JP3448698B2 - 磁気記憶装置及び磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記憶装置及び磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの補助記
憶装置等に用いる磁気記憶装置およびこれに用いる磁気
記録媒体に関し、さらに詳しくは、高Ｓ／Ｎおよび低ビ
ットエラーの両方を達成可能となり、１平方インチ当た
り１ギガビット以上の高記録密度を有する磁気記憶装置
およびこの高記録密度を実現するのに好適な磁気記録媒
体に関する。
憶装置等に用いる磁気記憶装置およびこれに用いる磁気
記録媒体に関し、さらに詳しくは、高Ｓ／Ｎおよび低ビ
ットエラーの両方を達成可能となり、１平方インチ当た
り１ギガビット以上の高記録密度を有する磁気記憶装置
およびこの高記録密度を実現するのに好適な磁気記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平５−７３８８０号公報には、Ｃｏ
ＣｒＰｔ磁性層に酸化シリコン，酸化ジルコニウム，酸
化タンタル，窒化シリコン，窒化ボロン，窒化チタン，
窒化アルミニウムを添加した磁気記録媒体が開示されて
いる。また、特開平５−１９７９４４号公報には、Ｃｏ
ＮｉＰｔＭＯ磁性層またはＣｏＣｒＰｔＭＯ磁性層（Ｍ
は、Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｙ，Ｐ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｉｎ
から選ばれた少なくとも一つの元素）を用いた磁気記録
媒体が開示されている。
ＣｒＰｔ磁性層に酸化シリコン，酸化ジルコニウム，酸
化タンタル，窒化シリコン，窒化ボロン，窒化チタン，
窒化アルミニウムを添加した磁気記録媒体が開示されて
いる。また、特開平５−１９７９４４号公報には、Ｃｏ
ＮｉＰｔＭＯ磁性層またはＣｏＣｒＰｔＭＯ磁性層（Ｍ
は、Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｙ，Ｐ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｉｎ
から選ばれた少なくとも一つの元素）を用いた磁気記録
媒体が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気記録媒
体では、磁気記録媒体の磁性層中に酸化物や窒化物を添
加することで、保磁力を高くし、媒体ノイズを小さくし
ている。しかし、本発明の発明者らの検討結果では、上
記従来の磁気記録媒体を用いても、１５０ｋＦＣＩ（Ｆ
lux Ｃhanges per Ｉnch）以上の高い線記録密度領域に
おける媒体ノイズの低減は不十分であり、１平方インチ
当たり１ギガビット以上の高記録密度を実現することが
困難な問題点がある。そこで、本発明の目的は、上記従
来技術の問題点を解決し、高Ｓ／Ｎおよび低ビットエラ
ーの両方を達成可能となり、１平方インチ当たり１ギガ
ビット以上の高記録密度を可能とした磁気記憶装置およ
びこの高記録密度を実現するのに好適な磁気記録媒体を
提供することにある。
体では、磁気記録媒体の磁性層中に酸化物や窒化物を添
加することで、保磁力を高くし、媒体ノイズを小さくし
ている。しかし、本発明の発明者らの検討結果では、上
記従来の磁気記録媒体を用いても、１５０ｋＦＣＩ（Ｆ
lux Ｃhanges per Ｉnch）以上の高い線記録密度領域に
おける媒体ノイズの低減は不十分であり、１平方インチ
当たり１ギガビット以上の高記録密度を実現することが
困難な問題点がある。そこで、本発明の目的は、上記従
来技術の問題点を解決し、高Ｓ／Ｎおよび低ビットエラ
ーの両方を達成可能となり、１平方インチ当たり１ギガ
ビット以上の高記録密度を可能とした磁気記憶装置およ
びこの高記録密度を実現するのに好適な磁気記録媒体を
提供することにある。
【０００４】第１の観点では、本発明は、基板上に直接
もしくは下地層を介して磁性層が形成された磁気記録媒
体と、その磁気記録媒体に対する記録と再生を行う磁気
ヘッドとを具備する磁気記憶装置において、前記磁気記
録媒体は、酸化物または窒化物からなる群から選ばれた
少なくとも１種の非磁性化合物および実質的にＣｏとＰ
ｔからなる二元合金の混合物で構成され、前記Ｃｏに対
するＰｔのモル比が０.６以上，１.２以下であり、且つ
前記Ｃｏに対する前記酸化物または窒化物からなる非磁
性化合物のモル比が０.１以上，２.８以下である磁性膜
を有し、前記磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型の再生用磁
気ヘッドを含むことを特徴とする磁気記憶装置を提供す
る。
もしくは下地層を介して磁性層が形成された磁気記録媒
体と、その磁気記録媒体に対する記録と再生を行う磁気
ヘッドとを具備する磁気記憶装置において、前記磁気記
録媒体は、酸化物または窒化物からなる群から選ばれた
少なくとも１種の非磁性化合物および実質的にＣｏとＰ
ｔからなる二元合金の混合物で構成され、前記Ｃｏに対
するＰｔのモル比が０.６以上，１.２以下であり、且つ
前記Ｃｏに対する前記酸化物または窒化物からなる非磁
性化合物のモル比が０.１以上，２.８以下である磁性膜
を有し、前記磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型の再生用磁
気ヘッドを含むことを特徴とする磁気記憶装置を提供す
る。
【０００５】第２の観点では、本発明は、前記磁気記録
媒体の磁性層中のＣｏに対する前記酸化物または窒化物
からなる非磁性化合物のモル比が０.５以上，２.４以下
であることを特徴とする上記構成の磁気記憶装置を提供
する。
媒体の磁性層中のＣｏに対する前記酸化物または窒化物
からなる非磁性化合物のモル比が０.５以上，２.４以下
であることを特徴とする上記構成の磁気記憶装置を提供
する。
【０００６】第３の観点では、本発明は、前記非磁性化
合物は、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔ
ｉから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｘは１以
上かつ２．５以下の数値を表す）で表される酸化物また
は一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，Ａｌから選ばれた少な
くとも１種の元素を表し、ｙは１以上かつ１．３以下の
数値を表す）で表される窒化物であることを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の磁気記憶装置を提供す
る。
合物は、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔ
ｉから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｘは１以
上かつ２．５以下の数値を表す）で表される酸化物また
は一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，Ａｌから選ばれた少な
くとも１種の元素を表し、ｙは１以上かつ１．３以下の
数値を表す）で表される窒化物であることを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の磁気記憶装置を提供す
る。
【０００７】第４の観点では、本発明は、前記磁気抵抗
効果型の再生用の磁気ヘッドが２枚のシールド層とそれ
らの間に形成された磁気抵抗センサとを有し、前記２枚
のシールド層の間隔が０．３５μｍ以下であることを特
徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気
記憶装置を提供する。
効果型の再生用の磁気ヘッドが２枚のシールド層とそれ
らの間に形成された磁気抵抗センサとを有し、前記２枚
のシールド層の間隔が０．３５μｍ以下であることを特
徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気
記憶装置を提供する。
【０００８】第５の観点では、本発明は、磁気記録媒体
に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に磁界を印加し
て測定した残留磁束密度Ｂｒと当該磁気記録媒体の磁性
層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔが、１０ガウス・ミクロン以
上，１００ガウス・ミクロン以下であることを特徴とす
る請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気記憶装
置を提供する。
に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に磁界を印加し
て測定した残留磁束密度Ｂｒと当該磁気記録媒体の磁性
層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔが、１０ガウス・ミクロン以
上，１００ガウス・ミクロン以下であることを特徴とす
る請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気記憶装
置を提供する。
【０００９】第６の観点では、本発明は、前記磁気抵抗
効果型の再生用の磁気ヘッドが、互いの磁化方向が外部
磁界によって相対的に変化することによって大きな抵抗
変化を生じる複数の磁性層と該磁性層の間に配置された
非磁性層を含む磁気抵抗センサを有することを特徴とす
る上記構成の磁気記憶装置を提供する。
効果型の再生用の磁気ヘッドが、互いの磁化方向が外部
磁界によって相対的に変化することによって大きな抵抗
変化を生じる複数の磁性層と該磁性層の間に配置された
非磁性層を含む磁気抵抗センサを有することを特徴とす
る上記構成の磁気記憶装置を提供する。
【００１０】第７の観点では、本発明は、酸化物または
窒化物からなる群から選ばれた少なくとも１種の非磁性
化合物および実質的にＣｏとＰｔからなる二元合金の混
合物で構成され、前記Ｃｏに対するＰｔのモル比が０.
６以上，１.２以下であり、且つ前記Ｃｏに対する前記
酸化物または窒化物からなる非磁性化合物のモル比が
０.１以上，２.８以下である磁性膜を有することを特徴
とする磁気記憶媒体を提供する。
窒化物からなる群から選ばれた少なくとも１種の非磁性
化合物および実質的にＣｏとＰｔからなる二元合金の混
合物で構成され、前記Ｃｏに対するＰｔのモル比が０.
６以上，１.２以下であり、且つ前記Ｃｏに対する前記
酸化物または窒化物からなる非磁性化合物のモル比が
０.１以上，２.８以下である磁性膜を有することを特徴
とする磁気記憶媒体を提供する。
【００１１】第８の観点では、本発明は、前記磁性層中
のＣｏに対する前記酸化物または窒化物からなる非磁性
化合物のモル比が０.５以上，２.４以下であることを特
徴とする上記構成の磁気記録媒体を提供する。
のＣｏに対する前記酸化物または窒化物からなる非磁性
化合物のモル比が０.５以上，２.４以下であることを特
徴とする上記構成の磁気記録媒体を提供する。
【００１２】第９の観点では、本発明は、前記非磁性化
合物は、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔ
ｉから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｘは約１
以上かつ約２.５以下の数値を表す）で表される酸化物
または一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，Ａｌから選ばれた
少なくとも１種の元素を表し、ｙは約１以上かつ約１.
３以下の数値を表す）で表される窒化物であることを特
徴とする上記構成の磁気記録媒体を提供する。
合物は、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔ
ｉから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｘは約１
以上かつ約２.５以下の数値を表す）で表される酸化物
または一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，Ａｌから選ばれた
少なくとも１種の元素を表し、ｙは約１以上かつ約１.
３以下の数値を表す）で表される窒化物であることを特
徴とする上記構成の磁気記録媒体を提供する。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【作用】本発明の発明者らは、磁性層の組成を変えた磁
気記録媒体を種々作製し、磁気ヘッドと組み合わせた場
合に最適な組成を探索した。また、磁気ヘッドを変えて
前記磁気記録媒体と組み合わせた場合に最適な構造の磁
気ヘッドを探索した。その結果、本発明の磁気記憶装置
および磁気記録媒体を完成するに至った。
気記録媒体を種々作製し、磁気ヘッドと組み合わせた場
合に最適な組成を探索した。また、磁気ヘッドを変えて
前記磁気記録媒体と組み合わせた場合に最適な構造の磁
気ヘッドを探索した。その結果、本発明の磁気記憶装置
および磁気記録媒体を完成するに至った。
【００１９】上記第１の観点による磁気記憶装置では、
磁気記録媒体の磁性膜を、酸化物または窒化物からなる
群から選ばれた少なくとも１種の非磁性化合物および実
質的にＣｏとＰｔからなる二元合金の混合物で構成し、
且つ、Ｃｏに対するＰｔのモル比を０．６以上，１．２
以下とし、さらにＣｏに対する酸化物または窒化物から
なる非磁性化合物のモル比が０.１以上，２.８以下とし
た。また、磁気抵抗効果型の再生用磁気ヘッドを採用し
た。これにより、媒体Ｓ／Ｎを約２．０以上にすること
が出来た。なお、媒体Ｓ／Ｎとは、媒体ノイズ（ノイズ
全体から装置系のノイズを除いた値）に対する出力の比
である。また、Ｃｏに対する酸化物のモル比を０．１以
上とすると、規格化ノイズを０．０２５以下にできた。
なお、規格化ノイズとは、１５０ｋＦＣＩの記録密度で
信号を記録したときの媒体ノイズを１０ｋＦＣＩの信号
出力で規格化した値をいう。また、保磁力を２．４ｋＯ
ｅ以上にできた。一方、Ｃｏに対する酸化物のモル比を
２．８以下にすると、十分な出力が得られた。これによ
り、１５０ｋＦＣＩ以上の高い線記録密度領域における
媒体ノイズが十分低減され、１平方インチ当たり１ギガ
ビット以上の高記録密度を実現でき、ビットエラーレー
トの低い高信頼性の磁気記憶装置が得られた。
磁気記録媒体の磁性膜を、酸化物または窒化物からなる
群から選ばれた少なくとも１種の非磁性化合物および実
質的にＣｏとＰｔからなる二元合金の混合物で構成し、
且つ、Ｃｏに対するＰｔのモル比を０．６以上，１．２
以下とし、さらにＣｏに対する酸化物または窒化物から
なる非磁性化合物のモル比が０.１以上，２.８以下とし
た。また、磁気抵抗効果型の再生用磁気ヘッドを採用し
た。これにより、媒体Ｓ／Ｎを約２．０以上にすること
が出来た。なお、媒体Ｓ／Ｎとは、媒体ノイズ（ノイズ
全体から装置系のノイズを除いた値）に対する出力の比
である。また、Ｃｏに対する酸化物のモル比を０．１以
上とすると、規格化ノイズを０．０２５以下にできた。
なお、規格化ノイズとは、１５０ｋＦＣＩの記録密度で
信号を記録したときの媒体ノイズを１０ｋＦＣＩの信号
出力で規格化した値をいう。また、保磁力を２．４ｋＯ
ｅ以上にできた。一方、Ｃｏに対する酸化物のモル比を
２．８以下にすると、十分な出力が得られた。これによ
り、１５０ｋＦＣＩ以上の高い線記録密度領域における
媒体ノイズが十分低減され、１平方インチ当たり１ギガ
ビット以上の高記録密度を実現でき、ビットエラーレー
トの低い高信頼性の磁気記憶装置が得られた。
【００２０】なお、ＣｏＰｔ磁性材料中にＣｒやＮｉ等
を添加すると、非磁性化合物の高添加濃度領域で保磁力
と保磁力角型比が低下し、好ましくない。ＣｒやＮｉ等
は、Ｃｏ合金の結晶粒界に偏析しやすい性質を持つ。非
磁性化合物を含まないＣｏ合金系薄膜磁気記録媒体にお
いては、このＣｒやＮｉ等の粒界偏析は結晶粒間の交換
相互作用を低減して、保磁力を高める効果がある。しか
し、高濃度の非磁性化合物を含む磁気記録媒体では、既
に非磁性化合物によって結晶粒間の交換相互作用が低減
されているため、ＣｒやＮｉ等の添加による交換相互作
用低減による高保磁力化の効果がなく、さらに、Ｃｒや
Ｎｉ等の元素はＣｏＰｔ合金の結晶磁気異方性を低減さ
せるからである。
を添加すると、非磁性化合物の高添加濃度領域で保磁力
と保磁力角型比が低下し、好ましくない。ＣｒやＮｉ等
は、Ｃｏ合金の結晶粒界に偏析しやすい性質を持つ。非
磁性化合物を含まないＣｏ合金系薄膜磁気記録媒体にお
いては、このＣｒやＮｉ等の粒界偏析は結晶粒間の交換
相互作用を低減して、保磁力を高める効果がある。しか
し、高濃度の非磁性化合物を含む磁気記録媒体では、既
に非磁性化合物によって結晶粒間の交換相互作用が低減
されているため、ＣｒやＮｉ等の添加による交換相互作
用低減による高保磁力化の効果がなく、さらに、Ｃｒや
Ｎｉ等の元素はＣｏＰｔ合金の結晶磁気異方性を低減さ
せるからである。
【００２１】上記第２の観点による磁気記憶装置では、
前記磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対する前記酸化物
または窒化物からなる非磁性化合物のモル比が０.５以
上，２.４以下とした。Ｃｏに対する酸化物または窒化
物からなる非磁性化合物のモル比を０．５以上，２．４
以下の範囲にすると、規格化ノイズを０．０１６以下に
できる。また、保磁力を２．４ｋＯｅ以上にできる。
前記磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対する前記酸化物
または窒化物からなる非磁性化合物のモル比が０.５以
上，２.４以下とした。Ｃｏに対する酸化物または窒化
物からなる非磁性化合物のモル比を０．５以上，２．４
以下の範囲にすると、規格化ノイズを０．０１６以下に
できる。また、保磁力を２．４ｋＯｅ以上にできる。
【００２２】上記第３の観点による磁気記憶装置では、
前記非磁性化合物として、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の元素
を表し、ｘは１以上かつ２．５以下の数値を表す）で表
される酸化物、または、一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，
Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｙは１
以上かつ１．３以下の数値を表す）で表される窒化物を
採用した。これにより、良好な特性が得られた。
前記非磁性化合物として、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の元素
を表し、ｘは１以上かつ２．５以下の数値を表す）で表
される酸化物、または、一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，
Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｙは１
以上かつ１．３以下の数値を表す）で表される窒化物を
採用した。これにより、良好な特性が得られた。
【００２３】上記第４の観点による磁気記憶装置では、
磁気抵抗効果型ヘッドが２枚のシールド層とそれらの間
に形成された磁気抵抗センサとを有する構造の場合に、
２枚のシールド層の間隔を０．３５μｍ以下とした。こ
れにより、ジッターが約１５％以下となり、好適にビッ
トの弁別ができるようになった。
磁気抵抗効果型ヘッドが２枚のシールド層とそれらの間
に形成された磁気抵抗センサとを有する構造の場合に、
２枚のシールド層の間隔を０．３５μｍ以下とした。こ
れにより、ジッターが約１５％以下となり、好適にビッ
トの弁別ができるようになった。
【００２４】上記第５の観点による磁気記憶装置では、
記録時における磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの相対
的な走行方向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂ
ｒと当該磁気記録媒体の磁性層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔ
を、１０ガウス・ミクロン以上，１００ガウス・ミクロ
ン以下とした。これにより、ジッターが約１５％以下と
なり、好適にビットの弁別ができるようになった。
記録時における磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの相対
的な走行方向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂ
ｒと当該磁気記録媒体の磁性層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔ
を、１０ガウス・ミクロン以上，１００ガウス・ミクロ
ン以下とした。これにより、ジッターが約１５％以下と
なり、好適にビットの弁別ができるようになった。
【００２５】上記第６の観点による磁気記憶装置では、
前記磁気抵抗効果型の再生用の磁気ヘッドが、互いの磁
化方向が外部磁界によって相対的に変化することによっ
て大きな抵抗変化を生じる複数の磁性層と該磁性層の間
に配置された非磁性層を含む磁気抵抗センサを有するも
のとした。これによれば、巨大磁気抵抗効果により、信
号強度をさらに高めることができ、１平方インチ当たり
３ギガビット以上の記録密度を持った信頼性の高い磁気
記憶装置を実現することが出来る。
前記磁気抵抗効果型の再生用の磁気ヘッドが、互いの磁
化方向が外部磁界によって相対的に変化することによっ
て大きな抵抗変化を生じる複数の磁性層と該磁性層の間
に配置された非磁性層を含む磁気抵抗センサを有するも
のとした。これによれば、巨大磁気抵抗効果により、信
号強度をさらに高めることができ、１平方インチ当たり
３ギガビット以上の記録密度を持った信頼性の高い磁気
記憶装置を実現することが出来る。
【００２６】上記第７の観点による磁気記録媒体では、
磁性層を、酸化物または窒化物からなる群から選ばれた
少なくとも１種の非磁性化合物および実質的にＣｏとＰ
ｔからなる二元合金の混合物で構成し、且つ、Ｃｏに対
するＰｔのモル比を０．６以上，１．２以下とし、さら
にＣｏに対する酸化物または窒化物からなる非磁性化合
物のモル比を０．１以上，２．８以下とした。これによ
り、媒体Ｓ／Ｎを約２．０以上にすることが出来た。ま
た、Ｃｏに対する酸化物のモル比を０．１以上とする
と、規格化ノイズを０．０２５以下にできた。また、保
磁力を２．４ｋＯｅ以上にできた。一方、Ｃｏに対する
酸化物のモル比を２．８以下にすると、十分な出力が得
られた。そして、１５０ｋＦＣＩ以上の高い線記録密度
領域における媒体ノイズが十分低減され、１平方インチ
当たり１ギガビット以上の高記録密度を実現できた。
磁性層を、酸化物または窒化物からなる群から選ばれた
少なくとも１種の非磁性化合物および実質的にＣｏとＰ
ｔからなる二元合金の混合物で構成し、且つ、Ｃｏに対
するＰｔのモル比を０．６以上，１．２以下とし、さら
にＣｏに対する酸化物または窒化物からなる非磁性化合
物のモル比を０．１以上，２．８以下とした。これによ
り、媒体Ｓ／Ｎを約２．０以上にすることが出来た。ま
た、Ｃｏに対する酸化物のモル比を０．１以上とする
と、規格化ノイズを０．０２５以下にできた。また、保
磁力を２．４ｋＯｅ以上にできた。一方、Ｃｏに対する
酸化物のモル比を２．８以下にすると、十分な出力が得
られた。そして、１５０ｋＦＣＩ以上の高い線記録密度
領域における媒体ノイズが十分低減され、１平方インチ
当たり１ギガビット以上の高記録密度を実現できた。
【００２７】上記第８の観点による磁気記録媒体では、
磁性層中のＣｏに対する酸化物または窒化物からなる非
磁性化合物のモル比を０．５以上，２．４以下とした。
Ｃｏに対する酸化物または窒化物からなる非磁性化合物
のモル比を０．５以上，２．４以下の範囲にすると、規
格化ノイズを０．０１６以下にできる。また、保磁力を
２．４ｋＯｅ以上にできる。
磁性層中のＣｏに対する酸化物または窒化物からなる非
磁性化合物のモル比を０．５以上，２．４以下とした。
Ｃｏに対する酸化物または窒化物からなる非磁性化合物
のモル比を０．５以上，２．４以下の範囲にすると、規
格化ノイズを０．０１６以下にできる。また、保磁力を
２．４ｋＯｅ以上にできる。
【００２８】上記第９の観点による磁気記憶媒体では、
前記非磁性化合物として、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の元素
を表し、ｘは１以上かつ２．５以下の数値を表す）で表
される酸化物、または、一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，
Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｙは１
以上かつ１．３以下の数値を表す）で表される窒化物を
採用した。これにより、良好な特性が得られた。
前記非磁性化合物として、一般式ＭＯｘ（ＭはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔｉから選ばれた少なくとも１種の元素
を表し、ｘは１以上かつ２．５以下の数値を表す）で表
される酸化物、または、一般式ＬＮｙ（ＬはＳｉ，Ｂ，
Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ｙは１
以上かつ１．３以下の数値を表す）で表される窒化物を
採用した。これにより、良好な特性が得られた。
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。なお、これにより本発明が限定されるものではな
い。
る。なお、これにより本発明が限定されるものではな
い。
【００３５】実施例１：図１の（ａ）および（ｂ）に、
実施例１の磁気記憶装置７０の平面模式図および断面模
式図を示す。磁気記憶装置７０は、磁気記録媒体７１
と、その磁気記録媒体７１を記録方向に回転させる磁気
記録媒体駆動部７２と、前記磁気記録媒体７１に対する
記録と再生を行う磁気ヘッド７３と、その磁気ヘッド７
３を前記磁気記録媒体７１に対して相対駆動する磁気ヘ
ッド駆動部７４と、記録信号や再生信号の処理を行う記
録再生信号処理部７５とを具備している。
実施例１の磁気記憶装置７０の平面模式図および断面模
式図を示す。磁気記憶装置７０は、磁気記録媒体７１
と、その磁気記録媒体７１を記録方向に回転させる磁気
記録媒体駆動部７２と、前記磁気記録媒体７１に対する
記録と再生を行う磁気ヘッド７３と、その磁気ヘッド７
３を前記磁気記録媒体７１に対して相対駆動する磁気ヘ
ッド駆動部７４と、記録信号や再生信号の処理を行う記
録再生信号処理部７５とを具備している。
【００３６】図２に、前記磁気ヘッド７３の構造を示
す。磁気ヘッド７３は、記録用の電磁誘導型磁気ヘッド
と再生用の磁気抵抗効果型ヘッドとを組み合わせた録再
分離型ヘッドである。すなわち、上部記録磁極８６とシ
ールド層兼記録磁極８４とでコイル８５を挟んだ部分
が、記録用の磁気ヘッドとして働く。また、前記シール
ド層兼記録磁極８４と下部シールド層８３とで磁気抵抗
センサ８２および電極パタン８７を挟んだ部分が、再生
用の磁気ヘッドとして働く。前記磁気抵抗センサ８２か
らの出力信号は、電極パタン８７を介して外部に取り出
される。前記下部シールド層８３は、スライダ用基体８
１の上に形成されている。
す。磁気ヘッド７３は、記録用の電磁誘導型磁気ヘッド
と再生用の磁気抵抗効果型ヘッドとを組み合わせた録再
分離型ヘッドである。すなわち、上部記録磁極８６とシ
ールド層兼記録磁極８４とでコイル８５を挟んだ部分
が、記録用の磁気ヘッドとして働く。また、前記シール
ド層兼記録磁極８４と下部シールド層８３とで磁気抵抗
センサ８２および電極パタン８７を挟んだ部分が、再生
用の磁気ヘッドとして働く。前記磁気抵抗センサ８２か
らの出力信号は、電極パタン８７を介して外部に取り出
される。前記下部シールド層８３は、スライダ用基体８
１の上に形成されている。
【００３７】図３に、前記磁気抵抗センサ８２の断面構
造を示す。磁気抵抗センサ８２は、下部シールド層８３
の上にギャップ層９１を介して設けられており、前記ギ
ャップ層９１の上に形成された反強磁性磁区制御層９２
と、その反強磁性磁区制御層９２により単一磁区とされ
る強磁性材料の薄膜磁気抵抗性導電層９３と、その薄膜
磁気抵抗性導電層９３の感磁部９４と前記反強磁性磁区
制御層９２の間の交換相互作用を絶ち切るための非磁性
層９５と、感磁部９４に対するバイアス磁界を発生する
ための軟磁性層９７と、その軟磁性層９７と前記薄膜磁
気抵抗性導電層９３の間の電流分流比を調節するための
高抵抗層９６とを含んでいる。
造を示す。磁気抵抗センサ８２は、下部シールド層８３
の上にギャップ層９１を介して設けられており、前記ギ
ャップ層９１の上に形成された反強磁性磁区制御層９２
と、その反強磁性磁区制御層９２により単一磁区とされ
る強磁性材料の薄膜磁気抵抗性導電層９３と、その薄膜
磁気抵抗性導電層９３の感磁部９４と前記反強磁性磁区
制御層９２の間の交換相互作用を絶ち切るための非磁性
層９５と、感磁部９４に対するバイアス磁界を発生する
ための軟磁性層９７と、その軟磁性層９７と前記薄膜磁
気抵抗性導電層９３の間の電流分流比を調節するための
高抵抗層９６とを含んでいる。
【００３８】前記磁気ヘッド７３は、次のようにして作
製した。スライダ用基体８１として、酸化Ａｌ・炭化Ｔ
ｉを主成分とする燒結体を用いた。下部シールド層８３
として、スパッタ法で厚さ１μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜を
形成した。ギャップ層９１として、スパッタ法で厚さ１
００ｎｍの酸化Ａｌ膜を形成した。反強磁性磁区制御層
９２として、スパッタ法で厚さ２０ｎｍのＮｉＯ層を形
成した。非磁性層９５として、スパッタ法で厚さ２ｎｍ
のＮｂ層を形成した。薄膜磁気抵抗性導電層９３とし
て、スパッタ法で厚さ１５ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金層を形
成した。高抵抗層９６として、スパッタ法で厚さ１５ｎ
ｍのＴａ層を形成した。軟磁性層９７として、スパッタ
法で厚さ２０ｎｍのＮｉ-Ｆｅ-Ｎｂ合金層を形成した。
電極パタン８７として、スパッタ法により厚さ１００ｎ
ｍのＣｕ薄膜を形成した。電極パタン８７とシールド層
兼記録磁極８４の間には、スパッタ法で厚さ１００ｎｍ
の酸化Ａｌのギャップ層９８を形成した。シールド層兼
記録磁極８４として、スパッタ法で厚さ１μｍのＮｉ−
Ｆｅ合金膜を形成した。コイル８５として、スパッタ法
で厚さ３μｍのＣｕ膜を形成した。上部記録磁極８６と
して、スパッタ法で厚さ３μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜を形
成した。なお、シールド層兼記録磁極８４と上部記録磁
極８６の間にも、スパッタ法で厚さ３００ｎｍの酸化Ａ
ｌのギャップ層を形成した。
製した。スライダ用基体８１として、酸化Ａｌ・炭化Ｔ
ｉを主成分とする燒結体を用いた。下部シールド層８３
として、スパッタ法で厚さ１μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜を
形成した。ギャップ層９１として、スパッタ法で厚さ１
００ｎｍの酸化Ａｌ膜を形成した。反強磁性磁区制御層
９２として、スパッタ法で厚さ２０ｎｍのＮｉＯ層を形
成した。非磁性層９５として、スパッタ法で厚さ２ｎｍ
のＮｂ層を形成した。薄膜磁気抵抗性導電層９３とし
て、スパッタ法で厚さ１５ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金層を形
成した。高抵抗層９６として、スパッタ法で厚さ１５ｎ
ｍのＴａ層を形成した。軟磁性層９７として、スパッタ
法で厚さ２０ｎｍのＮｉ-Ｆｅ-Ｎｂ合金層を形成した。
電極パタン８７として、スパッタ法により厚さ１００ｎ
ｍのＣｕ薄膜を形成した。電極パタン８７とシールド層
兼記録磁極８４の間には、スパッタ法で厚さ１００ｎｍ
の酸化Ａｌのギャップ層９８を形成した。シールド層兼
記録磁極８４として、スパッタ法で厚さ１μｍのＮｉ−
Ｆｅ合金膜を形成した。コイル８５として、スパッタ法
で厚さ３μｍのＣｕ膜を形成した。上部記録磁極８６と
して、スパッタ法で厚さ３μｍのＮｉ−Ｆｅ合金膜を形
成した。なお、シールド層兼記録磁極８４と上部記録磁
極８６の間にも、スパッタ法で厚さ３００ｎｍの酸化Ａ
ｌのギャップ層を形成した。
【００３９】図４に、前記磁気記録媒体７１の断面構造
を示す。磁気記録媒体７１は、化学強化ガラスの基板１
０１と、酸化シリコンを添加したＣｏ−Ｐｔ磁性材料の
磁性層１０３と、カーボンの保護層１０４と、吸着性の
パーフルオロアルキルポリエーテルの潤滑層１０５とを
備えている。
を示す。磁気記録媒体７１は、化学強化ガラスの基板１
０１と、酸化シリコンを添加したＣｏ−Ｐｔ磁性材料の
磁性層１０３と、カーボンの保護層１０４と、吸着性の
パーフルオロアルキルポリエーテルの潤滑層１０５とを
備えている。
【００４０】前記磁気記録媒体７１は、次のようにして
作成した。直径２．５インチ，厚さ０．４ｍｍのディス
ク状のガラスの基板１０１の上に、基板温度が室温，Ａ
ｒガス圧力が１５ｍTorr，投入電力密度が１平方ｃｍ当
たり５Ｗの成膜条件でＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、酸化シリコンを添加したＣｏ−Ｐｔ磁性材料
の厚さ２５ｎｍの磁性層１０３を形成した。次に、その
磁性層１０３の上に、基板温度が１５０℃，Ａｒガス圧
力が５ｍTorr，投入電力密度が１平方ｃｍ当たり３Ｗの
成膜条件でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、
カーボンの厚さ１０ｎｍ〜３０ｎｍの保護層１０４を形
成した。次に、その保護層１０４の表面にポリスチレン
粒子を静電塗布し、これをマスクとして１５ｎｍプラズ
マエッチングし、保護層１０４の表面に微細な凹凸を形
成した。最後に、保護層１０４の上に、ディップ法によ
り、吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテルの厚さ
２ｎｍ〜２０ｎｍの潤滑層１０５を形成した。
作成した。直径２．５インチ，厚さ０．４ｍｍのディス
ク状のガラスの基板１０１の上に、基板温度が室温，Ａ
ｒガス圧力が１５ｍTorr，投入電力密度が１平方ｃｍ当
たり５Ｗの成膜条件でＲＦマグネトロンスパッタリング
法により、酸化シリコンを添加したＣｏ−Ｐｔ磁性材料
の厚さ２５ｎｍの磁性層１０３を形成した。次に、その
磁性層１０３の上に、基板温度が１５０℃，Ａｒガス圧
力が５ｍTorr，投入電力密度が１平方ｃｍ当たり３Ｗの
成膜条件でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、
カーボンの厚さ１０ｎｍ〜３０ｎｍの保護層１０４を形
成した。次に、その保護層１０４の表面にポリスチレン
粒子を静電塗布し、これをマスクとして１５ｎｍプラズ
マエッチングし、保護層１０４の表面に微細な凹凸を形
成した。最後に、保護層１０４の上に、ディップ法によ
り、吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテルの厚さ
２ｎｍ〜２０ｎｍの潤滑層１０５を形成した。
【００４１】図５に、前記Ｃｏ−Ｐｔ磁性材料における
Ｃｏに対するＰｔのモル比と１平方インチ当たり１ギガ
ビットの記録密度における媒体Ｓ／Ｎの関係を示す。な
お、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比は０．８として
いる。Ｃｏに対するＰｔのモル比を０．６以上，１．２
以下とすると、媒体Ｓ／Ｎを２．０以上にできる。図６
に、前記Ｃｏ−Ｐｔ磁性材料におけるＣｏに対する酸化
シリコンのモル比と規格化ノイズの関係を示す。なお、
Ｃｏに対するＰｔのモル比は約０．６７としている（60
at％Ｃｏ−40at％Ｐｔ）。Ｃｏに対する酸化シリコンの
モル比を０．１以上，２．８以下とすると、規格化ノイ
ズを０．０２５以下にできる。特に、Ｃｏに対する酸化
シリコンのモル比を０．５以上，２．４以下の範囲にす
ると、０．０１６以下の規格化ノイズにできる。図７
に、前記Ｃｏ−Ｐｔ磁性材料におけるＣｏに対する酸化
シリコンのモル比と保磁力の関係を示す。なお、Ｃｏに
対するＰｔのモル比は約０．６７としている。Ｃｏに対
する酸化シリコンのモル比を０．１以上とすると、保磁
力を２．４ｋＯｅ以上にできる。特に、Ｃｏに対する酸
化シリコンのモル比を０．５以上，１．４以下の範囲に
すると、３．０ｋＯｅ以上の保磁力にできて好ましい。
なお、図８に示すように、保磁力が２．４ｋＯｅよりも
小さくなると、装置Ｓ／Ｎは１以下になり、信号よりも
ノイズの方が大きくなってしまう。従って、保磁力を
２．４ｋＯｅ以上にする必要がある。ここで、図８は、
各保磁力に対してＢｒ×ｔの異なる媒体を用いて装置Ｓ
／Ｎを調べ、得られた最大の装置Ｓ／Ｎの値をプロット
したものである。
Ｃｏに対するＰｔのモル比と１平方インチ当たり１ギガ
ビットの記録密度における媒体Ｓ／Ｎの関係を示す。な
お、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比は０．８として
いる。Ｃｏに対するＰｔのモル比を０．６以上，１．２
以下とすると、媒体Ｓ／Ｎを２．０以上にできる。図６
に、前記Ｃｏ−Ｐｔ磁性材料におけるＣｏに対する酸化
シリコンのモル比と規格化ノイズの関係を示す。なお、
Ｃｏに対するＰｔのモル比は約０．６７としている（60
at％Ｃｏ−40at％Ｐｔ）。Ｃｏに対する酸化シリコンの
モル比を０．１以上，２．８以下とすると、規格化ノイ
ズを０．０２５以下にできる。特に、Ｃｏに対する酸化
シリコンのモル比を０．５以上，２．４以下の範囲にす
ると、０．０１６以下の規格化ノイズにできる。図７
に、前記Ｃｏ−Ｐｔ磁性材料におけるＣｏに対する酸化
シリコンのモル比と保磁力の関係を示す。なお、Ｃｏに
対するＰｔのモル比は約０．６７としている。Ｃｏに対
する酸化シリコンのモル比を０．１以上とすると、保磁
力を２．４ｋＯｅ以上にできる。特に、Ｃｏに対する酸
化シリコンのモル比を０．５以上，１．４以下の範囲に
すると、３．０ｋＯｅ以上の保磁力にできて好ましい。
なお、図８に示すように、保磁力が２．４ｋＯｅよりも
小さくなると、装置Ｓ／Ｎは１以下になり、信号よりも
ノイズの方が大きくなってしまう。従って、保磁力を
２．４ｋＯｅ以上にする必要がある。ここで、図８は、
各保磁力に対してＢｒ×ｔの異なる媒体を用いて装置Ｓ
／Ｎを調べ、得られた最大の装置Ｓ／Ｎの値をプロット
したものである。
【００４２】一方、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比
を２．８よりも大きくすると、十分な出力が得られなか
った。従って、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比は、
０．１以上，２．８以下とするのが好ましい。
を２．８よりも大きくすると、十分な出力が得られなか
った。従って、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比は、
０．１以上，２．８以下とするのが好ましい。
【００４３】図９に示すように、ローパスフィルタ５
１，微分回路５２およびパルス化回路５３によって、磁
気ヘッド７３からの再生出力をパルス化し、ジッタメー
タ５４によりパルス間隔δの変動を解析し、パルス間隔
δの平均値に対するパルス間隔δの標準偏差σの割合を
ジッターとして測定した。図１０に、記録時における磁
気記録媒体７１に対する磁気ヘッド７３の相対的な走行
方向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂｒと磁気
記録媒体７１の磁性層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔと一定周波
数の高密度な信号を記録再生した場合の出力信号のジッ
ターの関係を示す。Ｂｒ×ｔを１０ガウス・ミクロン以
上，１００ガウス・ミクロン以下の範囲にすると、ジッ
ターが約１５％以下となり、好適にビットの弁別ができ
る。
１，微分回路５２およびパルス化回路５３によって、磁
気ヘッド７３からの再生出力をパルス化し、ジッタメー
タ５４によりパルス間隔δの変動を解析し、パルス間隔
δの平均値に対するパルス間隔δの標準偏差σの割合を
ジッターとして測定した。図１０に、記録時における磁
気記録媒体７１に対する磁気ヘッド７３の相対的な走行
方向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂｒと磁気
記録媒体７１の磁性層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔと一定周波
数の高密度な信号を記録再生した場合の出力信号のジッ
ターの関係を示す。Ｂｒ×ｔを１０ガウス・ミクロン以
上，１００ガウス・ミクロン以下の範囲にすると、ジッ
ターが約１５％以下となり、好適にビットの弁別ができ
る。
【００４４】図１１に、下部シールド層８３とシールド
層兼記録磁極８４の距離（シールド間隔）とジッターの
関係を示す。シールド距離が０．３５μｍ以下にする
と、ジッターが約１５％以下となり、好適にビットの弁
別ができる。
層兼記録磁極８４の距離（シールド間隔）とジッターの
関係を示す。シールド距離が０．３５μｍ以下にする
と、ジッターが約１５％以下となり、好適にビットの弁
別ができる。
【００４５】磁性層１０３中のＣｏに対するＰｔのモル
比を約０．６７とし（60at％Ｃｏ−40at％Ｐｔ）、且
つ、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比を約０．９とし
た磁気記録媒体７１を用いた磁気記憶装置７０で、ヘッ
ド浮上量３０ｎｍ，線記録密度２１０ｋＢＰＩ，トラッ
ク密度９．６ｋＴＰＩの条件で、記録再生特性を評価し
た。その結果、装置Ｓ／Ｎは１．８であった。この値
は、磁性材料として60at％Ｃｏ−40at％Ｐｔの代りに73
at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at％Ｐｔを用いた場合に比べて
約３割高い値であった。また、磁気ヘッド７３への入力
信号を８−９符号変調処理して、出力信号に最尤復号処
理を施すことにより、１平方インチ当たり２ギガビット
の情報を記録再生することができた。また、内周から外
周までのヘッドシーク試験５万回後のビットエラー数は
１０ビット／面以下であり、平均故障間隔ＭＴＢＦで１
５万時間が達成できた。
比を約０．６７とし（60at％Ｃｏ−40at％Ｐｔ）、且
つ、Ｃｏに対する酸化シリコンのモル比を約０．９とし
た磁気記録媒体７１を用いた磁気記憶装置７０で、ヘッ
ド浮上量３０ｎｍ，線記録密度２１０ｋＢＰＩ，トラッ
ク密度９．６ｋＴＰＩの条件で、記録再生特性を評価し
た。その結果、装置Ｓ／Ｎは１．８であった。この値
は、磁性材料として60at％Ｃｏ−40at％Ｐｔの代りに73
at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at％Ｐｔを用いた場合に比べて
約３割高い値であった。また、磁気ヘッド７３への入力
信号を８−９符号変調処理して、出力信号に最尤復号処
理を施すことにより、１平方インチ当たり２ギガビット
の情報を記録再生することができた。また、内周から外
周までのヘッドシーク試験５万回後のビットエラー数は
１０ビット／面以下であり、平均故障間隔ＭＴＢＦで１
５万時間が達成できた。
【００４６】なお、上記磁気抵抗センサ８２の軟磁性層
９７の代りに永久磁石膜バイアス層を用いてもよい。ま
た、上記磁気記録媒体７１の基板１０１の材料として、
Ｔｉ，Ｓｉ，Ｓｉ−Ｃ，カーボン，結晶化ガラスあるい
はセラミクス等を用いてもよい。
９７の代りに永久磁石膜バイアス層を用いてもよい。ま
た、上記磁気記録媒体７１の基板１０１の材料として、
Ｔｉ，Ｓｉ，Ｓｉ−Ｃ，カーボン，結晶化ガラスあるい
はセラミクス等を用いてもよい。
【００４７】また、上記磁気記録媒体７１の保護層１０
４の材料として、タングステン・カーバイト，（Ｗ-Ｍ
ｏ）-Ｃ等の炭化物、（Ｚｒ-Ｎｂ）-Ｎ，窒化シリコン
等の窒化物，二酸化シリコン，ジルコニア等の酸化物、
あるいはボロン、ボロン・カーバイト、二硫化モリブデ
ン、Ｒｈ等を用いてもよい。保護層１０４と潤滑層１０
５を設けると、耐摺動性，耐食性を向上できるので好ま
しい。また、保護層１０４を形成した後、微細マスク等
を用いてプラズマエッチングすることで表面に微細な凹
凸を形成したり、化合物，混合物のターゲットを用いて
保護層表面に異相突起を生じせしめたり、熱処理によっ
て表面に凹凸を形成すると、磁気ヘッド７３と磁気記録
媒体７１との接触面積を低減でき、ＣＳＳ（Ｃontact
Ｓtart Stop）動作時に磁気ヘッド７３が磁気記録媒体
７１の表面に粘着する問題が回避されるので好ましい。
４の材料として、タングステン・カーバイト，（Ｗ-Ｍ
ｏ）-Ｃ等の炭化物、（Ｚｒ-Ｎｂ）-Ｎ，窒化シリコン
等の窒化物，二酸化シリコン，ジルコニア等の酸化物、
あるいはボロン、ボロン・カーバイト、二硫化モリブデ
ン、Ｒｈ等を用いてもよい。保護層１０４と潤滑層１０
５を設けると、耐摺動性，耐食性を向上できるので好ま
しい。また、保護層１０４を形成した後、微細マスク等
を用いてプラズマエッチングすることで表面に微細な凹
凸を形成したり、化合物，混合物のターゲットを用いて
保護層表面に異相突起を生じせしめたり、熱処理によっ
て表面に凹凸を形成すると、磁気ヘッド７３と磁気記録
媒体７１との接触面積を低減でき、ＣＳＳ（Ｃontact
Ｓtart Stop）動作時に磁気ヘッド７３が磁気記録媒体
７１の表面に粘着する問題が回避されるので好ましい。
【００４８】実施例２：実施例１と同様の構成を持つ磁
気記憶装置において、図１２に示す構造を持つ磁気記録
媒体７１ａを用いた。この磁気記録媒体７１ａは、下地
層１２１を追加したこと、および、磁性層１０３の材料
を変えたこと以外は、実施例１の磁気記録媒体７１と同
様の構造である。
気記憶装置において、図１２に示す構造を持つ磁気記録
媒体７１ａを用いた。この磁気記録媒体７１ａは、下地
層１２１を追加したこと、および、磁性層１０３の材料
を変えたこと以外は、実施例１の磁気記録媒体７１と同
様の構造である。
【００４９】前記下地層１０２は、次のようにして形成
した。直径２．５インチ，厚さ０．４ｍｍのディスク状
のガラスの基板１０１の上に、基板温度が室温，Ａｒガ
ス圧力が５ｍTorr，投入電力密度が１平方ｃｍ当たり７
Ｗの成膜条件でＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り、Ｃｒの厚さ１５ｎｍの下地層１０２を形成した。な
お、下地層１２１の材料として、Ｔｉ，Ｖ，Ｇｅ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ-Ｐ を用いてもよい。
した。直径２．５インチ，厚さ０．４ｍｍのディスク状
のガラスの基板１０１の上に、基板温度が室温，Ａｒガ
ス圧力が５ｍTorr，投入電力密度が１平方ｃｍ当たり７
Ｗの成膜条件でＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り、Ｃｒの厚さ１５ｎｍの下地層１０２を形成した。な
お、下地層１２１の材料として、Ｔｉ，Ｖ，Ｇｅ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ-Ｐ を用いてもよい。
【００５０】磁性層１０３の材料は、52at％Ｃｏ−48at
％Ｐｔに、酸化シリコン，酸化アルミ，酸化タンタル，
酸化イットリウム，酸化チタンをそれぞれ添加した。
％Ｐｔに、酸化シリコン，酸化アルミ，酸化タンタル，
酸化イットリウム，酸化チタンをそれぞれ添加した。
【００５１】図１３に、磁気記録媒体７１ａの組成と磁
気特性と規格化ノイズの値を示す。なお、比較例とし
て、52at％Ｃｏ−48at％Ｐｔに代えて73at％Ｃｏ-15at
％Ｃｒ-12at％Ｐｔを用いた場合の結果も示した。実施
例２の磁気記録媒体７１ａは、いずれも高い保磁力と低
い規格化ノイズが得られている。これに比べて、73at％
Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at％Ｐｔ磁性材料を用いた比較例で
は、保磁力が低くなり、規格化ノイズは高くなってい
る。
気特性と規格化ノイズの値を示す。なお、比較例とし
て、52at％Ｃｏ−48at％Ｐｔに代えて73at％Ｃｏ-15at
％Ｃｒ-12at％Ｐｔを用いた場合の結果も示した。実施
例２の磁気記録媒体７１ａは、いずれも高い保磁力と低
い規格化ノイズが得られている。これに比べて、73at％
Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at％Ｐｔ磁性材料を用いた比較例で
は、保磁力が低くなり、規格化ノイズは高くなってい
る。
【００５２】図１３の試料番号１４の磁気記録媒体７１
ａを用いた磁気記憶装置で、ヘッド浮上量２６ｎｍ，線
記録密度２１０ｋＢＰＩ，トラック密度９．６ｋＴＰＩ
の条件で、記録再生特性を評価した。その結果、装置Ｓ
／Ｎは１．８であった。また、磁気ヘッド７３への入力
信号を８−９符号変調処理して、出力信号に最尤復号処
理を施すことにより、１平方インチ当たり２ギガビット
の情報を記録再生することができた。また、内周から外
周までのヘッドシーク試験５万回後のビットエラー数は
１０ビット／面以下であり、平均故障間隔ＭＴＢＦで１
５万時間が達成できた。
ａを用いた磁気記憶装置で、ヘッド浮上量２６ｎｍ，線
記録密度２１０ｋＢＰＩ，トラック密度９．６ｋＴＰＩ
の条件で、記録再生特性を評価した。その結果、装置Ｓ
／Ｎは１．８であった。また、磁気ヘッド７３への入力
信号を８−９符号変調処理して、出力信号に最尤復号処
理を施すことにより、１平方インチ当たり２ギガビット
の情報を記録再生することができた。また、内周から外
周までのヘッドシーク試験５万回後のビットエラー数は
１０ビット／面以下であり、平均故障間隔ＭＴＢＦで１
５万時間が達成できた。
【００５３】なお、従来の磁気記録媒体では、下地層は
磁性層の配向性を制御するために設けていたが、本発明
の磁気記録媒体では、結晶粒径の制御と，基板との密着
性向上と，耐食性向上のために設けられる。
磁性層の配向性を制御するために設けていたが、本発明
の磁気記録媒体では、結晶粒径の制御と，基板との密着
性向上と，耐食性向上のために設けられる。
【００５４】実施例３：実施例２の磁気記録媒体７１ａ
の磁性層に添加する非磁性化合物として、酸化物の代り
に窒化シリコン，窒化ボロン，窒化アルミをそれぞれ添
加した。図１４に、磁気記録媒体の組成と磁気特性と規
格化ノイズの値を示す。なお、比較例として、52at％Ｃ
ｏ−48at％Ｐｔに代えて73at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at％
Ｐｔを用いた場合の結果も示した。実施例３の磁気記録
媒体は、いずれも高い保磁力と低い規格化ノイズが得ら
れている。これに比べて、73at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at
％Ｐｔ磁性材料を用いた比較例では、保磁力が低くな
り、規格化ノイズは高くなっている。
の磁性層に添加する非磁性化合物として、酸化物の代り
に窒化シリコン，窒化ボロン，窒化アルミをそれぞれ添
加した。図１４に、磁気記録媒体の組成と磁気特性と規
格化ノイズの値を示す。なお、比較例として、52at％Ｃ
ｏ−48at％Ｐｔに代えて73at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at％
Ｐｔを用いた場合の結果も示した。実施例３の磁気記録
媒体は、いずれも高い保磁力と低い規格化ノイズが得ら
れている。これに比べて、73at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-12at
％Ｐｔ磁性材料を用いた比較例では、保磁力が低くな
り、規格化ノイズは高くなっている。
【００５５】図１４の試料番号２１の磁気記録媒体を用
いた磁気記憶装置で、ヘッド浮上量２６ｎｍ，線記録密
度２１０ｋＢＰＩ，トラック密度９．６ｋＴＰＩの条件
で、記録再生特性を評価した。その結果、装置Ｓ／Ｎは
１．８であった。また、磁気ヘッド７３への入力信号を
８−９符号変調処理して、出力信号に最尤復号処理を施
すことにより、１平方インチ当たり２ギガビットの情報
を記録再生することができた。また、内周から外周まで
のヘッドシーク試験５万回後のビットエラー数は１０ビ
ット／面以下であり、平均故障間隔ＭＴＢＦで１５万時
間が達成できた。
いた磁気記憶装置で、ヘッド浮上量２６ｎｍ，線記録密
度２１０ｋＢＰＩ，トラック密度９．６ｋＴＰＩの条件
で、記録再生特性を評価した。その結果、装置Ｓ／Ｎは
１．８であった。また、磁気ヘッド７３への入力信号を
８−９符号変調処理して、出力信号に最尤復号処理を施
すことにより、１平方インチ当たり２ギガビットの情報
を記録再生することができた。また、内周から外周まで
のヘッドシーク試験５万回後のビットエラー数は１０ビ
ット／面以下であり、平均故障間隔ＭＴＢＦで１５万時
間が達成できた。
【００５６】実施例４：実施例１と同様の構成を持つ磁
気記憶装置において、再生用の磁気ヘッドの磁気抵抗セ
ンサ８２（図３）の代りに、図１５に示す磁気抵抗セン
サ８２ａを用いた。また、記録用の磁気ヘッドの上部記
録磁極８６として、メッキ法により形成したＦｅ-Ｃｏ-
Ｎｉ合金膜を用いた。また、磁気記録媒体を変えた。
気記憶装置において、再生用の磁気ヘッドの磁気抵抗セ
ンサ８２（図３）の代りに、図１５に示す磁気抵抗セン
サ８２ａを用いた。また、記録用の磁気ヘッドの上部記
録磁極８６として、メッキ法により形成したＦｅ-Ｃｏ-
Ｎｉ合金膜を用いた。また、磁気記録媒体を変えた。
【００５７】図１５に示す磁気抵抗センサ８２ａは、非
磁性層１３３により隔てられた２つの磁性層１３２，１
３４間の相対的な磁化方向の変化により生じる抵抗変化
（スピン・バルブ効果による磁気抵抗変化）を利用した
磁気抵抗センサである。バッファ層１３１は、厚さ２ｎ
ｍのＴｉ層である。第１の磁性層１３２は、厚さ３ｎｍ
の80at％Ｎｉ−20at％Ｆｅ合金層である。非磁性層１３
３は、厚さ１．５ｎｍのＣｕ層である。第２の磁性層１
３４は、厚さ３ｎｍの80at％Ｎｉ−20at％Ｆｅ合金層で
ある。反強磁性層１３５は、厚さ５ｎｍの50at％Ｆｅ−
50at％Ｍｎ合金層である。各層は、いずれもスパッタリ
ング法により形成した。
磁性層１３３により隔てられた２つの磁性層１３２，１
３４間の相対的な磁化方向の変化により生じる抵抗変化
（スピン・バルブ効果による磁気抵抗変化）を利用した
磁気抵抗センサである。バッファ層１３１は、厚さ２ｎ
ｍのＴｉ層である。第１の磁性層１３２は、厚さ３ｎｍ
の80at％Ｎｉ−20at％Ｆｅ合金層である。非磁性層１３
３は、厚さ１．５ｎｍのＣｕ層である。第２の磁性層１
３４は、厚さ３ｎｍの80at％Ｎｉ−20at％Ｆｅ合金層で
ある。反強磁性層１３５は、厚さ５ｎｍの50at％Ｆｅ−
50at％Ｍｎ合金層である。各層は、いずれもスパッタリ
ング法により形成した。
【００５８】この磁気抵抗センサ８２ａでは、反強磁性
層１３５からの交換バイアス磁界によって第２の磁性層
１３４の磁化が一方向に固定され、磁気記録媒体７１か
らの漏洩磁界によって第１の磁性層１３２の磁化方向が
変化して抵抗値の変化が生じる。
層１３５からの交換バイアス磁界によって第２の磁性層
１３４の磁化が一方向に固定され、磁気記録媒体７１か
らの漏洩磁界によって第１の磁性層１３２の磁化方向が
変化して抵抗値の変化が生じる。
【００５９】バッファ層１３１としてＴｉを用いること
により、第１の磁性層１３２および第２の磁性層１３４
の｛１１１｝結晶格子面が膜面に平行となるように配向
する。これにより、磁性層１３２，１３４間の交換相互
作用が弱められ、実施例１の磁気抵抗センサ８２に比べ
て約２倍の高い感度が得られた。
により、第１の磁性層１３２および第２の磁性層１３４
の｛１１１｝結晶格子面が膜面に平行となるように配向
する。これにより、磁性層１３２，１３４間の交換相互
作用が弱められ、実施例１の磁気抵抗センサ８２に比べ
て約２倍の高い感度が得られた。
【００６０】また、上部記録磁極８６としてメッキ法に
より形成したＦｅ-Ｃｏ-Ｎｉ合金膜を用いることによ
り、飽和磁束密度が１６０００ガウスと大きくなり、実
施例３の場合に比べて重ね書き特性を約６ｄＢ改良する
ことが出来た。
より形成したＦｅ-Ｃｏ-Ｎｉ合金膜を用いることによ
り、飽和磁束密度が１６０００ガウスと大きくなり、実
施例３の場合に比べて重ね書き特性を約６ｄＢ改良する
ことが出来た。
【００６１】磁気記録媒体は、直径１．３インチ，厚さ
０．４ｍｍ，表面粗さ１ｎｍのカーボン基板の上に、52
at％Ｃｏ−48at％Ｐｔに酸化シリコンをモル比（Ｃｏに
対する酸化シリコンのモル比）１．２で添加した厚さ２
５ｎｍの磁性層１０３を実施例１と同様の条件で形成
し、その上にカーボンの厚さ２０ｎｍの保護層１０４を
形成し、その表面にポリスチレン粒子を静電塗布し、こ
れをマスクとして１３ｎｍプラズマエッチングし、保護
層１０４の表面に微細な凹凸を形成し、最後に、保護層
１０４上に、ディップ法により吸着性のパーフルオロア
ルキルポリエーテルの潤滑層１０５を形成した構造であ
る。この磁気記録媒体のディスク円周方向に磁界を印加
して測定した保磁力は２．７１ｋＯｅ，残留磁束密度・
総磁性層厚積Ｂｒ×ｔは６２ガウス・ミクロンであっ
た。
０．４ｍｍ，表面粗さ１ｎｍのカーボン基板の上に、52
at％Ｃｏ−48at％Ｐｔに酸化シリコンをモル比（Ｃｏに
対する酸化シリコンのモル比）１．２で添加した厚さ２
５ｎｍの磁性層１０３を実施例１と同様の条件で形成
し、その上にカーボンの厚さ２０ｎｍの保護層１０４を
形成し、その表面にポリスチレン粒子を静電塗布し、こ
れをマスクとして１３ｎｍプラズマエッチングし、保護
層１０４の表面に微細な凹凸を形成し、最後に、保護層
１０４上に、ディップ法により吸着性のパーフルオロア
ルキルポリエーテルの潤滑層１０５を形成した構造であ
る。この磁気記録媒体のディスク円周方向に磁界を印加
して測定した保磁力は２．７１ｋＯｅ，残留磁束密度・
総磁性層厚積Ｂｒ×ｔは６２ガウス・ミクロンであっ
た。
【００６２】実施例４の磁気記憶装置で、ヘッド浮上量
２５ｎｍ，線記録密度２６０ｋＢＰＩ，トラック密度１
１．６ｋＴＰＩの条件で、記録再生特性を評価した。そ
の結果、装置Ｓ／Ｎは１．５であった。また、磁気ヘッ
ド７３への入力信号を８−９符号変調処理して、出力信
号に最尤復号処理を施すことにより、１平方インチ当た
り３ギガビットの情報を記録再生することができた。ま
た、内周から外周までのヘッドシーク試験５万回後のビ
ットエラー数は１０ビット／面以下であり、平均故障間
隔ＭＴＢＦで１５万時間が達成できた。
２５ｎｍ，線記録密度２６０ｋＢＰＩ，トラック密度１
１．６ｋＴＰＩの条件で、記録再生特性を評価した。そ
の結果、装置Ｓ／Ｎは１．５であった。また、磁気ヘッ
ド７３への入力信号を８−９符号変調処理して、出力信
号に最尤復号処理を施すことにより、１平方インチ当た
り３ギガビットの情報を記録再生することができた。ま
た、内周から外周までのヘッドシーク試験５万回後のビ
ットエラー数は１０ビット／面以下であり、平均故障間
隔ＭＴＢＦで１５万時間が達成できた。
【００６３】なお、磁気抵抗センサ８２ａにおける非磁
性層１３３の厚さとしては、１．５ｎｍ以上とするのが
好ましいが、あまり厚いと、記録用の磁気ヘッドと最下
層の磁性層１３２との間隔が大きくなるため、重ね書き
特性が劣化するので、好ましくない。特に、非磁性層を
２層構造とした場合には、非磁性層が厚くなるため、重
ね書き特性が劣化する。これを解決するためには、記録
用の磁気ヘッドの記録磁極として、従来のＮｉ−Ｆｅ合
金よりも大きな飽和磁束密度を持つＦｅ-Ｃｏ-Ｎｉ系合
金，Ｆｅ−Ｓｉ系合金等の軟磁性薄膜を用いることが有
効である。特に、飽和磁束密度が１５０００ガウス以上
の軟磁性薄膜を用いたときに良好な結果が得られる。
性層１３３の厚さとしては、１．５ｎｍ以上とするのが
好ましいが、あまり厚いと、記録用の磁気ヘッドと最下
層の磁性層１３２との間隔が大きくなるため、重ね書き
特性が劣化するので、好ましくない。特に、非磁性層を
２層構造とした場合には、非磁性層が厚くなるため、重
ね書き特性が劣化する。これを解決するためには、記録
用の磁気ヘッドの記録磁極として、従来のＮｉ−Ｆｅ合
金よりも大きな飽和磁束密度を持つＦｅ-Ｃｏ-Ｎｉ系合
金，Ｆｅ−Ｓｉ系合金等の軟磁性薄膜を用いることが有
効である。特に、飽和磁束密度が１５０００ガウス以上
の軟磁性薄膜を用いたときに良好な結果が得られる。
【００６４】実施例５：図１６に示す磁気記録媒体７１
ｂのように、Ａｌ−Ｍｇ合金からなる基板１０１と、そ
の両面に形成されたＮｉ−Ｐ，Ｎｉ-Ｗ-Ｐ等からなる非
磁性メッキ層１０２と、磁性層１０３と、保護層１０４
と、潤滑層１０５とを含む構造としてもよい。
ｂのように、Ａｌ−Ｍｇ合金からなる基板１０１と、そ
の両面に形成されたＮｉ−Ｐ，Ｎｉ-Ｗ-Ｐ等からなる非
磁性メッキ層１０２と、磁性層１０３と、保護層１０４
と、潤滑層１０５とを含む構造としてもよい。
【００６５】実施例６：図１７に示す磁気記録媒体７１
ｃのように、Ａｌ−Ｍｇ合金からなる基板１０１と、そ
の両面に形成されたＮｉ−Ｐ，Ｎｉ-Ｗ-Ｐ等からなる非
磁性メッキ層１０２と、下地層１２１と、磁性層１０３
と、保護層１０４と、潤滑層１０５とを含む構造として
もよい。
ｃのように、Ａｌ−Ｍｇ合金からなる基板１０１と、そ
の両面に形成されたＮｉ−Ｐ，Ｎｉ-Ｗ-Ｐ等からなる非
磁性メッキ層１０２と、下地層１２１と、磁性層１０３
と、保護層１０４と、潤滑層１０５とを含む構造として
もよい。
【００６６】比較例１：実施例１の磁気記録媒体７１の
磁性層１０３の磁性材料として73at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-
12at％Ｐｔを用いた場合のＣｏに対する酸化シリコンの
モル比と規格化ノイズの関係および保磁力（Ｈｃ）との
関係を調べた。図１８に破線で示すように、Ｃｏに対す
る酸化シリコンのモル比が０．１以上では、実線で示す
実施例１の磁気記録媒体７１より規格化ノイズが大きく
なっている。また、図１９に破線で示すように、Ｃｏに
対する酸化シリコンのモル比が０．２以上では、実線で
示す実施例１の磁気記録媒体７１より保磁力が小さくな
っている。
磁性層１０３の磁性材料として73at％Ｃｏ-15at％Ｃｒ-
12at％Ｐｔを用いた場合のＣｏに対する酸化シリコンの
モル比と規格化ノイズの関係および保磁力（Ｈｃ）との
関係を調べた。図１８に破線で示すように、Ｃｏに対す
る酸化シリコンのモル比が０．１以上では、実線で示す
実施例１の磁気記録媒体７１より規格化ノイズが大きく
なっている。また、図１９に破線で示すように、Ｃｏに
対する酸化シリコンのモル比が０．２以上では、実線で
示す実施例１の磁気記録媒体７１より保磁力が小さくな
っている。
【００６７】比較例２：酸化物あるいは窒化物を添加す
る代わりに、スパッタ成膜に用いるＡｒスパッタガスに
酸素あるいは窒素を混合したガスを用いた。これによっ
ても保磁力をある程度増大させることが可能であった。
しかし、規格化ノイズの低減効果は小さく、１平方イン
チ当たり１ギガビット以上の記録密度を実現することは
困難であった。これは、酸素あるいは窒素混合ガスを用
いた場合には、結晶粒界だけでなく、結晶粒内にも酸素
あるいは窒素が取り込まれて結晶性が損なわれるためで
はないかと考えられる。
る代わりに、スパッタ成膜に用いるＡｒスパッタガスに
酸素あるいは窒素を混合したガスを用いた。これによっ
ても保磁力をある程度増大させることが可能であった。
しかし、規格化ノイズの低減効果は小さく、１平方イン
チ当たり１ギガビット以上の記録密度を実現することは
困難であった。これは、酸素あるいは窒素混合ガスを用
いた場合には、結晶粒界だけでなく、結晶粒内にも酸素
あるいは窒素が取り込まれて結晶性が損なわれるためで
はないかと考えられる。
【００６８】
【発明の効果】本発明の磁気記憶装置および磁気記録媒
体によれば、高いＳ／Ｎと低いビットエラーレートが得
られるので、１平方インチ当たり１ギガビット以上の高
記録密度で、１５万時間以上の平均故障間隔を実現でき
る。
体によれば、高いＳ／Ｎと低いビットエラーレートが得
られるので、１平方インチ当たり１ギガビット以上の高
記録密度で、１５万時間以上の平均故障間隔を実現でき
る。
【図１】実施例１の磁気記憶装置の平面模式図および断
面模式図である。
面模式図である。
【図２】実施例１の磁気記憶装置における磁気ヘッドの
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図３】実施例１の磁気記憶装置における磁気ヘッドの
磁気抵抗センサの断面構造を示す模式図である。
磁気抵抗センサの断面構造を示す模式図である。
【図４】実施例１の磁気記憶装置における磁気記録媒体
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
【図５】実施例１の磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対
するＰｔのモル比と媒体Ｓ／Ｎの関係を示す特性図であ
る。
するＰｔのモル比と媒体Ｓ／Ｎの関係を示す特性図であ
る。
【図６】実施例１の磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対
する酸化シリコンのモル比と規格化ノイズの関係を示す
特性図である。
する酸化シリコンのモル比と規格化ノイズの関係を示す
特性図である。
【図７】実施例１の磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対
する酸化シリコンのモル比と保磁力の関係を示す特性図
である。
する酸化シリコンのモル比と保磁力の関係を示す特性図
である。
【図８】保磁力と装置Ｓ／Ｎの関係を示す特性図であ
る。
る。
【図９】ジッターの測定装置の構成図である。
【図１０】Ｂｒ×ｔとジッターの関係を示す特性図であ
る。
る。
【図１１】シールド間隔とジッターの関係を示す特性図
である。
である。
【図１２】実施例２の磁気記憶装置における磁気記録媒
体の構造を示す斜視図である。
体の構造を示す斜視図である。
【図１３】実施例２の磁気記録媒体の添加酸化物と保磁
力と規格化ノイズの関係を示す図表である。
力と規格化ノイズの関係を示す図表である。
【図１４】実施例３の磁気記録媒体の添加窒化物と保磁
力と規格化ノイズの関係を示す図表である。
力と規格化ノイズの関係を示す図表である。
【図１５】実施例４の磁気記憶装置における磁気ヘッド
の磁気抵抗センサの断面構造を示す模式図である。
の磁気抵抗センサの断面構造を示す模式図である。
【図１６】実施例５の磁気記憶装置における磁気記録媒
体の構造を示す斜視図である。
体の構造を示す斜視図である。
【図１７】実施例６の磁気記憶装置における磁気記録媒
体の構造を示す斜視図である。
体の構造を示す斜視図である。
【図１８】比較例の磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対
する酸化シリコンのモル比と規格化ノイズの関係を示す
特性図である。
する酸化シリコンのモル比と規格化ノイズの関係を示す
特性図である。
【図１９】比較例の磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対
する酸化シリコンのモル比と保磁力の関係を示す特性図
である。
する酸化シリコンのモル比と保磁力の関係を示す特性図
である。
７０...磁気記憶装置
７１...磁気記録媒体
７２...磁気記録媒体駆動部
７３...磁気ヘッド
７４...磁気ヘッド駆動部
７５...記録再生信号処理部
８１...スライダ基体
８２...磁気抵抗センサ
８３...下部シールド層
８４...シールド層兼記録磁極
８５...コイル
８６...上部記録磁極
８７...導体層
９１...ギャップ層
９２...反強磁性磁区制御層
９３...薄膜磁気抵抗性導電層
９４...感磁部
９５...非磁性層
９６...高抵抗層
９７...軟磁性層
１０１...基板
１０２...非磁性メッキ層
１０３...磁性層
１０４...保護層
１０５...潤滑層
１２１...下地層
１３１...バッファ層
１３２...第１の磁性層
１３３...非磁性層
１３４...第２の磁性層
１３５...反強磁性層。
フロントページの続き
(72)発明者 二本 正昭
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所 中央研究所内
(72)発明者 細江 譲
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所 中央研究所内
(72)発明者 玉井 一郎
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所 中央研究所内
(72)発明者 萬行 恵美
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所 中央研究所内
(72)発明者 山中 一助
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所 中央研究所内
(56)参考文献 特開 平３−216811（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−187628（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−73433（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−78327（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/62 - 5/82
G11B 5/39
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に直接もしくは下地層を介して磁
性層が形成された磁気記録媒体と、その磁気記録媒体に
対する記録と再生を行う磁気ヘッドとを具備する磁気記
憶装置において、 前記磁気記録媒体は、酸化物または窒化物からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の非磁性化合物および実質的
にＣｏとＰｔからなる二元合金の混合物で構成され、前
記Ｃｏに対するＰｔのモル比が０.６以上，１.２以下で
あり、且つ前記Ｃｏに対する前記酸化物または窒化物か
らなる非磁性化合物のモル比が０.１以上，２.８以下で
ある磁性膜を有し、 前記磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型の再生用磁気ヘッド
を含むことを特徴とする磁気記憶装置。 - 【請求項２】 前記磁気記録媒体の磁性層中のＣｏに対
する前記酸化物または窒化物からなる非磁性化合物のモ
ル比が０.５以上，２.４以下であることを特徴とする請
求項１に記載の磁気記憶装置。 - 【請求項３】 前記非磁性化合物は、一般式ＭＯｘ（Ｍ
はＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔｉから選ばれた少なくとも
１種の元素を表し、ｘは１以上かつ２.５以下の数値を
表す）で表される酸化物または一般式ＬＮｙ（ＬはＳ
ｉ，Ｂ，Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素を表
し、ｙは１以上かつ１.３以下の数値を表す）で表され
る窒化物であることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の磁気記憶装置。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗効果型の再生用の磁気ヘッ
ドが２枚のシールド層とそれらの間に形成された磁気抵
抗センサとを有し、前記２枚のシールド層の間隔が０.
３５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求
項３のいずれかに記載の磁気記憶装置。 - 【請求項５】 磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの相対
的な走行方向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂ
ｒと当該磁気記録媒体の磁性層の厚さｔの積Ｂｒ×ｔ
が、１０ガウス・ミクロン以上，１００ガウス・ミクロ
ン以下であることを特徴とする請求項１から請求項４の
いずれかに記載の磁気記憶装置。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果型の再生用の磁気ヘッ
ドが、互いの磁化方向が外部磁界によって相対的に変化
することによって大きな抵抗変化を生じる複数の磁性層
と該磁性層の間に配置された非磁性層を含む磁気抵抗セ
ンサを有することを特徴とする請求項１から請求項５の
いずれかに記載の磁気記憶装置。 - 【請求項７】 酸化物または窒化物からなる群から選ば
れた少なくとも１種の非磁性化合物および実質的にＣｏ
とＰｔからなる二元合金の混合物で構成され、前記Ｃｏ
に対するＰｔのモル比が０.６以上，１.２以下であり、
且つ前記Ｃｏに対する前記酸化物または窒化物からなる
非磁性化合物のモル比が０.１以上，２.８以下である磁
性膜を有することを特徴とする磁気記憶媒体。 - 【請求項８】 前記磁性層中のＣｏに対する前記酸化物
または窒化物からなる非磁性化合物のモル比が０.５以
上，２.４以下であることを特徴とする請求項７に記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記非磁性化合物は、一般式ＭＯｘ（Ｍ
はＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｔｉから選ばれた少なくとも
１種の元素を表し、ｘは約１以上かつ約２.５以下の数
値を表す）で表される酸化物または一般式ＬＮｙ（Ｌは
Ｓｉ，Ｂ，Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素を表
し、ｙは約１以上かつ約１.３以下の数値を表す）で表
される窒化物であることを特徴とする請求項７または請
求項８に記載の磁気記録媒体。
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