JP2005310356A - ノイズ発生を抑えた軟磁性層を用いた垂直磁気記録媒体、およびそれを用いた垂直磁気記録装置 - Google Patents
ノイズ発生を抑えた軟磁性層を用いた垂直磁気記録媒体、およびそれを用いた垂直磁気記録装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 軟磁性層から発せられるノイズを抑えることにより、高密度記録可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１と、垂直磁気記録層６と、これらの間に設けられた軟磁性層３とを有し、軟磁性層３は、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上である。軟磁性層３の厚さを上記範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。Ｂｓ・Ｈｃを上記範囲とすることによって静磁エネルギーを十分に大きくすることができる。従って、軟磁性層３での磁壁の発生を抑え、軟磁性層３から発せられるノイズを抑えることができ、高密度記録が可能となる。
【選択図】 図１
【解決手段】 基板１と、垂直磁気記録層６と、これらの間に設けられた軟磁性層３とを有し、軟磁性層３は、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上である。軟磁性層３の厚さを上記範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。Ｂｓ・Ｈｃを上記範囲とすることによって静磁エネルギーを十分に大きくすることができる。従って、軟磁性層３での磁壁の発生を抑え、軟磁性層３から発せられるノイズを抑えることができ、高密度記録が可能となる。
【選択図】 図１
Description
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置に関するものである。
垂直磁気記録方式は、磁気記録層の磁化容易軸を基板に対し垂直な方向に向けることにより、記録ビットの境界である磁化遷移領域を小さくすることができるため、記録密度の向上に適した方式である。
垂直磁気記録方式を採用した磁気記録媒体としては、基板と垂直磁気記録層との間に軟磁性層を形成した、いわゆる垂直二層媒体が多く用いられている。垂直二層媒体は、磁気ヘッドとして単磁極ヘッドを用いることによって、高い記録能力を得ることができる。
垂直二層媒体では、軟磁性層が磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たすため、記録再生効率を向上させることができる。
しかしながら、垂直二層媒体では、軟磁性層に起因するノイズ、特に磁壁を原因とするノイズが大きいという問題がある。
軟磁性層の磁壁形成を抑え、媒体ノイズを抑制するため、従来より種々の提案がなされている。
垂直磁気記録方式を採用した磁気記録媒体としては、基板と垂直磁気記録層との間に軟磁性層を形成した、いわゆる垂直二層媒体が多く用いられている。垂直二層媒体は、磁気ヘッドとして単磁極ヘッドを用いることによって、高い記録能力を得ることができる。
垂直二層媒体では、軟磁性層が磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たすため、記録再生効率を向上させることができる。
しかしながら、垂直二層媒体では、軟磁性層に起因するノイズ、特に磁壁を原因とするノイズが大きいという問題がある。
軟磁性層の磁壁形成を抑え、媒体ノイズを抑制するため、従来より種々の提案がなされている。
特開２００３−１５１１２８号公報（特許文献１）には、スパッタ法により軟磁性層を形成する際に直流バイアス電圧を基板に加える方法によって得られた垂直二層媒体である磁気記録媒体が開示されている。
この磁気記録媒体は、軟磁性層でのノイズの原因となる微視的な磁気異方性の発生を防ぐため、軟磁性層を形成する際に直流バイアス電圧が基板に加えられる。
この磁気記録媒体では、軟磁性層の保磁力は１０（Ｏｅ）以下が好ましいとされる。軟磁性層の厚さについては、５０ｎｍ以上、好ましくは８０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上が好適な範囲として挙げられている。飽和磁束密度Ｂｓは０．７Ｔ以上、好ましくは１Ｔ以上、さらに好ましくは１．２Ｔ以上が好適な範囲として挙げられている。
しかしながら、この磁気記録媒体では、軟磁性層全体を複数領域に分断する磁壁が発生しやすくなるため、軟磁性層から発生するノイズを抑えることが難しかった。
この磁気記録媒体は、軟磁性層でのノイズの原因となる微視的な磁気異方性の発生を防ぐため、軟磁性層を形成する際に直流バイアス電圧が基板に加えられる。
この磁気記録媒体では、軟磁性層の保磁力は１０（Ｏｅ）以下が好ましいとされる。軟磁性層の厚さについては、５０ｎｍ以上、好ましくは８０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上が好適な範囲として挙げられている。飽和磁束密度Ｂｓは０．７Ｔ以上、好ましくは１Ｔ以上、さらに好ましくは１．２Ｔ以上が好適な範囲として挙げられている。
しかしながら、この磁気記録媒体では、軟磁性層全体を複数領域に分断する磁壁が発生しやすくなるため、軟磁性層から発生するノイズを抑えることが難しかった。
特開２００２−１５０５４４号公報（特許文献２）には、軟磁性層の厚さ分布または飽和磁化の大きさが、基板の中心からの距離の関数として変化するようにされた磁気記録媒体が開示されている。
この磁気記録媒体では、軟磁性層の静磁エネルギーを小さくすることにより、軟磁性層を単磁区構造とし、磁壁によるノイズの発生、エラーレートの低下等を防ぐことができる。
しかしながら、この磁気記録媒体では、軟磁性層から発せられる磁束が半径方向に異なるため、その特性が不均一になるという問題がある。
また、単磁区構造の安定性が劣り、ノイズの発生を十分に抑えることができなかった。
この磁気記録媒体では、軟磁性層の静磁エネルギーを小さくすることにより、軟磁性層を単磁区構造とし、磁壁によるノイズの発生、エラーレートの低下等を防ぐことができる。
しかしながら、この磁気記録媒体では、軟磁性層から発せられる磁束が半径方向に異なるため、その特性が不均一になるという問題がある。
また、単磁区構造の安定性が劣り、ノイズの発生を十分に抑えることができなかった。
特開平６−７６２０２号公報（特許文献３）には、軟磁性裏打ち層と垂直磁化記録層とを有する磁気記録媒体と、磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置が開示されている。磁気ヘッドは、軟磁性裏打ち層に対して磁界を印加可能な磁界発生素子を備えている。
この磁気記録再生装置では、ＲＦスパッタ法によって形成された軟磁性裏打ち層を有する磁気記録媒体が用いられている。軟磁性裏打ち層としては、厚さが１００ｎｍであり、面内方向の保磁力が１０（Ｏｅ）であり、ＣｏＺｒＮｂからなるものが例示されている。
軟磁性裏打ち層の飽和磁束密度は、１．３Ｔ程度であると考えられる。
軟磁性裏打ち層の厚さは１００ｎｍであることから、磁気異方性が面内方向に向いていると仮定すると、面内方向の保磁力は非常に低くなるはずである（１（Ｏｅ）程度またはそれ以下になると考えられる）。
軟磁性裏打ち層の面内方向の保磁力は１０（Ｏｅ）とされていることから、軟磁性裏打ち層の磁気異方性は面内方向に向いていないと考えられる。
このような磁気記録媒体では、軟磁性層から発するノイズを十分に抑えるのは難しいのが現状である。
特開２００３−１５１１２８号公報
特開２００２−１５０５４４号公報
特開平６−７６２０２号公報
この磁気記録再生装置では、ＲＦスパッタ法によって形成された軟磁性裏打ち層を有する磁気記録媒体が用いられている。軟磁性裏打ち層としては、厚さが１００ｎｍであり、面内方向の保磁力が１０（Ｏｅ）であり、ＣｏＺｒＮｂからなるものが例示されている。
軟磁性裏打ち層の飽和磁束密度は、１．３Ｔ程度であると考えられる。
軟磁性裏打ち層の厚さは１００ｎｍであることから、磁気異方性が面内方向に向いていると仮定すると、面内方向の保磁力は非常に低くなるはずである（１（Ｏｅ）程度またはそれ以下になると考えられる）。
軟磁性裏打ち層の面内方向の保磁力は１０（Ｏｅ）とされていることから、軟磁性裏打ち層の磁気異方性は面内方向に向いていないと考えられる。
このような磁気記録媒体では、軟磁性層から発するノイズを十分に抑えるのは難しいのが現状である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、軟磁性層から発せられるノイズを抑えることにより、高密度記録を可能とする磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
（１）上記課題を解決するための第１の発明は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する磁気記録媒体において、前記軟磁性層が、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であることを特徴とする磁気記録媒体である。
（２）上記課題を解決するための第２の発明は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた複数の軟磁性層とを有する磁気記録媒体において、前記複数の軟磁性層が、厚さの合計が１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、かつ飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であることを特徴とする磁気記録媒体である。
（３）上記課題を解決するための第３の発明は、前記軟磁性層の磁気異方性の方向が、前記基板の半径方向であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体である。
（４）上記課題を解決するための第４の発明は、前記基板と軟磁性層との間に、軟磁性層での磁壁形成を抑える硬磁性層が設けられていることを特徴とする（１）〜（３）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（５）上記課題を解決するための第５の発明は、前記硬磁性層が、前記軟磁性層の磁気異方性の方向にほぼ平行な方向に磁化されるようになっていることを特徴とする（４）に記載の磁気記録媒体である。
（６）上記課題を解決するための第６の発明は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、前記軟磁性層を形成するにあたって、その厚さを１００ｎｍ未満とするとともに、磁気異方性を面内方向に向け、かつ飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃを７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
（７）上記課題を解決するための第７の発明は、（１）〜（５）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、この磁気ヘッドが単磁極ヘッドであることを特徴とする磁気記録再生装置である。
なお、１（Ｏｅ）＝約７９Ａ／ｍであり、１Ｇ＝１０−４Ｔである。
また、各層の厚さは、例えばＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で媒体断面を観察することにより求めることができる。
（１）上記課題を解決するための第１の発明は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する磁気記録媒体において、前記軟磁性層が、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であることを特徴とする磁気記録媒体である。
（２）上記課題を解決するための第２の発明は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた複数の軟磁性層とを有する磁気記録媒体において、前記複数の軟磁性層が、厚さの合計が１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、かつ飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であることを特徴とする磁気記録媒体である。
（３）上記課題を解決するための第３の発明は、前記軟磁性層の磁気異方性の方向が、前記基板の半径方向であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体である。
（４）上記課題を解決するための第４の発明は、前記基板と軟磁性層との間に、軟磁性層での磁壁形成を抑える硬磁性層が設けられていることを特徴とする（１）〜（３）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（５）上記課題を解決するための第５の発明は、前記硬磁性層が、前記軟磁性層の磁気異方性の方向にほぼ平行な方向に磁化されるようになっていることを特徴とする（４）に記載の磁気記録媒体である。
（６）上記課題を解決するための第６の発明は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、前記軟磁性層を形成するにあたって、その厚さを１００ｎｍ未満とするとともに、磁気異方性を面内方向に向け、かつ飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃを７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
（７）上記課題を解決するための第７の発明は、（１）〜（５）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、この磁気ヘッドが単磁極ヘッドであることを特徴とする磁気記録再生装置である。
なお、１（Ｏｅ）＝約７９Ａ／ｍであり、１Ｇ＝１０−４Ｔである。
また、各層の厚さは、例えばＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で媒体断面を観察することにより求めることができる。
本発明の磁気記録媒体は、軟磁性層が、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上である。
軟磁性層の厚さを上記範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、Ｂｓ・Ｈｃを上記範囲とすることによって静磁エネルギーを十分に大きくすることができる。
本発明の磁気記録媒体では、軟磁性層に面内方向の磁気異方性を与え、静磁エネルギーを大きくするため、軟磁性層における磁壁形成を抑制することができる。
従って、軟磁性層に起因するノイズを抑えることができ、高密度記録が可能となる。
軟磁性層の厚さを上記範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、Ｂｓ・Ｈｃを上記範囲とすることによって静磁エネルギーを十分に大きくすることができる。
本発明の磁気記録媒体では、軟磁性層に面内方向の磁気異方性を与え、静磁エネルギーを大きくするため、軟磁性層における磁壁形成を抑制することができる。
従って、軟磁性層に起因するノイズを抑えることができ、高密度記録が可能となる。
本発明の磁気記録媒体は、基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する垂直磁気記録媒体である。
基板としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
ガラスとしては、アモルファスガラス、結晶化ガラスが使用できる。アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが使用できる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスが使用できる。セラミック基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、その繊維強化物が使用可能である。
基板としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
ガラスとしては、アモルファスガラス、結晶化ガラスが使用できる。アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが使用できる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスが使用できる。セラミック基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、その繊維強化物が使用可能である。
軟磁性層は、軟磁性材料からなるものであり、この軟磁性材料としては、Ｆｅ、Ｃｏより選ばれる少なくとも１つを主成分とするものが好適である。
軟磁性層の材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＣなど）、ＦｅＮｉ合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ合金、ＦｅＮ合金、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＰ合金、ＦｅＮｂ合金、ＦｅＨｆ合金、ＦｅＢ合金、ＣｏＢ合金、ＣｏＰ合金、ＣｏＮｉ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＢ、ＣｏＮｉＰなど）、ＣｏＺｒ合金（ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏなど）、ＣｏＮｂ合金、ＣｏＴａ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＭｏ合金、ＦｅＣｏＮｉ合金（ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＣｏＮｉＰ、ＦｅＣｏＮｉＢなど）などを挙げることができる。
特に、軟磁性層３には、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）を含む材料であるＦｅＣｏＢＣを用いるのが好ましい。
軟磁性層は、Ｏ、Ｃ、Ｎより選ばれる少なくとも１つを含むことができる。これにより、酸化物、炭化物、窒化物のうち少なくとも１つが粒界に生成し、磁性粒を微細にする。
これにより、磁壁が形成されにくくなる。
軟磁性層の材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＣなど）、ＦｅＮｉ合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ合金、ＦｅＮ合金、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＰ合金、ＦｅＮｂ合金、ＦｅＨｆ合金、ＦｅＢ合金、ＣｏＢ合金、ＣｏＰ合金、ＣｏＮｉ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＢ、ＣｏＮｉＰなど）、ＣｏＺｒ合金（ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＭｏなど）、ＣｏＮｂ合金、ＣｏＴａ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＭｏ合金、ＦｅＣｏＮｉ合金（ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＣｏＮｉＰ、ＦｅＣｏＮｉＢなど）などを挙げることができる。
特に、軟磁性層３には、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）を含む材料であるＦｅＣｏＢＣを用いるのが好ましい。
軟磁性層は、Ｏ、Ｃ、Ｎより選ばれる少なくとも１つを含むことができる。これにより、酸化物、炭化物、窒化物のうち少なくとも１つが粒界に生成し、磁性粒を微細にする。
これにより、磁壁が形成されにくくなる。
軟磁性層は、面内方向の磁気異方性を有する。
軟磁性層の磁気異方性の方向は、前記基板の半径方向であることが望ましい。
磁気異方性の方向を半径方向とすることによって、磁壁形成を抑制するのが容易となる。
「面内方向の磁気異方性を有する」とは、面内方向の飽和磁界が垂直方向の飽和磁界より小さいことを意味する。飽和磁界とは、軟磁性層の磁束密度が飽和に達するのに必要となる外部磁界の最小値である。
軟磁性層の磁気異方性の方向は、前記基板の半径方向であることが望ましい。
磁気異方性の方向を半径方向とすることによって、磁壁形成を抑制するのが容易となる。
「面内方向の磁気異方性を有する」とは、面内方向の飽和磁界が垂直方向の飽和磁界より小さいことを意味する。飽和磁界とは、軟磁性層の磁束密度が飽和に達するのに必要となる外部磁界の最小値である。
軟磁性層の厚さは、１００ｎｍ未満（好ましくは８０ｎｍ以下）とされる。
軟磁性層の厚さをこの範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、生産性を高めることができる。
十分な軟磁気特性を得るには、軟磁性層の厚さは１０ｎｍ以上とするのが好ましい。
軟磁性層の厚さをこの範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、生産性を高めることができる。
十分な軟磁気特性を得るには、軟磁性層の厚さは１０ｎｍ以上とするのが好ましい。
軟磁性層の飽和磁束密度Ｂｓは、７０００Ｇ以上（０．７Ｔ）であることが望ましい。
軟磁性層の保磁力Ｈｃは、１（Ｏｅ）以上、１００（Ｏｅ）以下であることが望ましい。Ｂｓを高い値に設定するのは難しいため、保磁力Ｈｃが１（Ｏｅ）未満であると、Ｂｓ・Ｈｃを７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上とするのが難しくなる。
保磁力Ｈｃが１００（Ｏｅ）より大きいと、軟磁性層の軟磁気特性が不十分となる。
軟磁性層の保磁力Ｈｃは、１（Ｏｅ）以上、１００（Ｏｅ）以下であることが望ましい。Ｂｓを高い値に設定するのは難しいため、保磁力Ｈｃが１（Ｏｅ）未満であると、Ｂｓ・Ｈｃを７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上とするのが難しくなる。
保磁力Ｈｃが１００（Ｏｅ）より大きいと、軟磁性層の軟磁気特性が不十分となる。
軟磁性層は、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上（好ましくは３９５Ｔ・Ａ／ｍ（５０ｋＧ・Ｏｅ）以上）とされる。
Ｂｓ・Ｈｃをこの範囲とすることによって、ノイズを抑えることができる。
軟磁性層の静磁エネルギーＵは以下の式によって表されるため、Ｂｓ・Ｈｃが大きいと、静磁エネルギーが大きくなることになる。
Ｕ＝（１／２）∫∫∫Ｂ・Ｈｄｖ
Ｂ：磁束密度 Ｈ：磁界
Ｂｓ・Ｈｃをこの範囲とすることによって、ノイズを抑えることができる。
軟磁性層の静磁エネルギーＵは以下の式によって表されるため、Ｂｓ・Ｈｃが大きいと、静磁エネルギーが大きくなることになる。
Ｕ＝（１／２）∫∫∫Ｂ・Ｈｄｖ
Ｂ：磁束密度 Ｈ：磁界
軟磁性層は、複数形成されていてもよい。
軟磁性層が複数形成される場合には、これら複数の軟磁性層は連続して積層されていてもよいし、他の層を介して積層されていてもよい。
この場合には、各軟磁性層の特性（厚さ、Ｂｓ・Ｈｃなど）は、これら複数の軟磁性層をひとつの軟磁性層と考えた場合に、上記範囲となるように設定される。
すなわち、これら複数の軟磁性層の厚さは、合計で１００ｎｍ未満（好ましくは８０ｎｍ以下）とされる。これによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、軟磁性層の厚さは合計で１０ｎｍ以上とするのが好ましい。
また、上記複数の軟磁性層は、これらをひとつの軟磁性層と考えた場合に、面内方向の磁気異方性を有する。
さらに、上記複数の軟磁性層は、これらをひとつの軟磁性層と考えた場合の飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上（好ましくは３９５Ｔ・Ａ／ｍ（５０ｋＧ・Ｏｅ）以上）とされる。Ｂｓ・Ｈｃをこの範囲とすることによって、ノイズを抑えることができる。
軟磁性層が複数形成される場合には、これら複数の軟磁性層は連続して積層されていてもよいし、他の層を介して積層されていてもよい。
この場合には、各軟磁性層の特性（厚さ、Ｂｓ・Ｈｃなど）は、これら複数の軟磁性層をひとつの軟磁性層と考えた場合に、上記範囲となるように設定される。
すなわち、これら複数の軟磁性層の厚さは、合計で１００ｎｍ未満（好ましくは８０ｎｍ以下）とされる。これによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、軟磁性層の厚さは合計で１０ｎｍ以上とするのが好ましい。
また、上記複数の軟磁性層は、これらをひとつの軟磁性層と考えた場合に、面内方向の磁気異方性を有する。
さらに、上記複数の軟磁性層は、これらをひとつの軟磁性層と考えた場合の飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上（好ましくは３９５Ｔ・Ａ／ｍ（５０ｋＧ・Ｏｅ）以上）とされる。Ｂｓ・Ｈｃをこの範囲とすることによって、ノイズを抑えることができる。
基板と軟磁性層との間には、軟磁性層での磁壁形成を抑える硬磁性層を設けることもできる。
硬磁性層は、硬磁性材料からなり、面内方向の磁気異方性をもつことが好ましい。
硬磁性層は、磁化方向を、軟磁性層の磁気異方性の方向にほぼ平行とすると、軟磁性層での磁壁形成を抑える効果を高めることができる。
硬磁性層の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔＢ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金、ＣｏＳｍ合金、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔＯ合金、ＣｏＰｔＣｒＯ合金、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２合金、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２合金、ＣｏＣｒＰｔＯ−ＳｉＯ２合金を挙げることができる。
硬磁性層は２層構造とすることもできる。例えば、Ｖからなる第１層上に、Ｃｏ合金（例えばＣｏＰｔＣｒ）からなる磁性層である第２層を形成した構成とすることができる。
硬磁性層は、保磁力Ｈｃが２０００（Ｏｅ）以上（好ましくは３０００（Ｏｅ）以上）であることが好ましい。
硬磁性層によって、軟磁性層における磁壁形成を抑え、スパイクノイズの発生を防ぐことができる。
硬磁性層は、硬磁性材料からなり、面内方向の磁気異方性をもつことが好ましい。
硬磁性層は、磁化方向を、軟磁性層の磁気異方性の方向にほぼ平行とすると、軟磁性層での磁壁形成を抑える効果を高めることができる。
硬磁性層の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔＢ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金、ＣｏＳｍ合金、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔＯ合金、ＣｏＰｔＣｒＯ合金、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２合金、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２合金、ＣｏＣｒＰｔＯ−ＳｉＯ２合金を挙げることができる。
硬磁性層は２層構造とすることもできる。例えば、Ｖからなる第１層上に、Ｃｏ合金（例えばＣｏＰｔＣｒ）からなる磁性層である第２層を形成した構成とすることができる。
硬磁性層は、保磁力Ｈｃが２０００（Ｏｅ）以上（好ましくは３０００（Ｏｅ）以上）であることが好ましい。
硬磁性層によって、軟磁性層における磁壁形成を抑え、スパイクノイズの発生を防ぐことができる。
軟磁性層上には、シード層を設けることができる。
シード層には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｂ、Ｃより選ばれる少なくとも一つを含む合金を用いることができる。
この材料としては、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合金、ＮｉＴａＣ合金、ＮｉＴａＢ合金、ＣｏＮｉＴａ合金、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＭｏ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金、ＮｉＦｅＶ合金、ＮｉＣｏ合金が好ましい。
シード層は、微細な結晶粒子を有する微結晶構造、または面心立方構造とするのが好ましい。
シード層には、軟磁性材料を用いることもできる。例えば飽和磁束密度Ｂｓを０．２Ｔ以上とし、保磁力Ｈｃを１００（Ｏｅ）以下とすることができる。
シード層に軟磁気材料を用いる場合には、このシード層は軟磁性層として機能する。
この場合には、上述の軟磁性層とシード層とを、２層構造をもつひとつの軟磁性層であると見なすことができる。この場合には、この２層構造の軟磁性層の特性（厚さ、磁気異方性、Ｂｓ・Ｈｃ）が上述の範囲を満たすことが好ましい。
シード層には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｂ、Ｃより選ばれる少なくとも一つを含む合金を用いることができる。
この材料としては、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合金、ＮｉＴａＣ合金、ＮｉＴａＢ合金、ＣｏＮｉＴａ合金、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＭｏ合金、ＮｉＦｅＣｒ合金、ＮｉＦｅＶ合金、ＮｉＣｏ合金が好ましい。
シード層は、微細な結晶粒子を有する微結晶構造、または面心立方構造とするのが好ましい。
シード層には、軟磁性材料を用いることもできる。例えば飽和磁束密度Ｂｓを０．２Ｔ以上とし、保磁力Ｈｃを１００（Ｏｅ）以下とすることができる。
シード層に軟磁気材料を用いる場合には、このシード層は軟磁性層として機能する。
この場合には、上述の軟磁性層とシード層とを、２層構造をもつひとつの軟磁性層であると見なすことができる。この場合には、この２層構造の軟磁性層の特性（厚さ、磁気異方性、Ｂｓ・Ｈｃ）が上述の範囲を満たすことが好ましい。
シード層と垂直磁気記録層との間には、Ｒｕを含む下地層を設けることができる。この材料としては、ＲｕまたはＲｕ合金を挙げることができる。Ｒｕ合金としては、ＲｕＣｒ合金、ＲｕＣｏ合金、ＲｕＰｔ合金を挙げることができる。
下地層を設けることによって、垂直磁気記録層において配向性が高くなり、分解能、ＳＮＲを向上させることができる。
下地層を設けることによって、垂直磁気記録層において配向性が高くなり、分解能、ＳＮＲを向上させることができる。
垂直磁気記録層は、磁化容易軸が基板に対して主に垂直方向に向いたものであり、Ｃｏ合金を用いることができる。特に、金属酸化物または半導体酸化物を含むＣｏ合金が好ましい。垂直磁気記録層は、粒子分散型構造（グラニュラ構造）とすることができる。
Ｃｏ合金としては、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金、ＣｏＣｒＰｔＯ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ合金を挙げることができる。
上記金属酸化物を構成する金属としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙを挙げることができ、半導体酸化物を構成する半導体としては、Ｓｉ、Ｂを挙げることができる。
金属酸化物としては、Ｙ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つを挙げることができる。半導体酸化物としては、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３を挙げることができる。
垂直磁気記録層がグラニュラ構造をとる場合には、垂直磁気記録層は、上記Ｃｏ合金からなる磁性粒子が、上記金属酸化物、半導体酸化物などからなる母材に分散した構成とすることができる。
Ｃｏ合金としては、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金、ＣｏＣｒＰｔＯ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ合金を挙げることができる。
上記金属酸化物を構成する金属としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙを挙げることができ、半導体酸化物を構成する半導体としては、Ｓｉ、Ｂを挙げることができる。
金属酸化物としては、Ｙ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２より選ばれる少なくとも一つを挙げることができる。半導体酸化物としては、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３を挙げることができる。
垂直磁気記録層がグラニュラ構造をとる場合には、垂直磁気記録層は、上記Ｃｏ合金からなる磁性粒子が、上記金属酸化物、半導体酸化物などからなる母材に分散した構成とすることができる。
上記下地層を設ける場合には、下地層が、粒子の均一性、明瞭性、粒径の小ささ、配向性の点で良好となるので、この下地層の影響下でエピタキシャル成長する垂直磁気記録層は、粒子（磁性粒子）の均一性、明瞭性、粒径の小ささ、配向性が良好となる。
特に、金属酸化物または半導体酸化物を含むＣｏ合金からなる垂直磁気記録層は、粒子の均一性、明瞭性、粒径の小ささ、配向性が良好となる。このため、優れた分解能およびノイズ特性が得られる。
特に、金属酸化物または半導体酸化物を含むＣｏ合金からなる垂直磁気記録層は、粒子の均一性、明瞭性、粒径の小ささ、配向性が良好となる。このため、優れた分解能およびノイズ特性が得られる。
垂直磁気記録層に、金属酸化物または半導体酸化物を含むＣｏ合金を用いる場合には、垂直磁気記録層は、非加熱条件（例えば基板温度１００℃未満）で形成するのが好ましい。この温度が高すぎると、粒径が大きくなり、粒子と母材の分離が不十分となりやすい。
垂直磁気記録層に、金属酸化物または半導体酸化物を含まないＣｏ合金を用いる場合には、垂直磁気記録層は、加熱条件（例えば基板温度１００℃以上）で形成するのが好ましい。この温度が低すぎると、垂直磁気記録層において偏析が不十分となりやすい。
垂直磁気記録層に、金属酸化物または半導体酸化物を含まないＣｏ合金を用いる場合には、垂直磁気記録層は、加熱条件（例えば基板温度１００℃以上）で形成するのが好ましい。この温度が低すぎると、垂直磁気記録層において偏析が不十分となりやすい。
垂直磁気記録層に、金属酸化物または半導体酸化物を含まないＣｏ合金を用いる場合には、垂直磁気記録層の直下に、このＣｏ合金よりもＣｏ濃度が低いＣｏ合金（ＣｏＣｒ合金、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金、ＣｏＣｒＰｔＯ合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ合金など）からなる弱磁性下地層を設けることができる。なお、弱磁性下地層は非磁性であってもよい。
垂直磁気記録層上には、Ｃ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などからなる保護層を設けることができる。
保護層上には、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などからなる潤滑層を設けることができる。
保護層上には、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などからなる潤滑層を設けることができる。
上記各層は、基板の片面に形成してもよいし、両面に形成してもよい。上記各層は、スパッタ法によって形成することができる。
以下、具体例を示して本発明をより詳細に説明する。
図１に示す磁気記録媒体は、基板１上に、硬磁性層２と、軟磁性層３と、シード層４と、下地層５と、垂直磁気記録層６と、保護層７とが順に積層された構成を有する。
図２に示す磁気記録媒体は、軟磁性層３に代えて、２つの軟磁性層３ａ、３ｂを有する点で図１に示す磁気記録媒体と異なる。
図３に示す磁気記録媒体は、硬磁性層２を備えていない点で図１に示す磁気記録媒体と異なる。
図１に示す磁気記録媒体は、基板１上に、硬磁性層２と、軟磁性層３と、シード層４と、下地層５と、垂直磁気記録層６と、保護層７とが順に積層された構成を有する。
図２に示す磁気記録媒体は、軟磁性層３に代えて、２つの軟磁性層３ａ、３ｂを有する点で図１に示す磁気記録媒体と異なる。
図３に示す磁気記録媒体は、硬磁性層２を備えていない点で図１に示す磁気記録媒体と異なる。
以下、本発明で得られる効果について説明する。
一般に、垂直磁気記録媒体の軟磁性層は、書き込みの際は、磁気ヘッドから発生する磁束の磁路の一部を形成し、読み込みの際は、磁気記録層からの磁束漏洩を助長する役割を果たす。
従来、磁束の効果を十分に発揮させるためには、軟磁性層は厚く、保磁力は小さい方が好ましいとされてきた。
また、軟磁性層においてノイズの原因となる微細な磁区が形成するのを防ぐには、磁気異方性を抑える方が好ましいとされてきた。
また、軟磁性層の静磁エネルギーが大きい場合には還流磁区の形成により磁壁形成が進行するため、従来、ノイズを低減するには静磁エネルギーを抑えることが好ましいという考え方が一般的であった。
しかしながら、本発明者の検討によって、従来、好ましいとされてきた特性をもつ磁気記録媒体では、軟磁性層全体を複数領域に大きく分断する磁壁が発生しやすくなることがわかった。
一般に、垂直磁気記録媒体の軟磁性層は、書き込みの際は、磁気ヘッドから発生する磁束の磁路の一部を形成し、読み込みの際は、磁気記録層からの磁束漏洩を助長する役割を果たす。
従来、磁束の効果を十分に発揮させるためには、軟磁性層は厚く、保磁力は小さい方が好ましいとされてきた。
また、軟磁性層においてノイズの原因となる微細な磁区が形成するのを防ぐには、磁気異方性を抑える方が好ましいとされてきた。
また、軟磁性層の静磁エネルギーが大きい場合には還流磁区の形成により磁壁形成が進行するため、従来、ノイズを低減するには静磁エネルギーを抑えることが好ましいという考え方が一般的であった。
しかしながら、本発明者の検討によって、従来、好ましいとされてきた特性をもつ磁気記録媒体では、軟磁性層全体を複数領域に大きく分断する磁壁が発生しやすくなることがわかった。
本発明の磁気記録媒体において、軟磁性層は、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上である。
軟磁性層の厚さを上記範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、Ｂｓ・Ｈｃを上記範囲とすることによって静磁エネルギーを十分に大きくすることができる。
本発明の磁気記録媒体では、軟磁性層に面内方向の磁気異方性を与え、かつ静磁エネルギーを大きくするため、軟磁性層における磁壁形成を抑制することができる。
従って、軟磁性層に起因するノイズを抑えることができ、高密度記録が可能となる。
軟磁性層の厚さを上記範囲とすることによって、面内方向の磁気異方性を安定させることができる。また、Ｂｓ・Ｈｃを上記範囲とすることによって静磁エネルギーを十分に大きくすることができる。
本発明の磁気記録媒体では、軟磁性層に面内方向の磁気異方性を与え、かつ静磁エネルギーを大きくするため、軟磁性層における磁壁形成を抑制することができる。
従って、軟磁性層に起因するノイズを抑えることができ、高密度記録が可能となる。
軟磁性層が面内方向の磁気異方性を有し、かつ静磁エネルギーが大きい場合に、磁壁形成が抑制される理由については、次に示す推測が可能である。
図４に示すように、半径方向に延びる磁壁２１と、磁壁２１の一端から外周縁に向けて延びる２つの磁壁２２、２２と、磁壁２１の他端から内周縁に向けて延びる２つの磁壁２３、２３とによって、還流磁区である磁区２４〜２７が形成された軟磁性層を想定する。
軟磁性層に面内方向（図示例では半径方向）の磁気異方性を与えることによって、矢印で示す磁化方向が磁気異方性の方向に一致する磁区２４、２６は、半径方向に拡大しやすくなる。
よって、破線で示すように、磁壁２２、２３はそれぞれ外周縁および内周縁により近い位置に形成されやすくなり、磁区２５、２７は小さくなる。このため、静磁エネルギーは大きくなる。
軟磁性層に与えられた磁気異方性が十分に大きければ、外周側および内周側の磁区２５、２７は形成されない。すなわち、磁壁２２、２３は形成されないことになる。
このように、磁壁２２、２３の形成を抑制できることから、磁壁２２、２３を原因とするノイズ発生を低減できる。
この例では、軟磁性層の磁気異方性が半径方向に向いているため、磁気異方性が比較的小さい場合でも磁壁２２、２３は形成されにくい。
図４に示すように、半径方向に延びる磁壁２１と、磁壁２１の一端から外周縁に向けて延びる２つの磁壁２２、２２と、磁壁２１の他端から内周縁に向けて延びる２つの磁壁２３、２３とによって、還流磁区である磁区２４〜２７が形成された軟磁性層を想定する。
軟磁性層に面内方向（図示例では半径方向）の磁気異方性を与えることによって、矢印で示す磁化方向が磁気異方性の方向に一致する磁区２４、２６は、半径方向に拡大しやすくなる。
よって、破線で示すように、磁壁２２、２３はそれぞれ外周縁および内周縁により近い位置に形成されやすくなり、磁区２５、２７は小さくなる。このため、静磁エネルギーは大きくなる。
軟磁性層に与えられた磁気異方性が十分に大きければ、外周側および内周側の磁区２５、２７は形成されない。すなわち、磁壁２２、２３は形成されないことになる。
このように、磁壁２２、２３の形成を抑制できることから、磁壁２２、２３を原因とするノイズ発生を低減できる。
この例では、軟磁性層の磁気異方性が半径方向に向いているため、磁気異方性が比較的小さい場合でも磁壁２２、２３は形成されにくい。
図５は、本発明の磁気記録再生装置（垂直磁気記録装置）の一例を示す一部分解斜視図である。
ここに示す磁気記録再生装置は、上面側が開口した矩形箱状の筐体１１と、筐体１１の開口を塞ぐトップカバーを有する。
筐体１１内には、上述の構成を有する磁気記録媒体１２、この磁気記録媒体１２を支持および回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ１３、磁気記録媒体１２に対して磁気信号の記録および再生を行う磁気ヘッド１４（単磁極ヘッド）、磁気ヘッド１４を先端に搭載したサスペンションを有しかつ磁気ヘッド１４を磁気記録媒体１２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ１５、ヘッドアクチュエータ１５を回転自在に支持する回転軸１６、回転軸１６を介してヘッドアクチュエータ１５を回転および位置決めするボイスコイルモータ１７、ヘッドアンプ回路１８が収納されている。
ここに示す磁気記録再生装置は、上面側が開口した矩形箱状の筐体１１と、筐体１１の開口を塞ぐトップカバーを有する。
筐体１１内には、上述の構成を有する磁気記録媒体１２、この磁気記録媒体１２を支持および回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ１３、磁気記録媒体１２に対して磁気信号の記録および再生を行う磁気ヘッド１４（単磁極ヘッド）、磁気ヘッド１４を先端に搭載したサスペンションを有しかつ磁気ヘッド１４を磁気記録媒体１２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ１５、ヘッドアクチュエータ１５を回転自在に支持する回転軸１６、回転軸１６を介してヘッドアクチュエータ１５を回転および位置決めするボイスコイルモータ１７、ヘッドアンプ回路１８が収納されている。
（実施例１）
図１に示す磁気記録媒体を次に示すように作製した。
以下に示す製造方法において、スパッタ法では、真空度を３×１０−５Ｐａ以下としたチャンバーを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用した。
ガラスからなる基板１上に、面内方向の磁気異方性をもつ硬磁性層２をスパッタ法により形成した。硬磁性層２は、Ｖからなる第１層（厚さ４０ｎｍ）上に、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｐｔ−８ａｔ％Ｃｒからなる第２層（厚さ２０ｎｍ）を有する構成とした。
第１層を形成する際には、Ｖからなるターゲットを用い、チャンバー内圧を０．６Ｐａとした。第２層を形成する際には上記ＣｏＰｔＣｒからなるターゲットを用い、チャンバー内圧を０．５Ｐａとした。
次いで、硬磁性層２上に、Ｆｅ−２７ａｔ％Ｃｏ−８ａｔ％Ｂ−２ａｔ％Ｃからなる軟磁性層３（厚さ８０ｎｍ）を形成した。
軟磁性層３を形成する際には、上記ＦｅＣｏＢＣ（Ｆｅ−２７ａｔ％Ｃｏ−８ａｔ％Ｂ−２ａｔ％Ｃ）からなるターゲットの背面に、磁束がターゲットの中心から外周に向けて放射状に漏洩するように希土類永久磁石を設けて放電を行った（チャンバー内圧：０．６Ｐａ）。
次いで、軟磁性層３上に、Ｎｉ−３０ａｔ％Ｔａターゲットを用いて、このＮｉＴａからなるシード層４（厚さ７ｎｍ）を形成した（チャンバー内圧：０．７Ｐａ）。
上記各層を形成する際には、ターゲットに供給する電力をＤＣ５００Ｗとした。
次いで、シード層４上に、Ｒｕからなるターゲットを用いて、Ｒｕからなる下地層５（厚さ５ｎｍ）を形成した。下地層５を形成する際には、チャンバー内圧を３．０Ｐａとし、ターゲットへの供給電力はＤＣ２５０Ｗとした。
次いで、下地層５上に、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２からなる垂直磁気記録層６（厚さ１０ｎｍ）を形成した。
垂直磁気記録層６を形成する際には、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１２ａｔ％Ｃｒ粒子とＳｉＯ２粒子をモル比ＣｏＰｔＣｒ：ＳｉＯ２＝１１：１になるように一様に混合して焼結して得られたＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２ターゲットを用いた。チャンバー内圧は６．０Ｐａとし、ターゲットへの供給電力はＲＦ２００Ｗとした。
次いで、垂直磁気記録層６上に、Ｃからなるターゲットを用いて、Ｃからなる保護層７（厚さ７ｎｍ）を形成した。保護層７を形成する際には、チャンバー内圧は０．５Ｐａとし、ターゲットへの供給電力はＤＣ１０００Ｗとした。
次いで、保護層７上に、ディップ法により、ＰＦＰＥ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ）からなる潤滑剤を、厚さが１．５ｎｍとなるように塗布し、図１に示す構成の磁気記録媒体Ａを得た。
媒体Ａは、基板１上に、硬磁性層２、ＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３、ＮｉＴａからなるシード層４、Ｒｕからなる下地層５、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２からなる磁気記録層６、Ｃからなる保護層７、および図示しない潤滑層を順に積層した構成を有する。
図６に示す着磁装置３１を用いて、媒体Ａに両面から半径方向のパルス磁界（１００００（Ｏｅ））を加え、媒体Ａを着磁させた。
図１に示す磁気記録媒体を次に示すように作製した。
以下に示す製造方法において、スパッタ法では、真空度を３×１０−５Ｐａ以下としたチャンバーを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用した。
ガラスからなる基板１上に、面内方向の磁気異方性をもつ硬磁性層２をスパッタ法により形成した。硬磁性層２は、Ｖからなる第１層（厚さ４０ｎｍ）上に、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｐｔ−８ａｔ％Ｃｒからなる第２層（厚さ２０ｎｍ）を有する構成とした。
第１層を形成する際には、Ｖからなるターゲットを用い、チャンバー内圧を０．６Ｐａとした。第２層を形成する際には上記ＣｏＰｔＣｒからなるターゲットを用い、チャンバー内圧を０．５Ｐａとした。
次いで、硬磁性層２上に、Ｆｅ−２７ａｔ％Ｃｏ−８ａｔ％Ｂ−２ａｔ％Ｃからなる軟磁性層３（厚さ８０ｎｍ）を形成した。
軟磁性層３を形成する際には、上記ＦｅＣｏＢＣ（Ｆｅ−２７ａｔ％Ｃｏ−８ａｔ％Ｂ−２ａｔ％Ｃ）からなるターゲットの背面に、磁束がターゲットの中心から外周に向けて放射状に漏洩するように希土類永久磁石を設けて放電を行った（チャンバー内圧：０．６Ｐａ）。
次いで、軟磁性層３上に、Ｎｉ−３０ａｔ％Ｔａターゲットを用いて、このＮｉＴａからなるシード層４（厚さ７ｎｍ）を形成した（チャンバー内圧：０．７Ｐａ）。
上記各層を形成する際には、ターゲットに供給する電力をＤＣ５００Ｗとした。
次いで、シード層４上に、Ｒｕからなるターゲットを用いて、Ｒｕからなる下地層５（厚さ５ｎｍ）を形成した。下地層５を形成する際には、チャンバー内圧を３．０Ｐａとし、ターゲットへの供給電力はＤＣ２５０Ｗとした。
次いで、下地層５上に、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２からなる垂直磁気記録層６（厚さ１０ｎｍ）を形成した。
垂直磁気記録層６を形成する際には、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１２ａｔ％Ｃｒ粒子とＳｉＯ２粒子をモル比ＣｏＰｔＣｒ：ＳｉＯ２＝１１：１になるように一様に混合して焼結して得られたＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２ターゲットを用いた。チャンバー内圧は６．０Ｐａとし、ターゲットへの供給電力はＲＦ２００Ｗとした。
次いで、垂直磁気記録層６上に、Ｃからなるターゲットを用いて、Ｃからなる保護層７（厚さ７ｎｍ）を形成した。保護層７を形成する際には、チャンバー内圧は０．５Ｐａとし、ターゲットへの供給電力はＤＣ１０００Ｗとした。
次いで、保護層７上に、ディップ法により、ＰＦＰＥ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ）からなる潤滑剤を、厚さが１．５ｎｍとなるように塗布し、図１に示す構成の磁気記録媒体Ａを得た。
媒体Ａは、基板１上に、硬磁性層２、ＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３、ＮｉＴａからなるシード層４、Ｒｕからなる下地層５、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２からなる磁気記録層６、Ｃからなる保護層７、および図示しない潤滑層を順に積層した構成を有する。
図６に示す着磁装置３１を用いて、媒体Ａに両面から半径方向のパルス磁界（１００００（Ｏｅ））を加え、媒体Ａを着磁させた。
媒体Ａの特性を評価するため、次に示すサンプル１〜３を作製した。サンプル１〜３に用いられる基板１および各層の構成は媒体Ａと同様にした。
基板１上に、硬磁性層２、軟磁性層３、シード層４、下地層５、垂直磁気記録層６を順次形成し、サンプル１とした。
基板１上に、軟磁性層３のみを形成し、サンプル２とした。
基板１上に、硬磁性層２、軟磁性層３、シード層４、下地層５、垂直磁気記録層６を順次形成して得たサンプルを、着磁装置３１を用いて着磁させ、サンプル３とした。
サンプル１〜３から、１辺が１ｃｍとなる正方形の試験片を切り取った。この試験片は、向かい合う２つの辺がほぼサンプル１〜３の半径方向に沿うようにされる。
サンプル１〜３の試験片を、次に示すように、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）による静磁気特性評価に供した。結果を表１に示す。
基板１上に、硬磁性層２、軟磁性層３、シード層４、下地層５、垂直磁気記録層６を順次形成し、サンプル１とした。
基板１上に、軟磁性層３のみを形成し、サンプル２とした。
基板１上に、硬磁性層２、軟磁性層３、シード層４、下地層５、垂直磁気記録層６を順次形成して得たサンプルを、着磁装置３１を用いて着磁させ、サンプル３とした。
サンプル１〜３から、１辺が１ｃｍとなる正方形の試験片を切り取った。この試験片は、向かい合う２つの辺がほぼサンプル１〜３の半径方向に沿うようにされる。
サンプル１〜３の試験片を、次に示すように、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）による静磁気特性評価に供した。結果を表１に示す。
サンプル１について、最大１５ｋＯｅの外部磁界を加えて角型比ＲＳ、保磁力Ｈｃを測定したところ、半径方向、円周方向のいずれについても、残留磁化を飽和磁化で除した値である角型比ＲＳが０．９６であり、保磁力Ｈｃが２８００（Ｏｅ）であった。
サンプル２について、最大１００（Ｏｅ）の外部磁界を加えて飽和磁束密度Ｂｓ、Ｈｃ、ＲＳを測定したところ、Ｂｓが１６０００Ｇ、半径方向のＨｃが０．７（Ｏｅ）、円周方向のＨｃが５０（Ｏｅ）、ＲＳが１．０であった。
また、円周方向についてヒステリシスループ（ＢＨ曲線）を作成したところ、外部磁界を大きくしても飽和磁束密度を確定できなかったことから、磁化容易軸が半径方向を向いている（すなわち磁気異方性が半径方向に向いている）と判断された。
サンプル２のＢｓ・Ｈｃは１１．２ｋＧ・Ｏｅ（８８．５Ｔ・Ａ／ｍ）であった。
また、サンプル３の半径方向についてヒステリシスループを作成したところ、このループの中心点が、サンプル２の半径方向について作成されたループの中心点よりＨの正方向に約５０（Ｏｅ）ずれた位置にあった。
サンプル２、３のループ中心点のずれ幅は、半径方向について測定した場合に最も大きいことが確認された。
このことから、硬磁性層２の磁化方向と、軟磁性層３の磁気異方性の方向とがいずれも半径方向であると判断された。
サンプル２について、最大１００（Ｏｅ）の外部磁界を加えて飽和磁束密度Ｂｓ、Ｈｃ、ＲＳを測定したところ、Ｂｓが１６０００Ｇ、半径方向のＨｃが０．７（Ｏｅ）、円周方向のＨｃが５０（Ｏｅ）、ＲＳが１．０であった。
また、円周方向についてヒステリシスループ（ＢＨ曲線）を作成したところ、外部磁界を大きくしても飽和磁束密度を確定できなかったことから、磁化容易軸が半径方向を向いている（すなわち磁気異方性が半径方向に向いている）と判断された。
サンプル２のＢｓ・Ｈｃは１１．２ｋＧ・Ｏｅ（８８．５Ｔ・Ａ／ｍ）であった。
また、サンプル３の半径方向についてヒステリシスループを作成したところ、このループの中心点が、サンプル２の半径方向について作成されたループの中心点よりＨの正方向に約５０（Ｏｅ）ずれた位置にあった。
サンプル２、３のループ中心点のずれ幅は、半径方向について測定した場合に最も大きいことが確認された。
このことから、硬磁性層２の磁化方向と、軟磁性層３の磁気異方性の方向とがいずれも半径方向であると判断された。
磁気記録媒体Ａについて、Ｋｅｒｒ効果磁気測定装置を用いて、最大２０ｋＯｅの外部磁界を加えて静磁気特性を評価した。保磁力Ｈｃ、角型比Ｒｓ、核生成磁界（−Ｈｎ）を表１に示す。
また、単磁極ヘッドを用いて、媒体Ａに信号を書き込み、ＭＲヘッドを用いて信号を読み取る方法によりＲ／Ｗ特性の評価を行った（以下、Ｒ／Ｗ測定という）。
Ｒ／Ｗ測定では、ＳＮＲｍ、オーバーライト特性（ＯＷ）、半値幅（ｄＰＷ５０）を測定した。結果を表１に示す。
測定点は、半径２０ｍｍに相当する位置とし、媒体の回転速度は４２００ｒｐｍとした。
ＳＮＲｍについて、Ｓは７１６ｋＦＣＩの孤立波形の１磁化反転におけるピーク値、すなわち最大値と最小値の差を１／２にした値である。Ｎｍは、６０ｋＦＣＩでのｒｍｓ値（ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａｒｅ−ｉｎｃｈｅｓ）である。
オーバーライト特性は、３５８ｋＦＣＩでの記録信号を書き込んだ後、４８ｋＦＣＩの信号を上書きした際の、上書き前の信号出力と上書き後の消え残り信号出力との比を示す。
ｄＰＷ５０は、分解能特性を示すもので、再生波形を微分して得られた孤立波のピーク値の５０％における幅（ｎｍ）である。
また、単磁極ヘッドを用いて、媒体Ａに信号を書き込み、ＭＲヘッドを用いて信号を読み取る方法によりＲ／Ｗ特性の評価を行った（以下、Ｒ／Ｗ測定という）。
Ｒ／Ｗ測定では、ＳＮＲｍ、オーバーライト特性（ＯＷ）、半値幅（ｄＰＷ５０）を測定した。結果を表１に示す。
測定点は、半径２０ｍｍに相当する位置とし、媒体の回転速度は４２００ｒｐｍとした。
ＳＮＲｍについて、Ｓは７１６ｋＦＣＩの孤立波形の１磁化反転におけるピーク値、すなわち最大値と最小値の差を１／２にした値である。Ｎｍは、６０ｋＦＣＩでのｒｍｓ値（ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａｒｅ−ｉｎｃｈｅｓ）である。
オーバーライト特性は、３５８ｋＦＣＩでの記録信号を書き込んだ後、４８ｋＦＣＩの信号を上書きした際の、上書き前の信号出力と上書き後の消え残り信号出力との比を示す。
ｄＰＷ５０は、分解能特性を示すもので、再生波形を微分して得られた孤立波のピーク値の５０％における幅（ｎｍ）である。
（比較例１〜３）
媒体Ａ（実施例１）のＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３に代えて、Ｃｏ−６ａｔ％Ｚｒ−１０ａｔ％Ｎｂからなる軟磁性層３を有する磁気記録媒体Ｂ、Ｃ、Ｄを作製した。媒体Ｂ、Ｃ、Ｄの軟磁性層３の厚さはそれぞれ８０ｎｍ、１６０ｎｍ、２４０ｎｍとした。
軟磁性層３を形成する際には、上記ＣｏＺｒＮｂ（Ｃｏ−６ａｔ％Ｚｒ−１０ａｔ％Ｎｂ）からなるターゲットの背面に、磁束がターゲットの中心から外周に向けて放射状に漏洩するように希土類永久磁石を設けて放電を行った。その他の条件は実施例１と同様とした。
媒体Ａ（実施例１）のＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３に代えて、Ｃｏ−６ａｔ％Ｚｒ−１０ａｔ％Ｎｂからなる軟磁性層３を有する磁気記録媒体Ｂ、Ｃ、Ｄを作製した。媒体Ｂ、Ｃ、Ｄの軟磁性層３の厚さはそれぞれ８０ｎｍ、１６０ｎｍ、２４０ｎｍとした。
軟磁性層３を形成する際には、上記ＣｏＺｒＮｂ（Ｃｏ−６ａｔ％Ｚｒ−１０ａｔ％Ｎｂ）からなるターゲットの背面に、磁束がターゲットの中心から外周に向けて放射状に漏洩するように希土類永久磁石を設けて放電を行った。その他の条件は実施例１と同様とした。
媒体Ｂ、Ｃ、Ｄの軟磁性層３の特性を評価するため、基板１上に、上記ＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層３のみを形成したサンプル４〜６を作製した。サンプル４〜６に用いられる基板１および軟磁性層３の構成は、それぞれ媒体Ｂ、Ｃ、Ｄと同様にした。
サンプル４〜６の試験片を静磁気特性評価に供した結果、サンプル４〜６は、いずれも磁気異方性が半径方向を向いていたことが確認された。
サンプル４〜６のＢｓはいずれも１２０００Ｇであった。サンプル４〜６の半径方向のＨｃはそれぞれ０．７（Ｏｅ）、０．５（Ｏｅ）、０．１（Ｏｅ）であった。
サンプル４〜６のＢｓ・Ｈｃは、それぞれ８．４ｋＧ・Ｏｅ、６．０ｋＧ・Ｏｅ、１．２ｋＧ・Ｏｅであった。
サンプル４〜６の試験片を静磁気特性評価に供した結果、サンプル４〜６は、いずれも磁気異方性が半径方向を向いていたことが確認された。
サンプル４〜６のＢｓはいずれも１２０００Ｇであった。サンプル４〜６の半径方向のＨｃはそれぞれ０．７（Ｏｅ）、０．５（Ｏｅ）、０．１（Ｏｅ）であった。
サンプル４〜６のＢｓ・Ｈｃは、それぞれ８．４ｋＧ・Ｏｅ、６．０ｋＧ・Ｏｅ、１．２ｋＧ・Ｏｅであった。
（比較例４、５）
上記ＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３を形成するにあたって、ターゲット背面の永久磁石を使用しないこと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｅを作製した。
上記ＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３の厚さを１２０ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｆを作製した。
基板１上に、上記ＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層３のみを形成したサンプル７、８を作製した。サンプル７、８に用いられる基板１および軟磁性層３の構成は、それぞれ媒体Ｅ、Ｆと同様にした。
サンプル７は、静磁気的に等方であり異方性はなかった。保磁力Ｈｃは１．０（Ｏｅ）であった。サンプル８は、磁気異方性が半径方向を向いており、半径方向の保磁力Ｈｃは０．８（Ｏｅ）であった。サンプル７、８のＢｓはいずれも１６０００Ｇであった。
サンプル７、８のＢｓ・Ｈｃは、それぞれ１６．０ｋＧ・Ｏｅ、１２．８ｋＧ・Ｏｅであった。
上記ＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３を形成するにあたって、ターゲット背面の永久磁石を使用しないこと以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｅを作製した。
上記ＦｅＣｏＢＣからなる軟磁性層３の厚さを１２０ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｆを作製した。
基板１上に、上記ＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層３のみを形成したサンプル７、８を作製した。サンプル７、８に用いられる基板１および軟磁性層３の構成は、それぞれ媒体Ｅ、Ｆと同様にした。
サンプル７は、静磁気的に等方であり異方性はなかった。保磁力Ｈｃは１．０（Ｏｅ）であった。サンプル８は、磁気異方性が半径方向を向いており、半径方向の保磁力Ｈｃは０．８（Ｏｅ）であった。サンプル７、８のＢｓはいずれも１６０００Ｇであった。
サンプル７、８のＢｓ・Ｈｃは、それぞれ１６．０ｋＧ・Ｏｅ、１２．８ｋＧ・Ｏｅであった。
磁気記録媒体Ｅ、Ｆについて、実施例１と同様にして静磁気特性を評価した。結果を表１に示す。
表１より、実施例１の媒体Ａは、電磁変換特性（ＳＮＲｍ、ＯＷ、ｄＰＷ５０）について比較例の媒体よりも優れた値を示したことがわかる。
また、比較例５の媒体Ｆは、ＳＮＲｍ、ＯＷについて、他の比較例の媒体に比べ優れていた。これは、Ｂｓ・Ｈｃが比較的大きいことが原因であると考えられる。
また、比較例４の媒体Ｅは、軟磁性層３のＢｓ・Ｈｃが大きいものの、異方性をもたないためにＳＮＲｍが低くなったと考えられる。
ｄＰＷ５０については、実施例１の媒体Ａは、いずれの比較例よりも優れていた。
図４は、実施例１の媒体ＡのＤＣイレーズ後のディスク１周分の波形を示すものである。この図に示すように、信号はほとんど観察されなかった。
図５は、比較例１の媒体Ｂの波形を示すものである。この図に示すように、スパイクノイズが観察された。比較例２〜５の媒体Ｃ〜Ｆについても、同様にスパイクノイズが観察された。
比較例１、４の媒体Ｂ、Ｅについて、着磁装置３１を用いて軟磁性層３を着磁させた後、Ｒ／Ｗ測定を行わずに波形を観察すると、スパイクノイズはほとんど観察されなくなったが、続いてＲ／Ｗ測定を行うと、スパイクノイズが観察されるようになった。
これに対し、実施例１の媒体Ａでは、Ｒ／Ｗ測定後にもスパイクノイズは観察されなかった。
これらの結果より、実施例１の媒体Ａでは、Ｒ／Ｗ測定を行った場合でも磁区が形成されることはなかったが、比較例の媒体では、Ｒ／Ｗ測定によって磁区が形成され、それがスパイクノイズの発生を招き、Ｒ／Ｗ測定値に悪影響を及ぼしたと考えられる。
また、比較例５の媒体Ｆは、ＳＮＲｍ、ＯＷについて、他の比較例の媒体に比べ優れていた。これは、Ｂｓ・Ｈｃが比較的大きいことが原因であると考えられる。
また、比較例４の媒体Ｅは、軟磁性層３のＢｓ・Ｈｃが大きいものの、異方性をもたないためにＳＮＲｍが低くなったと考えられる。
ｄＰＷ５０については、実施例１の媒体Ａは、いずれの比較例よりも優れていた。
図４は、実施例１の媒体ＡのＤＣイレーズ後のディスク１周分の波形を示すものである。この図に示すように、信号はほとんど観察されなかった。
図５は、比較例１の媒体Ｂの波形を示すものである。この図に示すように、スパイクノイズが観察された。比較例２〜５の媒体Ｃ〜Ｆについても、同様にスパイクノイズが観察された。
比較例１、４の媒体Ｂ、Ｅについて、着磁装置３１を用いて軟磁性層３を着磁させた後、Ｒ／Ｗ測定を行わずに波形を観察すると、スパイクノイズはほとんど観察されなくなったが、続いてＲ／Ｗ測定を行うと、スパイクノイズが観察されるようになった。
これに対し、実施例１の媒体Ａでは、Ｒ／Ｗ測定後にもスパイクノイズは観察されなかった。
これらの結果より、実施例１の媒体Ａでは、Ｒ／Ｗ測定を行った場合でも磁区が形成されることはなかったが、比較例の媒体では、Ｒ／Ｗ測定によって磁区が形成され、それがスパイクノイズの発生を招き、Ｒ／Ｗ測定値に悪影響を及ぼしたと考えられる。
比較例１（媒体Ｂ）の結果より、たとえ軟磁性層３の磁気異方性が半径方向に向き、軟磁性層３の厚さが１００ｎｍ未満であったとしても、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）を下回った場合には、スパイクノイズが発生することがわかる。
また、比較例２、３（媒体Ｃ、Ｄ）の結果より、軟磁性層３の厚さが１００ｎｍ以上で、かつＢｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）を下回った場合にも、スパイクノイズが発生することがわかる。
また、比較例４（媒体Ｅ）の結果より、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であったとしても、磁気異方性が低い場合には、スパイクノイズが発生することがわかる。
また、比較例５（媒体Ｆ）の結果より、軟磁性層３の厚さが１００ｎｍ以上であった場合には、やはりスパイクノイズが発生することがわかる。
スパイクノイズは、いずれの場合にも、Ｒ／Ｗ測定値を劣化させた。
以上より、厚さが１００ｎｍ未満であり、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であり、磁気異方性が面内方向を向いた軟磁性層３を裏打ち層として用いることにより、軟磁性層３における磁壁の形成を抑え、Ｒ／Ｗ特性の優れた磁気記録媒体を得ることができた。
また、比較例２、３（媒体Ｃ、Ｄ）の結果より、軟磁性層３の厚さが１００ｎｍ以上で、かつＢｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）を下回った場合にも、スパイクノイズが発生することがわかる。
また、比較例４（媒体Ｅ）の結果より、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であったとしても、磁気異方性が低い場合には、スパイクノイズが発生することがわかる。
また、比較例５（媒体Ｆ）の結果より、軟磁性層３の厚さが１００ｎｍ以上であった場合には、やはりスパイクノイズが発生することがわかる。
スパイクノイズは、いずれの場合にも、Ｒ／Ｗ測定値を劣化させた。
以上より、厚さが１００ｎｍ未満であり、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であり、磁気異方性が面内方向を向いた軟磁性層３を裏打ち層として用いることにより、軟磁性層３における磁壁の形成を抑え、Ｒ／Ｗ特性の優れた磁気記録媒体を得ることができた。
（実施例２、３）
図３に示す磁気記録媒体を次に示すように作製した。
硬磁性層２を形成しないこと、軟磁性層３にＦｅ−２４ａｔ％Ｃｏ−１６ａｔ％Ｂ−４ａｔ％Ｃを用いること、軟磁性層３の厚さを５０ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｇを作製した。
実施例１と同様にして静磁気特性を評価したところ、軟磁性層３は、半径方向に磁気異方性をもち、Ｂｓが１９０００Ｇであり、Ｈｃが１０（Ｏｅ）であり、Ｂｓ・Ｈｃが１９０ｋＧ・Ｏｅ（１５００Ｔ・Ａ／ｍ）であることがわかった。測定結果を表２に示す。
図３に示す磁気記録媒体を次に示すように作製した。
硬磁性層２を形成しないこと、軟磁性層３にＦｅ−２４ａｔ％Ｃｏ−１６ａｔ％Ｂ−４ａｔ％Ｃを用いること、軟磁性層３の厚さを５０ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｇを作製した。
実施例１と同様にして静磁気特性を評価したところ、軟磁性層３は、半径方向に磁気異方性をもち、Ｂｓが１９０００Ｇであり、Ｈｃが１０（Ｏｅ）であり、Ｂｓ・Ｈｃが１９０ｋＧ・Ｏｅ（１５００Ｔ・Ａ／ｍ）であることがわかった。測定結果を表２に示す。
実施例２の媒体Ｇでは、実施例１の媒体Ａに比べ、ほぼ同等な値が得られた。
また、実施例１と同様に、Ｒ／Ｗ測定後にＤＣイレーズを行ったが、スパイクノイズは観察されなかった。
以上より、厚さが１００ｎｍ未満であり、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であり、磁気異方性が面内方向を向いた軟磁性層３を裏打ち層として用いることにより、硬磁性層２を用いない場合でも、軟磁性層３における磁壁の形成を抑え、Ｒ／Ｗ特性の優れた磁気記録媒体を提供することができた。
また、実施例１と同様に、Ｒ／Ｗ測定後にＤＣイレーズを行ったが、スパイクノイズは観察されなかった。
以上より、厚さが１００ｎｍ未満であり、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であり、磁気異方性が面内方向を向いた軟磁性層３を裏打ち層として用いることにより、硬磁性層２を用いない場合でも、軟磁性層３における磁壁の形成を抑え、Ｒ／Ｗ特性の優れた磁気記録媒体を提供することができた。
（実施例３）
軟磁性層３にＦｅ−２７ａｔ％Ｃｏ−１０ａｔ％Ｂを用いること以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｈを作製した。
媒体Ｈを２つの電磁石の間に配置し、２０００ｒｐｍで回転させながら電磁石から１００００（Ｏｅ）の磁界を発生させ、電磁石を内周から外周方向に直線的に移動させた後に媒体Ｈの回転を静止させることによって、硬磁性層２を着磁させた。
実施例１と同様にして、軟磁性層３の静磁気特性、磁気異方性の方向、硬磁性層２の磁化の方向を調べた。
軟磁性層３のＢｓは１６０００Ｇであり、Ｈｃは１．０（Ｏｅ）であり、Ｂｓ・Ｈｃは１６ｋＧ・Ｏｅであった。軟磁性層３の磁気異方性は半径方向に向いていたが、硬磁性層２の磁化の方向は、半径方向に対し円周方向に１０°ずれた方向であることがわかった。
測定結果を表２に示す。
軟磁性層３にＦｅ−２７ａｔ％Ｃｏ−１０ａｔ％Ｂを用いること以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｈを作製した。
媒体Ｈを２つの電磁石の間に配置し、２０００ｒｐｍで回転させながら電磁石から１００００（Ｏｅ）の磁界を発生させ、電磁石を内周から外周方向に直線的に移動させた後に媒体Ｈの回転を静止させることによって、硬磁性層２を着磁させた。
実施例１と同様にして、軟磁性層３の静磁気特性、磁気異方性の方向、硬磁性層２の磁化の方向を調べた。
軟磁性層３のＢｓは１６０００Ｇであり、Ｈｃは１．０（Ｏｅ）であり、Ｂｓ・Ｈｃは１６ｋＧ・Ｏｅであった。軟磁性層３の磁気異方性は半径方向に向いていたが、硬磁性層２の磁化の方向は、半径方向に対し円周方向に１０°ずれた方向であることがわかった。
測定結果を表２に示す。
実施例３の媒体Ｈでは、実施例１の媒体Ａに比べいずれの測定値もわずかに劣ったが、比較例の媒体Ｂ〜Ｆに比べて優れたＲ／Ｗ特性を示した。
また、Ｒ／Ｗ測定後にＤＣイレーズを行ったが、スパイクノイズは観察されなかった。
以上より、厚さが１００ｎｍ未満であり、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であり、磁気異方性が面内方向を向いた軟磁性層３を裏打ち層として用いることにより、硬磁性層２の磁化の方向が軟磁性層３の磁気異方性の方向に対しずれている場合でも、軟磁性層３における磁区の発生を抑え、Ｒ／Ｗ特性の優れた磁気記録媒体を提供することができた。
また、Ｒ／Ｗ測定後にＤＣイレーズを行ったが、スパイクノイズは観察されなかった。
以上より、厚さが１００ｎｍ未満であり、Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であり、磁気異方性が面内方向を向いた軟磁性層３を裏打ち層として用いることにより、硬磁性層２の磁化の方向が軟磁性層３の磁気異方性の方向に対しずれている場合でも、軟磁性層３における磁区の発生を抑え、Ｒ／Ｗ特性の優れた磁気記録媒体を提供することができた。
（実施例４）
以下、図面を参照して実施例４を説明する。
図９に示す磁気記録媒体を次のようにして作製した。
硬磁性層２を形成しないことと、軟磁性層１１１（厚さ２５ｎｍ）とＲｕ層１１２（厚さ５ｎｍ）（中間層）とを交互に積層した構造を軟磁性層３に代えて設けることを除いて、実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｉを作製した。
軟磁性層１１１はＦｅ−２４ａｔ％Ｃｏ−１６ａｔ％Ｂ−４ａｔ％Ｃからなり、この材料からなるターゲットを用いてスパッタ法により形成した。Ｒｕ層１１２は、Ｒｕからなるターゲットを用いてＤＣスパッタ法により形成した。
媒体Ｉは、３つの軟磁性層１１１が非磁性のＲｕ層１１２を介して積層された構造を有する。１つの軟磁性層１１１は媒体Ｇの軟磁性層３に比べ薄いが、軟磁性層１１１とＲｕ層１１２の厚さの合計は軟磁性層３の厚さより大きい。
実施例１と同様にして静磁気特性およびＲ／Ｗ特性を評価したところ、媒体Ｉの軟磁性層は、半径方向に磁気異方性をもち、Ｂｓが１８０００Ｇであり、Ｈｃが８（Ｏｅ）であり、Ｂｓ・Ｈｃが１４４ｋＧ・Ｏｅであることがわかった。測定結果を表３に示す。
以下、図面を参照して実施例４を説明する。
図９に示す磁気記録媒体を次のようにして作製した。
硬磁性層２を形成しないことと、軟磁性層１１１（厚さ２５ｎｍ）とＲｕ層１１２（厚さ５ｎｍ）（中間層）とを交互に積層した構造を軟磁性層３に代えて設けることを除いて、実施例１と同様にして磁気記録媒体Ｉを作製した。
軟磁性層１１１はＦｅ−２４ａｔ％Ｃｏ−１６ａｔ％Ｂ−４ａｔ％Ｃからなり、この材料からなるターゲットを用いてスパッタ法により形成した。Ｒｕ層１１２は、Ｒｕからなるターゲットを用いてＤＣスパッタ法により形成した。
媒体Ｉは、３つの軟磁性層１１１が非磁性のＲｕ層１１２を介して積層された構造を有する。１つの軟磁性層１１１は媒体Ｇの軟磁性層３に比べ薄いが、軟磁性層１１１とＲｕ層１１２の厚さの合計は軟磁性層３の厚さより大きい。
実施例１と同様にして静磁気特性およびＲ／Ｗ特性を評価したところ、媒体Ｉの軟磁性層は、半径方向に磁気異方性をもち、Ｂｓが１８０００Ｇであり、Ｈｃが８（Ｏｅ）であり、Ｂｓ・Ｈｃが１４４ｋＧ・Ｏｅであることがわかった。測定結果を表３に示す。
表３より、媒体Ｉでは、媒体Ａ、Ｇに比べ、ＳＮＲｍ、ＯＷ特性が良好であったことがわかる。これは、軟磁性層１１１の厚さの合計を７５ｎｍとし、かつＢｓ・Ｈｃの値を１０ｋＧ・Ｏｅ以上としたことによって磁気異方性が安定したためであると考えられる。
また、実施例１と同様にして、Ｒ／Ｗ測定した後、ＤＣイレーズ後のディスク１周分の波形を調べたところ、スパイクノイズは一切現れなかった。
また、媒体Ｉでは軟磁性層の数を３としたが、軟磁性層の数を２にした場合、および４にした場合にも、ＳＮＲｍ、ＯＷ特性が良好であり、かつスパイクノイズは観察されなかった。なお、これらの場合にも軟磁性層の厚さの合計は１００ｎｍ未満とした。
以上のように、複数の軟磁性層を備え、その厚さの合計が１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、Ｂｓ・Ｈｃが１０ｋＧ・Ｏｅ以上である構成によって、軟磁性層における磁区の発生を抑え、磁気異方性を安定に保ち、Ｒ／Ｗ特性に優れた磁気記録媒体が得られた。
また、実施例１と同様にして、Ｒ／Ｗ測定した後、ＤＣイレーズ後のディスク１周分の波形を調べたところ、スパイクノイズは一切現れなかった。
また、媒体Ｉでは軟磁性層の数を３としたが、軟磁性層の数を２にした場合、および４にした場合にも、ＳＮＲｍ、ＯＷ特性が良好であり、かつスパイクノイズは観察されなかった。なお、これらの場合にも軟磁性層の厚さの合計は１００ｎｍ未満とした。
以上のように、複数の軟磁性層を備え、その厚さの合計が１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、Ｂｓ・Ｈｃが１０ｋＧ・Ｏｅ以上である構成によって、軟磁性層における磁区の発生を抑え、磁気異方性を安定に保ち、Ｒ／Ｗ特性に優れた磁気記録媒体が得られた。
１…基板、２…硬磁性層、３、３ａ、３ｂ、１１１…軟磁性層、４…シード層、５…下地層、６…垂直磁気記録層、７…保護層
Claims (7)
- 基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する磁気記録媒体において、
前記軟磁性層は、厚さが１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた複数の軟磁性層とを有する磁気記録媒体において、
前記複数の軟磁性層は、厚さの合計が１００ｎｍ未満であり、面内方向の磁気異方性を有し、かつ飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃが７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記軟磁性層の磁気異方性の方向が、前記基板の半径方向であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
- 前記基板と軟磁性層との間に、軟磁性層での磁壁形成を抑える硬磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記硬磁性層は、前記軟磁性層の磁気異方性の方向にほぼ平行な方向に磁化されるようになっていることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
- 基板と、垂直磁気記録層と、これらの間に設けられた軟磁性層とを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、
前記軟磁性層を形成するにあたって、その厚さを１００ｎｍ未満とするとともに、磁気異方性を面内方向に向け、かつ飽和磁束密度Ｂｓと保磁力Ｈｃの積Ｂｓ・Ｈｃを７９Ｔ・Ａ／ｍ（１０ｋＧ・Ｏｅ）以上とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、この磁気ヘッドが単磁極ヘッドであることを特徴とする磁気記録再生装置。
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|---|---|---|---|---|
| WO2007074913A1 (en) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Showa Denko K.K. | Magentic recording medium and magnetic recording and reproducing device |
| JP2009043300A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JP2011248969A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
-
2005
- 2005-03-28 JP JP2005091826A patent/JP2005310356A/ja active Pending
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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