JP2001143236A

JP2001143236A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001143236A
Application number: JP32593599A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Motohashi; 一成本橋; Takao Mori; 敬郎森
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-11-16
Filing date: 1999-11-16
Publication date: 2001-05-25

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性層の厚みを小としても優れた耐食性を有
するとともに、ＭＲヘッドを用いて確実に再生する。【解決手段】非磁性支持体の少なくとも一主面側に成
膜された磁性層を有し、上記磁性層の残留磁化Ｍｒと上
記磁性層の厚みｔとの積Ｍｒ・ｔが２６ｍＡ以下である
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる金属磁性
薄膜型の磁気記録媒体及びその製造方法に関し、特に磁
気抵抗効果型再生ヘッドを用いた磁気記録システムに用
いて好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の結合剤中に分散せ
しめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製され
る、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されてい
る。

【０００３】これに対して、高密度記録への要求の高ま
りとともに、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ等の金属磁
性材料をメッキや真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等）によって非
磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄
くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこ
と、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要が
ないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得
ることができる等、数々の利点を有している。

【０００５】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用の磁気テープ
として実用化されている。

【０００６】さらにまた、磁気記録媒体では、例えば民
生用デジタルＶＴＲ等に使用する場合、耐久性及び耐食
性を向上させるために、カーボンなどによる保護膜を磁
性層上に形成している。

【０００７】一方、この種の磁気記録媒体においても、
更なる高密度記録化の要請を受け、再生過程において従
来の誘導型磁気ヘッドに代わり、磁気抵抗効果素子を用
いた磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が利用されるようになっ
てきている。一般に、ＭＲヘッドは、磁気記録媒体から
の微小な漏洩磁束を高感度に検出することができる特徴
を持っている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の磁
気記録媒体において、磁性層を形成する非磁性支持体の
表面には、走行耐久性を確保するために非磁性体球など
による微小突起が形成されていると同時に、製造工程中
や表面処理工程中で不測に発生した微小突起が存在す
る。このような微小突起を有する表面形状の非磁性支持
体に対し、斜方蒸着によって強磁性金属薄膜を形成する
と、徴小突起近傍には自己陰影効果によって蒸着粒子が
届きにくい部分が現れ、磁性層にくぼみが発生してしま
う。

【０００９】磁性層に上述したようなくぼみが鋭い形状
で存在してしまうと、当該くぼみ上には、保護膜が確実
に形成されないことがある。このように、保護膜が確実
に形成されず、磁性層が直接外方に臨むような場合、当
該磁性層は、外気等に対して曝されることとなり腐食す
ることがある。すなわち、磁気記録媒体には、磁性層の
くぼみに起因して所望の耐久性及び耐食性を得ることが
できないといった問題があった。

【００１０】磁性層表面にくぼみを生じさせず優れた表
面性を有する磁性層を形成する方法としては、蒸着粒子
の入射角を非磁性支持体表面に対してより垂直な方向に
規制することが知られている。しかしながら、この方法
では、磁性層の磁気特性が大幅に変化してしまい電磁変
換特性を劣化させてしまうといった不都合が生じる。

【００１１】また、磁気記録媒体では、磁性層の厚みを
大きくすることによって、磁性層の耐久性を向上させる
ことが考えられる。しかしながら、磁気記録媒体におい
て、磁性層の厚みを厚くすると、残留磁化Ｍｒと磁性層
の厚みｔとの積Ｍｒ・ｔで表される磁性層からの漏洩磁
束が大きくなることとなり、ＭＲヘッドにより再生を行
う場合には磁気抵抗効果素子を磁気的に飽和させてしま
い再生出力を得ることができないといった問題がある。
したがって、磁気記録媒体において、磁性層の厚みを大
として磁性層の耐食性を向上させることはできない。

【００１２】そこで、本発明は、上述したような従来の
実情に鑑みて案出されたものであり、磁性層の厚みを小
としても優れた耐食性を有するとともに、ＭＲヘッドを
用いて確実に再生することのできる磁気記録媒体及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の少なくとも一
主面側に成膜された磁性層を有し、上記磁性層の残留磁
化Ｍｒと上記磁性層の厚みｔとの積Ｍｒ・ｔが２６ｍＡ
以下であることを特徴とする。

【００１４】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体は、磁性層の残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒ
・ｔを所定の値に規定するため、例えば、磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを備える記録再生システムに用いても、磁
気抵抗効果素子を磁気的に飽和させることなく、確実な
再生を行うことができる。

【００１５】また、磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁
性層が成膜される側の主面に微小突起が形成されてな
り、磁性層が上記微小突起に起因して形成されるくぼみ
有するとともに、当該くぼみの直径を当該くぼみの深さ
で割った値が７以上であり、且つ、当該くぼみの深さが
８ｎｍ以下であることが好ましい。

【００１６】このように構成された磁気記録媒体では、
磁性層表面に形成されるくぼみの形状を規定しているた
め、例えば、磁性層を覆うように保護膜等を形成した場
合に当該保護膜等がくぼみを確実に覆うことができる。
このため、この磁気記録媒体においては、磁性層がくぼ
み部分から腐食するようなことを防止できる。

【００１７】また、上述した目的を達成した本発明に係
る磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体を
長手方向に走行させ、走行する非磁性支持体の一主面側
に磁性粒子を堆積させて磁性層を形成する磁気記録媒体
の製造方法であって、上記非磁性支持体の一主面の法線
方向とのなす角度の最大値を６５°〜７５°とし、且
つ、上記非磁性支持体の一主面の法線方向とのなす角度
の最小値を４５°〜６０°として、上記非磁性支持体の
一主面に上記磁性粒子を入射させることを特徴とする。

【００１８】以上のように構成された本発明の磁気記録
媒体の製造方法では、非磁性支持体の一主面に磁性粒子
を入射させる際に、磁性粒子の入射方向と非磁性支持体
の一主面の法線方向とがなす角度（入射角）を規定して
いる。すなわち、入射角の最大値及び最小値を所定の範
囲に規定している。本手法では、入射角の最大値及び最
小値を規定することによって、所望の柱状構造をとらせ
ることができ、所望の磁気特性を有する磁性層を形成す
ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
及びその製造方法の好適な実施の形態を図面を参照して
詳細に説明する。

【００２０】本発明を適用した磁気記録媒体は、図１に
示すように、非磁性支持体１と、非磁性支持体１上に成
膜された磁性層２と、磁性層２上に成膜された保護層３
とから構成されている。また、本発明が適用される磁気
記録媒体としては、このような構成に限定されず、非磁
性支持体１の磁性層２が形成された面とは反対側の面に
バックコート層を有していたり、保護層３上に潤滑剤を
塗布したものであっても良い。

【００２１】非磁性支持体１は、通常、この種の磁気記
録媒体に使用されるものであれば如何なる材料を使用し
ても良い。非磁性支持体１としては、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等の
ポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポ
リオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロ
ース誘導体、ポリカーボネイト、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリアミドイミド等のプラスチック類を例示するこ
とができる。非磁性支持体１の厚さは、通常３〜１０μ
ｍ程度とされるが、走行時の機械的強度が高い材料を用
いれば２〜４μｍ程度であっても良い。

【００２２】また、非磁性支持体１上には、微小突起１
ａが形成されている。この微小突起１ａは、微粒子を結
合剤と共に溶剤中に分散した塗料を基板上に塗布する方
法、基板内部に微粒子をフィラーとして含有させる方
法、或いは、これらを併用する方法等、公知の方法によ
り形成される。これらの方法に使用される徴粒子として
は、有機高分子、無機化合物等の徴粒子があげられる。
無機化合物としては、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等があげられ
る。この他にも、リソグラフィー技術によつて非磁性支
持体１上に人工的に凹凸を形成する方法、メッキ法や、
真空薄膜形成技術によつて金属、無機化合物または有機
高分子の島状構造を形成する方法を用いて、非磁性支持
体１の一主面上に徴小突起１ａを形成してもよい。微小
突起１ａの高さは、通常、５〜５０ｎｍであることが好
ましい。特に、微小突起１ａは、後述する磁性層２の膜
厚よりも小さいことが望ましい。なお、こお微小突起１
ａの高さとは、非磁性支持体１の徴小突起１ａの存在し
ない平滑な表面から微小突起１ａまでの高さのことを指
す。また、この微小突起１ａには、非磁性支持体１を作
製する過程において不測に発生した突起も含んで考え
る。

【００２３】磁性層２は、非磁性支持体１の微小突起１
ａが形成された一主面上に、真空蒸着法等の手法により
成膜される。磁性層２を形成する強磁性金属材料として
は、従来公知の金属または合金が挙げられ、具体的に
は、Ｃｏ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＣ
ｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等
の材料を例示することができる。また、磁性層２は、上
記材料を酸素雰囲気中で成膜することにより膜中に酸素
を含んでなるもの、又は、上記材料に１種又は２種のそ
の他の金属を含んでなるもの、さらには、Ｃｏ−Ａｌ₂
Ｏ₃、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂等の既存の強磁性金属合金を含
んだ非固溶系磁性層からなるものであってもよい。

【００２４】特に、この磁性層２は、面内方向における
残留磁化Ｍｒと磁性層２自身の厚みとの積Ｍｒ・ｔが２
６ｍＡ以下となるように規定されている。特に、上記Ｍ
ｒ・ｔの値は、好ましくは５〜２６ｍＡである。また、
このとき磁性層２自身の厚みｔは、必要以上に厚くなる
と表面形状が平滑でなくなりノイズが増加するため、７
５ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ〜７０ｎｍであること
がより好ましい。

【００２５】また、非磁性支持体１上に非磁性下地層を
形成し、当該非磁性下地層上に磁性層２を形成しても良
い。この非磁性下地層は、磁性層２の付着力向上、磁性
層２の磁気的配向性の向上、磁性層２の耐食性向上を目
的として形成される。非磁性下地層としては、Ｃｏ、Ｚ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａなどの金属のほか、これら
を組み合わせた合金、酸素や窒素などとの化合物でもよ
い。

【００２６】磁性層２を形成する際には、図２に示すよ
うな真空蒸着装置を用いる。

【００２７】この真空蒸着装置は、いわゆる斜方蒸着用
として構成され、内部が例えば１×１０^-3Ｐａ程度の真
空にされた真空室１１内に、例えば−２０℃程度に冷却
され、図中矢印Ａで示すように反時計回り方向に回転す
る冷却キャン１２と、これに対向するように強磁性金属
薄膜用の蒸着源１３が配置されてなるものである。

【００２８】また、この真空蒸着装置においては、真空
室１１内に、図中の反時計回り方向に回転する供給ロー
ル１４と図中の反時計回り方向に回転する巻き取りロー
ル１５も配設されており、非磁性支持体１６は供給ロー
ル１４から図中矢印Ｂで示す方向に繰り出され、冷却キ
ャン１２の周面に沿って走行した後、巻き取りロール１
５に巻き取られる。

【００２９】なお、供給ロール１４と冷却キャン１２と
の間、及び冷却キャン１２と巻き取りロール１５との間
にはそれぞれガイドローラー１７、１８が配置され、供
給ロール１４から冷却キャン１２、及びこの冷却キャン
１２から巻き取りロール１５に従って走行する非磁性支
持体１６に所定のテンションをかけ、非磁性支持体１６
が円滑に走行するようになされている。

【００３０】上記蒸着源１３は坩堝等の容器に、上述し
たようなＣｏ等の強磁性金属材料が収容されたものであ
り、この真空蒸着装置においては、この蒸着源１３の強
磁性金属材料を加熱、蒸発させるための電子ビーム発生
源１９も配設されている。すなわち、上記電子ビーム発
生源１９から電子ビーム２０を蒸着源１３の強磁性金属
材料に加速照射してこれを図中矢印Ｃで示すように加
熱、蒸発させる。すると、強磁性金属材料は蒸着源１３
と対向する冷却キャン１２の周面に沿って走行する非磁
性支持体１６上に被着し、非磁性支持体１６上に強磁性
金属薄膜が形成されることとなる。

【００３１】なお、上記真空蒸着装置においては、蒸着
源１３と冷却キャン１２との間に第１のシャッタ２１及
び第２のシャッタ２２が配設されている。第１のシャッ
タ２１は、走行する非磁性支持体の前段側に位置すると
ともに、第２のシャッタ２２は、走行する非磁性支持体
の後段側に位置する。これら第１のシャッタ２１及び第
２のシャッタ２２は、冷却キャン１２の主面に沿って走
行する非磁性支持体１のうちで所定の領域のみを外方に
露出させる。

【００３２】なお、このような強磁性金属薄膜の蒸着に
際し、図示しない酸素ガス導入口を介して非磁性支持体
１６の表面近傍に酸素ガスを供給し、これによって強磁
性金属薄膜の磁性特性、耐久性及び耐候性の向上が図ら
れるようにすることもできる。また、蒸着源を加熱する
ためには、上述のような電子ビームによる加熱手段の
他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱
手段等の公知の手段を使用できる。

【００３３】このように構成された真空蒸着装置では蒸
着源から強磁性金属材料を蒸発させるとともに冷却キャ
ンの周面に非磁性支持体１を走行させる。この真空蒸着
装置において、蒸発した強磁性金属材料は、第１のシャ
ッタ２１及び第２のシャッタ２２により遮蔽され、第１
のシャッタ２１及び第２のシャッタ２２の間から外方に
露出する非磁性支持体上にのみ堆積することとなる。こ
こで、第１のシャッタ２１は、走行する非磁性支持体の
前段側に配設されて、蒸発する強磁性金属材料のうち最
大入射角を規定する。また、第２のシャッタ２２は、走
行する非磁性支持体の後段側に配設されて、蒸発する強
磁性金属材料のうち最小入射角を規定する。このとき、
入射角とは、蒸発した強磁性金属材料が非磁性支持体上
に入射する方向と、非磁性支持体の強磁性金属材料が入
射した場所における法線方向とがなす角度を指す。

【００３４】具体的に、真空蒸着装置では、第１のシャ
ッタ２１により最大入射角を６５〜７５°に規定すると
ともに、第２のシャッタ２２により最小入射角を４５〜
６０°に規定している。このように最大入射角と最小入
射角とを所定の範囲に規定することによって、真空蒸着
装置は、非磁性支持体１の一主面上に成膜される磁性層
２を所望の柱状構造とすることができる。

【００３５】また、この真空蒸着装置は、第１のシャッ
タ２１側から第２のシャッタ２２側に向かって非磁性支
持体を走行させるため、蒸発した強磁性金属材料を、先
ず、第１のシャッタ２１側の非磁性支持体上に堆積させ
る。そして、第１のシャッタ２１側から第２のシャッタ
２２側に向かって非磁性支持体が走行するに連れて、蒸
発した金属磁性材料が順次堆積することとなる。このた
め、金属磁性材料は、先ず、最大入射角で非磁性支持体
上に堆積することとなり、最終的に、最小入射角で堆積
し終わることとなる。

【００３６】このように、強磁性金属材料を成膜して磁
性層２を形成する場合には、図１に示すように、微小突
起１ａに対応したくぼみ２ａが磁性層２表面に形成され
ることとなる。言い換えると、磁性層２表面のくぼみ２
ａは、非磁性支持体１の一主面に形成された微小突起１
ａに起因して発生する。上述したように斜め蒸着を行う
場合、非磁性支持体１の一主面に微小突起１ａが形成さ
れていると、当該微小突起１ａ上に先ず強磁性金属材料
が堆積する。続いて、微小突起１ａ自体や微小突起１ａ
上に堆積した強磁性金属材料等により、いわゆる、自己
陰影効果を示しながら、強磁性金属材料が堆積する。こ
のように、微小突起１ａが形成された非磁性支持体１上
に強磁性金属材料を成膜するため、磁性層２表面には、
くぼみ２ａが形成されることとなる。

【００３７】上述したように、図２に示した真空蒸着装
置では、最大入射角と最小入射角とを規定したため、く
ぼみ２ａの直径（図１中ｗで示す。）を当該くぼみ２ａ
の深さ（図１中ｄで示す。）で割った値を７以上とする
ことができ、且つ、当該くぼみ２ａの深さｄを８ｎｍ以
下とすることができる。すなわち、この磁性層２には、
くぼみ２ａの直径ｗを当該くぼみ２ａの深さｄで割った
値が７未満、或いは、くぼみ２ａの深さが８ｎｍより大
であるような鋭利なくぼみ２ａが形成されるようなこと
がない。

【００３８】また、この磁気記録媒体は、磁性層２上に
形成された保護膜３を有している。具体的に、保護膜３
としては、カーボン、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ
酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_x、Ｓｉ
Ｃ、ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ、Ｍ
ｏＳ等の材料を成膜することにより形成される。これら
の材料を成膜する際には、公知の成膜技術、例えば、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法
及びＣＶＤ法等を使用することができる。

【００３９】中でも、保護膜３としては、ＣＶＤ法によ
り成膜されたカーボン保護膜を使用することが好まし
い。ＣＶＤ法により成膜されたカーボン保護膜は、耐久
性や耐食特性に優れると同時に、生産性に優れている。
特に、ＣＶＤ法によれば、ダイヤモンドライクカーボン
と呼ばれる、耐摩耗性、耐食性及び表面被覆率に優れ、
平滑な表面形状と高い電気抵抗率とを有する硬質カーボ
ンを磁性層上に成膜することができる。

【００４０】具体的に、カーボン保護膜を形成する際に
は、炭素化合物をプラズマ中で分解し磁性層上に成膜す
る。炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アル
コール系などの公知の材料を使用することができる。ま
た、プラズマ中で分解するには、高周波バイアス電圧を
用いることが好ましい。さらに、プラズマ生成時に、炭
素化合物の分解を促進するためのガスとしてＡｒ、Ｈ₂
などが導入されることが好ましい。さらにまた、カーボ
ン保護膜の膜硬度及び耐食性をより向上させるため、保
護膜３中のカーボンが窒素、フッ素などと反応した状態
で単層または多層の状態で存在していてもよい。この場
合、プラズマを生成時に、Ｎ₂、ＣＨＦ₃又はＣＨ₂Ｆ₂等
のガスを単独又は混合した状態とし、カーボン保護膜を
成膜することにより形成することができる。

【００４１】また、保護膜３の膜厚は、４ｎｍ〜１２ｎ
ｍであることが好ましい。保護膜３の膜厚が４ｎｍ未満
の場合には、耐摩耗性、耐食性が劣化する虞がある。逆
に、保護膜３の膜厚が１２ｎｍより厚い場合には、スベ
ーシングによる損失が増加してしまい、電磁変換特性が
劣化してしまう虞がある。上述したＣＶＤ法を用いた場
合には、カーボン保護膜を１０ｎｍ以下の厚みで安定し
て成膜することができる。

【００４２】ところで、この磁気記録媒体では、上述し
たように、磁性層２に形成されるくぼみ２ａが、ｗ／ｄ
で表される値を７以上とし、且つ、ｄが８ｎｍ以下に規
制されている。このため、保護膜３は、磁性層２に形成
されたくぼみ２ａを確実に覆うように形成されることと
なる。言い換えると、保護膜３は、くぼみ２ａ上で不連
続となるようなことが無く、磁性層２上に連続した膜と
して形成される。

【００４３】仮に、磁性層２に形成されるくぼみ２ａ
が、ｗ／ｄで表される値が７未満であるか、又は、ｄが
８ｎｍより大であるような形状である場合には、くぼみ
２ａが鋭利な形状となり、当該くぼみ２ａ上に形成され
る保護膜３が不連続なものとなってしまう。したがっ
て、この場合、磁気記録媒体としては保護膜３の不連続
部分から空気や水分等の流入を防止することができず、
磁性層２を劣化させてしまう。この場合、磁気記録媒体
は、耐食性が劣化してしまうこととなる。

【００４４】このことから、磁性層２表面に形成される
くぼみ２ａを、ｗ／ｄが７以上であり、且つ、ｄが８ｎ
ｍ以下となるように規制することによって、磁気記録媒
体は、保護膜３により確実に耐食性を向上させることが
できる。また、この磁気記録媒体では、磁性層２の劣化
を確実に防止することができるため、出力の低下を防止
することができ、電磁変換特性を維持することができ
る。特に、この磁気記録媒体では、磁性層２の残留磁化
Ｍｒと厚みｔとの積Ｍｒ・ｔが２６ｍＡ以下となってい
るために磁性層２の劣化による電磁変換特性の低下が顕
著なものとなるが、磁性層２の劣化を確実に防止してい
るため、所定の電磁変換特性を確実に維持することがで
きる。

【００４５】以上のように構成された本発明に係る磁気
記録媒体は、磁性層２の残留磁化Ｍｒと厚みｔとの積Ｍ
ｒ・ｔを所定の値に規定するため、例えば、磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを備える記録再生システムに用いても、
磁気抵抗効果素子を磁気的に飽和させることなく、確実
な再生を行うことができる。

【００４６】磁性層２の厚さは、ラインスピードを変化
させることにより制御することが可能であり、残留磁化
量は成膜中の酸素導入量を変化させることにより制御す
ることが可能である。これら二つのパラメータを制御す
ることにより、ＭＲ再生ヘッドを飽和させず、歪みの無
い状態で、最大の出力が得られるようにする。Ｍｒ・ｔ
の値が２６ｍＡより大である場合、ＭＲ再生ヘッドが飽
和してしまい、歪みが生ずる。

【００４７】ここで、ＭＲヘッドとは、磁気記録媒体か
らの信号を、磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用
の磁気ヘッドである。一般に、ＭＲヘッドは、電磁誘導
を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッド
よりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録に
適している。したがって、再生用磁気ヘッドとしてＭＲ
ヘッドを用いることで、より高密度記録化を図ることが
できる。

【００４８】そして、このＭＲヘッドは、例えば、Ｎｉ
−Ｚｎ多結晶フェライト等のような軟磁性材料からなる
一対の磁気シールドに絶縁体を介して挟持された略矩形
状のＭＲ素子部を備える。なお、ＭＲ素子部の両端から
は、一対の端子が導出されており、これらの端子を介し
て、ＭＲ素子部にセンス電流を供給できるようになされ
ている。

【００４９】ＭＲヘッドを用いて磁気記録媒体からの信
号を再生する際は、磁気記録媒体をＭＲ素子部に摺動さ
せる。そして、磁気記録媒体をＭＲ素子部に摺動させた
状態で、ＭＲ素子部の両端に接続された端子を介して、
ＭＲ素子部にセンス電流を供給し、当該センス電流の電
圧変化を検出する。磁気記録媒体を摺動させた状態でＭ
Ｒ素子部にセンス電流を供給すると、磁気記録媒体から
の磁界に応じて、ＭＲ素子部の磁化方向が変化し、ＭＲ
素子部に供給されたセンス電流と磁化方向との相対角度
が変化する。そして、ＭＲ素子部の磁化方向とセンス電
流の方向とがなす相対角度に依存して抵抗値が変化する
こととなる。このため、ＭＲ素子部に供給するセンス電
流の電流値を一定にすることにより、センス電流に電圧
変化を生ずることとなる。そこで、このセンス電流の電
圧変化を検出することにより、磁気記録媒体からの信号
磁界が検出され、磁気記録媒体に記録されている信号が
再生される。

【００５０】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果に基づき詳細に説明する。

【００５１】サンプル１先ず、厚さ６μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムを用意し、この表面にアクリルエステ
ルを主成分とする水溶性ラテックスを密度が１０⁷個／
ｍｍ²なるように塗布して下塗層を形成した。

【００５２】続いて、下塗層上にＣｏからなる金属磁性
薄膜を蒸着法により成膜した。なお、金属磁性薄膜は、
下記の成膜条件で形成した。

【００５３】成膜条件テープ送り速度：５５ｍ／ｍｉｎ酸素導入量：６．０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａこのとき、真空蒸着装置としては、図２に示したような
ものを使用し、第１のシャッタ２１及び第２のシャッタ
２２の位置を調節することにより、最小入射角を４５
°、最大入射角を７０°とした。

【００５４】その後、磁性層上にＣＶＤ法によりカーボ
ン保護膜を厚さ約１０ｎｍ形成した。そして、非磁性支
持体における磁性層が形成された面とは反対側の面に、
カーボンとウレタン樹脂からなるバックコート層を０．
５μｍなる厚さに形成するとともに、カーボン保護膜表
面にパーフルオロポリエーテルよりなる潤滑剤を塗布
し、その後、８ｍｍ幅に裁断して磁気テープを完成し
た。

【００５５】サンプル２成膜条件において、テープ送り速度を６０ｍ／ｍｉｎと
し、最大入射角を７５°とした以外はサンプル１と同様
にして磁気テープを作製した。

【００５６】サンプル３成膜条件において、テープ送り速度を６０ｍ／ｍｉｎと
し、最大入射角を６０°とした以外はサンプル１と同様
にして磁気テープを作製した。

【００５７】サンプル４成膜条件において、テープ送り速度を６０ｍ／ｍｉｎと
し、最大入射角を８０°とした以外はサンプル１と同様
にして磁気テープを作製した。

【００５８】サンプル５成膜条件において、最大入射角を９０°とした以外はサ
ンプル１と同様にして磁気テープを作製した。

【００５９】以上のようにして作製したサンプル１〜サ
ンプル５における磁気特性及び電磁変換特性の評価を行
った。磁気特性は、試料振動型磁力計を用いて測定し
た。電磁変換特性測定において、記録ヘッドはギャップ
長０．２２μｍトラック幅８６μｍのＭＩＧヘッドを使
用した。電磁変換特性の測定は、ＭＩＧヘッドで記録波
長０．３μｍにて記録し、トラック幅５μｍのＮｉ−Ｆ
ｅＭＲヘッドを用いて再生することにより行った。Ｎｉ
−ＦｅＭＲヘッドでは、Ｂ_sｔ／２＝２００Ｇ・μｍで
ある。なお、磁気テープとＭＲヘッドとの相対達度を１
ｍ／ｍｉｎとして測定した。

【００６０】また、サンプル１〜サンプル５に関してＳ
Ｏ₂ガス雰囲気中における耐食性を評価した。耐食性試
験は、気温３０℃、相対湿度８０％、ＳＯ₂ガス濃度
０．５ｐｐｍ雰囲気中に、磁気テープを１３時間保存
し、保存前後の磁化量を測定することにより行った。評
価方法としては、下記の式に従って磁化劣化率を算出し
て行った。

【００６１】磁化劣化率（％）＝｛1−（試験後の磁化
量）／（試験前の磁化量）｝×100 磁化劣化率は、上記式で算出されるためサンプルの耐食
性を数値として評価することができ、腐食が発生しなか
った方が低い値を示すこととなる。このとき、磁気テー
プの磁化量の測定は、試料振動型磁力計を用いて行っ
た。

【００６２】さらに、サンプル１〜サンプル５に関し
て、磁性層表面に発生したくぼみの形状を測定した。く
ぼみの形状は、保護膜を形成する前のサンプルについて
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて行い、くぼみを横切
つた断面のプロファイルより同定した。

【００６３】これらの結果を表１に示す。

【００６４】

【表１】

【００６５】表１から判るように、磁性層の保磁力を１
００ｋＡ／ｍ程度になるように調節した場合、最大入射
角が７５°以下になると（サンプル１〜サンプル３）磁
性層表面に形成されるくぼみの深さが最大入射角が小さ
くなるにつれ小となり、ｗ／ｄの値が大きくなることか
ら、くぼみの形状が緩やかになっていることが判った。
その結果、最大入射角が７５°以下になると耐食性が劇
的に改善されている。

【００６６】しかしながら、最大入射角を６０°まで下
げた場合（サンプル３）、耐食性は優れるが、磁性層の
磁気特性が劣化してしまう結果、再生出力が劣化してし
まっている。したがって、最大入射角は６５°〜７５°
の範囲であることが好ましいことがわかる。

【００６７】また、磁気記録媒体は、最大入射角を６５
°〜７５°の範囲として磁性層を形成することによっ
て、磁性層のＭｒ・ｔの値を２６ｍＡ以下とすることが
でき、ＭＲヘッドを用いた再生システムに適したものと
なることがわかった。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、磁性層の残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍ
ｒ・ｔの値をＭＲ再生ヘッドの特性に合わせて最適化し
ているので、ＭＲ素子の飽和を防ぎ、高出力、低ノイズ
を実現可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例として示す磁気記録媒体の要部断
面図である。

【図２】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法に使用さ
れる蒸着装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１非磁性支持体、２磁性層、３保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の少なくとも一主面側に金
属磁性材料を成膜してなる磁性層を有する磁気記録媒体
において、上記磁性層の残留磁化Ｍｒと上記磁性層の厚みｔとの積
Ｍｒ・ｔが２６ｍＡ以下であることを特徴とする磁気記
録媒体。
【請求項２】上記非磁性支持体は、金属磁性材料が成
膜される側の主面に微小突起が形成されてなり、上記磁性層は、上記微小突起に起因して形成されるくぼ
み有するとともに、当該くぼみの直径を当該くぼみの深
さで割った値が７以上であり、且つ、当該くぼみの深さ
が８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁
気記録媒体。
【請求項３】上記磁性層の厚みｔが７５ｎｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記磁性層上に保護膜が成膜されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いた磁気
記録システムに用いられることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。
【請求項６】長尺状の非磁性支持体を長手方向に走行
させ、走行する非磁性支持体の一主面側に磁性粒子を堆
積させて磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、上記非磁性支持体の一主面の法線方向とのなす角度の最
大値を６５°〜７５°とし、且つ、上記非磁性支持体の
一主面の法線方向とのなす角度の最小値を４５°〜６０
°として、上記非磁性支持体の一主面に上記磁性粒子を
入射させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。