JPH06176342A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH06176342A JPH06176342A JP35004792A JP35004792A JPH06176342A JP H06176342 A JPH06176342 A JP H06176342A JP 35004792 A JP35004792 A JP 35004792A JP 35004792 A JP35004792 A JP 35004792A JP H06176342 A JPH06176342 A JP H06176342A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波特性に優れた多層強磁性金属膜を有す
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 非磁性基体、下層強磁性金属膜、ダイヤモン
ド状炭素中間層、上層強磁性金属膜保護膜、ダイヤモン
ド状炭素保護膜、及び潤滑層をこの順に形成し、更に下
層及び上層強磁性金属膜がＣｏ−Ｎｉ合金よりなり、上
下層強磁性金属膜の膜面の法線から測った蒸着角度がい
ずれも表面側程小さくなっている、磁気記録媒体。ま
た、真空室内に、第１及び第２回転ドラムを設置し、可
撓性の非磁性支持体前記第１回転ドラム、次いで第２回
転ドラムに沿わせて供給しながら、Ｃｏ−Ｎｉ合金を蒸
着し次いでダイヤモンド状中間層を形成し、こうして得
られた中間製品を巻き戻して、再度同様な工程を実施し
て上層強磁性金属層とダイヤモンド状炭素保護膜を形成
し、更にダイヤモンド状炭素保護膜の上に潤滑剤層を形
成する。
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 非磁性基体、下層強磁性金属膜、ダイヤモン
ド状炭素中間層、上層強磁性金属膜保護膜、ダイヤモン
ド状炭素保護膜、及び潤滑層をこの順に形成し、更に下
層及び上層強磁性金属膜がＣｏ−Ｎｉ合金よりなり、上
下層強磁性金属膜の膜面の法線から測った蒸着角度がい
ずれも表面側程小さくなっている、磁気記録媒体。ま
た、真空室内に、第１及び第２回転ドラムを設置し、可
撓性の非磁性支持体前記第１回転ドラム、次いで第２回
転ドラムに沿わせて供給しながら、Ｃｏ−Ｎｉ合金を蒸
着し次いでダイヤモンド状中間層を形成し、こうして得
られた中間製品を巻き戻して、再度同様な工程を実施し
て上層強磁性金属層とダイヤモンド状炭素保護膜を形成
し、更にダイヤモンド状炭素保護膜の上に潤滑剤層を形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属膜を磁気記録
層とする磁気記録媒体に関し、特に高周波または高密度
記録での高出力及び高Ｃ／Ｎ特性の他、更に耐久性を改
善した磁気記録媒体に関する。
層とする磁気記録媒体に関し、特に高周波または高密度
記録での高出力及び高Ｃ／Ｎ特性の他、更に耐久性を改
善した磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒその他の強磁性
金属膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する技術
は、ビデオ記録、デジタル記録等の高密度記録のため、
あるいは記録再生装置の小型化、高性能化などのために
従来から広く研究されており、また実用化されている。
磁気特性を広帯域にするために、磁性層を多層構造にす
ることが行われている。例えば特開平３−２１９６６号
には、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリン
グなどの方法で強磁性金属を多層に積層した構造の磁気
記録媒体が記載されている。多層にする理由は雑音を低
下させる等のほかに、下層の強磁性金属膜は低保磁力と
して低周波側の出力を確保し、上層の強磁性金属膜は高
保磁力として高周波側の出力を確保するためである。
金属膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する技術
は、ビデオ記録、デジタル記録等の高密度記録のため、
あるいは記録再生装置の小型化、高性能化などのために
従来から広く研究されており、また実用化されている。
磁気特性を広帯域にするために、磁性層を多層構造にす
ることが行われている。例えば特開平３−２１９６６号
には、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリン
グなどの方法で強磁性金属を多層に積層した構造の磁気
記録媒体が記載されている。多層にする理由は雑音を低
下させる等のほかに、下層の強磁性金属膜は低保磁力と
して低周波側の出力を確保し、上層の強磁性金属膜は高
保磁力として高周波側の出力を確保するためである。
【０００３】図１は従来の多層の強磁性金属膜を有する
磁気記録媒体の一例を示し、ポリエステル等の非磁性基
体２の表面に２層以上の磁性層、例えば下層強磁性金属
膜４、４’及び上層強磁性金属層６を設け、各強磁性金
属膜の蒸着角度（非磁性基体の膜面の法線から図った蒸
着角度、以下同じ）は、下側で大きく、上側ほど小さ
く、また下層強磁性金属膜４、４’の少なくとも一方例
えば金属膜４’の蒸着角度を上層強磁性金属膜５の蒸着
角度と逆にして金属層４’を磁気ヘッドから見て全体的
に低保磁力にして低周波の出力を確保し、上層強磁性金
属膜６は磁気ヘッド側から見て全体的に高保磁力にして
高周波側の出力を確保するのが一般的である。
磁気記録媒体の一例を示し、ポリエステル等の非磁性基
体２の表面に２層以上の磁性層、例えば下層強磁性金属
膜４、４’及び上層強磁性金属層６を設け、各強磁性金
属膜の蒸着角度（非磁性基体の膜面の法線から図った蒸
着角度、以下同じ）は、下側で大きく、上側ほど小さ
く、また下層強磁性金属膜４、４’の少なくとも一方例
えば金属膜４’の蒸着角度を上層強磁性金属膜５の蒸着
角度と逆にして金属層４’を磁気ヘッドから見て全体的
に低保磁力にして低周波の出力を確保し、上層強磁性金
属膜６は磁気ヘッド側から見て全体的に高保磁力にして
高周波側の出力を確保するのが一般的である。
【０００４】強磁性金属膜は一般に磁気ヘッド等の摺動
部材との摩擦により摩耗し易いので、強磁性金属膜の表
面に潤滑剤を塗布したり、潤滑剤層を設けたりして摩擦
を減じるとか、あるいは硬質の保護膜を形成して耐摩耗
性を上げることが提案されている。例えば、特開平２−
１３２６２３号及び特開平３−２２４１３２号には、強
磁性金属膜の表面にダイヤモンド状保護膜を生成し、更
にその上に潤滑剤層を設けることにより、耐久性並びに
走行安定性を改善することが提案されている。またダイ
ヤモンド状保護膜は水分に対する透過性が小さいために
防錆効果があり、磁気記録特性を維持する働きがある。
部材との摩擦により摩耗し易いので、強磁性金属膜の表
面に潤滑剤を塗布したり、潤滑剤層を設けたりして摩擦
を減じるとか、あるいは硬質の保護膜を形成して耐摩耗
性を上げることが提案されている。例えば、特開平２−
１３２６２３号及び特開平３−２２４１３２号には、強
磁性金属膜の表面にダイヤモンド状保護膜を生成し、更
にその上に潤滑剤層を設けることにより、耐久性並びに
走行安定性を改善することが提案されている。またダイ
ヤモンド状保護膜は水分に対する透過性が小さいために
防錆効果があり、磁気記録特性を維持する働きがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
磁気記録媒体のデジタル記録は益々高密度化しており、
上記の多層構造の磁気記録媒体は十分な高出力を確保で
きない。したがって本発明の目的は、更に高密度記録が
可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。ま
た、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック製の
非磁性基体に強磁性金属層を形成し、更にその上にダイ
ヤモンド状保護膜を形成した磁気記録媒体では、非磁性
層がある程度水分を透過させるため、長期間のうちには
強磁性金属層が下面から錆びてきて磁気特性を低下させ
る。特に高周波側への影響が大きい。他の問題は、強磁
性金属膜をプラスチック表面に蒸着、スパッター等で形
成する際に強磁性金属膜側から基体側に向けて凹入する
カールが生じるが、ダイヤモンド状保護膜をその上に形
成すると逆のカールが生じて強磁性金属膜によるカール
を相殺する傾向があるが、両者の膜の組み合わせを適正
にしないとカールの補正が十分にできず、磁気ヘッドと
の接触が不完全になり、磁気記録特性が一定にならな
い。従って、本発明の目的は、防錆効果が十分で、カー
ルの少ない、高出力及び高Ｃ／Ｎの強磁性金属が他の磁
気記録媒体を提供することにある。
磁気記録媒体のデジタル記録は益々高密度化しており、
上記の多層構造の磁気記録媒体は十分な高出力を確保で
きない。したがって本発明の目的は、更に高密度記録が
可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。ま
た、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック製の
非磁性基体に強磁性金属層を形成し、更にその上にダイ
ヤモンド状保護膜を形成した磁気記録媒体では、非磁性
層がある程度水分を透過させるため、長期間のうちには
強磁性金属層が下面から錆びてきて磁気特性を低下させ
る。特に高周波側への影響が大きい。他の問題は、強磁
性金属膜をプラスチック表面に蒸着、スパッター等で形
成する際に強磁性金属膜側から基体側に向けて凹入する
カールが生じるが、ダイヤモンド状保護膜をその上に形
成すると逆のカールが生じて強磁性金属膜によるカール
を相殺する傾向があるが、両者の膜の組み合わせを適正
にしないとカールの補正が十分にできず、磁気ヘッドと
の接触が不完全になり、磁気記録特性が一定にならな
い。従って、本発明の目的は、防錆効果が十分で、カー
ルの少ない、高出力及び高Ｃ／Ｎの強磁性金属が他の磁
気記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基体、
下層強磁性金属膜、ダイヤモンド状炭素中間層、上層強
磁性金属膜保護膜、ダイヤモンド状炭素保護膜、及び潤
滑層をこの順に形成し、更に下層及び上層強磁性金属膜
がＣｏ−Ｎｉ合金よりなり、上下層強磁性金属膜の膜面
の法線から測った蒸着角度がいずれも表面側程小さくな
っている、磁気記録媒体である。また、この場合に蒸着
角度が４０〜９０、好ましくは４０〜８０度の範囲にあ
り、表面側では４０度付近にする。これにより、特に高
周波ないし高密度記録が可能となる。更に、上層強磁性
性金属膜がＣｏ８５〜９５ｗｔ％と残部Ｎｉとよりな
り、下層Ｃｏ７０〜８５ｗｔ％と残部Ｎｉであると、磁
気特性が特に向上する。上記の磁気記録媒体は、真空室
内に、第１及び第２回転ドラムを設置し、可撓性の非磁
性支持体前記第１回転ドラム、次いで第２回転ドラムに
沿わせて供給しながら、前記第１回転ドラムに対向して
配置したＣｏ−Ｎｉ合金を溶融したるつぼから、前記非
磁性支持体に、供給側では前記合金を大きな蒸着角度
で、巻取り側では小さな蒸着角度で蒸着して下層強磁性
金属膜を形成し、前記第２回転ドラムに対向して配置し
たダイヤモンド状炭素膜の蒸着源からダイヤモンド状膜
を下層強磁性金属膜上にダイヤモンド状中間層を形成
し、こうして得られた中間製品を巻き戻して、再度同様
な工程を実施して上層強磁性金属層とダイヤモンド状炭
素保護膜を形成し、更にダイヤモンド状炭素保護膜の上
に潤滑剤層を形成することにより製造できる。この方法
によると、２つの強磁性層と２つのダイヤモンド状膜の
形成が同一チャンバーのの中で実行できることにより、
ごみ等の影響によるドロップアウトが防止でき、また工
程が一貫して製造が容易になる。また、本発明の磁気記
録媒体は、保護層のためさびの発生が防止できる。更に
下層強磁性金属膜がＣｏ７０〜８５ｗｔ％と残部Ｎｉと
よりなり、上層強磁性金属膜がＣｏ８５〜９５ｗｔ％と
残部Ｎｉとよりなるとき、高出力及び高Ｃ／Ｎ比の磁気
記録媒体を構成できる。
下層強磁性金属膜、ダイヤモンド状炭素中間層、上層強
磁性金属膜保護膜、ダイヤモンド状炭素保護膜、及び潤
滑層をこの順に形成し、更に下層及び上層強磁性金属膜
がＣｏ−Ｎｉ合金よりなり、上下層強磁性金属膜の膜面
の法線から測った蒸着角度がいずれも表面側程小さくな
っている、磁気記録媒体である。また、この場合に蒸着
角度が４０〜９０、好ましくは４０〜８０度の範囲にあ
り、表面側では４０度付近にする。これにより、特に高
周波ないし高密度記録が可能となる。更に、上層強磁性
性金属膜がＣｏ８５〜９５ｗｔ％と残部Ｎｉとよりな
り、下層Ｃｏ７０〜８５ｗｔ％と残部Ｎｉであると、磁
気特性が特に向上する。上記の磁気記録媒体は、真空室
内に、第１及び第２回転ドラムを設置し、可撓性の非磁
性支持体前記第１回転ドラム、次いで第２回転ドラムに
沿わせて供給しながら、前記第１回転ドラムに対向して
配置したＣｏ−Ｎｉ合金を溶融したるつぼから、前記非
磁性支持体に、供給側では前記合金を大きな蒸着角度
で、巻取り側では小さな蒸着角度で蒸着して下層強磁性
金属膜を形成し、前記第２回転ドラムに対向して配置し
たダイヤモンド状炭素膜の蒸着源からダイヤモンド状膜
を下層強磁性金属膜上にダイヤモンド状中間層を形成
し、こうして得られた中間製品を巻き戻して、再度同様
な工程を実施して上層強磁性金属層とダイヤモンド状炭
素保護膜を形成し、更にダイヤモンド状炭素保護膜の上
に潤滑剤層を形成することにより製造できる。この方法
によると、２つの強磁性層と２つのダイヤモンド状膜の
形成が同一チャンバーのの中で実行できることにより、
ごみ等の影響によるドロップアウトが防止でき、また工
程が一貫して製造が容易になる。また、本発明の磁気記
録媒体は、保護層のためさびの発生が防止できる。更に
下層強磁性金属膜がＣｏ７０〜８５ｗｔ％と残部Ｎｉと
よりなり、上層強磁性金属膜がＣｏ８５〜９５ｗｔ％と
残部Ｎｉとよりなるとき、高出力及び高Ｃ／Ｎ比の磁気
記録媒体を構成できる。
【０００７】
【作用】本発明では強磁性金属層を上下２層に構成し、
各層の蒸着方向を下層で大きく、上層で小さくし、好ま
しくはその範囲を４０〜９０度、更に好ましくは４０〜
８０度に限定したので、高周波側が強調され、高周波側
の出力及びＳ／Ｎが向上し、デジタル記録に適する記録
媒体となる。また、上下２層の組成を異なったものにす
ると高周波側の出力及びＳ／Ｎが更に向上する。また、
本発明では強磁性金属層を２層に分離しそれらの中間に
ダイヤモンド状中間層を設けたので、この中間層が水分
に対するバリアとして作用するので、上層の強磁性金属
層は完全に防錆されて長期に高周波特性を維持できる。
更に、強磁性金属層とダイヤモンド状膜を交互に積層し
たので、カールの防止が完全となり、平面性の高い磁気
記録媒体が提供でき、そのため優れた磁気記録特性が得
られる。
各層の蒸着方向を下層で大きく、上層で小さくし、好ま
しくはその範囲を４０〜９０度、更に好ましくは４０〜
８０度に限定したので、高周波側が強調され、高周波側
の出力及びＳ／Ｎが向上し、デジタル記録に適する記録
媒体となる。また、上下２層の組成を異なったものにす
ると高周波側の出力及びＳ／Ｎが更に向上する。また、
本発明では強磁性金属層を２層に分離しそれらの中間に
ダイヤモンド状中間層を設けたので、この中間層が水分
に対するバリアとして作用するので、上層の強磁性金属
層は完全に防錆されて長期に高周波特性を維持できる。
更に、強磁性金属層とダイヤモンド状膜を交互に積層し
たので、カールの防止が完全となり、平面性の高い磁気
記録媒体が提供でき、そのため優れた磁気記録特性が得
られる。
【０００８】好ましくは、下層強磁性金属膜はＣｏ７０
〜８５ｗｔ％：Ｎｉ３０〜１５ｗｔ％の蒸着膜を使用す
る。下層強磁性金属膜にこのような組成の合金を使用す
る理由は特性と信頼性のバランスが取れるからである。
Ｃｏが７０％未満では保磁力が低くなり磁気特性が悪く
出力不足になる。８５％を超えると信頼性、特に耐久性
が低下する。好ましくは、上層強磁性金属膜はＣｏ８５
〜９５ｗｔ％：Ｎｉ１５〜９５ｗｔ％の蒸着膜を使用す
る。Ｃｏが８０％未満では広域の出力が不足し、９５％
を超えると耐久性が低下する。
〜８５ｗｔ％：Ｎｉ３０〜１５ｗｔ％の蒸着膜を使用す
る。下層強磁性金属膜にこのような組成の合金を使用す
る理由は特性と信頼性のバランスが取れるからである。
Ｃｏが７０％未満では保磁力が低くなり磁気特性が悪く
出力不足になる。８５％を超えると信頼性、特に耐久性
が低下する。好ましくは、上層強磁性金属膜はＣｏ８５
〜９５ｗｔ％：Ｎｉ１５〜９５ｗｔ％の蒸着膜を使用す
る。Ｃｏが８０％未満では広域の出力が不足し、９５％
を超えると耐久性が低下する。
【０００９】次に、図２に示したように、下層及び上層
強磁性金属膜はそれぞれ下側ほど蒸着角が大きく上層ほ
ど小さい。すなわち、本発明の磁気記録媒体では、ポリ
エステル等の非磁性基体２の表面に、下層強磁性金属膜
４と、ダイヤモンド状炭素中間層８と、上層強磁性金属
膜６と、ダイヤモンド状炭素保護層１０を設け、下層強
磁性金属膜４の蒸着角度は、下側で大きく（θ1 ）且つ
上側で小さく（θ2 ）し、同様に、上層強磁性金属膜６
の蒸着角度も、下側で大きく（θ3 ）、上側で小さく
（θ2 ）する。蒸着角度はいずれも４０〜９０度の範囲
以内にし、表面側は出来るだけ４０度に近くしすること
により高周波特性を改善する。表面の蒸着角度が小さい
ほど高密度記録が可能となる。下面の蒸着角度は接着性
に影響するので、８０度以下が好ましい。
強磁性金属膜はそれぞれ下側ほど蒸着角が大きく上層ほ
ど小さい。すなわち、本発明の磁気記録媒体では、ポリ
エステル等の非磁性基体２の表面に、下層強磁性金属膜
４と、ダイヤモンド状炭素中間層８と、上層強磁性金属
膜６と、ダイヤモンド状炭素保護層１０を設け、下層強
磁性金属膜４の蒸着角度は、下側で大きく（θ1 ）且つ
上側で小さく（θ2 ）し、同様に、上層強磁性金属膜６
の蒸着角度も、下側で大きく（θ3 ）、上側で小さく
（θ2 ）する。蒸着角度はいずれも４０〜９０度の範囲
以内にし、表面側は出来るだけ４０度に近くしすること
により高周波特性を改善する。表面の蒸着角度が小さい
ほど高密度記録が可能となる。下面の蒸着角度は接着性
に影響するので、８０度以下が好ましい。
【００１０】また、非磁性基体としては、ポリアミド、
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、等従来
公知のプラスチック製支持体が使用できる。非磁性体の
表面に強磁性金属膜を形成する方としては、電子ビーム
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
などが使用できるが、本発明では電子ビーム蒸着法によ
った。すなわち、真空中で、電子ビームにより、るつぼ
内に収容したＣｏ−Ｎｉ合金を照射して溶融させ、これ
を回転ドラムの面に沿って一定速度で移動している長尺
のポリエチレンテレフタレートのフィルム上に蒸着し
た。
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、等従来
公知のプラスチック製支持体が使用できる。非磁性体の
表面に強磁性金属膜を形成する方としては、電子ビーム
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
などが使用できるが、本発明では電子ビーム蒸着法によ
った。すなわち、真空中で、電子ビームにより、るつぼ
内に収容したＣｏ−Ｎｉ合金を照射して溶融させ、これ
を回転ドラムの面に沿って一定速度で移動している長尺
のポリエチレンテレフタレートのフィルム上に蒸着し
た。
【００１１】本発明のダイヤモンド状保護膜は、例えば
特開平２−１３２６２３号等に記載されているグラファ
イトをターゲットとしＡｒ及びＨ2 のグロー放電による
スパッタリング法、メタン、エタン、ブタン等の低分子
量炭化水素のプラズマ蒸着とか、これらのガスをグロー
放電でイオン化し、それを蒸着するイオン化蒸着法な
ど、従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御す
ることにより製造できる。
特開平２−１３２６２３号等に記載されているグラファ
イトをターゲットとしＡｒ及びＨ2 のグロー放電による
スパッタリング法、メタン、エタン、ブタン等の低分子
量炭化水素のプラズマ蒸着とか、これらのガスをグロー
放電でイオン化し、それを蒸着するイオン化蒸着法な
ど、従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御す
ることにより製造できる。
【００１２】ダイヤモンド状保護膜は、炭素が６０〜７
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成が望ましい。
ポリエチレンのようにＣ／Ｈ＝０．５になると直鎖状で
あり、架橋構造を有しない。これに対し、この組成（Ｃ
／Ｈ＝０．５）からずれてくると架橋構造を有すること
になり膜強度が急激に上昇する。この場合、Ｃ／Ｈ＝
０．５では透明であるがＣ＝６０〜７０ａｔ％、Ｈ＝３
０〜４０ａｔ％では膜が黒色化する。これはＣ−ＨのＨ
が取れてＣ−Ｃ結合が多くなり同時にＣ＝Ｃ結合も生成
しているためである。これが架橋の進行を示すものであ
る。そのため膜強度が上昇してセラミック並みの硬度を
得る。
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成が望ましい。
ポリエチレンのようにＣ／Ｈ＝０．５になると直鎖状で
あり、架橋構造を有しない。これに対し、この組成（Ｃ
／Ｈ＝０．５）からずれてくると架橋構造を有すること
になり膜強度が急激に上昇する。この場合、Ｃ／Ｈ＝
０．５では透明であるがＣ＝６０〜７０ａｔ％、Ｈ＝３
０〜４０ａｔ％では膜が黒色化する。これはＣ−ＨのＨ
が取れてＣ−Ｃ結合が多くなり同時にＣ＝Ｃ結合も生成
しているためである。これが架橋の進行を示すものであ
る。そのため膜強度が上昇してセラミック並みの硬度を
得る。
【００１３】潤滑層としては脂肪酸、パーフルオロアル
キルカルボン酸、パーフルオルアルキルポリエーテル、
高給アルコール、脂肪酸アミド等の潤滑剤、特にフッ素
系のものが好ましい。
キルカルボン酸、パーフルオルアルキルポリエーテル、
高給アルコール、脂肪酸アミド等の潤滑剤、特にフッ素
系のものが好ましい。
【００１４】以下に本発明の実施例により本発明を更に
詳しく説明する。蒸着装置は図３に示すものを使用し
た。図３は本発明の蒸着装置１を示す。ただし図示の部
分は図示しない真空チャンバーに収容されており、所定
の排気装置を有するものとする。３、５は矢印の方向に
回転する回転ドラムで、蒸着基体を構成するポリエステ
ル等の基体フィルム５がその周りにかけ通され、繰り出
しロール９から回転ドラム３、５の周面を通って巻き取
りロール１１に巻き取られる。回転ドラム３に近接して
一部が開口したマスク１３が設けてあり、蒸着金属が所
定の角度以外ではフィルム７に蒸着しないようにしてい
る。マスク１３の外面（または内面）に沿ってシャッタ
（図示せず）が設けてあり、蒸着の初期及び終期に矢印
の方向にスライドしてマスク１３の開口を遮蔽すること
により不要な蒸着を防止する。マスク１３の開口の寸法
は回転ドラム３の軸線方向には、フィルム５上に所定の
蒸着幅が得られるように、回転ドラムの周方向にはフィ
ルム上に所定の蒸着角度θ（フィルムの送りにつれて最
初は大きく順次小さくなる）が得られるように選択す
る。
詳しく説明する。蒸着装置は図３に示すものを使用し
た。図３は本発明の蒸着装置１を示す。ただし図示の部
分は図示しない真空チャンバーに収容されており、所定
の排気装置を有するものとする。３、５は矢印の方向に
回転する回転ドラムで、蒸着基体を構成するポリエステ
ル等の基体フィルム５がその周りにかけ通され、繰り出
しロール９から回転ドラム３、５の周面を通って巻き取
りロール１１に巻き取られる。回転ドラム３に近接して
一部が開口したマスク１３が設けてあり、蒸着金属が所
定の角度以外ではフィルム７に蒸着しないようにしてい
る。マスク１３の外面（または内面）に沿ってシャッタ
（図示せず）が設けてあり、蒸着の初期及び終期に矢印
の方向にスライドしてマスク１３の開口を遮蔽すること
により不要な蒸着を防止する。マスク１３の開口の寸法
は回転ドラム３の軸線方向には、フィルム５上に所定の
蒸着幅が得られるように、回転ドラムの周方向にはフィ
ルム上に所定の蒸着角度θ（フィルムの送りにつれて最
初は大きく順次小さくなる）が得られるように選択す
る。
【００１５】マスク１３の開口に対向して高純度マグネ
シア（ＭｇＯ）製等のるつぼ１５が配置され、その内部
に蒸着すべきＣｏ−Ｎｉ合金よりなる原料金属１７が装
入されている。るつぼ１５は必要な蒸着幅を得るのに十
分なだけ回転ドラム３の軸線方向に細長く伸びている。
るつぼ１５に装入した原料金属１７は電子銃（図示せ
ず）から放出される電子ビームにより加熱される。図か
ら明らかなように、蒸着の進行につれて蒸着角度は小さ
くなることが分かる。また下層を蒸着したのち、一旦巻
き戻してから再度蒸着を行って上層の蒸着を行う。別法
としては異なった蒸発源を設けて、ワンパスで順次に蒸
着を行う。
シア（ＭｇＯ）製等のるつぼ１５が配置され、その内部
に蒸着すべきＣｏ−Ｎｉ合金よりなる原料金属１７が装
入されている。るつぼ１５は必要な蒸着幅を得るのに十
分なだけ回転ドラム３の軸線方向に細長く伸びている。
るつぼ１５に装入した原料金属１７は電子銃（図示せ
ず）から放出される電子ビームにより加熱される。図か
ら明らかなように、蒸着の進行につれて蒸着角度は小さ
くなることが分かる。また下層を蒸着したのち、一旦巻
き戻してから再度蒸着を行って上層の蒸着を行う。別法
としては異なった蒸発源を設けて、ワンパスで順次に蒸
着を行う。
【００１６】次に、このように下層強磁性金属膜を蒸着
されたフィルムは回転ロール５においてダイヤモンド状
中間層の蒸着を受ける。これは例えば蒸着装置１７にお
いて炭化水素に交流電力を加えてのプラズマを形成し、
それに基体に蒸着することにより形成できる。例えば、
原料としてＣＨ4 等の低級炭化水素ガスあるいはこれら
と水素の混合物ガスを例えば１００ｋＨｚ等のＡＦ周波
数、例えば１００Ｗ前後の電力で、例えば１００Å前後
の厚さに成膜する。
されたフィルムは回転ロール５においてダイヤモンド状
中間層の蒸着を受ける。これは例えば蒸着装置１７にお
いて炭化水素に交流電力を加えてのプラズマを形成し、
それに基体に蒸着することにより形成できる。例えば、
原料としてＣＨ4 等の低級炭化水素ガスあるいはこれら
と水素の混合物ガスを例えば１００ｋＨｚ等のＡＦ周波
数、例えば１００Ｗ前後の電力で、例えば１００Å前後
の厚さに成膜する。
【００１７】ダイヤモンド状保護膜は、炭素が６０〜７
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成が望ましい。
ポリエチレンのようにＣ／Ｈ＝０．５になると直鎖状で
あり、架橋構造を有しない。これに対し、この組成（Ｃ
／Ｈ＝０．５）からずれてくると架橋構造を有すること
になり膜強度が急激に上昇する。この場合、Ｃ／Ｈ＝
０．５では透明であるがＣ＝６０〜７０ａｔ％、Ｈ＝３
０〜４０ａｔ％では膜が黒色化する。これはＣ−ＨのＨ
が取れてＣ−Ｃ結合が多くなり同時にＣ＝Ｃ結合も生成
しているためである。これが架橋の進行を示すものであ
る。そのため膜強度が上昇してセラミック並みの硬度を
得る。
０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成が望ましい。
ポリエチレンのようにＣ／Ｈ＝０．５になると直鎖状で
あり、架橋構造を有しない。これに対し、この組成（Ｃ
／Ｈ＝０．５）からずれてくると架橋構造を有すること
になり膜強度が急激に上昇する。この場合、Ｃ／Ｈ＝
０．５では透明であるがＣ＝６０〜７０ａｔ％、Ｈ＝３
０〜４０ａｔ％では膜が黒色化する。これはＣ−ＨのＨ
が取れてＣ−Ｃ結合が多くなり同時にＣ＝Ｃ結合も生成
しているためである。これが架橋の進行を示すものであ
る。そのため膜強度が上昇してセラミック並みの硬度を
得る。
【００１８】なお、上層及び下層強磁性層にダイヤモン
ド状膜を形成するに先立って前処理として同じ装置を使
用してプラズマ処理を行っても良い。水素によるプラズ
マ処理は、排気した真空室に装入した強磁性金属膜を有
する非磁性基体を真空度０．０１〜１Ｔｏｒｒ、水素の
流量５〜１００ＳＣＣＭ、周波数０〜１３．５ＭＨｚ〜
Ｈｚ、電力１０〜１００Ｗ、パワー密度０．１〜０．５
Ｗ／ｃｍ2 の条件でプラズマ処理して強磁性金属膜の表
面を清浄化及び活性化する。
ド状膜を形成するに先立って前処理として同じ装置を使
用してプラズマ処理を行っても良い。水素によるプラズ
マ処理は、排気した真空室に装入した強磁性金属膜を有
する非磁性基体を真空度０．０１〜１Ｔｏｒｒ、水素の
流量５〜１００ＳＣＣＭ、周波数０〜１３．５ＭＨｚ〜
Ｈｚ、電力１０〜１００Ｗ、パワー密度０．１〜０．５
Ｗ／ｃｍ2 の条件でプラズマ処理して強磁性金属膜の表
面を清浄化及び活性化する。
【００１９】次に、ロールに巻き取られた半製品は、巻
き戻され、次に条件を変えて再び上記と同一の工程によ
り処理にかけられる。こうして、ダイヤモンド状炭素中
間層の上に、Ｃｏ−Ｎｉ上層強磁性金属膜保護膜、ダイ
ヤモンド状炭素保護膜が更に形成される。
き戻され、次に条件を変えて再び上記と同一の工程によ
り処理にかけられる。こうして、ダイヤモンド状炭素中
間層の上に、Ｃｏ−Ｎｉ上層強磁性金属膜保護膜、ダイ
ヤモンド状炭素保護膜が更に形成される。
【００２０】これに更に潤滑層を施すことにより、磁気
記録媒体が完成する。こうして、ポリエチレンテレフタ
レート製非磁性基体、Ｃｏ−Ｎｉ下層強磁性金属膜、ダ
イヤモンド状炭素中間層、Ｃｏ−Ｎｉ上層強磁性金属膜
保護膜、ダイヤモンド状炭素保護膜をこの順に形成し、
更に下層及び上層強磁性金属膜がＣｏ−Ｎｉ合金よりな
り、上下層強磁性金属膜の膜面の法線から測った蒸着角
度がいずれも表面側程小さくなっており、これに更に潤
滑層を有する磁気記録媒体が得られる。この方法による
と、同じ装置を使用して潤滑層を除くすべての層が形成
され、工程が単純化する。
記録媒体が完成する。こうして、ポリエチレンテレフタ
レート製非磁性基体、Ｃｏ−Ｎｉ下層強磁性金属膜、ダ
イヤモンド状炭素中間層、Ｃｏ−Ｎｉ上層強磁性金属膜
保護膜、ダイヤモンド状炭素保護膜をこの順に形成し、
更に下層及び上層強磁性金属膜がＣｏ−Ｎｉ合金よりな
り、上下層強磁性金属膜の膜面の法線から測った蒸着角
度がいずれも表面側程小さくなっており、これに更に潤
滑層を有する磁気記録媒体が得られる。この方法による
と、同じ装置を使用して潤滑層を除くすべての層が形成
され、工程が単純化する。
【００２１】実施例１ ポリエチレンテレフタレートの表面にＣｏ−Ｎｉ（８
０：２０）の膜を厚さ０．１μｍに成膜した。最下層の
蒸着角度は８０度、最上層の蒸着角度は４０度であっ
た。次に、ダイヤモンド状保護膜を次の条件で厚さ１０
０Åに成膜した。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝４：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ 巻き戻した後、更にこの上にＣｏ−Ｎｉ（９０：１０）
を厚さ０．１μｍに成膜した。最後に、上記と同じ条件
でダイヤモンド状保護膜を厚さ１００Åに成膜した。真
空室より取り出した後、表面に潤滑剤層としてパーフル
オロアルキルポリエーテルを３０Åの厚さに塗布して、
磁気テープとした。
０：２０）の膜を厚さ０．１μｍに成膜した。最下層の
蒸着角度は８０度、最上層の蒸着角度は４０度であっ
た。次に、ダイヤモンド状保護膜を次の条件で厚さ１０
０Åに成膜した。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝４：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ 巻き戻した後、更にこの上にＣｏ−Ｎｉ（９０：１０）
を厚さ０．１μｍに成膜した。最後に、上記と同じ条件
でダイヤモンド状保護膜を厚さ１００Åに成膜した。真
空室より取り出した後、表面に潤滑剤層としてパーフル
オロアルキルポリエーテルを３０Åの厚さに塗布して、
磁気テープとした。
【００２２】実施例２ 実施例１において、ダイヤモンド膜の成膜条件を次のよ
うに変えた。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝２：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
うに変えた。 原料：ＣＨ4 ：Ｈ2 ＝２：１ 圧力：０．０５Ｔｏｒｒ ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ 電力：９０Ｗ
【００２３】比較例１ ダイヤモンド状中間層を設けないで実施例１を実施し
た。
た。
【００２４】上記の実施例及び比較例のカールを、試料
テープを８ｍｍ幅に切断した後、水平面に放置しその高
さを測定した。ΔＢ(%) は６０℃、９０％ＲＨで１週間
放置し、残留磁束密度Ｂｒの低下を測定した。スチル特
性は再生出力が２ｄＢ低下するまでの再生時間を示す。
硬度は潤滑剤と塗布する前のダイヤモンド状保護膜のビ
ッカース硬度を示す。ΔＢ(%) は６０℃、９０％ＲＨで
１週間放置し、残留磁束密度Ｂｒの低下を測定した。以
上の結果を表１に示す。
テープを８ｍｍ幅に切断した後、水平面に放置しその高
さを測定した。ΔＢ(%) は６０℃、９０％ＲＨで１週間
放置し、残留磁束密度Ｂｒの低下を測定した。スチル特
性は再生出力が２ｄＢ低下するまでの再生時間を示す。
硬度は潤滑剤と塗布する前のダイヤモンド状保護膜のビ
ッカース硬度を示す。ΔＢ(%) は６０℃、９０％ＲＨで
１週間放置し、残留磁束密度Ｂｒの低下を測定した。以
上の結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【効果】以上から明らかなように、本発明の磁気記録媒
体は、保護層のためカールの発生とさびの発生が防止で
きる。下層及び上層の強磁性金属膜が同じ蒸着方向を有
するＣｏ−Ｎｉよりなるため、高出力及び高Ｃ／Ｎ比の
磁気記録媒体を構成できる。本発明の方法によると、２
つの強磁性層と２つのダイヤモンド状膜の形成が同一チ
ャンバーの中で実行できることにより、ごみ等の影響に
よるドロップアウトが防止でき、また工程が一貫して製
造が容易になる。
体は、保護層のためカールの発生とさびの発生が防止で
きる。下層及び上層の強磁性金属膜が同じ蒸着方向を有
するＣｏ−Ｎｉよりなるため、高出力及び高Ｃ／Ｎ比の
磁気記録媒体を構成できる。本発明の方法によると、２
つの強磁性層と２つのダイヤモンド状膜の形成が同一チ
ャンバーの中で実行できることにより、ごみ等の影響に
よるドロップアウトが防止でき、また工程が一貫して製
造が容易になる。
【図１】従来の多層強磁性金属膜を有する記録媒体の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】本発明の２層強磁性金属膜を有する記録媒体の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】本発明を実施するための装置の例を示す。
２ 非磁性基体 ４ 下層強磁性金属膜 ６ 上層強磁性金属膜 ３、５ 回転ロール ７ フィルム ９ 供給ロール １１ 巻き取りロール １３ マスク １５ 金属蒸着源 １７ ダイヤモンド状膜成膜装置
Claims (6)
- 【請求項１】 非磁性基体、下層強磁性金属膜、ダイヤ
モンド状炭素中間層、上層強磁性金属膜保護膜、ダイヤ
モンド状炭素保護膜、及び潤滑層をこの順に形成し、更
に下層及び上層強磁性金属膜がＣｏ−Ｎｉ合金よりな
り、上下層強磁性金属膜の膜面の法線から測った蒸着角
度がいずれも表面側程小さくなっている、磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 蒸着角度が４０〜８０度になっているこ
とを特徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上層強磁性性金属膜がＣｏ８５〜９５ｗ
ｔ％と残部Ｎｉとよりなり、下層Ｃｏ７０〜８５ｗｔ％
と残部Ｎｉであることを特徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項４】 真空室内に、第１及び第２回転ドラムを
設置し、可撓性の非磁性支持体前記第１回転ドラム、次
いで第２回転ドラムに沿わせて供給しながら、前記第１
回転ドラムに対向して配置したＣｏ−Ｎｉ合金を溶融し
たるつぼから、前記非磁性支持体に、供給側では前記合
金を大きな蒸着角度で、巻取り側では小さな蒸着角度で
蒸着して下層強磁性金属膜を形成し、前記第２回転ドラ
ムに対向して配置したダイヤモンド状炭素膜の蒸着源か
らダイヤモンド状膜を下層強磁性金属膜上にダイヤモン
ド状中間層を形成し、こうして得られた中間製品を巻き
戻して、再度同様な工程を実施して上層強磁性金属層と
ダイヤモンド状炭素保護膜を形成し、更にダイヤモンド
状炭素保護膜の上に潤滑剤層を形成することを特徴とす
る、磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 蒸着角度が４０〜８０度になっているこ
とを特徴とする、請求項４の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 上層強磁性性金属膜がＣｏ８５〜９５ｗ
ｔ％と残部Ｎｉとよりなり、下層Ｃｏ７０〜８５ｗｔ％
と残部Ｎｉであることを特徴とする、請求項４または５
の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35004792A JPH06176342A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35004792A JPH06176342A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176342A true JPH06176342A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18407867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35004792A Pending JPH06176342A (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06176342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759681A (en) * | 1995-02-03 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using the same |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP35004792A patent/JPH06176342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759681A (en) * | 1995-02-03 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |