JPH0685206B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0685206B2 JPH0685206B2 JP58125596A JP12559683A JPH0685206B2 JP H0685206 B2 JPH0685206 B2 JP H0685206B2 JP 58125596 A JP58125596 A JP 58125596A JP 12559683 A JP12559683 A JP 12559683A JP H0685206 B2 JPH0685206 B2 JP H0685206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- magnetic recording
- recording medium
- treatment
- khz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
り、特には耐久性改善のため10KHzから20KHzの範囲の周
波数のプラズマで処理したベースフイルムを用いた磁気
記録媒体の製造方法に関するものである。
り、特には耐久性改善のため10KHzから20KHzの範囲の周
波数のプラズマで処理したベースフイルムを用いた磁気
記録媒体の製造方法に関するものである。
非磁性支持体上にγ‐Fe2O3、γ‐Fe3O4、Co含浸γ‐Fe
2O3等々の酸化物系磁性粉と結合剤とを主体する磁性層
を形成した磁気記録媒体が出現してすでに久しいが、最
近では記録密度をさらに向上する目的で、Fe、Co、Ni、
Fe-Co、Co-Ni、Fe-Co-Ni、Fe-Co-B、Fe-Co-Cr-B、Mn-B
i、Mn-Al、Fe-Co-V等の強磁性粉と結合剤等から成る磁
気記録媒体、さらには金属蒸着薄膜とかスパツタ薄膜を
磁性層とする磁気記録媒体が実用化され、脚光をあびつ
つある。
2O3等々の酸化物系磁性粉と結合剤とを主体する磁性層
を形成した磁気記録媒体が出現してすでに久しいが、最
近では記録密度をさらに向上する目的で、Fe、Co、Ni、
Fe-Co、Co-Ni、Fe-Co-Ni、Fe-Co-B、Fe-Co-Cr-B、Mn-B
i、Mn-Al、Fe-Co-V等の強磁性粉と結合剤等から成る磁
気記録媒体、さらには金属蒸着薄膜とかスパツタ薄膜を
磁性層とする磁気記録媒体が実用化され、脚光をあびつ
つある。
これらの磁気記録媒体においては、特に磁気テープおよ
び磁気デイスクの用途では、摩擦係数が小さく、円滑で
安定な走行性を示すこと、耐摩耗性に優れ、長時間にわ
たつて安定走行を行ないうること、置かれた環境条件に
対して安定でいつでも確実な再生ができること、耐久性
のあること等が強く求められる。
び磁気デイスクの用途では、摩擦係数が小さく、円滑で
安定な走行性を示すこと、耐摩耗性に優れ、長時間にわ
たつて安定走行を行ないうること、置かれた環境条件に
対して安定でいつでも確実な再生ができること、耐久性
のあること等が強く求められる。
従来より耐久性を改善する目的で種々の前処理が行なわ
れてきた。前処理としては、薬液処理、コーテイング処
理、コロナ放電処理等がある。
れてきた。前処理としては、薬液処理、コーテイング処
理、コロナ放電処理等がある。
薬液処理法としては、酸、アルカリ処理がある。もつと
も効果的な薬液処理方法としては、クロム酸処理液のよ
うな強酸／強酸剤の薬液を用いて表面を酸化させ、カル
ボニル基やカルボキシル基を導入して表面をエツチング
するものがある。しかしながら、薬液処理方法において
は、フイルム表面の洗滌、乾燥が必要のみならず、廃液
処理に多大な投資を必要とすることが欠点げある。特
に、クロム酸処理は、廃液が公害規制の対象となるの
で、今日では利用が少なくなつてきている。
も効果的な薬液処理方法としては、クロム酸処理液のよ
うな強酸／強酸剤の薬液を用いて表面を酸化させ、カル
ボニル基やカルボキシル基を導入して表面をエツチング
するものがある。しかしながら、薬液処理方法において
は、フイルム表面の洗滌、乾燥が必要のみならず、廃液
処理に多大な投資を必要とすることが欠点げある。特
に、クロム酸処理は、廃液が公害規制の対象となるの
で、今日では利用が少なくなつてきている。
フイルムのコーテイング法においては、アンダーコート
に含まれるバインダー系と磁性層との相互作用が必要で
ある。すなわち、磁性層のバインダー、顔料の組成の変
更があれば、それに最適なアンダーコーテイング組成の
選択が必要である。コーテイング法においては、このよ
うなソフト技術が必要のみならず、塗布、乾燥のプロセ
スを準備することを必要とし、コーテイング原材料を消
費するため製品のコストアツプが避けられない。
に含まれるバインダー系と磁性層との相互作用が必要で
ある。すなわち、磁性層のバインダー、顔料の組成の変
更があれば、それに最適なアンダーコーテイング組成の
選択が必要である。コーテイング法においては、このよ
うなソフト技術が必要のみならず、塗布、乾燥のプロセ
スを準備することを必要とし、コーテイング原材料を消
費するため製品のコストアツプが避けられない。
コロナ放電処理は、ドライプロセスであるため、洗滌、
乾燥や廃液処理のプロセスを必要としないことが有利で
ある。このコロナ処理は、古くから行なわれており、接
着性、ぬれ特性、印刷性の改善効果がある。しかし、コ
ロナ処理では、今後ますます要求が激しくなる高性能な
磁気記録媒体の特性を満足できないという問題がある。
乾燥や廃液処理のプロセスを必要としないことが有利で
ある。このコロナ処理は、古くから行なわれており、接
着性、ぬれ特性、印刷性の改善効果がある。しかし、コ
ロナ処理では、今後ますます要求が激しくなる高性能な
磁気記録媒体の特性を満足できないという問題がある。
その他の方法としては、火炎処理があるが寸法安定法の
要求が厳しく磁気記録媒体には利用できない。
要求が厳しく磁気記録媒体には利用できない。
本発明は、上述のような従来技術の欠点にかんがみ、磁
気記録媒体の耐久性を安価に簡単なプロセスで向上させ
ることを目的とする。
気記録媒体の耐久性を安価に簡単なプロセスで向上させ
ることを目的とする。
このような目的に対しては、一般にプラズマ処理が用い
られる。プラズマ処理法は、一工程のみから成り、ドラ
イプロセスであるので乾燥、廃液処理が必要でなく、バ
インダー等の原材料を消費しないという利点がある。さ
らに、プラズマ処理法は、高速での連続生産が可能であ
るため、磁気記録媒体製造工程に容易に組み込むことが
でき、その生産性を阻害しない。プラズマ発生源として
は、高周波放電、マイクロ波放電の他に、直流放電、交
流放電等いずれでも利用できる。
られる。プラズマ処理法は、一工程のみから成り、ドラ
イプロセスであるので乾燥、廃液処理が必要でなく、バ
インダー等の原材料を消費しないという利点がある。さ
らに、プラズマ処理法は、高速での連続生産が可能であ
るため、磁気記録媒体製造工程に容易に組み込むことが
でき、その生産性を阻害しない。プラズマ発生源として
は、高周波放電、マイクロ波放電の他に、直流放電、交
流放電等いずれでも利用できる。
本発明者等は、プラズマ処理法において、それに利用す
る電源の周波数10KHzから200KHzの範囲において著しい
ベースフイルム表面の改質効果が得られることを見出し
た。
る電源の周波数10KHzから200KHzの範囲において著しい
ベースフイルム表面の改質効果が得られることを見出し
た。
プラズマ処理法は、Ar、He、H2、N2等の無機ガスの放電
プラズマをフイルムに接触させることにより基体表面を
プラズマ処理するものである。原理について概説する
と、気体を低圧に保ち電場を作用させると、気体中に少
量存在する自由電子は、常圧に較べ分子距離が非常に大
きいため、電界加速を受け５〜10eVの運動エネルギー
（電子温度）を獲得する。この加速電子が原子や分子に
衝突すると、原子軌道や分子軌道を分断し、これを電
子、イオン、中性ラジカルなど状態では不安定な化学種
に解離させる。解離した電子は再び電界加速を受けて別
の原子や分子を解離させるが、この連鎖作用で気体はた
ちまち高度の電離状態となり、そしてこれはプラズマガ
スと呼ばれている。気体分子は電子との衝突の機会が少
ないのでエネルギーをあまり吸収せず、常温に近い温度
に保たれている。このように、電子の運動エネルギー
（電子温度）と分子の熱運動（ガス温度）が分離した系
は低温プラズマと呼ばれ、ここでは化学種が比較的原形
に保つたまま重合等の加成的化学反応を進めうる状況を
創出しており、本発明はこの状況を利用して基体表面を
プラズマ処理しようとするものである。低温プラズマを
利用するため、基体の熱影響は全くない。
プラズマをフイルムに接触させることにより基体表面を
プラズマ処理するものである。原理について概説する
と、気体を低圧に保ち電場を作用させると、気体中に少
量存在する自由電子は、常圧に較べ分子距離が非常に大
きいため、電界加速を受け５〜10eVの運動エネルギー
（電子温度）を獲得する。この加速電子が原子や分子に
衝突すると、原子軌道や分子軌道を分断し、これを電
子、イオン、中性ラジカルなど状態では不安定な化学種
に解離させる。解離した電子は再び電界加速を受けて別
の原子や分子を解離させるが、この連鎖作用で気体はた
ちまち高度の電離状態となり、そしてこれはプラズマガ
スと呼ばれている。気体分子は電子との衝突の機会が少
ないのでエネルギーをあまり吸収せず、常温に近い温度
に保たれている。このように、電子の運動エネルギー
（電子温度）と分子の熱運動（ガス温度）が分離した系
は低温プラズマと呼ばれ、ここでは化学種が比較的原形
に保つたまま重合等の加成的化学反応を進めうる状況を
創出しており、本発明はこの状況を利用して基体表面を
プラズマ処理しようとするものである。低温プラズマを
利用するため、基体の熱影響は全くない。
プラズマにより磁気記録媒体表面を処理する装置例が第
１図および第２図に示してある。第１図は直流、交流お
よび周波数可変型電源を用いたプラズマ処理装置であ
り、そして第２図はマイクロ波放電によるプラズマ処理
装置である。
１図および第２図に示してある。第１図は直流、交流お
よび周波数可変型電源を用いたプラズマ処理装置であ
り、そして第２図はマイクロ波放電によるプラズマ処理
装置である。
第１図において、反応容器Ｒには、処理ガス源１または
２から処理ガスがそれぞれマスフローコントローラ３お
よび４を経て供給される。ガス源１または２から別々の
ガスを供給する場合は、混合器５において混合して供給
する。処理ガスは、各々１〜250ml/分の流量範囲をとり
うる。反応容器Ｒ内には、被処理磁気記録媒体支持装置
が設置され、ここでは磁気テープ処理を目的として繰出
しロール９と巻取りロール10とが示してある。被処理磁
気記録媒体の形態に応じて様々の支持装置が使用でき、
例えば載置式の回転支持装置が使用されうる。被処理磁
気テープを間に挾んで対向する電極７、71が設けられて
おり、一方の電極７は直流、交流および周波数可変型電
源６に接続され、他方の電極71は８にて接地されてい
る。さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するため
の真空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラツプ
11、油回転ポンプ12および真空コントローラ13を含む。
これら真空系統は反応容器内を0.01〜10Torrの真空度の
範囲に離持する。
２から処理ガスがそれぞれマスフローコントローラ３お
よび４を経て供給される。ガス源１または２から別々の
ガスを供給する場合は、混合器５において混合して供給
する。処理ガスは、各々１〜250ml/分の流量範囲をとり
うる。反応容器Ｒ内には、被処理磁気記録媒体支持装置
が設置され、ここでは磁気テープ処理を目的として繰出
しロール９と巻取りロール10とが示してある。被処理磁
気記録媒体の形態に応じて様々の支持装置が使用でき、
例えば載置式の回転支持装置が使用されうる。被処理磁
気テープを間に挾んで対向する電極７、71が設けられて
おり、一方の電極７は直流、交流および周波数可変型電
源６に接続され、他方の電極71は８にて接地されてい
る。さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するため
の真空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラツプ
11、油回転ポンプ12および真空コントローラ13を含む。
これら真空系統は反応容器内を0.01〜10Torrの真空度の
範囲に離持する。
操作においては、反応容器Ｒ内が先ず10-3Torr以下にな
るまで油回転ポンプにより容器内を排気し、その後処理
ガスおよびキヤリヤーガスが所定の流量において容器内
に混合状態で供給される。反応容器内の真空は0.01〜10
Torrの範囲に管理される。被処理磁気テープの移行速度
ならびに処理ガスの流量が安定すると、直流、交流およ
び周波数可変型電源がオンにされる。こうして、移行中
の磁気記録媒体がプラズマ処理される。
るまで油回転ポンプにより容器内を排気し、その後処理
ガスおよびキヤリヤーガスが所定の流量において容器内
に混合状態で供給される。反応容器内の真空は0.01〜10
Torrの範囲に管理される。被処理磁気テープの移行速度
ならびに処理ガスの流量が安定すると、直流、交流およ
び周波数可変型電源がオンにされる。こうして、移行中
の磁気記録媒体がプラズマ処理される。
第２図はマイクロ波放電によるプラズマ処理装置を示
す。第１図と同じ構成要素には同じ符号を付してある。
ここでは、反応容器Ｒに放電プラズマ室15が形成され、
その外端に処理ガス源２からの処理ガスが供給されるよ
うになつている。処理ガスは、供給後マグネトロン６の
発振によりプラズマ化され安定化される。処理ガスはノ
ズル16から供給することもできる。プラズマ室15と整列
して支持装置が取り付けられ、この場合には繰出しおよ
び巻取りロール９および10が垂直に配向されている。こ
の他の要素は第１図におけると同一である。
す。第１図と同じ構成要素には同じ符号を付してある。
ここでは、反応容器Ｒに放電プラズマ室15が形成され、
その外端に処理ガス源２からの処理ガスが供給されるよ
うになつている。処理ガスは、供給後マグネトロン６の
発振によりプラズマ化され安定化される。処理ガスはノ
ズル16から供給することもできる。プラズマ室15と整列
して支持装置が取り付けられ、この場合には繰出しおよ
び巻取りロール９および10が垂直に配向されている。こ
の他の要素は第１図におけると同一である。
前述したように、本プラズマ処理法により処理されたベ
ースフイルムを利用した磁気記録媒体は、耐久性が大幅
に改善された。
ースフイルムを利用した磁気記録媒体は、耐久性が大幅
に改善された。
実施例１ 10μｍのポリエステルベースフイルムに対して、アルゴ
ンを処理ガスとしてプラズマ処理した。プラズマ処理条
件は次の通りとした。
ンを処理ガスとしてプラズマ処理した。プラズマ処理条
件は次の通りとした。
処理ガス:Ar50ml/分 真空度:0.5Torr プラズマ周波数：直流、交流、500Hz〜100MHzおよびマ
イクロ波出力200W ベースフイルム走行速度:30m/分 この処理されたベースフイルムの10μｍのポリエステル
フイルム上にCo-Ni（組成Co95％‐Ni5％）を原料とし
て、0.1μｍの厚さにスパツタした磁気テープを作製し
た。
イクロ波出力200W ベースフイルム走行速度:30m/分 この処理されたベースフイルムの10μｍのポリエステル
フイルム上にCo-Ni（組成Co95％‐Ni5％）を原料とし
て、0.1μｍの厚さにスパツタした磁気テープを作製し
た。
実施例２ 実施例１において処理ガスをN2とした。その他の条件は
実施例３と同一としてスパツタした磁気テープを作製し
た。
実施例３と同一としてスパツタした磁気テープを作製し
た。
実施例３ 実施例１と同一条件において処理したベースフイルム上
に次の条件で磁気テープを作製した。
に次の条件で磁気テープを作製した。
Fe-Co金属粉 100部 研磨剤（Al2O3） ３部 ニトロセルロース ６部 エポキシ樹脂（商品名エピコート1004） ４部 ポリウレタン（商品名ニツポラン5033） 10部 溶剤 250部 上記組成物をサンドミルにて５時間分散させ、イソシア
ネート（コロネートＬ）４部を加え、磁性配向処理を施
しながら上記の処理をした10μｍのポリエステルベース
フイルムに塗布し、従来方式にしたがい磁気テープを作
製した。
ネート（コロネートＬ）４部を加え、磁性配向処理を施
しながら上記の処理をした10μｍのポリエステルベース
フイルムに塗布し、従来方式にしたがい磁気テープを作
製した。
実施例４ 実施例１において処理ガスをN2とした。その他の条件は
実施例５と同一として磁気テープを作製した。
実施例５と同一として磁気テープを作製した。
比較例１ 10μｍのポリエステルベースフイルムに対してコロナ放
電処理を実施した。コロナ放電処理は、ピラー社製コロ
ナ処理機P-500VAを用いてフイルム処理速度30m/分、電
圧200Vで実施した。
電処理を実施した。コロナ放電処理は、ピラー社製コロ
ナ処理機P-500VAを用いてフイルム処理速度30m/分、電
圧200Vで実施した。
このコロナ放電処理ベースフイルムに対して、実施例
１、３、５と同一方法でそれぞれ蒸着テープ、スパツタ
テープ、塗布型テープを作製した。
１、３、５と同一方法でそれぞれ蒸着テープ、スパツタ
テープ、塗布型テープを作製した。
性能比較試験 実施例１〜６と比較例１のサンプルについて次の試験を
実施した。
実施した。
（イ）接着強度 作製した1/4インチ幅テープの磁性塗膜側に接着テープ
を一定の圧力で接着させ、、この接着テープを180゜の
角度方向に一定の速度で引き離し、剥離に要した力を測
定した。
を一定の圧力で接着させ、、この接着テープを180゜の
角度方向に一定の速度で引き離し、剥離に要した力を測
定した。
（ロ）スチル時間 VTRで静止画像を再生したときに画像が出なくなるまで
の時間として測定した。
の時間として測定した。
（ハ）接触角 接触角計CA-P型（協和化学製）を用いて水の液滴投影法
により測定した。
により測定した。
実施例５、６および比較例１の塗布型テープの接着強度
を第３図に示す。第３図において○印によるプロツトは
実施例５に対するもの、×印によるプロツトは実施例６
に対するもの、△によるプロツトは比較例１に対するも
のである。
を第３図に示す。第３図において○印によるプロツトは
実施例５に対するもの、×印によるプロツトは実施例６
に対するもの、△によるプロツトは比較例１に対するも
のである。
スパツタテープのスチル時間を第４図に示す。この図に
おいて、○、◎、×、□、△印によるプロツトは、それ
ぞれ実施例１、２、３、４および比較例に対するもので
ある。
おいて、○、◎、×、□、△印によるプロツトは、それ
ぞれ実施例１、２、３、４および比較例に対するもので
ある。
これらの図から、特に周波数が10KHz〜200KHzの範囲で
プラズマ処理したポリエステルベースフイルムを使用し
て磁気記録媒体を作製すると、接着強度が増大し、スチ
ル時間が延長されることが分る。
プラズマ処理したポリエステルベースフイルムを使用し
て磁気記録媒体を作製すると、接着強度が増大し、スチ
ル時間が延長されることが分る。
そこで、この原因を究明するために、プラズマ処理され
たポリエステルフイルムの接触角を測定し、その結果を
表１に示す。
たポリエステルフイルムの接触角を測定し、その結果を
表１に示す。
このように、フイルム表面の接触角の低下により表面の
ぬれ性が向上され、それがプラズマ処理による表面の浄
化と相俟つて接着強度を向上させ、スチル時間を延長さ
せたものと考えられる。
ぬれ性が向上され、それがプラズマ処理による表面の浄
化と相俟つて接着強度を向上させ、スチル時間を延長さ
せたものと考えられる。
以上説明した通り、今後ますます厳しい品質要件と耐久
性を要求される各種磁気記録媒体に対して、本発明は、
ベースフイルム表面をいままでとは異なる方法により処
理することによつてこの要求に充分答えうるものであ
る。
性を要求される各種磁気記録媒体に対して、本発明は、
ベースフイルム表面をいままでとは異なる方法により処
理することによつてこの要求に充分答えうるものであ
る。
第１図は直流、交流および周波数可変型電源を使用した
プラズマ処理装置の概略図、第２図はマイクロ波放電プ
ラズマ処理装置の概略図、第３図は本発明および従来方
法で処理された磁気記録媒体のプラズマ周波数と接着強
度の関係を示すプロツト図、第４図は上記磁気記録媒体
のプラズマ周波数とスチル時間の関係を示すプロツト図
である。 １、2:処理ガス源 ３、4:マスフローコントローラ 5:混合器 6:直流、交流および周波数可変型電源 ７、71:電極 ９、10:繰出しおよび巻取りロール 11:液体窒素トラツプ 12:油回転トラツプ 13:真空コントローラ R:反応容器 15:プラズマ室 16:ノズル
プラズマ処理装置の概略図、第２図はマイクロ波放電プ
ラズマ処理装置の概略図、第３図は本発明および従来方
法で処理された磁気記録媒体のプラズマ周波数と接着強
度の関係を示すプロツト図、第４図は上記磁気記録媒体
のプラズマ周波数とスチル時間の関係を示すプロツト図
である。 １、2:処理ガス源 ３、4:マスフローコントローラ 5:混合器 6:直流、交流および周波数可変型電源 ７、71:電極 ９、10:繰出しおよび巻取りロール 11:液体窒素トラツプ 12:油回転トラツプ 13:真空コントローラ R:反応容器 15:プラズマ室 16:ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 悠一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テイ −デイ−ケイ株式会社内 (72)発明者 土屋 佳子 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テイ −デイ−ケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−167830（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−90231（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】10KHzから200KHzまでの範囲の周波数のプ
ラズマで処理したプラスチックベースフィルムに、強磁
性金属をスパッタして強磁性金属層を形成することを特
徴とする磁気記録媒体の制御方法。 - 【請求項２】10KHzから200KHzまでの範囲の周波数のプ
ラズマで処理したプラスチックベースフィルムに、強磁
性粉末を樹脂バインダ中に分散した塗料を塗布すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125596A JPH0685206B2 (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/629,465 US4575475A (en) | 1983-07-12 | 1984-07-10 | Magnetic recording medium |
| DE19843425755 DE3425755A1 (de) | 1983-07-12 | 1984-07-12 | Verfahren zur herstellung eines magnetaufzeichnungstraegers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125596A JPH0685206B2 (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018820A JPS6018820A (ja) | 1985-01-30 |
| JPH0685206B2 true JPH0685206B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=14914058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125596A Expired - Lifetime JPH0685206B2 (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685206B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07325273A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Daiichi Eng Kk | ロウ付け不能な金属製のメガネフレーム及びその部品 |
| US6312554B1 (en) * | 1996-12-05 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling the ratio of reactive to non-reactive ions in a semiconductor wafer processing chamber |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990231A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0630133B2 (ja) * | 1983-03-14 | 1994-04-20 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体とその製造法 |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP58125596A patent/JPH0685206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6018820A (ja) | 1985-01-30 |
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