JPH0766528B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH0766528B2 JPH0766528B2 JP58045717A JP4571783A JPH0766528B2 JP H0766528 B2 JPH0766528 B2 JP H0766528B2 JP 58045717 A JP58045717 A JP 58045717A JP 4571783 A JP4571783 A JP 4571783A JP H0766528 B2 JPH0766528 B2 JP H0766528B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は磁気テープ、磁気デイスク等、磁気的記録装置
に用いられる磁気記録媒体に関し、特に詳細には、耐食
性、耐久性が改善された金属薄膜型磁気記録媒体に関す
るものである。
に用いられる磁気記録媒体に関し、特に詳細には、耐食
性、耐久性が改善された金属薄膜型磁気記録媒体に関す
るものである。
従来の磁気記録媒体の多くは、一般に塗布型と称されて
いるものに属し、通常、非磁性支持体上に、γ−Fe2O3,
Coをドープしたγ−Fe2O3,Fe3O4,CoをドープしたFe3O4,
γ−Fe2O3とFe3O4のベルトライド化合物,Coをドープし
たベルトライド化合物,CrO2等の酸化物磁性粉末あるい
はFe,Ni,Co等を主成分とする合金磁性粉末等から成る磁
性体粉末を塩化ビニル酢酸ビニル共重合体，スチレンブ
タジエン共重合体，エポキシ樹脂，ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散して成る塗液を塗布乾燥して
磁性膜を形成することによつて生産されるものである。
いるものに属し、通常、非磁性支持体上に、γ−Fe2O3,
Coをドープしたγ−Fe2O3,Fe3O4,CoをドープしたFe3O4,
γ−Fe2O3とFe3O4のベルトライド化合物,Coをドープし
たベルトライド化合物,CrO2等の酸化物磁性粉末あるい
はFe,Ni,Co等を主成分とする合金磁性粉末等から成る磁
性体粉末を塩化ビニル酢酸ビニル共重合体，スチレンブ
タジエン共重合体，エポキシ樹脂，ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散して成る塗液を塗布乾燥して
磁性膜を形成することによつて生産されるものである。
近年、記録すべき情報量の増加に伴い、高密度記録に適
する磁気記録媒体の実用化が一層強く望まれるに至り、
前述したバインダーを使用せずに、真空蒸着，スパツタ
リング，イオンプレーテイング，メツキ等の方法により
強磁性金属薄膜を前記支持体上に形成した、所謂、金属
薄膜型磁気記録媒体が着目され、その開発、研究の推進
に伴つて、実用化のための諸提案がなされつつある。
する磁気記録媒体の実用化が一層強く望まれるに至り、
前述したバインダーを使用せずに、真空蒸着，スパツタ
リング，イオンプレーテイング，メツキ等の方法により
強磁性金属薄膜を前記支持体上に形成した、所謂、金属
薄膜型磁気記録媒体が着目され、その開発、研究の推進
に伴つて、実用化のための諸提案がなされつつある。
しかしながら、強磁性金属薄膜層は一般に腐食し易く、
従つて、保存時の安定性に欠けるという欠点がある。ま
た、該磁気記録媒体を例えば磁気テープとして、該テー
プを記録、再生用の装置内で走行させる場合に、該テー
プがガイドポストあるいは磁気ヘツドと接した際に該テ
ープにスリキズが発生しやすいという欠点も有してい
る。
従つて、保存時の安定性に欠けるという欠点がある。ま
た、該磁気記録媒体を例えば磁気テープとして、該テー
プを記録、再生用の装置内で走行させる場合に、該テー
プがガイドポストあるいは磁気ヘツドと接した際に該テ
ープにスリキズが発生しやすいという欠点も有してい
る。
本発明は上記のような点に鑑みてなされたものであり、
耐食性、耐久性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体を提
供することを目的とするものである。
耐食性、耐久性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体を提
供することを目的とするものである。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に磁性金属薄
膜層が形成され、その薄膜層の表面に金属酸化物層が形
成され、さらにこの酸化物層を被覆するようにプラズマ
重合膜が積層され、そしてこのプラズマ重合膜の上に、
高級脂肪酸、脂肪酸エステル又はこれらの組合せからな
る潤滑層が積層されてなるものである。
膜層が形成され、その薄膜層の表面に金属酸化物層が形
成され、さらにこの酸化物層を被覆するようにプラズマ
重合膜が積層され、そしてこのプラズマ重合膜の上に、
高級脂肪酸、脂肪酸エステル又はこれらの組合せからな
る潤滑層が積層されてなるものである。
本発明による磁気記録媒体の構造を第１図を用いて説明
する。第１図に示すような非磁性支持体Ｗとしてはポリ
エチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリアミド，ポ
リ塩化ビニル，三酢酸セルロース，ポリカーボネート，
ポリエチレンナフタレートのようなプラスチツクベース
が好ましい。更にAl,Cu,SUS等の非磁性金属、又は、ガ
ラス，セラミツクス等無機質の非磁性支持体も使用でき
る。又、支持体Ｗとしては、磁気金属薄膜層を形成する
面と反対側の面に無機物粉子、及び有機物バインダーを
含有する層が設けられたものでもよい。
する。第１図に示すような非磁性支持体Ｗとしてはポリ
エチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリアミド，ポ
リ塩化ビニル，三酢酸セルロース，ポリカーボネート，
ポリエチレンナフタレートのようなプラスチツクベース
が好ましい。更にAl,Cu,SUS等の非磁性金属、又は、ガ
ラス，セラミツクス等無機質の非磁性支持体も使用でき
る。又、支持体Ｗとしては、磁気金属薄膜層を形成する
面と反対側の面に無機物粉子、及び有機物バインダーを
含有する層が設けられたものでもよい。
特に本発明においては表面粗さ（ra）が0.012μｍ以下
であるような可撓性プラスチツクベースが好ましい。
であるような可撓性プラスチツクベースが好ましい。
そして磁性金属薄膜層Ａの材料としては、 Co,Co−Ni,Co−Cr,Co−Ni−Cr 等の合金材料、あるいは酸素を含有する合金磁性材料が
用いられる。このようなCoもしくはCoを含有する合金か
らなる磁性金属薄膜Ａは、例えば斜め蒸着法で支持体Ｗ
上に層成されるものである。該薄膜層Ａの膜厚は例えば
約1400Å程度で、この表面は例えば50−200Å程度の金
属酸化物層Ｂで被覆される。表面を酸化させる方法とし
ては、酸素ガス雰囲気下でのグロー処理，酸素、或いは
水蒸気雰囲気での加熱処理，水溶液処理等いろいろある
が、いずれの方法を用いてもよい。そして該金属酸化物
層Ｂは、プラズマ重合膜Ｃで被覆される。このプラズマ
重合膜Ｃの膜厚は20〜800Åがよく、特に、磁性金属薄
膜層Ａがいわゆる柱状粒子構造を有する場合には、柱状
粒子間の空隙部に侵入するように被覆されるのが望まし
い。該プラズマ重合膜Ｃは前記磁性金属薄膜Ａの金属酸
化物層Ｂの表面において有機モノマーガスを直接電離さ
せるか、あるいはArガスの放電中に有機モノマーガスを
導入する等して有機物のプラズマを重合せしめたもので
あり、一般に通常の重合反応によるポリマー膜と比較し
て高度に架橋している為に高密度でかつ強靭である。ま
た、上述した程度の膜厚でも従来の重合反応によるポリ
マー膜と比較してピンホールが少なく、均一性に優れた
膜が得られる。
用いられる。このようなCoもしくはCoを含有する合金か
らなる磁性金属薄膜Ａは、例えば斜め蒸着法で支持体Ｗ
上に層成されるものである。該薄膜層Ａの膜厚は例えば
約1400Å程度で、この表面は例えば50−200Å程度の金
属酸化物層Ｂで被覆される。表面を酸化させる方法とし
ては、酸素ガス雰囲気下でのグロー処理，酸素、或いは
水蒸気雰囲気での加熱処理，水溶液処理等いろいろある
が、いずれの方法を用いてもよい。そして該金属酸化物
層Ｂは、プラズマ重合膜Ｃで被覆される。このプラズマ
重合膜Ｃの膜厚は20〜800Åがよく、特に、磁性金属薄
膜層Ａがいわゆる柱状粒子構造を有する場合には、柱状
粒子間の空隙部に侵入するように被覆されるのが望まし
い。該プラズマ重合膜Ｃは前記磁性金属薄膜Ａの金属酸
化物層Ｂの表面において有機モノマーガスを直接電離さ
せるか、あるいはArガスの放電中に有機モノマーガスを
導入する等して有機物のプラズマを重合せしめたもので
あり、一般に通常の重合反応によるポリマー膜と比較し
て高度に架橋している為に高密度でかつ強靭である。ま
た、上述した程度の膜厚でも従来の重合反応によるポリ
マー膜と比較してピンホールが少なく、均一性に優れた
膜が得られる。
上記有機モノマーガスとしては、メタンあるいはエチレ
ンが好適に用いられる。
ンが好適に用いられる。
本発明において有機物重合せしめるプラズマとは、10〜
100mmTorrの真空度の下で高周波電力，交流電力，マイ
クロ波電力等により発生せしめうるものである。また、
プラズマは重合を行なう反応室内で発生させてもよい
し、ガス導入部でArの放電をすでに行なわせて、これを
反応室内に導き、有機モノマーガスと接触させて、有機
モノマーガスを電離せしめて用いてもよい。
100mmTorrの真空度の下で高周波電力，交流電力，マイ
クロ波電力等により発生せしめうるものである。また、
プラズマは重合を行なう反応室内で発生させてもよい
し、ガス導入部でArの放電をすでに行なわせて、これを
反応室内に導き、有機モノマーガスと接触させて、有機
モノマーガスを電離せしめて用いてもよい。
本発明では、プラズマ重合膜Ｃの密着性を向上させる為
に、該プラズマ重合膜を、金属酸化物層Ｂを介して、磁
性金属薄膜層Ａ上に形成した。また、金属酸化物層Ｂは
磁性金属薄膜層Ａの耐候特性を向上させる機能も合せ持
つものである。
に、該プラズマ重合膜を、金属酸化物層Ｂを介して、磁
性金属薄膜層Ａ上に形成した。また、金属酸化物層Ｂは
磁性金属薄膜層Ａの耐候特性を向上させる機能も合せ持
つものである。
なお、本発明による磁気記録媒体の両面又は片面には、
更に、潤滑層を設けることが実用上特に好ましい。該潤
滑層は走行特性、スチル耐久特性を向上させる機能を持
つ。特にプラズマ重合膜Ｃ上には、第１図に示す通り必
ず潤滑層Ｄを設ける。この潤滑層Ｄとしては前述の通
り、高級脂肪酸，脂肪酸エステル又はこれらを組み合せ
たものから構成される。そして上記高級脂肪酸として
は、ラウリン酸，ミリスチン酸，パルミチン酸，ステア
リン酸，ベヘン酸，オレイン酸，リノール酸，リノレン
酸，アラキドン酸等が好ましい。
更に、潤滑層を設けることが実用上特に好ましい。該潤
滑層は走行特性、スチル耐久特性を向上させる機能を持
つ。特にプラズマ重合膜Ｃ上には、第１図に示す通り必
ず潤滑層Ｄを設ける。この潤滑層Ｄとしては前述の通
り、高級脂肪酸，脂肪酸エステル又はこれらを組み合せ
たものから構成される。そして上記高級脂肪酸として
は、ラウリン酸，ミリスチン酸，パルミチン酸，ステア
リン酸，ベヘン酸，オレイン酸，リノール酸，リノレン
酸，アラキドン酸等が好ましい。
脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸メチル，パルミ
チン酸エチル，ステアリン酸モノグリセリド等が好まし
い。
チン酸エチル，ステアリン酸モノグリセリド等が好まし
い。
このような潤滑層は蒸着法，イオンプレーテイング法又
は通常の塗布法を用いて形成されうる。
は通常の塗布法を用いて形成されうる。
以上のような構造の本発明の磁気記録媒体は、磁性金属
薄膜層Ａの表面を酸化処理したことによりプラズマ重合
膜Ｃの密着性を向上させることが可能であり、また耐候
性に勝れた金属酸化物層Ｂとピンホールの少ないプラズ
マ重合膜Ｃを有するため、耐食性が著しく改善出来るも
のである。この結果、従来の磁気記録媒体に見られる、
オーバーコート層のピンホール部を通しての腐食が大巾
に減少する。これは、プラズマ重合膜Ｃが水酸基OH-の
磁性金属薄膜層Ａへの侵入を防止する機能を有し、腐食
を生じにくくする為であると推定される。従来は、ピン
ホール部を通して侵入した水酸基OH-が、磁性金属薄膜
層表面に直接接触し、該薄膜層表面から内部に速やかに
侵入するため、腐食が著しく、しかも極めて短時間のう
ちに進行しがちであつた。
薄膜層Ａの表面を酸化処理したことによりプラズマ重合
膜Ｃの密着性を向上させることが可能であり、また耐候
性に勝れた金属酸化物層Ｂとピンホールの少ないプラズ
マ重合膜Ｃを有するため、耐食性が著しく改善出来るも
のである。この結果、従来の磁気記録媒体に見られる、
オーバーコート層のピンホール部を通しての腐食が大巾
に減少する。これは、プラズマ重合膜Ｃが水酸基OH-の
磁性金属薄膜層Ａへの侵入を防止する機能を有し、腐食
を生じにくくする為であると推定される。従来は、ピン
ホール部を通して侵入した水酸基OH-が、磁性金属薄膜
層表面に直接接触し、該薄膜層表面から内部に速やかに
侵入するため、腐食が著しく、しかも極めて短時間のう
ちに進行しがちであつた。
本発明の磁気記録媒体では、仮にピンホール部を通して
水酸基OH-が侵入しても、磁性金属薄膜層Ａの表面が酸
化処理されている為にこの部分で水酸基OH-の侵入防止
がなされて、腐食されにくくなり、磁性金属薄膜層Ａの
内部まで腐食が進行するのには極めて長時間がかかる。
水酸基OH-が侵入しても、磁性金属薄膜層Ａの表面が酸
化処理されている為にこの部分で水酸基OH-の侵入防止
がなされて、腐食されにくくなり、磁性金属薄膜層Ａの
内部まで腐食が進行するのには極めて長時間がかかる。
更に本発明の磁気記録媒体は、高度に架橋し、かつ強靭
なプラズマ重合膜Ｃで磁性金属薄膜層Ａが被覆されてい
る為に耐久性に勝れ、スリキズが生じにくいものとなつ
ている。
なプラズマ重合膜Ｃで磁性金属薄膜層Ａが被覆されてい
る為に耐久性に勝れ、スリキズが生じにくいものとなつ
ている。
以下、本発明の実施例について説明する。
第２図に示すような装置の蒸着室１において、非磁性支
持体Ｗとしての23μ厚PETベース上に、組成Co.80Ni.20
の合金を入射角50゜で斜方入射蒸着を行なつて、厚み14
00Åの磁性金属薄膜層Ａ（第１図参照）を形成した。そ
の後、酸素グロー室５で７×10-2Torrの酸素ガス雰囲気
で磁性金属薄膜層Ａの表面に100Åの金属酸化物層Ｂを
形成した。酸素グローは−1KVの電圧を電極２に印加し
て行なつた。プラズマ重合膜Ｃは連続して重合室３で膜
厚100Åに形成した。すなわち重合室３においてガス導
入口４からメタンガスを20cm3/分，ガス導入口５からAr
ガスを50cm3/分導入し、５×10-2Torrの真空下でプラズ
マを発生させて重合膜を形成した。プラズマは高周波電
源６から発生した13.56M Hzの高周波をマツチングボツ
クス７で整合した後、電極８に印加することにより発生
させた。印加した高周波電力は120Wである。
持体Ｗとしての23μ厚PETベース上に、組成Co.80Ni.20
の合金を入射角50゜で斜方入射蒸着を行なつて、厚み14
00Åの磁性金属薄膜層Ａ（第１図参照）を形成した。そ
の後、酸素グロー室５で７×10-2Torrの酸素ガス雰囲気
で磁性金属薄膜層Ａの表面に100Åの金属酸化物層Ｂを
形成した。酸素グローは−1KVの電圧を電極２に印加し
て行なつた。プラズマ重合膜Ｃは連続して重合室３で膜
厚100Åに形成した。すなわち重合室３においてガス導
入口４からメタンガスを20cm3/分，ガス導入口５からAr
ガスを50cm3/分導入し、５×10-2Torrの真空下でプラズ
マを発生させて重合膜を形成した。プラズマは高周波電
源６から発生した13.56M Hzの高周波をマツチングボツ
クス７で整合した後、電極８に印加することにより発生
させた。印加した高周波電力は120Wである。
更に、本実施例においては、磁気記録媒体の走行特性を
向上させる為に潤滑剤形成室９でルツボ10からベヘン酸
を蒸発させて、プラズマ重合膜Ｃ上に膜厚100Åの潤滑
層を層成した。
向上させる為に潤滑剤形成室９でルツボ10からベヘン酸
を蒸発させて、プラズマ重合膜Ｃ上に膜厚100Åの潤滑
層を層成した。
以上説明した本実施例の磁気記録媒体の耐候性の評価を
行なつた。評価は、60℃、90％RHのサーモ装置内に２週
間保持した後の腐食程度を調べることによつて行なつた
が、発錆部は認められなかつた。同評価法において従来
の磁気記録媒体では、全面に発錆が認められた。又、本
実施例の磁気記録媒体は、VHS方式VTR装置での実走行試
験でも、磁性金属薄膜層のみの磁気記録媒体と比較し
て、発生するスリキズ数の著しい減少が認められた。
行なつた。評価は、60℃、90％RHのサーモ装置内に２週
間保持した後の腐食程度を調べることによつて行なつた
が、発錆部は認められなかつた。同評価法において従来
の磁気記録媒体では、全面に発錆が認められた。又、本
実施例の磁気記録媒体は、VHS方式VTR装置での実走行試
験でも、磁性金属薄膜層のみの磁気記録媒体と比較し
て、発生するスリキズ数の著しい減少が認められた。
〔参考例１〕 前記実施例と同様の作製法により、23μ厚PETベース上
に磁性金属薄膜層Ａを形成した後、温度40℃の酸素ガス
雰囲気中に15日放置することによつて金属酸化物層Ｂを
形成させた。金属酸化物層の膜厚は70Åである。その
後、プラズマ重合膜Ｃを、第３図に示すような装置を用
いて膜厚100Åに形成した。上記プラズマ重合膜Ｃの形
成は、送り出し室20から出た支持体Ｗをローラー21にそ
つて搬送させ、放電部22で電離した。オクタフロロシク
ロブタンモノマーのプラズマを発生させることにより行
なつた。オクタフロロシクロブタンガスの流量は25cm3/
分でこのときの放電圧は45mmTorrである。又、プラズマ
の発生は、高周波電源23で発生させた13.56MHzの高周波
をマツチングボツクス24で整合したのちにコイル25に印
加して行なつた。印加電圧は120Wである。
に磁性金属薄膜層Ａを形成した後、温度40℃の酸素ガス
雰囲気中に15日放置することによつて金属酸化物層Ｂを
形成させた。金属酸化物層の膜厚は70Åである。その
後、プラズマ重合膜Ｃを、第３図に示すような装置を用
いて膜厚100Åに形成した。上記プラズマ重合膜Ｃの形
成は、送り出し室20から出た支持体Ｗをローラー21にそ
つて搬送させ、放電部22で電離した。オクタフロロシク
ロブタンモノマーのプラズマを発生させることにより行
なつた。オクタフロロシクロブタンガスの流量は25cm3/
分でこのときの放電圧は45mmTorrである。又、プラズマ
の発生は、高周波電源23で発生させた13.56MHzの高周波
をマツチングボツクス24で整合したのちにコイル25に印
加して行なつた。印加電圧は120Wである。
以上説明した参考例１の磁気記録媒体を用いて前記実施
例と同様の評価を行なつたところ、発錆部は認められ
ず、磁性金属薄膜層のみの磁気記録媒体と比較して顕著
な有意差を示す結果が得られた。
例と同様の評価を行なつたところ、発錆部は認められ
ず、磁性金属薄膜層のみの磁気記録媒体と比較して顕著
な有意差を示す結果が得られた。
〔参考例２〕 23μ厚PETベース上に、組成Co.80Ni.20の合金を入射角4
0゜で斜方入射蒸着した。その際、蒸着が進行している
ベース面に向つて酸素ガスを600cc/min放出させなが
ら、蒸着を行なうことにより、磁性金属薄膜層Ａ中に酸
素を含有させるとともに、その表面を酸化処理した。上
記金属酸化物層Ｂの膜厚はオージエ電子分光分析によれ
ば110Åであつた。その後参考例１と同様にしてプラズ
マ重合膜Ｃを平均膜厚が100Åとなるように形成した。
0゜で斜方入射蒸着した。その際、蒸着が進行している
ベース面に向つて酸素ガスを600cc/min放出させなが
ら、蒸着を行なうことにより、磁性金属薄膜層Ａ中に酸
素を含有させるとともに、その表面を酸化処理した。上
記金属酸化物層Ｂの膜厚はオージエ電子分光分析によれ
ば110Åであつた。その後参考例１と同様にしてプラズ
マ重合膜Ｃを平均膜厚が100Åとなるように形成した。
以上説明した参考例２の磁気記録媒体を用いて前記実施
例と同様の評価を行なつたところ、発錆部は認められ
ず、参考例１と同様磁性金属薄膜層のみの磁気記録媒体
と比較して顕著な有意差を示す結果が得られた。
例と同様の評価を行なつたところ、発錆部は認められ
ず、参考例１と同様磁性金属薄膜層のみの磁気記録媒体
と比較して顕著な有意差を示す結果が得られた。
第１図は本発明の磁気記録媒体の構造を概略的に示す説
明図、 第２図は本発明の１実施例の磁気記録媒体を製造する装
置を示す概略図、 第３図は参考例の磁気記録媒体を製造する装置を示す概
略図である。 Ｗ……非磁性支持体 Ａ……磁性金属薄膜層 Ｂ……金属酸化物層 Ｃ……プラズマ重合膜 Ｄ……潤滑層
明図、 第２図は本発明の１実施例の磁気記録媒体を製造する装
置を示す概略図、 第３図は参考例の磁気記録媒体を製造する装置を示す概
略図である。 Ｗ……非磁性支持体 Ａ……磁性金属薄膜層 Ｂ……金属酸化物層 Ｃ……プラズマ重合膜 Ｄ……潤滑層
フロントページの続き (72)発明者 吹野 清隆 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−198542（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−88828（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体と、表面に金属酸化物層を有
する磁性金属薄膜層と、該金属酸化物層の表面を被覆す
るように積層されたメタンあるいはエチレンによるプラ
ズマ重合膜と、高級脂肪酸、脂肪酸エステル又はこれら
の組合せからなり前記プラズマ重合膜の上に積層された
潤滑層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045717A JPH0766528B2 (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気記録媒体 |
| US06/589,553 US4565734A (en) | 1983-03-18 | 1984-03-14 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045717A JPH0766528B2 (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171028A JPS59171028A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0766528B2 true JPH0766528B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=12727099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58045717A Expired - Lifetime JPH0766528B2 (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4565734A (ja) |
| JP (1) | JPH0766528B2 (ja) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58222438A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59171029A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59175019A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US4751100A (en) * | 1983-06-20 | 1988-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for making the same |
| US4711809A (en) * | 1983-09-26 | 1987-12-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPS60138720A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Sharp Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| US5013583A (en) * | 1984-02-11 | 1991-05-07 | Teijin Limited | Method of producing a magnetic recording medium |
| US4693927A (en) * | 1984-03-19 | 1987-09-15 | Fuji Photo Film Company Limited | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| CA1235808A (en) * | 1984-03-22 | 1988-04-26 | Tetsuo Oka | Vertical magnetic recording medium and process for preparation thereof |
| JPS6111921A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| US4666759A (en) * | 1984-06-30 | 1987-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data recording medium |
| JPS6139921A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6142723A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6142724A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-03-01 | Tdk Corp | 磁気記録媒体および磁気記録方法 |
| JPS6150236A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Canon Inc | 磁気記録媒体の製造方法 |
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| EP0176636B1 (en) * | 1984-09-28 | 1990-05-09 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Polymeric thin film and products containing the same |
| DE3587980T2 (de) * | 1984-10-22 | 1995-05-18 | Hitachi Ltd | Magnetischer Aufzeichnungsträger. |
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