JP3394108B2 - 磁気記憶装置及び多層磁性層磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの補助記
憶装置等として利用される磁気記憶装置及びそれに用い
られる磁気記録媒体に係わり、さらに詳しくは、１平方
インチ当たり２ギガビット以上の高い記録密度を有する
磁気記憶装置と、この高い記録密度を実現するのに好適
な薄膜磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報化社会の進展により、日常的に扱う
情報量は増加の一途を辿っている。これに伴って、磁気
記憶装置に対する高記録密度・大記憶容量化の要求が強
くなっている。磁気ディスク装置を高記録密度化してい
った場合、記録ビット当たりの記録媒体面積が小さくな
るため、再生出力が低下し、再生が困難になる。このよ
うな問題を解決するため、従来は１つの電磁誘導型磁気
ヘッドで記録と再生を行なっていたのに対し、記録と再
生を別々の磁気ヘッドで行ない、再生用の磁気ヘッドと
して磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドを用いることが
検討されている。

【０００３】この磁気抵抗効果型再生ヘッドは高い感度
を持つため、高記録密度化に適している。磁気抵抗効果
型ヘッドでは、磁気記録媒体からの漏洩磁界により、磁
気抵抗層の磁化の方向が電流方向に対して相対的に変化
することによって生じる抵抗変化を利用して出力を得
る。磁界に対する応答の直線性を改善する目的で、上記
磁気抵抗層の上に非磁性のスペーサ層を介して軟磁性膜
バイアス層が形成されることがあるが、磁気抵抗変化を
誘起するのは、基本的には単層の軟磁性層（磁気抵抗
層）であり、抵抗変化率の大きさは、通常、数％程度で
ある。

【０００４】これに対して、近年、フィジカル・レビュ
ー・レターズ、第６１巻（１９８８年）の２４７２〜２
４７５頁〔Phys. Rev. Lett., vol.61, pp.2472-2475,
(1988)〕、あるいはフィジカル・レビュー・Ｂ、第４３
巻（１９９１年）の１２９７〜１３００頁〔Phys. Re
v., B, vol.43, pp.1297-1300, (1991) 〕等に、複数の
磁性層を非磁性層を介して積層したタイプの磁性膜で、
最大数十％にも達する非常に大きな磁気抵抗変化が報告
されている。このタイプの磁性薄膜では、積層された各
磁性層の磁化の方向が必ずしも一致しておらず、その相
対的な方向が外部磁界により変化することによって大き
な抵抗変化が生じる。このようなタイプの多層磁性薄膜
に生じる大きな磁気抵抗効果は、巨大磁気抵抗効果ある
いはスピン・バルブ効果と呼ばれており、現在これを利
用してさらに高い感度を持つ磁気抵抗効果型再生ヘッド
の開発が進められている。

【０００５】磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒
体としては、当初、酸化物磁性体の粉末を基板上に塗布
した塗布型媒体が用いられていたが、近年、金属磁性体
の薄膜を基板上にスパッタ蒸着した薄膜媒体が開発され
ている。薄膜媒体は、塗布型の媒体に比べて磁気記録層
に含まれる磁性体の密度が高いため、高密度の記録再生
に適している。また、特開昭６３−１４６２１９号公報
には、薄膜媒体の磁気記録層を複数の磁性層で構成し、
各磁性層と磁性層の間に非磁性中間層を挿入することに
より、各磁性層間の磁気的結合を低減して記録媒体に起
因するノイズを低減した多層磁性層磁気記録媒体が提案
されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、磁気記
録の高記録密度化に適した高感度な磁気抵抗効果型の再
生ヘッドが開発されている。この磁気抵抗効果型の磁気
ヘッドは再生感度が高く、かつ、ヘッドの抵抗が低いた
め発生する熱雑音が小さい。このため、従来、電磁誘導
型磁気ヘッドから発生する大きなノイズに隠れていた磁
気記録媒体に起因するノイズ（媒体ノイズ）が、装置全
体のノイズの中で大きな割合を占めるようになる。従っ
て、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを用いて高記録密度化
を実現するためには、媒体ノイズを低減する必要があ
る。媒体ノイズを低減する方法としては、非磁性中間層
を層間に挿入した複数の磁性層から成る多層磁性層磁気
記録媒体が提案されている。従って、磁気抵抗効果型再
生ヘッドと多層磁性層磁気記録媒体を組み合わせること
により磁気ディスク装置の高密度化が期待できる。

【０００７】しかし、実際に、このような組み合わせの
磁気ディスク装置を試作してみると、磁性層数が１層の
従来の磁気記録媒体（単層磁性層磁気記録媒体）を用い
た場合に比べて、高記録密度での再生出力が低く、装置
として十分低いエラーレートが得られなかった。このよ
うに、個別には感度の高い再生ヘッドとノイズの低い磁
気記録媒体が開発されているが、これらをどのように組
み合わせると高い記録密度を持つ磁気ディスク装置を実
現できるかについては、十分に考慮されていなかった。
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、高密度な情報
の記録再生が可能で信頼性の高い磁気記憶装置を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明では、複数の磁性
層及び隣接する磁性層の間に配置された中間層を有する
磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆
動部と、記録部と再生部を備える磁気ヘッドと、磁気ヘ
ッドを磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁
気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号
再生を行うための記録再生信号処理手段とを有する磁気
記憶装置において、磁気ヘッドの再生部を磁気抵抗効果
型磁気ヘッドで構成し、磁気記録媒体を複数の磁性層が
媒体表面に垂直な方向に重なった位置に存在する結晶方
位の異なった結晶粒を含むものとすることにより、媒体
ノイズを十分低減して、上記の目的を達成する。

【０００９】また、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵
抗センサ部を挟む２枚のシールド層の間隔を０．３５μ
ｍ以下とし、磁気記録媒体の複数の磁性層の厚さの合計
ｔと、記録時における磁気記録媒体に対する磁気ヘッド
の相対的な走行方向（以下、この方向を記録方向とい
う）に磁界を印加して測定した残留磁束密度Ｂｒの積Ｂ
ｒ×ｔを１０Ｇ・μｍ（ガウス・ミクロン）以上、１０
０Ｇ・μｍ以下とし、さらに、記録方向に磁界を印加し
て測定した磁気記録媒体の保磁力を２．４ｋＯｅ（キロ
エールステッド）以上とすることにより、高記録密度に
おける十分な信号強度を得ることができ、１平方インチ
当たり２ギガビット以上の記録密度を持った信頼性の高
い磁気記憶装置を実現することができる。

【００１０】さらに、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを、互
いの磁化方向が外部磁界によって相対的に変化すること
によって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と
その導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層を含
む磁気抵抗センサによって構成し、巨大磁気抵抗効果あ
るいはスピン・バルブ効果を利用したものとすることに
より、信号強度をさらに高めることができ、１平方イン
チ当たり３ギガビット以上の記録密度を持った信頼性の
高い磁気記憶装置を実現することができる。

【００１１】磁気記録媒体の複数の磁性層は、最密六方
格子構造のｃ軸方位が媒体表面に略平行なＣｏ合金結晶
粒を含み、かつ、媒体表面に垂直な方向に重なった位置
に存在するとともにｃ軸方位が互いに略直交するＣｏ合
金結晶粒を含むものとすることができる。ここで、Ｃｏ
合金結晶粒のｃ軸方位が互いに略直交するとは、２つの
Ｃｏ合金結晶粒のｃ軸方位が直交方向から±１０°の範
囲、好ましくは±５°の範囲にあることをいう。

【００１２】磁気記録媒体の複数の磁性層が基板表面に
近い第１の磁性層とその上に中間層を介して形成された
第２の磁性層からなる場合には、第２の磁性層を構成す
る結晶粒のうち、そのｃ軸方位が、媒体表面に垂直な方
向に重なった位置に存在する第１の磁性層の結晶粒のｃ
軸方位と略直交する結晶粒の数をＮｃ、略平行な結晶粒
の数をＮａとするとき、ＮｃとＮａの比Ｎｃ／Ｎａが
０．２以上であるのがよく、より好ましくは０．４以上
であるのがよい。ここで、Ｃｏ合金結晶粒のｃ軸方位が
略平行であるとは、２つのＣｏ合金結晶粒のｃ軸方位が
平行方向から±１０°の範囲、好ましくは±５°の範囲
にあることをいう。

【００１３】磁気記録媒体は、その複数の磁性層のうち
少なくとも一層の磁性層を構成する磁性結晶粒の媒体表
面に垂直な方向の平均的な結晶方位が、他の磁性層を構
成する磁性結晶粒の媒体表面に垂直な方向の平均的な結
晶方位と異なるものであってもよい。複数の磁性層は下
地層の上に形成することができ、中間層の組成と下地層
の組成を異ならせることができる。また、中間層は組成
の異なる複数の層で構成することもできる。

【００１４】さらに、磁性層の保護層としてカーボンを
厚さ１０ｎｍ〜３０ｎｍ形成し、さらに吸着性のパーフ
ルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を厚さ２ｎｍ〜
２０ｎｍ設けることにより信頼性が高く、高密度記録が
可能な磁気記録媒体が得られる。また、保護層としてタ
ングステン・カーバイト、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ等の炭化
物、（Ｚｒ−Ｎｂ）−Ｎ、窒化シリコン等の窒化物、二
酸化シリコン、ジルコニア等の酸化物、あるいはボロ
ン、ボロン・カーバイト、二硫化モリブデン、Ｒｈ等を
用いると耐摺動性、耐食性を向上できるので好ましい。
また、これらの保護層を形成した後、微細マスク等を用
いてプラズマエッチングすることで表面に微細な凹凸を
形成したり、化合物、混合物のターゲットを用いて保護
層表面に異相突起を生じせしめたり、あるいは熱処理に
よって表面に凹凸を形成すると、ヘッドと記録媒体との
接触面積を低減でき、ＣＳＳ動作時にヘッドが記録媒体
表面に粘着する問題が回避されるので好ましい。

【００１５】

【作用】多層磁性層磁気記録媒体を用いた場合に高記録
密度領域での出力が低下するのは、単層の磁性層からな
る磁気記録媒体に比べて、多層磁性層磁気記録媒体のヒ
ステリシスループの角型比（以下、単に角型比という）
が小さいためである。一般に、磁気記録媒体に用いる磁
性膜では、膜厚を小さくしていくと角型比が小さくな
る。多層磁性層磁気記録媒体では、単層磁性層磁気記録
媒体に比べて磁性層一層当たりの膜厚を小さくする必要
があるため、角型比が小さくなる。多層磁性層磁気記録
媒体を用いて、高記録密度で信頼性の高い磁気記録装置
を実現するためには、多層磁性層磁気記録媒体の角型比
を向上するか、又はノイズをさらに低減する必要があ
る。

【００１６】本発明者らは、磁性層と中間層の組成、膜
厚、成膜条件等を変えた多層磁性層磁気記録媒体を作製
し、記録部に電磁誘導型ヘッドを用い再生部に磁気抵抗
効果型ヘッドを用いた複合型磁気ヘッドとの組み合わせ
により記録再生特性を評価した。その結果、多層磁性層
磁気記録媒体の複数の磁性層において媒体表面に垂直な
方向（膜厚方向）に重なった位置に存在する磁性結晶粒
間の結晶方位関係と記録再生特性との間に強い相関があ
ることを見い出した。以下に検討結果を詳細に説明す
る。

【００１７】図１に、検討に用いた代表的な多層磁性層
磁気記録媒体の微細構造の断面模式図を示す。この記録
媒体は基板１の上にスパッタ法によって、下地層２、第
１の磁性層３、中間層４、第２の磁性層５、及び保護層
６が形成されている。基板として表面にＮｉ−Ｐをメッ
キしたＡｌ−Ｍｇ合金を用い、下地層及び中間層として
Ｃｒ−Ｔｉ合金を用い、磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金を用いた。また、保護層としてはカーボンを用い、
その上に潤滑層を形成した（図１では潤滑層は省略して
ある）。断面構造及び平面構造を透過電子顕微鏡で詳細
に観察したところ、図１に略示したように、下地層は柱
状の微結晶で構成され、その上に第１の磁性層を構成す
る柱状結晶が成長していた。１個の下地層結晶の上に
は、１〜３個の第１の磁性層を構成する柱状結晶が成長
していた。中間層及び第２の磁性層を構成する結晶粒
は、第１の磁性層を構成する柱状結晶の上に各１個づつ
成長していた。

【００１８】下地層２、第１及び第２の磁性層３，５の
組成と膜厚を一定として、中間層４の組成、層厚及び成
膜条件を変化させた多層磁性層磁気記録媒体の記録再生
特性を評価した結果、Ｃｒ−Ｔｉ合金中間層４中のＴｉ
濃度と層厚を適当な範囲に設定することによってノイズ
が低減できることが分かった。このようにして得られた
ノイズの低い媒体と比較的ノイズの高い媒体の微細結晶
構造の違いを詳細に検討した。その結果、媒体表面に垂
直な方向（膜厚方向）に重なった位置に存在する磁性結
晶粒（例えば、図１に示した第１の磁性層の結晶粒７と
第２の磁性層の結晶粒８）の結晶方位の関係と媒体ノイ
ズとの間に強い相関があることを見い出した。

【００１９】膜厚方向（図１の上下方向に）に重なった
位置に存在する磁性結晶粒の結晶方位の関係を調べるた
め、機械的研磨とイオンシニングにより基板１及び下地
層２を除去した試料に、媒体表面に垂直な方向から電子
線を照射して電子線回折パターンを観察した。電子線
は、磁性層の結晶粒径以下に絞り込んだ。ノイズの大き
な媒体では、ほとんどの結晶粒で、図２（ａ）に示す様
な回折パターンが観察された。中間層の厚さは、磁性層
の厚さの１／１０程度であり、この回折パターンは殆ど
磁性層による回折である。この回折パターンから、磁性
層の結晶粒は最密六方格子（ｈｃｐ）構造を持ち、最密
六方格子の｛１１０｝面（以下、ｈｃｐ−｛１１０｝と
略記）が膜面に平行になっていることが分かり、各スポ
ットの回折指数は図中に示したように決定できる。この
回折パターンから、膜厚方向に重なった位置に存在する
最密六方格子構造を持つ磁性結晶粒のｃ軸は、ともに図
中の矢印２１の方向を向いていると考えられる。

【００２０】これに対して、ノイズの小さな媒体では、
図２（ｂ）に示す様な回折パターンを示す結晶粒が観察
された。この回折パターンは図２（ａ）の回折パターン
と、これを（０００）回折スポットの回りに９０度回転
した回折パターンを重ね合わせた回折パターンになって
いる。従って、膜厚方向に重なった位置に存在する磁性
結晶粒のｃ軸は、矢印２２と矢印２３で示すように、互
いに直交する方向を向いていると考えられる。

【００２１】ノイズの大きさの異なる記録媒体につい
て、各５０個程度の結晶粒の電子線回折パターンを調
べ、図２（ａ）のような回折パターンが得られる結晶粒
の数Ｎａと図２（ｂ）のような回折パターンが得られる
結晶粒の数Ｎｃを調べた。ＮｃとＮａの比Ｎｃ／Ｎａと
ノイズの大きさの関係を調べたところ、図３に示すよう
に、Ｎｃ／Ｎａの増大に伴ってノイズが低下していた。
Ｎｃ／Ｎａを０．２以上にすると、Ｎｃ／Ｎａがゼロの
場合に比較してノイズを１ｄＢ以上低減できるので好ま
しい。また、Ｎｃ／Ｎａを０．４以上にすると、Ｎｃ／
Ｎａがゼロの場合に比較してノイズを１．３ｄＢ以上低
減できるのでさらに好ましい。

【００２２】Ｎｃ／Ｎａの値は、Ｃｒ−Ｔｉ合金中間層
のＴｉ濃度と中間層の層厚に強く依存する。Ｃｒ−Ｔｉ
合金中間層のＴｉ濃度については、Ｔｉ濃度がある範囲
にあるときにＮｃ／Ｎａが極大となる傾向を示した。こ
のＮｃ／Ｎａが極大となるＴｉ濃度範囲はＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ合金中のＰｔ濃度に依存し、Ｐｔ濃度が増大するほ
ど高いＴｉ濃度範囲でＮｃ／Ｎａが極大となった。例え
ば、１０ａｔ％のＰｔ濃度に対しては、図４に示すよう
に、１５〜２５ａｔ％のＴｉ濃度が最適であった。中間
層厚が０．５ｎｍ以下の領域ではＮｃ／Ｎａはほとんど
０であり、０．２以上のＮｃ／Ｎａを得るには、図５に
示すように、中間層厚を１．５ｎｍ以上とする必要があ
った。また、０．４以上のＮｃ／Ｎａを得るには、中間
層厚を２ｎｍ以上とする必要があった。このようにして
得られた低ノイズ媒体と磁気抵抗効果型ヘッドを組み合
わせて磁気ディスク装置を試作したところ、ビットエラ
ーレートの低い高信頼磁気ディスク装置が得られた。

【００２３】以上から、媒体表面に垂直な方向（膜厚方
向）に重なった位置に存在する磁性結晶粒の結晶方位が
異なっていた方が媒体ノイズを低減できることが明かと
なった。上記の例では、磁性結晶粒のｈｃｐ−｛１１
０｝面が膜面に平行な場合について説明したが、ｈｃｐ
−｛１００｝面、ｈｃｐ−｛０１１｝面が膜面に平行な
場合にも、膜厚方向に重なった位置に存在する磁性結晶
粒間でｃ軸の方位が異なっていた方がノイズが低減でき
る。

【００２４】さらに、中間層を下地層の組成とは異なる
Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｓｉ，
Ｃ，Ｎｉ−Ｐ、あるいはこれ等の酸化物で構成すると、
第２の磁性層の平均的な結晶方位は第１の磁性層とは異
なってくる。これにより、結果として、膜厚方向に重な
った位置に存在する磁性結晶粒の結晶方位が異なる確率
が高くなり、媒体ノイズを低減できる。さらに、下地層
と中間層の組成を変えるかわりに中間層を２層構造と
し、図１の第１の磁性層と中間層の間にＭｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｓｉ，Ｃ，Ｎｉ−Ｐ、あ
るいはこれ等の酸化物を主たる成分とする下部中間層挿
入することによっても同様の効果が得られる。

【００２５】図６に、図１の中間層４を厚さ２ｎｍのカ
ーボンからなる下部中間層と厚さ２ｎｍのＣｒ−Ｔｉ合
金からなる上部中間層の２層構造とした磁気記録媒体の
Ｘ線回折スペクトル４１と、この構成の記録媒体の表面
側から保護層と第２の磁性層をプラズマエッチングによ
り除去した試料のＸ線回折スペクトル４２を示す。第１
及び第２の磁性層がともに存在する場合のＸ線回折スペ
クトル４１には、ｈｃｐ−｛１１０｝面が膜面に平行で
あることを示すピーク４３とｈｃｐ−｛１００｝面が膜
面に平行であることを示すピーク４４が観察される。こ
れに対して、第２の磁性層を除去したＸ線回折スペクト
ル４２では、ｈｃｐ−｛１１０｝面が膜面に平行である
ことを示すピーク４３は観察されるが、ｈｃｐ−｛１０
０｝面が膜面に平行であることを示すピークはほとんど
観察されない。このことから、第１の磁性層と第２の磁
性層で平均的な結晶方位が異なっていると考えられる。
このような構造とすることによっても、ノイズが１〜２
ｄＢ程度低下する。

【００２６】磁性層の磁気的な特性としては、記録再生
時のヘッド走行方向に磁界を印加して測定した保磁力を
２．４ｋＯｅ以上とし、残留磁束密度Ｂｒと総磁性層厚
ｔの積Ｂｒ×ｔを１０〜１００Ｇ・μｍの範囲にする
と、１平方インチ当たり２ギガビット以上の高記録密度
領域において、良好な記録再生特性が得られるので好ま
しい。

【００２７】図７に、保磁力と装置Ｓ／Ｎの関係を示
す。この図では、各保磁力に対して、Ｂｒ×ｔの異なる
媒体を用いて装置Ｓ／Ｎを調べ、得られた最大の装置Ｓ
／Ｎの値をプロットした。測定条件は、後述の実施例１
と同じ条件にした。保磁力が２．４ｋＯｅよりも小さく
なると、装置Ｓ／Ｎは１以下になり、信号よりもノイズ
の方が大きくなってしまう。

【００２８】図８に、一定周波数の高密度な信号を記録
再生した場合の出力信号の位相ジッタとＢｒ×ｔの関係
を示す。この測定では、図９に示すように、ローパスフ
ィルタ３１、微分回路３２及びパルス化回路３３によっ
て磁気ヘッドからの再生出力をパルス化し、ジッタメー
タ３４によりパルス間隔δの変動を解析した。図８で
は、δの平均値に対するδの標準偏差σの割合をジッタ
として示した。Ｂｒ×ｔが１０〜１００Ｇ・μｍの範囲
外になると、ジッタが１５％以上となり、ビットの弁別
が困難になる。また、図１０に示すように、磁気抵抗セ
ンサを挟んで形成されている２枚のシールド層間の距離
（シールド間隔）が０．３５μｍよりも大きくなった場
合にも、ジッタが１５％以上となるため、シールド間隔
は０．３５μｍ以下であることが好ましい。

【００２９】中間層の厚さとしては、先に述べたよう
に、１．５ｎｍ以上とするのが好ましいが、あまり厚い
と磁気ヘッドと最下層の磁性層との間隔が大きくなるた
め、重ね書き特性が劣化するので好ましくない。特に、
中間層を２層構造とした場合には、中間層が厚くなるた
め重ね書き特性が劣化する。この問題を解決するために
は、記録ヘッドの磁極としてＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、
Ｆｅ−Ｓｉ系合金等、従来のＮｉ−Ｆｅ合金よりも大き
な飽和磁束密度を持つ軟磁性薄膜を用いることが有効で
ある。特に、飽和磁束密度が１５０００ガウス以上の軟
磁性薄膜を用いたときに良好な結果が得られた。

【００３０】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 〔実施例１〕図１４に略示する断面構造を有する多層磁
気記録媒体を作製し、それを磁気記憶装置に組み込ん
だ。磁気記憶装置は、平面模式図を図１１（ａ）に示
し、断面模式図を図１１（ｂ）に示すように、磁気記録
媒体５１と、これを回転駆動する駆動部５２と、磁気ヘ
ッド５３及びその駆動手段５４と、磁気ヘッドの記録再
生信号処理手段５５を有して成る周知の構成のものであ
る。

【００３１】磁気ヘッド５３の構造を、図１２に模式的
に示す。この磁気ヘッドは、基体６８の上に形成された
記録用の電磁誘導型磁気ヘッドと再生用の磁気抵抗効果
型ヘッドを組み合わせた記録再生分離型ヘッドである。
磁気抵抗センサ６１を下部シールド層６２と上部シール
ド層６３で挟んだ部分が再生ヘッドとして働き、コイル
６４を挟む下部記録磁極６５と上部記録磁極６６が記録
ヘッドとして働く。磁気抵抗センサ６１からの出力信号
は電極パターン６７を介して外部に取り出される。

【００３２】磁気抵抗センサの断面構造を図１３に示
す。この磁気抵抗センサは、シールド層と磁気抵抗セン
サの間のギャップ層７１の上に形成された強磁性材料の
薄膜磁気抵抗性導電層７３と、この薄膜磁気抵抗性導電
層を単一磁区とするための反強磁性磁区制御層７２と、
薄膜磁気抵抗性導電層の感磁部７４における薄膜磁気抵
抗性導電層と反強磁性磁区制御層の間の交換相互作用を
絶ち切るための非磁性層７５と、感磁部７４に対するバ
イアス磁界を発生できる手段として軟磁性層もしくは永
久磁石膜バイアス層７７と、軟磁性層もしくは永久磁石
膜バイアス層７７と薄膜磁気抵抗性導電層７３の間の電
流分流比を調節するための高抵抗層７６を含む。

【００３３】以下に、図１２に示した磁気ヘッドの作製
方法を示す。酸化Ａｌ・炭化Ｔｉを主成分とする燒結体
をスライダ用の基体６８とした。シールド層６２，６３
と記録磁極６５，６６にはスパッタ法で形成したＮｉ−
Ｆｅ合金膜を用いた。上下シールド層６２，６３の厚さ
は１μｍ、上下シールド層間の距離は０．２７μｍ、記
録磁極６５，６６の厚さは３μｍとした。シールド層と
磁気抵抗センサ６１及び記録磁極６５，６６の間には、
スパッタ法で酸化Ａｌのギャップ層を形成した。シール
ド層と磁気抵抗センサの間のギャップ層厚さは１２５ｎ
ｍ、記録磁極間のギャップ層厚は３００ｎｍ、シールド
層と記録磁極の間のギャップ層厚（再生ヘッドと記録ヘ
ッドの間隔）は約３μｍとした。コイル６４には厚さ３
μｍのＣｕを用いた。また、磁気抵抗センサの薄膜磁気
抵抗性導電層７３（図１３）として厚さ２０ｎｍのＮｉ
−Ｆｅ合金層、反強磁性磁区制御層７２として厚さ３０
ｎｍのＮｉＯ層、薄膜磁気抵抗性導電層と反強磁性磁区
制御層の間の交換相互作用を絶ち切るための非磁性層７
５として厚さ２ｎｍのＮｂ層、軟磁性バイアス層７７と
して厚さ３０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ−Ｎｂ合金軟磁性層、さ
らに、電極パターン６７として厚さ１００ｎｍのＣｕ薄
膜をスパッタ法により形成した。

【００３４】図１４に断面構造を模式的に示す多層磁性
層磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金、化学強化ガラス、
Ｔｉ，Ｓｉ，Ｓｉ−Ｃ，カーボン、結晶化ガラスあるい
はセラミクス等からなる基板８１、Ａｌ−Ｍｇ合金を基
板として用いた場合に、その両面に形成されたＮｉ−
Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ等からなる非磁性メッキ層８２、Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ又はこれらのいずれかを主な成分とする合
金からなる下地層８３、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｃｒ
−Ａｌ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ，
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ等からなる第１の磁性層８４及
び第２の磁性層８６、第１の磁性層と第２の磁性層の間
に形成されたＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，
Ｔｉ，Ｂ，Ｓｉ，Ｃ，Ｎｉ−Ｐ又はこれらのいずれかを
主な成分とする合金からなる非磁性中間層８５、カーボ
ン、ボロン、炭化シリコン、窒化シリコン、二酸化シリ
コン、タングステン・カーバイト、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ、
（Ｗ−Ｚｒ）−Ｃ等からなる保護層８７、及びパーフロ
ルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層８８を含む。

【００３５】以下に、この多層磁性層磁気記録媒体の作
製方法を示す。外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ０．
４ｍｍのＡｌ−４ｗｔ％Ｍｇ（原子記号の前に付した数
字は当該素材の含有量を示す）からなるディスク基板８
１の両面にＮｉ−１２ｗｔ％Ｐからなるメッキ層８２を
厚さが１３μｍとなるよう形成した。この非磁性基板の
表面を、ラッピングマシンを用いて表面中心線平均粗さ
Ｒａが２ｎｍとなるまで平滑に研磨し、洗浄、さらに乾
燥した。その後、テープポリッシングマシン（例えば、
特開昭６２−２６２２２７号公報参照）を用い、砥粒の
存在下で研磨テープをコンタクトロールを通して、ディ
スク基板を回転させながらディスク面の両側に押しつけ
ることにより、ディスク基板表面に略円周方向のテクス
チャを形成した。さらに、基板に付着した研磨剤等の汚
れを洗浄・除去して乾燥した。

【００３６】このように形成されたディスク基板をマグ
ネトロンスパッタリング装置内で２７０℃まで真空中で
昇温し、２ｍＴｏｒｒのアルゴン圧の条件のもとで厚さ
３０ｎｍのＣｒ−１８ａｔ％Ｔｉからなる下地層８３を
形成した。この下地層の上にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１
０ａｔ％Ｐｔからなる厚さ１２ｎｍの第１の磁性層８
４、厚さ２．５ｎｍのＣｒ−１８ａｔ％Ｔｉからなる中
間層８５、及び厚さ１２ｎｍの第２の磁性層８６を順次
積層した。第２の磁性層の組成は第１の磁性層と同じで
ある。その後、第２の磁性層上に厚さ２５ｎｍのカーボ
ン保護層８７を形成した。その表面にポリスチレン粒子
を静電塗布し、これをマスクとしてプラズマエッチング
することで表面に微細な凹凸を形成した。最後に当該保
護層上に吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテルの
潤滑層８８を形成した。

【００３７】こうして形成された磁気記録媒体をＸ線回
折により分析した結果、Ｃｒ−Ｔｉ下地層は体心立方格
子（ｂｃｃ）構造の｛１００｝面が基板と略並行となる
ように結晶が配向成長し、磁性層は最密六方格子（ｈｃ
ｐ）構造の｛１１０｝面が基板と略並行となるよう配向
成長していた。機械的研磨とイオンシニングにより基板
及び下地層を除去した試料に、記録媒体表面に垂直な方
向から電子線を照射して電子線回折パターンを観察し
た。約５０個の結晶粒に電子線を絞り込んで回折パター
ンを調べ、図２（ａ）のような回折パターンが得られる
結晶粒の数Ｎａと図２（ｂ）のような回折パターンが得
られる結晶粒の数Ｎｃを調べた結果、ＮｃとＮａの比Ｎ
ｃ／Ｎａは０．４５であった。また、ディスク円周方向
に磁界を印加して測定した保磁力は２．９６ｋＯｅ、残
留磁束密度・総磁性層厚積Ｂｒ×ｔは８５Ｇ・μｍであ
った。

【００３８】本実施例の磁気記憶装置を用い、ヘッド浮
上量３０ｎｍ、線記録密度２１０ｋＢＰＩ、トラック密
度９．６ｋＴＰＩの条件で記録再生特性を評価したとこ
ろ、１．６の装置Ｓ／Ｎが得られた。また、磁気ヘッド
への入力信号を８−９符号変調処理して出力信号に最尤
複号信号処理を施すことにより、１平方インチ当たり２
ギガビットの情報を記録再生することができた。しか
も、内周から外周までのヘッドシーク試験５万回後のビ
ットエラー数は１０ビット／面以下であり、ＭＴＢＦで
１５万時間が達成できた。

【００３９】〔実施例２〕ガラス基板上に実施例１と同
様にして、ただし非磁性メッキ層は形成せずに、多層磁
性層磁気記録媒体を作製し、それを図１１に示す磁気記
憶装置に組み込んだ。磁気記憶装置の磁気ヘッドには、
実施例１と同じ記録再生分離型ヘッドを使用した。

【００４０】記録媒体の基板としては、直径２．５イン
チ、厚さ０．４ｍｍのガラス基板を用い、その表面に２
ｍＴｏｒｒのアルゴン圧の条件のもとでスパッタ法によ
り厚さ１５ｎｍのＣｒ層を形成した。さらに、その上
に、実施例１と同様の下地層、第１の磁性層、中間層、
第２の磁性層、カーボン保護層、及び潤滑層を順次形成
した。

【００４１】こうして形成された磁気記録媒体をＸ線回
折により分析した結果、Ｃｒ−Ｔｉ下地層は体心立方格
子（ｂｃｃ）構造の｛１００｝面あるいは｛１１０｝面
が基板と略並行となるように結晶が配向成長し、磁性層
は最密六方格子（ｈｃｐ）構造の｛１１０｝面あるいは
｛０１１｝面が基板と略並行となるよう配向成長してい
た。機械的研磨とイオンシニングにより基板及び下地層
を除去した試料に、記録媒体表面に垂直な方向から電子
線を照射して電子線回折パターンを観察した。ｈｃｐ−
｛１１０｝面が基板と略並行となっている磁性結晶粒約
３０個に電子線を絞り込んで回折パターンを調べ、図２
（ａ）のような回折パターンが得られる結晶粒の数Ｎａ
と図２（ｂ）のような回折パターンが得られる結晶粒の
数Ｎｃを調べた結果、ＮｃとＮａの比Ｎｃ／Ｎａは０．
５であった。また、ディスク円周方向に磁界を印加して
測定した保磁力は２．５ｋＯｅ、残留磁束密度・総磁性
層厚積Ｂｒ×ｔは８０Ｇ・μｍであった。

【００４２】本実施例の磁気記憶装置を用い、ヘッド浮
上量２６ｎｍ、線記録密度２１０ｋＢＰＩ、トラック密
度９．６ｋＴＰＩの条件で記録再生特性を評価したとこ
ろ、１．６の装置Ｓ／Ｎが得られた。また、磁気ヘッド
への入力信号を８−９符号変調処理して出力信号に最尤
複号処理を施すことにより、１平方インチ当たり２ギガ
ビットの情報を記録再生することができた。しかも、内
周から外周までのヘッドシーク試験５万回後のビットエ
ラー数は１０ビット／面以下であり、ＭＴＢＦで１５万
時間が達成できた。

【００４３】〔実施例３〕実施例１の磁気記録媒体と同
様の積層構造で非磁性中間層が２層構造を有する多層磁
性層磁気記録媒体を作製し、実施例１と同様の構成を持
つ磁気記憶装置に組み込んだ。磁気記録媒体の作製に当
たっては、実施例１と同様にして準備したディスク基板
の上に、２ｍＴｏｒｒのアルゴン圧の条件のもとで、厚
さ４０ｎｍのＣｒ−１８ａｔ％Ｔｉからなる下地層とＣ
ｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔからなる厚さ１３
ｎｍの第１の磁性層をスパッタ法によって形成した、そ
の上に厚さ２．５ｎｍのカーボン層と厚さ２ｎｍのＣｒ
−２３ａｔ％Ｔｉ層の２層からなる中間層を形成し、さ
らにその上に厚さ１３ｎｍのＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１
２ａｔ％Ｐｔからなる第２の磁性層を順次積層した。そ
の後、第２の磁性層上に、実施例１と同様のカーボン保
護層と潤滑層を順次形成した。

【００４４】こうして形成された磁気記録媒体をＸ線回
折により分析した結果、Ｃｒ−Ｔｉ下地層は体心立方格
子（ｂｃｃ）構造の｛１００｝面が基板と略並行となる
ように結晶が配向成長し、磁性層は最密六方格子（ｈｃ
ｐ）構造の｛１１０｝面あるいは｛０１１｝面が基板と
略並行となるよう配向成長していた。第２の磁性層をイ
オンミリングにより除去した後に、Ｘ線回折により結晶
配向を分析した結果、最密六方格子（ｈｃｐ）構造の
｛０１１｝面が基板と略並行となっていることを示す回
折ピークは消失しており、第１の磁性層と第２の磁性層
で平均的な結晶方位が異なっていた。また、ディスク円
周方向に磁界を印加して測定した保磁力は２．８２ｋＯ
ｅ、残留磁束密度・総磁性層厚積Ｂｒ×ｔは９０Ｇ・μ
ｍであった。

【００４５】本実施例の磁気記憶装置を用い、ヘッド浮
上量３０ｎｍ、線記録密度２１０ｋＢＰＩ、トラック密
度９．６ｋＴＰＩの条件で記録再生特性を評価したとこ
ろ、１．６の装置Ｓ／Ｎが得られた。また、磁気ヘッド
への入力信号を８−９符号変調処理して出力信号に最尤
複号処理を施すことにより、１平方インチ当たり２ギガ
ビットの情報を記録再生することができた。しかも、内
周から外周までのヘッドシーク試験５万回後のビットエ
ラー数は１０ビット／面以下であり、ＭＴＢＦで１５万
時間が達成できた。

【００４６】〔実施例４〕実施例３の磁気記憶装置にお
いて、磁気ヘッドを図１５に示すような構造の記録再生
分離型磁気ヘッドとした。この磁気ヘッドは基本的には
図１２に示した実施例１の記録再生分離型磁気ヘッドと
同じ構造を持つが、図１２における上部シールド層６３
と下部記録磁極６５が１つのシールド記録磁極兼用層９
１で置き換えられている点が異なっている。このシール
ド記録磁極兼用層９１は、その名が示すとおり上部シー
ルド層と下部記録磁極の役割を１つの軟磁性層で行なわ
せるものであり、本実施例ではスパッタ法で形成したＮ
ｉ−Ｆｅ合金膜を用いた。

【００４７】このような構造の磁気ヘッドを用いること
により、特に、トラック密度を８ｋＴＰＩ以上にしたと
きのビットエラーレート増大が小さく抑えられた。これ
は、記録ヘッドと再生ヘッドの距離が小さくなり、ロー
タリー・アクチュエータを用いた場合のヨー角の影響に
よる記録ヘッドと再生ヘッドの位置決め誤差が小さくな
ったためと考えられる。また、上部磁極として飽和磁束
密度が１６０００ガウスと大きなメッキ法により形成し
たＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金膜を用いることにより、重ね書
き特性を実施例３の場合に比べて約６ｄＢ改良すること
ができた。

【００４８】〔実施例５〕実施例１と同様の構成を持つ
磁気記憶装置において、磁気ヘッドを実施例４と同じ構
造を持つ記録再生分離型磁気ヘッドとし、その再生磁気
ヘッドを図１６に示す断面構造を持つ磁気抵抗センサを
用いて構成した。この磁気抵抗センサは、非磁性層によ
り隔てられた２つの磁性層間の相対的な磁化方向の変化
により生じる抵抗変化（スピン・バルブ効果による磁気
抵抗変化）を利用するタイプの磁気抵抗センサである。
シールド層と磁気抵抗センサの間の酸化Ａｌのギャップ
層７１の上に、バッファ層１０１として厚さ２ｎｍのＴ
ｉ層、第１の磁気抵抗層１０２として厚さ３ｎｍのＮｉ
−２０ａｔ％Ｆｅ合金層、非磁性層１０３として厚さ
１．５ｎｍのＣｕ層、第２の磁気抵抗層１０４として厚
さ３ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金層、及び反強磁性
層１０５として厚さ５ｎｍのＦｅ−５０ａｔ％Ｍｎ合金
層をスパッタリング法により順次形成した。

【００４９】この磁気抵抗センサでは、反強磁性層から
の交換バイアス磁界によって第２の磁気抵抗層の磁化が
一方向に固定され、磁気記録媒体からの漏洩磁界によっ
て第１の磁気抵抗層の磁化方向が変化して抵抗変化が生
じる。バッファ層としてＴｉを用いることにより、第１
及び第２の磁気抵抗層の｛１１１｝結晶格子面が膜面に
平行となるように配向し、これにより磁気抵抗層間の交
換相互作用が弱められて、実施例１の磁気抵抗センサに
比べて約２倍の高い感度が得られた。

【００５０】また、本実施例の多層磁性層磁気記録媒体
は、基板として直径１．３インチ、厚さ０．４ｍｍ、表
面粗さ１ｎｍのカーボン基板を用いた。その両面に、実
施例１と同様のスパッタリング装置、及び条件により、
厚さ１μｍのＣｒ下地層を形成した。さらに真空チャン
バ内でＣｒ下地層表面を砥粒平均径１μｍ以下の研磨剤
を含む研磨テープにより研磨し、略円周方向のテクスチ
ャを形成した。この上に厚さ５０ｎｍのＣｒ−２０ａｔ
％Ｔｉ下地層を形成し、さらに、第１の磁性層として厚
さ１１ｎｍのＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｐｔ
層、厚さ２．５ｎｍのＣｒ−２５ａｔ％Ｔｉ中間膜、さ
らに第２の磁性層として厚さ１１ｎｍのＣｏ−２１ａｔ
％Ｃｒ−１５ａｔ％Ｐｔ層を形成した。その後、厚さ２
５ｎｍのカーボン保護層を形成した。さらに、カーボン
保護層表面に、開口部の平均距離が５０μｍ以上、１０
０μｍ以下のエッチングマスクを設け、マスクに覆われ
ない領域のカーボン保護層を酸素プラズマエッチングに
より深さ１５ｎｍエッチングした。その結果、カーボン
保護層表面に平均径５０μｍ以上、１００μｍ以下、高
さ１５ｎｍの島状の凸部が形成された。最後に当該保護
層上に吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテルの潤
滑層を形成した。

【００５１】こうして形成された磁気記録媒体をＸ線回
折により分析した結果、Ｃｒ−Ｔｉ下地層は体心立方格
子（ｂｃｃ）構造の｛１００｝面あるいは｛１１０｝面
が基板と略並行となるように結晶が配向成長し、磁性層
は最密六方格子（ｈｃｐ）構造の｛１１０｝面あるいは
｛０１１｝面が基板と略並行となるよう配向成長してい
た。機械的研磨とイオンシニングにより基板及び下地層
を除去した試料に、記録媒体表面に垂直な方向から電子
線を照射して電子線回折パターンを観察した。ｈｃｐ−
｛１１０｝面が基板と略並行となっている磁性結晶粒約
３０個に電子線を絞り込んで回折パターンを調べ、図２
（ａ）のような回折パターンが得られる結晶粒の数Ｎａ
と図２（ｂ）のような回折パターンが得られる結晶粒の
数Ｎｃを調べた結果、ＮｃとＮａの比Ｎｃ／Ｎａは０．
６７であった。また、ディスク円周方向に磁界を印加し
て測定した保磁力は２．６２ｋＯｅ、残留磁束密度・総
磁性層厚積Ｂｒ×ｔは６６Ｇ・μｍであった。

【００５２】本実施例の磁気記憶装置を用い、ヘッド浮
上量２３ｎｍ、線記録密度２６０ｋＢＰＩ、トラック密
度１１．６ｋＴＰＩの条件で記録再生特性を評価したと
ころ、１．２の装置Ｓ／Ｎが得られた。また、磁気ヘッ
ドへの入力信号を８−９符号変調処理し、出力信号に最
尤復号処理を施すことにより、１平方インチ当たり３ギ
ガビットの情報を記録再生することができた。しかも、
内周から外周までのヘッドシーク試験５万回後のビット
エラー数は１０ビット／面以下であり、ＭＴＢＦで１５
万時間が達成できた。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、高いＳ／Ｎと低いビッ
トエラーレートが得られるので、１平方インチ当たり２
ギガビットの高い記録密度で、１５万時間以上の平均故
障間隔を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】多層磁性層磁気記録媒体の微細構造を示す断面
模式図。

【図２】膜厚方向に重なった位置に存在する２個の磁性
結晶粒からの電子線回折パターンの図。

【図３】膜厚方向に重なった位置に存在する２個の磁性
結晶粒のｃ軸方位が略直交する結晶粒ペアの数Ｎｃと略
平行な結晶粒ペアの数Ｎａの比Ｎｃ／Ｎａとノイズの関
係を示す図。

【図４】ＣｒＴｉ中間層のＴｉ濃度とＮｃ／Ｎａの関係
を示す図。

【図５】ＣｒＴｉ中間層の厚さとＮｃ／Ｎａの関係を示
す図。

【図６】本発明による多層磁性層磁気記録媒体の一実施
例のＸ線回折スペクトルを示す図。

【図７】保磁力と装置Ｓ／Ｎの関係を示す図。

【図８】位相ジッタとＢｒ×ｔの関係を示す図。

【図９】位相ジッタの測定装置の概略図。

【図１０】位相ジッタとシールド間隔の関係を示す図。

【図１１】磁気記憶装置の平面模式図及びそのＡ−Ａ’
断面模式図。

【図１２】磁気ヘッド一例を示す断面説明図。

【図１３】磁気ヘッドの磁気抵抗センサ部の断面構造の
一例を示す模式図。

【図１４】多層磁性層磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面模式図。

【図１５】磁気ヘッドの他の例を示す断面説明図。

【図１６】磁気ヘッドの磁気抵抗センサ部の断面構造の
他の例を示す模式図。

【符号の説明】

１…基板、２…下地層、３…第１の磁性層、４…中間
層、５…第２の磁性層、６…保護層、７…第１の磁性層
の結晶粒、８…第２の磁性層の結晶粒、２１，２２，２
３…磁性結晶粒のｃ軸方向を示す矢印、３１…ローパス
フィルタ、３２…微分回路、３３…パルス化回路、３４
…ジッタメータ、４１，４２…Ｘ線回折スペクトル、４
３，４４…Ｘ線回折ピーク、５１…磁気記録媒体、５２
…磁気記録媒体駆動部、５３…磁気ヘッド、５４…磁気
ヘッド駆動部、５５…記録再生信号処理系、６１…磁気
抵抗センサ、６２…下部シールド層、６３…上部シール
ド層、６４…コイル、６５…下部記録磁極、６６…上部
記録磁極、６７…導体層、６８…基体、７１…シールド
層と磁気抵抗センサの間のギャップ層、７２…反強磁性
磁区制御層、７３…薄膜磁気抵抗性導電層、７４…薄膜
磁気抵抗性導電層の感磁部、７５…非磁性層、７６…高
抵抗層、７７…軟磁性層もしくは永久磁石膜バイアス
層、８１…基板、８２…非磁性メッキ層、８３…下地
層、８４…第１の磁性層、８５…中間層、８６…第２の
磁性層、８７…保護層、８８…潤滑層、９１…シールド
記録磁極兼用層、１０１…バッファ層、１０２…第１の
磁気抵抗層、１０３…非磁性層、１０４…第２の磁気抵
抗層、１０５…反強磁性層

フロントページの続き (72)発明者 山本 朋生 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 石川 晃 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平６−349047（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−187637（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−176341（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−134820（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−176027（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/858

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面に近い第１の磁性層とその上に
   中間層を介して形成された第２の磁性層を有する磁気記
   録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動
   部と、記録部と再生部を備える磁気ヘッドと、前記磁気
   ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段
   と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから
   の出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段とを
   有する磁気記憶装置において、 前記磁気ヘッドの再生部は磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
   構成され、前記磁気記録媒体の前記第１及び第２の磁性
   層は最密六方格子構造のｃ軸方位が媒体表面に略平行な
   Ｃｏ合金結晶粒からなり、更に、前記第２の磁性層を構
   成する結晶粒のうち、そのｃ軸方位が、媒体表面に垂直
   な方向に重なった位置に存在する前記第１の磁性層の結
   晶粒のｃ軸方位と略直交する結晶粒の数をＮｃ、略平行
   な結晶粒の数をＮａとするとき、ＮｃとＮａの比Ｎｃ／
   Ｎａが０．２以上であることを特徴とする磁気記憶装
   置。
2. 【請求項２】 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、互い
   に０．３５μｍ以下の距離だけ隔てられた軟磁性体から
   なる２枚のシールド層と、前記２枚のシールド層の間に
   形成された磁気抵抗センサ部を備え、前記磁気記録媒体
   は、前記第１及び第２の磁性層の厚さの合計ｔと記録方
   向の残留磁束密度Ｂｒの積Ｂｒ×ｔが１０Ｇ・μｍ以
   上、１００Ｇ・μｍ以下であり、記録方向の保磁力が
   ２．４ｋＯｅ以上であることを特徴とする請求項１記載
   の磁気記憶装置。
3. 【請求項３】 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、互い
   の磁化方向が外部磁界によって相対的に変化することに
   よって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、
   前記導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層を含
   むことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気記憶装
   置。
4. 【請求項４】 前記第１の磁性層を構成する磁性結晶粒
   の媒体表面に垂直な方向の平均的な結晶方位が、前記第
   ２の磁性層を構成する磁性結晶粒の媒体表面に垂直な方
   向の平均的な結晶方位と異なることを特徴とする請求項
   １、２又は３記載の磁気記憶装置。
5. 【請求項５】 前記第１の磁性層は下地層の上に形成さ
   れ、前記中間層の組成が前記下地層の組成とは異なるこ
   とを特徴とする請求項１、２又は３記載の磁気記憶装
   置。
6. 【請求項６】 前記中間層は組成の異なる複数の層で構
   成されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載
   の磁気記憶装置。
7. 【請求項７】 基板表面に近い第１の磁性層とその上に
   中間層を介して形成された第２の磁性層を有する多層磁
   気記録媒体において、前記第１及び第２の磁性層は最密六方格子構造のｃ軸方
   位が媒体表面に略平行なＣｏ合金結晶粒からなり、更
   に、前記第２の磁性層を構成する結晶粒のうち、そのｃ
   軸方位が、媒体表面に垂直な方向に重なった位置に存在
   する前記第１の磁性層の結晶粒のｃ軸方位と略直交する
   結晶粒の数をＮｃ、略平行な結晶粒の数をＮａとすると
   き、ＮｃとＮａの比Ｎｃ／Ｎａが０．２以上である こと
   を特徴とする多層磁性層磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記第１の磁性層を構成する磁性結晶粒
   の媒体表面に垂直な方向の平均的な結晶方位が、前記第
   ２の磁性層を構成する磁性結晶粒の媒体表面に垂直な方
   向の平均的な結晶方位と異なることを特徴とする請求項
   ７記載の多層磁性層磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 前記第１の磁性層は下地層の上に形成さ
   れ、前記中間層の組成が前記下地層の組成とは異なるこ
   とを特徴とする請求項７記載の磁気記憶装置。
10. 【請求項１０】 前記中間層は組成の異なる複数の層で
    構成されていることを特徴とする請求項７記載の多層磁
    性層磁気記録媒体。