層５３からなる軟磁性
積層体５５と、軟磁性積層体５５上に設けられた垂直記
録層５４とを有する。
【００４１】軟磁性層５２、非磁性層５３、及び垂直記
録層５４は、スパッタにより形成することができる。
録層５４は、スパッタにより形成することができる。
【００４２】また、図３は、本発明の磁気記録再生装置
の一例を表す図である。
の一例を表す図である。
【００４３】図１または図２に示す構成を有し、情報を
記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンド
ル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモー
タによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク
１２１にアクセスして情報の記録再生を行う磁気ヘッド
を搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからな
るサスペンション１２４の先端に取付けられている。サ
スペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持する
ボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されて
いる。
記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンド
ル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモー
タによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク
１２１にアクセスして情報の記録再生を行う磁気ヘッド
を搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからな
るサスペンション１２４の先端に取付けられている。サ
スペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持する
ボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されて
いる。
【００４４】アーム１２５の他端側には、リニアモータ
の一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられてい
る。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを
挟み込むようにして配置された永久磁石および対向ヨー
クにより構成される磁気回路とから構成されている。
の一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられてい
る。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを
挟み込むようにして配置された永久磁石および対向ヨー
クにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００４５】アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ
所に設けられた図示しないボールベアリングによって保
持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転対向揺
動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけ
るスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２
６によって制御される。なお、図３中、１２８は蓋体を
示している。
所に設けられた図示しないボールベアリングによって保
持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転対向揺
動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけ
るスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２
６によって制御される。なお、図３中、１２８は蓋体を
示している。
【００４６】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。
する。
【００４７】実施例１ 図４は、第１の軟磁性積層体の一例を適用した媒体Ａを
説明するための図である。
説明するための図である。
【００４８】媒体Ａを、以下の手順で作成した。
【００４９】Ｆｅ−１１ａｔｍ％Ａｌ−１７ａｔｍ％Ｓ
ｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｃｏ−２０ａｔｍ％Ｐｔ−１６ａ
ｔｍ％Ｃｒの各ターゲットを２×１０-1Ｐａ以下の真空
度に真空引きされた、各真空チャンバ内に用意した。
ｉ、Ｃ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｃｏ−２０ａｔｍ％Ｐｔ−１６ａ
ｔｍ％Ｃｒの各ターゲットを２×１０-1Ｐａ以下の真空
度に真空引きされた、各真空チャンバ内に用意した。
【００５０】各チャンバは、媒体が大気に触れることな
く行き来できる構造のものとした。まず、非磁性ガラス
基板１をＦｅＡｌＳｉターゲットと対向させて設置し、
Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１
５００Ｗで放電、１秒で１００Åの厚さになるようＦｅ
ＡｌＳｉ膜２を成膜した。
く行き来できる構造のものとした。まず、非磁性ガラス
基板１をＦｅＡｌＳｉターゲットと対向させて設置し、
Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１
５００Ｗで放電、１秒で１００Åの厚さになるようＦｅ
ＡｌＳｉ膜２を成膜した。
【００５１】次に、非磁性ガラス基板１を真空を保った
まま移動、Ｃターゲットと対向させて設置し、やはりＡ
ｒガスを０．５Ｐａの圧力になるように流入し、ＤＣ１
０００Ｗで放電、５秒で４０Åの厚さになるようにＣ非
磁性層３を成膜した。
まま移動、Ｃターゲットと対向させて設置し、やはりＡ
ｒガスを０．５Ｐａの圧力になるように流入し、ＤＣ１
０００Ｗで放電、５秒で４０Åの厚さになるようにＣ非
磁性層３を成膜した。
【００５２】以下、同様な成膜方法にて、ＦｅＡｌＳｉ
膜２−１ないし２−４０と、Ｃ非磁性層３−１ないし３
−４０を交互に、それぞれ２０層ずつ成膜した。
膜２−１ないし２−４０と、Ｃ非磁性層３−１ないし３
−４０を交互に、それぞれ２０層ずつ成膜した。
【００５３】その後、非磁性ガラス基板１を真空を保っ
たまま移動、Ｔｉターゲットと対向させて設置し、Ａｒ
ガスを０．５Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１００
０Ｗで放電し、１２０Åの厚さになるようにＴｉシード
層４を成膜した。
たまま移動、Ｔｉターゲットと対向させて設置し、Ａｒ
ガスを０．５Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１００
０Ｗで放電し、１２０Åの厚さになるようにＴｉシード
層４を成膜した。
【００５４】さらに、非磁性ガラス基板１を真空を保っ
たまま移動、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒ
ガスを０．５Ｐａの圧になるように流入、ＤＣ１０００
Ｗで放電し、５００Åの厚さになるようにＲｕ下地層５
を成膜した。
たまま移動、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒ
ガスを０．５Ｐａの圧になるように流入、ＤＣ１０００
Ｗで放電し、５００Åの厚さになるようにＲｕ下地層５
を成膜した。
【００５５】次に、非磁性ガラス基板１を真空を保った
まま移動し、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置
し、Ｏ2０．０５％を含むＡｒガスを２０Ｐａの圧にな
るように流入し、ＤＣ２５０Ｗで放電し、１２０Åの厚
さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層６の下部
を成膜した。
まま移動し、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置
し、Ｏ2０．０５％を含むＡｒガスを２０Ｐａの圧にな
るように流入し、ＤＣ２５０Ｗで放電し、１２０Åの厚
さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層６の下部
を成膜した。
【００５６】再度、非磁性ガラス基板１を真空を保った
ままＲｕターゲットと対向する位置に移動し、Ａｒガス
を０．５Ｐａの圧力になるように流入し、今度はＤＣ２
５０Ｗで放電し、４０Åの厚さになるようにＲｕ非磁性
層７を成膜、さらにＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層６下
部と同様な方法でＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層６上部
を成膜した。
ままＲｕターゲットと対向する位置に移動し、Ａｒガス
を０．５Ｐａの圧力になるように流入し、今度はＤＣ２
５０Ｗで放電し、４０Åの厚さになるようにＲｕ非磁性
層７を成膜、さらにＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層６下
部と同様な方法でＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層６上部
を成膜した。
【００５７】最後に、非磁性ガラス基板１をＣターゲッ
トと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧にな
るように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、７０Åの厚
さになるようにＣ保護層８を成膜した。成膜終了後、デ
ィップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を１０Åの厚さに塗布
し、媒体Ａを得た。
トと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧にな
るように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、７０Åの厚
さになるようにＣ保護層８を成膜した。成膜終了後、デ
ィップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を１０Åの厚さに塗布
し、媒体Ａを得た。
【００５８】比較例１ 図５は、比較例１に係る媒体を説明するための図であ
る。
る。
【００５９】媒体Ａと同様に準備された真空チャンバを
用いて、１０００Åの厚さにする以外は実施例１と同様
にして、ＦｅＡｌＳｉ膜１０ａを成膜した。
用いて、１０００Åの厚さにする以外は実施例１と同様
にして、ＦｅＡｌＳｉ膜１０ａを成膜した。
【００６０】さらに、Ｃ非磁性層１１ａを実施例１と同
様にして成膜した。
様にして成膜した。
【００６１】さらに、ＦｅＡｌＳｉ膜１０ｂとＣ非磁性
層１１ｂとを交互に成膜した。
層１１ｂとを交互に成膜した。
【００６２】さらに、実施例１と同様にして、Ｔｉシー
ド層１２、Ｒｕ下地層１３、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記
録層下部層１４ａ、Ｒｕ非磁性層１５、ＣｏＰｔＣｒＯ
垂直磁気記録層上部層１４ｂ、及びＣ保護層１６を成膜
し、ＰＦＰＥ潤滑剤も同様に塗布し、従来の媒体Ｂを得
た。
ド層１２、Ｒｕ下地層１３、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記
録層下部層１４ａ、Ｒｕ非磁性層１５、ＣｏＰｔＣｒＯ
垂直磁気記録層上部層１４ｂ、及びＣ保護層１６を成膜
し、ＰＦＰＥ潤滑剤も同様に塗布し、従来の媒体Ｂを得
た。
【００６３】比較例２ さらに、図６に比較例２に係る媒体を説明するための図
を示す。
を示す。
【００６４】まず、Ｆｅ−１１ａｔｍ％Ａｌ−１７ａｔ
ｍ％Ｓｉターゲットの代わりに、Ｃｏ−６ａｔｍ％Ｚｒ
−１０ａｔｍ％Ｎｂターゲットと対向させて、実施例１
と同様に、ＣｏＺｒＮｂ膜１８を２０００オングストロ
ームの厚さに成膜した。
ｍ％Ｓｉターゲットの代わりに、Ｃｏ−６ａｔｍ％Ｚｒ
−１０ａｔｍ％Ｎｂターゲットと対向させて、実施例１
と同様に、ＣｏＺｒＮｂ膜１８を２０００オングストロ
ームの厚さに成膜した。
【００６５】さらに、実施例１と同様にして、Ｔｉシー
ド層１９、Ｒｕ下地層２０、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記
録層下部層２１ａ、Ｒｕ非磁性層２２、ＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層上部層２１ｂ、及びＣ保護層２３を成膜し、
ＰＦＰＥ潤滑剤も同様に塗布し、従来例の媒体Ｃを得
た。
ド層１９、Ｒｕ下地層２０、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記
録層下部層２１ａ、Ｒｕ非磁性層２２、ＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層上部層２１ｂ、及びＣ保護層２３を成膜し、
ＰＦＰＥ潤滑剤も同様に塗布し、従来例の媒体Ｃを得
た。
【００６６】これら３つの媒体Ａ，Ｂ，Ｃについて、単
磁極ヘッドを用いて信号を書き込み、ＭＲヘッドを用い
て信号を読み取る方法により、Ｒ／Ｗテストを行い、Ｓ
／Ｎｍ、Ｄ５０を測定した。測定条件は、半径位置２０
ｍｍと一定の位置で、ディスクを４２００ｒｐｍに回転
させて行った。
磁極ヘッドを用いて信号を書き込み、ＭＲヘッドを用い
て信号を読み取る方法により、Ｒ／Ｗテストを行い、Ｓ
／Ｎｍ、Ｄ５０を測定した。測定条件は、半径位置２０
ｍｍと一定の位置で、ディスクを４２００ｒｐｍに回転
させて行った。
【００６７】得られたＳ／Ｎｍ、Ｄ５０を下記表１に示
す。
す。
【００６８】実施例１に係る媒体Ａでは、従来の媒体に
比べて、Ｓ／Ｎｍ、Ｄ５０とも上回っていた。特に、媒
体Ｂでは、信号波形全体におよぶ細かいノイズがホワイ
トノイズとなって発生しており、媒体Ｃでは、突発的な
スパイクノイズが発生していることがわかった。一方、
媒体Ａではノイズは発生していなかった。
比べて、Ｓ／Ｎｍ、Ｄ５０とも上回っていた。特に、媒
体Ｂでは、信号波形全体におよぶ細かいノイズがホワイ
トノイズとなって発生しており、媒体Ｃでは、突発的な
スパイクノイズが発生していることがわかった。一方、
媒体Ａではノイズは発生していなかった。
【００６９】媒体Ａ、媒体Ｂ、媒体Ｃは全て同じ記録層
を用いているので、ノイズの発生原因は記録層下の軟磁
性層にあると考えられる。そこで、それぞれ軟磁性層の
みを成膜し、ＤＣイレーズ後のノイズを比較した。
を用いているので、ノイズの発生原因は記録層下の軟磁
性層にあると考えられる。そこで、それぞれ軟磁性層の
みを成膜し、ＤＣイレーズ後のノイズを比較した。
【００７０】図７ないし図９に、媒体Ａ、媒体Ｂ、媒体
Ｃのノイズを測定した波形を示す。図示するように、媒
体ＡのＦｅＡｌＳｉ薄膜２と非磁性層３の積層のみ行っ
た場合には、ノイズが見られないが、媒体ＢのＦｅＡｌ
Ｓｉ薄膜１０とＣ非磁性層１１の積層のみ行った場合に
は、ホワイトノイズが見られ、媒体ＣのＣｏＺｒＮｂ膜
１８の積層のみ行った場合には、スパイクノイズが観察
された。
Ｃのノイズを測定した波形を示す。図示するように、媒
体ＡのＦｅＡｌＳｉ薄膜２と非磁性層３の積層のみ行っ
た場合には、ノイズが見られないが、媒体ＢのＦｅＡｌ
Ｓｉ薄膜１０とＣ非磁性層１１の積層のみ行った場合に
は、ホワイトノイズが見られ、媒体ＣのＣｏＺｒＮｂ膜
１８の積層のみ行った場合には、スパイクノイズが観察
された。
【００７１】これらの軟磁性層のみ積層したものについ
て、磁化の状態をＭＦＭで観察したところ、媒体Ａでは
磁壁は観察されなかったが、媒体Ｂでは０．３１μｍの
磁区を形成するように磁壁が、また、媒体Ｃでは、観察
範囲を超えるようなサイズの磁区を形成する磁壁が観察
された。
て、磁化の状態をＭＦＭで観察したところ、媒体Ａでは
磁壁は観察されなかったが、媒体Ｂでは０．３１μｍの
磁区を形成するように磁壁が、また、媒体Ｃでは、観察
範囲を超えるようなサイズの磁区を形成する磁壁が観察
された。
【００７２】また、媒体ＡのＦｅＡｌＳｉ薄膜２と非磁
性層３を各１層ずつ積層した軟磁性層についても、同様
にＤＣイレーズ後のノイズを比較した。図７に示すのと
同様な波形を有し、１層だけでもノイズが発生しない効
果があることが分かった。さらに、媒体ＡのＦｅＡｌＳ
ｉ薄膜２と非磁性層３を各１層ずつ積層した軟磁性層に
ついて同様に、磁化の状態をＭＦＭで観察したところ、
１層のみでも磁壁は発生していなかった。すなわち、軟
磁性積層体は、１層だけですでにノイズは低く抑えら
れ、ノイズを増幅させることなく２０層ずつ積層するこ
とができた。
性層３を各１層ずつ積層した軟磁性層についても、同様
にＤＣイレーズ後のノイズを比較した。図７に示すのと
同様な波形を有し、１層だけでもノイズが発生しない効
果があることが分かった。さらに、媒体ＡのＦｅＡｌＳ
ｉ薄膜２と非磁性層３を各１層ずつ積層した軟磁性層に
ついて同様に、磁化の状態をＭＦＭで観察したところ、
１層のみでも磁壁は発生していなかった。すなわち、軟
磁性積層体は、１層だけですでにノイズは低く抑えら
れ、ノイズを増幅させることなく２０層ずつ積層するこ
とができた。
【００７３】さらに、これら３つについて、媒体面全面
へのレーザ光の反射を観測するＯＳＡ（Optical Surfac
e Analyzer）装置を用いて、Ｋｅｒｒ効果の原理によ
り、媒体面全体におよぶ磁壁観察を行ったところ、やは
り媒体Ａに磁壁は観察されなかったが、媒体Ｃでは、媒
体面を数分割するようなサイズの磁壁が観察された。こ
れらの磁壁が、それぞれホワイトノイズ、スパイクノイ
ズの原因となっていると考えられる。
へのレーザ光の反射を観測するＯＳＡ（Optical Surfac
e Analyzer）装置を用いて、Ｋｅｒｒ効果の原理によ
り、媒体面全体におよぶ磁壁観察を行ったところ、やは
り媒体Ａに磁壁は観察されなかったが、媒体Ｃでは、媒
体面を数分割するようなサイズの磁壁が観察された。こ
れらの磁壁が、それぞれホワイトノイズ、スパイクノイ
ズの原因となっていると考えられる。
【００７４】また、これら３つの軟磁性膜部のみのＭｓ
を、非磁性である中間層を体積の計算に入れずにＭｓを
ＶＳＭ（Vibrating Sample Magnetometer）で測定した
ところ、媒体Ａでは５８０emu/ccで、ＦｅＡｌＳｉ理論
バルク値の８０％程度であったが、媒体Ｂでは７２０em
u/ccで、ＦｅＡｌＳｉのほぼ理論バルク値、媒体Ｃでは
１０７０emu/ccで、やはりＣｏＺｒＮｂのほぼ理論であ
った。
を、非磁性である中間層を体積の計算に入れずにＭｓを
ＶＳＭ（Vibrating Sample Magnetometer）で測定した
ところ、媒体Ａでは５８０emu/ccで、ＦｅＡｌＳｉ理論
バルク値の８０％程度であったが、媒体Ｂでは７２０em
u/ccで、ＦｅＡｌＳｉのほぼ理論バルク値、媒体Ｃでは
１０７０emu/ccで、やはりＣｏＺｒＮｂのほぼ理論であ
った。
【００７５】以上示したように、実施例１にかかる媒体
は、ノイズの発生しない軟磁性薄膜を備えていた。
は、ノイズの発生しない軟磁性薄膜を備えていた。
【００７６】実施例２ 図１０は、第２の軟磁性積層体を適用した媒体Ｄを説明
するための図を示す。
するための図を示す。
【００７７】非磁性層のためのＣターゲットの代わり
に、軟磁性層のためのＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、
ＦｅＡｌＳｉ薄膜２５−１ないし２５−２０を各々１０
ｎｍ、ＣｏＺｒＮｂ薄膜２６−１ないし２６−２０を各
々４ｎｍになるように、各層を１０層ずつ交互に成膜す
る以外は、実施例１と同様にして軟磁性積層体を得た。
に、軟磁性層のためのＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、
ＦｅＡｌＳｉ薄膜２５−１ないし２５−２０を各々１０
ｎｍ、ＣｏＺｒＮｂ薄膜２６−１ないし２６−２０を各
々４ｎｍになるように、各層を１０層ずつ交互に成膜す
る以外は、実施例１と同様にして軟磁性積層体を得た。
【００７８】さらに、Ｔｉシード層２７、Ｒｕ下地層２
８、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層下部層２９ａ、Ｒｕ非磁
性層３０、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層上部層２９ｂ、及
びＣ保護層３１を成膜し、ＰＦＰＥ潤滑剤も同様に塗布
し、媒体Ｄを得た。
８、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層下部層２９ａ、Ｒｕ非磁
性層３０、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層上部層２９ｂ、及
びＣ保護層３１を成膜し、ＰＦＰＥ潤滑剤も同様に塗布
し、媒体Ｄを得た。
【００７９】得られた媒体Ｄが媒体Ａと大きく違うの
は、ＦｅＡｌＳｉ薄膜２５−１ないし２５−２０もＣｏ
ＺｒＮｂ薄膜２６−１ないし２６−２０も互いに結晶構
造の異なる軟磁性層であることである。
は、ＦｅＡｌＳｉ薄膜２５−１ないし２５−２０もＣｏ
ＺｒＮｂ薄膜２６−１ないし２６−２０も互いに結晶構
造の異なる軟磁性層であることである。
【００８０】この２つの層それぞれを単独に成膜し、Ｘ
ＲＤ（X-Ray Diffraction）パターンを調べた。Ｃｕ−
Ｋαとし、２θ＝３０〜７０度で測定した。ＦｅＡｌＳ
ｉ薄膜では４５度付近に立方格子の（２２０）面と見ら
れるピークが現れたが、ＣｏＺｒＮｂ中間層では、４０
度台にブロードなピークが現れただけであり、非晶質的
であることを示した。
ＲＤ（X-Ray Diffraction）パターンを調べた。Ｃｕ−
Ｋαとし、２θ＝３０〜７０度で測定した。ＦｅＡｌＳ
ｉ薄膜では４５度付近に立方格子の（２２０）面と見ら
れるピークが現れたが、ＣｏＺｒＮｂ中間層では、４０
度台にブロードなピークが現れただけであり、非晶質的
であることを示した。
【００８１】この様にして作成された媒体Ｄについて、
実施例１と同様にＲ／Ｗテストを行った。結果を下記表
１に示す。
実施例１と同様にＲ／Ｗテストを行った。結果を下記表
１に示す。
【００８２】実際のＲ／Ｗ波形、実施例１と同様な軟磁
性積層膜のノイズ測定においても、ノイズは観測されな
かった。
性積層膜のノイズ測定においても、ノイズは観測されな
かった。
【００８３】実施例３ 以下、図面を参照しながら実施例３を説明する。
【００８４】図１１は、第１の軟磁性積層体の他の例を
適用した媒体Ｅを説明するための図である。
適用した媒体Ｅを説明するための図である。
【００８５】各々、２０ｎｍの厚さのＣｏＺｒＮｂ薄膜
３３−１ないし３３−２０と、７ｎｍの厚さのＴｉ非磁
性層３４−１ないし３４−１９を積層し、最後のＴｉ非
磁性層はＴｉシード層３５とし、この上に垂直記録層と
してＣｏＣｒＴａ垂直磁気記録層３６を成膜した。さら
に、実施例１と同様にしてＣ保護層を形成し、媒体Ｅを
得た。
３３−１ないし３３−２０と、７ｎｍの厚さのＴｉ非磁
性層３４−１ないし３４−１９を積層し、最後のＴｉ非
磁性層はＴｉシード層３５とし、この上に垂直記録層と
してＣｏＣｒＴａ垂直磁気記録層３６を成膜した。さら
に、実施例１と同様にしてＣ保護層を形成し、媒体Ｅを
得た。
【００８６】得られた媒体Ｅについて、実施例１と同様
にしてＲ／Ｗ測定を行った。
にしてＲ／Ｗ測定を行った。
【００８７】得られた結果を下記表１に示す。
【００８８】 上記表１から、例えば実施例１では高いＳ／ＮｍとＤ５
０を示す垂直磁気記録媒体が得られることがわかる。
０を示す垂直磁気記録媒体が得られることがわかる。
【００８９】また、実施例２では、媒体Ａをやや上回る
Ｓ／ＮｍとＤ５０を示す垂直磁気記録媒体が得られ、さ
らに、積層した軟磁性層として、磁性薄膜と、結晶性の
異なる磁性中間層を用いることにより、磁性薄膜と非磁
性薄膜を用いたときよりも少ない積層数で、同等以上の
高いＳ／ＮｍとＤ５０を示す垂直磁気記録媒体を提供す
ることができた。
Ｓ／ＮｍとＤ５０を示す垂直磁気記録媒体が得られ、さ
らに、積層した軟磁性層として、磁性薄膜と、結晶性の
異なる磁性中間層を用いることにより、磁性薄膜と非磁
性薄膜を用いたときよりも少ない積層数で、同等以上の
高いＳ／ＮｍとＤ５０を示す垂直磁気記録媒体を提供す
ることができた。
【００９０】しかしながら、比較例１，２では、十分な
Ｓ／Ｎｍ値、Ｄ５０値が得られなかった。
Ｓ／Ｎｍ値、Ｄ５０値が得られなかった。
【００９１】
【発明の効果】本発明によれば、軟磁性層の磁壁の発生
を防ぐことにより、軟磁性層からのノイズの発生を低減
し、低ノイズでかつ高密度記録が可能な垂直磁気記録媒
体が得られる。
を防ぐことにより、軟磁性層からのノイズの発生を低減
し、低ノイズでかつ高密度記録が可能な垂直磁気記録媒
体が得られる。
【００９２】また、本発明によれば、上述の垂直磁気記
録媒体を使用することにより、垂直磁気記録装置が得ら
れる。
録媒体を使用することにより、垂直磁気記録装置が得ら
れる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の例を表す図
【図２】本発明の磁気記録媒体の第２の例を表す図
【図３】本発明の磁気記録再生装置の一例を表す図
【図４】本発明の磁気記録媒体の第３の例を表す図
【図５】比較のための磁気記録媒体の第１の例を表す図
【図６】比較のための磁気記録媒体の第２の例を表す図
【図７】軟磁性層のノイズを測定した波形
【図８】軟磁性層のノイズを測定した波形
【図９】軟磁性層のノイズを測定した波形
【図１０】本発明の磁気記録媒体の第４の例を表す図
【図１１】本発明の磁気記録媒体の第５の例を表す図
１…非磁性ガラス基板 ２，１０，１８，３３…軟磁性層 ３，７，１１，１５，１８，２２，２５，２６，３０，
３４…非磁性層 ４，１２，１９，２７，３５…シード層 ５，１３，２０，２８…下地層 ６，１４，２１，２９，３６…垂直磁気記録層 ８，１６，２３，３１…保護層 ７０，１２１…垂直磁気記録媒体 １２３…スライダー １２４…サスペンション １２５…アーム １２６…ボイスコイルモータ １２７…固定軸 １２８…蓋体
３４…非磁性層 ４，１２，１９，２７，３５…シード層 ５，１３，２０，２８…下地層 ６，１４，２１，２９，３６…垂直磁気記録層 ８，１６，２３，３１…保護層 ７０，１２１…垂直磁気記録媒体 １２３…スライダー １２４…サスペンション １２５…アーム １２６…ボイスコイルモータ １２７…固定軸 １２８…蓋体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/30 Ｈ０１Ｆ 10/30 (72)発明者 及川 壮一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町事業所内 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 CA01 CA03 CA05 CA06 5E049 AA01 AA04 AA09 AC05 BA08 DB04 DB12
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基板と、該非磁性基板上に形成さ
れた、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁
性層及び非磁性層から構成される軟磁性積層体と、該軟
磁性積層体上に形成された垂直磁気記録層とを具備する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板と、該非磁性基板上に形成さ
れた、第１の軟磁性層及び該第１の軟磁性層と異なる結
晶構造を有する第２の軟磁性層から構成される軟磁性積
層体と、該軟磁性積層体上に形成された垂直磁気記録層
とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記軟磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉより
選ばれる少なくとも１元素を主成分とすることを特徴と
する請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記非磁性層は、Ｂ、Ｃ、Ｔｉ、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａより選ばれる少な
くとも１種以上の元素で構成されることを特徴とする請
求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記非磁性層の厚さは、前記軟磁性層の
厚さの１．５倍以下であることを特徴とする請求項１に
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記軟磁性層１層当たりの飽和磁化の値
は、バルクの状態における飽和磁化の９０％以下の値で
ある請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 非磁性基板上に、５００オングストロー
ム以下のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜層を非磁性薄膜
層を介して積層したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟磁性積層
体。 - 【請求項８】 非磁性基板上に形成した、５００オング
ストローム以下のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性薄膜層を、
非磁性薄膜層を介して積層したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金軟
磁性積層体上に、少なくとも１層のＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−
Ｏ系の磁性薄膜からなる垂直磁気記録層を形成した垂直
磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか１項に記載
の垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体を支持及
び回転駆動する駆動手段と、前記垂直磁気記録媒体に対
して情報の記録を行うための素子、及び記録された情報
の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、前記磁
気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支
持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴
とする垂直磁気記録再生装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2000219447A JP2002042318A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
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| US09/808,426 US6713197B2 (en) | 2000-07-19 | 2001-03-15 | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
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|---|---|---|---|
| JP2000219447A JP2002042318A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
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| JP2006353372A Division JP2007087602A (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
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|---|---|
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|---|---|
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002358618A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-12-13 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| WO2004019322A1 (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-04 | Fujitsu Limited | 裏打ち磁性膜 |
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-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000219447A patent/JP2002042318A/ja active Pending
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| US7166375B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| WO2004019322A1 (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-04 | Fujitsu Limited | 裏打ち磁性膜 |
| US7144641B2 (en) | 2002-08-26 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | Magnetic backlayer |
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