JPS6122430A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6122430A JPS6122430A JP14132084A JP14132084A JPS6122430A JP S6122430 A JPS6122430 A JP S6122430A JP 14132084 A JP14132084 A JP 14132084A JP 14132084 A JP14132084 A JP 14132084A JP S6122430 A JPS6122430 A JP S6122430A
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- plasma
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- recording medium
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野および発明の目的〕
この発明社強磁性廟を磁気記録層とする磁気記録媒体の
製造方法に関し、その目的とするところ社、耐久性およ
び耐食性に優れ、しかも生肱性の良い磁気記録媒体の製
造方法を提供することにある。
製造方法に関し、その目的とするところ社、耐久性およ
び耐食性に優れ、しかも生肱性の良い磁気記録媒体の製
造方法を提供することにある。
強磁性層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通常、金
属もしくはそれらの合金などを真璧蒸着等によって基体
フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に適゛した
特性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きく
て摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受
けて最大磁束密度など−の磁気特性が劣化するなどの離
点がある。
属もしくはそれらの合金などを真璧蒸着等によって基体
フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に適゛した
特性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きく
て摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受
けて最大磁束密度など−の磁気特性が劣化するなどの離
点がある。
このため、従来から強磁性層上Ｋｇ々の保護層を設ける
などして耐久性を改善することが行われている。たとえ
ば、第４図に示すようなプラズマ処理装置を使用して、
強磁性層上にプラズマ保護層を形成していた。すなわち
、表面に強磁性層を形成したフィルム状の基体１を巻き
取った原反ロール３を真空槽２の所定位置にセットする
。そして基体１を原反ロール３からガイドロール４を介
して円筒状キャン５の周９Ｉ１１面に沿って巻掛け、さ
らに刈イドロール６を介して巻き取υロール７に巻き取
るようにセットする。真空槽２内を排気装置８によシ所
定の真空度に保持するとともに、真空槽２に取９つけた
ガス導入管９から有機化合物のモノマーガスを導入し、
高周波電源１０で電極１１１Ｃ高周波を印加してプラズ
マ重合し、強磁性層表面に有機化合物のプラズマ重合保
護層を設けることが行われている。
などして耐久性を改善することが行われている。たとえ
ば、第４図に示すようなプラズマ処理装置を使用して、
強磁性層上にプラズマ保護層を形成していた。すなわち
、表面に強磁性層を形成したフィルム状の基体１を巻き
取った原反ロール３を真空槽２の所定位置にセットする
。そして基体１を原反ロール３からガイドロール４を介
して円筒状キャン５の周９Ｉ１１面に沿って巻掛け、さ
らに刈イドロール６を介して巻き取υロール７に巻き取
るようにセットする。真空槽２内を排気装置８によシ所
定の真空度に保持するとともに、真空槽２に取９つけた
ガス導入管９から有機化合物のモノマーガスを導入し、
高周波電源１０で電極１１１Ｃ高周波を印加してプラズ
マ重合し、強磁性層表面に有機化合物のプラズマ重合保
護層を設けることが行われている。
ところが、この方法では、真空槽内に存在させる有機化
合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速くす
れば比較的低い架橋密度でプラズマ重合されて硬い保護
層が得られない。耐摩耗性を改善するため高周波出力を
高くしモノマーガスの使用量を少なくすると、重合物の
析出速度が低下して生産性を悪くする。このようなこと
から、真空槽内の有機化合物のモノマーガスのガス圧を
それほど低くできず、また高周波出力もそれほど高くで
きないため、いまひとつ表面が充分に緻密で硬いプラズ
マ泗０合保護膚が得られず、未だ耐久性および耐食性が
充分に良好なものは得られていない。
合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速くす
れば比較的低い架橋密度でプラズマ重合されて硬い保護
層が得られない。耐摩耗性を改善するため高周波出力を
高くしモノマーガスの使用量を少なくすると、重合物の
析出速度が低下して生産性を悪くする。このようなこと
から、真空槽内の有機化合物のモノマーガスのガス圧を
それほど低くできず、また高周波出力もそれほど高くで
きないため、いまひとつ表面が充分に緻密で硬いプラズ
マ泗０合保護膚が得られず、未だ耐久性および耐食性が
充分に良好なものは得られていない。
さらに高周波電源１０によってプラズマを発生させる際
、プラズマ発生電極用１１とキャン５の間の他にプラズ
マ発生用電極１１と真空槽２との間でもプラズマが発生
し、その結果、プラズマ重合保護層を効率よ（作ること
ができない。
、プラズマ発生電極用１１とキャン５の間の他にプラズ
マ発生用電極１１と真空槽２との間でもプラズマが発生
し、その結果、プラズマ重合保護層を効率よ（作ること
ができない。
本発明は、有機化合物のモノマーガスの存在下において
プラズマを発生させた電極間に、表面に強磁性層を設け
た基体を通過させて、前記強磁性層上にプラズマ重合物
からなる保膜層を形成子る磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記電極間に磁界を印加して前記強磁性層近傍の
プラズマ密度を高めたことを特徴とするものである。
プラズマを発生させた電極間に、表面に強磁性層を設け
た基体を通過させて、前記強磁性層上にプラズマ重合物
からなる保膜層を形成子る磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記電極間に磁界を印加して前記強磁性層近傍の
プラズマ密度を高めたことを特徴とするものである。
基体上の強磁性層は、Ｆｅ粉末、ＣＯ粉末、Ｆｅ −Ｎ
１粉末などの金属磁性粉末を、結合剤および有機溶剤等
とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、Ｃｏ
１Ｆｅ 、 Ｎｌ 、 Ｃｏ −Ｎｉ合金、ｃ、−ｃ、
合金、Ｃｏ −Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐなどの強磁性材
を、真空蒸着、イオングレーティング、スパッタリング
、メッキ等の手段によって形成される。
１粉末などの金属磁性粉末を、結合剤および有機溶剤等
とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、Ｃｏ
１Ｆｅ 、 Ｎｌ 、 Ｃｏ −Ｎｉ合金、ｃ、−ｃ、
合金、Ｃｏ −Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐなどの強磁性材
を、真空蒸着、イオングレーティング、スパッタリング
、メッキ等の手段によって形成される。
プラズマ重合に用いられるモノマーカストシテは、たと
えば、Ｃ！ｌＩ’、 、 Ｃ５Ｆａ等のフッ素系有機化
合物のモノマーガス、プロパン、エチレン、プロピレン
等の炭化水素系化合物のモノマーガスおよびテトラメチ
ルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキ
サメチルジシラザン等のケイ素系有機化合物のモノマー
ガス等が好ましく使用される。
えば、Ｃ！ｌＩ’、 、 Ｃ５Ｆａ等のフッ素系有機化
合物のモノマーガス、プロパン、エチレン、プロピレン
等の炭化水素系化合物のモノマーガスおよびテトラメチ
ルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキ
サメチルジシラザン等のケイ素系有機化合物のモノマー
ガス等が好ましく使用される。
これらの有機化合物のモノマーガスは、後述するプラズ
マ発生用電極の高周波の印加によってプラズマ重合が行
われると、ラジカルが生成され、この生成されたラジカ
ルが反応し重合して被膜となる。このようなプラズマ重
合の際のラジカルはこれらの有機化合物が二重結合また
は三重結合を有していたシ、また末端に金属元素を有す
る金属塩化合物であるかあるいはＯＨ基等の官能基を有
しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合、金
属元素および官能基等を有するものがよシ好ましく使用
される。またこれらのモノマーカスをプラズマ重合する
際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等のキ
ャリアガスな併存させるとモノマーガスを単独でプラズ
マ重合する場合に比べて３〜５倍の速度で析出されるた
め、これらのキャリアガスを併存させて行うのが好まし
い。
マ発生用電極の高周波の印加によってプラズマ重合が行
われると、ラジカルが生成され、この生成されたラジカ
ルが反応し重合して被膜となる。このようなプラズマ重
合の際のラジカルはこれらの有機化合物が二重結合また
は三重結合を有していたシ、また末端に金属元素を有す
る金属塩化合物であるかあるいはＯＨ基等の官能基を有
しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合、金
属元素および官能基等を有するものがよシ好ましく使用
される。またこれらのモノマーカスをプラズマ重合する
際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等のキ
ャリアガスな併存させるとモノマーガスを単独でプラズ
マ重合する場合に比べて３〜５倍の速度で析出されるた
め、これらのキャリアガスを併存させて行うのが好まし
い。
これらのキャリアガスと併存させる際、その組成割合は
キャリアガス対前記有機化合物のモノマーガスの比にし
て１対１〜２０対１の範囲内で併存させるのが好ましく
、キャリアガスが少なすぎると析出速度が低下し、多す
ぎるとモノマーガスが少なぐなってプラズマ重合反応に
支障をきたす。
キャリアガス対前記有機化合物のモノマーガスの比にし
て１対１〜２０対１の範囲内で併存させるのが好ましく
、キャリアガスが少なすぎると析出速度が低下し、多す
ぎるとモノマーガスが少なぐなってプラズマ重合反応に
支障をきたす。
なお、炭化水素系化合物のモノマーガスを使用するとき
は、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応
が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用する
のは好ましくない。
は、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応
が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用する
のは好ましくない。
プラズマ重合保護層の膜厚は、２０〜１０００λの範囲
内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護層
による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとス
ペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影
響を及ぼす。
内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護層
による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとス
ペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影
響を及ぼす。
磁気記録媒体としては、ポリエステ／Ｖフィルム、ポリ
イミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁
気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガ
ラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気ディス
クや磁気ドラムなど種々の形態のものがある。
イミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁
気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガ
ラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気ディス
クや磁気ドラムなど種々の形態のものがある。
次に本発明の実施例について図とともに説明する。第１
図は、本発明の第１実施例に係るプラズマ処理装置の概
略断面図である。
図は、本発明の第１実施例に係るプラズマ処理装置の概
略断面図である。
この装置において、真空槽２内に原反ロール３゜ガイド
ロール４，６２円筒状キャン５１巻き取ジロー／Ｌ／７
ならびにプラズマ発生用電極１１を配置し、排気装置８
．ガス導入管９ならびに高周波電源１０を付設した点は
、従来のプラズマ処理装置と同様である。
ロール４，６２円筒状キャン５１巻き取ジロー／Ｌ／７
ならびにプラズマ発生用電極１１を配置し、排気装置８
．ガス導入管９ならびに高周波電源１０を付設した点は
、従来のプラズマ処理装置と同様である。
この実施例の場合、前記キャン５の内側に筒状の永久磁
石などの磁石１２が設けられ、キャン５と一体に回転す
るようになっている。磁石１２は外周側がＳ極、内周側
がＮ極になって（・る。また、キャン５の周側面と対向
するように配置されて（するプラズマ発生用電極１１の
下面には永久磁石などの磁石１３が取シ付けられ、図に
示す如く前、記磁石１２と対向する側がＮ極になってい
る。
石などの磁石１２が設けられ、キャン５と一体に回転す
るようになっている。磁石１２は外周側がＳ極、内周側
がＮ極になって（・る。また、キャン５の周側面と対向
するように配置されて（するプラズマ発生用電極１１の
下面には永久磁石などの磁石１３が取シ付けられ、図に
示す如く前、記磁石１２と対向する側がＮ極になってい
る。
高周波電源１０によってプラズマ発生用′醒極１１に高
周波出力を印加すると、それとキャン５との間ならびに
プラズマ発生用電極１１と真空槽２との間にプラズマが
発生することになるが、磁石１２゜１３とによってキャ
ン５とプラズマ発生用電極１１との間に形成される磁界
によって前述のプラズマが影響−を受け、その結果、プ
ラズマ発生用電極１１と真空槽２との間にはほとんどプ
ラズマは発生せず、プラズマの発生はプラズマ発生用電
極１１とキャン５の間に集中して起こるようになる。し
かも磁石１２のＳ極付近、換言すれば基体１０強磁性層
の付近にプラズマが集束され、プラズマ密度が一段と高
くなる。このようなことから、強磁性Ｊ−上でのプラズ
マ重合物の析出速度は従来の１０〜２０倍程度となるか
ら、同一量のプラズマ重合物を析出させる場合には基体
１０走行速度を１０〜２０倍速めることが可能となる。
周波出力を印加すると、それとキャン５との間ならびに
プラズマ発生用電極１１と真空槽２との間にプラズマが
発生することになるが、磁石１２゜１３とによってキャ
ン５とプラズマ発生用電極１１との間に形成される磁界
によって前述のプラズマが影響−を受け、その結果、プ
ラズマ発生用電極１１と真空槽２との間にはほとんどプ
ラズマは発生せず、プラズマの発生はプラズマ発生用電
極１１とキャン５の間に集中して起こるようになる。し
かも磁石１２のＳ極付近、換言すれば基体１０強磁性層
の付近にプラズマが集束され、プラズマ密度が一段と高
くなる。このようなことから、強磁性Ｊ−上でのプラズ
マ重合物の析出速度は従来の１０〜２０倍程度となるか
ら、同一量のプラズマ重合物を析出させる場合には基体
１０走行速度を１０〜２０倍速めることが可能となる。
なお、キャン５表面付近に形成される磁界の強さは、３
０ガウス以上が適当である。
０ガウス以上が適当である。
次に磁気記録媒体の具体的な製造について説明する。
厚さ１０μｍのポリエチレンフィルムからなる基体１を
真空蒸着装置に装着し、酸素ガス圧５×１０１１トール
の残留ガス圧の下でコバルトを加熱蒸発させて、基体１
上に１０００λの膜厚を有する強磁性層１４を形成する
（第２図参照）。
真空蒸着装置に装着し、酸素ガス圧５×１０１１トール
の残留ガス圧の下でコバルトを加熱蒸発させて、基体１
上に１０００λの膜厚を有する強磁性層１４を形成する
（第２図参照）。
これを巻き取った原反３を第１図に示す如くプラズマ処
理装置にセットし、基体１を５ｍ／分の速度で走行させ
ながら、ガス導入管９からテトラメチルシランのモノマ
ーガスを１０１００５ｅの流量で導入し、その方ス圧を
０．０５トールとして、高周波出力Ｑ 、 ４ ｗ ／
ｃｍ”でプラズマ１合を行ない、第２図に示すように
強磁性層１４の表面にプラズマ重合からなる保護層１５
を形成した。なおこのときのキャン５とプラズマ発生用
電極１１にそれぞれ付設した磁石１２．１３により磁界
の強度は５０ガウスであった。
理装置にセットし、基体１を５ｍ／分の速度で走行させ
ながら、ガス導入管９からテトラメチルシランのモノマ
ーガスを１０１００５ｅの流量で導入し、その方ス圧を
０．０５トールとして、高周波出力Ｑ 、 ４ ｗ ／
ｃｍ”でプラズマ１合を行ない、第２図に示すように
強磁性層１４の表面にプラズマ重合からなる保護層１５
を形成した。なおこのときのキャン５とプラズマ発生用
電極１１にそれぞれ付設した磁石１２．１３により磁界
の強度は５０ガウスであった。
しかるのち基体１をプラズマ処理装置から取り出し、所
定の巾に裁断して磁気テープを作った。
定の巾に裁断して磁気テープを作った。
第２図はこの磁気チーブの拡大断面図で、基体１上に強
磁性層１４ならびにプラズマ重合物からなる保護層１５
が積層状態に形成されている。
磁性層１４ならびにプラズマ重合物からなる保護層１５
が積層状態に形成されている。
前述の磁石１２．１３を除去して、他の条件はこの実施
例１と同じにして比較用の磁気テープを作った。
例１と同じにして比較用の磁気テープを作った。
両方の磁気テープの断面写真から保護層の厚みを測定し
て、プラズマ重合物の析出速度を算出し、さらに保護層
の摩擦係数を測定し、耐摩耗性を試験した。なお、耐摩
耗試験は摺動試験機を用いて得られた磁気テープを摺動
試験し、強磁性層表面が傷つくまでの摺動回数を測定し
た。これらの結果を次の表に示す。
て、プラズマ重合物の析出速度を算出し、さらに保護層
の摩擦係数を測定し、耐摩耗性を試験した。なお、耐摩
耗試験は摺動試験機を用いて得られた磁気テープを摺動
試験し、強磁性層表面が傷つくまでの摺動回数を測定し
た。これらの結果を次の表に示す。
表
第３図は、本発明の第２実施例に係るプラズマ処理装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
このプラズマ処理装置において第１図に示すものと相違
する点は、キャン５の内側に配置されている断面扇形の
磁石１２が固定式であることと、プラズマ発生用電極１
１の下面に付設される磁石１３の前記磁石１２と対向す
る側がＳ極になっている点である。
する点は、キャン５の内側に配置されている断面扇形の
磁石１２が固定式であることと、プラズマ発生用電極１
１の下面に付設される磁石１３の前記磁石１２と対向す
る側がＳ極になっている点である。
本発明は前述のような構成になっておシ、プラス１１合
保龜層による耐久性、耐食性などの優れた特性を減退す
ることなく、プラズマ１合物の析出速度を１０〜２０倍
速めることができ、生産性の向上が図れる。
保龜層による耐久性、耐食性などの優れた特性を減退す
ることなく、プラズマ１合物の析出速度を１０〜２０倍
速めることができ、生産性の向上が図れる。
第１図お、よび第３図は本発明の実施例に係るプラズマ
処理装置の概略断面図、第２図は本発明の実施例によっ
て得られた磁気テープの拡大断面図、第４図は従米のプ
ラズマ処理装置の概略断面図である。 １・・・・・・基体、５・・・・・・円筒状キャン、１
１・・・・・・プラズマ発生用電極、１２．１３・・曲
磁石、１４・・曲強磁性層、１５・・・・・・プラズマ
重合保護層。 第１図 ８ 第２図 １５・・・プラズマ會硼層 第３図
処理装置の概略断面図、第２図は本発明の実施例によっ
て得られた磁気テープの拡大断面図、第４図は従米のプ
ラズマ処理装置の概略断面図である。 １・・・・・・基体、５・・・・・・円筒状キャン、１
１・・・・・・プラズマ発生用電極、１２．１３・・曲
磁石、１４・・曲強磁性層、１５・・・・・・プラズマ
重合保護層。 第１図 ８ 第２図 １５・・・プラズマ會硼層 第３図
Claims (2)
- （１）有機化合物のモノマーガスの存在下においてプラ
ズマを発生させた電極間に、表面に強磁性層を設けた基
体を通過させて、前記強磁性層上にプラズマ重合物から
なる保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法において
、前記電極間に磁界を印加して前記強磁性層近傍のプラ
ズマ密度を高めたことを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - （２）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記強
磁性層の近傍がＳ極側になるように磁界が形成されてい
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132084A JPS6122430A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132084A JPS6122430A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122430A true JPS6122430A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15289171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14132084A Pending JPS6122430A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394483A1 (en) * | 1988-10-20 | 1990-10-31 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of working a plate in a plasma cutting machine and plasma torch |
| WO2004104262A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14132084A patent/JPS6122430A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394483A1 (en) * | 1988-10-20 | 1990-10-31 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of working a plate in a plasma cutting machine and plasma torch |
| US5202544A (en) * | 1988-10-20 | 1993-04-13 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of machining plate materials with a plasma cutter and plasma torch |
| WO2004104262A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Shinmaywa Industries, Ltd. | 成膜装置及び成膜方法 |
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