JPS59154641A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS59154641A JPS59154641A JP58027808A JP2780883A JPS59154641A JP S59154641 A JPS59154641 A JP S59154641A JP 58027808 A JP58027808 A JP 58027808A JP 2780883 A JP2780883 A JP 2780883A JP S59154641 A JPS59154641 A JP S59154641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- plasma
- thin film
- density
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は砂性薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関
L、特に防蝕性、電磁変換判性、走行性、耐摩耗性にす
ぐれた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
L、特に防蝕性、電磁変換判性、走行性、耐摩耗性にす
ぐれた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体とL5ては、非磁性支持体」−に磁性粉末
を結合剤中に分散せし、とつ、塗布乾燥させる塗布型の
ものか広く使用きン7てきている。しかし、近年高密度
記録−2の要求が冒まるにつれ、真空蒸着、スパッタリ
ンク゛、・1]ンブレーデイング等のべ一バーデボジシ
ミ1ン法あるいは電気メツA−1無電W(メツ痺等のメ
ッキ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する金属薄膜型磁気記録媒体が注目を浴びており実用化
に至っている。
を結合剤中に分散せし、とつ、塗布乾燥させる塗布型の
ものか広く使用きン7てきている。しかし、近年高密度
記録−2の要求が冒まるにつれ、真空蒸着、スパッタリ
ンク゛、・1]ンブレーデイング等のべ一バーデボジシ
ミ1ン法あるいは電気メツA−1無電W(メツ痺等のメ
ッキ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する金属薄膜型磁気記録媒体が注目を浴びており実用化
に至っている。
金属薄膜型磁気記録媒体は、飽和磁化の大きな強磁怜金
属をバインダーの如き非磁性物質を介在させない状態で
、極めて薄い層として形成できるので、電磁V換特性−
1−非常にイ]刊で、高密度記録にも適している。
属をバインダーの如き非磁性物質を介在させない状態で
、極めて薄い層として形成できるので、電磁V換特性−
1−非常にイ]刊で、高密度記録にも適している。
しかし2ながら、金属洪膜型磁気記録ν′と体に二つ℃
・ての大きな問題点は、製造後経萌しておくと金属表面
か腐蝕1〜電磁変換特性か低下LiLまうことで、(・
、る。どの欠点を防lI:、−=3る方法として、熱可
塑1′1.ポリマー、熱硬化性ポリマーを金属表面に塗
設し、保護層な(=1与することによつ−C解決″4る
ことが提案され1い4)。この方法′eは、ヘッドと磁
性1鰻間のスペーシング損失のために保護層のノψみな
大きくできないという制約があ4)ため、充分な防蝕性
をイ」与ずろことはできながく)だ。(第2図参照)ま
た、磁性層表面を窒化させる方法(特開昭50−338
06号公報)ある(・は酸化させる方法(特公昭4l−
2tJO25−け公報)などによつて防蝕性向上するこ
とが知られているが、これらの方法では10分〜2時間
もの長時開始J7Jjが必四であったり、処理時間なt
()がく′□4ろと充分な防蝕効果がイ;Iられなかっ
た。
・ての大きな問題点は、製造後経萌しておくと金属表面
か腐蝕1〜電磁変換特性か低下LiLまうことで、(・
、る。どの欠点を防lI:、−=3る方法として、熱可
塑1′1.ポリマー、熱硬化性ポリマーを金属表面に塗
設し、保護層な(=1与することによつ−C解決″4る
ことが提案され1い4)。この方法′eは、ヘッドと磁
性1鰻間のスペーシング損失のために保護層のノψみな
大きくできないという制約があ4)ため、充分な防蝕性
をイ」与ずろことはできながく)だ。(第2図参照)ま
た、磁性層表面を窒化させる方法(特開昭50−338
06号公報)ある(・は酸化させる方法(特公昭4l−
2tJO25−け公報)などによつて防蝕性向上するこ
とが知られているが、これらの方法では10分〜2時間
もの長時開始J7Jjが必四であったり、処理時間なt
()がく′□4ろと充分な防蝕効果がイ;Iられなかっ
た。
本発明者らは先に、強磁性金属薄膜上に厚さ2()〜2
70大のプラズマ重合層を設けることによって上記欠点
を克服することに成功[また( Q’!r 1’At昭
57184299号)。
70大のプラズマ重合層を設けることによって上記欠点
を克服することに成功[また( Q’!r 1’At昭
57184299号)。
本発明者らは、−1−記発明に基ついてさらに研冗をA
Iねた結束、プラズマ重合層の密1wを1.4す、上に
することによって、さらに耐久1イ1−の−′P11〜
く数校された保iK!j層を召jること(心成功lフイ
・、発明をi、’(5成し六−0 従って、本発明の1つの目的はヘットと磁性層間のスペ
ーシング損失を極力小さくするため超薄層で17かも商
品り性の良Ifな保護層を有する金属薄膜磁気配録媒体
を提供′することにキ、4・。
Iねた結束、プラズマ重合層の密1wを1.4す、上に
することによって、さらに耐久1イ1−の−′P11〜
く数校された保iK!j層を召jること(心成功lフイ
・、発明をi、’(5成し六−0 従って、本発明の1つの目的はヘットと磁性層間のスペ
ーシング損失を極力小さくするため超薄層で17かも商
品り性の良Ifな保護層を有する金属薄膜磁気配録媒体
を提供′することにキ、4・。
本発明のもう1つの目的1;J1久1〈トの良好な金属
磁気記録媒体を提供す4)ことにある。、本発明の一1
ユ記の目的は、強(dJ性金属湧膜を有す石高分子支持
体の金属薄膜上に、密I阜1.4以上で厚さ20〜27
0Xのプラズマ重合層を設けた。\とを特徴とする磁気
記録媒体によって達成さJする。
磁気記録媒体を提供す4)ことにある。、本発明の一1
ユ記の目的は、強(dJ性金属湧膜を有す石高分子支持
体の金属薄膜上に、密I阜1.4以上で厚さ20〜27
0Xのプラズマ重合層を設けた。\とを特徴とする磁気
記録媒体によって達成さJする。
本発明でいうプラズマ重合層の密度とは、形成さえlた
プラズマM(金層を削りとり得られたプラズマ沖合層の
粉を+1−ヘキーνンーテトラクロルエタンからなる密
度勾配管法によって得られた値を意味する。
プラズマM(金層を削りとり得られたプラズマ沖合層の
粉を+1−ヘキーνンーテトラクロルエタンからなる密
度勾配管法によって得られた値を意味する。
尚超薄層でプラズマ重合層だけを削りとれないものは1
9み、1000 A以上のプラズブ11合層を、ウユブ
スピードを遅くすることによって得、このプラズマ重合
層の密度で代用1−た1、本発明によるプラズマ重合層
は通常のポリマ一層と比較すると、緻背な架橋構造を有
シ1.ている。
9み、1000 A以上のプラズブ11合層を、ウユブ
スピードを遅くすることによって得、このプラズマ重合
層の密度で代用1−た1、本発明によるプラズマ重合層
は通常のポリマ一層と比較すると、緻背な架橋構造を有
シ1.ている。
即ち、非常に緻密で、しかも金属薄膜−にに均一な厚み
の層として形成されて℃・ると考えられる。このために
、爬蝕の原因となる酸素、水分等を金属薄膜から遮断し
かつ酸素、水分等を透過しないことによって防蝕性に優
れ、しかも極めて薄い層として形成できるのでヘッド・
磁性層間のスペーシング損失が小さくなることによって
電磁変換特性の良好な磁気記録媒体を得ることができる
。さらに本発明の有利なことは溶剤を全く使わないので
、作業が簡即で乾燥ゾーン々jの付’ifi’設(ii
4も不要とt(ることである。しかも、金属薄膜の形成
をL′1空条件下での4(着等によるベー・ξ−デ]j
ε、クンコン法と組合せると、真望を破ることなく共通
のラインで金属薄膜の形成と保dφj←iとを運次に形
成できるので設備的にも経済的にも有利である。
の層として形成されて℃・ると考えられる。このために
、爬蝕の原因となる酸素、水分等を金属薄膜から遮断し
かつ酸素、水分等を透過しないことによって防蝕性に優
れ、しかも極めて薄い層として形成できるのでヘッド・
磁性層間のスペーシング損失が小さくなることによって
電磁変換特性の良好な磁気記録媒体を得ることができる
。さらに本発明の有利なことは溶剤を全く使わないので
、作業が簡即で乾燥ゾーン々jの付’ifi’設(ii
4も不要とt(ることである。しかも、金属薄膜の形成
をL′1空条件下での4(着等によるベー・ξ−デ]j
ε、クンコン法と組合せると、真望を破ることなく共通
のラインで金属薄膜の形成と保dφj←iとを運次に形
成できるので設備的にも経済的にも有利である。
本発明によるプラズマ重合層の形成に用い4)化合物(
以下低分子化合物と称する)としては、2゜C110’
−’ torrで莢気圧な有するものなら使用11丁能
であるが、沸点が200iC以下のものが好ましい。特
に好ましい例としては、下i己のものia444げるこ
とかできるが、本発明はこれらの化合物に限定されるも
のではない。即ち、メタン、J−タン、ゾロノξン、ブ
タン、ペタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族飽和炭化
水垢、エチレン、ゾロビし・ン、ブテン、ヘキサン等の
脂肪族飽和炭化水垢、ベンゼン、トルエン、キシレン、
スブレン、エチル4ンゼン等の芳査族炭化水素、フロロ
メタン、ジクロロメタン、トリフロロメタン、ケトンフ
ロロメタン、ジクロロエタン、テトラフロロエチレン、
ヘキサフロロプロピレン、テトラフロロシラン、ジクロ
ロエチレン、テトラクロロエタン等の飽和又は、不飽和
のハロゲン化合物、アルコール類、ケトン類、エーテル
類、脂肪酸類などを単独又は混合して用いることができ
る。
以下低分子化合物と称する)としては、2゜C110’
−’ torrで莢気圧な有するものなら使用11丁能
であるが、沸点が200iC以下のものが好ましい。特
に好ましい例としては、下i己のものia444げるこ
とかできるが、本発明はこれらの化合物に限定されるも
のではない。即ち、メタン、J−タン、ゾロノξン、ブ
タン、ペタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族飽和炭化
水垢、エチレン、ゾロビし・ン、ブテン、ヘキサン等の
脂肪族飽和炭化水垢、ベンゼン、トルエン、キシレン、
スブレン、エチル4ンゼン等の芳査族炭化水素、フロロ
メタン、ジクロロメタン、トリフロロメタン、ケトンフ
ロロメタン、ジクロロエタン、テトラフロロエチレン、
ヘキサフロロプロピレン、テトラフロロシラン、ジクロ
ロエチレン、テトラクロロエタン等の飽和又は、不飽和
のハロゲン化合物、アルコール類、ケトン類、エーテル
類、脂肪酸類などを単独又は混合して用いることができ
る。
プラズマ庫合処理の装置とし【は無電極放電型、′1.
枠放電型のいずれな用いてもよ℃・がより好まし7くは
電磁が重合槽の中にある内部電極を有する放電1.(I
Jであイ)。内部電極を有1−る放Iplj:、型を用
いると形成されたプラズマ1(金層は1,4以」−の密
度のものが得られやすい。
枠放電型のいずれな用いてもよ℃・がより好まし7くは
電磁が重合槽の中にある内部電極を有する放電1.(I
Jであイ)。内部電極を有1−る放Iplj:、型を用
いると形成されたプラズマ1(金層は1,4以」−の密
度のものが得られやすい。
第1シIは本発明のプラズマ重合層を形成する(C適し
た内部電極型プラズマ重合装置柊の1例を示す略図であ
る。真空装置(重合槽)内に、ザンゾル送出部1とサン
プル巻取部2を設置1〜、平行板箱。
た内部電極型プラズマ重合装置柊の1例を示す略図であ
る。真空装置(重合槽)内に、ザンゾル送出部1とサン
プル巻取部2を設置1〜、平行板箱。
極部3,60間を、高分子支持体−1−に強磁性金属薄
膜の形成されたサンプル4を連続的に走行させてプラズ
マ重合層を形成させるようになつ【いる。
膜の形成されたサンプル4を連続的に走行させてプラズ
マ重合層を形成させるようになつ【いる。
排気[−コかも真空ポンプc +>+示せず)によって
適当な7J空度に排気しまた後に、ガス導入部から、低
分子化合物のガスAを流−318及び、?ルプ7を通っ
て適当圧で導入゛−す−で)。な」・S、・必要に応じ
て不活性ガスBを同様に流45−fi18及びノ々ルブ
をBl’!jつ−(ψ人することが1′きる。
適当な7J空度に排気しまた後に、ガス導入部から、低
分子化合物のガスAを流−318及び、?ルプ7を通っ
て適当圧で導入゛−す−で)。な」・S、・必要に応じ
て不活性ガスBを同様に流45−fi18及びノ々ルブ
をBl’!jつ−(ψ人することが1′きる。
、@合槽中の低分子化合物の圧力は、1〜io−”to
rrが好まし、く、更に好ましくは、5X10−”〜5
X10 torrである1、こね上り圧力が高いとき
け、プラズマ重合層が粉状で形成されたり形成されたプ
ラズマ1F合層の實丁1狂が1.4以下となって4j′
まし、くない33マた、プラズマ11)ハ内部の汚れが
大きく、低(・ときは’i君層のノヒ成に時間ケ赦した
り−(るので好* L−< 〕(cい。必要に応じて屋
素ガス、アルゴンガス等の不活性気体を711合槽内に
導入1−イ)こと力ζできる。
rrが好まし、く、更に好ましくは、5X10−”〜5
X10 torrである1、こね上り圧力が高いとき
け、プラズマ重合層が粉状で形成されたり形成されたプ
ラズマ1F合層の實丁1狂が1.4以下となって4j′
まし、くない33マた、プラズマ11)ハ内部の汚れが
大きく、低(・ときは’i君層のノヒ成に時間ケ赦した
り−(るので好* L−< 〕(cい。必要に応じて屋
素ガス、アルゴンガス等の不活性気体を711合槽内に
導入1−イ)こと力ζできる。
プラズマのう′6振周波数は7行に限定されるものでは
ないが、15.56Ml1zが便利である。
ないが、15.56Ml1zが便利である。
プラズマ重合層の好ましい厚みは20〜270人であり
、更に好ましくは50〜2ooXである。
、更に好ましくは50〜2ooXである。
この範囲を越灸て厚くなるとヘツlコ磁性層のスペーシ
ング損失が大きくなるし、薄くなると防蝕性が低下した
り、プラズマ重合粂件の許容範囲が狭くなって好ましく
ない。
ング損失が大きくなるし、薄くなると防蝕性が低下した
り、プラズマ重合粂件の許容範囲が狭くなって好ましく
ない。
また形成されたプラズマ重合層の密度は1.4以上が好
ましく更に好ましくは1.5以上であり、この場合、耐
久性の著しく改良されたプラズマ重合層が得られる。こ
れより密度が小さくなると耐久性が十分ではない。
ましく更に好ましくは1.5以上であり、この場合、耐
久性の著しく改良されたプラズマ重合層が得られる。こ
れより密度が小さくなると耐久性が十分ではない。
プラズマ1(金層の上に更に潤滑剤層を設けることもi
iJ能である。潤滑剤とl−では、脂肪酸、金属石けん
、脂肪(俊アミr、脂肪酸エステル、鉱油、鯨油等の動
柚物油、高級アルコール、シリコンオイル、フロロカー
ゼン類などを単独又は混合して用いることができる。
iJ能である。潤滑剤とl−では、脂肪酸、金属石けん
、脂肪(俊アミr、脂肪酸エステル、鉱油、鯨油等の動
柚物油、高級アルコール、シリコンオイル、フロロカー
ゼン類などを単独又は混合して用いることができる。
本発明に使用される高分子支持体としては、t(′□「
酸セルローズ;硝酸セルローズ;エチルセルローズ;メ
チルセルローズ;ポリアミ12;ポリメチルメタクリレ
ート;ポリテトラフルメルエチレン;ポリトリフル埼ル
エチレン;エチレン、プロピ1/ンのようなα−オレフ
ィンの重合体あるいは共重合体;塩化ビニルの重合体あ
るいは共重合体;ポリ塩化ビニリデン;ポリカーs”ネ
ート;ポリイミド;ポリエチレンプレフタレートのよう
なポリエステル類等である。
酸セルローズ;硝酸セルローズ;エチルセルローズ;メ
チルセルローズ;ポリアミ12;ポリメチルメタクリレ
ート;ポリテトラフルメルエチレン;ポリトリフル埼ル
エチレン;エチレン、プロピ1/ンのようなα−オレフ
ィンの重合体あるいは共重合体;塩化ビニルの重合体あ
るいは共重合体;ポリ塩化ビニリデン;ポリカーs”ネ
ート;ポリイミド;ポリエチレンプレフタレートのよう
なポリエステル類等である。
本発明における強磁性金属薄膜は、ペーパーデポジショ
ンあるいはメッキ法により形成される。
ンあるいはメッキ法により形成される。
ベーノξ−lポジション法とは、不活性ガスあるいは酊
素等の気体あるいは真空空間中において、膜として形成
せl−めようという物質文はその化合物を蒸気あるいは
イオン化した蒸気として発生もしくは導入させて所望の
支持体上に膜として析出させる方法で、真空蒸frζ法
、ス・ξツタリング法、イオンプレーテング法、イオン
ビームガボ′ジション法、化学気相メッキ法等がこれに
相当する。またメッキ法とは電気メッキあるいは無電解
メッキ法等の液相より支持体」二に物質を膜として形成
させ不する方法を言う。強磁性金属薄膜の林料としては
、Fe、Co、Niその他の強磁性金属あるいはこれら
の合金、さらにFe−81、F e −Rh 。
素等の気体あるいは真空空間中において、膜として形成
せl−めようという物質文はその化合物を蒸気あるいは
イオン化した蒸気として発生もしくは導入させて所望の
支持体上に膜として析出させる方法で、真空蒸frζ法
、ス・ξツタリング法、イオンプレーテング法、イオン
ビームガボ′ジション法、化学気相メッキ法等がこれに
相当する。またメッキ法とは電気メッキあるいは無電解
メッキ法等の液相より支持体」二に物質を膜として形成
させ不する方法を言う。強磁性金属薄膜の林料としては
、Fe、Co、Niその他の強磁性金属あるいはこれら
の合金、さらにFe−81、F e −Rh 。
F e −V、 F e−T i、 Co−P、 Co
−B。
−B。
Co−8i、 Co7V、Co−YSC: o−8m。
Co−Mn、 Co−N i−P、 Co −N l
−B。
−B。
Co−Cr、Co −N l −Cr、 Co −N
i−Ag。
i−Ag。
Co −N i −P dlCo −N l −Z n
SCo−Cu。
SCo−Cu。
Co −N i−Cu、 Co −W、 Co −N
l −W。
l −W。
Co−Mn−PlCo−8m−Cu、 Co−Nj−Z
n−P。
n−P。
Co−V−pr、等が用いられる。茹に好・止しくは、
強磁性薄膜はCOを50’、it%以上含有する。
強磁性薄膜はCOを50’、it%以上含有する。
本発明による磁気記録媒体の強磁性薄膜の膜片は一般に
は0.02μm〜5μm、好ましくは0.05μrn〜
11tmである。高分子支持体の1−早さは4μm〜5
0μmが好ましい。強イム性薄膜の密着同上、磁気特性
の改良のために高分子支持体上に下地層を設けてもいい
。高分子支持体の磁性層と反対側(に・々ツクコート層
を設けてもよい。
は0.02μm〜5μm、好ましくは0.05μrn〜
11tmである。高分子支持体の1−早さは4μm〜5
0μmが好ましい。強イム性薄膜の密着同上、磁気特性
の改良のために高分子支持体上に下地層を設けてもいい
。高分子支持体の磁性層と反対側(に・々ツクコート層
を設けてもよい。
磁気記録媒体の形状はテープ、シート、カーr、デスク
等いずれでも良いが、特に好ましいのはデージ形状であ
る。
等いずれでも良いが、特に好ましいのはデージ形状であ
る。
次に本発明の実施例につい−(説明するが、本発明は下
記の実h(へ例に制限されろものでは力(い。実施例中
1一部」Lよ「重社部」を示−1゜12μmJG’の7
社すエチレンテレフタレートフイルノ・の表面に、チ[
め蒸着によってCoCo−N1(N120%)磁性Mi
(膜)yloooX) を設げたものを実施例にfj
4用した。
記の実h(へ例に制限されろものでは力(い。実施例中
1一部」Lよ「重社部」を示−1゜12μmJG’の7
社すエチレンテレフタレートフイルノ・の表面に、チ[
め蒸着によってCoCo−N1(N120%)磁性Mi
(膜)yloooX) を設げたものを実施例にfj
4用した。
実施例1
第1図の装りを川L−て、<=h□=cxs2ノlスと
Arガスσ、)混合比が1 、、/ I O、重合(′
ハ内の圧力10−2torr。
Arガスσ、)混合比が1 、、/ I O、重合(′
ハ内の圧力10−2torr。
50 wattで1に極間の1)11在時間が10秒間
になるようにしてプラズマ#〔合処」■+1を行ないサ
ンプル、糸1を得た。
になるようにしてプラズマ#〔合処」■+1を行ないサ
ンプル、糸1を得た。
実施例2
第1図の装置る・用いて、CJIF” 2CIIF 2
ガスとAr)ガスの混合比が1/1G、正合槽内の圧力
8×10□3torr、50wattf電極間の滞在時
間が10秒間にブZるよ5にしてプラズマ重合処理を行
ないサンプA/A2を得た。
ガスとAr)ガスの混合比が1/1G、正合槽内の圧力
8×10□3torr、50wattf電極間の滞在時
間が10秒間にブZるよ5にしてプラズマ重合処理を行
ないサンプA/A2を得た。
実施例6
第i図の重合槽1月の1しカフ外5 X ’+ O”t
orr Kな4)ようにスチし′ンをχ「て発きせ、ス
チト′ンガス^アル11ンガスの混合比が1/8になる
J−うにニした他は丈施1く・111と171jじ条F
i’てサンプルμ6を得l、〜1、実施例4 第1し]の正合槽内の圧力が7 X 10−3t、or
r に7fるよう17t−C2H、、t!ス及びアルゴ
ンNスの混合比1/10の混合ガスを導入する他は実施
例1と1i11様に処理してダンゾルA4本で得た3、 実施例5 ″1−Ii溌間内の711)什1相間なり、下のように
変える以外は実施例1と同−条f1で行1.fつだ。
orr Kな4)ようにスチし′ンをχ「て発きせ、ス
チト′ンガス^アル11ンガスの混合比が1/8になる
J−うにニした他は丈施1く・111と171jじ条F
i’てサンプルμ6を得l、〜1、実施例4 第1し]の正合槽内の圧力が7 X 10−3t、or
r に7fるよう17t−C2H、、t!ス及びアルゴ
ンNスの混合比1/10の混合ガスを導入する他は実施
例1と1i11様に処理してダンゾルA4本で得た3、 実施例5 ″1−Ii溌間内の711)什1相間なり、下のように
変える以外は実施例1と同−条f1で行1.fつだ。
508間・・・・・・・・・サンプルA525秒間
〃 j五6 す 5(・1間 !/&7 2秒間 H扁8 1秒間 I/A? 比較例1 実施例1に於てit合層内の圧力が10−’ torr
で滞在時間が6秒間になるようにしてプラズマ重合処理
を行いサンプルA 10を得た。
〃 j五6 す 5(・1間 !/&7 2秒間 H扁8 1秒間 I/A? 比較例1 実施例1に於てit合層内の圧力が10−’ torr
で滞在時間が6秒間になるようにしてプラズマ重合処理
を行いサンプルA 10を得た。
比較例2
実施例1にに於て1)−合1す1内の圧力が5 X 1
0 torrで滞在時間が5秒間に/fるよ5Kして
プラズマ重合処理をイ″」ないサンゾル筋11を得た1
、比較例6 塩ビ酊マ共″R1合体(I−1C社製、商品名VYTH
i)0.05%MF、に台I液をCo−Ni値性1・〆
1−ヒに捻布乾燥しサンゾル筋12を紹だ。
0 torrで滞在時間が5秒間に/fるよ5Kして
プラズマ重合処理をイ″」ないサンゾル筋11を得た1
、比較例6 塩ビ酊マ共″R1合体(I−1C社製、商品名VYTH
i)0.05%MF、に台I液をCo−Ni値性1・〆
1−ヒに捻布乾燥しサンゾル筋12を紹だ。
比較例4
スヂレンブタジエン共距合体の0.5%M E K 溶
液をCo−N1(長fL層十に塗布し東、燥して41−
ンゾル扁16を間だ。
液をCo−N1(長fL層十に塗布し東、燥して41−
ンゾル扁16を間だ。
」−記サンプルを用いて以下の試験な行ない防蝕性及び
耐久性の効果を調べた1、 結果を第1人に示す。
耐久性の効果を調べた1、 結果を第1人に示す。
防蝕性試験は、60U、80%RHのズY囲気で7日間
さら1〜た8のち、目JINで判定した3、耐久性試験
は1/2インチにスリットしたのち、家庭用ビーrオデ
ーゾレコーダー(ビクター製3600 )でスプール耐
久時間(分)を測定温度は、23tT65ツfo RI
−1,。
さら1〜た8のち、目JINで判定した3、耐久性試験
は1/2インチにスリットしたのち、家庭用ビーrオデ
ーゾレコーダー(ビクター製3600 )でスプール耐
久時間(分)を測定温度は、23tT65ツfo RI
−1,。
)♀みの測足は水晶発振子で行ない、畢合II、j間で
111一定1〜ブこ。
111一定1〜ブこ。
これらの結果を見ると不発明によっていがしこ防蝕(’
l及び耐久性良好でかつスペーシング損失の少l(い超
薄層の保箇i曽であ7.)が明らかである。
l及び耐久性良好でかつスペーシング損失の少l(い超
薄層の保箇i曽であ7.)が明らかである。
第1し1は内部市杉壓プラズマAI合装名′でキ、る。
1: −t+−7−f 、/1.送出部 2ニ一リンゾ
ル巻取部3:平行板fR’、 1tすkPil)4 :
ダンゾル5:ガス導入部 6:刊気口 7:パルプ 8:流墓i−1
ル巻取部3:平行板fR’、 1tすkPil)4 :
ダンゾル5:ガス導入部 6:刊気口 7:パルプ 8:流墓i−1
Claims (1)
- 強磁性金属薄膜を有する高分子支持体の金属薄膜−にに
、密度1.4以」二で厚さ20へ一27DXのプラズマ
重合層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58027808A JPS59154641A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58027808A JPS59154641A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59154641A true JPS59154641A (ja) | 1984-09-03 |
JPH0479066B2 JPH0479066B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=12231273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58027808A Granted JPS59154641A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59154641A (ja) |
Cited By (10)
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-
1983
- 1983-02-23 JP JP58027808A patent/JPS59154641A/ja active Granted
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KR101013241B1 (ko) | 2002-10-22 | 2011-02-08 | 테트라 라발 홀딩스 앤드 피낭스 소시에떼아노님 | 용기 검사 방법 및 용기 검사 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0479066B2 (ja) | 1992-12-14 |
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