JPH08273153A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH08273153A JPH08273153A JP6773995A JP6773995A JPH08273153A JP H08273153 A JPH08273153 A JP H08273153A JP 6773995 A JP6773995 A JP 6773995A JP 6773995 A JP6773995 A JP 6773995A JP H08273153 A JPH08273153 A JP H08273153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic recording
- film
- recording medium
- metallic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度磁気記録が可能な強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体において、長期間の保存、
特に高温多湿の環境下に長期間保存した後の耐久性の向
上をはかり、極めて高い実用信頼性の磁気記録媒体の製
造方法の提供を目的とする。 【構成】 真空槽６内に、一面に放電電極１４、対向す
る開口面に、強磁性金属薄膜を表面に有する磁気テープ
原反８を配したサブチャンバー１３を複数設け、放電電
極１４と強磁性金属薄膜を対向電極とするプラズマＣＶ
Ｄ法によって、強磁性金属薄膜表面に硬質炭素膜を主体
とした複層の保護膜を製造する方法において、各々の保
護膜を成膜する時間差を短くすることにより、付着性の
良い硬質炭素膜を主体とした保護膜層を強磁性体金属薄
膜表面に形成する。
気記録層とする磁気記録媒体において、長期間の保存、
特に高温多湿の環境下に長期間保存した後の耐久性の向
上をはかり、極めて高い実用信頼性の磁気記録媒体の製
造方法の提供を目的とする。 【構成】 真空槽６内に、一面に放電電極１４、対向す
る開口面に、強磁性金属薄膜を表面に有する磁気テープ
原反８を配したサブチャンバー１３を複数設け、放電電
極１４と強磁性金属薄膜を対向電極とするプラズマＣＶ
Ｄ法によって、強磁性金属薄膜表面に硬質炭素膜を主体
とした複層の保護膜を製造する方法において、各々の保
護膜を成膜する時間差を短くすることにより、付着性の
良い硬質炭素膜を主体とした保護膜層を強磁性体金属薄
膜表面に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲ、磁気ディスク
装置等に用いられる磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造
方法に関するものであり、特に電磁変換特性と実用信頼
性とを高次元で両立させるために磁性層上に硬質炭素膜
等からなる機能性薄膜を設けた磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
装置等に用いられる磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造
方法に関するものであり、特に電磁変換特性と実用信頼
性とを高次元で両立させるために磁性層上に硬質炭素膜
等からなる機能性薄膜を設けた磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、近年デジタ
ル化、小型化、長時間化などの高性能化が進んでいる
が、それに伴って、高密度磁気記録媒体への要求が高ま
り、磁気記録層を強磁性金属薄膜で構成した金属薄膜型
磁気記録媒体が、短波長記録に極めて有利なことから盛
んに検討されている。
ル化、小型化、長時間化などの高性能化が進んでいる
が、それに伴って、高密度磁気記録媒体への要求が高ま
り、磁気記録層を強磁性金属薄膜で構成した金属薄膜型
磁気記録媒体が、短波長記録に極めて有利なことから盛
んに検討されている。
【０００３】以下に従来の強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体について説明する。図４は従来の磁気記録媒体の拡大
断面図を示すものである。図４において、１はポリエス
テルフィルム、ポリイミドフィルムなどの高分子フィル
ムやアルミニューム薄膜などの非磁性基板である。２は
強磁性金属薄膜からなる磁気記録層でコバルト、ニッケ
ル、鉄またはそれらを主成分とする合金を電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法など
の真空蒸着法によって、非磁性基板１の上に形成されて
いる。４は潤滑剤層で、有機化合物を常法のコーティン
グ法または真空蒸着法によって強磁性金属薄膜２の上に
形成されている。
体について説明する。図４は従来の磁気記録媒体の拡大
断面図を示すものである。図４において、１はポリエス
テルフィルム、ポリイミドフィルムなどの高分子フィル
ムやアルミニューム薄膜などの非磁性基板である。２は
強磁性金属薄膜からなる磁気記録層でコバルト、ニッケ
ル、鉄またはそれらを主成分とする合金を電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法など
の真空蒸着法によって、非磁性基板１の上に形成されて
いる。４は潤滑剤層で、有機化合物を常法のコーティン
グ法または真空蒸着法によって強磁性金属薄膜２の上に
形成されている。
【０００４】以上のように構成された磁気記録媒体にお
いて、例えば、磁気テープでは、高密度磁気記録を達成
するため、磁性層表面は極めて良好な表面性を形成して
いる。そのために、磁気信号の記録再生過程における磁
気ヘッドとの高速しゅう動下での摩擦、摩耗により、走
行耐久性において大きな影響を受けており、その改善は
大きな課題となっている。また、磁性金属薄膜は腐食し
やすく保存特性の改善もまた大きな課題となっている。
いて、例えば、磁気テープでは、高密度磁気記録を達成
するため、磁性層表面は極めて良好な表面性を形成して
いる。そのために、磁気信号の記録再生過程における磁
気ヘッドとの高速しゅう動下での摩擦、摩耗により、走
行耐久性において大きな影響を受けており、その改善は
大きな課題となっている。また、磁性金属薄膜は腐食し
やすく保存特性の改善もまた大きな課題となっている。
【０００５】そのために、走行耐久性、耐蝕性などに優
れた潤滑剤の開発や、二層化して走行耐久性、耐蝕性な
どに対してそれぞれの役割分担する考え方が増加してき
ている。すなわち、図５に示すように保護膜３の上に潤
滑剤層４を形成した、例えば、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ系薄膜上に
潤滑剤層を形成したもの（特開昭６１−１３１２３１号
公報）、硬質カーボン層の上にフッ素系潤滑剤を配した
もの（特開昭６１−１２６６２７号公報、特開昭６２−
２１９３１４号公報）などが提案されている。
れた潤滑剤の開発や、二層化して走行耐久性、耐蝕性な
どに対してそれぞれの役割分担する考え方が増加してき
ている。すなわち、図５に示すように保護膜３の上に潤
滑剤層４を形成した、例えば、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ系薄膜上に
潤滑剤層を形成したもの（特開昭６１−１３１２３１号
公報）、硬質カーボン層の上にフッ素系潤滑剤を配した
もの（特開昭６１−１２６６２７号公報、特開昭６２−
２１９３１４号公報）などが提案されている。
【０００６】また、さらに保護層を多層化しそれぞれの
層に機能分担させ総合的な保護膜の高性能化を図る取り
組みがなされている（例えば、特開平６−１９５６９６
号公報）。
層に機能分担させ総合的な保護膜の高性能化を図る取り
組みがなされている（例えば、特開平６−１９５６９６
号公報）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気記
録媒体の性能向上に対する要求は厳しく、上記従来の構
成では、十分な特性であるといえず、より高次元での電
磁変換特性と実用信頼性との両立が必要であるという問
題点を有していた。
録媒体の性能向上に対する要求は厳しく、上記従来の構
成では、十分な特性であるといえず、より高次元での電
磁変換特性と実用信頼性との両立が必要であるという問
題点を有していた。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、長期間の保存、特に高温多湿の環境下に長期間保
存した後の耐久性に優れ、極めて高い実用信頼性の磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
ので、長期間の保存、特に高温多湿の環境下に長期間保
存した後の耐久性に優れ、極めて高い実用信頼性の磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記、目的を達成するた
めに、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空中で移
動する金属磁性薄膜を表面に有するフィルム原反を対向
電極として、プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する放
電室を複数有するプラズマ装置で、複層の薄膜を一括し
て成膜する際に、各々の層は各々の下層を成膜した直後
より２秒以内に成膜するものである。
めに、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、真空中で移
動する金属磁性薄膜を表面に有するフィルム原反を対向
電極として、プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する放
電室を複数有するプラズマ装置で、複層の薄膜を一括し
て成膜する際に、各々の層は各々の下層を成膜した直後
より２秒以内に成膜するものである。
【００１０】
【作用】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、プラズマ
ＣＶＤによる薄膜の付着強度を向上させるものである。
メカニズムはよく解っていないが、おそらくプラズマＣ
ＶＤによって成膜された薄膜表面が活性を保っている状
態で次層の成膜をすることによって化学的な結合ができ
付着強度が向上するものと考えられる。付着強度を向上
することにより、繰り返し走行耐久性特に高温高湿に長
期間保存した後の繰り返し走行耐久性が向上することが
できるものである。
ＣＶＤによる薄膜の付着強度を向上させるものである。
メカニズムはよく解っていないが、おそらくプラズマＣ
ＶＤによって成膜された薄膜表面が活性を保っている状
態で次層の成膜をすることによって化学的な結合ができ
付着強度が向上するものと考えられる。付着強度を向上
することにより、繰り返し走行耐久性特に高温高湿に長
期間保存した後の繰り返し走行耐久性が向上することが
できるものである。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１２】図１は本発明の実施例で使用した磁気テー
プの構成を示す断面図である。図１において、１は高分
子フィルムからなる非磁性基板、２は強磁性金属薄膜、
３は複層からなる保護膜、４は潤滑剤層、５はバックコ
ート層である。
プの構成を示す断面図である。図１において、１は高分
子フィルムからなる非磁性基板、２は強磁性金属薄膜、
３は複層からなる保護膜、４は潤滑剤層、５はバックコ
ート層である。
【００１３】非磁性基板１としては、ポリエチレンテレ
フタレートがよく用いられるが、ポリエチレンナフタレ
ートなどの他のポリエステルフィルム、セルロースアセ
テートなどのセルロース誘導体、ポリアミド，ポリイミ
ドなどのプラスチックフィルム、及び、アルミニューム
薄膜などが使用できる。
フタレートがよく用いられるが、ポリエチレンナフタレ
ートなどの他のポリエステルフィルム、セルロースアセ
テートなどのセルロース誘導体、ポリアミド，ポリイミ
ドなどのプラスチックフィルム、及び、アルミニューム
薄膜などが使用できる。
【００１４】強磁性金属薄膜２としては、真空蒸着法，
スパッタリング法，イオンプレーティング法で形成した
鉄，コバルト，ニッケルまたはそれらを主成分とする合
金、あるいは、それらの部分酸化物、部分窒化物などを
用いることができる。
スパッタリング法，イオンプレーティング法で形成した
鉄，コバルト，ニッケルまたはそれらを主成分とする合
金、あるいは、それらの部分酸化物、部分窒化物などを
用いることができる。
【００１５】複層からなる保護膜３は、炭化水素ガス、
窒素やフッ素あるいはその他の元素を含んだ炭化水素ガ
スもしくはこれらのガスとヘリウム、ネオン、アルゴン
等の不活性ガスとの混合ガスをプラズマＣＶＤ法によっ
て形成し、それぞれの層は例えば強磁性金属薄膜２と付
着力が強い、ガス遮蔽効果が良い、潤滑剤の配向性がよ
い等の機能をもたせるために適宜材料ガスや成膜条件を
選択して薄膜を形成することができる。さらに前述した
複層からなる保護膜は生産性や膜性能の確保という観点
からは真空排気、大気リークを繰り返すことなく一回の
真空排気で真空を保ったまま複層の成膜をすることが望
ましく、さらに望ましくは一回のフィルム搬送で同時に
複層の成膜をすることが望ましい。
窒素やフッ素あるいはその他の元素を含んだ炭化水素ガ
スもしくはこれらのガスとヘリウム、ネオン、アルゴン
等の不活性ガスとの混合ガスをプラズマＣＶＤ法によっ
て形成し、それぞれの層は例えば強磁性金属薄膜２と付
着力が強い、ガス遮蔽効果が良い、潤滑剤の配向性がよ
い等の機能をもたせるために適宜材料ガスや成膜条件を
選択して薄膜を形成することができる。さらに前述した
複層からなる保護膜は生産性や膜性能の確保という観点
からは真空排気、大気リークを繰り返すことなく一回の
真空排気で真空を保ったまま複層の成膜をすることが望
ましく、さらに望ましくは一回のフィルム搬送で同時に
複層の成膜をすることが望ましい。
【００１６】保護膜３（硬質炭素膜）の形成方法につい
て、更に、詳しく第１の実施例の硬質炭素膜の成膜装置
の概略図図２を用いて説明する。
て、更に、詳しく第１の実施例の硬質炭素膜の成膜装置
の概略図図２を用いて説明する。
【００１７】図２において、６は真空槽であり、真空ポ
ンプ７を用いて槽内部の圧力が１０ -4ｔｏｒｒ〜１０-5
ｔｏｒｒの高真空状態となるように排気を行っている。
８は非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２及びバックコー
ト層５が形成された磁気テープ原反であり、巻出しロー
ル９から送り出され、６本のパスロール１１−ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｆ及びキャン１２−ａ，ｂ，ｃを経由して
巻取りロール１０に巻き取られる。キャン１２−ａ，
ｂ，ｃは、磁気テープ原反８を一定速度で搬送できるよ
うに回転制御する働きをしている。
ンプ７を用いて槽内部の圧力が１０ -4ｔｏｒｒ〜１０-5
ｔｏｒｒの高真空状態となるように排気を行っている。
８は非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２及びバックコー
ト層５が形成された磁気テープ原反であり、巻出しロー
ル９から送り出され、６本のパスロール１１−ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｆ及びキャン１２−ａ，ｂ，ｃを経由して
巻取りロール１０に巻き取られる。キャン１２−ａ，
ｂ，ｃは、磁気テープ原反８を一定速度で搬送できるよ
うに回転制御する働きをしている。
【００１８】１３−ａ，ｂ，ｃは保護膜３−ａ，ｂ，ｃ
を磁気テープ原反８の強磁性金属薄膜２表面上に成膜さ
せるためのサブチャンバー（プラズマ発生部）であり、
サブチャンバー１３−ａ，ｂ，ｃの内部には放電電極１
４−ａ，ｂ，ｃが設置されている。放電電極１４−ａ，
ｂ，ｃはプラズマ発生用電源１５−ａ，ｂ，ｃと接続さ
れている。
を磁気テープ原反８の強磁性金属薄膜２表面上に成膜さ
せるためのサブチャンバー（プラズマ発生部）であり、
サブチャンバー１３−ａ，ｂ，ｃの内部には放電電極１
４−ａ，ｂ，ｃが設置されている。放電電極１４−ａ，
ｂ，ｃはプラズマ発生用電源１５−ａ，ｂ，ｃと接続さ
れている。
【００１９】１６−ａ，ｂ，ｃは炭化水素系ガスやＡｒ
ガス、窒素ガス等の原料ガスをサブチャンバー１３内に
導入するための原料ガス導入口である。
ガス、窒素ガス等の原料ガスをサブチャンバー１３内に
導入するための原料ガス導入口である。
【００２０】また、パスロール１１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅ，ｆは、磁気テープ原反８の走行を安定化させるため
の働きだけでなく、サブチャンバー１３−ａ，ｂ，ｃ内
で磁気テープ原反８の強磁性金属薄膜２へと流れた電流
を抵抗を介して接地（アース）させるための通電ロール
としての役割も担っている。この際、パスロール１１−
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆと磁気テープ原反８との局部的
な接触により、電流がその接触部分に集中して非磁性基
板３が熱負けしてしまう問題が発生しないように、パス
ロール１１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆには半導体材料、
例えばＳｉＣを用いることが好ましい。
ｅ，ｆは、磁気テープ原反８の走行を安定化させるため
の働きだけでなく、サブチャンバー１３−ａ，ｂ，ｃ内
で磁気テープ原反８の強磁性金属薄膜２へと流れた電流
を抵抗を介して接地（アース）させるための通電ロール
としての役割も担っている。この際、パスロール１１−
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆと磁気テープ原反８との局部的
な接触により、電流がその接触部分に集中して非磁性基
板３が熱負けしてしまう問題が発生しないように、パス
ロール１１−ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆには半導体材料、
例えばＳｉＣを用いることが好ましい。
【００２１】硬質炭素膜を形成するには、サブチャンバ
ー１３内に炭化水素ガス、または、炭化水素ガスと不活
性ガスの混合ガスを導入し、０．００１から１Ｔｏｒｒ
の圧力を保持した状態で、サブチャンバー１３内部で放
電させて、炭化水素ガスのプラズマを発生させ、強磁性
金属薄膜２表面に硬質炭素膜を形成する。放電形式とし
ては、直流放電、交流放電、または、直流に交流を重畳
させた放電のいずれでもよく、放電周波数については、
実験的に決めることができる。また、強磁性金属薄膜２
側の電極に０から−２ＫＶの電圧を印加する事によっ
て、膜の硬度の増大及び密着性を向上させることができ
る。
ー１３内に炭化水素ガス、または、炭化水素ガスと不活
性ガスの混合ガスを導入し、０．００１から１Ｔｏｒｒ
の圧力を保持した状態で、サブチャンバー１３内部で放
電させて、炭化水素ガスのプラズマを発生させ、強磁性
金属薄膜２表面に硬質炭素膜を形成する。放電形式とし
ては、直流放電、交流放電、または、直流に交流を重畳
させた放電のいずれでもよく、放電周波数については、
実験的に決めることができる。また、強磁性金属薄膜２
側の電極に０から−２ＫＶの電圧を印加する事によっ
て、膜の硬度の増大及び密着性を向上させることができ
る。
【００２２】炭化水素ガスとしては、メタン，エタン，
プロパン，ブタン，ペンタン，ヘキサン，ヘプタン，オ
クタン，ベンゼンなどを用いることができる。
プロパン，ブタン，ペンタン，ヘキサン，ヘプタン，オ
クタン，ベンゼンなどを用いることができる。
【００２３】また、硬質膜を形成するには、できるだけ
放電エネルギーを大きくすることが望ましい。また、基
板の温度もフィルム原反のダメージのない範囲でできる
だけ高くすることが望ましい。
放電エネルギーを大きくすることが望ましい。また、基
板の温度もフィルム原反のダメージのない範囲でできる
だけ高くすることが望ましい。
【００２４】硬質炭素膜の膜厚としては、５０から３０
０Ａの範囲が適当で、これよりも、薄い場合には、十分
な保護膜効果が得られず、これよりも大きい場合には、
スペーシングによる出力の低下が大きく、実用性が低下
する。
０Ａの範囲が適当で、これよりも、薄い場合には、十分
な保護膜効果が得られず、これよりも大きい場合には、
スペーシングによる出力の低下が大きく、実用性が低下
する。
【００２５】さらに前述した硬質炭素膜の成膜方法と同
様のプラズマＣＶＤ法により強磁性金属皮膜２と接着性
の良い膜、硬質炭素膜と潤滑剤の接着性をよくする薄膜
を同時に形成する。接着性を改良するための薄膜はプラ
ズマ放電条件、反応ガスの種類を種々検討し前述した目
的に適合した膜を選択した。
様のプラズマＣＶＤ法により強磁性金属皮膜２と接着性
の良い膜、硬質炭素膜と潤滑剤の接着性をよくする薄膜
を同時に形成する。接着性を改良するための薄膜はプラ
ズマ放電条件、反応ガスの種類を種々検討し前述した目
的に適合した膜を選択した。
【００２６】本発明で使用する潤滑剤としては、特に限
定するものではないが、カルボキシル基，アミノ基，リ
ン酸基，ヒドロキシル基，エステル基などの極性基と、
フルオロアルキル基またはパーフルオロポリエーテル基
とを少なくとも各１個以上を有するフッ素系潤滑剤が有
効である。本発明における潤滑剤層の形成は、バーコー
ティング法，リバースロールコーティング法，ダイコー
ティング法など従来の塗工方法が適用できる。
定するものではないが、カルボキシル基，アミノ基，リ
ン酸基，ヒドロキシル基，エステル基などの極性基と、
フルオロアルキル基またはパーフルオロポリエーテル基
とを少なくとも各１個以上を有するフッ素系潤滑剤が有
効である。本発明における潤滑剤層の形成は、バーコー
ティング法，リバースロールコーティング法，ダイコー
ティング法など従来の塗工方法が適用できる。
【００２７】以下、第２の実施例を示す。平滑な表面上
に粒径１００Ａのシリカ微粒子を分散させた変性シリコ
ーンと増粘剤とからなる波状突起と粒状突起を有する厚
み７ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、酸素を導入しながら電子ビーム法で連続斜め蒸着を
行い、膜厚１８００ＡのＣｏ−Ｏ膜（強磁性金属薄膜
２）を形成した。
に粒径１００Ａのシリカ微粒子を分散させた変性シリコ
ーンと増粘剤とからなる波状突起と粒状突起を有する厚
み７ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、酸素を導入しながら電子ビーム法で連続斜め蒸着を
行い、膜厚１８００ＡのＣｏ−Ｏ膜（強磁性金属薄膜
２）を形成した。
【００２８】ついで、蒸着層と反対側面に、カーボンブ
ラックと炭酸カルシウム３：２重量比の混合物をポリウ
レタンとニトロセルロース３：２重量比の樹脂成分中に
分散させた塗工液をリバースロール方式の塗工機で塗布
し、１１０℃の温度で乾燥させ０．７ミクロンの膜厚で
バックコート層５を形成し、磁気テープ８原反を作製し
た。
ラックと炭酸カルシウム３：２重量比の混合物をポリウ
レタンとニトロセルロース３：２重量比の樹脂成分中に
分散させた塗工液をリバースロール方式の塗工機で塗布
し、１１０℃の温度で乾燥させ０．７ミクロンの膜厚で
バックコート層５を形成し、磁気テープ８原反を作製し
た。
【００２９】ついで保護膜として図５の成膜装置を用
い、第一のサブチャンバー１３−ａ内にシクロヘキサン
を原料ガスとして導入し、真空度０．１Ｔｏｒｒで周波
数１５ｋＨｚ電圧５００Ｖでプラズマ重合膜を約１０Ａ
形成する。
い、第一のサブチャンバー１３−ａ内にシクロヘキサン
を原料ガスとして導入し、真空度０．１Ｔｏｒｒで周波
数１５ｋＨｚ電圧５００Ｖでプラズマ重合膜を約１０Ａ
形成する。
【００３０】次に第二のサブチャンバー１３−ｂ内に、
メタンとアルゴンの混合ガス（比率は４：１）を導入し
真空度０．２Ｔｏｒｒで周波数１５ＫＨｚ電圧１１００
Ｖでプラズマ重合により１５０Ａ膜厚の硬質炭素膜を形
成した。
メタンとアルゴンの混合ガス（比率は４：１）を導入し
真空度０．２Ｔｏｒｒで周波数１５ＫＨｚ電圧１１００
Ｖでプラズマ重合により１５０Ａ膜厚の硬質炭素膜を形
成した。
【００３１】さらに第三のサブチャンバー１３−ｃ内
に、メタンとアルゴンと窒素とアンモニアの混合ガス
（比率は８：２：１：１）を導入し真空度０．２Ｔｏｒ
ｒで周波数１５ＫＨｚ電圧８００Ｖでプラズマ重合によ
り２０Ａ膜厚の含窒素硬質炭素膜を形成した。
に、メタンとアルゴンと窒素とアンモニアの混合ガス
（比率は８：２：１：１）を導入し真空度０．２Ｔｏｒ
ｒで周波数１５ＫＨｚ電圧８００Ｖでプラズマ重合によ
り２０Ａ膜厚の含窒素硬質炭素膜を形成した。
【００３２】第一、第二、第三のサブチャンバーで成膜
される薄膜は一度のフィルム搬送で同時に形成しても良
いし、フィルムを往復させることによりそれぞれ別々に
形成しても良い。また、サブチャンバー１３は一つのキ
ャン１２の周りに一つと限定される物ではなく複数設置
することも出来る。
される薄膜は一度のフィルム搬送で同時に形成しても良
いし、フィルムを往復させることによりそれぞれ別々に
形成しても良い。また、サブチャンバー１３は一つのキ
ャン１２の周りに一つと限定される物ではなく複数設置
することも出来る。
【００３３】さらに、保護膜３表面に、含フッ素カルボ
ン酸を含む潤滑剤をリバースロールコータで塗布し、７
５℃の温度で乾燥し、潤滑剤層４を形成した。次に、ス
リッターで磁気テープ原反８を８ｍｍ幅に裁断し８ｍｍ
ＶＴＲ用磁気テープを作成した。
ン酸を含む潤滑剤をリバースロールコータで塗布し、７
５℃の温度で乾燥し、潤滑剤層４を形成した。次に、ス
リッターで磁気テープ原反８を８ｍｍ幅に裁断し８ｍｍ
ＶＴＲ用磁気テープを作成した。
【００３４】保護膜３を成膜する際にサブチャンバー１
３の位置、フィルム搬送速度を変えて各々の膜が形成さ
れてから次層の膜が形成されるまでの時間を変えて磁気
テープを作成した。その際、搬送速度を変える場合は、
保護膜３の厚みを一定にするためにサブチャンバー内に
導入するガスの量を調整して厚みを揃えた。この磁気テ
ープを高温高湿環境（５０℃８０％ＲＨ）に１週間放置
しその後２３℃６０％の環境で８ｍｍＶＴＲ（ＳＯＮＹ
（株）製ＥＶＳ−９００）を用い繰り返し走行を行い出
力の安定性を調べ、出力が初期出力より３ｄＢ低下した
時点を寿命と判定した。
３の位置、フィルム搬送速度を変えて各々の膜が形成さ
れてから次層の膜が形成されるまでの時間を変えて磁気
テープを作成した。その際、搬送速度を変える場合は、
保護膜３の厚みを一定にするためにサブチャンバー内に
導入するガスの量を調整して厚みを揃えた。この磁気テ
ープを高温高湿環境（５０℃８０％ＲＨ）に１週間放置
しその後２３℃６０％の環境で８ｍｍＶＴＲ（ＳＯＮＹ
（株）製ＥＶＳ−９００）を用い繰り返し走行を行い出
力の安定性を調べ、出力が初期出力より３ｄＢ低下した
時点を寿命と判定した。
【００３５】
【表１】
【００３６】（表１）から明らかなように、本発明によ
るサンプル例１から４の磁気テープは、いずれも２００
パス以上の繰り返し走行寿命を示す。しかしながら、サ
ンプル例５から９の磁気テープでは繰り返し走行寿命が
短く、特に第一層を成膜してから第二層を成膜するまで
の時間が長いと寿命低下が顕著である。
るサンプル例１から４の磁気テープは、いずれも２００
パス以上の繰り返し走行寿命を示す。しかしながら、サ
ンプル例５から９の磁気テープでは繰り返し走行寿命が
短く、特に第一層を成膜してから第二層を成膜するまで
の時間が長いと寿命低下が顕著である。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、強磁性
金属薄膜上に付着性の良い硬質炭素膜を形成することが
でき、長期間の保存、特に高温高湿の環境下に長期間保
存した後の耐久性の向上をはかる事ができ、極めて高い
実用信頼性の磁気記録媒体を提供することができ、金属
薄膜型の磁気記録媒体の実用特性を向上させる優れた効
果がある。
金属薄膜上に付着性の良い硬質炭素膜を形成することが
でき、長期間の保存、特に高温高湿の環境下に長期間保
存した後の耐久性の向上をはかる事ができ、極めて高い
実用信頼性の磁気記録媒体を提供することができ、金属
薄膜型の磁気記録媒体の実用特性を向上させる優れた効
果がある。
【図１】本発明における実施例の磁気記録媒体（強磁性
金属薄膜型磁気テープ）の構成を示す拡大断面図
金属薄膜型磁気テープ）の構成を示す拡大断面図
【図２】本発明の第１の実施例の保護膜形成装置を示す
概略図
概略図
【図３】本発明の第２の実施例の保護膜形成装置を示す
概略図
概略図
【図４】従来の磁気記録媒体（強磁性金属薄膜型磁気テ
ープ）の構成を示す拡大断面図
ープ）の構成を示す拡大断面図
【図５】従来の磁気記録媒体（保護膜付きの強磁性金属
薄膜型磁気テープ）の構成を示す拡大断面図
薄膜型磁気テープ）の構成を示す拡大断面図
【符号の説明】 １ 非磁性基板 ２ 強磁性金属薄膜 ３ 保護膜 ４ 潤滑剤層 ５ バックコート層 ６ 真空槽 ７ 真空ポンプ ８ 磁気テープ原反 ９ 巻出しロール １０ 巻取りロール １１ パスロール １２ キャン １３ サブチャンバー １４ 放電電極 １５ プラズマ発生用電源 １６ 原料ガス導入口
Claims (1)
- 【請求項１】 真空中で移動する金属磁性薄膜を表面に
有するフィルム原反を対向電極として、プラズマＣＶＤ
法により薄膜を形成する放電室を複数有するプラズマ装
置で、複層の薄膜を一括して成膜する際に、各々の層は
各々の下層を成膜した直後より２秒以内に成膜した事を
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06773995A JP3232948B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06773995A JP3232948B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273153A true JPH08273153A (ja) | 1996-10-18 |
| JP3232948B2 JP3232948B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=13353626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06773995A Expired - Fee Related JP3232948B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232948B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006093168A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Youtec Co., Ltd. | Ｃｖｄ装置と、それを用いた多層膜形成方法と、それにより形成された多層膜 |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP06773995A patent/JP3232948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006093168A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Youtec Co., Ltd. | Ｃｖｄ装置と、それを用いた多層膜形成方法と、それにより形成された多層膜 |
| JPWO2006093168A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-07 | 株式会社ユーテック | Ｃｖｄ装置と、それを用いた多層膜形成方法と、それにより形成された多層膜 |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011014178A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3232948B2 (ja) | 2001-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2830544B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US5589263A (en) | Magnetic recording medium having a ferromagnetic metal thin film, a dry etched layer, a carbonaceous film, and a lubricant film | |
| JP3419045B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3232948B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10289445A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05282662A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06333230A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2843252B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP3831424B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3687117B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2892588B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08167146A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07282445A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3183673B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08287458A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 | |
| JP3035972B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0644558A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2871983B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2001195723A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02126418A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08180363A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH06103560A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02158909A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH09120529A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01245417A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |