JPH0437484B2 - - Google Patents
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- JPH0437484B2 JPH0437484B2 JP56021653A JP2165381A JPH0437484B2 JP H0437484 B2 JPH0437484 B2 JP H0437484B2 JP 56021653 A JP56021653 A JP 56021653A JP 2165381 A JP2165381 A JP 2165381A JP H0437484 B2 JPH0437484 B2 JP H0437484B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は磁気テープ、磁気デイスク等の磁気的
記録装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法に
関し、特に耐食性、潤滑性、耐摩耗特性の勝れた
薄膜型記録媒体の製造方法に関するものである。 従来の磁気記録媒体の多くは、一般に塗布型と
称されているものに属し、通常、非磁性支持体上
に、γ−Fe2O3、Coをドープしたγ−Fe2O3、
Fe3O4、CoをドープしたFe3O4、γ−Fe2O3とFe3
O4のベルトライド化合物、Coをドープしたベル
トライド化合物、CrO2等の酸化物磁性粉末ある
いはFe,Ni,Co等を主成分とする合金磁性粉末
等から成る磁性体粉末;を塩化ビニル酢酸ビニル
共重合体、スチレンブラジエン共重合体、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中
に分散して成る塗液を塗着、乾燥して磁性膜を形
成する製造方法及び装置によつて生産されたもの
である。 近年、記録すべき情報量の増加に伴い、高密度
記録に適する磁気記録媒体の実用化が一層強く望
まれるに至り、前述したバインダーを使用せず
に、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、メツキ等の方法により強磁性金属薄膜を
前記支持体上に形成した、所謂、薄膜型磁気記録
媒体が着目され、その開発、研究の推進に伴つ
て、実用化のための諸提案がなされつつある。 しかしながら前記薄膜型磁気記録媒体は、磁気
ヘツド、ガイドローラー、ライナ等との摩擦によ
るスリキズが発生し易く、機械的強度が弱く、ま
た、摩擦係数が大きいため走行性が良好でない。
更に耐候性においても充分でない等の欠点を有し
ていた。 これらの欠点を改善する為に、従来、真空蒸着
方式、塗布方式等の各種方式により種々のオーバ
ーコートが施されてきた。例えばロジウム、クロ
ムのような金属、WC,TiO2,CaF2,MgF2のよ
うな高硬度無機物、金属石鹸のような潤滑剤を蒸
着法によりオーバーコートを行う方法、高分子剤
を塗布法によりオーバーコートを行う方法、ある
いはプラズマ重合法を用いたオーバーコートなど
が行なわれている。 しかしながら、これらのオーバーコートの工程
は磁性層形成工程と連続して行なわれておらず、
一度真空を破つた後、別の装置を用いてオーバー
コートを行なつていた。その為に、磁性層の酸化
が著しく進行するとともに窒素ガス、炭酸ガス、
酸素ガスの吸着が起り、その後のオーバーコート
層との密置性を劣化させ、更に磁気特性の劣化を
招き易かつた。また、別の装置を用いる為に製造
工程も増加し、複雑になる欠点があつた。 また、耐摩耗特性を向上させるには、通常、磁
気ヘツドからの衝撃力を緩和する層を記録媒体に
設ける必要があるが、前記緩和層として良好な有
機ポリマー層を蒸着法を用いて形成することは、
組成および特性の制御が困難であること、架橋度
が一般に低い為に困難であつた。 本発明は、前述した従来製造方法の欠点を除去
し、耐摩耗性、耐侯性、および走行性に勝れた薄
膜型磁気記録媒体の製造法を提供することを目的
とするものである。 本発明のかゝる目的は、比較的長尺の非磁性か
つ可撓性基体を連続的に移送させながら、真空雰
囲気下で前記基体表面に磁性体蒸気流を斜方入射
して磁性薄膜を蒸着した後、直ちに前記磁性蒸着
薄膜上に有機物をプラズマ重合せしめてオーバー
コート薄膜を層設することを特徴とする磁気記録
媒体製造方法によつて達成される。 本発明による記録媒体の製造法は一旦、真空を
破ることがない為に磁性層の酸化が生じ難く、磁
性層とオーバーコート層との界面の密着性に勝れ
た薄膜型記録媒体の製造が可能であるばかりでな
くオーバーコート層にプラズマ重合法による有機
物のオーバーコート層を形成するので耐摩耗特性
の勝れた記録媒体が得られる。 前記プラズマ重合法は、電離気体の放電中に有
機物蒸気を導入するか、あるいは有機物蒸気を直
接電離させ、これより生じた有機物のプラズマを
磁性層表面において重合さるものであり、該膜
は、一般に通常の重合反応によるポリマー膜と比
較して、高度に架橋している為に、高密度でかつ
強靱であり、基質に対して密着性に勝れているも
のが得られる。又、前記プラズマ重合法は、溶剤
を用いる塗布法と異なり、作業が極めて容易であ
るとともに、蒸着型金属磁性媒体のオーバーコー
ト法として適したものである。 本発明によるオーバーコート層の膜厚は、20〜
800〓の範囲が好ましく、更に20〜400〓の範囲が
望ましい。20〓未満では薄すぎて効果がなく、ま
た、800〓を越えると記録媒体とヘツドとの分離
によるスペーシングロスが大きくなり、再生出力
の低下を招く。 以下、添付した図面に基づき、本発明方法の一
実施態様について説明する。 第1図は本発明方法を実施するための装置要部
を示した断面略図である。 第1図において、蒸着薄膜製造装置1は、基体
送出室兼巻取室2、グロー処理室3、磁性薄膜蒸
着室4、プラズマ反応室5を夫々僅少の開口域に
制限された基体通過用のスリツト6を介して、順
次連通して成つている。なお、前記各室2〜5
は、夫々独立した排気系7a〜7dに導管8a〜
8dを介して連通しているので、夫々独自の真空
度(通常10-2〜10-6Torr)が維持可能になつて
いる。 前記送出兼巻取室2内において、回転自在に軸
支された非磁性及び可撓性帯状基体9から成るロ
ール10近傍に配設した引出しローラー11を駆
動して、前記ロール10から前記基体9を連続的
に前記グロー処理室3内に繰り出すと、Arガス
導入管12を通して供給されたArガスが、交流
高電圧(例えば、約1kV程度)を印加された電極
13によつて、約10-2Torr程度の真空雰囲気下
でグロー放電を生じ、前記基体9の表面をクリー
ニングし、活性化し、次工程における磁性薄膜蒸
着性の向上が図られる。 前記グロー処理室3を通過した前記基体9は、
前記磁性薄膜蒸着室4内で複数個のガイドローラ
ー14を介して、回転自在に軸支されたクーリン
グキヤン15の下方外周面によりその走行方向が
反転された後、前記プラズマ反応室5内に送りこ
まれる。 なお、前記磁性薄膜蒸着室4は、可成り高真空
度(例えば、10-4Torr)に保たれた雰囲気下で、
電子銃と電源から成る電子ビーム式加熱手段16
によりハース17内の磁性体蒸発源18(例え
ば、Co材、Ni材、Fe材、等)を加熱、蒸発さ
せ、前記クーリングキヤン15上の基体9に対し
その蒸気流Vを通常、約45°〜90°の入射角をもつ
て蒸着を行うところである。 前記入射角は前記ハース17とマスク19の配
設位置によつて適宜設定される。 前記プラズマ反応室5は、Arガス導入管20
を通してArガスが供給さる一方、他のガス導入
管21からモノマーガス(弗化ビニリデン、四弗
化エチレン、エチレン、塩化ビニル、スチレン、
クロロベンゼン等)が供給され、それらの全圧が
0.1Torr程度に設定される。 なお、プラズマの発生は、電極部の汚染を防止
するために無電極方式を採用し、高周波電源22
からマツチングボツクス23を通して前記Arガ
ス導入管21に巻装したコイル24に高周波電力
(例えば、13.56MHz、150Watt)が印加されるこ
とにより行われる。 前記プラズマ反応室5に送り込まれた前記基体
9は、前記Arガスの放電中に生じたモノマーガ
スのプラズマがその磁性蒸着薄膜表面において重
合反応し、該蒸着薄膜に高密度かつ強靱に密着し
たオーバーコート層が積層される。 前記プラズマ反応室5における有機物のオーバ
ーコートがなされた前記基体9は、再度、前記送
出兼巻取室2に戻されて、エキスパンダーローラ
ー25により適正にシワの矯正がなされた後、ロ
ール状26に巻き取られて一連の薄膜形成工程が
完了する。 なお、前記プラズマ反応室5において、前記
Arガス導入管20から前記モノマーガスを導入
してプラズマを発生させることも可能である。 次に、本発明に基づく新規な効果を実施例及び
比較例によつて一層明確にする。 (実施例) 第1図に示したような装置を用いて、表−1に
記した条件で磁性蒸着薄膜と有機物オーバーコー
ト層を連続的に層設した上記記録媒体を作成し、
そのスチル耐久性、等を測定した。 その結果は表−2の通りであつた。 (比較例) 実施例と同じ装置を用い、(但し、プラズマ反
応室は利用せず)表−1に記した条件で磁性蒸着
薄膜を層設した磁気記録媒体を作成し、実施例と
同じスチル耐久性、等を測定した。 その結果は表−2の通りであつた。
記録装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法に
関し、特に耐食性、潤滑性、耐摩耗特性の勝れた
薄膜型記録媒体の製造方法に関するものである。 従来の磁気記録媒体の多くは、一般に塗布型と
称されているものに属し、通常、非磁性支持体上
に、γ−Fe2O3、Coをドープしたγ−Fe2O3、
Fe3O4、CoをドープしたFe3O4、γ−Fe2O3とFe3
O4のベルトライド化合物、Coをドープしたベル
トライド化合物、CrO2等の酸化物磁性粉末ある
いはFe,Ni,Co等を主成分とする合金磁性粉末
等から成る磁性体粉末;を塩化ビニル酢酸ビニル
共重合体、スチレンブラジエン共重合体、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中
に分散して成る塗液を塗着、乾燥して磁性膜を形
成する製造方法及び装置によつて生産されたもの
である。 近年、記録すべき情報量の増加に伴い、高密度
記録に適する磁気記録媒体の実用化が一層強く望
まれるに至り、前述したバインダーを使用せず
に、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、メツキ等の方法により強磁性金属薄膜を
前記支持体上に形成した、所謂、薄膜型磁気記録
媒体が着目され、その開発、研究の推進に伴つ
て、実用化のための諸提案がなされつつある。 しかしながら前記薄膜型磁気記録媒体は、磁気
ヘツド、ガイドローラー、ライナ等との摩擦によ
るスリキズが発生し易く、機械的強度が弱く、ま
た、摩擦係数が大きいため走行性が良好でない。
更に耐候性においても充分でない等の欠点を有し
ていた。 これらの欠点を改善する為に、従来、真空蒸着
方式、塗布方式等の各種方式により種々のオーバ
ーコートが施されてきた。例えばロジウム、クロ
ムのような金属、WC,TiO2,CaF2,MgF2のよ
うな高硬度無機物、金属石鹸のような潤滑剤を蒸
着法によりオーバーコートを行う方法、高分子剤
を塗布法によりオーバーコートを行う方法、ある
いはプラズマ重合法を用いたオーバーコートなど
が行なわれている。 しかしながら、これらのオーバーコートの工程
は磁性層形成工程と連続して行なわれておらず、
一度真空を破つた後、別の装置を用いてオーバー
コートを行なつていた。その為に、磁性層の酸化
が著しく進行するとともに窒素ガス、炭酸ガス、
酸素ガスの吸着が起り、その後のオーバーコート
層との密置性を劣化させ、更に磁気特性の劣化を
招き易かつた。また、別の装置を用いる為に製造
工程も増加し、複雑になる欠点があつた。 また、耐摩耗特性を向上させるには、通常、磁
気ヘツドからの衝撃力を緩和する層を記録媒体に
設ける必要があるが、前記緩和層として良好な有
機ポリマー層を蒸着法を用いて形成することは、
組成および特性の制御が困難であること、架橋度
が一般に低い為に困難であつた。 本発明は、前述した従来製造方法の欠点を除去
し、耐摩耗性、耐侯性、および走行性に勝れた薄
膜型磁気記録媒体の製造法を提供することを目的
とするものである。 本発明のかゝる目的は、比較的長尺の非磁性か
つ可撓性基体を連続的に移送させながら、真空雰
囲気下で前記基体表面に磁性体蒸気流を斜方入射
して磁性薄膜を蒸着した後、直ちに前記磁性蒸着
薄膜上に有機物をプラズマ重合せしめてオーバー
コート薄膜を層設することを特徴とする磁気記録
媒体製造方法によつて達成される。 本発明による記録媒体の製造法は一旦、真空を
破ることがない為に磁性層の酸化が生じ難く、磁
性層とオーバーコート層との界面の密着性に勝れ
た薄膜型記録媒体の製造が可能であるばかりでな
くオーバーコート層にプラズマ重合法による有機
物のオーバーコート層を形成するので耐摩耗特性
の勝れた記録媒体が得られる。 前記プラズマ重合法は、電離気体の放電中に有
機物蒸気を導入するか、あるいは有機物蒸気を直
接電離させ、これより生じた有機物のプラズマを
磁性層表面において重合さるものであり、該膜
は、一般に通常の重合反応によるポリマー膜と比
較して、高度に架橋している為に、高密度でかつ
強靱であり、基質に対して密着性に勝れているも
のが得られる。又、前記プラズマ重合法は、溶剤
を用いる塗布法と異なり、作業が極めて容易であ
るとともに、蒸着型金属磁性媒体のオーバーコー
ト法として適したものである。 本発明によるオーバーコート層の膜厚は、20〜
800〓の範囲が好ましく、更に20〜400〓の範囲が
望ましい。20〓未満では薄すぎて効果がなく、ま
た、800〓を越えると記録媒体とヘツドとの分離
によるスペーシングロスが大きくなり、再生出力
の低下を招く。 以下、添付した図面に基づき、本発明方法の一
実施態様について説明する。 第1図は本発明方法を実施するための装置要部
を示した断面略図である。 第1図において、蒸着薄膜製造装置1は、基体
送出室兼巻取室2、グロー処理室3、磁性薄膜蒸
着室4、プラズマ反応室5を夫々僅少の開口域に
制限された基体通過用のスリツト6を介して、順
次連通して成つている。なお、前記各室2〜5
は、夫々独立した排気系7a〜7dに導管8a〜
8dを介して連通しているので、夫々独自の真空
度(通常10-2〜10-6Torr)が維持可能になつて
いる。 前記送出兼巻取室2内において、回転自在に軸
支された非磁性及び可撓性帯状基体9から成るロ
ール10近傍に配設した引出しローラー11を駆
動して、前記ロール10から前記基体9を連続的
に前記グロー処理室3内に繰り出すと、Arガス
導入管12を通して供給されたArガスが、交流
高電圧(例えば、約1kV程度)を印加された電極
13によつて、約10-2Torr程度の真空雰囲気下
でグロー放電を生じ、前記基体9の表面をクリー
ニングし、活性化し、次工程における磁性薄膜蒸
着性の向上が図られる。 前記グロー処理室3を通過した前記基体9は、
前記磁性薄膜蒸着室4内で複数個のガイドローラ
ー14を介して、回転自在に軸支されたクーリン
グキヤン15の下方外周面によりその走行方向が
反転された後、前記プラズマ反応室5内に送りこ
まれる。 なお、前記磁性薄膜蒸着室4は、可成り高真空
度(例えば、10-4Torr)に保たれた雰囲気下で、
電子銃と電源から成る電子ビーム式加熱手段16
によりハース17内の磁性体蒸発源18(例え
ば、Co材、Ni材、Fe材、等)を加熱、蒸発さ
せ、前記クーリングキヤン15上の基体9に対し
その蒸気流Vを通常、約45°〜90°の入射角をもつ
て蒸着を行うところである。 前記入射角は前記ハース17とマスク19の配
設位置によつて適宜設定される。 前記プラズマ反応室5は、Arガス導入管20
を通してArガスが供給さる一方、他のガス導入
管21からモノマーガス(弗化ビニリデン、四弗
化エチレン、エチレン、塩化ビニル、スチレン、
クロロベンゼン等)が供給され、それらの全圧が
0.1Torr程度に設定される。 なお、プラズマの発生は、電極部の汚染を防止
するために無電極方式を採用し、高周波電源22
からマツチングボツクス23を通して前記Arガ
ス導入管21に巻装したコイル24に高周波電力
(例えば、13.56MHz、150Watt)が印加されるこ
とにより行われる。 前記プラズマ反応室5に送り込まれた前記基体
9は、前記Arガスの放電中に生じたモノマーガ
スのプラズマがその磁性蒸着薄膜表面において重
合反応し、該蒸着薄膜に高密度かつ強靱に密着し
たオーバーコート層が積層される。 前記プラズマ反応室5における有機物のオーバ
ーコートがなされた前記基体9は、再度、前記送
出兼巻取室2に戻されて、エキスパンダーローラ
ー25により適正にシワの矯正がなされた後、ロ
ール状26に巻き取られて一連の薄膜形成工程が
完了する。 なお、前記プラズマ反応室5において、前記
Arガス導入管20から前記モノマーガスを導入
してプラズマを発生させることも可能である。 次に、本発明に基づく新規な効果を実施例及び
比較例によつて一層明確にする。 (実施例) 第1図に示したような装置を用いて、表−1に
記した条件で磁性蒸着薄膜と有機物オーバーコー
ト層を連続的に層設した上記記録媒体を作成し、
そのスチル耐久性、等を測定した。 その結果は表−2の通りであつた。 (比較例) 実施例と同じ装置を用い、(但し、プラズマ反
応室は利用せず)表−1に記した条件で磁性蒸着
薄膜を層設した磁気記録媒体を作成し、実施例と
同じスチル耐久性、等を測定した。 その結果は表−2の通りであつた。
【表】
【表】
【表】
なお表−2における各評価は次の方法で行つ
た。 −1 スリキズ……松下電器製VTR(NV8310)
を用いて磁気テープを20回往復走行せしめた
後、目視判定を行つた。 −2 ドロツプアウト数……松下電器製VTR(マ
ツクロードNV8310)を用い、1分間に発生す
るドロツプアウト数を、日本ビクター製ドロツ
プアウトカウンター(VD−3)で計測した。 −3 スチル耐久時間……松下電器製VTR
(NV8310)を用いて磁気テープを走行した後、
停止させ、停止中の再生出力が半減するまでの
所要時間を測定した。 以上の結果から、本発明方法(実施例)は、従
来方法(比較例)に比べ、スリキズ、ドロツプア
ウト数、スチル耐久時間の各項目に関し格段勝れ
ていることが確認された。 なお、実施例1において、磁性薄膜上に有機物
のオーバーコート層を層設せずにロール26に巻
き取つた後、一旦大気中に取りだし、次いで再び
蒸着薄膜製造装置1内のロール10に設置して、
プラズマ反応室5内に導き実施例と同一の条件で
磁性薄膜上に有機物オーバーコート層を層設し
た。このとき得られた磁気記録媒体を実施例の磁
気記録媒体と同一の前記条件で評価したところ、
スリキズが少し有り、またドロツプ・アウトは6
×102個であり、スチル耐久時間は10分であつた。
前記比較例の磁気記録媒体よりも幾らか優れた特
性であつたが、実施例には及ばないことが分かつ
た。
た。 −1 スリキズ……松下電器製VTR(NV8310)
を用いて磁気テープを20回往復走行せしめた
後、目視判定を行つた。 −2 ドロツプアウト数……松下電器製VTR(マ
ツクロードNV8310)を用い、1分間に発生す
るドロツプアウト数を、日本ビクター製ドロツ
プアウトカウンター(VD−3)で計測した。 −3 スチル耐久時間……松下電器製VTR
(NV8310)を用いて磁気テープを走行した後、
停止させ、停止中の再生出力が半減するまでの
所要時間を測定した。 以上の結果から、本発明方法(実施例)は、従
来方法(比較例)に比べ、スリキズ、ドロツプア
ウト数、スチル耐久時間の各項目に関し格段勝れ
ていることが確認された。 なお、実施例1において、磁性薄膜上に有機物
のオーバーコート層を層設せずにロール26に巻
き取つた後、一旦大気中に取りだし、次いで再び
蒸着薄膜製造装置1内のロール10に設置して、
プラズマ反応室5内に導き実施例と同一の条件で
磁性薄膜上に有機物オーバーコート層を層設し
た。このとき得られた磁気記録媒体を実施例の磁
気記録媒体と同一の前記条件で評価したところ、
スリキズが少し有り、またドロツプ・アウトは6
×102個であり、スチル耐久時間は10分であつた。
前記比較例の磁気記録媒体よりも幾らか優れた特
性であつたが、実施例には及ばないことが分かつ
た。
第1図は本発明方法を実施するための装置要部
を示す断面略図である。 2は送出兼巻取室、3はグロー処理室、4は磁
性薄膜蒸着室、5はプラズマ反応室、9は基体、
15はクーリングキヤンである。
を示す断面略図である。 2は送出兼巻取室、3はグロー処理室、4は磁
性薄膜蒸着室、5はプラズマ反応室、9は基体、
15はクーリングキヤンである。
Claims (1)
- 1 比較的長尺の非磁性かつ可撓性基体を連続的
に移送させながら、独立した排気系を有したグロ
ー処理室で該可撓性基体をグロー放電下に晒し、
次いで僅少の開口域に制限された基体通過用のス
リツトを介して前記グロー処理室と連通し、且つ
前記グロー処理室とは独立した排気系を有する磁
性薄膜蒸着室内の真空雰囲気下で前記基体表面に
磁性体蒸気流を斜方入射して磁性薄膜を蒸着した
後、一旦、真空を破ることなく、僅少の開口域に
制限された基体通過用のスリツトを介して前記磁
性蒸着室と連通し且つ前記グロー処置室及び前記
磁性薄膜蒸着室とは独立した排気系を有するプラ
ズマ反応室内で直ちに前記磁性蒸着薄膜上に有機
物をプラズマ重合せしめてオーバーコート薄膜を
層設することを特徴とする磁気記録媒体製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56021653A JPS57135443A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Manufacture of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56021653A JPS57135443A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Manufacture of magnetic recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57135443A JPS57135443A (en) | 1982-08-21 |
JPH0437484B2 true JPH0437484B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=12061002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56021653A Granted JPS57135443A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Manufacture of magnetic recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57135443A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59154641A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS59160828A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2549361B2 (ja) * | 1984-01-26 | 1996-10-30 | 電気化学工業株式会社 | 磁気記憶媒体 |
JPH0610871B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-02-09 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPH0670850B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1994-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着型記録媒体 |
JPH0685209B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1994-10-26 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着型記録媒体 |
JP2552799B2 (ja) * | 1992-08-31 | 1996-11-13 | 三菱化学株式会社 | 磁気記憶媒体の製造方法 |
US5677051A (en) * | 1993-11-30 | 1997-10-14 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium having a specified plasma polymerized hydrogen containing carbon film and lubricant |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53132310A (en) * | 1977-04-23 | 1978-11-18 | Sony Corp | Production of magnetic recording media |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2114536C2 (de) * | 1971-03-25 | 1973-02-08 | Uni Cardan Ag | Gleichlaufdrehgelenk |
-
1981
- 1981-02-16 JP JP56021653A patent/JPS57135443A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53132310A (en) * | 1977-04-23 | 1978-11-18 | Sony Corp | Production of magnetic recording media |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57135443A (en) | 1982-08-21 |
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