JPH08115516A - 磁気記録媒体及び磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 １平方インチ当たり１ギガビット以上の高密
度な情報の記録再生が可能で信頼性の高い磁気記録媒体
及び磁気記録装置を提供する。 【構成】 磁気記録媒体を非磁性基板上に少なくとも１
層の非磁性下地膜を介して形成された少なくとも１層の
磁性膜からなる情報記録層で構成し、この情報記録層の
膜厚残留磁束密度積Ｂｒ×ｔを１０〜１２０ガウス・ミ
クロンとし、磁性膜をＣｏ、ＣｒおよびＴａを主成分と
して含む合金とし、磁性膜中のＴａ／Ｃｏ原子濃度比を
０．０６９〜０．１２とする。この磁気記録媒体と組み
合わせる磁気ヘッドの再生部をシールド間隔が０．３５
ミクロン以下の磁気抵抗効果型磁気ヘッドで構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの補助記
録装置等の磁気記録装置およびこれに用いる磁気記録媒
体に係り、特に、１平方インチ当たり１ギガビット以上
の高い記録密度を有する磁気記録装置及びこの高い記録
密度を実現するのに好適な薄膜磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年情報化社会の進行により、日常的に
扱う情報量は増加の一途を辿っている。これに伴って、
磁気記録装置に対する高記録密度・大記憶容量化の要求
が強くなっている。磁気ディスク装置を高記録密度化し
ていった場合、記録ビットの当たりの媒体面積が小さく
なるため、再生出力が低下し、再生が困難になる。この
ような問題を解決するため、従来は１つの電磁誘導型磁
気ヘッドで記録と再生を行なっていたのに対し、記録と
再生を別の磁気ヘッドで行ない、再生用の磁気ヘッドと
して特開昭５１-４４９１７号公報（文献１）に記載さ
れているような磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドを用
いることが検討されている。この磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドは高い感度を持つため、高記録密度化に適してい
る。磁気抵抗効果型ヘッドでは、媒体からの漏洩磁界に
より、磁気抵抗層の磁化の方向が電流方向に対して相対
的に変化することによって生じる抵抗変化を利用して出
力を得る。米国特許第３８６４７５１号明細書（文献
２）に記載されているように、磁界に対する応答の直線
性を改善する目的で、上記磁気抵抗層の上に非磁性のス
ペーサ層を介して軟磁性膜バイアス層が形成されること
があるが、磁気抵抗変化を誘起するのは、基本的には、
単層の軟磁性層（磁気抵抗層）であり、抵抗変化率の大
きさは、通常、数％程度である。これに対して、近年、
フィジカル レビュー レターズ、第６１巻（１９８８
年）の第２４７２頁から第２４７５頁（Ｐｈｙｓ．Ｒｅ
ｖ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６１，ｐｐ．２４７２−２４
７５ (１９８８））（文献３）に記載されているよう
に、複数の磁性層を非磁性層を介して積層したタイプの
磁性膜で、最大数十％にも達する非常に大きな磁気抵抗
変化が報告されている。このタイプの磁性薄膜では、積
層された各磁性層の磁化の方向が必ずしも一致しておら
ず、その相対的な方向が外部磁界により変化することに
よって、大きな抵抗変化が生じる。このようなタイプの
多層磁性薄膜に生じる大きな磁気抵抗効果は、巨大磁気
抵抗効果あるいはスピン・バルブ効果と呼ばれており、
現在これを利用して、さらに高い感度を持つ磁気抵抗効
果型再生ヘッドの開発が進められている。

【０００３】磁気ディスク装置に用いられる記録媒体と
しては、当初、酸化物磁性体の粉末を基板上に塗布した
塗布型媒体が用いられていたが、近年、金属磁性体の薄
膜を基板上にスパッタ蒸着した薄膜媒体が開発されてい
る。この薄膜媒体は、例えば特開昭５８−７８０６号公
報（文献４）に示されているように、塗布型の媒体に比
べて磁気記録層に含まれる磁性体の密度が高いため、高
密度の記録再生に適している。一般に、薄膜媒体では、
Ｃｏを主成分としたＣｏ基合金系磁性薄膜を記録層とし
ている。より高密度な面内磁気記録を実現するために
は、ビット境界の磁荷からの反磁界に打ち勝って磁化を
記録方向に保持しておくために、保磁力を高くすると同
時に、膜厚残留磁束密度積（膜厚×残留磁束密度）を小
さくして反磁界を小さくする必要がある。膜圧残留磁束
密度積に関しては、例えば、アイ・イー・イー・イー
トランザクション オン マグネティックス，２９巻
（１９９３年）の第３１４頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．
ｏｎ Ｍａｇｎ．，Ｖｏｌ，２９（１９９３）ｐ．３１
４）（文献５）や、アイ・イー・イー・イー トランザ
クション オン マグネティックス，２８巻（１９９２
年）の第３０７８頁から３０８３頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，Ｖｏｌ．２８，ＰＰ３０７８
−３０８３）（文献６）に示されているように、１平方
インチ当たり１０ギガビットの面記録密度を実現するた
めに磁気記録媒体として必要とされる特性について机上
検討している。ここでは、膜厚残留磁束密度積を４４ガ
ウス・ミクロン以上１２５ガウス・ミクロンの範囲で保
磁力２５００エルステッド以上の磁気記録媒体が実現で
きた場合を仮定して議論している。しかし、ここではそ
の磁気記録媒体を実現するには今後の革新的な改良が必
要であるとされ、実際の媒体の実現手段については述べ
られていない。

【０００４】従来、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性膜よりもＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系あるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系等のＰｔ
を含んだＣｏ基合金磁性膜を用いた磁気媒体の方がより
高い保磁力が得られることが知られている。例えば、ア
イ・イー・イー・イー トランザクション オン マグ
ネティックス，２６巻（１９９０年）の第２２７１頁
（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，Ｖｏｌ．
２６，ｐ．２２７１（１９９０））（文献７）に示され
ているように、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜を用いたること
により、２ｋＯｅ以上の保磁力が得られている。一方、
従来のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性膜は、Ｐｔを含んだＣｏ
基合金磁性膜に比べて、保磁力は低いが媒体に起因する
ノイズ（媒体ノイズ）が低いという特徴を持っている。
第１６回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９９２
年）の第３８３頁（文献８）、あるいはアイ・イー・イ
ー・イー トランザクション オン マグネティック
ス、２９巻（１９９３年）の第３７３３頁（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，Ｖｏｌ．２９（１９９
３）ｐ．３７３３）（文献９）等に記載されているよう
に、Ｔａ濃度は２ａｔ％〜４ａｔ％程度が最適とされて
いる。

【０００５】一方、特開昭６３−１４６２１９号公報
（文献１０）では、薄膜媒体の磁気記録層を複数の磁性
層で構成し、各磁性層と磁性層の間に非磁性中間層を挿
入することにより、各磁性層間の磁気的結合を低減して
媒体に起因するノイズを低減した多層磁性層磁気記録媒
体が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、文献１
〜３等により磁気記録の高記録密度化に適した高感度な
磁気抵抗効果型の再生ヘッドが開発されている。この磁
気抵抗効果型の磁気ヘッドは再生感度が高く、かつ、ヘ
ッドの抵抗が低いため発生する熱雑音が小さい。このた
め、従来、電磁誘導型磁気ヘッドから発生する大きなノ
イズに隠れていた媒体ノイズが、装置全体のノイズに対
して大きな割合を占めるようになる。従って、磁気抵抗
効果型の磁気ヘッドを用いて高記録密度化を実現するた
めには、媒体ノイズを低減する必要がある。媒体ノイズ
を低減する方法としては、上記文献１０等に記載されて
いるように非磁性中間層を層間に挿入した複数の磁性層
から成る多層磁性層磁気記録媒体が提案されている。従
って、磁気抵抗効果型再生ヘッドと多層磁性層磁気記録
媒体を組み合わせることにより磁気ディスク装置の高密
度化が期待できる。

【０００７】しかし、実際に、このような組み合わせの
磁気ディスク装置を試作してみると、磁性層数が１層の
従来の磁気記録媒体（単層磁性層磁気記録媒体）を用い
た場合に比べて、高記録密度での再生出力がディスク面
内で不均一で、出力の低下が大きく、十分な信号ノイズ
比（Ｓ／Ｎ）が得られなかった。このように、感度の高
い再生ヘッドとノイズの低い磁気記録媒体が、個別に
は、開発されているが、これらをどのように組み合わせ
ることにより高い記録密度を持つ磁気ディスク装置を実
現できるかについては、十分に検討されていなかった。

【０００８】さらに、上記文献５及び文献６に記載され
ているように、記録密度を高めるためには磁気記録媒体
の保磁力を大きくすると同時に、膜圧残留磁束密度積を
小さくして反磁界を小さくすることが必要であるが、こ
れらの文献５，６では、Ｈｃが２４００エルステッド以
上で膜厚残留磁束密度積が１２０ガウス・ミクロン以下
のものとしてＳｍＣｏ系の磁性材料を示唆しているだけ
であって、その他具体的にどのような原子比の合金磁性
膜を有する磁気記録媒体により、そのような高い保磁力
と小さな膜厚残留磁束密度積とを得ることができるかに
ついては何も示されていない。なお、上記文献７では、
Ｃｏ−Ｃｒ系磁気記録媒体において磁性膜中にＰｔを加
えることにより保磁力を高めることができることが示さ
れているが、膜厚残留磁束密度積の値については何も示
されておらず、またＰｔは希少で高価であるという問題
がある。

【０００９】一方、上記文献８及び文献９では、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性膜が、２ａｔ％〜４ａｔ％のよう
な比較的低いＴａ濃度において、Ｐｔを含んだＣｏ基合
金磁性膜よりも保磁力は低いが媒体ノイズが低い特徴を
もっていることが示されているが、Ｔａ濃度をもつと高
めることやそのようにしたときの保磁力等の特性につい
ては何も考察されていない。発明者等は、色々と研究し
た結果、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性膜は、比較的高い
Ｔａ濃度において高い保磁力を有すると同時に、小さい
膜厚残留磁束密度積を有することを見出したものであ
る。

【００１０】従って、本発明の第１の目的は、上記の従
来技術の問題点を解決し、高い保磁力及び小さい膜厚残
留磁束密度積を有することにより、１平方インチ当たり
１ギガビット以上の高密度な情報の記録再生が可能で信
頼性の高いＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性膜を有する磁気
記録媒体を提供することにある。本発明の第２の目的
は、上記のような特性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金
磁気記録媒体と特別の再生ヘッドと組み合わせることに
より、高感度で高Ｓ／Ｎ再生特性を持ちかつ高記録密度
の記録再生特性の得られる磁気記録装置を提供すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】

（１） 上記第１の目的を達成するため、本発明は、非
磁性基板上に少なくとも１層の非磁性下地膜を介して形
成された情報記録層を有し、前記情報記録層が少なくと
も１層の磁性膜から構成される磁気記録媒体において、
前記磁気記録媒体の磁性膜の厚さの合計ｔと、記録時に
おける前記磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの相対的な
走行方向に磁界を印加して測定した前記磁気記録媒体の
残留磁束密度Ｂｒとの積（膜厚残留磁束密度積）Ｂｒ×
ｔを１０ガウス・ミクロン以上、１２０ガウス・ミクロ
ン以下とし、かつ、前記磁性膜を実質的にＣｏ、Ｃｒお
よびＴａからなる３元合金とし、前記磁性膜中のＣｏの
原子濃度に対するＴａの原子濃度の比を０．０６９以
上、０．１２以下としたものである。

【００１２】（２） 前記磁気記録媒体の磁性膜中のＣ
ｏの原子濃度に対するＣｒの原子濃度の比を０．１７以
上、０．３３以下とすることにより、高記録密度での出
力を高くできる。

【００１３】（３） 前記第１の目的は、磁気記録媒体
と、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生
部から成る磁気ヘッドと、上記磁気ヘッドを上記磁気記
録媒体に対して相対運動させる手段と、上記磁気ヘッド
への信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行う
ための記録再生信号処理手段を有する磁気記録装置にお
いて、前記磁気ヘッドの再生部を磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドで構成し、かつ、前記磁気記録媒体を非磁性基板上
に少なくとも１層の非磁性下地膜を介して形成された少
なくとも１層の磁性膜からなる情報記録層で構成し、さ
らに、上記磁性膜の厚さの合計ｔと、記録時における該
磁気記録媒体に対する上記磁気ヘッドの相対的な走行方
向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂｒの積（膜
厚残留磁束密度積）Ｂｒ×ｔを１０ガウス・ミクロン以
上、１２０ガウス・ミクロン以下とし、該磁性膜を実質
的にＣｏ、ＣｒおよびＴａからなる３元合金とし、Ｃｏ
の原子濃度に対するＴａの原子濃度の比を０．０６９以
上、０．１２以下とすることによって達成される。

【００１４】

【作用】上記構成に基づく作用を説明するる本発明者等
は、高記録密度化に適した再生部に磁気抵抗センサを用
いた磁気ヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）と低ノイズ化
に適した多層磁性層磁気記録媒体を組み合わせて、磁気
ディスク装置を試作し、１平方インチ当たり１ギガビッ
トの記録密度を実現しようとしたが、十分な性能を得る
ことができなかった。そこで、その原因を詳細に解析し
た結果、多層磁性層磁気記録媒体では、従来の単層磁性
層磁気記録媒体に比べて、膜厚残留密度積の減少に伴う
保磁力の低下が急激であり、１平方インチ当たり１ギガ
ビットの記録密度で必要な１２０ガウス・ミクロン以下
の膜厚残留密度積の領域では、十分な保磁力が得られて
いなかった。このため、高線記録密度領域で出力が低下
し、十分な性能が得られないことが明かとなった。

【００１５】そこで、磁気ヘッドの構造、磁気記録媒体
の層構成、磁性膜と下地膜の組成と膜厚、各層の成膜条
件等を変えて１平方インチ当たり１ギガビットの記録密
度が実現できる条件を検討した。その結果、シールド間
隔を０．３５ミクロン以下とした磁気抵抗効果型ヘッド
を用い、磁気記録媒体の磁性膜をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合
金とし、Ｃｏに対するＴａの組成比を一定の範囲に設定
することにより、上記の記録密度が実現できることが明
かとなった。

【００１６】前述のように、磁性膜をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金で構成した磁気記録媒体は従来から知られている
が、Ｔａ濃度が２ａｔ％〜４ａｔ％程度と低く、媒体ノ
イズ特性は良くても、保磁力が低く高記録密度を実現す
ることはできなかった。本発明者によれば、Ｔａ／Ｃｏ
原子濃度比を高いＴａ濃度の０．０６９以上０．１２以
下とすることにより、１２０ガウス・ミクロン以下のよ
うな低い膜厚残留磁束密度積でも２０００エルステッド
以上好適には２４００エルステッド以上のような極めて
高い保磁力が得られ、高記録密度に適するＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ系磁気記録媒体が得られることが見出されたもので
ある。

【００１７】図１に、単層のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁
性膜において、記録時における該磁気記録媒体に対する
磁気ヘッドの相対的な走行方向（すなわち、ディスク円
周方向）に磁界を印加して測定した（以下、特に断りの
ないかぎり媒体の磁気特性はこの方向に磁界を印加して
測定したものとする）該磁気記録媒体の残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性膜の厚さのｔの積（膜厚残留磁束密度積）Ｂｒ
×ｔを１８０，１２０，６０，１０ガウス・ミクロンと
した場合の、Ｃｏの原子濃度に対するＴａの原子濃度の
比（以下、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比と略す）に対する保磁
力の変化を示す。ここで、Ｃｏの原子濃度に対するＣｒ
の原子濃度の比（以下、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比と略す）
は約０．２２で一定とし、Ｃｒを下地膜として用いた。
成膜装置としては、基板を一定時間間隔で一枚ずつ順次
送りながら、媒体の各膜をそれぞれ別々の成膜室で形成
する枚葉式スパッタ装置を用い、ｄｃマグネトロンスパ
ッタ法により各膜を形成した。基板としては表面にディ
スク円周方向の微細な溝（テクスチャ）を設けたＮｉ−
ＰメッキＡｌ合金の３．５インチ磁気ディスク用基板を
用いた。その上に、下地膜、磁性膜、Ｃ保護膜を順次形
成した、下地膜の厚さは５０ｎｍ、Ｃ保護膜の厚さは１
０ｎｍとし、磁性膜の厚さを１０〜６０ｎｍの範囲で調
整して、Ｂｒ×ｔが上記の値になるようにした。

【００１８】この図に見られるように、各Ｂｒ×ｔの値
について、保磁力はＴａ／Ｃｏ原子濃度比に対して極大
を持つ。Ｂｒ×ｔの値が小さくなるほど、保磁力が極大
となるＴａ／Ｃｏ原子濃度比は大きくなっている。ま
た、得られる保磁力の値は、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比を大
きくすることにより、従来、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比が小
さな領域で得られていた値よりも大きくなる。従って、
Ｂｒ×ｔの値を小さくしなければならない高密度記録領
域では、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比を大きな磁性膜組成を採
用することによって、良好な記録再生特性が得られるも
のと期待される。従来、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性膜
において、最適とされているＴａ濃度が２ａｔ％〜４ａ
ｔ％程度の組成では、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比は０．０２
〜０．０５の範囲にあり、上記のように、Ｔａ／Ｃｏ原
子濃度比を大きくすることによって、Ｂｒ×ｔの値が１
２０ガウス・ミクロン以下の小さな領域における保磁力
が、従来のＢｒ×ｔが大きな領域で得られていた値より
も大きくなることは、これまでに報告されておらず、今
回の本発明者等の検討で初めて明かになったものであ
る。

【００１９】図２に、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比を約０．０
８で一定とした場合の、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比に対する
保磁力の変化を示す。ここで、Ｂｒ×ｔが８０ガウス・
ミクロンとなるように磁性膜厚を調整した。この図に見
るように、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比を０．１５から倍の
０．３０まで変化させても、保磁力はほとんど変化しな
い。

【００２０】図３に、Ｂｒ×ｔの値が１２０ガウス・ミ
クロン以下の領域で得られる最大保磁力のＴａ／Ｃｏ原
子濃度比依存性を示す。ここで、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比
は約０．２２で一定とした。図に見るように、Ｔａ／Ｃ
ｏ原子濃度比の大きな領域で高い保磁力が得られてい
る。１平方インチ当たり１ギガビット以上の記録密度を
実現するためには、約２．４キロエルステッド以上の保
磁力が必要と考えられ、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比を０．０
６９以上とすることにより、この要求を実現できる。

【００２１】図４に、図３に示す最大保磁力が得られた
磁気記録媒体の媒体Ｓ／ＮとＴａ／Ｃｏ原子濃度比の関
係を示す。この媒体Ｓ／Ｎの評価では、記録用の電磁誘
導型薄膜ヘッドと再生用の磁気抵抗効果型ヘッド（シー
ルド間隔０．３５ミクロン）を複合した磁気ヘッドを用
い、ヘッド浮上量４０nm、線記録密度１７０kFCI（Flux
Changas/Inch）、トラック密度６．７kTPI（Tracks/In
ch）の条件で評価した。この図に見るように、Ｔａ／Ｃ
ｏ原子濃度比の増大と共に媒体Ｓ／Ｎが増大し、Ｔａ／
Ｃｏ原子濃度比が０．０６９以上で大きな媒体Ｓ／Ｎが
得られている。Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比が０．１２よりも
大きくなると、逆に媒体Ｓ／Ｎが低下する。これは、媒
体の保磁力角型比が小さくなり、高記録密度領域での出
力が低下するためである。図４及び図３の結果から、Ｔ
ａ／Ｃｏ原子濃度比は０．０６９〜０．１２の範囲にあ
ることが望ましい。Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比が０．０６９
よりも小さいと、保磁力が２．４キロエルステッド以下
になってしまい、１平方インチ当たり１ギガビット以上
の記録再生が困難である。Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比が０．
１２よりも大きいと、保磁力角型比が小さくなり、高記
録密度領域での出力が低下する。図２に見られるよう
に、保磁力はＣｒ／Ｃｏ原子濃度比が０．１５〜０．３
５の範囲でほぼ一定である。記録再生特性の観点から
は、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比が０．１７〜０．３３の範囲
にあることが望ましい。Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比が０．１
７よりも小さくなると、媒体ノイズが大きくなる。ま
た、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比が０．３３よりも大きくなる
と、角型比が低下し、高記録密度領域での出力が低下す
る。

【００２２】図５に、図３のプロットにおいて保磁力が
最大となる膜厚残留磁束密度積のＴａ／Ｃｏ原子濃度比
依存性を示す。保磁力が最大となる膜厚残留磁束密度積
は、Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比の増大に伴って減少してい
る。従来の、磁気抵抗が層実質的に単層である磁気抵抗
効果型ヘッドを用いた場合、膜厚残留磁束密度積Ｂｒ×
ｔが６０ガウス・ミクロン以下の領域では、出力が小さ
くなるため、ヘッド・アンプ系のノイズに制限されて十
分な装置Ｓ／Ｎを確保することができない。このように
Ｂｒ×ｔの小さな媒体に対しては、再生磁気ヘッドとし
て、互いの磁化方向が外部磁界によって相対的に変化す
ることによって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁
性層と該導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層
を含む所謂スピンバルブ効果あるいは巨大磁気抵抗効果
を利用した磁気ヘッドを用いることによって高い装置Ｓ
／Ｎを確保することが可能である。一般に、感度の高い
ヘッド程、小さな磁界で出力が飽和する傾向がある。従
って、上記のＢｒ×ｔが小さな媒体は、スピンバルブ効
果あるいは巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドと組
み合わせるのに適しており、１平方インチ当たり２ギガ
ビット以上の記録再生が可能となる。このときのＴａ／
Ｃｏ原子濃度比の好適な範囲は０．０８〜０．１２であ
る。Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比が０．０８よりも小さいと、
１平方インチ当たり２ギガビット以上の記録再生に必要
な２．４キロエルステッド以上の保磁力が得られるＢｒ
×ｔが６０ガウス・ミクロンよりも大きくなってしま
い、スピンバルブ効果あるいは巨大磁気抵抗効果を利用
した磁気ヘッドによる再生に適さない。Ｔａ／Ｃｏ原子
濃度比が０．１２よりも大きいと、保磁力角型比が小さ
くなり、高記録密度領域での出力が低下する。また、Ｂ
ｒ×ｔが１０ガウス・ミクロンよりも小さくなると、出
力が低下するので好ましくない。

【００２３】上記の検討では、磁気記録媒体の磁性膜と
して、実質的にＣｏ，ＣｒおよびＴａからなる３元合金
を用いた。磁性膜の不純物を分析した結果、Ａｒ、酸素
が微量検出されたが、これらのスパッタ成膜中に不可避
的に取り込まれる不純物元素は、上記の特性に大きな影
響を与えていないと考えられる。また、磁気ディスク用
磁気記録媒体に一般的に用いられている、Ｎｉ，Ｚｒ，
Ｐｔ等の元素を添加した場合にも、添加元素の原子濃度
の和がＣｏ原子濃度の４％程度以下であれば上記のＴａ
／Ｃｏ原子濃度比に対する特性変化は、本質的には変わ
らない。また、上記の検討では、下地膜にＣｒを用いた
が、Ｃｒの変わりに、Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗ等とＣｒの合
金を用いても良い。

【００２４】

【実施例】以下に、本発明の実施例を図面により説明す
る。

【００２５】《実施例１》まず、本発明の一実施例（実
施例１）を図６，図７，図８および図９により説明す
る。本実施例の例えば磁気ディスク装置のような磁気記
録装置の平面模式図および断面模式図を図６（ａ）およ
び図６（ｂ）に示す。この装置は、磁気記録媒体（磁気
ディスク）６１と、これを回転駆動する駆動部６２と、
磁気ヘッド６３およびその駆動手段６４と、上記磁気ヘ
ッドの記録再生信号処理手段６５を有して成る周知の構
成を持ち磁気ヘッドを高精度に位置決めする機能を有す
る磁気記録装置である。

【００２６】この磁気記録装置に用いた磁気ヘッドの構
造を図７に模式的に示す。この磁気ヘッドは基体７８の
上に形成された記録用の電磁誘導型磁気ヘッドと再生用
の磁気抵抗効果型ヘッドを組み合わせた録再分離型ヘッ
ドである。磁気抵抗センサ７１を下部シールド層７２と
上部シールド層７３で挟んだ部分が再生ヘッドとして働
き、コイル７４を挟む下部記録磁極７５と上部記録磁極
７６が記録ヘッドとして働く。磁気抵抗センサ７１から
の出力信号は電極パタン７７を介して外部に取り出す。

【００２７】磁気抵抗センサ７１の断面構造を図８に示
す。この磁気抵抗センサは、シールド層と磁気抵抗セン
サの間のギャップ層８１の上に形成された強磁性材料の
薄膜磁気抵抗性導電層８３と、この薄膜磁気抵抗性導電
層を単一磁区とするための反強磁性磁区制御層８２と、
上記薄膜磁気抵抗性導電層の感磁部８４における薄膜磁
気抵抗性導電層と反強磁性磁区制御層の間の交換相互作
用を絶ち切るための非磁性層８５と、感磁部に対するバ
イアス磁界を発生できる手段として軟磁性層もしくは永
久磁石膜バイアス層８７と、軟磁性層もしくは永久磁石
膜バイアス層と薄膜磁気抵抗性導電層の間の電流分流比
を調節するための高抵抗層８６を含む。以下に、このヘ
ッドの作製方法を示す。

【００２８】酸化Ａｌ・炭化Ｔｉを主成分とする焼結体
をスライダ用の基体とした。上下シールド層と記録磁極
にはスパッタ法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金膜を用いた。
上下シールド層の厚さは１μｍ、記録磁極の厚さは３μ
ｍとした。シールド層と磁気抵抗センサおよび記録磁極
の間には、スパッタ法で酸化Ａｌのギャップ層を形成し
た。上下の各シールド層と磁気抵抗センサの間のギャッ
プ層厚さは略１５０ｎｍ、シールド層と記録磁極の間の
ギャップ層厚（再生ヘッドと記録ヘッドの間隔）は約３
μｍとした。コイルには厚さ３μｍのＣｕを用いた。ま
た、磁気抵抗センサの薄膜磁気抵抗性導電層として厚さ
３０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金層、反強磁性磁区制御層とし
て厚さ３５ｎｍのＮｉＯ層、薄膜磁気抵抗性導電層と反
強磁性磁区制御層の間の交換相互作用を絶ち切るための
非磁性層として厚さ２ｎｍのＮｂ層、軟磁性バイアス層
として厚さ４０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ合金軟磁性層、
さらに、電極パタンとして厚さ１００ｎｍのＣｕ薄膜を
スパッタ法により形成した。

【００２９】また、前記磁気記録媒体としては、図９に
模式的に示すような断面構造を持つ単層磁性層磁気記録
媒体を用いた。この磁気記録媒体はＡｌ−Ｍｇ合金、化
学強化ガラス、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｉ−Ｃ、カーボン、結晶
化ガラスあるいはセラミクス等からなる基板９１、Ａｌ
−Ｍｇ合金を基板として用いた場合に、その両面に形成
されたＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ等からなる非磁性メッキ
層９２、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらのいずれかを主
な成分とする合金からなる下地層９３、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ合金からなる磁性層９４、カーボン、ボロン、炭化シ
リコン、窒化シリコン、二酸化シリコン、タングステン
・カーバイト、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ、（Ｗ−Ｚｒ）−Ｃ等
からなる保護層９５、および、パーフロルオロアルキル
ポリエーテル等の潤滑層９６を含む。以下に、本実施例
の磁気記録媒体の作製方法を示す。

【００３０】外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ０．８
ｍｍのＡｌ−４ｗｔ％Ｍｇ（原子記号の前に付した数字
は当該素材の含有量を示す）からなるディスク基板の両
面にＮｉ−１２ｗｔ％Ｐからなるメッキ層を厚さが１３
μｍとなるよう形成した。この非磁性基板の表面を、ラ
ッピングマシンを用いて表面中心線平均粗さＲａが２ｎ
ｍとなるまで平滑に研磨し、洗浄、さらに乾燥した。そ
の後、テープポリッシングマシン（例えば、特開昭６２
−２６２２２７号公報（文献１１）に記載）を用い、砥
粒の存在下で研磨テープをコンタクトロールを通して、
ディスク基板５１を回転させながらディスク面の両側に
押しつけることにより、ディスク基板表面に略円周方向
のテクスチャを形成した。さらに、基板に付着した研磨
剤等の汚れを洗浄・除去して乾燥した。このように形成
されたディスク基板を枚葉式ｄｃマグネトロンスパッタ
装置の基板仕込み室に装填して真空に引いた後、当該基
板を加熱室、非磁性下地膜形成室、磁性膜形成室、非磁
性保護膜形成室および取り出し室の順に主排気槽を介し
ながら搬送し、それぞれの室でそれぞれの膜を形成し
た。先ず、当該加熱室では２７０℃に加熱し、５ｍＴｏ
ｒｒのアルゴン圧のもとでＣｒターゲットに４ｋＷの電
力を加えて、３０ｎｍのＣｒ下地膜を形成した。この下
地膜の上に、５ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとでターゲ
ットに３ｋＷの電力を加えてＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−６
ａｔ％Ｔａ（Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比＝０．０７７、Ｃｒ
／Ｃｏ原子濃度比＝０．２０５）から成る膜厚２５ｎｍ
の金属磁性膜を積層した。さらに、この磁性膜の上にア
ルゴン圧６ｍＴｏｒｒのもとでターゲットに２ｋＷの電
力を加えて膜厚１０ｎｍのカーボン保護膜を形成した。
そして、当該保護膜上に吸着性のパーフルオロアルキル
ポリエーテルの潤滑層を形成した。こうして形成された
磁気記録媒体をＸ線回折により分析した結果、Ｃｒ下地
層では（１００）あるいは（１１０）結晶面が基板と略
並行となるように結晶が配向成長し、磁性層は（１１
０）面が基板と略並行となるよう配向成長していた。こ
の磁気記録媒体のディスク円周方向に磁界を印加して測
定した保磁力Ｈｃは２５１０エルステッド、膜厚残留磁
束密度積Ｂｒ×ｔは８２ガウス・ミクロンであった。

【００３１】本実施例の磁気記録装置の磁気ヘッドとし
て、記録ギャップ長０．４μｍ、トラック幅３．０μ
ｍ、巻線数３０ターンの薄膜型ヘッドと、シールド間隔
０．３μｍ、トラック幅２．６μｍの磁気抵抗効果型ヘ
ッドを組み合わせたヘッドを用い、ヘッド浮上量４０ｎ
ｍ、線記録密度１５１ｋＢＰＩ、トラック密度６．７ｋ
ＴＰＩの条件で記録再生特性を評価したところ、１．６
の媒体Ｓ／Ｎが得られた。また、磁気ヘッドの出力信号
に最尤復号による信号処理を施すことにより、１平方イ
ンチ当たり１ギガビットの情報を１０のマイナス８乗の
ビットエラーレートで記録再生することができた。

【００３２】《実施例２》実施例１において、磁性膜作
製時に予め基板にマイナス２００Ｖの負のバイアス電圧
を印加した以外は、実施例１と同様の作製方法で磁気デ
ィスクを形成した。この磁気記録媒体のディスク円周方
向に磁界を印加して測定した保磁力Ｈｃは２７２０エル
ステッド、膜厚残留磁束密度積Ｂｒ×ｔは８３ガウス・
ミクロンであった。

【００３３】実施例１と同様にして記録再生特性を評価
したところ、１．７の媒体Ｓ／Ｎが得られた。また、磁
気ヘッドの出力信号に最尤復号による信号処理を施すこ
とにより、１平方インチ当たり１平方インチ当たり１ギ
ガビットの情報を１０のマイナス８乗のビットエラーレ
ートで記録再生することができた。

【００３４】《実施例３》実施例１と同様な構成の磁気
記録媒体において、金属磁性膜として表１に示すような
組成の磁性合金膜を用いて実施例１と同様な方法で試料
番号１〜９、比較例１、比較例２、および比較例３の磁
気ディスクを形成した。これらの磁気ディスクの磁気特
性と実施例１と同様にして評価した記録再生特性を表１
に示す。Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比が０．０６９〜０．１２
の範囲にある試料番号１〜９の保磁力は比較例に比べ保
磁力が７００エルステッド程度以上大きく、良好な記録
再生特性が得られている。なお、表１中「Ｄ５０」は出
力半減記録密度を表す。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１の試料番号１〜９の磁気ディスクを用
いて、実施例１と同様の磁気記録装置を構成することに
よって、１平方インチ当たり１ギガビットの情報を１０
のマイナス８乗のビットエラーレートで記録再生するこ
とができた。

【００３７】《実施例４》実施例１と同様の構成を持つ
磁気記録装置において、磁気ヘッドを図１０に示すよう
な構造を持つ録再分離型磁気ヘッドで構成した。この磁
気ヘッドは基本的には図７に示した実施例１の録再分離
型磁気ヘッドと同じ構造を持つが、図７における上部シ
ールド層７３と下部記録磁極７５が１つのシールド記録
磁極兼用層１０１で置き換えられている点が異なってい
る。このシールド記録磁極兼用層は、その名が示すとお
り、上部シールド層と下部記録磁極の役割を１つの軟磁
性層で行なわせるものであり、本実施例では、スパッタ
法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金膜を用いた。このような構
造のヘッドを用いることにより、特に、トラック密度が
７ｋＴＰＩ以上にしたときのビットエラーレート増大が
小さく抑えられた。これは、記録ヘッドと再生ヘッドの
距離が小さくなり、ロータリー・アクチュエータを用い
た場合のヨー角の影響による記録ヘッドと再生ヘッドの
位置決め誤差が小さくなったためと考えられる。また、
上部磁極として飽和磁束密度が１６０００ガウスと大き
なメッキ法により形成したＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金膜を用
いることにより、重ね書き特性を実施例１の場合に比べ
て約６ｄＢ改良することができた。

【００３８】《実施例５》本実施例では、実施例１と同
様の構成を持つ磁気記録装置において、磁気ヘッドを実
施例４と同じ構造を持つ録再分離型磁気ヘッドとし、再
生磁気ヘッドを図１１に示した断面構造を持つスピン・
バルブ型の磁気抵抗センサを用いて構成した。この磁気
抵抗センサは、非磁性層により隔てられた２つの磁性層
間の相対的な磁化方向の変化により生じる抵抗変化（ス
ピン・バルブ効果による磁気抵抗変化）を利用したタイ
プの磁気抵抗センサである。シールド層と磁気抵抗セン
サの間の酸化Ａｌのギャップ層８１の上に、バッファ層
１１１として厚さ２ｎｍのＴｉ層、第１の磁気抵抗層１
１２として厚さ３ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金層、
非磁性層１１３として厚さ１．５ｎｍのＣｕ層、第２の
磁気抵抗層１１４として厚さ３ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％
Ｆｅ合金層、および、反強磁性層１１５として厚さ５ｎ
ｍのＦｅ−５０ａｔ％Ｍｎ合金層をスパッタリング法に
より順次形成した。この磁気抵抗センサでは、反強磁性
層１１５からの交換バイアス磁界によって第２の磁気抵
抗層の磁化が一方向に固定され、媒体からの漏洩磁界に
よって第１の磁気抵抗層の磁化方向が変化して抵抗変化
が生じる。バッファ層１１１としてＴｉを用いることに
より、第１および第２の磁気抵抗層１１２及び１１４の
（１１１）結晶格子面が膜面に平行となるように配向
し、これにより磁気抵抗層間の交換相互作用が弱められ
て、実施例１の磁気抵抗センサに比べて約３倍の高い感
度が得られた。また、本実施例では、記録用磁極材料と
してＣｏＴａＺｒ合金を用いた。

【００３９】実施例１と同様な構成の磁気記録媒体にお
いて、金属磁性膜として表２に示すような組成の磁性合
金膜を用いて実施例１と同様な方法で試料番号１１〜１
８の磁気ディスクを形成した。

【００４０】

【表２】

【００４１】これらの磁気ディスクを記録ギャップ長
０．３μｍ、トラック幅２．４μｍ、巻線数３０ターン
の薄膜型ヘッドと、シールド間隔０．２７μｍ、トラッ
ク幅１．９μｍとした上記スピン・バルブ効果を利用し
た再生ヘッドを組み合わせたヘッドを用い、ヘッド浮上
量３５ｎｍ、線記録密度２００ｋＢＰＩ、トラック密度
１０ｋＴＰＩの条件で記録再生特性を評価した。結果を
表２に示す。

【００４２】いずれも、１平方インチ当たり２ギガビッ
トという高い記録密度において、１．３以上の媒体Ｓ／
Ｎが得られた。また、磁気ヘッドの出力信号に最尤復号
による信号処理を施すことにより、１平方インチ当たり
２ギガビットの情報を１０のマイナス８乗のビットエラ
ーレートで記録再生することができた。

【００４３】《実施例６》本実施例では、実施例５と同
様の構成を持つ磁気記録装置において、磁気記録媒体と
して図１２に示すような構造の２層磁性層磁気記録媒体
を用いた。この媒体は図９の単層磁性層磁気記録媒体の
磁性層９４と保護層９５の間に非磁性中間層１２１と第
２の磁性層１２２を挿入した構造を持つ。外径６５ｍ
ｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍの、Ａｌ−７ｗ
ｔ％Ｍｇから成るディスク基板の両面にＮｉ−１３ｗｔ
％Ｐから成る膜厚１０μｍのメッキ層９２を形成した。
以下実施例１と同様に基板を形成し、上記の枚葉式ｄｃ
マグネトロンスパッタ装置の基板仕込み室に装填して真
空に引いた後、当該基板を加熱室、非磁性下地膜形成
室、第１磁性膜形成室、非磁性中間膜形成室、第２磁性
膜形成室、非磁性保護膜形成室および取り出し室の順に
主排気槽を介しながら搬送し、それぞれの室でそれぞれ
の膜を形成した。先ず、当該加熱室では２８０℃に加熱
し、５ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとでＣｒターゲット
に４ｋＷの電力を加えて、３０ｎｍのＣｒ下地膜９３を
形成した。この下地膜の上に、５ｍＴｏｒｒのアルゴン
圧のもとでターゲットに２ｋＷの電力を加えてＣｏ−１
８ａｔ％Ｃｒ−７ａｔ％Ｔａ（Ｔａ／Ｃｏ原子濃度比＝
０．０９３、Ｃｒ／Ｃｏ原子濃度比＝０．２４）から成
る膜厚２０ｎｍの第１金属磁性膜９４を積層した。この
磁性膜の上に、５ｍＴｏｒｒのアルゴン圧のもとでター
ゲットに１ｋＷの電力を加えてＣｒから成る膜厚２ｎｍ
の非磁性中間層１２１を積層し、さらにこの中間層の上
にターゲットに２ｋＷの電力を加えてＣｏ−１８ａｔ％
Ｃｒ−７ａｔ％Ｔａから成る膜厚２０ｎｍの第２金属磁
性膜１２２を形成した。さらに、この磁性膜の上にアル
ゴン圧６ｍＴｏｒｒのもとでターゲットに２ｋＷの電力
を加えて膜厚１０ｎｍのカーボン保護膜９５を形成し
た。そして、当該保護膜上に吸着性のパーフルオロアル
キルポリエーテル等の潤滑層９６を形成し２．５インチ
磁気ディスクとした。上記スパッタ装置の主真空層の真
空度は３×１０のマイナス８乗Ｔｏｒｒ以下にした。

【００４４】実施例５と同様の方法で、記録再生特性を
評価したところ、媒体Ｓ／Ｎが２．０と実施例５と比較
してさらに高いＳ／Ｎが得られた。また、磁気ヘッドの
出力信号に最尤復号による信号処理を施すことにより、
１平方インチ当たり２．４ギガビットの情報を１０のマ
イナス８乗のビットエラーレートで記録再生することが
できた。

【００４５】なお、上記実施例１〜６の磁気ディスクに
用いた非磁性基板９１は、Ｓｉ単結晶基板、ガラス基
板、カーボン基板等を用いてもよく、この場合は非磁性
メッキ層を形成しなくてもよい。また、実施例６では、
第１磁性膜と第２磁性膜とは同ーの組成としたが、必ず
しも同じ組成である必要はない。

【００４６】なお、本発明は、以下の態様で実施するこ
とができる。

【００４７】（１） 請求項１または２において、Ｃｏ
の原子濃度に対するＴａの原子濃度の比を０．０８以
上、０．１２以下とする。

【００４８】（２） 請求項１，２または上記実施態様
（１）において、上記磁気記録媒体の情報記録層を非磁
性中間層で隔てられた少なくとも２層以上の磁性層で構
成することにより、Ｓ／Ｎが向上し、ビットエラーレー
トを低くできる。

【００４９】（３） 請求項１，２，上記実施態様
（１）または（２）において、上記磁気記録媒体の上記
非磁性下地膜をＣｒあるいはＣｒを主成分とする合金と
し、該非磁性下地膜の厚さを２ｎｍ以上、６０ｎｍ以下
とすることにより、一層の低ノイズ化を図ることができ
る。

【００５０】（４） 請求項１，２，上記実施態様
（１），（２）または（３）において、記録時における
磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に
磁界を印加して測定した磁気記録媒体の保磁力Ｈｃが
２．４キロエルステッド以上とされる。これにより１平
方インチ当たりギガビット以上の高記録密度を実現す
る。

【００５１】（５） 請求項３において、上記磁気ヘッ
ドの再生部を、互いの磁化方向が外部磁界によって相対
的に変化することによって大きな抵抗変化を生じる複数
の導電性磁性層と該導電性磁性層の間に配置された導電
性非磁性層を含む巨大磁気抵抗効果型の磁気抵抗センサ
によって構成し２．４キロエルステッド以上とすること
により、１平方インチ当たり２ギガビット以上の高密度
な情報の記録再生が可能となる。

【００５２】

【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性膜を有する磁気記録媒体
において、膜厚残束密度積Ｂｒ・ｔを１００ガウス・ミ
クロン以上１２０ガウス・ミクロン以下とし、磁性膜中
のＣｏ原子濃度に対するＴａ原子濃度の比を０．０６９
以上０．１２以下としたことによって、低いＢｒ・ｔで
も高い保磁力Ｈｃが得られるので、１平方インチ当たり
１ギガビット以上と極めて高い面記録密度が記録可能な
面内磁気記録媒体が得られる効果がある。さらにこの磁
気記録媒体とシールド間隔が０．３５ミクロン以下のご
く狹い間隔を有するＭＲヘッドや高精度に磁気ヘッドを
位置決めする技術等を組み合わせることにより、１平方
インチ当たり１ギガビット以上と極めて高い面記録密度
を有する磁気記録装置を構成することができる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】異なるＢｒ×ｔ値を持つ磁気記録媒体における
保磁力とＴａ／Ｃｏ原子濃度比の関係を示す図である。

【図２】磁気記録媒体における保磁力とＣｒ／Ｃｏ原子
濃度比の関係を示す図である。

【図３】磁気記録媒体におけるＴａ／Ｃｏ原子濃度比と
Ｂｒ×ｔ値が１２０ガウス・ミクロン以下の領域で得ら
れる最大保磁力値の関係を示す図である。

【図４】図３にプロットした磁気記録媒体におけるＴａ
／Ｃｏ原子濃度比と媒体Ｓ／Ｎの関係を示す図である。

【図５】磁気記録媒体におけるＴａ／Ｃｏ原子濃度比と
保磁力が最大となる膜厚残留磁束密度積の関係を示す図
である。

【図６】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、本発明の一
実施例の磁気記録装置の平面模式図およびそのＡ−Ａ’
断面図である。

【図７】本発明の実施例の磁気記録装置における、磁気
ヘッドの断面構造の一例を示す斜視図である。

【図８】本発明の実施例の磁気記録装置における、磁気
ヘッドの磁気抵抗センサ部の断面構造の一例を示す模式
図である。

【図９】本発明の実施例の磁気記録装置における、単層
磁性層磁気記録媒体の断面構造の一例を示す斜視図であ
る。

【図１０】本発明の実施例の磁気記録装置における、磁
気ヘッドの断面構造の一例を示す斜視図である。

【図１１】本発明の実施例の磁気記録装置における、磁
気ヘッドの磁気抵抗センサ部の断面構造の一例を示す模
式図である。

【図１２】本発明の実施例の磁気記録装置における、多
層磁性層磁気記録媒体の断面構造の一例を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

６１ 磁気記録媒体 ６２ 磁気記録媒体駆動部 ６３ 磁気ヘッド ６４ 磁気ヘッド駆動部 ６５ 記録再生信号処理系 ７１ 磁気抵抗センサ ７２ 下部シールド層 ７３ 上部シールド層 ７４ コイル ７５ 下部記録磁極 ７６ 上部記録磁極 ７７ 導体層 ７８ 基体 ８１ シールド層と磁気抵抗センサの間のギャップ層 ８２ 反強磁性磁区制御層 ８３ 薄膜磁気抵抗性導電層 ８４ 薄膜磁気抵抗性導電層の感磁部 ８５ 非磁性層 ８６ 高抵抗層 ８７ 軟磁性層もしくは永久磁石膜バイアス層 ９１ 基板 ９２ 非磁性メッキ層 ９３ 下地層 ９４ 磁性層 ９５ 保護層 ９６ 潤滑層 １０１ シールド記録磁極兼用層 １１１ バッファ層 １１２ 第１の磁気抵抗層 １１３ 非磁性層 １１４ 第２の磁気抵抗層 １１５ 反強磁性層 １２１ 非磁性中間層 １２２ 第２の磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲垣 譲 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 藤田 塩地 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも１層の非磁
   性下地膜を介して形成された情報記録層を有し、前記情
   報記録層が少なくとも１層の磁性膜から構成される磁気
   記録媒体において、前記磁気記録媒体の磁性膜の厚さの
   合計ｔと、記録時における前記磁気記録媒体に対する磁
   気ヘッドの相対的な走行方向に磁界を印加して測定した
   前記磁気記録媒体の残留磁束密度Ｂｒとの積Ｂｒ×ｔが
   １０ガウス・ミクロン以上、１２０ガウス・ミクロン以
   下であり、かつ、前記磁性膜がＣｏ、ＣｒおよびＴａを
   主成分として含んでおり、前記磁性膜中のＣｏの原子濃
   度に対するＴａの原子濃度の比が０．０６９以上、０．
   １２以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記磁性膜中のＣｏの原子濃度に対する
   Ｃｒの原子濃度の比が０．１７以上、０．３３以下であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記請求項１または２記載の磁気記録媒
   体と組み合わせて用いられ、記録部及び再生部から成る
   磁気ヘッドを有する磁気記録装置において、前記磁気ヘ
   ッドの再生部はシールド間隔が０．３５ミクロン以下の
   磁気抵抗効果型磁気ヘッドで構成されたことを特徴とす
   る磁気記録装置。