CN1136693A - 磁记录媒体和使用该磁记录媒体的磁存储装置 - Google Patents

Abstract

本发明为一种磁存储装置，具有在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置，用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部，并且通过使磁记录媒体的多个磁性层含有结晶方位不同的结晶粒，便可进行高密度的信息的记录再生，从而可以提高可靠性。

Description

磁记录媒体和使用该磁记录媒体的磁存储装置

本发明涉及作为计算机的辅助存储装置而使用的磁存储装置及其使用的磁记录媒体。更详细地说，本发明涉及具有每1平方英寸1千兆位以上的高记录密度的磁存储装置和适合于实现该高记录密度的薄膜磁记录媒体。

随着信息化社会的进步，日常处理的信息量迅速地增加。与此同时，便强烈地要求磁存储装置实现高记录密度和大存储容量化。磁盘装置实现高记录密度化时，由于每个记录位的记录媒体面积减小，再生输出降低，从而难于进行再生。为了解决这一问题，与以往用一个电磁感应式磁头进行记录和再生的情况相反，正在研究分别用不同的磁头进行记录和再生的方案。并且，作为再生用的磁头使用利用了磁阻效应的磁头。

由于这种磁阻效应式再生磁头具有高的灵敏度，所以，适用于高记录密度化。在磁阻效应式磁头中，由于磁记录媒体的泄漏磁场的作用，利用磁阻层的磁化方向相对于电流方向发生相对变化而产生的磁阻变化，可以得到输出。为了改善对磁场的响应的直线性，有时在上述磁阻层之上通过非磁性的隔离层形成软磁性膜偏磁层，但是，感应起磁阻变化的基本上是单层的软磁性层(磁阻层)，磁阻变化率的大小，通常约为百分之几。

与此相反，近年来，《物理学回顾》(Phys.Rev.Lett.，vol.61，pp.2472-2475，(1988))、或《物理学回顾B》(Phys.Rev.，B，vol.43，pp.1297-1300，(1991))等杂志报导了用通过非磁性层而层积多层磁性层的磁性膜最大也可以达到百分之几十的非常大的磁阻变化。在这种磁性薄膜中，积层的各磁性层的磁化方向不一定一致，通过其相对方向随外部磁场发生变化而产生大的磁阻变化。在这种类型的多层磁性薄膜中产生的大的磁阻效应叫做巨大磁阻效应或旋转阀效应。现在，有关方面正在利用该效应开发具有更高灵敏度的磁阻效应式再生磁头。

作为磁盘装置使用的磁记录媒体，当初是使用在基板上涂上氧化物磁性体的粉末的涂布式媒体。近年来，正在开发在基板上蒸镀金属磁性体的薄膜的薄膜媒体。薄膜媒体与涂布式媒体相比，由于磁记录层中包含的磁性体的密度高，所以，适合于高密度的记录再生。另外，在特开昭63-146219号公报及《IEEE学报磁学分册》(IEEE TRANSACTIONS ON MAGETICS，VOL.26 No.5，pp.2700-2705(1990))中提出了这样的多层磁性层磁记录媒体，即用多层磁性层构成薄膜媒体的磁性记录层，通过在各磁性层与磁性层之间插入非磁性中间层减少各磁性层之间的磁耦合从而减少由记录媒体引起的噪音。

如上所述，人们正在开发适合于磁记录的高记录密度化的高灵敏度的磁阻效应式再生磁头。这种磁阻效应式的磁头由于再生灵敏度高，并且磁头的磁阻低，所以产生生的热噪音小。以往，在电磁感应式磁头发生的大的噪音中隐含的由磁记录媒体引起的噪音(媒体噪音)在整个装置的噪音中占了很大的比例。因此，为了使用磁阻效应式磁头实现高记录密度化，必须减少媒体噪音。作为减少媒体噪音的方法，有人提出了由在层间插入非磁性中间层的多层磁性层构成多层磁性层磁记录媒体的方案。因此，通过将磁阻效应式再生磁头与多层磁性层磁记录媒体组合，可以期望实现磁盘装置的高密度化。

但是，如果实际制作这种组合的磁盘装置，与磁性层数为1层的先有的磁记录媒体(单层磁性层磁记录媒体)的情况相比，高记录密度的再生输出比较低，装置不能获得足够低的误码率。这样，虽然分别独立地开发灵敏度高的再生磁头和噪音低的磁记录媒体，对于将它们怎样组合才能实现具有高记录密度的磁盘装置，还未充分考虑。

另外，正如特开昭63-146219号公报所公开的那样，作为在上述多层结构的磁记录媒体(多层膜磁记录媒体)中使用的中间层，人们还广泛地研究了在作为Co基合金薄膜磁记录媒体的下地层使用时可以获得良好的特性的Cr膜。使用Cr作为中间层制作多层膜磁记录媒体时，和具有与各磁性层之和相等的磁性层厚度的单层媒体相比，虽然媒体噪音降低了，但其效果只约为-2～-3dB。要使磁存储装置的记录密度达到每1平方英寸1千兆位以上的高密度化，这么小的噪音降低是不够的。

本发明的目的旨在解决上述问题，提供一种可以进行高密度信息记录再生并且可靠性高的磁存储装置。

本发明在具有在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置的磁存储装置中，通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部，使磁记录媒体含有在多个磁性层与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的结晶方位不同的结晶粒，充分降低媒体噪音，达到上述目的。

另外，如果使夹持磁阻效应式磁头的磁阻传感器部的2块屏蔽层的间隔小于0.35μm，从而使磁记录媒体的多层磁性层的厚度总和t与沿记录时磁头相对于磁记录媒体的相对运行方向(以后，将此方向称为记录方向)施加磁场而测量的剩余磁通密度Br之积Br×t大于10G·μm且小于100G·μm，便可减小输出的相位波动。进而，通过使沿记录方向施加磁场而测量的磁记录媒体的矫顽力大于2.4kOe，可以获得高记录密度的足够的信号强度，从而可以实现具有每1平方英寸2千兆位以上的记录密度的可靠性高的磁存储装置。

另外，通过利用磁化方向相互随外部磁场相对变化而产生大的磁阻变化的多个导电性磁性层和包含设置在该导电性磁性层之间的导电性非磁性层的磁阻传感器构成磁阻效应式磁头，利用巨大磁阻效应或旋转阀效应，可以进一步提高信号强度，从而可以实现具有每1平方英寸3千兆位以上的记录密度的可靠性高的磁存储装置。

磁记录媒体的多个磁性层可以使最密六角晶体点阵结构的c轴方位含有与媒体表面大致平行的Co合金结晶粒，并且位于与垂直于媒体表面的方向重叠的位置，同时，还含有c轴方位相互大致正交的Co合金结晶粒。这里，所谓Co合金结晶粒的c轴方位相互大致正交，是指2个Co合金结晶粒的c轴方位处于与正交方位偏离±10°的范围内，最好处于±5°的范围内。

当磁记录媒体的多个磁性层由靠近基板表面的第1磁性层和在其上通过中间层形成的第2磁性层构成时，在构成第2磁性层的结晶粒中，设c轴方位与在和垂直于媒体表面的方向重叠的位置存在的第1磁性层的结晶粒的c轴方位大致正交的结晶粒的数量为Nc，大致平行的结晶粒的数量为Na时，则Nc与Na之比Nc/Na大于0.2就可以了，最好大于0.4。这里，所谓Co合金结晶粒的c轴方位大致平行，是指2个Co合金结晶粒的c轴方位处于与平行方向偏离±10°的范围内，最好处于±5°的范围内。

磁记录媒体也可以是构成其多个磁性层中的至少一层的磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均结晶方位与构成其他磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均结晶方位不同。

多个磁性层可以在下地层之上形成，可以使中间层的组成和下地层的组成不同。另外，中间层还可以由组成不同的多个层构成。

另外，在具有多个磁性层和设置在上述磁性层之间的非磁性中间层的多层膜磁记录媒体中，可以由以Ta和Cr或Ta为主要成分的层和以Cr为主要成分的层或者以Hf和Cr或Hf为主要成分的层和以Cr为主要成分的层构成上述非磁性中间层。

进而，通过形成厚度10nm～30nm的碳膜作为磁性层的保护层，以及形成厚度2nm～20nm的吸附性全氟烃基聚醚等润滑层，可以获得可靠性高的可以进行高密度记录的磁记录媒体。另外，如果使用钨(W)碳化物、(W-Mo)-c等碳化物、(Zr-Nb)-N、氮化硅等氮化物、二氧化硅、氧化锆等氧化物或硼(B)、硼化物、二硫化钼、Rh等作为保护层，可以提高耐滑动性和耐腐蚀性，所以是很理想的。另外，形成该保护层后，通过使用微细的掩蔽模等进行等离子体蚀刻，在表面形成微细的凹凸，或使用化合物、混合物的靶使保护层表面产生异相突起，或者通过热处理在表面形成凹凸，可以减少磁头与记录媒体的接触面积，从而在进行CSS动作时可以避免发生磁头粘到记录媒体表面上的问题，所以，是很理想的。

使用多层磁性层磁记录媒体时，高记录密度区域的输出降低的原因，是由于与由单层的磁性层构成的磁记录媒体相比，多层磁性层磁记录媒体的磁滞回线的矩形比(以后，简称为矩形比)小。通常，在磁记录媒体使用的磁性膜中，如果膜厚度小，则矩形比就小。在多层磁性层磁记录媒体中，与单层磁性层磁记录媒体相比，由于必须减小磁性层每一层的膜厚度，所以矩形比将变小。为了使用多层磁性层磁记录媒体以高记录密度实现可靠性高的磁记录装置，必须提高多层磁性层磁记录媒体的矩形比，或者进一步降低噪音。

本发明的发明人改变了磁性层与中间层的组成、膜厚度、成膜条件等后制作了多层磁性层磁记录媒体，利用与在记录部使用电磁感应式磁头、在再生部使用磁阻效应式磁头的复合式磁头的组合，评价了记录再生特性。结果表明，在多层磁性层磁记录媒体的多个磁性层中，在与垂直于媒体表面的方向(膜厚方向)重叠的位置存在的磁性结晶粒间的结晶方位关系和记录再生特性之间存在很强的相关关系。下面，详细说明研究结果。

图1是为了研究所使用的典型的多层磁性层磁记录媒体的微细结构的剖面模式图。该记录媒体在基板1上利用溅射法形成下地层2、第1磁性层3、中间层4、第2磁性层5和保护层6。使用在表面镀Ni-P的Al-Mg合金作为基板，使用Cr-Ti合金作为下地层和中间层，使用Co-Cr-Pt合金作为磁性层。另外，使用碳作为保护层，并在其上形成润滑层(在图1中，省略了润滑层)。用透过式电子显微镜详细地观察剖面结构和平面结构时，如图1大致所示的那样，下地层由柱状的微结晶构成，构成第1磁性层的柱状结晶成长在其上。构成1～3个第1磁性层的柱状结晶在1个下地层结晶的上面成长。构成中间层和第2磁性层的结晶粒在构成第1磁性层的柱状结晶粒上面各成长1个。

使下地层2、第1和第2磁性层3，5的组成和膜厚一定，评价改变中间层4的组成、层厚和成膜条件的多层磁性层磁记录媒体的记录再生特性的结果可知，通过将Cr-Ti合金中间层4中的Ti浓度和层厚设定在适当的范围内，可以降低噪音。发明人详细研究了这样得到的噪音低的媒体和噪音比较高的媒体的微细结晶结构的不同。结果表明，在与垂直于媒体表面的方向(膜厚方向)重叠的位置存在的磁性结晶粒间(例如，图1所示的第1磁性层的结晶粒7和第2磁性层的结晶粒8)的结晶方位关系和媒体噪音之间存在很强的相关关系。

为了研究在与膜厚方向(图1的上下方向)重叠的位置存在的磁性结晶粒的结晶方位关系，利用机械研磨和离子轰击除去基板1和下地层2的试料，从与媒体表面垂直的方向照射电子束，观察电子衍射图形。电子束聚焦得小于结晶粒直径。

在噪音大的媒体中，对几乎所有的结晶粒都观察到图2(A)所示的衍射图形。中间层的厚度约为磁性层的厚度的1/10，该衍射图形几乎是由磁性层引起的衍射。由该衍射图形可知，磁性层的结晶粒具有最密六角点阵(hcp)结构，最密六角点阵的{110}面(以后，简写为hco-{110})与膜面平行，各光点的衍射指数可以如图中所示的那样决定。根据该衍射图形，可以认为具有在与膜厚方向重叠的位置存在的最密六角点阵结构的磁性结晶粒的c轴都指向图中的箭头21的方向。

与此相反，在噪音小的媒体中，则观察到图2(B)所示的衍射图形。该衍射图形成为图2(A)的衍射图形和使之围绕(000)衍射光点旋转90度的衍射图形重叠的衍射图形。因此，可以认为在与膜厚方向重叠的位置存在的磁性结晶粒的c轴如箭头22和箭头23所示的那样，指向相互正交的方向。

对于噪音的大小不同的记录媒体，研究了大约各50个结晶粒的电子衍射图形，研究了可以得到图2(A)那样的衍射图形的结晶粒的数量Na和可以得到图2(B)那样的衍射图形的结晶粒的数量Nc。研究Nc与Na的之比Nc/Na和噪音大小的关系时，发现如图3所示的那样，随着Nc/Na增大，噪音降低。当使Nc/Na大于0.2时，与Nc/Na为零的情况相比，可以使噪音降低1dB以上，这是很理想的。另外，当使Nc/Na大于0.4时，与Nc/Na为零的情况相比，噪音可以降低1.3dB以上，所以更加理想。

Nc/Na的值与Cr-Ti合金中间层的Ti浓度及中间层的层厚的关系很大。对于Cr-Ti合金中间层的Ti浓度，当Ti浓度处于某一范围内时，呈现出Nc/Na成为极大的倾向。该Nc/Na成为极大的Ti浓度范围与Co-Cr-Pt合金中的Pt浓度有关，Pt浓度越增大，Nc/Na在越高的Ti浓度范围内成为极大。例如，对于10at％的Pt浓度，如图4所示的那样，15～25at％的Ti浓度最佳。在中间层厚度小于0.5nm的区域内，Nc/Na几乎为零，为了得到大于0.2的Nc/Na，如图5所示的那样，必须使中间层厚度大于1.5nm。另外，为了得到大于0.4的Nc/Na，必须使中间层厚度大于2nm。将这样得到的低噪音媒体与磁阻效应式磁头组合试制磁盘装置时，可以得到位误码率低的高可靠性磁盘装置。

根据以上所述可知，在与媒体表面垂直的方向(膜厚方向)重叠的位置存在的磁性结晶粒的结晶方位不同的可以降低媒体噪音。在上述例中，对磁性结晶粒的hcp-{110}面与膜面平行的情况进行了说明，但是，hcp-{100}面、hcp-{011}面与膜面平行时，在与膜厚方向重叠的位置存在的磁性结晶粒间也是c轴的方位不同的可以降低噪音。

另外，当用与下地层的组成不同的Mo、W、V、Ta、Nb、Zr、Ti、B、Si、C、Ni-P、或者它们的氧化物构成中间层时，第2磁性层的平均结晶方位就与第1磁性层不同。这样，结果在与膜厚方向重叠的位置存在的磁性结晶粒的结晶方位不同的概率便增大，从而可以降低媒体噪音。此外，通过使中间层为2层结构，在图1的第1磁性层与中间层之间插入以Mo、W、V、Ta、Nb、Zr、Ti、B、Si、C、Ni-P、或者它们的氧化物为主要成分的下部中间层，取代改变下地层和中间层的组成，也可以获得同样的效果。

图6是使图1的中间层4成为由厚度2nm的碳构成的下部中间层和由厚度2nm的Cr-Ti合金构成的上部中间层的2层结构的磁记录媒体的X射线衍射谱线41和利用等离子体蚀刻从该结构的记录媒体的表面一侧除去保护层和第2磁性层的试料的X射线衍射谱线42。在第1和第2磁性层都存在时的X射线衍射谱线41中，观察到了表示hcp-{110}面与膜面平行的峰值43和表示hcp-{100}面与膜面平行的峰值44。与此相反，在除去第2磁性层的X射线衍射谱线42中，虽然观察到了表示hcp-{110}面与膜面平行的峰值43，但是，却几乎观察不到表示hcp-{100}面与膜面平行的峰值。由此可知，在第1磁性层和第2磁性层中，平均的结晶方位不同。通过采用这样的结构，噪音可以降低大约1～2dB。

此外，发明人还对在多层磁性层磁记录媒体中防止矫顽力降低即防止高线记录密度的再生输出降低并且有效地降低媒体噪音的方法进行了各种研究。结果表明，通过由Ta与Cr或Cr与Hf层的二层构成插入到磁性层之间的中间层，可以获得不降低矫顽力而大幅度地降低媒体噪音的效果。

图7的曲线201、202、203分别表示由Ta和Cr的二层构成中间层时的中间层的厚度(Ta和Cr层的厚度之和)和再生输出(S)及媒体噪音(N)以及信噪比(S/N)的关系。

该媒体是在表面镀Ni-P的Al-Mg合金基板上形成厚度50nm的Cr下地层后，通过由具有相等膜厚的Ta和Cr层构成的中间层积层二层厚度20nm的CoCrTa合金磁性膜而构成的。另外，上层的磁性膜覆盖着厚度50nm的碳(C)保护膜。中间层膜厚为零的点相当于厚度40nm的CoCrTa合金单层膜。CoCrTa合金的Cr浓度为16at％，Ta浓度为3at％。

测量是在线记录密度为150kFCI的条件下进行的。图7中的204、205、206分别是为了与作为中间层现在广泛采用的使用Cr时的结果进行比较。

由图可知，采用Cr作为中间层时，通过使中间层的厚度大于2nm，媒体噪音降低约2～3dB。但是，插入Cr中间层将招致矫顽力降低，从而再生输出也降低。因此，几乎不能认为改善了S/N。

与此相反，使用由Ta和Cr构成的中间层时，在中间层厚度大于3nm的区域，媒体噪音大幅度地降低4～5dB，而且由于再生输出也不降低，所以，信噪比S/N可以实现6dB的大幅的改善。

使用以CoNi、CoFe、CoPt、CoIr、CoW、CoRe、CoNiZr、CoCrPt或CoNiCr为主要成分的Co基合金磁性膜取代CoCrTa作为磁性膜时，也可以获得同样的效果。

对于S/N改善效果，使用由Hf和Cr构成的中间层取代Ta/Cr中间层时，也可以获得同样的效果。另外，使用向Ta、Hf、Cr中的任何一种元素添加从由Zr、Nb、Ti、V、Mo、W组成的群中选择的至少一种元素的合金时，也可以获得同样的效果。

这样，可以认为通过使用Ta和Cr或Hf和Cr的二层构成的中间层，媒体噪音大幅度降低有如下理由。

通常，如先有技术所示的那样，使用Cr膜作为中间层时，在具有体心立方点阵结构的Cr的(100)面与具有最密六角点阵结构的CoCr系合金的(110)面之间存在外延的关系。根据该性质，使用Cr层作为中间层时，通过Cr在上、下面形成的Co基合金薄膜的结晶方位就产生一定的关系，在上面形成的Co基合金薄膜的结晶方位与在下面形成的Co基合金膜取相同的结晶方位。

与此相反，本发明在作为磁性膜的下层的Co基合金磁性膜上形成Cr膜之前，形成Ta或Hf膜。该Ta和Hf膜是非晶体，具有切断与Co基合金薄膜的外延联系的作用。另外，由于在Ta(Hf)膜上形成的Cr膜取向为(100)，现在，根据上述外延的关系，在其上形成的Co基合金膜便取向为(110)，从而，容易磁化的轴即c轴便指向面内。即，通过采用这样的中间层结构，可以获得割断上下Co基合金膜的结晶的联系并且上下层的容易磁化的轴都指向面内的结构。

在本发明中，保持着高再生输出并大幅度降低媒体噪音是通过使上下磁性层间的容易磁化的轴指向面内并且切断容易磁化的轴方向的上下的关系获得的。

作为磁性层的磁特性，如果使沿记录再生时的磁头运行方向施加磁场所测量的矫顽力大于2.4kOe，使剩余磁通密度Br与总磁性层厚度t之积Br×t处于10～100G·μm的范围内，则在每1平方英寸1千兆位以上的高记录密度区域，便可获得良好的记录再生特性，所以是很理想的。

图8是矫顽力与装置的S/N的关系。图中，画出了对各矫顽力使用Br×t不同的媒体测量装置的S/N得到的最大的装置的S/N。测量条件和后面所述的实施例1的条件相同。如果矫顽力小于2.4kOe，装置的S/N便小于1，噪音将大于信号。

图9是记录再生一定频率的高密度的信号时输出信号的相位波动与Br×t的关系。在测量中，如图10所示的那样，利用低通滤波器31、微分电路32和脉冲化电路33将磁头的再生输出脉冲化，利用脉动表34分析脉冲间隔δ的变化。在图8中，将δ相对于δ的平均值的标准偏差σ的比例作为波动表示。当Br×t处于10～100G·μm的范围以外时，波动便大于15％，从而，便难于进行位的辨别。另外，如图11所示的那样，当将磁阻传感器夹在中间而形成的2块屏蔽层间的距离(屏蔽间隔)大于0.35μm时，波动将大于15％。所以，屏蔽间隔最好小于0.35μm。

中间层的厚度如前面所述的那样最好大于1.5nm，但如果太厚的话，由于磁头与最下层的磁性层的间隔增大，重写特性将变坏，所以是不理想的。特别是当将中间层采用二层结构时，由于中间层变厚，重写特性将变坏。为了解决这个问题，使用具有较高饱和磁通密度的软磁性薄膜作为记录磁头的磁极比使用Fe-Co-Ni系合金、Fe-Si系合金等和先有的Ni-Fe合金有效。特别是使用饱和磁通密度大于15000高斯的软磁性薄膜时，可以获得良好的结果。

图1是表示多层磁性层磁记录媒体的微细结构的剖面模式图。

图2A，图2B是在与膜厚方向重叠的位置存在的2个磁性结晶粒的电子衍射图形的图。

图3是表示在与膜厚方向重叠的位置存在的2个磁性结晶粒的c轴方位大致正交的结晶粒对的数量Nc和大致平行的结晶粒对的数量Na之比Nc/Na与噪音的关系图。

图4是表示CrTi中间层的Ti浓度与Nc/Na的关系的图。

图5是表示CrTi中间层的厚度与Nc/Na的关系的图。

图6是表示本发明的多层磁性层磁记录媒体的一个实施例的X射线衍射谱线的图。

图7是表示本发明的和先有的多层磁性层磁记录媒体的相对输出、相对媒体噪音及相对信噪比的关系的图。

图8是表示矫顽力与装置的S/N的关系的图。

图9是表示相位波动与Br×t的关系的图。

图10是相位波动的测量装置的概略图。

图11是表示相位波动与屏蔽间隔的关系的图。

图12A是磁存储装置的平面模式图，图12B是沿图12A的箭头VIIB-VIIB的剖面模式图。

图13是磁头一例的剖面说明图。

图14是磁头的磁阻传感器部的剖面结构一例的模式图。

图15是多层磁性层磁记录媒体的结构一例的剖面模式图。

图16是磁头的其他例子的剖面说明图。

图17是磁头的磁阻传感器部的剖面结构其他例的模式图。

图18是本发明的多层磁性层磁记录媒体的1例的剖面图。

图19A是本发明的一个实施例的磁存储装置的说明图。

图19B是沿图1 9A的箭头XIXB-XIXB的剖面模式图。

下面，参照实施例详细说明本发明。

(实施例1)

制作具有图15所示的剖面结构的多层磁性层磁记录媒体，将其组装到磁存储装置中。磁存储装置的平面模式图如图12A所示，剖面模式图如图12B所示，是具有磁记录媒体51、驱动该磁记录媒体51的驱动部52、磁头53及其驱动机构54和磁头的记录再生信号处理装置55而构成的众所周知的结构。

磁头53的结构模式的示于图13。该磁头是将在基体68上形成的记录用的电磁感应式磁头和再生用的磁阻效应式磁头组合的记录再生分离式磁头。用下部屏蔽层62和上部屏蔽层63夹着磁阻传感器61的部分作为再生磁头起作用，夹着线圈64的下部记录磁极65和上部记录磁极66作为记录头起作用。磁阻传感器61的输出信号通过电极图形67取出到外部。

磁阻传感器的剖面结构示于图14。该磁阻传感器包括在屏蔽层与磁阻传感器之间的间隙层71上形成的强磁性材料的薄膜磁阻性导电层73、用于使该薄膜磁阻性导电层成为单一磁区的反强磁性区控制层72、用于隔断薄膜磁阻性导电层的感磁部74的薄膜磁阻性导电层与反强磁性区控制层之间交换相互作用的非磁性层75、作为可以对感磁部74发生偏置磁场的机构的软磁性层或永久磁铁膜偏置层77和用于调节软磁性层或永久磁铁膜偏置层77与薄膜磁阻性导电层73之间的电流分流比的高阻层76。

下面，说明图13所示的磁头的制作方法。

将以氧化铝·碳化钛为主要成分的烧结体作为滑触头用的基体68。对于屏蔽层62，63和记录磁极65，66，使用由溅射法形成的Ni-Fe合金膜。使上下屏蔽层62，63的厚度为1μm，上下屏蔽层间的距离为0.27μm，记录磁极65，66的厚度为3μm。在屏蔽层和磁阻传感器61及记录磁极65，66之间利用溅射法形成氧化铝的间隙层。使屏蔽层与磁阻传感器之间的间隙层的厚度为125nm，记录磁极间的间隙层的厚度为300nm，屏蔽层与记录磁极之间的间隙层的厚度(再生头与记录头的间隔)约为3μm。线圈64使用厚度3μm的Cu。另外，分别利用溅射法形成厚度20nm的Ni-Fe合金层作为磁阻传感器的薄膜磁阻性导电层73(图14)，形成厚度30nm的NiO层作为反强磁性磁区控制层72，形成厚度2nm的Nb层作为用于隔断薄膜磁阻性导电层与反强磁性磁区控制层之间的交换相互作用的非磁性层75，形成厚度30nm的Ni-Fe-Nb合金软磁性层作为软磁性偏置层77，以及形成厚度100nm的Cu薄膜作为电极图形67。

图15模式地示出剖面结构的多层磁性层磁记录媒体，包括由Al-Mg合金、化学强化玻璃、Ti，Si，Si-C，碳、结晶化玻璃或陶瓷等构成的基板81、使用Al-Mg合金作为基板时在其两面形成的由Ni-P，Ni-W-P等构成的非磁性镀层82、由以Cr，Mo，W或其中任一种为主要成分的合金构成的下地层83、由Co-Ni-Zr，Co-Cr-Al，Co-Cr-Ta，Co-Cr-Pt，Co-Ni-Cr，Co-Cr-Nb，Co-Ni-Cr-Pt，Co-Cr-Pt-B，Co-Cr-Pt-Ta，Co-Cr-Pt-Si等构成的第1磁层84及第2磁性层86、在第1磁性层与第2磁性层之间形成的由以Cr，Mo，W，V，Ta，Nb，Zr，Ti，B，Si，C，Ni-P或其中的任一种为主要成分的合金构成的非磁性中间层85、由碳、硼、碳化硅、氮化硅、二氧化硅、钨、碳化物、(W-Mo)-C、(W-Zr)-C等构成的保护层87和全氟烃基聚醚等润滑层88。

下面，说明该多层磁性层磁记录媒体的制作方法。

在由外径95mm、内径25mm、厚度0.4mm的Al-4wt％Mg(在原子符号前标的数字表示该材料的含有量)构成的基板81的两面形成由Ni-12wt％P构成的厚度13μm的镀层82。使用绕线机平滑地研磨该非磁性基板的表面，直至表面中心线平均粗细Ra达到2nm为止，并进行清洗和干燥。然后，使用带状抛光机(例如，参见特开昭62-262227号公报)在存在砂粒的情况下使研磨带通过滚轮，使盘基板旋转着压到盘面的两侧，在盘基板表面形成大致圆周方向的纹路。接着，将附着到基板上的研磨剂等污物清洗除去后进行干燥。

将这样形成的盘基板在磁控管溅射装置内在真空中升温到270℃，在2mTorr的氩气条件下形成由厚度30nm的Cr-18at％Ti构成的下地层83。在该下地层指示上顺序积层形成由Co-20at％Cr-10at％Pt构成的厚度12nm的第1磁性层84、由厚度2.5nm的Cr-18at％Ti构成的中间层85和厚度12nm的第2磁性层86。第2磁性层的组成和第1磁性层相同。然后，在第2磁性层上形成厚度25nm的碳保护层87。在其表面静电喷涂上聚苯乙烯粒子，作为掩模对其进行等离子体蚀刻，在表面形成微细的凹凸。最后，在该保护层上形成吸附性的全氟烃基聚醚的润滑层88。

利用X射线衍射分析这样形成的磁记录媒体的结果，Cr-Ti下地层的结晶取向成长，使体心立方点阵(bcc)结构的{100}面与基板大致平行，磁性层的取向成长使最密六角点阵(hcp)结构的{110}面与基板大致平行。对利用机械研磨和离子轰击除去基板和下地层的试料从垂直于记录媒体表面的方向照射电子束，观察了电子衍射图形。聚焦电子束对约50个结晶粒研究衍射图形，统计能得到图2A那样的衍射图形的结晶粒的数量Na和能得到图2B那样的衍射图形的结晶粒的数量Nc的结果，是Nc与Na之比Nc/Na为0.45。另外，沿盘圆周方向施加磁场测量的矫顽力为2.96kOe，剩余磁通密度与总磁性层厚度之积Br×t为85G·μm。

使用本实施例的磁存储装置在磁头浮上量30nm、线记录密度210kBPI、磁道密度9.6kTPI的条件下评价记录再生特性时，可以得到1.6的装置的S/N。另外，对向磁头输入的输入信号进行8-9编码调制处理后，通过对输出信号进行最优译码信号处理，便可记录再生每1平方英寸2千兆位的信息。而且，从内周到外周磁头搜索试验5万次后的位错误数小于10位/面，平均故障间隔时间(MTBF)可以达到15万小时。

(实施例2)

和实施例1一样，在玻璃基板上制作多层磁性层磁记录媒体，但是不形成非磁性镀层，并将其组装到图11所示的磁存储装置中。磁存储装置的磁头和实施例1一样，使用记录再生分离式的磁头。

作为记录媒体的基板，使用直径2.5英寸、厚度0.4mm的玻璃基板，在其表面在2mTorr的氩气的条件下利用溅射法形成厚度15nm的Cr层。然后，再在其上顺序形成和实施例1一样的下地层、第1磁性层、中间层、第2磁性层、碳保护层和润滑层。

利用X射线衍射分析这样形成的磁记录媒体的结果，Cr-Ti下地层的结晶取向成长使体心立方点阵(bcc)结构的{100}面或{110}面与基板大致平行，磁性层的取向成长使最密六角点阵(hcp)结构的{110}面或{011}面与基板大致平行。对利用机械研磨和离子轰击除去基板和下地层的试料从垂直于记录媒体表面的方向照射电子束观察了电子衍射图形。聚焦电子束对约30个hcp-{110}面大致与基板平行的磁性结晶粒研究衍射图形，统计能得到图2A那样的衍射图形的结晶粒的数量Na和能得到图2b那样的衍射图形的结晶粒的数量Nc的结果，是Nc与Na之比Nc/Na为0.5。另外，沿盘圆周方向施加磁场测量的矫顽力为2.5kOe，剩余磁通密度与总磁性层厚度之积Br×t为80G·μm。

使用本实施例的磁存储装置在磁头浮上量26nm、线记录密度210kBPI、磁道密度9.6kTPI的条件下评价记录再生特性时，可以得到1.6的装置的S/N。另外，对向磁头输入的输入信号进行8-9编码调制处理后，通过对输出信号进行最优译码信号处理，便可记录再生每1平方英寸2千兆位的信息。而且，从内周到外周磁头搜索试验5万次后的位错误数小于10位/面，平均故障间隔时间(MTBF)可以达到15万小时。

(实施例3)

以和实施例1的磁记录媒体相同的积层结构制作非磁性中间层具有2层结构的多层磁性层磁记录媒体，组装到具有和实施例1相同的结构的磁存储装置中。

制作磁记录媒体时，和实施例1一样，在准备好的盘基板上，在2mTorr的氩气条件下顺序积层，分别利用溅射法形成由厚度40nm的Cr-18at％Ti构成的下地层和由Co-21at％Cr-12at％Pt构成的厚度13nm的第磁性层，然后，在其上形成由厚度2.5nm的碳层和厚度2nm的Cr-23at％Ti层这2层构成的中间层，以及再在其上形成由厚度13nm的Co-21at％Cr-12at％Pt构成的第2磁性层。最后，在第2磁性层上顺序形成和实施例1相同的碳保护层和润滑层。

利用X射线衍射分析这样形成的磁记录媒体的结果，Cr-Ti下但是层的结晶取向成长使体心立方点阵(bcc)结构的{100}面与基板大致平行，磁性层的取向成长使最密六角点阵(hcp)结构的{110}面或{011}面与基板大致平行。利用离子轰击除去第2磁性层后，利用X射线衍射分析结晶取向的结果，表示最密六角点阵(hcp)结构的{011}面与基板大致平行的衍射峰值消失了，在第1磁性层和第2磁性层中，平均的结晶方位不同。另外，沿盘圆周方向施加磁场测量的矫顽力为2.82kOe，剩余磁通密度与总磁性层厚度之积Br×t为90G·μm。

使用本实施例的磁存储装置在磁头浮上量30nm、线记录密度210kBPI、磁道密度9.6kTPI的条件下评价记录再生特性时，可以得到1.6的装置的S/N。另外，对向磁头输入的输入信号进行8-9编码调制处理后，通过对输出信号进行最优译码信号处理，便可记录再生每1平方英寸2千兆位的信息。而且，从内周到外周磁头搜索试验5万次后的位错误数小于10位/面，平均故障间隔时间(MTBF)可以达到15万小时。

(实施例4)

在实施例3的磁存储装置中，将磁头采用图16所示结构的记录再生分离式磁头。

该磁头基本上具有和图13所示的实施例1的记录再生分离式磁头相同的结构，但是，不同点在于用1个屏蔽记录磁极兼用层91置换了图13中的上部屏蔽层63和下部记录磁极65。顾名思义，该屏蔽记录磁极兼用层91是用1个软磁性层起上部屏蔽层和下部记录磁极的作用，在本实施例中，是使用由溅射法形成的Ni-Fe合金膜。

通过使用这种结构的磁头，可以抑制磁道密度大于8kTPI时位误码率增大。可以认为，这是由于记录头和再生头的距离减小、从而使用旋转拖动装置时偏角影响引起的记录头和再生头的定位误差减小的缘故。另外，通过使用饱和磁通密度高达16000高斯的利用镀膜法形成的Fe-Co-Ni合金膜，可以将重写特性比实施例3的情况改良约6dB。

(实施例5)

在具有和实施例1相同的结构的磁存储装置中，磁头采用具有和实施例4相同结构的记录再生分离式磁头，使用具有图1 7所示的剖面结构的磁阻传感器构成其再生磁头。

该磁阻传感器是利用由非磁性层隔开的2个磁性层间的相对的磁化方向变化而产生的磁阻变化(旋转阀效应引起的磁阻变化)的磁阻传感器。在屏蔽层和磁阻传感器之间的氧化铝间隙层71上，利用溅射法顺序形成厚度2nm的Ti层作为缓冲层101、形成厚度3nm的Ni-20at％Fe合金层作为第1磁阻层102、形成厚度1.5nm的Cu层作为非磁性层103、形成厚度3nm的Ni-20at％Fe合金层作为第2磁阻层和形成厚度5nm的Fe-50at％Mn合金层作为反强磁性层105。

在该磁阻传感器中，由反强磁性层的交换偏置磁场使第2磁阻层的磁化方向固定为一个方向，利用磁记录媒体的泄漏磁场改变第1磁阻层的磁化方向，引起磁阻变化。通过使用Ti层作为缓冲层，使第1和第2磁阻层的{111}结晶点阵面取向为与膜面平行，这样，便可减弱磁阻层间的交换相互作用，从而可以比实施例1的磁阻传感器获得约2倍的高灵敏度。

另外，本实施例的多层磁性层磁记录媒体使用直径1.3英寸、厚度0.4mm、表面粗糙度1nm的碳基板作为基板。在其两面利用和实施例1相同的溅射装置和条件形成厚度1μm的Cr下地层。此外，在真空容器内，利用含有砂粒平均直径小于1μm的研磨剂的研磨带研磨Cr下地层表面，形成大致圆周方向的纹路。并在其上形成厚度50nm的Cr-20at％Ti下地层，进而形成厚度11nm的Co-21at％Cr-15at％Pt层作为第1磁性层，形成厚度2.5nm的Cr-25at％Ti中间膜，以及形成厚度11nm的Co-21at％Cr-15at％Pt层作为第2磁性层。然后，形成厚度25nm的碳保护层。接着，在碳保护层表面设置开口部的平均距离大于50μm、小于100μm的蚀刻掩模，利用氧气等离子体蚀刻将未覆盖掩模的区域的碳保护层蚀刻深度15μm。结果，在碳保护层表面便形成平均直径大于50μm、小于100μm、高度15μm的岛状的凸部。最后，在该保护层上形成吸附性的全氟烃基聚醚的润滑层。

利用X射线衍射分析这样形成的磁记录媒体的结果，Cr-Ti下地层的结晶取向成长使体心立方点阵(bcc)结构的{100}面或{110}面与基板大致平行，磁性层的取向成长使最密六角点阵(hcp)结构的{110}面或{011}面与基板大致平行。对利用机械研磨和离子轰击除去基板和下地层的试料从垂直于记录媒体表面的方向照射电子束观察了电子衍射图形。聚焦电子束对约30个hcp-{110}面大致与基板平行的磁性结晶粒研究衍射图形，统计能得到图2A那样的衍射图形的结晶粒的数量Na和能得到图2b那样的衍射图形的结晶粒的数量Nc的结果，是Nc与Na之比Nc/Na为0.67。另外，沿盘圆周方向施加磁场测量的矫顽力为2.62kOe，剩余磁通密度与总磁性层厚度之积Br×t为66G·μm。

使用本实施例的磁存储装置在磁头浮上量23nm、线记录密度260kBPI、磁道密度11.6kTPI的条件下评价记录再生特性时，可以得到1.2的装置的S/N。另外，对向磁头输入的输入信号进行8-9编码调制处理后，通过对输出信号进行最优译码信号处理，便可记录再生每1平方英寸3千兆位的信息。而且，从内周到外周磁头搜索试验5万次后的位错误数小于10位/面，平均故障间隔时间(MTBF)可以达到15万小时。

(实施例6)

下面，参照图18说明本发明的多层磁性层磁记录媒体的一个实施例。本实施例的多层磁性层磁记录媒体在由表面镀Ni-P合金的Al-Mg合金、Ti合金、强化玻璃、或有机树脂、陶瓷等构成的非磁性基板211上形成。在非磁性基板上，利用溅射法顺序形成Cr下地层212、第1磁性层213、中间层214、第2磁性层215和C保护层216，然后，再在其上涂敷形成润滑层217。使Cr下地层212的厚度为50nm，第1磁性层213和第2磁性层215为厚度20nm的Co-16at％Cr-3at％Ta合金层，中间层是由相等膜厚的Ta和Cr构成的二层膜，使其厚度之和在3nm～25nm范围内变化。C保护膜的厚度为50nm，润滑层217为吸附性的全氟烃基聚醚。

利用试料振动式磁通计(VSM)测量的矫顽力为2000～2150奥斯特。为了比较，将该值与将上述第1、第2磁性层和中间层的三层置换制作为厚度40nm的Co-16at％Cr-3at％Ta合金一层膜的单层磁记录媒体的矫顽力2100奥斯特比较，可以得到同等以上的值。

然后，测量记录再生特性。取媒体与磁头的相对速度为12m/s，浮上间隔为80nm，使用将有效间隙长度350nm的记录用电磁感应式薄膜磁头与再生用磁阻效应式磁头复合的磁头进行评价。其结果如图7的实线201～203所示。

(比较例1)

作为比较例，除了使中间层为Cr的单层、膜厚为3nm～25nm外，在和实施例6相同的条件下制作二层膜媒体，在和实施例6相同的条件下测量记录再生特性。其结果如虚线204～206所示。

由图7可知，通过使中间层的厚度大于3nm，两媒体的媒体噪音都降低，但是，使用本发明的二层的中间层效果更高，媒体噪音比比较例进一步降低2～3dB。另外，再生输出也比单层媒体高，信噪比与单层媒体高约6dB，比比较例的媒体高约4dB，由此可知，可以改善S/N特性。

作为中间层的材料，使用Hf和Cr取代Ta和Cr的组合也可以获得同样的效果。另外，向Ta、Hf、Cr层中添加从由Zr，Nb，Ti，V，Mo，W构成的群中选择的至少一种元素时也可以获得同样的效果。磁性膜的材料使用CrPt，CoNi，CoFe，CoCr，CoMo，CoW，CoRe，CoNiZr，CoCrPt，或CoNiCr取代CoCrTa时，也确认了同样的效果。

另外，如果采用和实施例6所述的相同的方法使磁层成为三层，则媒体噪音将比使磁性层为二层时更降低，可以确认其效果优于使中间层为Ta和Cr(Hf和Cr)的二层膜的情况。

(实施例7)

组装4个实施例6的多层磁性层磁记录媒体，制作磁存储装置。图19A和图19B分别是其平面图和剖面图。该磁存储装置具有由磁记录媒体218、旋转驱动该磁记录媒体218的驱动部219、磁头220及其驱动机构221和磁头的记录再生处理装置222组成的众所周知的结构构成。在该磁存储装置中，用实施例6的多层磁性层磁记录媒体构成磁记录媒体，同时，使用将记录用电磁感应式薄膜磁头与再生用磁阻效应式磁头组合的复合磁头作为磁头。

与将本实施例的多层磁性层磁记录媒体的中间层置换为Cr的先有的众所周知的多层磁性层磁记录媒体构成的磁存储装置相比，由于信噪比(S/N)提高了3dB以上，所以，可以实现1.5倍以上的大容量化。通过对磁头的输入输出信号进行信号处理，在磁头浮上量50nm的条件下，可以实现具有每1平方英寸1千兆位的存储容量的装置。

按照本发明，可以获得很高的S/N和较低的位误码率。所以，在每1平方英寸1千兆位的高记录密度下，可以实现15万小时以上的平均故障间隔。

Claims (20)

1.一种磁存储装置，包括：具有在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置，其特征在于：通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部，上述磁记录媒体的多个磁性层含有在多个磁性层与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的结晶方位不同的结晶粒。

2.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：上述多个磁性层含有最密六角点阵结构的c轴方位与媒体表面大致平行的Co合金结晶粒，并且含有在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的c轴方位相互大致正交的Co合金结晶粒。

3.如权利要求2所述的磁存储装置，其特征在于：上述多个磁性层由靠近基板表面的第1磁性层和通过中间层在其上形成的第2磁性层构成，在构成上述第2磁性层的结晶粒中，设其c轴方位和在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的上述第1磁性层的结晶粒的c轴方位大致正交的结晶粒的数量为Nc、大致平行的结晶粒的数量为Na时，Nc和Na之比Nc/Na大于0.2。

4.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于：构成上述多个磁性层大至少一层的磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均的结晶方位与构成其他磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均的结晶方位不同。

5.一种磁存储装置，包括：在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置，其特征在于：通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部，上述磁记录媒体的多个磁性层的容易磁化的轴方向处于膜面内，并且，上述磁性层的容易磁化的轴方向在各层间不相关。

6.一种磁存储装置，包括：在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置，其特征在于：通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部，上述磁记录媒体的中间层由Ta层和Cr层或Hf层和Cr层或者将从由Zr，Nb，Ti，V，Mo，W构成的群中选择的至少一种元素添加到这些元素中的合金膜的二层构成。

7.如权利要求6所述的磁存储装置，其特征在于：上述中间层由在Ta或Hf层上形成Cr层而成。

8.如权利要求7所述的磁存储装置，其特征在于：在上述中间层中，Ta层或Hf层与Cr层的厚度之和为2～20nm。

9.如权利要求6所述的磁存储装置，其特征在于：上述多个磁性层是Co基合金。

10.如权利要求1，2，3，4，5，6，7，8，或9所述的磁存储装置的特征在于：上述磁阻效应式磁头具有由相互间隔0.35μm以下的距离的软磁性体构成的2个屏蔽层和在上述2个屏蔽层之间形成的磁阻传感器部，上述磁记录媒体的多个磁性层的厚度之和t与记录方向的剩余磁通密度Br之积Br×t大于G·μm，小于100G·μm。

11.如权利要求1，2，3，4，5，6，7，8，9或10所述的磁存储装置，其特征在于：上述磁阻效应式磁头包含通过磁化方向相互随外部磁场发生相对变化而产生大的磁阻变化的多个导电性磁性层和设置在上述导电性磁性层之间的导电性非磁性层。

12.一种磁记录媒体，其特征在于：在具有多个磁性层和在相邻磁性层之间设置中间层的多层磁性层磁记录媒体中，上述多个磁性层含有在与垂直于媒体表面的方向重叠的位置存在的结晶方位不同的结晶粒。

13.如权利要求12所述的磁记录媒体，其特征在于：上述多个磁性层含有最密六角点阵结构的c轴方位与媒体表面大致平行的Co合金结晶粒，并且含有在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的c轴方位相互大致正交的Co合金结晶粒。

14.如权利要求1 2所述的磁记录媒体，其特征在于：上述多个磁性层由靠近基板表面的第1磁性层和通过中间层在其上形成的第2磁性层构成，在构成上述第2磁性层的结晶粒中，设其c轴方位和在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的上述第1磁性层的结晶粒的c轴方位大致正交的结晶粒的数量为Nc、大致平行的结晶粒的数量为Na时，Nc和Na之比Nc/Na大于0.2。

15.如权利要求12所述的磁记录媒体，其特征在于：构成上述多个磁性层大至少一层的磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均的结晶方位与构成其他磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均的结晶方位不同。

16.磁记录媒体，其特征在于：在具有多个磁性层和在相邻磁性层之间设置中间层的多层磁性层磁记录媒体中，上述磁性层的容易磁化的轴方向处于膜面内，并且，上述磁性层的容易磁化的轴方向在各层间不相关。

17.磁记录媒体，其特征在于：在具有多个磁性层和在相邻磁性层之间设置中间层的多层磁性层磁记录媒体中，上述中间层由Ta层和Cr层或Hf层和Cr层或者将从由Zr，Nb，Nb，V，Mo，W构成的群中选择的至少一种元素添加到这些元素中的合金膜的二层构成。

18.如权利要求17所述的磁记录媒体，其特征在于：上述中间层由在Ta或Hf层上形成Cr层而成。

19.如权利要求18所述的磁记录媒体，其特征在于：在上述中间层中，Ta层或Hf层与Cr层的厚度之和为2～20nm。

20.如权利要求17所述的磁记录媒体，其特征在于：上述多个磁性层是Co基合金。

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