JP2001195723A

JP2001195723A - 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP2001195723A
Application number: JP2000006523A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Nishizawa; 康弘西澤; Takeshi Morita; 武志森田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-01-14
Filing date: 2000-01-14
Publication date: 2001-07-19

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録媒体の走行耐久性を向上させるとと
もに、磁気記録媒体によるヘッドの摩耗を低減する。【解決手段】非磁性基板上に磁性層として形成された
強磁性金属薄膜、当該強磁性金属薄膜上に形成された炭
素膜、および炭素膜上に形成された潤滑剤層を有する磁
気記録媒体であって、炭素膜が窒素原子およびフッ素原
子を含んで成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＴＲおよび磁気
ディスク装置等に用いられる強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体であって、強磁性金属薄膜である磁性層上に所定の
組成を有する炭素膜を保護層として形成した磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、大容
量化、高速化、高画質・高音質化、および小型軽量化等
が要望されており、かかる要望に応えるべく、高密度記
録に適した強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の開発および
実用化が積極的にすすめられている。かかる磁気記録媒
体は、高密度記録が可能であることに加えて、実用信頼
性が高いこと、即ち、優れた走行安定性、耐久性、耐食
性および耐候性等を有し、また、記録・再生装置のヘッ
ドを摩耗させないものであることが望ましい。

【０００３】そこで、一般的な磁気記録媒体は、図１に
模式的に示すように、非磁性基板（１）に磁性層として
強磁性金属薄膜（２）が形成され、当該強磁性金属薄膜
（２）上に炭素膜（３）および潤滑剤層（４）がこの順
に形成されて、炭素膜（３）が磁性層（２）を保護する
構成となっている。非磁性基板（１）の強磁性金属薄膜
（２）が設けられている面とは反対側の面には、磁気記
録媒体の走行安定性を向上させるためにバックコート層
（５）が形成される。

【０００４】炭素膜（３）は磁性層（２）の保護層とし
て、磁気記録媒体全体の実用信頼性に大きな影響を及ぼ
すものである。そこで、より優れた保護効果を得るべ
く、その組成や形成方法について種々の提案がなされて
いる。例えば、耐摩耗性および耐食性を向上させるため
に、高硬度で摩耗しにくいダイヤモンド状炭素膜を磁性
層上に形成することが、特開昭６１−２１０５１８号公
報及び特開昭６３−９８８２４号公報等、多くの文献に
おいて提案されている。

【０００５】また、走行安定性及び耐久性を更に改善す
るべく、窒素原子を含んだダイヤモンド状炭素膜を磁性
層上に形成することが、例えば、特開平８−１２４１４
９号公報や特開平１１−３９６４７号公報等において提
案されている。炭素膜の表面に、窒素原子を所定の割合
で含んだ炭素膜を形成したものも提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】窒素原子を含む炭素膜
によれば、硬度の高い保護層を形成できる。しかしなが
ら、例えば、窒素原子が炭素原子に対して０．０５〜
０．２の割合で含まれるＳＰ³結合主体の炭素膜は、膜
の硬度が高いためにヘッド摩耗を増大させることがあ
る。また、硬い膜は脆く剥離しやすいために、却って磁
気記録媒体の耐久性を低下させることがある。炭素膜の
表面に窒素原子を所定割合で含む炭素膜が形成されてい
る場合、炭素膜表面と潤滑剤層との間の結合力は増すも
のの、炭素膜表面が摩耗しはじめると急激に劣化が進行
するという問題がある。このように、従来の炭素膜はい
ずれも、更なる改善を要するものであった。

【０００７】本発明はかかる実情に鑑みてなされたもの
であり、電磁変換特性に悪影響を及ぼすことなく、磁気
記録媒体の耐久性を向上させるとともに、使用時のヘッ
ド摩耗を小さくし得る炭素膜を有して成る実用信頼性の
高い磁気記録媒体を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、非磁性基板上に磁性層として形成された
強磁性金属薄膜、強磁性金属薄膜上に形成された炭素
膜、および炭素膜上に形成された潤滑剤層を有する磁気
記録媒体であって、炭素膜が窒素原子およびフッ素原子
を含んで成ることを特徴とする磁気記録媒体を提供す
る。炭素膜は磁性層を保護するために設けられ、磁気記
録媒体に走行安定性、耐久性および耐食性等を付与す
る。フッ素原子は、窒素原子を含む炭素膜の保護機能を
改善し、磁気記録媒体の耐久性をより向上させるととも
にヘッド摩耗を有効に抑制する。この効果は、フッ素原
子の存在により炭素膜が軟らかくなることによってもた
らされると考えられるが、この推定は本発明を何ら拘束
するものではない。

【０００９】本発明においては、炭素膜に関するラマン
スペクトルにおいて１５５０ｃｍ^-1付近にピークが存在
し、そのピーク強度（Ｂ）とバックグラウンドを差し引
いたピーク強度（Ａ）の比（Ｂ／Ａ）が１．２〜１０で
あることが好ましい。図２に本発明の磁気記録媒体を構
成する炭素膜に関するラマンスペクトルの一例を示す。
ここで、ピーク強度（Ｂ）とは、ピーク点におけるブラ
ンクレベルからピーク点までの高さをいう。バックグラ
ウンドは、ピーク前後のスペクトルを結んだ仮想線（図
中、破線で表示）に相当し、バックグラウンドを差し引
いたピーク強度（Ａ）とは、ピーク点におけるブランク
レベルからバックグラウンドまでの高さをピーク強度
（Ｂ）から差し引いたものをいう。

【００１０】炭素膜に関するラマンスペクトルにおい
て、１５５０cm^-1付近のピークは炭素膜中にダイヤモン
ド結合が存在することを示す。１５５０cm^-1付近のＢ／
Ａは炭素膜の硬度の指標の１つであり、この値が小さい
と炭素膜の硬度が増してヘッド摩耗を増加させ、また、
この値が大きいと膜が軟らかくなり、磁気記録媒体に十
分な耐久性を付与できず、繰り返し走行させた後の磁気
記録媒体の摩擦係数を増加させる。本発明においては、
適度な硬度を確保するとともに、ヘッド摩耗を小さくす
るべく、Ｂ／Ａは上記の範囲内にあることが好ましい。

【００１１】炭素膜における炭素に対するフッ素の原子
比は０．０１〜０．１５であることが好ましい。０．０
１未満である場合には、炭素膜が硬くなりすぎ、０．１
５を超える場合には、炭素膜が軟らかくなるとともに強
磁性金属薄膜との密着力が低下する。いずれの場合も磁
気記録媒体の耐久性を低下させ、繰り返し走行させた後
の磁気記録媒体の摩擦係数を増大させる。

【００１２】炭素膜における炭素に対する窒素の原子比
は、０．１〜０．６であることが好ましい。窒素原子の
占める割合が小さいと潤滑剤層の炭素膜への付着強度が
低下し、耐久性の低下を招く場合がある。窒素原子の占
める割合が大きいと炭素膜の連続性が損なわれ、磁性層
を十分に保護することができず、例えば、炭素が存在し
ない部分からガスが進入して磁性層に錆が生じる等の問
題を引き起こすことがある。

【００１３】また、本発明において炭素膜がフッ素原子
および窒素原子に加えて酸素原子を含む場合、窒素原子
は、炭素膜における酸素に対する窒素の原子比が１．０
以上となるように、炭素膜中に含まれることが好まし
い。磁気記録媒体の炭素膜中における窒素原子の含有量
が酸素原子の含有量よりも少ない、即ち、酸素原子が炭
素膜に占める割合が多いと、繰り返し走行させた後の磁
気記録媒体の摩擦係数が増大しやすく、十分な耐久性を
有する磁気記録媒体を得ることが困難となる。

【００１４】このような磁気記録媒体は、非磁性基板の
一方の側に磁性層を形成した後、炭化水素系ガス、窒素
供給ガス、およびフッ素供給ガスを含む混合ガスを原料
ガスとするプラズマＣＶＤ法を実施して、磁性層上に、
窒素原子およびフッ素原子を含む炭素膜を形成する工程
を含む製造方法によって好ましく製造できる。プラズマ
ＣＶＤ法は、常套的に採用されている炭素膜の形成方法
である。本発明の製造方法においては、原料ガスとして
窒素供給ガスおよびフッ素供給ガスを含む混合ガスを使
用することで、炭素膜に窒素原子およびフッ素原子が含
まれることを確保している。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な形態を説
明する。本発明の磁気記録媒体は、炭素膜が窒素原子お
よびフッ素原子を有する点に特徴を有する。フッ素原子
は、炭素膜における炭素に対するフッ素の原子比が好ま
しくは０．０１〜０．１５、より好ましくは０．０５〜
０．１５となるように、炭素膜に含まれる。また、窒素
原子は、炭素膜における炭素に対する窒素の原子比が好
ましくは０．１〜０．６、より好ましくは０．１５〜
０．４となるように、炭素膜に含まれる。

【００１６】さらに、本発明の磁気記録媒体において
は、炭素膜に関するラマンスペクトルにおいて１５５０
ｃｍ^-1付近にピークが存在し、そのピーク強度（Ｂ）と
バックグラウンドを差し引いたピーク強度（Ａ）の比
（Ｂ／Ａ）が１．２〜１０であることが好ましい。Ｂ／
Ａは、１．３〜５であることがより好ましい。

【００１７】また、炭素膜中にフッ素原子および窒素原
子に加えて酸素がさらに含まれる場合には、炭素膜にお
ける酸素に対する窒素の原子比は１．０以上であること
が好ましい。酸素原子は炭素膜に存在しないことが望ま
しいが、一般的に、プラズマＣＶＤ法で形成された炭素
膜中には酸素が不可避的に含まれる。炭素膜中の酸素原
子は、炭素膜を変質させ、磁気記録媒体の耐久性に好ま
しくない影響を及ぼすと考えられる。したがって、酸素
に対する窒素の原子比を上記のように規定していること
は、炭素膜中に占める窒素原子の割合を酸素の含有量と
の関係においても選択できることを示すとともに、炭素
膜における酸素原子の含有量を制限する必要があること
をも示している。

【００１８】炭素膜は、炭化水素系ガスを主成分とし、
窒素を供給するガス、具体的には窒素含有ガスと、フッ
素を供給するガス、具体的にはフッ素含有ガスとを混合
したものを原料ガスとして実施する、プラズマＣＶＤ法
により形成できる。炭素膜は、非磁性基板上に予め形成
した磁性層である強磁性金属薄膜上に形成する。窒素含
有ガスとしては、例えば、窒素ガス、アンモニアがあ
り、フッ素含有ガスとしては、例えばフルオロカーボン
であるＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆がある。炭化水素系ガスは、磁気
記録媒体の炭素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する
場合に通常用いられているものであってよく、メタン、
エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、ベンゼン、またはトルエン等を用いる
ことができる。原料ガスには、必要に応じて更にアルゴ
ン、キセノン、クリプトン等の不活性ガスが含まれてい
てよい。

【００１９】プラズマＣＶＤによる炭素膜の形成は、具
体的には、反応容器中に原料ガスを導入し、容器内の圧
力を０．１３〜１３０Paに保った状態で反応容器内部で
放電を発生させ、炭化水素系ガスのプラズマを発生させ
ることにより実施する。炭素膜の形成中、炭化水素系ガ
ス、フッ素含有ガス、および窒素含有ガスをそれぞれ所
定流量で反応容器中に導入し、反応容器中でそれらを混
合する。各ガスの供給量（例えば流量）を変化させれ
ば、炭素膜中のフッ素原子および窒素原子の組成比を変
えることができる。具体的には、例えば、炭化水素系ガ
スとして、トルエンを使用し、窒素含有ガスとして窒素
ガスを使用し、フッ素含有ガスとしてＣＦ ₄を使用する
場合、流量の比をトルエン：窒素：ＣＦ₄＝１：４〜１
２：０．０５〜０．６程度とすれば、上記の好ましい割
合でフッ素原子および窒素原子を含む炭素膜を形成でき
る。

【００２０】放電形式は外部電極方式および内部電極方
式のいずれでもよく、放電周波数は実験的に決めること
ができる。放電の際に印加する電圧を変化させることに
よって、Ｂ／Ａを変化させることができる。通常、電圧
が大きいとＢ／Ａは小さくなり、電圧が小さいとＢ／Ａ
は大きくなる傾向にある。Ｂ／Ａはまた、原料ガスの圧
力を変化させることによっても変化させ得る。

【００２１】本発明において、炭素膜は、短波長領域で
の再生出力を確保するために、３〜２０nmの厚さとなる
ように形成することが好ましい。炭素膜の厚さは、炭素
膜を形成する際に炭素膜を付着させる対象（即ち、磁性
層を形成した非磁性基板）の搬送速度を変化させること
により、適宜変化させ得る。

【００２２】本発明の磁気記録媒体は、炭素膜の構成を
上記のようにする点を除いては、従来の磁気記録媒体と
同様である。したがって、その断面は図１に示すよう
に、比磁性基板（１）の一方の面に、磁性層である強磁
性薄膜（２）、保護層としての炭素膜（３）および潤滑
剤層（４）がこの順に形成され、非磁性基板（１）の他
方の面にバックコート層（５）が形成された構成とな
る。

【００２３】本発明の磁気記録媒体を構成する、炭素膜
（３）以外の部分は、常套の材料および方法を採用して
形成することができる。

【００２４】例えば、非磁性基板（１）として、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポ
リアミドもしくはポリイミドから成るフイルム、アルミ
基板またはガラス基板等を使用することができる。

【００２５】磁性層である強磁性金属薄膜（２）は、Ｃ
ｏ、ＦｅおよびＮｉ等の強磁性金属、ならびにＣｏ−Ｎ
ｉおよびＣｏ−Ｃｒ等の合金から適宣選択される材料で
形成される。強磁性金属薄膜（２）は、イオンプレーテ
ィング法、スパッタリング法、または電子ビームを用い
た真空蒸着法等で形成することができる。真空蒸着は、
金属蒸気流の入射角を連続的に変化させて実施する斜方
蒸着法を採用して実施してよい。強磁性金属薄膜（２）
は、必要に応じて真空槽（または減圧槽）内に酸素を僅
かに導入して形成し、強磁性金属薄膜（２）内に酸素が
例えば金属酸化物（例えばＣｏＯ）の形態で含まれるよ
うにしてよい。強磁性金属薄膜（２）の厚さは５０〜３
００nmが一般的である。

【００２６】潤滑剤層（４）を構成する潤滑剤は、例え
ば、カルボキシル基等の極性基を分子中に導入した含フ
ッ素炭化水素系化合物であることが好ましい。潤滑剤層
（４）は、潤滑剤を適当な溶媒に溶解して調製した塗布
液を炭素膜（３）上に塗布後、乾燥させる湿式塗布法に
より形成できる。潤滑剤層（４）は有機蒸着法により形
成してもよい。

【００２７】バックコート層（５）は、ポリウレタン樹
脂、ニトロセルロース樹脂、ポリエステル樹脂、カーボ
ンブラックおよび炭酸カルシウム等から選ばれる１つも
しくは複数の材料により形成される。バックコート層
（５）は、これらの材料を適当な溶媒に溶解または分散
させた塗布液を、非磁性基板（１）に塗布した後、溶媒
を乾燥させることによって形成できる。バックコート層
（５）の厚さは約０．５μｍとすることが好ましい。

【００２８】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。

【００２９】（試料１〜１５）厚さ７μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを非磁性基板（１）として用
意した。このフィルム（１）の一方の面に、酸素雰囲気
下でＣｏを蒸着させ、酸化コバルトを含む厚さ１８０nm
の強磁性金属薄膜（２）を形成した。蒸着は、蒸着入射
角を連続的に変化させて実施した。

【００３０】蒸着後、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（１）の他方の面に、バックコート層（５）を形成
した。バックコート層（５）はポリエステル樹脂および
カーボンを用いて湿式塗布法で形成し、乾燥後の厚さが
約０．５μｍとなるように形成した。

【００３１】次に強磁性金属薄膜（２）の表面に、炭素
膜（３）を、プラズマＣＶＤ装置を用いて形成した。炭
素膜（３）の形成条件は次のとおりである。

【００３２】原料ガス：トルエンとアルゴンとの混合ガ
スに、窒素供給ガスとして窒素ガスを、フッ素含有ガス
としてテトラフルオロメタン（ＣＦ₄）を混合したもの
を使用した。本実施例では、各ガスを独立して所定流量
で反応容器中に導入し、反応容器中でそれらが混合され
るようにした。各ガスの流量は、炭素膜中のフッ素原子
および窒素原子の組成比を変えるために、表１に示すよ
うに試料ごとに適宜変化させた。フッ素原子を含まない
炭素膜を形成する場合にはＣＦ₄の流量をゼロとし、窒
素原子を含まない炭素膜を形成する場合には窒素ガスの
流量をゼロとした。

【００３３】反応圧力：２７Paとした。

【００３４】印加電圧：直流電源を用いて０．８〜２．
５ｋＶの範囲内にある一定電圧を印加した。ラマンスペ
クトルのピーク強度比（Ｂ／Ａ）を変化させるために、
印加電圧は試料ごとに、表１に示すように適宜変化させ
た。

【００３５】

【表１】

【００３６】各試料の炭素膜の元素組成をＸ線光電子分
光法で分析し、炭素膜における炭素に対するフッ素の原
子比（Ｆ／Ｃ）、炭素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｃ）
および酸素に対する窒素の原子比（Ｎ／Ｏ）を求めた。
また、各試料について、炭素膜のラマン分光分析を実施
し、得られたスペクトルから１５５０cm^-1付近のピーク
のピーク強度比（Ｂ／Ａ）を求めた。得られた結果を表
２に示す。

【００３７】次に、炭素膜（３）の表面に、含フッ素カ
ルボン酸（Ｃ₅Ｆ₁₁（ＣＨ₂）₁₀ＣＯＯＨ）から成る潤滑
剤層（４）を湿式塗布法により、乾燥後の膜厚が４nm程
度となるように形成した。

【００３８】以上のようにして作製したテープ素材をス
リッタで８mm幅に裁断し、８mmＶＴＲ用の磁気テープを
作製した。

【００３９】得られた８mmＶＴＲ用の磁気テープを、８
mmＶＴＲ（ソニー社製ＥＶＳ−９００）に装着し、４０
℃８０％ＲＨの環境槽にて、繰り返し走行を３００パス
実施し、走行後のヘッドの厚さ方向の摩耗量を測定し
た。

【００４０】また、繰り返し走行を実施する前、および
実施した後の磁気テープについて、磁性層側表面の摩擦
係数を測定した。摩擦係数は、各試料を、摩擦部材（ス
テンレス製（ＳＵＳ４２０Ｊ２、表面粗さ０．２Ｓ）、
外径６ｍｍ）への巻き付け角９０°で摩擦部材に巻き付
け、テンション０．２Ｎの条件で試料を巻き出し、巻き
出しおよび巻き取り速度をともに１４mm／秒とし、巻き
取り側においてテンションを測定して、巻き出し側のテ
ンションとの比からオイラーの式より計算して求めた。

【００４１】試料１〜１５の炭素膜のＦ／Ｃ、Ｎ／Ｃお
よびＮ／Ｏ、ピーク強度比（Ｂ／Ａ）、ヘッド摩耗の評
価結果、ならびに繰り返し走行の実施前後の摩擦係数
を、それぞれ表２に示す。

【００４２】

【表２】

【００４３】表２より、炭素膜中にＦ／Ｃが０．０１〜
０．１５となるようにフッ素原子が含まれ、かつ、Ｎ／
Ｃが０．１〜０．６となり、Ｎ／Ｏが１．０以上となる
ように窒素原子が含まれる磁気テープ（試料１〜５）は
いずれも、繰り返し走行させても、ヘッドの摩耗をそれ
ほど生じさせない。また、摩擦係数の増加も小さく、繰
り返し走行を実施した後も０．３より小さい摩擦係数を
維持していた。このことは、これらの磁気テープが耐久
性に優れていることを示している。

【００４４】炭素膜にフッ素原子が含まれない磁気テー
プ（試料６）は、繰り返し走行を実施した後の摩擦係数
の増加が大きく、耐久性の点で劣るものであった。ま
た、試料７の摩擦係数の測定結果より、炭素膜が窒素原
子を含まない磁気テープは耐久性の点で劣ることが判
る。これらより、炭素膜に含まれる窒素原子とフッ素原
子は相乗的に炭素膜の保護機能を向上させていることが
判る。

【００４５】Ｆ／Ｃが０．１５よりも大きい磁気テープ
（試料８）については、ヘッド摩耗がやや大きく、耐久
性の点においても満足できるものではなかった。炭素膜
におけるＮ／Ｃが０．６よりも大きい磁気テープ（試料
９）においては走行中、炭素膜に剥離が生じ、剥離した
炭素膜がヘッドにダメージを与えたためにヘッド摩耗が
大きくなり、また、炭素膜が剥離して保護層が失われた
ために、当該磁気テープは耐久性の点でも劣っていた。
炭素膜におけるＮ／Ｃが０．１よりも小さい磁気テープ
（試料１０）は、繰り返し走行させた後の摩擦係数が
０．３を超え、耐久性がやや劣るものであった。

【００４６】試料１１のヘッド摩耗の評価結果より、炭
素膜に関するラマンスペクトルにおける１５５０cm^-1付
近のピークのピーク強度比（Ｂ／Ａ）が１．２以下であ
る磁気テープを用いると、ヘッドの摩耗量が大きくなる
ことが判る。また、試料１２の摩擦係数の測定結果よ
り、同ピーク強度比（Ｂ／Ａ）が１０以上になると、耐
久性の点で劣ることが判る。

【００４７】磁気テープの炭素膜における酸素に対する
窒素の原子比が１以下である磁気テープ（試料１３〜１
５）は、Ｆ／ＣおよびＮ／Ｃが好ましい範囲内にある場
合でも、ヘッドを摩耗させる、あるいは繰り返し走行後
の摩擦係数が大きくなる傾向にある。このことは、炭素
膜における酸素原子の占める割合が窒素原子よりも大き
くなると、炭素膜の保護機能が低下する傾向にあること
を示唆している。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体は、その炭素膜が窒素原子に加えてフッ素原子を含
むことを特徴とする。かかる特徴により、本発明の磁気
記録媒体は、炭素膜に窒素原子のみが含まれるものと比
べて、ヘッドを摩耗しにくく、また耐久性が向上したも
のとなる。さらに、炭素膜に関するラマンスペクトルに
おける１５５０cm^-1付近のピーク強度比が所定範囲内に
あるように炭素膜を形成することにより、ヘッド摩耗の
低減および耐久性の向上をより図ることができる。

【００４９】本発明においては、炭素膜における炭素に
対するフッ素および窒素の原子比が所定範囲内にあるよ
うにして、炭素、窒素およびフッ素の組成を最適化する
ことにより、磁気記録媒体に良好な耐久性等を付与して
いる。また、酸素に対する窒素の原子比を規定すること
で窒素原子の含有量を更に最適化でき、これにより炭素
膜の保護性能は更に向上し得る。したがって、本発明の
磁気記録媒体は、それを構成する炭素膜が１０nm以下と
極めて薄くても、繰り返しの走行に対して十分な耐久性
を有し、優れた実用信頼性を呈する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を模式的に示す
断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の炭素膜に関するラマ
ンスペクトルの一例である。

【符号の説明】

１非磁性基板２強磁性金属薄膜３炭素膜４潤滑剤層５バックコート層

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に磁性層として形成された
強磁性金属薄膜、強磁性金属薄膜上に形成された炭素
膜、および炭素膜上に形成された潤滑剤層を有する磁気
記録媒体であって、炭素膜が窒素原子およびフッ素原子
を含んで成ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】炭素膜に関するラマンスペクトルにおい
て１５５０ｃｍ^-1付近にピークが存在し、そのピーク強
度（Ｂ）とバックグラウンドを差し引いたピーク強度
（Ａ）の比（Ｂ／Ａ）が１．２〜１０である請求項１に
記載の磁気記録媒体。
【請求項３】炭素膜における炭素に対するフッ素の原
子比が０．０１〜０．１５である請求項１または請求項
２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】炭素膜における炭素に対する窒素の原子
比が０．１〜０．６である請求項１〜３のいずれか１項
に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】炭素膜が酸素を含む場合、炭素膜におけ
る酸素に対する窒素の原子比が１．０以上である請求項
１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】非磁性基板の一方の側に磁性層を形成し
た後、炭化水素系ガス、窒素供給ガス、およびフッ素供
給ガスを含む混合ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ
法を実施して、磁性層上に、窒素原子およびフッ素原子
を含む炭素膜を形成する工程を含む、磁気記録媒体の製
造方法。