JPH06111315A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH06111315A JPH06111315A JP26203692A JP26203692A JPH06111315A JP H06111315 A JPH06111315 A JP H06111315A JP 26203692 A JP26203692 A JP 26203692A JP 26203692 A JP26203692 A JP 26203692A JP H06111315 A JPH06111315 A JP H06111315A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた耐触性及び電磁変換特性を有する磁気
記録媒体の製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、支持体上に磁性薄膜層を多層形成
し、最下層蒸着時には低入射蒸気流側と高入射蒸気流側
の両方に酸化性ガスを導入し、上層蒸着時には低入射蒸
気流側のみに酸化性ガスを導入することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法である。
記録媒体の製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、支持体上に磁性薄膜層を多層形成
し、最下層蒸着時には低入射蒸気流側と高入射蒸気流側
の両方に酸化性ガスを導入し、上層蒸着時には低入射蒸
気流側のみに酸化性ガスを導入することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の製造方
法に関し、更に詳しくは、Ｃｏ系強磁性薄膜層を有して
優れた耐腐性及び電磁変換特性を有する磁気記録媒体に
関する。
法に関し、更に詳しくは、Ｃｏ系強磁性薄膜層を有して
優れた耐腐性及び電磁変換特性を有する磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しょうとする課題】従来より
磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にγ−Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｃｏを含有するγ−Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣｒＯ2 等の酸化
物強磁性粉末あるいは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分と
する合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル系共重
合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バ
インダ−中に分散させた磁性塗料を塗布・乾燥すること
により作製される塗布型の磁気記録媒体が広く使用され
ている。
磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にγ−Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｃｏを含有するγ−Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣｒＯ2 等の酸化
物強磁性粉末あるいは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分と
する合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル系共重
合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バ
インダ−中に分散させた磁性塗料を塗布・乾燥すること
により作製される塗布型の磁気記録媒体が広く使用され
ている。
【０００３】これに対して、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンプレ−ティング等の方法によって形成される
強磁性薄膜は、高密度記録用磁気記録媒体として検討さ
れている。これらの強磁性薄膜は抗磁力、角形比に優れ
ているばかりでなく、塗布型媒体では必須である有機バ
インダ−を磁性層中に含有しないため残留磁束密度も高
い。更に磁性層の厚さを極めて薄くすることができるた
め、再生時の厚み損失も少ない。
グ、イオンプレ−ティング等の方法によって形成される
強磁性薄膜は、高密度記録用磁気記録媒体として検討さ
れている。これらの強磁性薄膜は抗磁力、角形比に優れ
ているばかりでなく、塗布型媒体では必須である有機バ
インダ−を磁性層中に含有しないため残留磁束密度も高
い。更に磁性層の厚さを極めて薄くすることができるた
め、再生時の厚み損失も少ない。
【０００４】しかしながら、これらの強磁性薄膜は金属
材料から形成されている為、塗布型媒体と比較して腐食
され易いという問題点を有しており、腐食は磁性層の表
面側およびベ−ス側で発生し内部に進行すると考えられ
ている。
材料から形成されている為、塗布型媒体と比較して腐食
され易いという問題点を有しており、腐食は磁性層の表
面側およびベ−ス側で発生し内部に進行すると考えられ
ている。
【０００５】そこで、上記の腐食を抑えて耐触性を改良
する方法として、酸化性ガスの導入が行なわれており、
低入射角近傍から、蒸着するべき金属材料の蒸気流に向
かって酸化性ガスを導入する方法（特開昭５８−３２２
３４号公報、特開昭５８−３７８４３号公報、特開昭５
８−４１４４３号公報、特開昭５８−４５６２５号公
報、特開昭５８−８３３２７号公報）、高入射角近傍か
ら蒸気流に向かって酸化性ガスを導入する方法（特開昭
５８−４１４４２号公報、特開昭５８−８３３２８号公
報）、あるいは低入射角および高入射角近傍の両方から
蒸気流に向かって酸化性ガスを導入する方法（特開昭６
０−１５７７２８号公報、特開昭６２−１０２４２７号
公報）等が提案されている。
する方法として、酸化性ガスの導入が行なわれており、
低入射角近傍から、蒸着するべき金属材料の蒸気流に向
かって酸化性ガスを導入する方法（特開昭５８−３２２
３４号公報、特開昭５８−３７８４３号公報、特開昭５
８−４１４４３号公報、特開昭５８−４５６２５号公
報、特開昭５８−８３３２７号公報）、高入射角近傍か
ら蒸気流に向かって酸化性ガスを導入する方法（特開昭
５８−４１４４２号公報、特開昭５８−８３３２８号公
報）、あるいは低入射角および高入射角近傍の両方から
蒸気流に向かって酸化性ガスを導入する方法（特開昭６
０−１５７７２８号公報、特開昭６２−１０２４２７号
公報）等が提案されている。
【０００６】しかしながら、これらの方法は磁性層が単
層構造であり、低入射角近傍から酸化性ガスを導入した
だけでは、磁性層表面側がＣｏ，Ｎｉの酸化物となり表
面からの腐食を防御することは可能であるが、ベ−ス側
からの磁性層の腐食には効果がなく、また、高入射角近
傍から酸化性ガスを導入する場合は、ベ−ス側磁性層が
Ｃｏ，Ｎｉの酸化物になるので、ベ−スを通過して磁性
層に侵入するＯ2 ，Ｈ2 Ｏを遮断することができること
による耐触性を改善することができるが、残留磁束密度
の減少をもたらして電極変換特性が悪化するという問題
点がある。
層構造であり、低入射角近傍から酸化性ガスを導入した
だけでは、磁性層表面側がＣｏ，Ｎｉの酸化物となり表
面からの腐食を防御することは可能であるが、ベ−ス側
からの磁性層の腐食には効果がなく、また、高入射角近
傍から酸化性ガスを導入する場合は、ベ−ス側磁性層が
Ｃｏ，Ｎｉの酸化物になるので、ベ−スを通過して磁性
層に侵入するＯ2 ，Ｈ2 Ｏを遮断することができること
による耐触性を改善することができるが、残留磁束密度
の減少をもたらして電極変換特性が悪化するという問題
点がある。
【０００７】このように、磁性層が単層構造では、酸化
性ガスの導入による耐触性及び電磁変換特性の改良は不
十分である。
性ガスの導入による耐触性及び電磁変換特性の改良は不
十分である。
【０００８】本発明は、前記事情に基づいてなされたも
のである。本発明の目的は、上記のような問題点を解決
し、優れた耐触性及び電磁変換特性を有する薄膜型の磁
気記録媒体の製造方法を提供することにある。
のである。本発明の目的は、上記のような問題点を解決
し、優れた耐触性及び電磁変換特性を有する薄膜型の磁
気記録媒体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【前記課題を解決するための手段】前記目的を達成する
ための本発明は、Ｃｏを主成分とする複数の強磁性薄膜
層を蒸着により非磁性支持体上に形成する磁気記録媒体
の製造方法において、最下層の強磁性材料を蒸着する際
に、酸化性ガスの方向を高入射蒸気流近傍及び低入射蒸
気流近傍にし、最下層以外の強磁性材料を蒸着する際に
は、酸化性ガスの方向を低入射蒸気流近傍にすることこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
ための本発明は、Ｃｏを主成分とする複数の強磁性薄膜
層を蒸着により非磁性支持体上に形成する磁気記録媒体
の製造方法において、最下層の強磁性材料を蒸着する際
に、酸化性ガスの方向を高入射蒸気流近傍及び低入射蒸
気流近傍にし、最下層以外の強磁性材料を蒸着する際に
は、酸化性ガスの方向を低入射蒸気流近傍にすることこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明の方法により製造される磁気記録媒
体は、図１に示すように、非磁性支持体３上に、強磁性
薄膜層１８が蒸着により形成されてなり、この強磁性薄
膜層１８は少なくとも２層以上の複数の層１８ａ及び１
８ｂからなる積層構造を有する。以下に磁気記録媒体に
ついて詳述する。
体は、図１に示すように、非磁性支持体３上に、強磁性
薄膜層１８が蒸着により形成されてなり、この強磁性薄
膜層１８は少なくとも２層以上の複数の層１８ａ及び１
８ｂからなる積層構造を有する。以下に磁気記録媒体に
ついて詳述する。
【００１２】−非磁性支持体− 本発明に用いられる前記非磁性支持体の素材としては、
ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレン−２，６−
ナフタレ−ト等のポリエステル類、ポリプロピレン等の
ポリオレフィン類、セルロ−ストリアセテ−ト、セルロ
−スダイアセテ−ト等のセルロ−ス誘導体、ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエ−テルエ−テルケトン、ポリカ−ボ
ネ−ト等のプラスチックが使用される。
ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレン−２，６−
ナフタレ−ト等のポリエステル類、ポリプロピレン等の
ポリオレフィン類、セルロ−ストリアセテ−ト、セルロ
−スダイアセテ−ト等のセルロ−ス誘導体、ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエ−テルエ−テルケトン、ポリカ−ボ
ネ−ト等のプラスチックが使用される。
【００１３】前記非磁性支持体には、みみず状突起や粒
状突起を形成することにより、強磁性金属薄膜層の粗さ
あるいは形状をコントロ−ルすることができる。
状突起を形成することにより、強磁性金属薄膜層の粗さ
あるいは形状をコントロ−ルすることができる。
【００１４】前記みみず状突起は、例えば非磁性支持体
上に高分子物質を塗布して乾燥した後、延伸することに
より形成することができる。前記粒状突起は、高分子フ
ィルム製膜時に粒径５０Å〜３，０００Å程度の無機微
粒子を分散させて内部にこれを保持するか、またはバイ
ンダ−中に有機粒子あるいはシリカ、金属の微粒子を分
散させ非磁性支持体の下引き層として塗布または付着さ
せることにより形成することができる。この粒状突起の
高さは５０Å〜１，０００Å、さらに好ましくは１００
Å〜５００Åである。密度は１０3 〜１０7 個／ｍｍ2
であることが好ましい。これらの突起を形成することに
より耐久性、走行性が改善される。
上に高分子物質を塗布して乾燥した後、延伸することに
より形成することができる。前記粒状突起は、高分子フ
ィルム製膜時に粒径５０Å〜３，０００Å程度の無機微
粒子を分散させて内部にこれを保持するか、またはバイ
ンダ−中に有機粒子あるいはシリカ、金属の微粒子を分
散させ非磁性支持体の下引き層として塗布または付着さ
せることにより形成することができる。この粒状突起の
高さは５０Å〜１，０００Å、さらに好ましくは１００
Å〜５００Åである。密度は１０3 〜１０7 個／ｍｍ2
であることが好ましい。これらの突起を形成することに
より耐久性、走行性が改善される。
【００１５】前記非磁性支持体の形態は、テ−プ、シ−
ト、カ−ド、ディスク等いずれでもよく、磁気記録媒体
としての最終的な形態に応じてそれぞれの材料が選択さ
れる。
ト、カ−ド、ディスク等いずれでもよく、磁気記録媒体
としての最終的な形態に応じてそれぞれの材料が選択さ
れる。
【００１６】これらの非磁性支持体の厚みは、テ−プ、
シ−ト状の場合は約３〜１００μｍ程度、好ましくは４
〜５０μｍであり、ディスク、カ−ド状の場合は３０μ
ｍ〜１０ｍｍの範囲のものを用いることができる。
シ−ト状の場合は約３〜１００μｍ程度、好ましくは４
〜５０μｍであり、ディスク、カ−ド状の場合は３０μ
ｍ〜１０ｍｍの範囲のものを用いることができる。
【００１７】−強磁性薄膜層− 前記非磁性支持体上に強磁性薄膜層が設けられる。
【００１８】本発明に用いられる磁性材料としては、Ｃ
ｏもしくはＣｏを主成分とする合金系磁性材料であれば
従来から使用されている公知の磁性材料を使用すること
ができる。本発明の方法に用いられる磁性材料の具体例
としては、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、
Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｇｄ、Ｃｏ−Ｓｍ、、Ｃｏ−Ｓｉ、
Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−
Ｖ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｓｉ、
Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等を挙げる
ことができる。
ｏもしくはＣｏを主成分とする合金系磁性材料であれば
従来から使用されている公知の磁性材料を使用すること
ができる。本発明の方法に用いられる磁性材料の具体例
としては、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、
Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｇｄ、Ｃｏ−Ｓｍ、、Ｃｏ−Ｓｉ、
Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−
Ｖ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｓｉ、
Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等を挙げる
ことができる。
【００１９】本発明の方法により製造される磁気記録媒
体における強磁性薄膜層は、少なくとも二層以上の複数
の層から成る。強磁性薄膜層を複数層にすることによ
り、各強磁性薄膜層自体の厚みを小さくすることがで
き、磁性粒子が適度に小さくなり、これによって電気的
特性及び磁気特性が向上する。ここで、最下層の強磁性
薄膜層にはＣｏが７０重量％以上含有し、最下層以外の
強磁性薄膜層にはＣｏが７０重量％以上含有するのが好
ましい。Ｃｏ含有量が前記範囲外にあると保磁力や残留
磁束密度が低下し、電磁変換特性の悪化をもたらすこと
がある。
体における強磁性薄膜層は、少なくとも二層以上の複数
の層から成る。強磁性薄膜層を複数層にすることによ
り、各強磁性薄膜層自体の厚みを小さくすることがで
き、磁性粒子が適度に小さくなり、これによって電気的
特性及び磁気特性が向上する。ここで、最下層の強磁性
薄膜層にはＣｏが７０重量％以上含有し、最下層以外の
強磁性薄膜層にはＣｏが７０重量％以上含有するのが好
ましい。Ｃｏ含有量が前記範囲外にあると保磁力や残留
磁束密度が低下し、電磁変換特性の悪化をもたらすこと
がある。
【００２０】前記強磁性薄膜層の層厚は、全強磁性薄膜
層の膜厚が５，０００Å以下、好ましくは８００〜３，
５００Åの範囲内である。
層の膜厚が５，０００Å以下、好ましくは８００〜３，
５００Åの範囲内である。
【００２１】−その他の層− 本発明における磁気記録媒体は、磁気記録媒体の滑り性
の改善、帯電防止、転写防止、耐触性向上、耐摩耗性向
上の目的で、前記非磁性支持体上に前記強磁性薄膜層形
成後及び／または形成前に例えば公知の塗布方法、蒸着
方法により、オーバーコート層やバックコート層を設け
ても良い。これらの塗布方法、蒸着方法は、例えば特開
昭５４−１２３９２２号、特開昭５４−１２３９２３
号、特開昭５６−７１２８４号、特開昭５６−７１２８
６号、特開昭５６−７１２８７号、特開昭５６−１１６
２６号、特開昭５７−１３５４４２号公報等に掲載され
ている。
の改善、帯電防止、転写防止、耐触性向上、耐摩耗性向
上の目的で、前記非磁性支持体上に前記強磁性薄膜層形
成後及び／または形成前に例えば公知の塗布方法、蒸着
方法により、オーバーコート層やバックコート層を設け
ても良い。これらの塗布方法、蒸着方法は、例えば特開
昭５４−１２３９２２号、特開昭５４−１２３９２３
号、特開昭５６−７１２８４号、特開昭５６−７１２８
６号、特開昭５６−７１２８７号、特開昭５６−１１６
２６号、特開昭５７−１３５４４２号公報等に掲載され
ている。
【００２２】バックコート層は塩化ビニル、塩化ビニル
−酢酸ビニル、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂等の
バインダー樹脂１種以上に、導電性カーボンブラックを
１種、或いは粒径又は化学的性質の違う種類のカーボン
ブラックを２種以上一緒に分散させるか別々に分散させ
た塗液を、非磁性支持体の強磁性薄膜が設けられる反対
の面に塗布して形成する。分散時に使用される有機溶媒
としては、シクロヘキサノン、トルエン、メチルエチル
ケトン、ベンゼン等がよく使用される。また、表面性ま
たは耐久性改善のために無機顔料をカーボンブラックと
ともに分散させてもよい。
−酢酸ビニル、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂等の
バインダー樹脂１種以上に、導電性カーボンブラックを
１種、或いは粒径又は化学的性質の違う種類のカーボン
ブラックを２種以上一緒に分散させるか別々に分散させ
た塗液を、非磁性支持体の強磁性薄膜が設けられる反対
の面に塗布して形成する。分散時に使用される有機溶媒
としては、シクロヘキサノン、トルエン、メチルエチル
ケトン、ベンゼン等がよく使用される。また、表面性ま
たは耐久性改善のために無機顔料をカーボンブラックと
ともに分散させてもよい。
【００２３】オーバーコート層は潤滑剤として、パーフ
ルオロポリエ−テル、片末端変性パーフルオロポリエ−
テル、両末端変性パーフルオロポリエ−テル、脂肪酸ま
たはその金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、酸性
リン酸エステル、酸性リン酸アミン塩、ハイドロジェン
ホスファイト、パーフルオロアルキルカルボン酸又はそ
の金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エステル、
パーフルオロアルキルスルホン酸、又はそのアンモニウ
ム塩等が使用できる他、防錆剤（例えば、アルキルフェ
ノール、ハイドロキノン、クレゾール、ナフトール類、
トリアゾール類）や極圧剤（例えば、トリオレイルホス
フェートのようなリン酸系極圧剤、硫化ジメチルのよう
なイオウ系極圧剤、チオホスフェート類のような複合型
極圧剤）を併用してもよい。
ルオロポリエ−テル、片末端変性パーフルオロポリエ−
テル、両末端変性パーフルオロポリエ−テル、脂肪酸ま
たはその金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、酸性
リン酸エステル、酸性リン酸アミン塩、ハイドロジェン
ホスファイト、パーフルオロアルキルカルボン酸又はそ
の金属塩、パーフルオロアルキルカルボン酸エステル、
パーフルオロアルキルスルホン酸、又はそのアンモニウ
ム塩等が使用できる他、防錆剤（例えば、アルキルフェ
ノール、ハイドロキノン、クレゾール、ナフトール類、
トリアゾール類）や極圧剤（例えば、トリオレイルホス
フェートのようなリン酸系極圧剤、硫化ジメチルのよう
なイオウ系極圧剤、チオホスフェート類のような複合型
極圧剤）を併用してもよい。
【００２４】−磁気記録媒体の製造方法− 強磁性薄膜層を形成するには、前記非磁性支持体上に前
記強磁性材料を蒸着させる。
記強磁性材料を蒸着させる。
【００２５】蒸着法としては、真空蒸着法、イオンプレ
−ティング法等を用いることができる。加熱は電子ビ−
ム加熱法、抵抗加熱法、レ−ザ−ビ−ム加熱法、誘導加
熱法等を用いることができる。
−ティング法等を用いることができる。加熱は電子ビ−
ム加熱法、抵抗加熱法、レ−ザ−ビ−ム加熱法、誘導加
熱法等を用いることができる。
【００２６】蒸着時に使用する酸化性ガスとしては、酸
素、酸素の同素体及び酸素の活性種から選ばれる少なく
とも１種を含むガスであればよい。また、これらのガス
と併用できる他のガスとして、例えば窒素ガス（Ｎ
2 ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）、キセノンガス（Ｘｅ）、
ラドンガス（Ｒｎ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎ
ｅ）等の不活性ガス、一酸化炭素（ＣＯ）、炭酸ガス
（ＣＯ2 ）、水素（Ｈ2 ）、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を単独
で、若しくは２種類以上を混合して併用することができ
る。
素、酸素の同素体及び酸素の活性種から選ばれる少なく
とも１種を含むガスであればよい。また、これらのガス
と併用できる他のガスとして、例えば窒素ガス（Ｎ
2 ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）、キセノンガス（Ｘｅ）、
ラドンガス（Ｒｎ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎ
ｅ）等の不活性ガス、一酸化炭素（ＣＯ）、炭酸ガス
（ＣＯ2 ）、水素（Ｈ2 ）、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を単独
で、若しくは２種類以上を混合して併用することができ
る。
【００２７】本発明においては、蒸着時における前記酸
化性ガスの導入を、最下層蒸着時には、低入射蒸気流側
と高入射蒸気流側の両方から導入し、また、上層蒸着時
には低入射蒸気流側のみに導入することが重要である。
化性ガスの導入を、最下層蒸着時には、低入射蒸気流側
と高入射蒸気流側の両方から導入し、また、上層蒸着時
には低入射蒸気流側のみに導入することが重要である。
【００２８】このような蒸着方法により、最下層のベ−
ス（支持体）側にはＣｏ，Ｎｉ酸化物を多数含んでいる
ために、ベ−スを通過するＯ2 、Ｈ2 Ｏを遮断し、ベ−
ス側からの腐食をくい止めることができ、更に最上層の
表面側も酸化物により保護されているので腐食が進行し
にくい。
ス（支持体）側にはＣｏ，Ｎｉ酸化物を多数含んでいる
ために、ベ−スを通過するＯ2 、Ｈ2 Ｏを遮断し、ベ−
ス側からの腐食をくい止めることができ、更に最上層の
表面側も酸化物により保護されているので腐食が進行し
にくい。
【００２９】本発明の磁気記録媒体の製造方法により、
磁気記録媒体を製造するのに使用する装置の一例を図２
に示す。
磁気記録媒体を製造するのに使用する装置の一例を図２
に示す。
【００３０】強磁性材料の蒸着により強磁性薄膜層１８
を非磁性支持体３上に形成するには、図２に示すよう
に、強磁性材料の蒸着において、磁性材料蒸気流１２ａ
が非磁性支持体３に被着する際、強磁性薄膜１８の最下
層部（１８ａ）は、酸化性ガスを低入射角側酸素導入マ
スク１３及び高入射角側酸素導入マスク１４の両方から
導入しながら形成され、また最下層以外の上層（例えば
１８ｂ）は、酸化性ガスを低入射角側酸素導入マスク１
３のみから導入することにより形成される。
を非磁性支持体３上に形成するには、図２に示すよう
に、強磁性材料の蒸着において、磁性材料蒸気流１２ａ
が非磁性支持体３に被着する際、強磁性薄膜１８の最下
層部（１８ａ）は、酸化性ガスを低入射角側酸素導入マ
スク１３及び高入射角側酸素導入マスク１４の両方から
導入しながら形成され、また最下層以外の上層（例えば
１８ｂ）は、酸化性ガスを低入射角側酸素導入マスク１
３のみから導入することにより形成される。
【００３１】この装置の内部は、全体をケ−シング１に
より外気から機密にシールされている。ケ−シング１内
は分離障壁２により非磁性基板３を送出・巻取室１ａと
蒸着室１ｂとに分けられ、またケ−シング１の底部には
排気管４が設けられ、この排気管４は真空排気系５に接
続している。
より外気から機密にシールされている。ケ−シング１内
は分離障壁２により非磁性基板３を送出・巻取室１ａと
蒸着室１ｂとに分けられ、またケ−シング１の底部には
排気管４が設けられ、この排気管４は真空排気系５に接
続している。
【００３２】送出・巻取室１ａには、基板走行系とし
て、送出ロール６と、２個のフリ−ロ−ラ７と、基板支
持用の回転ドラム８と、巻取りロール９とを有してい
る。蒸着室１ｂには、蒸着系として、るつぼ加熱用の電
子ビ−ム発生装置１０と、るつぼ１１と、るつぼ１１内
に入れた蒸発源としての磁性材料１２とがある。さら
に、ドラム８とるつぼ１１との間に形成される飛翔空間
１６内に突出するマスク１３が設けられ、基板３に磁性
材料１２の飛翔蒸気流１２ａが入射する面積及び角度を
規制するようになっている。また飛翔蒸気流１２ａの高
入射蒸気流近傍にもガス導入マスク１４が設けられてい
る。マスク１３・１４は中空構造であって、そのナイフ
エッジ状の入射角規制先端部１３ａ・１４ａの近傍に、
ドラム８にセットされる基板３に面してこの基板の幅方
向に配列された小孔（図示せず）の群が設けられてい
る。これらの小孔へは、酸素ガス等の反応性ガスＧが導
入パイプ１５、１７より導入され、マスク１３・１４内
を経て供給される。噴出孔からは基板３に向かってガス
Ｇが噴出するようになっている。噴出ガスの速度、量の
均一性を高めるために、導入パイプ１５、１７と導入口
との間に、タンクを設けることが好ましい。その他、ド
ラム８、マスク１３等に冷却装置を設けることが好まし
い。さらに、本発明の効果を減じない範囲で公知の技術
を使用することができる。
て、送出ロール６と、２個のフリ−ロ−ラ７と、基板支
持用の回転ドラム８と、巻取りロール９とを有してい
る。蒸着室１ｂには、蒸着系として、るつぼ加熱用の電
子ビ−ム発生装置１０と、るつぼ１１と、るつぼ１１内
に入れた蒸発源としての磁性材料１２とがある。さら
に、ドラム８とるつぼ１１との間に形成される飛翔空間
１６内に突出するマスク１３が設けられ、基板３に磁性
材料１２の飛翔蒸気流１２ａが入射する面積及び角度を
規制するようになっている。また飛翔蒸気流１２ａの高
入射蒸気流近傍にもガス導入マスク１４が設けられてい
る。マスク１３・１４は中空構造であって、そのナイフ
エッジ状の入射角規制先端部１３ａ・１４ａの近傍に、
ドラム８にセットされる基板３に面してこの基板の幅方
向に配列された小孔（図示せず）の群が設けられてい
る。これらの小孔へは、酸素ガス等の反応性ガスＧが導
入パイプ１５、１７より導入され、マスク１３・１４内
を経て供給される。噴出孔からは基板３に向かってガス
Ｇが噴出するようになっている。噴出ガスの速度、量の
均一性を高めるために、導入パイプ１５、１７と導入口
との間に、タンクを設けることが好ましい。その他、ド
ラム８、マスク１３等に冷却装置を設けることが好まし
い。さらに、本発明の効果を減じない範囲で公知の技術
を使用することができる。
【００３３】本発明の方法により磁気記録媒体を製造す
るには、基板３上に磁性材料１２の飛翔蒸気流１２ａを
被着させればよいが、飛翔蒸気流１２ａが被着する際
に、強磁性薄膜１８の最下層部（１８ａ）においては、
マスク１３・１４の両方から酸化性ガスを低入射蒸気流
近傍及び高入射蒸気流近傍に導入しつつ形成される。ま
た、最下層以外の上層（例えば１８ｂ）においては、マ
スク１３のみから低入射蒸気流近傍に酸化性ガスを導入
しながら形成される。
るには、基板３上に磁性材料１２の飛翔蒸気流１２ａを
被着させればよいが、飛翔蒸気流１２ａが被着する際
に、強磁性薄膜１８の最下層部（１８ａ）においては、
マスク１３・１４の両方から酸化性ガスを低入射蒸気流
近傍及び高入射蒸気流近傍に導入しつつ形成される。ま
た、最下層以外の上層（例えば１８ｂ）においては、マ
スク１３のみから低入射蒸気流近傍に酸化性ガスを導入
しながら形成される。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の実施例を示して本発明を更に
詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定さ
れることはなく、本発明の要旨の範囲内で適宜に変更で
きることは言うまでもない。
詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定さ
れることはなく、本発明の要旨の範囲内で適宜に変更で
きることは言うまでもない。
【００３５】（実施例１）図２に示された真空蒸着機を
用い、厚さ１０．０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、Ｃｏ−Ｎｉ（Ｃｏ／Ｎｉ重量比；８０／
２０）合金からなる膜厚１０００Åの第一の磁性層を、
最高入射角（θｍａｘ）が９０度及び最低入射角（θｍ
ｉｎ）が４０度である前記Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸着流によ
り、形成した。その際、最低入射角側から酸素を４００
ＳＣＣＭの割合で導入しつつ、最高入射角側からの酸素
を１００ＳＣＣＭの割合で導入した。
用い、厚さ１０．０μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、Ｃｏ−Ｎｉ（Ｃｏ／Ｎｉ重量比；８０／
２０）合金からなる膜厚１０００Åの第一の磁性層を、
最高入射角（θｍａｘ）が９０度及び最低入射角（θｍ
ｉｎ）が４０度である前記Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸着流によ
り、形成した。その際、最低入射角側から酸素を４００
ＳＣＣＭの割合で導入しつつ、最高入射角側からの酸素
を１００ＳＣＣＭの割合で導入した。
【００３６】その後巻き戻しを行ない、第一の磁性層上
に、膜厚７００Åの第二の磁性層を、最高入射角（θｍ
ａｘ）が９０度及び最低入射角（θｍｉｎ）が４０度で
ある前記Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸着流により、最低入射角側
から酸素を４００ＳＣＣＭの割合で導入して形成した。
に、膜厚７００Åの第二の磁性層を、最高入射角（θｍ
ａｘ）が９０度及び最低入射角（θｍｉｎ）が４０度で
ある前記Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸着流により、最低入射角側
から酸素を４００ＳＣＣＭの割合で導入して形成した。
【００３７】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐食性について測定した。
耐食性について測定した。
【００３８】電磁変換特性；作製したサンプルを８ｍｍ
幅に裁断した後、８ｍｍＶＴＲ用のカセットに入れ、Ｈ
ｉ８ＶＴＲにより７ＭＨZ の出力、Ｃ／Ｎを測定した。
ただし、ここで比較例２の高入射側から酸素を導入しな
かったサンプルの出力、Ｃ／Ｎを０ｄＢとした。
幅に裁断した後、８ｍｍＶＴＲ用のカセットに入れ、Ｈ
ｉ８ＶＴＲにより７ＭＨZ の出力、Ｃ／Ｎを測定した。
ただし、ここで比較例２の高入射側から酸素を導入しな
かったサンプルの出力、Ｃ／Ｎを０ｄＢとした。
【００３９】耐触性；テ−プ片を６０℃、９０％相対湿
度中に２週間保存した後で、飽和磁化の減少率を測定し
た。
度中に２週間保存した後で、飽和磁化の減少率を測定し
た。
【００４０】得られた結果を表１に示す。
【００４１】（実施例２）実施例１において、第一の磁
性層形成時における最高入射角側からの酸素導入量を３
００ＳＣＣＭに代えた以外は、実施例１と同様にして磁
気記録媒体を作製した。
性層形成時における最高入射角側からの酸素導入量を３
００ＳＣＣＭに代えた以外は、実施例１と同様にして磁
気記録媒体を作製した。
【００４２】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００４３】（実施例３）実施例１において、第一の磁
性層形成時における最高入射角側からの酸素導入量を５
００ＳＣＣＭに代えた以外は、実施例１と同様にして磁
気記録媒体を作製した。
性層形成時における最高入射角側からの酸素導入量を５
００ＳＣＣＭに代えた以外は、実施例１と同様にして磁
気記録媒体を作製した。
【００４４】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００４５】（実施例４）実施例１において、第一の磁
性層形成時における最低入射角側からの酸素導入量を
１，５００ＳＣＣＭ、最高入射角側からの酸素導入量を
１，５００ＳＣＣＭに代えた以外は、実施例１と同様に
して磁気記録媒体を作製した。
性層形成時における最低入射角側からの酸素導入量を
１，５００ＳＣＣＭ、最高入射角側からの酸素導入量を
１，５００ＳＣＣＭに代えた以外は、実施例１と同様に
して磁気記録媒体を作製した。
【００４６】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００４７】（比較例１）実施例１において、第一の磁
性層形成時、酸素の導入を最低入射角側からのみ行なっ
たこと以外は、実施例１と同様の条件で磁性層を形成し
た。
性層形成時、酸素の導入を最低入射角側からのみ行なっ
たこと以外は、実施例１と同様の条件で磁性層を形成し
た。
【００４８】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００４９】（比較例２）実施例１〜４と同様の入射角
で、膜厚１，７００Åの単層磁性膜を形成した。その
際、最低入射角側からのみ酸素を４００ＳＣＣＭ導入し
て作製した。
で、膜厚１，７００Åの単層磁性膜を形成した。その
際、最低入射角側からのみ酸素を４００ＳＣＣＭ導入し
て作製した。
【００５０】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。ただし、電磁変換特性におい
て、この比較例２の、第一の磁性層のみで、かつ、高入
射側から酸素を導入しなかったサンプルの出力、Ｃ／Ｎ
を０ｄＢとした。得られた評価結果を表１に示す。
耐触性について測定した。ただし、電磁変換特性におい
て、この比較例２の、第一の磁性層のみで、かつ、高入
射側から酸素を導入しなかったサンプルの出力、Ｃ／Ｎ
を０ｄＢとした。得られた評価結果を表１に示す。
【００５１】（比較例３）比較例２において、単層磁性
膜を形成する際、最低入射角側から酸素を４００ＳＣＣ
Ｍ導入しつつ、最高入射角側からの酸素を１００ＳＣＣ
Ｍの割合で導入したこと以外は、比較例２と同様の条件
で磁性層を形成した。
膜を形成する際、最低入射角側から酸素を４００ＳＣＣ
Ｍ導入しつつ、最高入射角側からの酸素を１００ＳＣＣ
Ｍの割合で導入したこと以外は、比較例２と同様の条件
で磁性層を形成した。
【００５２】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００５３】（比較例４）比較例３において、磁性層形
成時における最高入射角側からの酸素導入量を３００Ｓ
ＣＣＭに代えた以外は、比較例３と同様にして磁気記録
媒体を作製した。
成時における最高入射角側からの酸素導入量を３００Ｓ
ＣＣＭに代えた以外は、比較例３と同様にして磁気記録
媒体を作製した。
【００５４】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００５５】（比較例５）比較例３において、磁性層形
成時における最高入射角側からの酸素導入量を５００Ｓ
ＣＣＭに代えた以外は、比較例３と同様にして磁気記録
媒体を作製した。
成時における最高入射角側からの酸素導入量を５００Ｓ
ＣＣＭに代えた以外は、比較例３と同様にして磁気記録
媒体を作製した。
【００５６】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００５７】（比較例６）比較例３において、磁性層形
成時における最高入射角側からの酸素導入量を１，００
０ＳＣＣＭに代えた以外は、比較例３と同様にして磁気
記録媒体を作製した。
成時における最高入射角側からの酸素導入量を１，００
０ＳＣＣＭに代えた以外は、比較例３と同様にして磁気
記録媒体を作製した。
【００５８】作製した磁気記録媒体の電磁変換特性及び
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
耐触性について測定した。得られた結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】（評価）以上の結果から明らかなように、
磁性層を多層構造にし、下層蒸着時には高入射角蒸気流
及び低入射角蒸気流側に酸化性ガスを導入し、また上層
蒸着時には低入射角蒸気流側のみに酸化性ガスを導入し
た実施例１〜４は７ＭＨZ の出力・Ｃ／Ｎとも高く、ま
たサ−モ保存後のΦS 減少率も低い。
磁性層を多層構造にし、下層蒸着時には高入射角蒸気流
及び低入射角蒸気流側に酸化性ガスを導入し、また上層
蒸着時には低入射角蒸気流側のみに酸化性ガスを導入し
た実施例１〜４は７ＭＨZ の出力・Ｃ／Ｎとも高く、ま
たサ−モ保存後のΦS 減少率も低い。
【００６１】
【発明の効果】本発明により、磁性層が複数の層から構
成され、その磁性層の上層の表面側及び下層のベ−ス側
にＣｏ、Ｎｉの酸化物が形成されることにより、優れた
電磁変換特性と耐触性を有する磁気記録媒体の製造方法
を提供することができる。
成され、その磁性層の上層の表面側及び下層のベ−ス側
にＣｏ、Ｎｉの酸化物が形成されることにより、優れた
電磁変換特性と耐触性を有する磁気記録媒体の製造方法
を提供することができる。
【図１】図１は、本発明の方法により製造される磁気記
録媒体の要部拡大断面図である。
録媒体の要部拡大断面図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の製造方法に使
用する装置の一実施例の模式図である。
用する装置の一実施例の模式図である。
３ 非磁性支持体、基板 ８ 冷却ドラム １２ 磁性材料 １３ 低入射角側酸素導入マスク １４ 高入射角側酸素導入マスク １８ 磁性層 １８ａ 第１磁性層 １８ｂ 第２磁性層 Ｇ 反応性ガス
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｃｏを主成分とする複数の強磁性薄膜層
を蒸着により非磁性支持体上に形成する磁気記録媒体の
製造方法において、最下層の強磁性材料を蒸着する際
に、酸化性ガスの方向を高入射蒸気流近傍及び低入射蒸
気流近傍にし、最下層以外の強磁性材料を蒸着する際に
は、酸化性ガスの方向を低入射蒸気流近傍にすることこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26203692A JPH06111315A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26203692A JPH06111315A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111315A true JPH06111315A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17370142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26203692A Withdrawn JPH06111315A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688016A3 (en) * | 1994-06-17 | 1997-01-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for manufacturing a magnetic recording medium |
| US5679410A (en) * | 1994-06-06 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Continuous fabrication of thin film magnetic recording medium with vacuum deposition |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26203692A patent/JPH06111315A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679410A (en) * | 1994-06-06 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Continuous fabrication of thin film magnetic recording medium with vacuum deposition |
| EP0688016A3 (en) * | 1994-06-17 | 1997-01-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for manufacturing a magnetic recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |