JPS61160824A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体、特に連続薄膜型の磁性層を有
する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関する。

先行技術とその問題点 ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。

このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性−
ヒ、基体法線に対し所定の傾斜角にて基若を行う、いわ
ゆる斜め蒸着法によって形成したＣ０１Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０系等の蒸着膜が最も好適である
。

しかし、このような磁性層は、走行摩擦が大きく、膜強
度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性が低
く、くりかえし走行によって出力が低下してしまう。

また、ビデオ用の媒体では、スチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。

さらに、いわゆるドロップアウトも多い。

このような実状から、従来、斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。

そして、トップコート膜の１例として、炭化水素系のプ
ラズマ重合膜が知られている（特開昭５９−７２６５３
号、同５９−１５４６４１号、同５９−１６０８２８号
等）。

しかし、通常の方法で得られた炭化水素系のプラズマ重
合膜トップコートでは、耐食性の点で不十分であり、さ
らには走行耐久性に劣り再生出力が低下したり、あるい
は強度の点で不十分である等の不都合がある。

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、このような不都合を解消し、耐食性、
耐久性が良好で１強度の高い磁気記録媒体を提供するこ
とにある。

■　発明の開示 このような目的は下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、 支持体上に強磁性金属薄膜を有し、この強磁性金属薄膜
上にトップコート膜を有する磁気記録媒体において、ト
ップコート膜が炭素および水素を含む膜厚１０〜４０人
のプラズマ重合膜を有し、かつこの重合膜の炭素／水素
の原子比が１〜６であり、しかもこの重合膜と水との接
触角が６０°〜１２０°であることを特徴とする磁気記
録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明のプラズマ重合膜は、炭素および水素を含む薄膜
である。

原料ガスとしては１通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、フロピレン、フテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液体
の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成され
てもよい。

また、必要に応じて、原料に窒素、酸素、ホウ素、リン
等の微量成分を添加することもできる。

そして、プラズマ重合膜の膜厚は１０〜４０人である。

連続薄膜型の磁気記録媒体では、プラズマ重合膜が４０
人をこえるとスペーシングロス（厚み分による磁気の損
失）が大きくなりすぎて磁束密度が低下する。

そして、目づまりが増加し、耐久走行後の出力低下が大
きくなる等の問題点が多発する。

また、１０人より薄いと、本発明の耐食性や耐久性かえ
られない、　また、フィルムの破断強度が低下する。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成の場合以
下で述べるように反応時間、媒体移行速度、原料ガス流
量を制御することによって行われ、スペーシングロスが
少なく、耐食性。

耐久性が良好で、フィルム破断強度の高い媒体が実現す
る。

プラズマ重合膜は、原料ガスとして、前述の炭化水素等
を用い、このガスの放電プラズマを磁性層に接触させる
ことにより重合膜を形成するものである。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少駿存在する自由電
子は、常圧に比べ分子距離が非常に大きいため、電界加
速を受け５〜１゜ｅＶの運動エネルギー（電子温度）を
獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など１通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この１１鎖作用で気体はたちまち高度
の電離状態となる。　そしてこれはプラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に使い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用してベースフィルム上にプラズマ
重合膜を形成しようとするものである。　なお低温プラ
ズマを利用するため、ベースフィルムや磁性層の熱影響
は全くない。

ベースフィルム表面にプラズマ重合膜を形成する装置例
が第１図に示しである。　第　１　図は、周波数可変型
の電源を用いたプラズマ重合装置である。

第１図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。ガス源５１
１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混合
器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｍ１／分の流量範囲をとリ
ラる。

反応容器Ｒ内には、被処理ベースフィルム支持装置が設
置され、ここでは磁気テープ用のフィルムの処理を目的
として、繰出しロール５６１と巻取りロール５６２が示
しである。

被着磁気記録媒体の形態に応じて様々の支持装置が使用
でき１例えば載置式の回転支持体装置が使用されうる。

被処理ベースフィルムを間に挟んで対向する電極５５１
．５５２が設けられており、一方の電極５５１は周波数
可変型の電源５４に接続され、他方の電極５５２は設置
されている。

さらに１反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラップ５７
．油回転ポンプ５Ｂおよび真空コントローラ５９を含む
、　これら真空系統は反応容器内を０．０１〜１ＯＴｏ
ｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１０３Ｔｏｒｒ以
下になるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、その
後原料ガスが所定の流量において容器内に混合状態で供
給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔａｒｒ
の範囲に管理される。

フィルムの移行速度ならびに原料ガスの流量が安定する
と、周波数可変型電源がオンにされる。　こうして、移
行中のベースフィルムにプラズマ重合膜が形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｈ２な
どを使用してもよい。

ここで、プラズマ処理の条件はＷ／Ｆ＠Ｍで１０７〜ｌ
　０１２　（Ｊｏｕｌｓ／ｓｅａ　）の条件が好適であ
る。　ただし、Ｗ：プラズマ電力（Ｊｏｕｌｅ／５ｅａ
）、Ｆ：原料ガス流量（ｋｇ／ｓｅｃ）、Ｍ：原料ガス
分子量である。

Ｗ／Ｆ−Ｍが１０１２をこえると、下地に対するダメー
ジが大となり、Ｗ／Ｆ＠Ｍが１０７より小さいとプラズ
マ重合膜の緻密さが不十分となるからである。

なお、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、上述した高周波数放電の他に
、マイクロ波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利
用できる。

このように形成されるプラズマ重合膜は、炭素と水素の
原子比（Ｃ／Ｈ比）が１〜６のものである。

このようなＣ／Ｈ比をもつプラズマ重合膜は耐食性、耐
久性の向上効果が顕著である。

これに対し、Ｃ／Ｈ比１未満では、耐食性、耐久性、強
度の点で実用に耐えず、また６をこえると、耐久走行後
の出力低下がきわめて大きくなり実用に耐えない。

なお、Ｃ／Ｈ比は、ＳＩＭＳ　（２次イオン質量分析）
等に従えばよい、　　ＳＩＭＳを用いる場合１本発明の
トップコート膜は１０〜４０人であるので、トップコー
ト８表面にて、ＣおよびＨをカウントして算出すればよ
い。

あるいは、Ａｒ等でイオネッチングを行いながら、Ｃお
よびＨのプロファイルを測定して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、第３巻　表面科学基礎講座
（１９ｇ４）表面分析の基礎と応用（Ｐ　７０）　　“
ＳＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

また、プラズマ重合膜と水との接触角は６０＠〜１２０
”である。

６０°未満では耐久性、耐食性の点で実用に耐えない、
　また、１２０＠をこえるプラズマ重合膜を炭化水素膜
でつくるのは困難であり、また実用上その必要性がない
からである。

このようなプラズマ重合膜と水との接触角は、プラズマ
重合の際の原料ガスの種類と流量プラズマ重合条件によ
って実験的に求めることができる。

このように、表面にプラズマ重合膜を形成する磁性層と
しては１強磁性金属薄膜層からなり、Ｃｏを主成分とし
、これにＯを含み、さらに必要に応じＮｉおよび／また
はＣｒが含有される組成を有する。

すなわち、好ましい態様においては、Ｃｏ単独からなっ
てもよく、ＣｏとＮｉからなってもよい、　Ｎｉが含ま
れる場合、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量比は、１．５以上で
あることが好ましい。

さらに、強磁性金属薄膜層中には、Ｃｒが含有されてい
てもよい。

Ｃｒが含有されると、電磁変換特性が向上し、出力およ
びＳ／Ｎ比が向上し、さらに膜強度も向上する。

このような場合、Ｃｒ　／　ＣｏあるいはＣｒ／（Ｃｏ
＋Ｎｉ）の重量比は０．１以下、特にｏ、ｏｏｔ〜０．
１、より好ましくは、０．０５〜０．０５であることが
好ましい。

さらに１強磁性金属薄膜中には０が含有されるものであ
る。

強磁性金属薄膜中の平均酸素量は、原子比、特にｏ／（
Ｃｏｔ？、はＣｏ＋Ｎ１）（７）原子比で、０．５以下
、より好ましくは０．０５〜０．５であることが好まし
い。

この場合１強磁性金属薄膜層の表面では、酸素が強磁性
金属（Ｃｏ、Ｎｉ）と酸化物を形成している。

すなわち、表面部、特に表面から５０人〜５００人、よ
り好ましくは５０〜２００人の厚さの範囲には、オージ
ェ分光分析により、酸化物を示すピークが認められるも
のである。　そして、この酸化物層の酸素含有量は、原
子比で０．５〜１．０程度である。

なお、このような強磁性金属薄膜中には、さらに他の微
量成分、特に遷移元素、例えばＦ　ｅ　＊　Ｍ　ｎ　＊
　Ｖ　、Ｚ　ｒ　＋　Ｎ　ｂ　、Ｔ　ａ　＋　Ｔ　ｔ　
＋Ｚ　ｎ　、　Ｍ　ｏ　、　Ｗ　、　Ｃｕ等が含まれて
いてもよい。

このような強磁性金属薄膜層は、好ましい態様において
、上記したＣｏを主成分とする柱状結晶粒の集合体から
なる。

この場合、強磁性金属薄膜層の厚さは、０゜０５〜０．
５４ｍ、好ましくは、０．０７〜０・３ＩＬｍとされる
。

そして、柱状の結晶粒は、薄膜の厚さ方向のほぼ全域に
亘る長さをもち、その長手方向は。

気体の主面の報線に対して、ｌＯ〜７０”の範囲にて傾
斜していることが好ましい。

なお、酸素は、表面部の柱状の結晶粒の表面に前記のと
おり化合物の形で存在するものである。

また、強磁性金属薄膜層の酸素の濃度勾配の何如には特
に制限はない。

また、結晶粒の短径は、５０〜５００人程度の長さをも
つことが好ましい。

このような強磁性金属薄膜層を形成する基板は、非磁性
のものでありさえすれば特に制限はないが、特に可どう
性の基板、特にポリエステル、ポリイミド等の樹脂製の
ものであることが好ましい。

また、その厚さは、種々のもの〒あってよいが、特に５
〜２０４ｍであることが好ましい。

この場合、基板の強磁性金属薄膜層形成面の裏面には、
公知の種々のバックコート層が形成されていてもよい。

なお、基板と強磁性金属薄膜層との間には、必要に応じ
、公知の各種下地層を介在させることもできる。

また、もし必要であるならば、強磁性金属薄膜層を複数
に分割して、その間に非強磁性金属薄膜層を介在させて
もよい。

磁性層の形成は電解薄着、イオンブレーティング等を用
いることもできるが、いわゆる斜め蒸着法によって形成
されることが好ましい。

この場合、基体法線に対する。蒸着物質の入射角の最小
値は、２０＠以上とすることが好ましい。

入射角が２０”未満となると、電磁変換特性が低下する
。

なお、蒸着雰囲気は、通常、アルゴン、ヘリウム、真空
等の不活性雰囲気に、酸素ガスを含む雰囲気とし、１Ｏ
−５Ｘ１００Ｐａ程度の圧力とし、また、蒸着距離、基
体搬送方向、キャンやマスクの構造、配置等は公知の条
件と同様にすればよい。

そして、酸素雰囲気での蒸着により、表面に金属酸化物
の被膜が形成される。　なお、金属酸化物が形成される
酸素ガス分圧は、実験から容易に求めることができる。

なお、表面に金属酸化物の被膜を形成するには、各種酸
化処理が可能である。

適用できる酸化処理としては下記のようなものがある。

ｌ）乾式処理 ａ、エネルギー粒子処理 特願昭５８−７６６４０号に記載したように、蒸着の後
期に、イオンガンや中性ガンにより酸素をエネルギー粒
子として磁性層にさしむけるもの。

ｂ９グロー処理 ０２　　、　Ｈ２０、０２＋Ｈ２０等とＡｒ。

Ｎ２等の不活性ガスとを用い、これをグロー放電してプ
ラズマを生じさせ、このプラズマ中に磁性膜表面をさら
すもの。

Ｃ０醜化性ガス オゾン、加熱水蒸気等の酸化性ガスを吹きつけるもの。

ｄ、加熱処理 加熱によって酸化を行うもの、　加熱温度は６０〜１５
０℃程度。

２）湿式処理 ａ、陽極酸化 す、アルカリ処理 Ｃ０酸処理 クロム酸塩処理、過マンガン酸塩処理、リン酸塩処理等
を用いる。

ｄ、酸化剤処理 Ｈ２Ｏ２等を用いる。

■　発明の具体的効果 本発明によれば、強磁性金属薄膜からなる磁性層上に炭
素と水素を含有するプラズマ重合膜が１０〜４０人の厚
さで形成され、しかも、この重合膜の炭素／水素の原子
比が１〜６であり、なおかつこの重合膜と水との接触角
が６０＠〜１２０°であるので、高密度磁気記録媒体に
おいてスペーシングロスを生じることなく耐食性のきわ
めてよい磁気記録媒体をうることができる。

また、破断強度の非常に強い磁気記録媒体をうることが
できる。

さらに、プラズマ酸化は気相系反応であるため、高密度
架橋薄膜かえられ、防錆効果の向上に重要な役割を果し
ているものと思われる。

加えて、プラズマ酸化法は高速での連続生成が可能であ
るため、磁気記録媒体製造工程に容易に組み込むことが
でき、その生産性を阻害しない。

プラズマ酸化法により生成された薄膜は、磁気記録媒体
の磁気特性、電気特性、記録密度特性が何ら損なわれる
ことなく、上述した表面特性が大幅に改善される。　こ
れは、従来薄膜に比べてきわめて有意義な点である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ １０終ｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の
基板を、真空槽中に設けた冷却用ロールに沿わせて走行
させながら、Ｃｏ−Ｎｉ合金をＥＢガンで加熱し０２を
導入しつつ蒸着した。

この場合バックグラウンドの圧力は、５Ｘ１０　’　Ｔ
ｏｒｒ、　０２導入後の圧力は２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒとした。

また１、蒸着の入射角は、９０°から３０°まで連続的
に減少させた。

組成は、Ｃｏ８Ｏ−Ｎｉ２０　（重量比）であり、膜厚
は約１５００人とした。

次に、これを真空チャンバ中に入れ、一旦１０　’　Ｔ
ａｒｒの真空に引いた後、ガス状炭化水素としてＣＨ４
，キャリアガスとしてＡｒを、ｌ：１で導入し、ガス圧
０．１Ｔｏｒｒに保ちなから５００Ｗの１３．５６ＭＨ
ｚ＋７）高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、プラ
ズマ重合膜を磁性層上に形成した。

膜厚は２５人であった。

マタ、Ｗ／Ｆ　−Ｍｔ＊　５　Ｘ　１０１１　、　Ｃ／
Ｈ比４＊２であった。

これに準じ、磁性層上に、下記表１に示されるトップコ
ート層を形成した。

なお、これらトップコート層の元素分析は。

ＳＩＭＳで測定した。

これら各サンプルについて特性を測定した。

なお、特性の測定は以下のとおりである。

（１）耐食性 初期および６０℃、相対湿度８０％にて３日間保存後の
　Δφｍ／ｍ（％）を測定した。

（２）破断強度 引張力により破断する強度を測定した。

（３）出力低下 ５０パス走行後、４ＭＨｚの信号の減少量（ｄＢ）を測
定した。

これらの結果から１本発明の効果があきらかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は直流、交流および周波数可変型電源を使用した
プラズブ処理装置の概略図である。 符号の説明 ５３・・・混合器、 ５４・・・直流、交流および周波数可変型電源、５７・
・・液体窒素トラップ、 ５８・・・油回転ポンプ。 ５１１．５１２・・・処理ガス源、 ５２１．５２２・・・マスフローコントローラ。 ５６１．５６２・・・繰出しおよび巻取りロール 手続補正書（自発）　　　　　６ 昭和６１年　１月　８日 特許庁長官　　　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２３６１５５号 ２、発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　　特許出願人任　所　　　
東京参り駆日本橋−丁目１３番１号名　　称　　　（３
０６）　　ティーディーケイ株式会社イ壕者　大蔵　寛 ４、代理人　〒１０１ 住　　所　　　　東京都千代田区岩木町３丁目２番２号
千代田岩本ビル４階 ｆ１８６４−４４９８　　Ｆａｘ、８６４−６２８０明
細書の「特許請求の範囲」および「発明の詳細な説明」
の欄、補正の内容 （１）明細書の「２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙のとおり補正する。 （２）明細書の「３、発明の詳細な説明」６項の記載を
下記のとおり補正する。 １）明細書第９頁１３行目の「１０３」をｒｌｏ−３Ｊ
と補正する。 ２）　同第１０頁６行目のｒ　（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ　
）　Ｊをｒ　（Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ）　Ｊと補正する。 ３）　第１０頁８行目の「Ｆ：原料ガス流量（ｋｇ／ｓ
ｅｃ）　、Ｊを「Ｆ：原料ガス流量（ｋｇ−ｍｏｌ／ｓ
ｅｃ）、　Ｊと補正する。 ４）　同第１９頁１行目の「プラズマ酸化」をｒプラズ
マ重合ｊと補正する。 ５）同第１９頁４行目の「プラズマ酸化」をｒプラズマ
重合１と補正する。 ８）　同第１９頁８行目の「プラズマ酸化」をｒプラズ
マ重合」と補正する。 ２、特許請求の範囲 （１）支持体上に強磁性金属薄膜を有し、この強磁性金
属薄膜上にトップコート膜を有する磁気記録媒体におい
て、トップコート膜が炭素および水素を含む膜厚１０〜
４０人のプラズマ重合膜を存し、かつ、この重合膜の炭
素／水素の原子比が１〜６であり、しかもこの重合膜と
水との接触角が６０’〜１２０°　であることを特徴と
する磁気記録媒体。 （２）プラズマ重合膜の形成が、Ｗ／Ｆ−Ｍ〔ここに、
Ｗはプラズマ投入電力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）、Ｆは原
料ガス流量（ｋｇ−ｔｎｏｌ／ｓｅｃ）　、　Ｍは原料
ガス分子量〕が１０７〜１０　ｌ２Ｊｏｕｌｅ／ｋｇの
条件で行われる特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録
媒体。 （３）強磁性金属薄膜がＣｏを主体とする蒸着膜である
特許請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒
体。 （４）強磁性金属薄膜が０を含む特許請求の範囲第３項
に記載の磁気記録媒体。 手続補正書（０釦 昭和６１年　２月　７日 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　電昭和５９年特許願第２３６１５５号 ２、発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　　所　　東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名　
　称　　（３０６）ティーディーケイ株式会社４、代理
人　〒１０１電話８６４−４４９８６、補正の内容 （１）明細書の「２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙のとおり補正する。 （２）明細書の［３、発明の詳細な説明］の項の記載を
下記のとおり補正する。 ■）　第１０頁８行目のｒＦ：ＬＩＫ料ガス流量（Ｋｇ
−ｏ＋ｏｊＬ　／ｓｅｃ）　、Ｊを「Ｆ：原料ガス流量
（にｇ／ｓｅｃ）、」と補正する。 ２、特許請求の範囲 （１）支持体上に強磁性金属薄膜を有し、この強磁性金
属薄膜上にトップコート膜を有する磁気記録媒体におい
て、トップコート膜が炭素および水素を含む膜厚１０〜
４０人のプラズマ重合膜を有し、かつ、この重合膜の炭
素／水素の原子比が１〜６であり、しかもこの重合膜と
水との接触角が６０°〜１２０°であることを特徴とす
る磁気記録媒体。 （２）プラズマ重合膜の形成が、Ｗ／Ｆ−Ｍ（ここに、
Ｗはプラズマ投入電力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）、Ｆ＆を
原料ガス流量（ｉム胚）　、Ｍは原料ガス分子量〕がｌ
Ｏフ〜１０１２　Ｊｏｕｌｅ／ｋｇの条件で行われる特
許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 （３）強磁性金属薄膜がＣｏを主体とする蒸着膜である
特許請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒
体。 （４）強磁性金属薄膜が０を含む特許請求の範間第３項
に記載の磁気記録媒体。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に強磁性金属薄膜を有し、この強磁性金
   属薄膜上にトップコート膜を有する磁気記録媒体におい
   て、トップコート膜が炭素および水素を含む膜厚１０〜
   ４０Åのプラズマ重合膜を有し、かつこの重合膜の炭素
   ／水素の原子比が１〜６であり、しかもこの重合膜と水
   との接触角が６０°〜１２０°であることを特徴とする
   磁気記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜の形成が、Ｗ／Ｆ・Ｍ〔ここに、
   Ｗはプラズマ投入電力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）、Ｆは原
   料ガス流量（ｋｇ／ｓｅｃ）　、Ｍは原料ガス分子量〕
   が１０＾７〜１０＾１＾２Ｊｏｕｌｅ／ｋｇの条件で行
   われる特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）強磁性金属薄膜がＣｏを主体とする蒸着膜である
   特許請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒
   体。
4. （４）強磁性金属薄膜がＯを含む特許請求の範囲第３項
   に記載の磁気記録媒体。