JPS61214137A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61214137A JPS61214137A JP5537085A JP5537085A JPS61214137A JP S61214137 A JPS61214137 A JP S61214137A JP 5537085 A JP5537085 A JP 5537085A JP 5537085 A JP5537085 A JP 5537085A JP S61214137 A JPS61214137 A JP S61214137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- protective film
- film layer
- magnetic layer
- magnetic
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- Pending
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳し
くは、耐久性および耐食性に優れた磁気記録媒体の製造
方法に関する。
くは、耐久性および耐食性に優れた磁気記録媒体の製造
方法に関する。
金属磁性材を記録素子として使用する磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などからなる強磁性金
属薄膜層を真空蒸着等によって基体フィルム上に被着す
るか、あるいは強磁性金属粉末を結合剤樹脂とともに基
体上に塗布、乾燥してつくられ、高密度記録に通した特
性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて
摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受け
て最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどの難点が
ある。
通常、金属もしくはそれらの合金などからなる強磁性金
属薄膜層を真空蒸着等によって基体フィルム上に被着す
るか、あるいは強磁性金属粉末を結合剤樹脂とともに基
体上に塗布、乾燥してつくられ、高密度記録に通した特
性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて
摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受け
て最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどの難点が
ある。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐久性および耐食性を改善することが行われて
おり、近年、たとえば、オクタメチルシクロテトラシロ
キサンのモノマーガスをキャリアガスの窒素ガスととも
に使用し、プラズマ重合して、有機ケイ素化合物のプラ
ズマ重合保護膜層を磁性層上に設けること〔飯島哲生、
花房賢明、電気通信学会論文誌、Ｊ６７−Ｃ，Ｎｏｌ
（“８４）〕や、金属のスパッタリングとフッ化カーボ
ン系のモノマーガスのプラズマ重合を同時に行い、金属
を含むフッ化カーボンのプラズマ重合保護膜層を磁性層
上に設けること（特開昭５８−８８８２９号）などが提
案されている。
などして耐久性および耐食性を改善することが行われて
おり、近年、たとえば、オクタメチルシクロテトラシロ
キサンのモノマーガスをキャリアガスの窒素ガスととも
に使用し、プラズマ重合して、有機ケイ素化合物のプラ
ズマ重合保護膜層を磁性層上に設けること〔飯島哲生、
花房賢明、電気通信学会論文誌、Ｊ６７−Ｃ，Ｎｏｌ
（“８４）〕や、金属のスパッタリングとフッ化カーボ
ン系のモノマーガスのプラズマ重合を同時に行い、金属
を含むフッ化カーボンのプラズマ重合保護膜層を磁性層
上に設けること（特開昭５８−８８８２９号）などが提
案されている。
ところが、この種の有機ケイ素化合物のプラズマ重合保
護膜層では、酸素や窒素原子含有量を抑制するのが困難
で、耐摩耗性や耐食性においていまひとつ不充分であり
、磁気ヘッドとの摺接によって比較的短時間で保護膜層
が剥離、破壊したり、空気や水分を容易に透過し、高温
多湿の条件下では保護膜層下の磁性層が比較的短時間で
腐食したりする。また、金属を同時にスパッタリングす
る方法では金属の含有量の抑制が難しく、耐久性や耐食
性が不充分なことや、高速成膜することが比較的困難で
生産性の面で欠点がある。
護膜層では、酸素や窒素原子含有量を抑制するのが困難
で、耐摩耗性や耐食性においていまひとつ不充分であり
、磁気ヘッドとの摺接によって比較的短時間で保護膜層
が剥離、破壊したり、空気や水分を容易に透過し、高温
多湿の条件下では保護膜層下の磁性層が比較的短時間で
腐食したりする。また、金属を同時にスパッタリングす
る方法では金属の含有量の抑制が難しく、耐久性や耐食
性が不充分なことや、高速成膜することが比較的困難で
生産性の面で欠点がある。
この発明はかかる現状に鑑み種々検針を行った結果なさ
れたもので、まず、磁性層を形成した後、この磁性層を
、有機化合物の七ツマーガス中にさらしてプラズマ重合
を行うと同時に、金属をイオンプレーティングすること
によって、金属を含むプラズマ重合保護膜層を磁性層上
に形成し、成膜時における金属イオンの衝撃により１．
磁性層との接着性を改善するとともに、架橋密度のより
高いプラズマ重合保護膜層を磁性層上に強固に被着形成
して耐久性および耐食性を充分に改善したものである。
れたもので、まず、磁性層を形成した後、この磁性層を
、有機化合物の七ツマーガス中にさらしてプラズマ重合
を行うと同時に、金属をイオンプレーティングすること
によって、金属を含むプラズマ重合保護膜層を磁性層上
に形成し、成膜時における金属イオンの衝撃により１．
磁性層との接着性を改善するとともに、架橋密度のより
高いプラズマ重合保護膜層を磁性層上に強固に被着形成
して耐久性および耐食性を充分に改善したものである。
この発明において、磁性層上への金属を含むプラズマ重
合保護膜層の形成は、処理槽内で、有機化合物のモノマ
ーガスを高周波によりプラズマ重合させると同時に、蒸
発金属を高周波によりイオン化して蒸着することによっ
て行われる。
合保護膜層の形成は、処理槽内で、有機化合物のモノマ
ーガスを高周波によりプラズマ重合させると同時に、蒸
発金属を高周波によりイオン化して蒸着することによっ
て行われる。
このようなプラズマ重合保護膜層中に含まれる金属とし
ては、コバルト、ニッケル、アルミニウム、銅、タング
ステン、クロム、チタン、タンタル等の金属もしくはこ
れらの合金が好ましく使用され、これらの金属はプラズ
マ重合と同時に高周波によりイオンプレーティングされ
てプラズマ重合保護膜層中に含有される。プラズマ重合
保護膜層中におけるこれらの金属の含有割合は、０．１
〜２０重量％の範囲内であることが好ましく、少なすぎ
ると所期の効果が得られず、２０重量％より含有割合を
多くする成膜条件にするとプラズマ重合が停止する。
ては、コバルト、ニッケル、アルミニウム、銅、タング
ステン、クロム、チタン、タンタル等の金属もしくはこ
れらの合金が好ましく使用され、これらの金属はプラズ
マ重合と同時に高周波によりイオンプレーティングされ
てプラズマ重合保護膜層中に含有される。プラズマ重合
保護膜層中におけるこれらの金属の含有割合は、０．１
〜２０重量％の範囲内であることが好ましく、少なすぎ
ると所期の効果が得られず、２０重量％より含有割合を
多くする成膜条件にするとプラズマ重合が停止する。
また、プラズマ重合保護膜層を形成するのに使用するモ
ノマーガスとしては、たとえば、Ｃ２Ｆ＋ 、ｃ３Ｆ６
等のフッ素系有機化合物のモノマーガス、プロパン、エ
チレン、プロピレン等の炭化水素系化合物のモノマーガ
ス、およびテトラメチルシラン、オクタメチルシクロテ
トラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン等の有機ケイ
素化合物の七ツマーガス等が好ましく使用され、これら
の有機化合物のモノマーガスは、高周波によりラジカル
が生成され、この生成されたラジカルが反応し重合して
被膜となる。またこれらのモノマーガスをプラズマ重合
する際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等
のキャリアガスを併存させるとモノマーガスを単独でプ
ラズマ重合する場合に比べて３〜５倍の速度で析出され
るため、これらのキャリアガスを併存させて行うのが好
ましい。これらのキャリアガスと併存させる際、その組
成割合はキャリアガス対前記有機化合物のモノマーガス
の比にして１対１〜２０対１の範囲内で併存させるのが
好ましく、キャリアガスが少なすぎると析出速度が低下
し、多すぎるとモノマーガスが少なくなってプラズマ重
合反応に支障をきたす。
ノマーガスとしては、たとえば、Ｃ２Ｆ＋ 、ｃ３Ｆ６
等のフッ素系有機化合物のモノマーガス、プロパン、エ
チレン、プロピレン等の炭化水素系化合物のモノマーガ
ス、およびテトラメチルシラン、オクタメチルシクロテ
トラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン等の有機ケイ
素化合物の七ツマーガス等が好ましく使用され、これら
の有機化合物のモノマーガスは、高周波によりラジカル
が生成され、この生成されたラジカルが反応し重合して
被膜となる。またこれらのモノマーガスをプラズマ重合
する際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等
のキャリアガスを併存させるとモノマーガスを単独でプ
ラズマ重合する場合に比べて３〜５倍の速度で析出され
るため、これらのキャリアガスを併存させて行うのが好
ましい。これらのキャリアガスと併存させる際、その組
成割合はキャリアガス対前記有機化合物のモノマーガス
の比にして１対１〜２０対１の範囲内で併存させるのが
好ましく、キャリアガスが少なすぎると析出速度が低下
し、多すぎるとモノマーガスが少なくなってプラズマ重
合反応に支障をきたす。
このようなプラズマ重合を前記の金属のイオンプレーテ
ィングと同時に行う場合のガス圧および高周波の電力は
、プラズマ重合に限っては、ガス圧が高くなるほどプラ
ズマ重合保護膜層の析出速度が速くなる反面上ツマーガ
スが比較的低架橋度でプラズマ重合されて硬い保護膜層
が得られず、またガス圧を低（して高周波電力を高くす
ると析出速度が遅くなる反面高架橋化された比較的硬い
保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波電力を
高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプラ
ズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を０．０
０１〜０．１トールの範囲内とし、高周波電力を０．０
３〜ｌ Ｗ ／ ｃｄの範囲内とするのが好ましく、ガ
ス圧を０．００１〜０．０５トールとし、高周波電力を
０．０５〜０．５Ｗ／ｃ＋ｊの範囲内とするのがより好
ましい。ところが、金属のイオンプレーティングの場合
はガス圧を１０−２から１Ｏ−５）−ルにするのが好ま
しい。それで、イオンプレーティングがプラズマ重合と
同時に良好に行えるようにガス圧を１ｘｉｏ−２からｌ
Ｘｌ０”）−ルの範囲内とし、高周波電力を０．０３〜
Ｉ Ｗ／ａｊの範囲内とするのが好ましく、ガス圧を５
ｘｔｏ−ｚから１×１Ｏ−５）−ルとし、高周波電力を
０．０５〜０．５ Ｗ／−の範囲内とするのがより好ま
しい。このようにしてプラズマ重合および金属のイオン
プレーティングを同時に行うことによって析出形成され
る金属を含んだプラズマ重合保護膜層は金属磁性材を記
録素子とする磁性層との接着性に優れるとともに、成膜
時に金属イオンによってたたかれるため架橋密度が高（
なり、比較的硬くかつ緻密で摩擦係数も小さく、従って
この種の金属を含む有機化合物のプラズマ重合保護膜層
が形成されると耐摩耗性および耐食性が一段と向上する
。このような金属を含む有機化合物のプラズマ重合保護
膜層の膜厚は、２０〜１０００人の範囲内であることが
好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐久性
および耐食性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとス
ペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影
響を及ぼす。
ィングと同時に行う場合のガス圧および高周波の電力は
、プラズマ重合に限っては、ガス圧が高くなるほどプラ
ズマ重合保護膜層の析出速度が速くなる反面上ツマーガ
スが比較的低架橋度でプラズマ重合されて硬い保護膜層
が得られず、またガス圧を低（して高周波電力を高くす
ると析出速度が遅くなる反面高架橋化された比較的硬い
保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波電力を
高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプラ
ズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を０．０
０１〜０．１トールの範囲内とし、高周波電力を０．０
３〜ｌ Ｗ ／ ｃｄの範囲内とするのが好ましく、ガ
ス圧を０．００１〜０．０５トールとし、高周波電力を
０．０５〜０．５Ｗ／ｃ＋ｊの範囲内とするのがより好
ましい。ところが、金属のイオンプレーティングの場合
はガス圧を１０−２から１Ｏ−５）−ルにするのが好ま
しい。それで、イオンプレーティングがプラズマ重合と
同時に良好に行えるようにガス圧を１ｘｉｏ−２からｌ
Ｘｌ０”）−ルの範囲内とし、高周波電力を０．０３〜
Ｉ Ｗ／ａｊの範囲内とするのが好ましく、ガス圧を５
ｘｔｏ−ｚから１×１Ｏ−５）−ルとし、高周波電力を
０．０５〜０．５ Ｗ／−の範囲内とするのがより好ま
しい。このようにしてプラズマ重合および金属のイオン
プレーティングを同時に行うことによって析出形成され
る金属を含んだプラズマ重合保護膜層は金属磁性材を記
録素子とする磁性層との接着性に優れるとともに、成膜
時に金属イオンによってたたかれるため架橋密度が高（
なり、比較的硬くかつ緻密で摩擦係数も小さく、従って
この種の金属を含む有機化合物のプラズマ重合保護膜層
が形成されると耐摩耗性および耐食性が一段と向上する
。このような金属を含む有機化合物のプラズマ重合保護
膜層の膜厚は、２０〜１０００人の範囲内であることが
好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護膜層による耐久性
および耐食性の効果が充分に発揮されず、厚すぎるとス
ペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪影
響を及ぼす。
金属磁性材を記録素子とする磁性層は、Ｆｅ粉末、ＣＯ
粉末、Ｆ ｅ −Ｎ ｆ粉末などの金属磁性粉末を結合
剤成分および有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥す
るか、あるいは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ合金、
Ｇｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−Ｐ合金、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ合金な
どの強磁性材を、真空蒸着、イオンプレーティング、ス
パッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被着す
るなどの方法で形成される。
粉末、Ｆ ｅ −Ｎ ｆ粉末などの金属磁性粉末を結合
剤成分および有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥す
るか、あるいは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ合金、
Ｇｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−Ｐ合金、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ合金な
どの強磁性材を、真空蒸着、イオンプレーティング、ス
パッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被着す
るなどの方法で形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、１×１０−５トールの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、
第１図に示す処理装置を使用し、強磁性金属薄膜層を形
成したポリエステルフィルム１を処理槽２内の原反ロー
ル３からガイドロール４を介して円筒状キャン５の周側
面に沿って移動させ、ガイドロール６を介して巻き取り
ロール７に巻き取るようにセットした。次いで、処理槽
２に取りつけたガス導入管８から０２Ｆ４の七ツマーガ
スを５９ｓｅｃｍの流量で導入し、ガス圧を５Ｘ１０−
５トールとした。これと同時に蒸発源９からコバルトを
加熱蒸発させ、ポリエステルフィルム１を送り速度２ｍ
／ｍｉｎで走行させながら高周波コイル１０に２００Ｗ
の高周波を印加しプラズマ重合と同時にイオンプレーテ
ィングを行いコバルトを含むプラズマ重合保護膜層を形
成した。このときプラズマ重合保護膜層の厚みは１２０
人でコバルトの含有率は５重量％であった。しかる後、
所定の巾に裁断して第２図に示すようなポリエステルフ
ィルム１上に強磁性金属薄膜１１３およびコバルトを含
むプラズマ重合保護膜層１４を順次に積層形成した磁気
テープＡをつ（った。なお、図中１１は処理槽２内を減
圧するための排気系であり、１２は高周波コイル１０に
高周波を印加するための高周波電源である。
填し、１×１０−５トールの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、
第１図に示す処理装置を使用し、強磁性金属薄膜層を形
成したポリエステルフィルム１を処理槽２内の原反ロー
ル３からガイドロール４を介して円筒状キャン５の周側
面に沿って移動させ、ガイドロール６を介して巻き取り
ロール７に巻き取るようにセットした。次いで、処理槽
２に取りつけたガス導入管８から０２Ｆ４の七ツマーガ
スを５９ｓｅｃｍの流量で導入し、ガス圧を５Ｘ１０−
５トールとした。これと同時に蒸発源９からコバルトを
加熱蒸発させ、ポリエステルフィルム１を送り速度２ｍ
／ｍｉｎで走行させながら高周波コイル１０に２００Ｗ
の高周波を印加しプラズマ重合と同時にイオンプレーテ
ィングを行いコバルトを含むプラズマ重合保護膜層を形
成した。このときプラズマ重合保護膜層の厚みは１２０
人でコバルトの含有率は５重量％であった。しかる後、
所定の巾に裁断して第２図に示すようなポリエステルフ
ィルム１上に強磁性金属薄膜１１３およびコバルトを含
むプラズマ重合保護膜層１４を順次に積層形成した磁気
テープＡをつ（った。なお、図中１１は処理槽２内を減
圧するための排気系であり、１２は高周波コイル１０に
高周波を印加するための高周波電源である。
実施例２
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、ｃ２Ｆ４のモノマーガスに代えて、テトラメチルシラ
ンのモノマーガスを同量使用した以外は実施例１と同様
にして厚さが２００人でコバルトの含有率が３重量％の
プラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープＡをつ（っ
た。
、ｃ２Ｆ４のモノマーガスに代えて、テトラメチルシラ
ンのモノマーガスを同量使用した以外は実施例１と同様
にして厚さが２００人でコバルトの含有率が３重量％の
プラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープＡをつ（っ
た。
実施例３
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、蒸発源９でコバルトに代えて、クロムを加熱蒸発させ
た以外は実施例１と同様にしてプラズマ重合と同時にイ
オンプレーティングを行い、厚さが１１０人でクロムの
含有率が５重量％のプラズマ重合保護膜層を形成し、磁
気テープＡをつくった。
、蒸発源９でコバルトに代えて、クロムを加熱蒸発させ
た以外は実施例１と同様にしてプラズマ重合と同時にイ
オンプレーティングを行い、厚さが１１０人でクロムの
含有率が５重量％のプラズマ重合保護膜層を形成し、磁
気テープＡをつくった。
実施例４
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、蒸発源９でコバルトに代えて、ニッケルを加熱蒸発さ
せた以外は実施例１と同様にしてプラズマ重合と同時に
イオンプレーティングを行い、厚さが１２０人でニッケ
ルの含有率が６重量％のプラズマ重合保護膜層を形成し
、磁気テープＡをつくった。
、蒸発源９でコバルトに代えて、ニッケルを加熱蒸発さ
せた以外は実施例１と同様にしてプラズマ重合と同時に
イオンプレーティングを行い、厚さが１２０人でニッケ
ルの含有率が６重量％のプラズマ重合保護膜層を形成し
、磁気テープＡをつくった。
実施例５
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、蒸発源９でコバルトに代えて、チタンを加熱蒸発させ
た以外は実施例１と同様にしてプラズマ重合と同時にイ
オンプレーティングを行い、厚さが１００人でチタンの
含有率が８重量％のプラズマ重合保護膜層を形成し、磁
気テープＡをつくった。
、蒸発源９でコバルトに代えて、チタンを加熱蒸発させ
た以外は実施例１と同様にしてプラズマ重合と同時にイ
オンプレーティングを行い、厚さが１００人でチタンの
含有率が８重量％のプラズマ重合保護膜層を形成し、磁
気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１において、プラズマ重合保護膜層形成時のコバ
ルト金属の加熱蒸発を省いた以外は実施例１と同様にし
て厚さが１２０人でコバルトを含まないプラズマ重合保
護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
ルト金属の加熱蒸発を省いた以外は実施例１と同様にし
て厚さが１２０人でコバルトを含まないプラズマ重合保
護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例２
実施例１において、プラズマ重合保護膜層形成時のコバ
ルト金属の加熱蒸発を省き、０２Ｆ４のモノマーガスを
オクタメチルテトラシロキサンのモノマーガスに変更し
た以外は、実施例１と同様にして厚さが１３０人でコバ
ルトを含まないプラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テ
ープをつくった。
ルト金属の加熱蒸発を省き、０２Ｆ４のモノマーガスを
オクタメチルテトラシロキサンのモノマーガスに変更し
た以外は、実施例１と同様にして厚さが１３０人でコバ
ルトを含まないプラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テ
ープをつくった。
比較例３
実施例１におけるプラズマ重合保護膜層の形成において
、コバルトのイオンプレーティングに代えてモリブデン
をスパッタリングした以外は実施例１と同様にして厚さ
が１３０人でモリブデンの含有率が０．０５重置％のプ
ラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
、コバルトのイオンプレーティングに代えてモリブデン
をスパッタリングした以外は実施例１と同様にして厚さ
が１３０人でモリブデンの含有率が０．０５重置％のプ
ラズマ重合保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
耐久性および耐食性を試験した。耐久性試験は摺動試験
機を用いて得られた磁気テープを摺動試験し、強磁性金
属薄膜層表面に傷かつ（までの摺動回数を測定して行っ
た。さらに耐食性試験は得られた磁気テープを６０℃、
９０％ＲＨの条件下に７日間放置して最大磁束密度を測
定し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を１００％と
し、これと比較した値でその劣化率を調べて行った。
耐久性および耐食性を試験した。耐久性試験は摺動試験
機を用いて得られた磁気テープを摺動試験し、強磁性金
属薄膜層表面に傷かつ（までの摺動回数を測定して行っ
た。さらに耐食性試験は得られた磁気テープを６０℃、
９０％ＲＨの条件下に７日間放置して最大磁束密度を測
定し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を１００％と
し、これと比較した値でその劣化率を調べて行った。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、実施例１ないし５で得られた
磁気テープは、比較例１ないし３で得ら −れた磁
気テープに比し、いずれも摺動回数が多くて、劣化率が
小さく、このことからこの発明の製造方法によれば、耐
久性および耐食性が一段と向上された磁気記録媒体が得
られるのがわかる。
磁気テープは、比較例１ないし３で得ら −れた磁
気テープに比し、いずれも摺動回数が多くて、劣化率が
小さく、このことからこの発明の製造方法によれば、耐
久性および耐食性が一段と向上された磁気記録媒体が得
られるのがわかる。
第１図はこの発明の製造方法により金属を含有するプラ
ズマ重合保護膜層を形成する際に使用する処理装置の１
例を示す概略断面図、第２図はこの発明の製造方法によ
って得られた磁気テープの部分拡大断面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、１３・・・強
磁性金属薄膜層、１４・・・プラズマ重合保護膜層、Ａ
・・・磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 １ポリエステルフイルム
ズマ重合保護膜層を形成する際に使用する処理装置の１
例を示す概略断面図、第２図はこの発明の製造方法によ
って得られた磁気テープの部分拡大断面図である。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、１３・・・強
磁性金属薄膜層、１４・・・プラズマ重合保護膜層、Ａ
・・・磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 １ポリエステルフイルム
Claims (1)
- １、基体上に磁性層を形成し、次いで、この磁性層を有
機化合物のモノマーガス中にさらしてプラズマ重合を行
うと同時に、金属のイオンプレーティングを行い、金属
を含むプラズマ重合保護膜層を磁性層上に形成すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5537085A JPS61214137A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5537085A JPS61214137A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214137A true JPS61214137A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12996595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5537085A Pending JPS61214137A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214137A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279744A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Orient Watch Co Ltd | 複合混合多層膜 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5537085A patent/JPS61214137A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279744A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Orient Watch Co Ltd | 複合混合多層膜 |
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