JPH0991662A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH0991662A JPH0991662A JP7249048A JP24904895A JPH0991662A JP H0991662 A JPH0991662 A JP H0991662A JP 7249048 A JP7249048 A JP 7249048A JP 24904895 A JP24904895 A JP 24904895A JP H0991662 A JPH0991662 A JP H0991662A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Feを材料として用いた場合において、電磁
変換特性に優れ、かつ、耐久性および耐蝕性に富み、走
行安定性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体を提供する
ことである。 【解決手段】 支持体と、該支持体の一面側に設けられ
たFe,C及びOを有する一層または二層以上のFe−
C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜の
上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、該ダ
イヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素系
潤滑剤の膜とを具備する磁気記録媒体。
変換特性に優れ、かつ、耐久性および耐蝕性に富み、走
行安定性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体を提供する
ことである。 【解決手段】 支持体と、該支持体の一面側に設けられ
たFe,C及びOを有する一層または二層以上のFe−
C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜の
上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、該ダ
イヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素系
潤滑剤の膜とを具備する磁気記録媒体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、Fe系金属磁性膜
を有する磁気記録媒体に関する。
を有する磁気記録媒体に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】磁性膜を蒸着やスパッ
タ等の乾式メッキ手段で構成した金属薄膜型の磁気記録
媒体が広く知られている。この磁性膜を構成する材料と
して種々のものが有る。例えば、これまでは、主とし
て、Co−NiやCo−Cr系の磁性合金が用いられて
いる。
タ等の乾式メッキ手段で構成した金属薄膜型の磁気記録
媒体が広く知られている。この磁性膜を構成する材料と
して種々のものが有る。例えば、これまでは、主とし
て、Co−NiやCo−Cr系の磁性合金が用いられて
いる。
【0003】しかし、Co,Ni,Cr等は価格が高
い。この問題点に鑑みて、Feが注目されている。すな
わち、Feは、価格が安く、かつ、公害問題を引き起こ
すことも少ない。しかし、Feを用いた場合において、
全体構成を如何にすれば良いかの検討は開発途中の段階
であり、手探りの状態である。
い。この問題点に鑑みて、Feが注目されている。すな
わち、Feは、価格が安く、かつ、公害問題を引き起こ
すことも少ない。しかし、Feを用いた場合において、
全体構成を如何にすれば良いかの検討は開発途中の段階
であり、手探りの状態である。
【0004】従って、本発明の目的は、Feを材料とし
て用いた場合において、電磁変換特性に優れ、かつ、耐
久性および耐蝕性に富み、走行安定性に優れた金属薄膜
型の磁気記録媒体を提供することである。
て用いた場合において、電磁変換特性に優れ、かつ、耐
久性および耐蝕性に富み、走行安定性に優れた金属薄膜
型の磁気記録媒体を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、支
持体と、該支持体の一面側に設けられたFe,C及びO
を有する一層または二層以上のFe−C−O系金属磁性
膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられたダ
イヤモンドライクカーボン膜と、該ダイヤモンドライク
カーボン膜の上に設けられたフッ素系潤滑剤の膜とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。
持体と、該支持体の一面側に設けられたFe,C及びO
を有する一層または二層以上のFe−C−O系金属磁性
膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられたダ
イヤモンドライクカーボン膜と、該ダイヤモンドライク
カーボン膜の上に設けられたフッ素系潤滑剤の膜とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。
【0006】又、支持体と、該支持体の一面側に設けら
れたFe,C及びOを有する一層または二層以上のFe
−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜
の上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、該
ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素
系潤滑剤の膜と、該支持体の他面側に設けられた金属薄
膜型のバックコート膜とを具備することを特徴とする磁
気記録媒体によって達成される。
れたFe,C及びOを有する一層または二層以上のFe
−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜
の上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、該
ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素
系潤滑剤の膜と、該支持体の他面側に設けられた金属薄
膜型のバックコート膜とを具備することを特徴とする磁
気記録媒体によって達成される。
【0007】又、支持体と、該支持体の一面側に設けら
れたFe,C及びOを有する一層または二層以上のFe
−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜
の上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、該
ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素
系潤滑剤の膜と、該支持体の他面側に設けられた金属薄
膜型のバックコート膜と、該バックコート膜の上に設け
られたフッ素系潤滑剤の膜とを具備することを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
れたFe,C及びOを有する一層または二層以上のFe
−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜
の上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、該
ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素
系潤滑剤の膜と、該支持体の他面側に設けられた金属薄
膜型のバックコート膜と、該バックコート膜の上に設け
られたフッ素系潤滑剤の膜とを具備することを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明は、支持体と、該支持体の
一面側に設けられたFe,C及びOを有する一層または
二層以上のFe−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−
O系金属磁性膜の上に設けられたダイヤモンドライクカ
ーボン膜と、該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設
けられたフッ素系潤滑剤の膜とを具備するものである。
一面側に設けられたFe,C及びOを有する一層または
二層以上のFe−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−
O系金属磁性膜の上に設けられたダイヤモンドライクカ
ーボン膜と、該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設
けられたフッ素系潤滑剤の膜とを具備するものである。
【0009】特に、支持体と、該支持体の一面側に設け
られたFe,C及びOを有する一層または二層以上のF
e−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性
膜の上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、
該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ
素系潤滑剤の膜と、該支持体の他面側に設けられた金属
薄膜型のバックコート膜とを具備するものである、又、
支持体と、該支持体の一面側に設けられたFe,C及び
Oを有する一層または二層以上のFe−C−O系金属磁
性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられた
ダイヤモンドライクカーボン膜と、該ダイヤモンドライ
クカーボン膜の上に設けられたフッ素系潤滑剤の膜と、
該支持体の他面側に設けられた金属薄膜型のバックコー
ト膜と、該バックコート膜の上に設けられたフッ素系潤
滑剤の膜とを具備するものである。
られたFe,C及びOを有する一層または二層以上のF
e−C−O系金属磁性膜と、該Fe−C−O系金属磁性
膜の上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、
該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ
素系潤滑剤の膜と、該支持体の他面側に設けられた金属
薄膜型のバックコート膜とを具備するものである、又、
支持体と、該支持体の一面側に設けられたFe,C及び
Oを有する一層または二層以上のFe−C−O系金属磁
性膜と、該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられた
ダイヤモンドライクカーボン膜と、該ダイヤモンドライ
クカーボン膜の上に設けられたフッ素系潤滑剤の膜と、
該支持体の他面側に設けられた金属薄膜型のバックコー
ト膜と、該バックコート膜の上に設けられたフッ素系潤
滑剤の膜とを具備するものである。
【0010】尚、Fe−C−O系金属磁性膜と支持体と
の間にFe−C−O系金属磁性膜以外の磁性膜が設けら
れていても良い。本発明の磁気記録媒体の支持体として
は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。代
表的なものとして、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
ブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリ
エチレンビスフェノキシカルボキシレート等のポリエス
テル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフ
ィン類、セルロースアセテートブチレート、セルロース
アセテートプロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポ
リアミド、ポリカーボネート等の非磁性のプラスチック
材料が挙げられる。勿論、これらに限定されるものでは
ない。又、各種の処理が行われることが有る。例えば、
コロナ放電、あるいはその他適宜な手段による表面処理
がなされる。又、接着性向上の為のポリエステルやポリ
ウレタンあるいはオリゴマー等が塗布されても良い。
の間にFe−C−O系金属磁性膜以外の磁性膜が設けら
れていても良い。本発明の磁気記録媒体の支持体として
は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。代
表的なものとして、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
ブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリ
エチレンビスフェノキシカルボキシレート等のポリエス
テル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフ
ィン類、セルロースアセテートブチレート、セルロース
アセテートプロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポ
リアミド、ポリカーボネート等の非磁性のプラスチック
材料が挙げられる。勿論、これらに限定されるものでは
ない。又、各種の処理が行われることが有る。例えば、
コロナ放電、あるいはその他適宜な手段による表面処理
がなされる。又、接着性向上の為のポリエステルやポリ
ウレタンあるいはオリゴマー等が塗布されても良い。
【0011】この支持体の一面側に、斜め蒸着等のPV
D(フィジカルベーパーデポジション)法によりFe−
C−O系金属磁性膜が一層あるいは二層以上設けられ
る。この成膜を、成膜速度が大きな蒸着法を例にとって
説明すると次のようになる。先ず、斜め蒸着装置内を所
定の真空度に排気すると共に、電子銃あるいはその他の
手段によりFe系金属材料を蒸発させ、走行する支持体
上にFe系金属粒子を付着・堆積させる。この付着・堆
積に際しては、Fe系金属蒸発粒子あるいは堆積面に向
けて炭素イオンや酸素イオン(又は酸素ガス)等を照射
し、非磁性の支持体上に設ける800〜5000Å厚さ
の磁性膜をFe−C−O系金属磁性膜とする。尚、F
e:C:Oは50〜90at.%(原子%):5〜35
at.%:5〜35at.%が好ましい。より好ましく
は、Fe:C:Oが60〜86at.%:7〜25a
t.%:7〜25at.%である。尚、Fe以外の金属
元素の含有量は例えば5wt%以下と言ったように少量
であるから、これらの金属元素による変動は僅かであ
り、Fe,C,Oのみで規定した。
D(フィジカルベーパーデポジション)法によりFe−
C−O系金属磁性膜が一層あるいは二層以上設けられ
る。この成膜を、成膜速度が大きな蒸着法を例にとって
説明すると次のようになる。先ず、斜め蒸着装置内を所
定の真空度に排気すると共に、電子銃あるいはその他の
手段によりFe系金属材料を蒸発させ、走行する支持体
上にFe系金属粒子を付着・堆積させる。この付着・堆
積に際しては、Fe系金属蒸発粒子あるいは堆積面に向
けて炭素イオンや酸素イオン(又は酸素ガス)等を照射
し、非磁性の支持体上に設ける800〜5000Å厚さ
の磁性膜をFe−C−O系金属磁性膜とする。尚、F
e:C:Oは50〜90at.%(原子%):5〜35
at.%:5〜35at.%が好ましい。より好ましく
は、Fe:C:Oが60〜86at.%:7〜25a
t.%:7〜25at.%である。尚、Fe以外の金属
元素の含有量は例えば5wt%以下と言ったように少量
であるから、これらの金属元素による変動は僅かであ
り、Fe,C,Oのみで規定した。
【0012】上記磁性膜の表面には保護膜が設けられ
る。この保護膜を構成する材料として、例えばAl,S
i,Ti,Cr,Zr,Nb,Mo,Ta,W等の金属
の酸化物、窒化物、炭化物あるいはボロンナイトライド
等が考えられるが、本発明ではダイヤモンドライクカー
ボンを選んだ。このダイヤモンドライクカーボンからな
る保護膜は、その厚さが10〜500Å程度である。特
に、30〜200Å程度が好ましい。
る。この保護膜を構成する材料として、例えばAl,S
i,Ti,Cr,Zr,Nb,Mo,Ta,W等の金属
の酸化物、窒化物、炭化物あるいはボロンナイトライド
等が考えられるが、本発明ではダイヤモンドライクカー
ボンを選んだ。このダイヤモンドライクカーボンからな
る保護膜は、その厚さが10〜500Å程度である。特
に、30〜200Å程度が好ましい。
【0013】ダイヤモンドライクカーボンよりなる保護
膜は、例えばCVD手段を用いて成膜される。すなわ
ち、真空槽内に配設された供給側ロールから冷却キャン
ロールを経て巻取側ロールに走行している支持体(金属
磁性膜)に対してCVD装置を作動させ、冷却キャンロ
ールに添接されている金属磁性膜に対して炭化水素系ガ
スのプラズマを吹き付けると、表面にダイヤモンドライ
クカーボン膜が成膜される。ダイヤモンドライクカーボ
ン膜を形成する為の炭化水素系ガスとしては、メタン等
のパラフィン系炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水
素、あるいはこれらの同族体や誘導体のようなNを環構
成要素として含む窒素含有環状炭化水素を挙げることが
出来る。又、H2 ,O2 ,N2 ,NH3 ,NO2 ,NO
等も炭化水素系のガスと併用出来る。
膜は、例えばCVD手段を用いて成膜される。すなわ
ち、真空槽内に配設された供給側ロールから冷却キャン
ロールを経て巻取側ロールに走行している支持体(金属
磁性膜)に対してCVD装置を作動させ、冷却キャンロ
ールに添接されている金属磁性膜に対して炭化水素系ガ
スのプラズマを吹き付けると、表面にダイヤモンドライ
クカーボン膜が成膜される。ダイヤモンドライクカーボ
ン膜を形成する為の炭化水素系ガスとしては、メタン等
のパラフィン系炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水
素、あるいはこれらの同族体や誘導体のようなNを環構
成要素として含む窒素含有環状炭化水素を挙げることが
出来る。又、H2 ,O2 ,N2 ,NH3 ,NO2 ,NO
等も炭化水素系のガスと併用出来る。
【0014】支持体の他面(裏面)には、バックコート
層、特に金属薄膜型のバックコート膜(金属系膜)が設
けられる。すなわち、例えば無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着法、直流スパッタ法、交流スパッタ法、高
周波スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波
マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など
の乾式メッキ手段により金属系膜が設けられる。尚、こ
のバックコート膜は、その厚さが1000〜5000
Å、より好ましくは1500〜3500Å程度である。
バックコート膜を構成する金属粒子の材料としては、例
えばAl,Zn,Sn,Ni,Ag,Fe,Tiなどの
金属が用いられる。又、Cu−Al−X(但し、XはM
n,Fe,Niの群の中から選ばれる一つ、若しくは二
つ以上)系合金、Al−Si系合金、Ti合金等が用い
られる。尚、Cu−Al−X(但し、XはMn,Fe,
Niの群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上)系
合金におけるCu含有量は70〜90at%、Al含有
量は8〜25at%、Mn含有量が0.5〜4at%
で、Fe含有量が0.4〜5at%で、Ni含有量が
0.4〜4at%であり、Mn,Fe,Niの総含有量
が1〜6at%であることが好ましい。又、Al−Si
系合金におけるAl含有量は15〜70at%、Si含
有量が15〜70at%であることが好ましい。
層、特に金属薄膜型のバックコート膜(金属系膜)が設
けられる。すなわち、例えば無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着法、直流スパッタ法、交流スパッタ法、高
周波スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波
マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など
の乾式メッキ手段により金属系膜が設けられる。尚、こ
のバックコート膜は、その厚さが1000〜5000
Å、より好ましくは1500〜3500Å程度である。
バックコート膜を構成する金属粒子の材料としては、例
えばAl,Zn,Sn,Ni,Ag,Fe,Tiなどの
金属が用いられる。又、Cu−Al−X(但し、XはM
n,Fe,Niの群の中から選ばれる一つ、若しくは二
つ以上)系合金、Al−Si系合金、Ti合金等が用い
られる。尚、Cu−Al−X(但し、XはMn,Fe,
Niの群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上)系
合金におけるCu含有量は70〜90at%、Al含有
量は8〜25at%、Mn含有量が0.5〜4at%
で、Fe含有量が0.4〜5at%で、Ni含有量が
0.4〜4at%であり、Mn,Fe,Niの総含有量
が1〜6at%であることが好ましい。又、Al−Si
系合金におけるAl含有量は15〜70at%、Si含
有量が15〜70at%であることが好ましい。
【0015】又、バックコート膜の成膜時に、酸化性ガ
スや酸素イオンあるいは酸素ラディカルを供給し、金属
系膜の表層部分が酸化されるようにしても良い。あるい
は、反応性に富む窒素化合物、窒素イオンや窒素ラディ
カルを供給し、金属系膜の表層部分が窒化されるように
しても良い。若しくは、反応性に富む炭素化合物、炭素
イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系膜の表層部分
が炭化されるようにしても良い。尚、反応性に富む炭素
化合物、炭素イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系
膜の表層部分を炭化することは、前記ダイヤモンドライ
クカーボン膜に似通って来るから好ましい。
スや酸素イオンあるいは酸素ラディカルを供給し、金属
系膜の表層部分が酸化されるようにしても良い。あるい
は、反応性に富む窒素化合物、窒素イオンや窒素ラディ
カルを供給し、金属系膜の表層部分が窒化されるように
しても良い。若しくは、反応性に富む炭素化合物、炭素
イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系膜の表層部分
が炭化されるようにしても良い。尚、反応性に富む炭素
化合物、炭素イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系
膜の表層部分を炭化することは、前記ダイヤモンドライ
クカーボン膜に似通って来るから好ましい。
【0016】上記金属薄膜型の磁性膜や金属薄膜型のバ
ックコート膜は、磁性膜を成膜した後、バックコート膜
を成膜しても良い。逆に、バックコート膜を成膜した
後、磁性膜を成膜しても良い。あるいは、ほぼ同一の工
程で成膜されても良い。尚、工程的には、磁性膜の上に
ダイヤモンドライクカーボン膜が設けられるから、バッ
クコート膜を成膜した後、磁性膜を成膜するようにする
ことが好ましい。
ックコート膜は、磁性膜を成膜した後、バックコート膜
を成膜しても良い。逆に、バックコート膜を成膜した
後、磁性膜を成膜しても良い。あるいは、ほぼ同一の工
程で成膜されても良い。尚、工程的には、磁性膜の上に
ダイヤモンドライクカーボン膜が設けられるから、バッ
クコート膜を成膜した後、磁性膜を成膜するようにする
ことが好ましい。
【0017】上記のようにしてFe−C−O系金属磁性
膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、及び金属薄膜型の
バックコート膜が成膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が
浸漬あるいは超音波噴霧などの手段により20〜70Å
程度の厚さ設けられる。このフッ素系潤滑剤は、ダイヤ
モンドライクカーボン膜上に付けられる。あるいは、ダ
イヤモンドライクカーボン膜と金属薄膜型のバックコー
ト膜上に付けられる。勿論、両面に付ける方が好まし
い。潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p -(但
し、RはF,CF3 ,CH3 などの基)、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q-OCF2-COOH ,F-(CF2CF2CF2O)n -CF
2CF2COOH と言ったようなカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH,HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ,F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
と言ったようなアルコール変性パーフロオロポリエーテ
ル、又、分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの
飽和炭化水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは
芳香族炭化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙
げられる。分子量は500〜50000のものが好まし
い。具体的には、モンテカチーニ社のFOMBLIN
Z DIACやFOMBLIN Z DOL、ダイキン
工業社のデムナムSA等がある。
膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、及び金属薄膜型の
バックコート膜が成膜された後、フッ素系潤滑剤の膜が
浸漬あるいは超音波噴霧などの手段により20〜70Å
程度の厚さ設けられる。このフッ素系潤滑剤は、ダイヤ
モンドライクカーボン膜上に付けられる。あるいは、ダ
イヤモンドライクカーボン膜と金属薄膜型のバックコー
ト膜上に付けられる。勿論、両面に付ける方が好まし
い。潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p -(但
し、RはF,CF3 ,CH3 などの基)、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q-OCF2-COOH ,F-(CF2CF2CF2O)n -CF
2CF2COOH と言ったようなカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH,HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ,F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
と言ったようなアルコール変性パーフロオロポリエーテ
ル、又、分子の一方に、又は、一部にアルキル基などの
飽和炭化水素基、あるいは不飽和炭化水素基、若しくは
芳香族炭化水素基、その他の官能基が付いたもの等が挙
げられる。分子量は500〜50000のものが好まし
い。具体的には、モンテカチーニ社のFOMBLIN
Z DIACやFOMBLIN Z DOL、ダイキン
工業社のデムナムSA等がある。
【0018】
【実施例1】図1は本発明になる磁気記録媒体(8mm
VTR用磁気テープ)の第1実施例の概略図、図2は金
属磁性膜の成膜装置、図3はダイヤモンドライクカーボ
ン膜の成膜装置、図4はバックコート膜の成膜装置であ
る。図1中、1は7μm厚のPETフィルムである。
VTR用磁気テープ)の第1実施例の概略図、図2は金
属磁性膜の成膜装置、図3はダイヤモンドライクカーボ
ン膜の成膜装置、図4はバックコート膜の成膜装置であ
る。図1中、1は7μm厚のPETフィルムである。
【0019】2は、図2の装置を用いて、PETフィル
ム1の表面に斜め蒸着手段により設けた1800Å厚の
Fe−C−O(Fe 75at.%:C 15at.
%:O10at.%)系金属磁性膜である。3は、図3
の装置を用いて、Fe−C−O系金属系磁性膜2上に設
けられた75Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜で
ある。
ム1の表面に斜め蒸着手段により設けた1800Å厚の
Fe−C−O(Fe 75at.%:C 15at.
%:O10at.%)系金属磁性膜である。3は、図3
の装置を用いて、Fe−C−O系金属系磁性膜2上に設
けられた75Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜で
ある。
【0020】4は、図4の装置を用いて、PETフィル
ム1の裏面に設けたCu−Al系合金からなる2000
Å厚の金属系膜(バックコート膜)である。尚、この金
属薄膜型の磁気記録媒体は、先ず、PETフィルム1を
図4の蒸着装置(図4中、1はPETフィルム、11は
冷却キャンロール、12はルツボ内(蒸発源)に置かれ
たCu−Al系合金、13は電子銃)に装填し、装置内
のルツボに充填されたCu−Al系合金12に電子ビー
ムを照射し、酸素ガスを導入しながらPETフィルム1
の裏面にCu−Al系合金粒子を蒸着させた後、図2の
斜め蒸着装置(図2中、1はPETフィルム、21はル
ツボ内(蒸発源)のFe系金属材料、22は炭素イオン
照射用イオンガン、23は酸素イオン照射用イオンガ
ン、24は電子銃)に案内し、装置内のルツボに充填さ
れたFe系金属材料21に電子ビームを照射し、炭素イ
オン及び酸素イオンをイオンガン22,23で照射しな
がらPETフィルム1の表面にFe系金属粒子を蒸着さ
せる。その後、図3のECRプラズマCVD装置(図3
中、1はFe−C−O系金属系磁性膜が成膜されたPE
Tフィルム、31はECRプラズマCVD装置)に案内
し、Fe−C−O系金属系磁性膜2上にダイヤモンドラ
イクカーボン膜3を設ける。
ム1の裏面に設けたCu−Al系合金からなる2000
Å厚の金属系膜(バックコート膜)である。尚、この金
属薄膜型の磁気記録媒体は、先ず、PETフィルム1を
図4の蒸着装置(図4中、1はPETフィルム、11は
冷却キャンロール、12はルツボ内(蒸発源)に置かれ
たCu−Al系合金、13は電子銃)に装填し、装置内
のルツボに充填されたCu−Al系合金12に電子ビー
ムを照射し、酸素ガスを導入しながらPETフィルム1
の裏面にCu−Al系合金粒子を蒸着させた後、図2の
斜め蒸着装置(図2中、1はPETフィルム、21はル
ツボ内(蒸発源)のFe系金属材料、22は炭素イオン
照射用イオンガン、23は酸素イオン照射用イオンガ
ン、24は電子銃)に案内し、装置内のルツボに充填さ
れたFe系金属材料21に電子ビームを照射し、炭素イ
オン及び酸素イオンをイオンガン22,23で照射しな
がらPETフィルム1の表面にFe系金属粒子を蒸着さ
せる。その後、図3のECRプラズマCVD装置(図3
中、1はFe−C−O系金属系磁性膜が成膜されたPE
Tフィルム、31はECRプラズマCVD装置)に案内
し、Fe−C−O系金属系磁性膜2上にダイヤモンドラ
イクカーボン膜3を設ける。
【0021】5a,5bは、ダイヤモンドライクカーボ
ン膜3及びバックコート膜4の成膜後、超音波噴霧によ
り設けられた20Å厚さのフッ素系潤滑剤(FOMBL
INZ DIAC)の膜である。
ン膜3及びバックコート膜4の成膜後、超音波噴霧によ
り設けられた20Å厚さのフッ素系潤滑剤(FOMBL
INZ DIAC)の膜である。
【0022】
【実施例2】実施例1において、Fe−C−O系金属系
磁性膜をFe−C−O(Fe 90at.%:C 5a
t.%:O 5at.%)系金属磁性膜とした以外は実
施例1に準じて行った。
磁性膜をFe−C−O(Fe 90at.%:C 5a
t.%:O 5at.%)系金属磁性膜とした以外は実
施例1に準じて行った。
【0023】
【実施例3】実施例1において、Fe−C−O系金属系
磁性膜をFe−C−O(Fe 60at.%:C 35
at.%:O 5at.%)系金属磁性膜とした以外は
実施例1に準じて行った。
磁性膜をFe−C−O(Fe 60at.%:C 35
at.%:O 5at.%)系金属磁性膜とした以外は
実施例1に準じて行った。
【0024】
【実施例4】実施例1において、Fe−C−O系金属系
磁性膜をFe−C−O(Fe 65at.%:C 5a
t.%:O 30at.%)系金属磁性膜とした以外は
実施例1に準じて行った。
磁性膜をFe−C−O(Fe 65at.%:C 5a
t.%:O 30at.%)系金属磁性膜とした以外は
実施例1に準じて行った。
【0025】
【比較例1】実施例1において、Fe−C−O系金属系
磁性膜の代わりにFe金属磁性膜とした以外は実施例1
に準じて行った。
磁性膜の代わりにFe金属磁性膜とした以外は実施例1
に準じて行った。
【0026】
【比較例2】実施例1において、Fe系金属粒子の蒸着
時に炭素イオンを照射せず、酸素イオンのみを照射し、
Fe−C−O系金属系磁性膜の代わりにFe−O(Fe
70at.%:O 30at.%)系金属磁性膜とし
た以外は実施例1に準じて行った。
時に炭素イオンを照射せず、酸素イオンのみを照射し、
Fe−C−O系金属系磁性膜の代わりにFe−O(Fe
70at.%:O 30at.%)系金属磁性膜とし
た以外は実施例1に準じて行った。
【0027】
【比較例3】実施例1において、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜3の代わりにSiのターゲットを用い、酸素ガ
スを流しながらDCマグネトロンスパッタリングにより
SiOx 膜を成膜した以外は実施例1に準じて行った。
ーボン膜3の代わりにSiのターゲットを用い、酸素ガ
スを流しながらDCマグネトロンスパッタリングにより
SiOx 膜を成膜した以外は実施例1に準じて行った。
【0028】
【比較例4】実施例1において、フッ素系潤滑剤の代わ
りにミリスチン酸(潤滑剤)を用いた以外は実施例1に
準じて行った。
りにミリスチン酸(潤滑剤)を用いた以外は実施例1に
準じて行った。
【0029】
【特性】上記各例で得た磁気テープについて、7MHz
の輝度信号の再生出力、走行安定性、耐久性、耐蝕性に
ついて調べたので、その結果を表−1に示す。走行安定
性は、ジッターの測定値を目安に、耐久性はスチル耐久
性の結果を目安に、耐蝕性は60℃、90%RH下に1
週間放置した後の飽和磁束密度Bsの低下率を目安とし
た。ジッターの測定は、市販のHi8mmVTRを改造
したものを用い、これにジッターメータをつないで測定
し、スチル耐久性は5時間スチル再生した時の7MHz
での輝度信号の出力低下をスペクトルアナライザーを用
いて測定した。
の輝度信号の再生出力、走行安定性、耐久性、耐蝕性に
ついて調べたので、その結果を表−1に示す。走行安定
性は、ジッターの測定値を目安に、耐久性はスチル耐久
性の結果を目安に、耐蝕性は60℃、90%RH下に1
週間放置した後の飽和磁束密度Bsの低下率を目安とし
た。ジッターの測定は、市販のHi8mmVTRを改造
したものを用い、これにジッターメータをつないで測定
し、スチル耐久性は5時間スチル再生した時の7MHz
での輝度信号の出力低下をスペクトルアナライザーを用
いて測定した。
【0030】 表−1 再生出力(dB) ジッター(ns) スチル耐久性(dB) 耐蝕性ΔBs(%) 実施例1 +7.4 47 −0.8 −4 実施例2 +6.9 49 −1.2 −8 実施例3 +7.1 46 −0.3 −2 実施例4 +6.6 45 −0.5 −2 比較例1 測定不能 測定不能 測定不能 −26 比較例2 −3.8 51 −3.5 −17 比較例3 +7.2 55 −2.1 −10 比較例4 +7.0 69 −2.6 −12 *再生出力は市販の塗布型メタルテープを基準(0dB) これによれば、Fe−C−O系金属磁性膜と、この上に
設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、このダイ
ヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素系潤
滑剤の膜との組み合わせになる磁気記録媒体は、これら
の構成要件が一つでも欠けた比較例1,2,3,4の磁
気記録媒体よりも優れたものであることが判る。すなわ
ち、本願発明の組み合わせが如何に大事なものであるか
が判る。
設けられたダイヤモンドライクカーボン膜と、このダイ
ヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ素系潤
滑剤の膜との組み合わせになる磁気記録媒体は、これら
の構成要件が一つでも欠けた比較例1,2,3,4の磁
気記録媒体よりも優れたものであることが判る。すなわ
ち、本願発明の組み合わせが如何に大事なものであるか
が判る。
【0031】例えば、実施例1と比較例1や比較例2と
の対比から判る通り、ダイヤモンドライクカーボン膜、
フッ素系潤滑剤の膜、金属薄膜型のバックコート膜の要
件が満たされても、Fe−C−O系金属磁性膜の要件を
欠いたならば、電磁変換特性、走行性、耐久性、及び耐
蝕性が劣り、到底に本願発明の特長を奏することが出来
ない。
の対比から判る通り、ダイヤモンドライクカーボン膜、
フッ素系潤滑剤の膜、金属薄膜型のバックコート膜の要
件が満たされても、Fe−C−O系金属磁性膜の要件を
欠いたならば、電磁変換特性、走行性、耐久性、及び耐
蝕性が劣り、到底に本願発明の特長を奏することが出来
ない。
【0032】又、実施例1と比較例3との対比から判る
通り、Fe−C−O系金属磁性膜、フッ素系潤滑剤の
膜、金属薄膜型のバックコート膜の要件が満たされて
も、ダイヤモンドライクカーボン膜の要件を欠いたなら
ば、耐久性が劣り、到底に本願発明の特長を奏すること
が出来ない。又、実施例1と比較例4との対比から判る
通り、Fe−C−O系金属磁性膜、ダイヤモンドライク
カーボン膜、金属薄膜型のバックコート膜の要件が満た
されても、フッ素系潤滑剤の膜の要件を欠いたならば、
走行性、及び耐久性が劣り、到底に本願発明の特長を奏
することが出来ない。
通り、Fe−C−O系金属磁性膜、フッ素系潤滑剤の
膜、金属薄膜型のバックコート膜の要件が満たされて
も、ダイヤモンドライクカーボン膜の要件を欠いたなら
ば、耐久性が劣り、到底に本願発明の特長を奏すること
が出来ない。又、実施例1と比較例4との対比から判る
通り、Fe−C−O系金属磁性膜、ダイヤモンドライク
カーボン膜、金属薄膜型のバックコート膜の要件が満た
されても、フッ素系潤滑剤の膜の要件を欠いたならば、
走行性、及び耐久性が劣り、到底に本願発明の特長を奏
することが出来ない。
【0033】
【発明の効果】安価なFeを用いて高密度記録に適した
磁気記録媒体が得られる。しかも、この磁気記録媒体
は、電磁変換特性、走行性、耐久性、及び耐蝕性に優れ
たものである。
磁気記録媒体が得られる。しかも、この磁気記録媒体
は、電磁変換特性、走行性、耐久性、及び耐蝕性に優れ
たものである。
【図1】本発明になる磁気記録媒体の概略図
【図2】金属磁性膜の成膜装置
【図3】ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置
【図4】バックコート膜の成膜装置
1 支持体 2 金属磁性膜 3 ダイヤモンドライクカーボン膜 4 金属系膜(バックコート膜) 5a,5b フッ素系潤滑剤の膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 14/56 C23C 14/56 K (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 支持体と、 該支持体の一面側に設けられたFe,C及びOを有する
一層または二層以上のFe−C−O系金属磁性膜と、 該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられたダイヤモ
ンドライクカーボン膜と、 該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ
素系潤滑剤の膜とを具備することを特徴とする磁気記録
媒体。 - 【請求項2】 支持体と、 該支持体の一面側に設けられたFe,C及びOを有する
一層または二層以上のFe−C−O系金属磁性膜と、 該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられたダイヤモ
ンドライクカーボン膜と、 該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ
素系潤滑剤の膜と、 該支持体の他面側に設けられた金属薄膜型のバックコー
ト膜とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項3】 支持体と、 該支持体の一面側に設けられたFe,C及びOを有する
一層または二層以上のFe−C−O系金属磁性膜と、 該Fe−C−O系金属磁性膜の上に設けられたダイヤモ
ンドライクカーボン膜と、 該ダイヤモンドライクカーボン膜の上に設けられたフッ
素系潤滑剤の膜と、 該支持体の他面側に設けられた金属薄膜型のバックコー
ト膜と、 該バックコート膜の上に設けられたフッ素系潤滑剤の膜
とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP7249048A JP2761859B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 磁気記録媒体 |
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JP2761859B2 JP2761859B2 (ja) | 1998-06-04 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140199501A1 (en) * | 2012-05-08 | 2014-07-17 | HGST Netherlands B.V. | Methods of production for corrosion-resistant bit patterned media (bpm) and discrete track media (dtm) |
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- 1995-09-27 JP JP7249048A patent/JP2761859B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1996
- 1996-09-19 US US08/718,184 patent/US5853871A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US5853871A (en) | 1998-12-29 |
JP2761859B2 (ja) | 1998-06-04 |
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