JP2002298323A - 磁気記録媒体および磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣｏＦｅ系合金を用いた軟磁性層において高
飽和磁束密度で且つ磁気異方性が小さくホワイトノイズ
の発生を抑制でき、高い媒体Ｓ／Ｎｍを実現可能な磁気
記録媒体および磁気記録装置を提供すること。 【解決手段】 非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を
順次積層した構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性
層を非晶質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金で構
成する。又は、軟磁性層を面心立方晶相、最密六方晶
相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有するＣ
ｏＦｅ系合金で構成する。更に、軟磁性層を構成するＣ
ｏＦｅ系合金を、ＣｏとＦｅとを合わせた密度を９５
［ａ％］以上とする。更に、軟磁性層を構成するＣｏＦ
ｅ系合金を、保磁力が１５８０［Ａ／ｍ］以下とする。
飽和磁束密度で且つ磁気異方性が小さくホワイトノイズ
の発生を抑制でき、高い媒体Ｓ／Ｎｍを実現可能な磁気
記録媒体および磁気記録装置を提供すること。 【解決手段】 非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を
順次積層した構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性
層を非晶質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金で構
成する。又は、軟磁性層を面心立方晶相、最密六方晶
相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有するＣ
ｏＦｅ系合金で構成する。更に、軟磁性層を構成するＣ
ｏＦｅ系合金を、ＣｏとＦｅとを合わせた密度を９５
［ａ％］以上とする。更に、軟磁性層を構成するＣｏＦ
ｅ系合金を、保磁力が１５８０［Ａ／ｍ］以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁気記録方式
を用いて磁気信号を記録する磁気記録媒体および磁気記
録装置に関する。
を用いて磁気信号を記録する磁気記録媒体および磁気記
録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、垂直磁気記録装置に用いられ
る垂直磁気記録媒体では、磁気信号を記録する垂直記録
層の下に軟磁性層を設けた構成を有する垂直二層媒体が
知られている。軟磁性層は、記録ヘッドから発生される
磁界を当該軟磁性層内で透過させてリターンヨークへ返
すという役割を果たすためのものであるため、磁気特性
としては、高透磁率で且つ飽和磁束密度Ｂｓが高いとい
う条件を満たすことが要求される。
る垂直磁気記録媒体では、磁気信号を記録する垂直記録
層の下に軟磁性層を設けた構成を有する垂直二層媒体が
知られている。軟磁性層は、記録ヘッドから発生される
磁界を当該軟磁性層内で透過させてリターンヨークへ返
すという役割を果たすためのものであるため、磁気特性
としては、高透磁率で且つ飽和磁束密度Ｂｓが高いとい
う条件を満たすことが要求される。
【０００３】従来は、例えば特開平７−２３５０３４で
は、飽和磁束密度を高めるための方法として、軟磁性層
に高い飽和磁束密度の磁気特性を有するＣｏＦｅ系合金
膜を用いた磁気記録媒体が提案されている。
は、飽和磁束密度を高めるための方法として、軟磁性層
に高い飽和磁束密度の磁気特性を有するＣｏＦｅ系合金
膜を用いた磁気記録媒体が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣｏＦ
ｅ系合金は磁気異方性が大きいことから、ＣｏＦｅ系合
金を軟磁性層に用いた場合、軟磁性層の膜面全域に細か
な磁区が発生する。この膜面全域に発生した細かな磁区
の磁壁の影響により、軟磁性膜から書き込み全周にわた
るランダムなホワイトノイズが発生するため、結果とし
て媒体Ｓ／Ｎｍに悪影響を及ぼすという課題があった。
ｅ系合金は磁気異方性が大きいことから、ＣｏＦｅ系合
金を軟磁性層に用いた場合、軟磁性層の膜面全域に細か
な磁区が発生する。この膜面全域に発生した細かな磁区
の磁壁の影響により、軟磁性膜から書き込み全周にわた
るランダムなホワイトノイズが発生するため、結果とし
て媒体Ｓ／Ｎｍに悪影響を及ぼすという課題があった。
【０００５】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであり、ＣｏＦｅ系合金を用いた軟磁性層にお
いて高飽和磁束密度で且つ磁気異方性が小さくホワイト
ノイズの発生を抑制でき、高い媒体Ｓ／Ｎｍを実現可能
な磁気記録媒体および磁気記録装置を提供することを目
的とする。
れたものであり、ＣｏＦｅ系合金を用いた軟磁性層にお
いて高飽和磁束密度で且つ磁気異方性が小さくホワイト
ノイズの発生を抑制でき、高い媒体Ｓ／Ｎｍを実現可能
な磁気記録媒体および磁気記録装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層し
た構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層が、非晶
質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金からなること
を特徴とする。
は、非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層し
た構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層が、非晶
質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金からなること
を特徴とする。
【０００７】また、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基
板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造の磁気
記録媒体において、前記軟磁性層は、面心立方晶相、最
密六方晶相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を
有するＣｏＦｅ系合金からなることを特徴とする。
板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造の磁気
記録媒体において、前記軟磁性層は、面心立方晶相、最
密六方晶相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を
有するＣｏＦｅ系合金からなることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基
板と、前記非磁性基板の上に形成された非晶質単相又は
面心立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち少なくと
も２つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からなるＣｏＦ
ｅ軟磁性層と、前記ＣｏＦｅ軟磁性層の上に形成された
Ｒｕ下地層と、前記Ｒｕ下地層の上に形成された第１の
ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層と、前記第１のＣｏＰｔＣｒ
Ｏ垂直記録層の上に形成されたＲｕ中間層と、前記Ｒｕ
中間層の上に形成された第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録
層と、前記第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成
されたＣ保護層とを具備することを特徴とする。
板と、前記非磁性基板の上に形成された非晶質単相又は
面心立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち少なくと
も２つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からなるＣｏＦ
ｅ軟磁性層と、前記ＣｏＦｅ軟磁性層の上に形成された
Ｒｕ下地層と、前記Ｒｕ下地層の上に形成された第１の
ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層と、前記第１のＣｏＰｔＣｒ
Ｏ垂直記録層の上に形成されたＲｕ中間層と、前記Ｒｕ
中間層の上に形成された第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録
層と、前記第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成
されたＣ保護層とを具備することを特徴とする。
【０００９】本発明の磁気記録装置は、磁気信号を記録
する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を支持及び回転
駆動する駆動手段と、前記磁気記録媒体に対して磁気信
号の記録及び再生を行なう磁気記録再生手段と、前記磁
気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在に支持
する支持手段とを具備し、前記磁気記録媒体は、非磁性
基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造を有
し、前記軟磁性層が、非晶質単相の結晶構造を有するＣ
ｏＦｅ系合金からなることを特徴とする。
する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を支持及び回転
駆動する駆動手段と、前記磁気記録媒体に対して磁気信
号の記録及び再生を行なう磁気記録再生手段と、前記磁
気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在に支持
する支持手段とを具備し、前記磁気記録媒体は、非磁性
基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造を有
し、前記軟磁性層が、非晶質単相の結晶構造を有するＣ
ｏＦｅ系合金からなることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の磁気記録装置は、磁気信号
を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を支持及
び回転駆動する駆動手段と、前記磁気記録媒体に対して
磁気信号の記録及び再生を行なう磁気記録再生手段と、
前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、前記磁気記録媒体は、
非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構
造を有し、前記軟磁性層が、面心立方晶相、最密六方晶
相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有するＣ
ｏＦｅ系合金からなることを特徴とする。
を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を支持及
び回転駆動する駆動手段と、前記磁気記録媒体に対して
磁気信号の記録及び再生を行なう磁気記録再生手段と、
前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、前記磁気記録媒体は、
非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構
造を有し、前記軟磁性層が、面心立方晶相、最密六方晶
相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有するＣ
ｏＦｅ系合金からなることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の磁気記録装置は、磁気信号
を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を支持及
び回転駆動する駆動手段と、前記磁気記録媒体に対して
磁気信号の記録及び再生を行なう磁気記録再生手段と、
前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、前記磁気記録媒体は、
非磁性基板と、前記非磁性基板の上に形成された非晶質
単相又は面心立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち
少なくとも２つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からな
るＣｏＦｅ軟磁性層と、前記ＣｏＦｅ軟磁性層の上に形
成されたＲｕ下地層と、前記Ｒｕ下地層の上に形成され
た第１のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層と、前記第１のＣｏ
ＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成されたＲｕ中間層と、
前記Ｒｕ中間層の上に形成された第２のＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層と、前記第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の
上に形成されたＣ保護層とを具備することを特徴とす
る。
を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を支持及
び回転駆動する駆動手段と、前記磁気記録媒体に対して
磁気信号の記録及び再生を行なう磁気記録再生手段と、
前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、前記磁気記録媒体は、
非磁性基板と、前記非磁性基板の上に形成された非晶質
単相又は面心立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち
少なくとも２つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からな
るＣｏＦｅ軟磁性層と、前記ＣｏＦｅ軟磁性層の上に形
成されたＲｕ下地層と、前記Ｒｕ下地層の上に形成され
た第１のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層と、前記第１のＣｏ
ＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成されたＲｕ中間層と、
前記Ｒｕ中間層の上に形成された第２のＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層と、前記第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の
上に形成されたＣ保護層とを具備することを特徴とす
る。
【００１２】これにより、ＣｏＦｅ軟磁性層からのノイ
ズ発生を抑制でき、媒体Ｓ／ＮｍとＤ５０の値が大き
く、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体又は磁気記録装
置を提供することが可能となる。
ズ発生を抑制でき、媒体Ｓ／ＮｍとＤ５０の値が大き
く、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体又は磁気記録装
置を提供することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、図面
を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態の垂直磁気記録媒体の構成を示
す図である。図１に示す垂直磁気記録媒体は、非磁性ガ
ラス基板１上に、ＣｏＦｅ軟磁性層２、Ｒｕ下地層３、
ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層４、Ｒｕ中間層５、ＣｏＰｔ
ＣｒＯ垂直記録層６、Ｃ保護層７を順次積層した構成を
有している。この構成において、第１の実施形態では、
ＣｏＦｅ軟磁性層２が、非晶質単相、或いは、面心立方
晶（ｆｃｃ）と最密六方晶（ｈｃｐ）と非晶質の内の少
なくとも２つの結晶構造を含ことを特徴としている。ま
た、ＣｏＦｅ軟磁性層２に占めるＣｏとＦｅを合わせた
密度が９５％以上であることを特徴としている。
を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態の垂直磁気記録媒体の構成を示
す図である。図１に示す垂直磁気記録媒体は、非磁性ガ
ラス基板１上に、ＣｏＦｅ軟磁性層２、Ｒｕ下地層３、
ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層４、Ｒｕ中間層５、ＣｏＰｔ
ＣｒＯ垂直記録層６、Ｃ保護層７を順次積層した構成を
有している。この構成において、第１の実施形態では、
ＣｏＦｅ軟磁性層２が、非晶質単相、或いは、面心立方
晶（ｆｃｃ）と最密六方晶（ｈｃｐ）と非晶質の内の少
なくとも２つの結晶構造を含ことを特徴としている。ま
た、ＣｏＦｅ軟磁性層２に占めるＣｏとＦｅを合わせた
密度が９５％以上であることを特徴としている。
【００１４】このような構成を有するＣｏＦｅ系合金膜
では、体心立方層（ｂｃｃ）と面心立方晶（ｆｃｃ）、
および面心立方晶（ｆｃｃ）と最密六方晶（ｈｃｐ）の
共晶域が近いため、結晶配向が悪くなり、微結晶或いは
非晶質的となる。微結晶或いは非晶質的な構成のＣｏＦ
ｅ軟磁性層２では、磁気異方性が小さくなることから、
ランダムで微小な磁区が発生し難くなり、結果的にラン
ダムなホワイトノイズの発生がし難くなる。
では、体心立方層（ｂｃｃ）と面心立方晶（ｆｃｃ）、
および面心立方晶（ｆｃｃ）と最密六方晶（ｈｃｐ）の
共晶域が近いため、結晶配向が悪くなり、微結晶或いは
非晶質的となる。微結晶或いは非晶質的な構成のＣｏＦ
ｅ軟磁性層２では、磁気異方性が小さくなることから、
ランダムで微小な磁区が発生し難くなり、結果的にラン
ダムなホワイトノイズの発生がし難くなる。
【００１５】なお、垂直記録層の材料としては、ＣｏＰ
ｔＣｒＯ系合金以外に、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ系
合金、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、ＦｅＰｔ
規則合金、ＣｏＰｔ規則合金を用いても良い。
ｔＣｒＯ系合金以外に、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ系
合金、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、ＦｅＰｔ
規則合金、ＣｏＰｔ規則合金を用いても良い。
【００１６】次に、図１に示す垂直磁気記録媒体（以
下、媒体Ａと言う）の製造方法ついて説明する。
下、媒体Ａと言う）の製造方法ついて説明する。
【００１７】１×１０-5［Ｐａ］の真空度の真空チャン
パー内に向かい合って設置された２つのＣｏ９０−Ｆｅ
１０［ａ％］ターゲットの間に対向するように非磁性ガ
ラス基板１を置き、Ａｒガスを０．６［Ｐａ］の圧力に
なるように流入し、ＤＣ５００［Ｗ］でＣｏ９０−Ｆｅ
１０［ａ％］ターゲットを放電し、非磁性ガラス基板１
上に１０００［Å］の厚さになるようにＣｏＦｅ軟磁性
層２を成膜する。このようにＣｏ９０−Ｆｅ１０［ａ
％］ターゲットを用いてＣｏＦｅ軟磁性層２を成膜する
ことで、非晶質単相、或いは、面心立方晶（ｆｃｃ）と
最密六方晶（ｈｃｐ）と非晶質の内の少なくとも２つの
結晶構造を含み、且つ、ＣｏとＦｅを合わせた密度が９
５％以上を占める構成のＣｏＦｅ軟磁性層２を成膜する
ことができる。
パー内に向かい合って設置された２つのＣｏ９０−Ｆｅ
１０［ａ％］ターゲットの間に対向するように非磁性ガ
ラス基板１を置き、Ａｒガスを０．６［Ｐａ］の圧力に
なるように流入し、ＤＣ５００［Ｗ］でＣｏ９０−Ｆｅ
１０［ａ％］ターゲットを放電し、非磁性ガラス基板１
上に１０００［Å］の厚さになるようにＣｏＦｅ軟磁性
層２を成膜する。このようにＣｏ９０−Ｆｅ１０［ａ
％］ターゲットを用いてＣｏＦｅ軟磁性層２を成膜する
ことで、非晶質単相、或いは、面心立方晶（ｆｃｃ）と
最密六方晶（ｈｃｐ）と非晶質の内の少なくとも２つの
結晶構造を含み、且つ、ＣｏとＦｅを合わせた密度が９
５％以上を占める構成のＣｏＦｅ軟磁性層２を成膜する
ことができる。
【００１８】続いて、真空を保ったまま非磁性ガラス基
板１を移動しＲｕターゲットと対向させて配置し、Ａｒ
ガスを０．５［Ｐａ］の圧力になるよう流入、ＤＣ１０
００［Ｗ］で放電し、５００［Å］の厚さになるように
Ｒｕ下地層３を成膜する。
板１を移動しＲｕターゲットと対向させて配置し、Ａｒ
ガスを０．５［Ｐａ］の圧力になるよう流入、ＤＣ１０
００［Ｗ］で放電し、５００［Å］の厚さになるように
Ｒｕ下地層３を成膜する。
【００１９】次に、真空を保ったまま非磁性ガラス基板
１を移動し、Ｃｏ−２０Ｐｔ−１６Ｃｒ［ａ％］ターゲ
ットと対向させて設置し、Ｏ2＝０．００５［％］を含
むＡｒガスを２０［Ｐａ］の圧力になるように流入し、
１２０［Å］の厚さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ垂直記
録層４を成膜する。
１を移動し、Ｃｏ−２０Ｐｔ−１６Ｃｒ［ａ％］ターゲ
ットと対向させて設置し、Ｏ2＝０．００５［％］を含
むＡｒガスを２０［Ｐａ］の圧力になるように流入し、
１２０［Å］の厚さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ垂直記
録層４を成膜する。
【００２０】次に真空を保ったまま非磁性ガラス基板１
をＲｕターゲットと対向する位置に移動し、Ａｒガスを
０．５［Ｐａ］の圧力になるよう流入し、今度はＤＣ２
５０［Ｗ］で放電し、４０［Å］の厚さになるようにＲ
ｕ中間層５を成膜する。
をＲｕターゲットと対向する位置に移動し、Ａｒガスを
０．５［Ｐａ］の圧力になるよう流入し、今度はＤＣ２
５０［Ｗ］で放電し、４０［Å］の厚さになるようにＲ
ｕ中間層５を成膜する。
【００２１】次に、真空を保ったまま非磁性ガラス基板
１を移動し、Ｃｏ−２０Ｐｔ−１６Ｃｒ［ａ％］ターゲ
ットと対向させて設置し、Ｏ2＝０．００５［％］を含
むＡｒガスを２０［Ｐａ］の圧力になるように流入し、
１２０［Å］の厚さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ垂直記
録層６を成膜する。
１を移動し、Ｃｏ−２０Ｐｔ−１６Ｃｒ［ａ％］ターゲ
ットと対向させて設置し、Ｏ2＝０．００５［％］を含
むＡｒガスを２０［Ｐａ］の圧力になるように流入し、
１２０［Å］の厚さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ垂直記
録層６を成膜する。
【００２２】最後に、非磁性ガラス基板１をＣターゲッ
トと対向させて配置し、Ａｒガスを０．５［Ｐａ］の圧
力になるように流入し、ＤＣ１０００［Ｗ］で放電し、
７０［Å］の厚さになるようにＣ保護層７を成膜する。
成膜工程終了後、ディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１
０［Å］の厚さに塗布する。
トと対向させて配置し、Ａｒガスを０．５［Ｐａ］の圧
力になるように流入し、ＤＣ１０００［Ｗ］で放電し、
７０［Å］の厚さになるようにＣ保護層７を成膜する。
成膜工程終了後、ディップ法によりＰＦＰＥ潤滑剤を１
０［Å］の厚さに塗布する。
【００２３】次に比較例として、図２に示す媒体Ｂおよ
び図３に示す媒体Ｃを作成した。媒体Ｂは、媒体Ａの構
成においてＣｏＦｅ軟磁性層２の代わりにＣｏＮｂＺｒ
軟磁性層１２を成膜したものである。ＣｏＮｂＺｒ軟磁
性層１２は、非磁性ガラス基板１１上にＤＣ１０００
［Ｗ］で１０００［Å］の厚さで成膜した。ＣｏＮｂＺ
ｒ軟磁性層１２以外の各層は、媒体Ａと同様な方法で成
膜した。
び図３に示す媒体Ｃを作成した。媒体Ｂは、媒体Ａの構
成においてＣｏＦｅ軟磁性層２の代わりにＣｏＮｂＺｒ
軟磁性層１２を成膜したものである。ＣｏＮｂＺｒ軟磁
性層１２は、非磁性ガラス基板１１上にＤＣ１０００
［Ｗ］で１０００［Å］の厚さで成膜した。ＣｏＮｂＺ
ｒ軟磁性層１２以外の各層は、媒体Ａと同様な方法で成
膜した。
【００２４】媒体Ｃは、ＣｏＦｅ軟磁性層２２が、媒体
ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２のように結晶質の構成ではなく
結晶化した状態のＣｏＦｅ系合金膜により構成されたも
のである。ＣｏＦｅ軟磁性層２２は、非磁性ガラス基板
２１上Ｃｏ−Ｆｅ２０［ａ％］ターゲットを用いてＤＣ
１０００［Ｗ］で１０００［Å］の厚さで成膜した。Ｃ
ｏＦｅ軟磁性層２２以外の各層は、媒体Ａと同様な方法
で成膜した。
ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２のように結晶質の構成ではなく
結晶化した状態のＣｏＦｅ系合金膜により構成されたも
のである。ＣｏＦｅ軟磁性層２２は、非磁性ガラス基板
２１上Ｃｏ−Ｆｅ２０［ａ％］ターゲットを用いてＤＣ
１０００［Ｗ］で１０００［Å］の厚さで成膜した。Ｃ
ｏＦｅ軟磁性層２２以外の各層は、媒体Ａと同様な方法
で成膜した。
【００２５】（軟磁性層単層での比較）上記した方法で
作成した本発明の媒体Ａと、比較例の媒体Ｂ、Ｃとにつ
いて、次に示すように比較を行なった。媒体ＡのＣｏＦ
ｅ軟磁性層２、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２、媒
体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２を、それぞれ非磁性ガラス
基板上に成膜した状態のもの、即ち、軟磁性層のみの単
独の層の状態で、結晶性および静磁気特性を測定した。
また、ＭＦＭを用いて、５００［μｍ］毎の各範囲につ
いて磁区観察を行なった。
作成した本発明の媒体Ａと、比較例の媒体Ｂ、Ｃとにつ
いて、次に示すように比較を行なった。媒体ＡのＣｏＦ
ｅ軟磁性層２、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２、媒
体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２を、それぞれ非磁性ガラス
基板上に成膜した状態のもの、即ち、軟磁性層のみの単
独の層の状態で、結晶性および静磁気特性を測定した。
また、ＭＦＭを用いて、５００［μｍ］毎の各範囲につ
いて磁区観察を行なった。
【００２６】結晶性はＸ線解析装置にて、Ｃｕ−Ｋαを
用いて２θ＝３０〜５０度の範囲で測定した。結晶性を
測定した結果、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２で
は、２θが４０度の中頃にブロードなパターンに観察さ
れたことから、非晶質であることが確認できた。また、
２つの比較例の媒体うち、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性
層１２では、２θが４０度の中頃にブロードなパターン
に観察されたことから、非晶質であることが確認され
た。一方、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２では、２θが
４５度付近と４６度付近のピークが重なって観察され
た。２θが４５度付近のピークは、ｆｃｃ（１１１）の
結晶構造を含むこと示し、θが４６度付近のピークはｂ
ｃｃ（１１０）の結晶構造を含むことを示している。従
って、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２は、結晶性とし
て、ｂｃｃ（１１０）配向を主にｆｃｃ相も混在するこ
とを示している。これは、即ち、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁
性層２２が、非晶質の結晶構造でないことを示してい
る。
用いて２θ＝３０〜５０度の範囲で測定した。結晶性を
測定した結果、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２で
は、２θが４０度の中頃にブロードなパターンに観察さ
れたことから、非晶質であることが確認できた。また、
２つの比較例の媒体うち、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性
層１２では、２θが４０度の中頃にブロードなパターン
に観察されたことから、非晶質であることが確認され
た。一方、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２では、２θが
４５度付近と４６度付近のピークが重なって観察され
た。２θが４５度付近のピークは、ｆｃｃ（１１１）の
結晶構造を含むこと示し、θが４６度付近のピークはｂ
ｃｃ（１１０）の結晶構造を含むことを示している。従
って、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２は、結晶性とし
て、ｂｃｃ（１１０）配向を主にｆｃｃ相も混在するこ
とを示している。これは、即ち、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁
性層２２が、非晶質の結晶構造でないことを示してい
る。
【００２７】また、静磁気特性はＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔ
ｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍａｔｅｒ）で
測定した。静磁気特性の測定結果を、図４に示す。ま
た、ＭＦＭでの磁区観察を行なった結果も図４に示す。
ｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍａｔｅｒ）で
測定した。静磁気特性の測定結果を、図４に示す。ま
た、ＭＦＭでの磁区観察を行なった結果も図４に示す。
【００２８】先ず、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層
２と媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２とを比較する。
保磁力（Ｈｃ）では、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性
層２が７１．１［Ａ／ｍ］（約０．９［Ｏｅ］）である
のに対し、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２が７９．
０［Ａ／ｍ］（約１．０［Ｏｅ］）であり大きな差はな
かった。また、ＭＦＭでの磁区観察の結果では、両方と
も磁区は観察されなかった。
２と媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２とを比較する。
保磁力（Ｈｃ）では、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性
層２が７１．１［Ａ／ｍ］（約０．９［Ｏｅ］）である
のに対し、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２が７９．
０［Ａ／ｍ］（約１．０［Ｏｅ］）であり大きな差はな
かった。また、ＭＦＭでの磁区観察の結果では、両方と
も磁区は観察されなかった。
【００２９】しかし、飽和磁束密度（Ｂｓ）は、本発明
の媒体ＡののＣｏＦｅ軟磁性層２が２．０［Ｔ］であっ
たのに対して、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２が
１．２［Ｔ］であり、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性
層２は、飽和磁束密度の値で媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁
性層１２よりも優れていることが分かる。
の媒体ＡののＣｏＦｅ軟磁性層２が２．０［Ｔ］であっ
たのに対して、媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２が
１．２［Ｔ］であり、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性
層２は、飽和磁束密度の値で媒体ＢのＣｏＮｂＺｒ軟磁
性層１２よりも優れていることが分かる。
【００３０】次に、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層
２と媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２とを比較する。飽和
磁束密度（Ｂｓ）は、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性
層２と媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２とは共に２．０
［Ｔ］であった。また、保磁力（Ｈｃ）も、本発明の媒
体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２が７１．１［Ａ／ｍ］（約
０．９［Ｏｅ］）であるのに対し、媒体ＣのＣｏＦｅ軟
磁性層２２は６３．２［Ａ／ｍ］（約０．８［Ｏｅ］）
であり大きな差はなかった。
２と媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２とを比較する。飽和
磁束密度（Ｂｓ）は、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性
層２と媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層２２とは共に２．０
［Ｔ］であった。また、保磁力（Ｈｃ）も、本発明の媒
体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２が７１．１［Ａ／ｍ］（約
０．９［Ｏｅ］）であるのに対し、媒体ＣのＣｏＦｅ軟
磁性層２２は６３．２［Ａ／ｍ］（約０．８［Ｏｅ］）
であり大きな差はなかった。
【００３１】しかしながら、ＭＦＭでの磁区観察の結果
から、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２は磁区が観
察されなかったのに対して、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層
２２では２［μｍ］程度の磁区が多数観察された。これ
は即ち、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２はホワイ
トノイズの発生しない構成であるのに対して、媒体Ｃの
ＣｏＦｅ軟磁性層２２ではホワイトノイズが発生し易い
構成であることを示している。これから、本発明の媒体
ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２の方が低ノイズ化に優れている
ことが分かる。
から、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２は磁区が観
察されなかったのに対して、媒体ＣのＣｏＦｅ軟磁性層
２２では２［μｍ］程度の磁区が多数観察された。これ
は即ち、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２はホワイ
トノイズの発生しない構成であるのに対して、媒体Ｃの
ＣｏＦｅ軟磁性層２２ではホワイトノイズが発生し易い
構成であることを示している。これから、本発明の媒体
ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２の方が低ノイズ化に優れている
ことが分かる。
【００３２】（ノイズ発生の観測）次に、本発明の媒体
Ａ、比較例の媒体Ｂおよび媒体Ｃにおいて、非磁性ガラ
ス基板上にＣ保護層までの全ての層を積層したものにつ
いて、次の方法にてノイズ有無を観測した。Ｃ保護層ま
で積層した完成品の各媒体Ａ、Ｂ、Ｃについて、リング
ヘッド（記録ヘッド）を用いてＤＣイレーズした後に磁
気信号を書き込む。書き込んだ磁気信号をＭＲヘッド
（再生ヘッド）で読み出し、読み出した再生信号のディ
スクサンプル１周あたりの波形から、ノイズが発生して
いるか否かを観察した。媒体Ａ乃至媒体Ｃの再生信号の
波形を、図５乃至図７にそれぞれ示す。図５に示すよう
に、本発明の媒体Ａでは、波形中にノイズを示す信号は
現れていない。従って、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁
性層２からはノイズが発生していないことが分かる。こ
れに対して、図６に示すように媒体Ｂでは、波形中にス
パイクノイズが観察された。これは、媒体ＢのＣｏＮｂ
Ｚｒ軟磁性層１２では、ＭＦＭで観察した５００［μ
ｍ］角以下の大きさの磁区は存在しなかったものの、５
００［μｍ］角よりも大きい磁区が存在し、その磁区の
磁壁が原因となり、ＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２からスパ
イクノイズが発生したものと考えられる。また、図７に
示すように媒体Ｃでは、波形中にホワイトノイズが観察
された。これは、ＣｏＦｅ軟磁性層２２に存在する２
［μｍ］程度の多数の磁区の磁壁が原因となり、ＣｏＦ
ｅ軟磁性層２２からスパイクノイズが発生したものと考
えられる。
Ａ、比較例の媒体Ｂおよび媒体Ｃにおいて、非磁性ガラ
ス基板上にＣ保護層までの全ての層を積層したものにつ
いて、次の方法にてノイズ有無を観測した。Ｃ保護層ま
で積層した完成品の各媒体Ａ、Ｂ、Ｃについて、リング
ヘッド（記録ヘッド）を用いてＤＣイレーズした後に磁
気信号を書き込む。書き込んだ磁気信号をＭＲヘッド
（再生ヘッド）で読み出し、読み出した再生信号のディ
スクサンプル１周あたりの波形から、ノイズが発生して
いるか否かを観察した。媒体Ａ乃至媒体Ｃの再生信号の
波形を、図５乃至図７にそれぞれ示す。図５に示すよう
に、本発明の媒体Ａでは、波形中にノイズを示す信号は
現れていない。従って、本発明の媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁
性層２からはノイズが発生していないことが分かる。こ
れに対して、図６に示すように媒体Ｂでは、波形中にス
パイクノイズが観察された。これは、媒体ＢのＣｏＮｂ
Ｚｒ軟磁性層１２では、ＭＦＭで観察した５００［μ
ｍ］角以下の大きさの磁区は存在しなかったものの、５
００［μｍ］角よりも大きい磁区が存在し、その磁区の
磁壁が原因となり、ＣｏＮｂＺｒ軟磁性層１２からスパ
イクノイズが発生したものと考えられる。また、図７に
示すように媒体Ｃでは、波形中にホワイトノイズが観察
された。これは、ＣｏＦｅ軟磁性層２２に存在する２
［μｍ］程度の多数の磁区の磁壁が原因となり、ＣｏＦ
ｅ軟磁性層２２からスパイクノイズが発生したものと考
えられる。
【００３３】（電磁変換特性の比較）次に、本発明の媒
体Ａ、比較例の媒体Ｂおよび媒体Ｃにおいて、非磁性ガ
ラス基板上にＣ保護層までの全ての層を積層したものに
ついて、次の方法にて電磁変換特性を測定した。
体Ａ、比較例の媒体Ｂおよび媒体Ｃにおいて、非磁性ガ
ラス基板上にＣ保護層までの全ての層を積層したものに
ついて、次の方法にて電磁変換特性を測定した。
【００３４】それぞれ３つの媒体について、単磁極ヘッ
ド（記録ヘッド）を用いて磁気信号を書き込み、ＭＲヘ
ッド（再生ヘッド）を用いて記録された磁気信号を読み
取る方法でＲ／Ｗテストを行なった。測定条件は、半径
位置２０［ｍｍ］の一定位置で、媒体を４２００［ｒｐ
ｍ］に回転させて行なった。図８に測定結果を示す。媒
体Ｂの媒体Ｓ／Ｎｍは２３．６［ｄＢ］、Ｄ５０は２８
２［ｋｆｃｉ］であり、また、媒体Ｃの媒体Ｓ／Ｎｍは
２０．３［ｄＢ］、Ｄ５０は２５１［ｋｆｃｉ］であっ
た。これに対して本発明の媒体Ａでは、媒体Ｓ／Ｎｍが
３０．２［ｄＢ］、Ｄ５０が３８１［ｋｆｃｉ］であ
り、電磁変換特性において媒体Ｂおよび媒体Ｃよりも優
れていることが分かる。なお、Ｄ５０とは分解能を表
し、出力の周波数依存性をとった時に、出力が低域の孤
立波出力の５０％になる周波数値である。
ド（記録ヘッド）を用いて磁気信号を書き込み、ＭＲヘ
ッド（再生ヘッド）を用いて記録された磁気信号を読み
取る方法でＲ／Ｗテストを行なった。測定条件は、半径
位置２０［ｍｍ］の一定位置で、媒体を４２００［ｒｐ
ｍ］に回転させて行なった。図８に測定結果を示す。媒
体Ｂの媒体Ｓ／Ｎｍは２３．６［ｄＢ］、Ｄ５０は２８
２［ｋｆｃｉ］であり、また、媒体Ｃの媒体Ｓ／Ｎｍは
２０．３［ｄＢ］、Ｄ５０は２５１［ｋｆｃｉ］であっ
た。これに対して本発明の媒体Ａでは、媒体Ｓ／Ｎｍが
３０．２［ｄＢ］、Ｄ５０が３８１［ｋｆｃｉ］であ
り、電磁変換特性において媒体Ｂおよび媒体Ｃよりも優
れていることが分かる。なお、Ｄ５０とは分解能を表
し、出力の周波数依存性をとった時に、出力が低域の孤
立波出力の５０％になる周波数値である。
【００３５】このように媒体ＡのＣｏＦｅ軟磁性層２
を、非晶質単相、或いは、面心立方晶（ｆｃｃ）と最密
六方晶（ｈｃｐ）と非晶質の内の少なくとも２つの結晶
構造を含む微結晶或いは非晶質的な構成とした。更に、
ＣｏＦｅ軟磁性層２に占めるＣｏとＦｅを合わせた密度
が９５％以上となる構成とした。これにより、ＣｏＦｅ
軟磁性層２を、高い飽和磁束密度の磁気特性を有したも
のでありながら、磁壁が発生し難い磁気異方性の小さい
ものとすることができ、ＣｏＦｅ軟磁性層２からのノイ
ズ発生を抑制することが可能となる。従って、微結晶或
いは非晶質的な構成のＣｏＦｅ軟磁性層２を用いること
により、媒体Ａのように、媒体Ｓ／ＮｍとＤ５０の値が
大きく、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体を得る
ことが可能となる。
を、非晶質単相、或いは、面心立方晶（ｆｃｃ）と最密
六方晶（ｈｃｐ）と非晶質の内の少なくとも２つの結晶
構造を含む微結晶或いは非晶質的な構成とした。更に、
ＣｏＦｅ軟磁性層２に占めるＣｏとＦｅを合わせた密度
が９５％以上となる構成とした。これにより、ＣｏＦｅ
軟磁性層２を、高い飽和磁束密度の磁気特性を有したも
のでありながら、磁壁が発生し難い磁気異方性の小さい
ものとすることができ、ＣｏＦｅ軟磁性層２からのノイ
ズ発生を抑制することが可能となる。従って、微結晶或
いは非晶質的な構成のＣｏＦｅ軟磁性層２を用いること
により、媒体Ａのように、媒体Ｓ／ＮｍとＤ５０の値が
大きく、電磁変換特性に優れた垂直磁気記録媒体を得る
ことが可能となる。
【００３６】次に、ＣｏＦｅ軟磁性層に占めるＣｏとＦ
ｅを合わせた密度が９５％以上の構成が望ましい理由に
ついて、以下に説明する。図９に、ＣｏＦｅ軟磁性層の
ＣｏとＦｅを合わせた密度と飽和磁束密度との関係を示
している。図９に示されるように、ＣｏとＦｅを合わせ
た密度が９５［ａ％］未満のＣｏＦｅ軟磁性層では、飽
和磁束密度が１．５［Ｔ］以下に劣化する。一方、Ｃｏ
とＦｅを合わせた密度が９５［ａ％］以上のＣｏＦｅ軟
磁性層では、飽和磁束密度が１．５［Ｔ］以上となり、
特に９６［ａ％］以上となると飽和磁束密度が２［Ｔ］
程度に保たれ、電磁変換特性に優れる。また、ＣｏとＦ
ｅを合わせた密度が９９［ａ％］のＣｏＦｅ軟磁性層を
１０００［Å］の厚さに成膜し、その上にＣｏＰｔＣｒ
Ｏ垂直記録層を成膜した媒体について、その記録再生波
形を調べると、図１０に示すように理想的な波形が得ら
れた。これに対して、ＣｏとＦｅを合わせた密度が８５
［ａ％］のＣｏＦｅ軟磁性層を１０００［Å］の厚さに
成膜し、その上に同様のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層を成
膜した媒体について、記録再生波形を調べると、図１１
に示すように２段波形となった。結果として、Ｓ／Ｎｍ
も劣化していることが確認された。このようにＣｏとＦ
ｅを合わせた密度が９５［ａ％］以下のＣｏＦｅ軟磁性
層では、飽和磁束密度が不足することが原因と考えられ
る。このため、高いＳ／Ｎｍを実現するためには、Ｃｏ
Ｆｅ軟磁性層の飽和磁束密度ＣｏとＦｅを合わせた密度
が９５［ａ％］以上であることが望ましい。
ｅを合わせた密度が９５％以上の構成が望ましい理由に
ついて、以下に説明する。図９に、ＣｏＦｅ軟磁性層の
ＣｏとＦｅを合わせた密度と飽和磁束密度との関係を示
している。図９に示されるように、ＣｏとＦｅを合わせ
た密度が９５［ａ％］未満のＣｏＦｅ軟磁性層では、飽
和磁束密度が１．５［Ｔ］以下に劣化する。一方、Ｃｏ
とＦｅを合わせた密度が９５［ａ％］以上のＣｏＦｅ軟
磁性層では、飽和磁束密度が１．５［Ｔ］以上となり、
特に９６［ａ％］以上となると飽和磁束密度が２［Ｔ］
程度に保たれ、電磁変換特性に優れる。また、ＣｏとＦ
ｅを合わせた密度が９９［ａ％］のＣｏＦｅ軟磁性層を
１０００［Å］の厚さに成膜し、その上にＣｏＰｔＣｒ
Ｏ垂直記録層を成膜した媒体について、その記録再生波
形を調べると、図１０に示すように理想的な波形が得ら
れた。これに対して、ＣｏとＦｅを合わせた密度が８５
［ａ％］のＣｏＦｅ軟磁性層を１０００［Å］の厚さに
成膜し、その上に同様のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層を成
膜した媒体について、記録再生波形を調べると、図１１
に示すように２段波形となった。結果として、Ｓ／Ｎｍ
も劣化していることが確認された。このようにＣｏとＦ
ｅを合わせた密度が９５［ａ％］以下のＣｏＦｅ軟磁性
層では、飽和磁束密度が不足することが原因と考えられ
る。このため、高いＳ／Ｎｍを実現するためには、Ｃｏ
Ｆｅ軟磁性層の飽和磁束密度ＣｏとＦｅを合わせた密度
が９５［ａ％］以上であることが望ましい。
【００３７】更に、ＣｏＦｅ軟磁性層の保磁力Ｈｃは、
１５８０［Ａ／ｍ］（２０［Ｏｅ］）以下であることが
望ましい。保磁力Ｈｃが１５８０［Ａ／ｍ］（２０［Ｏ
ｅ］）を超えると、ＣｏＦｅ軟磁性層からホワイトノイ
ズが発生し、結果としてＳ／Ｎｍを劣化させる原因とな
る。これは、ＣｏＦｅ軟磁性層に生じている磁壁が移動
し難くなり、しかも、ＣｏＦｅ軟磁性層が結晶質になっ
ていることが考えられ磁区がミクロンオーダの細かな単
位の大きさとなるためである。
１５８０［Ａ／ｍ］（２０［Ｏｅ］）以下であることが
望ましい。保磁力Ｈｃが１５８０［Ａ／ｍ］（２０［Ｏ
ｅ］）を超えると、ＣｏＦｅ軟磁性層からホワイトノイ
ズが発生し、結果としてＳ／Ｎｍを劣化させる原因とな
る。これは、ＣｏＦｅ軟磁性層に生じている磁壁が移動
し難くなり、しかも、ＣｏＦｅ軟磁性層が結晶質になっ
ていることが考えられ磁区がミクロンオーダの細かな単
位の大きさとなるためである。
【００３８】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施形態に係る垂直磁気記録媒体について説明する。
本発明の第２の実施形態に係る垂直磁気記録媒体（媒体
Ｄ）は、図１２に示すように、Ｖ層３２とＣｏＰｔＣｒ
Ｏ層３３との２つの層を付け加えたことに特徴がある。
Ｖ層３２とＣｏＰｔＣｒＯ層３３で構成される硬磁性膜
は、その上の層であるＣｏＦｅ軟磁性層３４の磁壁の発
生を抑える効果を有する。このため、ＣｏＦｅ軟磁性層
３４でのスパイクノイズの発生を抑制することが可能と
なる。なお、硬磁性膜により軟磁性膜の磁壁を抑制する
効果については、特開平７−１２９９４６号に説明され
ている。
の実施形態に係る垂直磁気記録媒体について説明する。
本発明の第２の実施形態に係る垂直磁気記録媒体（媒体
Ｄ）は、図１２に示すように、Ｖ層３２とＣｏＰｔＣｒ
Ｏ層３３との２つの層を付け加えたことに特徴がある。
Ｖ層３２とＣｏＰｔＣｒＯ層３３で構成される硬磁性膜
は、その上の層であるＣｏＦｅ軟磁性層３４の磁壁の発
生を抑える効果を有する。このため、ＣｏＦｅ軟磁性層
３４でのスパイクノイズの発生を抑制することが可能と
なる。なお、硬磁性膜により軟磁性膜の磁壁を抑制する
効果については、特開平７−１２９９４６号に説明され
ている。
【００３９】図９の媒体Ｄは、上述した媒体Ａの成膜と
同様な真空チャンバー内にて、同様に非磁性ガラス基板
３１とＶターゲットを対向させ、Ａｒを０．６［Ｐａ］
の圧になるよう流入し、ＤＣ１０００［Ｗ］を印加、放
電させることにより、非磁性ガラス基板３１上に４００
［Å］の厚さになるようにＶ層３２を成膜する。
同様な真空チャンバー内にて、同様に非磁性ガラス基板
３１とＶターゲットを対向させ、Ａｒを０．６［Ｐａ］
の圧になるよう流入し、ＤＣ１０００［Ｗ］を印加、放
電させることにより、非磁性ガラス基板３１上に４００
［Å］の厚さになるようにＶ層３２を成膜する。
【００４０】次に、真空を保ったまま非磁性ガラス基板
３１を移動し、Ｃｏ−２０Ｐｔ−８Ｃｒ［ａ％］ターゲ
ットと対向させて設置し、Ｏ２＝０．００５［％］を含
むＡｒガスを２０［Ｐａ］の圧力になるように流入し、
ＤＣ１０００［Ｗ］を印加して放電させ、４００［Å］
の厚さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ層３３を成膜する。
３１を移動し、Ｃｏ−２０Ｐｔ−８Ｃｒ［ａ％］ターゲ
ットと対向させて設置し、Ｏ２＝０．００５［％］を含
むＡｒガスを２０［Ｐａ］の圧力になるように流入し、
ＤＣ１０００［Ｗ］を印加して放電させ、４００［Å］
の厚さになるようにＣｏＰｔＣｒＯ層３３を成膜する。
【００４１】次に、Ｃｏ−Ｆｅ８［ａ％］のターゲット
を同様な真空チャンバー内に用意し、真空を保ったま
ま、Ａｒを０．６［Ｐａ］の圧になるよう流入し、ＤＣ
４００［Ｗ］を印加して放電させ、８００［Å］の厚さ
になるようにＣｏＦｅ軟磁性層３４を成膜する。その上
の各層であるＲｕ下地層３５、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録
層３６、Ｒｕ中間層３７、ＣｏＣｒＯ垂直記録層３８、
Ｃ保護層３９については、上述した媒体Ａと同じ方法で
成膜する。この後、Ｃ保護層３９まで成膜した媒体Ｄ
を、図１３に示すディスク着磁装置に装着し、パルス電
流により媒体の半径方向に一斉に１１８５［ｋＡ／ｍ］
（１５［ｋＯｅ］）の磁界をかけ、ＣｏＰｔＣｒＯ層３
３とＣｏＦｅ軟磁性層３４を磁気的に飽和させた。全て
半径方向に磁界をかけて飽和させることにより、ＣｏＰ
ｔＣｒＯ層３３は半径方向に着磁され、隣り合うＣｏＦ
ｅ軟磁性層３４は、静磁気的に半径方向に磁化が固着さ
れる。このため、半径方向に一斉に磁化が固着されたＣ
ｏＦｅ軟磁性層３４では、磁壁が生じない。
を同様な真空チャンバー内に用意し、真空を保ったま
ま、Ａｒを０．６［Ｐａ］の圧になるよう流入し、ＤＣ
４００［Ｗ］を印加して放電させ、８００［Å］の厚さ
になるようにＣｏＦｅ軟磁性層３４を成膜する。その上
の各層であるＲｕ下地層３５、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録
層３６、Ｒｕ中間層３７、ＣｏＣｒＯ垂直記録層３８、
Ｃ保護層３９については、上述した媒体Ａと同じ方法で
成膜する。この後、Ｃ保護層３９まで成膜した媒体Ｄ
を、図１３に示すディスク着磁装置に装着し、パルス電
流により媒体の半径方向に一斉に１１８５［ｋＡ／ｍ］
（１５［ｋＯｅ］）の磁界をかけ、ＣｏＰｔＣｒＯ層３
３とＣｏＦｅ軟磁性層３４を磁気的に飽和させた。全て
半径方向に磁界をかけて飽和させることにより、ＣｏＰ
ｔＣｒＯ層３３は半径方向に着磁され、隣り合うＣｏＦ
ｅ軟磁性層３４は、静磁気的に半径方向に磁化が固着さ
れる。このため、半径方向に一斉に磁化が固着されたＣ
ｏＦｅ軟磁性層３４では、磁壁が生じない。
【００４２】ディスク着磁装置は、巻線２００００回で
且つ内部に媒体を収納可能な内周を有する外部コイル４
１と、巻線２００００回で且つ媒体の中穴に通る直径の
円柱形状を有する内側コイル４３から構成されており、
図１３のように媒体４２を装着した状態で、パルス電流
により媒体の半径方向に磁界をかけることができるもの
である。
且つ内部に媒体を収納可能な内周を有する外部コイル４
１と、巻線２００００回で且つ媒体の中穴に通る直径の
円柱形状を有する内側コイル４３から構成されており、
図１３のように媒体４２を装着した状態で、パルス電流
により媒体の半径方向に磁界をかけることができるもの
である。
【００４３】また、比較例として、図１４示すように、
媒体ＤにおいてＶ層とＣｏＰｔＣｒＯ層を持たない構成
とした媒体Ｅを作成した。また、媒体Ｅは、ディスク着
磁装置による着磁も行なっていない。
媒体ＤにおいてＶ層とＣｏＰｔＣｒＯ層を持たない構成
とした媒体Ｅを作成した。また、媒体Ｅは、ディスク着
磁装置による着磁も行なっていない。
【００４４】（比較結果）先ず、本発明の媒体Ｄについ
て非磁性ガラス基板３１上にＣｏＦｅ軟磁性層３４まで
成膜したものと、比較例の媒体Ｅについて非磁性ガラス
基板５１上にＣｏＦｅ軟磁性層５２まで成膜したものに
ついて、Ｘ線回折装置にてＣｕ−Ｋαを用いて両方のＣ
ｏＦｅ軟磁性層の結晶性を調べた。その結果、どちらも
ｆｃｃ（１１１）を示すピークが観察されたが、上述し
た従来の媒体Ｃで観察されたような鋭いピークではな
く、△θ５０（半値幅）＝３度程度の穏やかなピークで
あった。これは、本発明の媒体ＤのＣｏＦｅ軟磁性層３
４と、比較例の媒体ＥのＣｏＦｅ軟磁性層５２のどちら
にも、ｆｃｃ相が３［ｍｍ］程度の微細な粒として存在
していることを示している。また、そのピークに重なる
ように更にブロードなピークも観察されたことから、本
発明の媒体ＤのＣｏＦｅ軟磁性層３４と、比較例の媒体
ＥのＣｏＦｅ軟磁性層５２は、どちらも全体的に非晶質
的な結晶構造であることが分かった。
て非磁性ガラス基板３１上にＣｏＦｅ軟磁性層３４まで
成膜したものと、比較例の媒体Ｅについて非磁性ガラス
基板５１上にＣｏＦｅ軟磁性層５２まで成膜したものに
ついて、Ｘ線回折装置にてＣｕ−Ｋαを用いて両方のＣ
ｏＦｅ軟磁性層の結晶性を調べた。その結果、どちらも
ｆｃｃ（１１１）を示すピークが観察されたが、上述し
た従来の媒体Ｃで観察されたような鋭いピークではな
く、△θ５０（半値幅）＝３度程度の穏やかなピークで
あった。これは、本発明の媒体ＤのＣｏＦｅ軟磁性層３
４と、比較例の媒体ＥのＣｏＦｅ軟磁性層５２のどちら
にも、ｆｃｃ相が３［ｍｍ］程度の微細な粒として存在
していることを示している。また、そのピークに重なる
ように更にブロードなピークも観察されたことから、本
発明の媒体ＤのＣｏＦｅ軟磁性層３４と、比較例の媒体
ＥのＣｏＦｅ軟磁性層５２は、どちらも全体的に非晶質
的な結晶構造であることが分かった。
【００４５】しかし、これら２つの媒体Ｄ、Ｅのそれぞ
れについて、Ｃ保護層を成膜し、潤滑剤まで塗布した完
成品に対して、第１の実施の形態で説明した方法と同様
にノイズ発生の測定を行なった結果、本発明の媒体Ｄの
再生信号の波形は図５に示す媒体Ａの波形と同様にノイ
ズは見られなかったが、比較例の媒体Ｅの再生信号の波
形には図６に示す媒体Ｂの波形と同様にスパイクノイズ
が見られた。
れについて、Ｃ保護層を成膜し、潤滑剤まで塗布した完
成品に対して、第１の実施の形態で説明した方法と同様
にノイズ発生の測定を行なった結果、本発明の媒体Ｄの
再生信号の波形は図５に示す媒体Ａの波形と同様にノイ
ズは見られなかったが、比較例の媒体Ｅの再生信号の波
形には図６に示す媒体Ｂの波形と同様にスパイクノイズ
が見られた。
【００４６】更に、２つの媒体Ｄ、Ｅの完成品に対し
て、第１の実施の形態で説明した方法と同様に電磁変換
特性を測定した。図１５にその結果を示す。本発明の媒
体Ｄの媒体Ｓ／Ｎｍは３１．２［ｄＢ］、Ｄ５０は３９
３［ｋｆｃｉ］であったのに対し、比較例の媒体Ｅでは
媒体Ｓ／Ｎｍは２５．２［ｄＢ］、Ｄ５０は２８２［ｋ
ｆｃｉ］であり、本発明の媒体Ｄの方が電磁変換特性に
おいて優れていることがわかる。
て、第１の実施の形態で説明した方法と同様に電磁変換
特性を測定した。図１５にその結果を示す。本発明の媒
体Ｄの媒体Ｓ／Ｎｍは３１．２［ｄＢ］、Ｄ５０は３９
３［ｋｆｃｉ］であったのに対し、比較例の媒体Ｅでは
媒体Ｓ／Ｎｍは２５．２［ｄＢ］、Ｄ５０は２８２［ｋ
ｆｃｉ］であり、本発明の媒体Ｄの方が電磁変換特性に
おいて優れていることがわかる。
【００４７】このように、本発明の媒体Ｄでは、Ｖ層３
２とＣｏＰｔＣｒＯ層３３によりＣｏＦｅ軟磁性層３４
の磁壁の発生を抑制したことで、ＣｏＦｅ軟磁性層３４
により発生されるスパイクノイズの発生を抑えることが
可能となった。従って、本発明の媒体Ｄでは、低ノイズ
化を図ることが可能となり、電磁変換特性に優れる。
２とＣｏＰｔＣｒＯ層３３によりＣｏＦｅ軟磁性層３４
の磁壁の発生を抑制したことで、ＣｏＦｅ軟磁性層３４
により発生されるスパイクノイズの発生を抑えることが
可能となった。従って、本発明の媒体Ｄでは、低ノイズ
化を図ることが可能となり、電磁変換特性に優れる。
【００４８】（第３の実施の形態）次に、上述した第１
及び第２の実施の形態の垂直磁気記録媒体を用いた垂直
磁気記録装置の構成について説明する。
及び第２の実施の形態の垂直磁気記録媒体を用いた垂直
磁気記録装置の構成について説明する。
【００４９】図１６に本発明の垂直磁気記録装置の概観
図を示している。図１６に示されるように、本発明の垂
直磁気記録装置は、上面の開口した矩形箱上の筐体６１
と、複数のねじにより筐体６１にねじ止めされる筐体の
上端開口を閉塞する図示しないトップカバーとを有して
いる。筐体６１内には、上述した第１又は第２の実施の
形態に係る垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気記録媒体
６２、この垂直磁気記録媒体６２を支持および回転させ
る駆動手段としてのスピンドルモータ６３、垂直磁気記
録媒体６２に対して磁気信号の記録及び再生を行なう磁
気ヘッド６４、磁気ヘッド６４を先端に搭載したサスペ
ンションを有し且つ磁気ヘッド６４を垂直磁気記録媒体
６２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ
６５、ヘッドアクチュエータ６５を回転自在に支持する
回転軸６６、回転軸６６を介してヘッドアクチュエータ
６５を回動および位置決めするボイスコイルモータ６
７、ヘッドアンプ回路６８が収納されている。
図を示している。図１６に示されるように、本発明の垂
直磁気記録装置は、上面の開口した矩形箱上の筐体６１
と、複数のねじにより筐体６１にねじ止めされる筐体の
上端開口を閉塞する図示しないトップカバーとを有して
いる。筐体６１内には、上述した第１又は第２の実施の
形態に係る垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気記録媒体
６２、この垂直磁気記録媒体６２を支持および回転させ
る駆動手段としてのスピンドルモータ６３、垂直磁気記
録媒体６２に対して磁気信号の記録及び再生を行なう磁
気ヘッド６４、磁気ヘッド６４を先端に搭載したサスペ
ンションを有し且つ磁気ヘッド６４を垂直磁気記録媒体
６２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ
６５、ヘッドアクチュエータ６５を回転自在に支持する
回転軸６６、回転軸６６を介してヘッドアクチュエータ
６５を回動および位置決めするボイスコイルモータ６
７、ヘッドアンプ回路６８が収納されている。
【００５０】このように、垂直磁気記録媒体６２に、本
発明の第１又は第２の実施の形態に係る垂直磁気記録媒
体を用いることにより、低ノイズで電磁変換特性に優れ
た垂直磁気記録装置を実現することが可能である。
発明の第１又は第２の実施の形態に係る垂直磁気記録媒
体を用いることにより、低ノイズで電磁変換特性に優れ
た垂直磁気記録装置を実現することが可能である。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明では、ＣｏＦ
ｅ軟磁性層を、非晶質単相又は面心立方晶相、最密六方
晶相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有する
ＣｏＦｅ系合金により構成することで、ＣｏＦｅ軟磁性
層の磁気特性を飽和磁束密度が高く且つ磁気異方性を小
さくでき、ノイズ発生を抑制することが可能となる。従
って、媒体Ｓ／ＮｍとＤ５０の値が大きく、電磁変換特
性に優れた磁気記録媒体又は磁気記録装置を提供するこ
とが可能となる。
ｅ軟磁性層を、非晶質単相又は面心立方晶相、最密六方
晶相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有する
ＣｏＦｅ系合金により構成することで、ＣｏＦｅ軟磁性
層の磁気特性を飽和磁束密度が高く且つ磁気異方性を小
さくでき、ノイズ発生を抑制することが可能となる。従
って、媒体Ｓ／ＮｍとＤ５０の値が大きく、電磁変換特
性に優れた磁気記録媒体又は磁気記録装置を提供するこ
とが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る媒体Ａの構成
を示す図。
を示す図。
【図２】比較例の媒体Ｂの構成を示す図。
【図３】比較例の媒体Ｃの構成を示す図。
【図４】第１の実施の形態に係る軟磁性層の静磁気特性
の測定結果及び磁区観察結果を示す図。
の測定結果及び磁区観察結果を示す図。
【図５】本発明の媒体Ａの再生信号の波形を示す図。
【図６】比較例の媒体Ｂの再生信号の波形を示す図。
【図７】比較例の媒体Ｃの再生信号の波形を示す図。
【図８】第１の実施の形態における電磁変換特性の測定
結果を示す図。
結果を示す図。
【図９】ＣｏＦｅ軟磁性層のＣｏとＦｅを合わせた密度
と飽和磁束密度との関係を示す図。
と飽和磁束密度との関係を示す図。
【図１０】ＣｏとＦｅを合わせた密度が９５［ａ％］以
上のＣｏＦｅ軟磁性層の媒体の記録再生波形を示す図。
上のＣｏＦｅ軟磁性層の媒体の記録再生波形を示す図。
【図１１】ＣｏとＦｅを合わせた密度が９５［ａ％］以
下のＣｏＦｅ軟磁性層の媒体の記録再生波形を示す図。
下のＣｏＦｅ軟磁性層の媒体の記録再生波形を示す図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る媒体Ｄの構
成を示す図。
成を示す図。
【図１３】ディスク着自装置の構成を示す図。
【図１４】比較例の媒体Ｅの構成を示す図。
【図１５】第２の実施の形態における電磁変換特性の測
定結果を示す図。
定結果を示す図。
【図１６】本発明の垂直磁気記録装置の構成を示す図。
１、１１、２１、３１、５１…非磁性ガラス基板 ２、２２、３４、５２…ＣｏＦｅ軟磁性層 ３、５、１３、１５、２３、２５、３５、３７、５３、
５５…Ｒｕ下地層 ４、６、１４、１６、２４、２６、３６、３８、５４、
５６…ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層 ７、１７、２７、３９、５７…Ｃ保護層 １２…ＣｏＮｂＺｒ軟磁性層 ３２…Ｖ層 ３３…ＣｏＰｔＣｒＯ層 ４１…外側コイル ４２…媒体 ４３…内側コイル ６１…筐体 ６２…垂直磁気記録媒体 ６３…スピンドルモータ ６４…磁気ヘッド ６５…ヘッドアクチュエータ ６６…回転軸 ６７…ボイスコイルモータ ６８…ヘッドアンプ回路
５５…Ｒｕ下地層 ４、６、１４、１６、２４、２６、３６、３８、５４、
５６…ＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層 ７、１７、２７、３９、５７…Ｃ保護層 １２…ＣｏＮｂＺｒ軟磁性層 ３２…Ｖ層 ３３…ＣｏＰｔＣｒＯ層 ４１…外側コイル ４２…媒体 ４３…内側コイル ６１…筐体 ６２…垂直磁気記録媒体 ６３…スピンドルモータ ６４…磁気ヘッド ６５…ヘッドアクチュエータ ６６…回転軸 ６７…ボイスコイルモータ ６８…ヘッドアンプ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 及川 壮一 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB08 CA03 CA05 CA06 DA03 DA08 EA03 EA05 FA09 5D112 AA03 AA04 AA05 AA06 AA11 AA24 BB05 BD03 DD04 DD09 FA04
Claims (10)
- 【請求項１】 非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を
順次積層した構造の磁気記録媒体において、 前記軟磁性層が、非晶質単相の結晶構造を有するＣｏＦ
ｅ系合金からなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を
順次積層した構造の磁気記録媒体において、 前記軟磁性層は、面心立方晶相、最密六方晶相、非晶質
相のうち少なくとも２つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合
金からなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板と、 前記非磁性基板の上に形成された非晶質単相又は、面心
立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち少なくとも２
つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からなるＣｏＦｅ軟
磁性層と、 前記ＣｏＦｅ軟磁性層の上に形成されたＲｕ下地層と、 前記Ｒｕ下地層の上に形成された第１のＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層と、 前記第１のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成された
Ｒｕ中間層と、 前記Ｒｕ中間層の上に形成された第２のＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層と、 前記第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成された
Ｃ保護層とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 軟磁性層を構成するＣｏＦｅ系合金は、
ＣｏとＦｅとを合わせた密度が９５［ａ％］以上である
ことを特徴とする請求項１乃至３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 軟磁性層を構成するＣｏＦｅ系合金は、
保磁力が１５８０［Ａ／ｍ］以下であることを特徴とす
る請求項１乃至３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 磁気信号を記録する磁気記録媒体と、 前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、 前記磁気記録媒体に対して磁気信号の記録及び再生を行
なう磁気記録再生手段と、 前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、 前記磁気記録媒体は、非磁性基板上に軟磁性層と垂直記
録層を順次積層した構造を有し、前記軟磁性層が、非晶
質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金からなること
を特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項７】 磁気信号を記録する磁気記録媒体と、 前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、 前記磁気記録媒体に対して磁気信号の記録及び再生を行
なう磁気記録再生手段と、 前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、 前記磁気記録媒体は、非磁性基板上に軟磁性層と垂直記
録層を順次積層した構造を有し、前記軟磁性層が、面心
立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち少なくとも２
つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からなることを特徴
とする磁気記録装置。 - 【請求項８】 磁気信号を記録する磁気記録媒体と、 前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、 前記磁気記録媒体に対して磁気信号の記録及び再生を行
なう磁気記録再生手段と、 前記磁気記録媒体に対して前記記録再生手段を移動自在
に支持する支持手段とを具備し、 前記磁気記録媒体は、 非磁性基板と、 前記非磁性基板の上に形成された非晶質単相又は面心立
方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち少なくとも２つ
の結晶相を有するＣｏＦｅ系合金からなるＣｏＦｅ軟磁
性層と、 前記ＣｏＦｅ軟磁性層の上に形成されたＲｕ下地層と、 前記Ｒｕ下地層の上に形成された第１のＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層と、 前記第１のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成された
Ｒｕ中間層と、 前記Ｒｕ中間層の上に形成された第２のＣｏＰｔＣｒＯ
垂直記録層と、 前記第２のＣｏＰｔＣｒＯ垂直記録層の上に形成された
Ｃ保護層とを具備することを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項９】 軟磁性層を構成するＣｏＦｅ系合金は、
ＣｏとＦｅとを合わせた密度が９５［ａ％］以上である
ことを特徴とする請求項６乃至８記載の磁気記録装置。 - 【請求項１０】 軟磁性層を構成するＣｏＦｅ系合金
は、保磁力が１５８０［Ａ／ｍ］以下であることを特徴
とする請求項６乃至８記載の磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100141A JP2002298323A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100141A JP2002298323A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002298323A true JP2002298323A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18953610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001100141A Pending JP2002298323A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002298323A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077413A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-10 | Neomax Co., Ltd. | 磁場中熱処理装置 |
| WO2004084194A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2009134797A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| US7592080B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-09-22 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US7927724B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording media with orthogonal anisotropy enhancement or bias layer |
| US7993764B2 (en) | 2004-10-21 | 2011-08-09 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and the method of manufacturing the same |
| US8194364B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-06-05 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP-type structure including ferromagnetic layer configured with CoFe system alloy and magnetic disk device therewith |
| US8871367B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-10-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001100141A patent/JP2002298323A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077413A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-10 | Neomax Co., Ltd. | 磁場中熱処理装置 |
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| US7927724B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording media with orthogonal anisotropy enhancement or bias layer |
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| JP2009134797A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| US8194364B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-06-05 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP-type structure including ferromagnetic layer configured with CoFe system alloy and magnetic disk device therewith |
| US8871367B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-10-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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