JPS6089816A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6089816A JPS6089816A JP19711983A JP19711983A JPS6089816A JP S6089816 A JPS6089816 A JP S6089816A JP 19711983 A JP19711983 A JP 19711983A JP 19711983 A JP19711983 A JP 19711983A JP S6089816 A JPS6089816 A JP S6089816A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記
録媒体およびその製造方法に関し、その目的とするとこ
ろは、耐久性および耐食性に優れた前記の磁気記録媒体
を提供することにある。
録媒体およびその製造方法に関し、その目的とするとこ
ろは、耐久性および耐食性に優れた前記の磁気記録媒体
を提供することにある。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通當、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によ
って基体フィルム」二に被着してつ、くられ、高密度記
録に適した特性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係
数が大きくて摩耗や損傷を受け易く、また空気中で徐々
に酸化を受りて最大磁束密度などの磁気特性が劣化する
などの難点がある。
通當、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によ
って基体フィルム」二に被着してつ、くられ、高密度記
録に適した特性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係
数が大きくて摩耗や損傷を受け易く、また空気中で徐々
に酸化を受りて最大磁束密度などの磁気特性が劣化する
などの難点がある。
このため、従来から強磁性金属薄膜層上に神々の保護膜
層を設げるなどして耐久性を改善することが行われてお
り、たとえば、第１図に示すようなプラズマ処理装置を
使用し、強磁性金属薄膜層を表面に形成したポリエステ
ルフィルム１を、真空槽２の原反ロールβからガイドロ
ール４を介し゛ζ円筒状キャン５の周側面に沿って移動
させ、さらにガイドロール６を介して巻き取りロール７
に巻き取るようにセントし、真空槽２内を排気系８によ
り所定の真空度に保持するとともに真空槽２に取りつけ
たガス導入管９から有機化合物の七ツマーガスを導入し
、高周波電源１０で電極１１に高周波を印加してプラズ
マ重合し、強磁性金属薄膜層表面に有機化合物のプラズ
マ重合保護膜層を。
層を設げるなどして耐久性を改善することが行われてお
り、たとえば、第１図に示すようなプラズマ処理装置を
使用し、強磁性金属薄膜層を表面に形成したポリエステ
ルフィルム１を、真空槽２の原反ロールβからガイドロ
ール４を介し゛ζ円筒状キャン５の周側面に沿って移動
させ、さらにガイドロール６を介して巻き取りロール７
に巻き取るようにセントし、真空槽２内を排気系８によ
り所定の真空度に保持するとともに真空槽２に取りつけ
たガス導入管９から有機化合物の七ツマーガスを導入し
、高周波電源１０で電極１１に高周波を印加してプラズ
マ重合し、強磁性金属薄膜層表面に有機化合物のプラズ
マ重合保護膜層を。
設＆Ｊることが行われている。
ところ、が、この方法では、真空槽内に存在させる有機
化合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速（
すれば比較的低分子量でプラズマ重合され°ζ硬い保護
膜層が得られず、耐摩耗性を改善するため高周波出力を
高くし七ツマーガスの使用量を少なくすると析出速度が
低下して生産性を悪くすることから、真空槽内の有機化
合物の七ツマーガスのガス圧をそれほど低くできず、ま
た高周波出力もそれほど高くできないため、いまひとつ
表面が充分に緻密で硬いプラズマ重合保護膜層が得られ
ず、未だ耐久性および１ｌｉｉ４食性が充分に良好なも
のは得られていない。
化合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速（
すれば比較的低分子量でプラズマ重合され°ζ硬い保護
膜層が得られず、耐摩耗性を改善するため高周波出力を
高くし七ツマーガスの使用量を少なくすると析出速度が
低下して生産性を悪くすることから、真空槽内の有機化
合物の七ツマーガスのガス圧をそれほど低くできず、ま
た高周波出力もそれほど高くできないため、いまひとつ
表面が充分に緻密で硬いプラズマ重合保護膜層が得られ
ず、未だ耐久性および１ｌｉｉ４食性が充分に良好なも
のは得られていない。
この発明者らは、かかる現状に鑑み種々検討を行った結
果、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、しかる後、この強磁性金属薄膜層
を形成した基体を、真空槽内に２以上の区画室とこの各
区画室に跨って周側面をさらした円筒状キャンとこの円
筒状キャンの周側面に沿って移動する基体に対向して各
区画室内に配設したプラズマ発生用電極とを備えたプラ
ズマ処理装置にセントし、基体を円筒状キャンの周側面
に沿って移動させるとともに、各区画室に同一の有機化
合物のモノマーガスを導入し、基体が導入される側の区
画室から基体が導出される側の区画室にかけて順次に区
画室内のモノマーガスのガス圧を低くするかまたは高周
波出力を高くしてプラズマ重合を行うと、強磁性金属薄
ｌ＠層上に表面に行くほど重合度が大きくかつ緻密で硬
い有機化合物のプラズマ重合保・護膜層が形成されて耐
久性および耐食性が充分に向上された磁気記録媒体が得
られることを見いだし、この発明をなすに至った。
果、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、しかる後、この強磁性金属薄膜層
を形成した基体を、真空槽内に２以上の区画室とこの各
区画室に跨って周側面をさらした円筒状キャンとこの円
筒状キャンの周側面に沿って移動する基体に対向して各
区画室内に配設したプラズマ発生用電極とを備えたプラ
ズマ処理装置にセントし、基体を円筒状キャンの周側面
に沿って移動させるとともに、各区画室に同一の有機化
合物のモノマーガスを導入し、基体が導入される側の区
画室から基体が導出される側の区画室にかけて順次に区
画室内のモノマーガスのガス圧を低くするかまたは高周
波出力を高くしてプラズマ重合を行うと、強磁性金属薄
ｌ＠層上に表面に行くほど重合度が大きくかつ緻密で硬
い有機化合物のプラズマ重合保・護膜層が形成されて耐
久性および耐食性が充分に向上された磁気記録媒体が得
られることを見いだし、この発明をなすに至った。
以下、図面を参照しなか・らこの発明について説明する
・・ 第２図はこの発明で使用するプラズマ処理装置の１例を
示したもので、このプラズマ処理装置は、真空槽２内に
原反口・−ル３、ガイドロール４、円筒状キャン５、ガ
イトロニル６および巻き取りロール７を配設した点では
第１図に示す従来のプラズマ処理装置と同じであるが、
真空槽２内を隔壁１２．１３．１４．１５で区画分離し
て区画室Ａ、 Ｉ３． Ｃを設け、各区画室毎に排気系
１６．１７．１８およびガス導入管１９．２０．２１を
設けるとともに円筒状キャン５の周側面に沿って移動す
る基体ｌに対向して電極２２．２３．２４を配設し、各
高周波電源２５．２６．２７に接続している。しかして
このプラズマ処理装置によれば、円筒状キャン５の周側
面に沿って移動する基体１が各区画室Ａ、Ｂ、Ｃで順次
にそれぞれガス導入管１９．２０．２１から導入される
同じ有機化合物のモノマーガスにさらされる。従って各
区画室Ａ、Ｂ、Ｃの順にモノマーガスのガス圧を低くす
るか、あるいは各区画室Ａ、Ｂ、Ｃの順に各電極２２．
２３．２４に印加する高周波を大きくしてプラズマ重合
を行えば、基体１上に形成された強磁性金属薄１漢層上
に、最初は重合度も低くて比較的柔らかく粘着性が良好
で強磁性金属薄１！Ｊ１層との接着性に優れたプラズマ
重合保護膜層が析出され、次いで重合度も比較的高くて
硬さも比較的硬いプラズマ重合保護膜層が析出され、最
後に重合度が高＜−Ｃかつ緻密で硬いプラズマ重合保護
膜層が析出されて、表面に行くほど重合度が高くてかつ
緻密で硬いプラズマ重合保護膜層が形成される。その結
果、基体１上の強磁性金属薄膜層上には、接着性がよく
、かつ表面にいくほど重合度が商く緻密で硬いプラズマ
重合保護膜層が形成され、耐摩耗性が充分に改善されて
一段と耐久性に優れ、かつ耐食性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
・・ 第２図はこの発明で使用するプラズマ処理装置の１例を
示したもので、このプラズマ処理装置は、真空槽２内に
原反口・−ル３、ガイドロール４、円筒状キャン５、ガ
イトロニル６および巻き取りロール７を配設した点では
第１図に示す従来のプラズマ処理装置と同じであるが、
真空槽２内を隔壁１２．１３．１４．１５で区画分離し
て区画室Ａ、 Ｉ３． Ｃを設け、各区画室毎に排気系
１６．１７．１８およびガス導入管１９．２０．２１を
設けるとともに円筒状キャン５の周側面に沿って移動す
る基体ｌに対向して電極２２．２３．２４を配設し、各
高周波電源２５．２６．２７に接続している。しかして
このプラズマ処理装置によれば、円筒状キャン５の周側
面に沿って移動する基体１が各区画室Ａ、Ｂ、Ｃで順次
にそれぞれガス導入管１９．２０．２１から導入される
同じ有機化合物のモノマーガスにさらされる。従って各
区画室Ａ、Ｂ、Ｃの順にモノマーガスのガス圧を低くす
るか、あるいは各区画室Ａ、Ｂ、Ｃの順に各電極２２．
２３．２４に印加する高周波を大きくしてプラズマ重合
を行えば、基体１上に形成された強磁性金属薄１漢層上
に、最初は重合度も低くて比較的柔らかく粘着性が良好
で強磁性金属薄１！Ｊ１層との接着性に優れたプラズマ
重合保護膜層が析出され、次いで重合度も比較的高くて
硬さも比較的硬いプラズマ重合保護膜層が析出され、最
後に重合度が高＜−Ｃかつ緻密で硬いプラズマ重合保護
膜層が析出されて、表面に行くほど重合度が高くてかつ
緻密で硬いプラズマ重合保護膜層が形成される。その結
果、基体１上の強磁性金属薄膜層上には、接着性がよく
、かつ表面にいくほど重合度が商く緻密で硬いプラズマ
重合保護膜層が形成され、耐摩耗性が充分に改善されて
一段と耐久性に優れ、かつ耐食性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
このような、真空槽２内の各区画室Ａ、１３およびＣに
各ガス導入管１９．２０および２１から導入される自機
化合物のモノマーガスとしては、たとえば、Ｃ２Ｆ４
、Ｃ３Ｆｇ等のフッ素系有機化合物のモノマーガス、プ
ロパン、エチレン、プロピレン等の炭化水素系化合物の
モノマーガスおよびテトラメヂルシラン、オクタメチル
シクロテトラシロキサン、ヘキザメチルジシラザン等の
ケイ素系有機化合物のモノマーガス等が好ましく使用さ
れ、これらの有機化合物のモノマーガスは、各プラズマ
発生用電極２２．２３および２４の高周波の印加によっ
てプラズマ重合が行われると、ラジ□カルが生成され、
この生成されたラジカルが反応し重合して被膜とな葛。
各ガス導入管１９．２０および２１から導入される自機
化合物のモノマーガスとしては、たとえば、Ｃ２Ｆ４
、Ｃ３Ｆｇ等のフッ素系有機化合物のモノマーガス、プ
ロパン、エチレン、プロピレン等の炭化水素系化合物の
モノマーガスおよびテトラメヂルシラン、オクタメチル
シクロテトラシロキサン、ヘキザメチルジシラザン等の
ケイ素系有機化合物のモノマーガス等が好ましく使用さ
れ、これらの有機化合物のモノマーガスは、各プラズマ
発生用電極２２．２３および２４の高周波の印加によっ
てプラズマ重合が行われると、ラジ□カルが生成され、
この生成されたラジカルが反応し重合して被膜とな葛。
このようなプラズマ重合の際のラジカルはこれらの有機
化合物が二重結合または三重結合を有していたり、また
末端に金属元素を有する金属塩化合物であるかある。い
はＯトＩ基等の官能基を有しているほど生成しゃすいた
め、これら不飽和結合、金属元素および官能基等を有す
るものがより好ましく使用される。またこれらのモノマ
ーガスをプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウム
ガスおよび酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモ
ノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比べて３〜
５倍の速度で析出されるため、これらのキャリアガスを
併存させて行うのが好ましい。これらのキャリアガスと
併存さ、せる際、その組成割合はキャリアガス対前記有
機化合物のモノマーガスの比にして１対１〜２０対ｌの
範囲内で併存させるのが好ましく、キャリアガスが少な
ずぎると析出速度が低下し、多ずぎるとモノマーガスが
少なくなってプラズマ重合反応に支障をきたす。なお、
炭化水素系化合物のモノマーガスを使用するときは、酸
素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応が生じ
るため酸素ガスをギヤリアガスとして使用するのは好ま
しくない。
化合物が二重結合または三重結合を有していたり、また
末端に金属元素を有する金属塩化合物であるかある。い
はＯトＩ基等の官能基を有しているほど生成しゃすいた
め、これら不飽和結合、金属元素および官能基等を有す
るものがより好ましく使用される。またこれらのモノマ
ーガスをプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウム
ガスおよび酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモ
ノマーガスを単独でプラズマ重合する場合に比べて３〜
５倍の速度で析出されるため、これらのキャリアガスを
併存させて行うのが好ましい。これらのキャリアガスと
併存さ、せる際、その組成割合はキャリアガス対前記有
機化合物のモノマーガスの比にして１対１〜２０対ｌの
範囲内で併存させるのが好ましく、キャリアガスが少な
ずぎると析出速度が低下し、多ずぎるとモノマーガスが
少なくなってプラズマ重合反応に支障をきたす。なお、
炭化水素系化合物のモノマーガスを使用するときは、酸
素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応が生じ
るため酸素ガスをギヤリアガスとして使用するのは好ま
しくない。
このように、各ガス導入管１９．２０．２１から各区画
室Ａ、Ｂ、Ｃ内に有機化合物の七ツマーガスを導入して
、プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の出力
は、各区画室で異なり、円筒状キャン５の周側面に沿っ
て移動する基板１の移動方向に沿って、区画室ＡＳＢ、
Ｃの順にガス圧を低くし、また高周波の出力を高くする
必要があるが、ガス圧が高くなるほど析出速度が速くな
る反面上ツマーガスが比較的低分子量でプラズマ重合さ
れて硬い保護膜層が得られず、また、ガス圧を低くして
高周波出力を高くすると析出速度が遅（なる反面高分子
化された比較的硬い保護ＩＳ！層が得られるが、ガス圧
を低くして高周波出力を高くしすぎると、モノマーガス
が粉末化してしまいプラズマ重合保護膜層が形成されな
いため、ガス圧を０．０３〜５トールの範囲内とし、高
周波出力を０．０３〜ｌ Ｗ ／ ｃ艷の範囲内とする
のが好ましく、ガス圧を０．０５〜３トールとし、高周
波出力を０．０５〜０．５’Ｗ／ｃＪの範囲内とするの
がより好ましい。
室Ａ、Ｂ、Ｃ内に有機化合物の七ツマーガスを導入して
、プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の出力
は、各区画室で異なり、円筒状キャン５の周側面に沿っ
て移動する基板１の移動方向に沿って、区画室ＡＳＢ、
Ｃの順にガス圧を低くし、また高周波の出力を高くする
必要があるが、ガス圧が高くなるほど析出速度が速くな
る反面上ツマーガスが比較的低分子量でプラズマ重合さ
れて硬い保護膜層が得られず、また、ガス圧を低くして
高周波出力を高くすると析出速度が遅（なる反面高分子
化された比較的硬い保護ＩＳ！層が得られるが、ガス圧
を低くして高周波出力を高くしすぎると、モノマーガス
が粉末化してしまいプラズマ重合保護膜層が形成されな
いため、ガス圧を０．０３〜５トールの範囲内とし、高
周波出力を０．０３〜ｌ Ｗ ／ ｃ艷の範囲内とする
のが好ましく、ガス圧を０．０５〜３トールとし、高周
波出力を０．０５〜０．５’Ｗ／ｃＪの範囲内とするの
がより好ましい。
このようにして、各区画室Ａ、Ｂ、Ｃ毎に有機化合物の
モノマーガスを導入し、順次にガス圧を低くするかある
いは高周波の出力を大きくし、プラズマ正合して析出形
成される有機化合物のプラズマ重合保護Ｈ’Ａ層は、表
面に行くに従って重合度が大きく、緻密で硬いものが得
られ、従って、耐摩耗性が一段と向上され、耐久性およ
び耐食性に優れた磁気記録媒体が得られる。このような
有機化合物のプラズマ重合保護膜層の膜厚ば、２０〜１
０００人の範囲内であることが好ましく、膜ｊｖが薄ず
ぎるとこの保護膜層による耐久性の効果が充分に発揮さ
れず、厚すぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて
電磁変換特性に悪影響を及ばず。なお、区画室は上記実
施例のように３室に限定されるものではなく、必要に応
じて２以上の適数の区画室を設ければよい。
モノマーガスを導入し、順次にガス圧を低くするかある
いは高周波の出力を大きくし、プラズマ正合して析出形
成される有機化合物のプラズマ重合保護Ｈ’Ａ層は、表
面に行くに従って重合度が大きく、緻密で硬いものが得
られ、従って、耐摩耗性が一段と向上され、耐久性およ
び耐食性に優れた磁気記録媒体が得られる。このような
有機化合物のプラズマ重合保護膜層の膜厚ば、２０〜１
０００人の範囲内であることが好ましく、膜ｊｖが薄ず
ぎるとこの保護膜層による耐久性の効果が充分に発揮さ
れず、厚すぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて
電磁変換特性に悪影響を及ばず。なお、区画室は上記実
施例のように３室に限定されるものではなく、必要に応
じて２以上の適数の区画室を設ければよい。
基体上への強磁性金属薄膜層の形成は、Ｃｏ、Ｆ ｅ
ＸＮ １ ％ Ｃｏ Ｎ を合金、Ｇｏ−Ｃｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金などの強磁性材を、真
空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッ
キ等の手段によって基体上に被着するなどの方法で行わ
れる。
ＸＮ １ ％ Ｃｏ Ｎ を合金、Ｇｏ−Ｃｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金などの強磁性材を、真
空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッ
キ等の手段によって基体上に被着するなどの方法で行わ
れる。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、酸素ガス圧５ＸｌＯ−５１−−ルの残留ガス圧の
下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィルム らなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第２図に
示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性金属薄膜層を形
成したポリエステルフィルム１を、真空槽２内の原反ロ
ール３からガイドロール４を介して円筒状キャン５の周
側面に沿って移動させ、さらにガイドロール６を介して
巻き取りロール７に巻き取るようにセットした。次にポ
リエステルフィルム１を５ｍ／ｎ＋ｉｌの速度で走行さ
せながら各区画室Ａ，Ｂ，Ｃの各ガス導入管１９、２０
、２１からＣ２Ｆ４ガスをそれぞれ５ ０ ０５ＣＣＩ
１１％２ ５ ０ ｓ．ｃｃｍ、１ ５ ０ｓｃｃｓ＋
の流量で導入し、０２Ｆキガスのガス圧をそれぞれ区画
室Ａで１トール、区画室Ｂで０．５トール、区画室Ｃで
０．３トールとし、各プラズマ発生用電極２２、２３、
２４の高周波出力を０．３Ｗ／ａｉｌで一定にしてプラ
ズマ重合を行った。このとき形成されたプラズマ重合保
護膜層の層厚は１００人であった。しかる後、所定のｒ
ＩＪに裁断して第３図に示すようにポリエステルフィル
ム１上に強磁性金属薄膜層２８およびプラズマ重合保護
膜層２９を積層形成した磁気テープＡをつくった。
填し、酸素ガス圧５ＸｌＯ−５１−−ルの残留ガス圧の
下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィルム らなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第２図に
示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性金属薄膜層を形
成したポリエステルフィルム１を、真空槽２内の原反ロ
ール３からガイドロール４を介して円筒状キャン５の周
側面に沿って移動させ、さらにガイドロール６を介して
巻き取りロール７に巻き取るようにセットした。次にポ
リエステルフィルム１を５ｍ／ｎ＋ｉｌの速度で走行さ
せながら各区画室Ａ，Ｂ，Ｃの各ガス導入管１９、２０
、２１からＣ２Ｆ４ガスをそれぞれ５ ０ ０５ＣＣＩ
１１％２ ５ ０ ｓ．ｃｃｍ、１ ５ ０ｓｃｃｓ＋
の流量で導入し、０２Ｆキガスのガス圧をそれぞれ区画
室Ａで１トール、区画室Ｂで０．５トール、区画室Ｃで
０．３トールとし、各プラズマ発生用電極２２、２３、
２４の高周波出力を０．３Ｗ／ａｉｌで一定にしてプラ
ズマ重合を行った。このとき形成されたプラズマ重合保
護膜層の層厚は１００人であった。しかる後、所定のｒ
ＩＪに裁断して第３図に示すようにポリエステルフィル
ム１上に強磁性金属薄膜層２８およびプラズマ重合保護
膜層２９を積層形成した磁気テープＡをつくった。
実施例２
実施例１のプラズマ重合において、各区画室Ａ、Ｂ，Ｃ
に導入する０２Ｆ４ガスの流量を２５０ｓｅｃｍと同じ
にし、各区画室内でのＣ２Ｆ４ガスのガス圧を０．５
トールと一定にし、各プラズマ発生用電極２２、２３、
２４の高周波出力をそれぞれ区画室ＡテＯ．ｌＷ／ｃｄ
、区画室Ｂ Ｔ： ０．３Ｗ ／ ｃ＋ａ、区画ｆｆｉ
ｃテ０．５Ｗ／ＣＪＡとしてプラズマ重合を行った以外
は、実施例１と同様にしてプラズマ重合を行い、磁気テ
ープをつくった。
に導入する０２Ｆ４ガスの流量を２５０ｓｅｃｍと同じ
にし、各区画室内でのＣ２Ｆ４ガスのガス圧を０．５
トールと一定にし、各プラズマ発生用電極２２、２３、
２４の高周波出力をそれぞれ区画室ＡテＯ．ｌＷ／ｃｄ
、区画室Ｂ Ｔ： ０．３Ｗ ／ ｃ＋ａ、区画ｆｆｉ
ｃテ０．５Ｗ／ＣＪＡとしてプラズマ重合を行った以外
は、実施例１と同様にしてプラズマ重合を行い、磁気テ
ープをつくった。
比較例１
実施例１のプラズマ重合において、各区画室Ａ、Ｂ，Ｃ
に導入するＣ２Ｆ４ガスの流量を２５０３ＣＣＩ１１と
同じにし、各区画室内での０２Ｆ４ガスのガス圧を０．
５１−−ルと一定にしてプラズマ重合を行った以外は、
実施例１と同様にしてプラズマ重合を行い、磁気テープ
をつくった。
に導入するＣ２Ｆ４ガスの流量を２５０３ＣＣＩ１１と
同じにし、各区画室内での０２Ｆ４ガスのガス圧を０．
５１−−ルと一定にしてプラズマ重合を行った以外は、
実施例１と同様にしてプラズマ重合を行い、磁気テープ
をつくった。
比較例２
実施例１において、プラズマ重合保護膜層の形成を省い
た以外は、実施例１と同様にして磁気テープをつくった
。
た以外は、実施例１と同様にして磁気テープをつくった
。
各実施例および各比較例で得られた磁気テープについて
耐久性および耐食性を試験した。ｍｌ久性試験は摺動試
験機を用い°ζ摺動試験し、強磁性金属薄膜層表面に傷
がつくまでの・摺動回数を測定して行った。また耐食性
試験は得られた磁気テープを６０℃、９０％Ｒ Ｈの条
件下に７日間放置して最大磁束密度を測定し、放置前の
磁気テープの最大磁束密度を１００％とし、これと比較
した値でその劣化率を調べて行った。
耐久性および耐食性を試験した。ｍｌ久性試験は摺動試
験機を用い°ζ摺動試験し、強磁性金属薄膜層表面に傷
がつくまでの・摺動回数を測定して行った。また耐食性
試験は得られた磁気テープを６０℃、９０％Ｒ Ｈの条
件下に７日間放置して最大磁束密度を測定し、放置前の
磁気テープの最大磁束密度を１００％とし、これと比較
した値でその劣化率を調べて行った。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ（実施例１および２）は、いずれも比較例１および２
で得られた磁気テープに比し、摺動回数が多くて劣化率
が小さく、このことからこの発明によって得られる磁気
記録媒体は、表面に行くほど重合度が大きくて硬いプラ
ズマ重合保護膜層が形成された結果、耐久性および耐食
性が一段と改善されていることがわかる。
プ（実施例１および２）は、いずれも比較例１および２
で得られた磁気テープに比し、摺動回数が多くて劣化率
が小さく、このことからこの発明によって得られる磁気
記録媒体は、表面に行くほど重合度が大きくて硬いプラ
ズマ重合保護膜層が形成された結果、耐久性および耐食
性が一段と改善されていることがわかる。
第１図は従来のプラズマ処理装置の概略断面図、第２図
はこの発明の製造方法で使用するプラズマ処理装置の１
例を示す概略断面図、第３図はこの発明によって得られ
た磁気テープの部分拡大断面図である。 ｌ・・・基体、２・・・真空槽、５・・・円筒状キャン
、１２．１３，１４，１５・・・隔壁、１６，１７．１
８・・・排気系、１９，２０．２１・・・ガス導入管、
２２．２３．２４・・・電極、２８・・・強磁性金属薄
膜層、２９・・・プラズマ重合保護膜層、Ａ、Ｂ、Ｃ・
・・区画室 特許出願人 日立マクセル株式会社 第２図 ＼ 第３図
はこの発明の製造方法で使用するプラズマ処理装置の１
例を示す概略断面図、第３図はこの発明によって得られ
た磁気テープの部分拡大断面図である。 ｌ・・・基体、２・・・真空槽、５・・・円筒状キャン
、１２．１３，１４，１５・・・隔壁、１６，１７．１
８・・・排気系、１９，２０．２１・・・ガス導入管、
２２．２３．２４・・・電極、２８・・・強磁性金属薄
膜層、２９・・・プラズマ重合保護膜層、Ａ、Ｂ、Ｃ・
・・区画室 特許出願人 日立マクセル株式会社 第２図 ＼ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄ｌ！ｉＩｉ層を形成し、この強磁性金属薄膜層上
に、表面に行くほど重合度が大きい有機化合物のプラズ
マ重合保護膜層を設けたことを特徴とする。磁気記録媒
体 ２、基体上に金属もしくはそれらの合金からなφ、強磁
悴金属萼膜層を形成し、しかる後、この強磁性金属薄膜
層を形成した基体を、真空槽内に２品上の区画室とこの
各区画室に跨って周側面をさらした円筒状キャンとこの
円筒状キャンの周側面に沿って移動する基体に対向して
各区画室内に配設したプラズマ轡生用電極とを備えたプ
ラズマ処理装置にセットし、基体を円筒状キャンの周側
面に沿って移動させるとともに、各区画室に同一の有機
化合物の七ツマーガスを導入し、基体が導入される側の
区画室から基体が導出される側の区画室にかけて順次に
区画室内のモノマーガスのガス圧を低くするかまたは高
周波出力を高くしてプラズマ重合を行い、強磁性金属薄
膜層上に表面に行くほど重合度が大きい有機化合物のプ
ラズマ重合保護膜層を形成することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19711983A JPS6089816A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19711983A JPS6089816A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089816A true JPS6089816A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16369044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19711983A Pending JPS6089816A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62246140A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6344315A (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-25 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4735635A (en) * | 1986-01-10 | 1988-04-05 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and process for filtering high temperature gas streams |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19711983A patent/JPS6089816A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4735635A (en) * | 1986-01-10 | 1988-04-05 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and process for filtering high temperature gas streams |
| JPS62246140A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6344315A (ja) * | 1986-08-09 | 1988-02-25 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
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