JPH10228619A - 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生出力が高く、かつ、オーバーライト特性
に優れた技術を提供することである。 【解決手段】 支持体と磁性層とを具備した磁気記録媒
体において、前記磁性層の厚さは１００ｎｍ以上、１５
０ｎｍ以下であり、かつ、前記磁性層の面に垂直方向の
保磁力成分Ｈｃ⊥／前記磁性層の面に水平方向の保磁力
成分Ｈｃ‖が１．８０以上、２．１０以下である磁気記
録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再生出力が高く、
かつ、記録信号の消去率が高い（オーバーライト特性に
優れた）磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したも
のである。

【０００３】この種の磁気記録媒体において、磁性層の
面に垂直方向の保磁力成分Ｈｃ⊥／磁性層の面に水平方
向の保磁力成分Ｈｃ‖が１．２〜１．７の磁性層を有す
るものが提案（特公平５−６１６８３号公報）されてい
る。そして、このものは、リング型磁気ヘッドにより高
密度記録再生で優れたＳ／Ｎを奏すると記載されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、高密度記録
化に伴い、記録に際して用いられる信号の最短記録波長
は短くなって来ている。この為、一度書き込まれている
上から書き込んだ場合、前の記録が完全に消去されない
ことが有る。特に、記録波長が０．４０μｍ以下の信号
が用いられた場合には、消去されない割合が高い。

【０００５】従って、本発明が解決しようとする課題
は、再生出力が高く、かつ、オーバーライト特性に優れ
た技術を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体と
磁性層とを具備した磁気記録媒体において、前記磁性層
の厚さは１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下であり、か
つ、前記磁性層の面に垂直方向の保磁力成分Ｈｃ⊥／前
記磁性層の面に水平方向の保磁力成分Ｈｃ‖が１．８０
以上、２．１０以下であることを特徴とする磁気記録媒
体によって解決される。

【０００７】特に、支持体と磁性層とを具備した磁気記
録媒体において、前記磁性層の厚さは１００ｎｍ以上、
１５０ｎｍ以下であり、かつ、前記磁性層の面に垂直方
向の保磁力成分Ｈｃ⊥／前記磁性層の面に水平方向の保
磁力成分Ｈｃ‖が１．８０以上、２．１０以下であり、
角型比Ｓｑが０．９０以上、１未満であることを特徴と
する磁気記録媒体によって解決される。

【０００８】尚、磁性層は、Ｈｃ⊥が２１００Ｏｅ以
上、２９５０Ｏｅ以下であり、Ｈｃ‖が１２００Ｏｅ以
上、１６００Ｏｅ以下のものが好ましい。又、飽和磁束
密度が５０００Ｇ以上、７０００Ｇ以下のものが好まし
い。そして、磁性層は一層タイプのものと、二層以上の
複数層が積層された積層タイプのものが有る。積層タイ
プの場合には、上層側の磁性層が下層側の磁性層より厚
いのが好ましい。特に、上層側の磁性層が下層側の磁性
層より２倍以上、６倍以下厚いのが好ましい。

【０００９】尚、磁性層が複数層からなる場合、上記の
値は複数層全体によるものである。又、支持体は、その
厚さが３μｍ以上、５μｍ以下であるのが好ましい。そ
して、上記の磁気記録媒体に対して、最短記録波長λが
０．２５μｍ以上、０．４０μｍ以下の信号を用いて記
録することを特徴とする磁気記録方法によって、前記の
課題は解決される。

【００１０】すなわち、上記のように構成させることに
よって、０．４０μｍ以下の波長の信号でも磁性層の下
層部分まで進入でき、効率よく消磁できる。又、再生出
力も高いものが得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
と磁性層とを具備した磁気記録媒体において、前記磁性
層の厚さは１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下（特に、１
１０ｎｍ以上、１３０ｎｍ以下）であり、かつ、前記磁
性層の面に垂直方向の保磁力成分Ｈｃ⊥／前記磁性層の
面に水平で長手方向の保磁力成分Ｈｃ‖が１．８０以
上、２．１０以下（特に、１．８５以上、２．０５以
下）である。特に、支持体と磁性層とを具備した磁気記
録媒体において、前記磁性層の厚さは１００ｎｍ以上、
１５０ｎｍ以下（特に、１１０ｎｍ以上、１３０ｎｍ以
下）であり、かつ、前記磁性層の面に垂直方向の保磁力
成分Ｈｃ⊥／前記磁性層の面に水平で長手方向の保磁力
成分Ｈｃ‖が１．８０以上、２．１０以下（特に、１．
８５以上、２．０５以下）であり、角型比Ｓｑが０．９
０以上、１未満（特に、０．９０以上、０．９５以下）
である。Ｈｃ⊥は２１００Ｏｅ以上、２９５０Ｏｅ以下
（特に、２５００Ｏｅ以上、２９００Ｏｅ以下）であ
り、Ｈｃ‖は１２００Ｏｅ以上、１６００Ｏｅ以下（特
に、１３００Ｏｅ以上、１５００Ｏｅ以下）である。飽
和磁束密度は５０００Ｇ以上、７０００Ｇ以下（特に、
５５００Ｇ以上、６５００Ｇ以下）である。磁性層は単
層または二層以上の複数層が積層された積層タイプであ
る。積層タイプの場合には、上層側の磁性層が下層側の
磁性層より厚い。特に、上層側の磁性層が下層側の磁性
層より２倍以上、６倍以下（特に、３倍以上、４倍以
下）厚い。支持体は、その厚さが３μｍ以上、５μｍ以
下である。

【００１２】本発明の磁気記録方法は、上記の磁気記録
媒体に対して、最短記録波長λが０．２５μｍ以上、
０．４０μｍ以下の信号を用いて記録するものである。
以下、更に詳しく説明する。図１は、本発明になる磁気
記録媒体の概略断面図である。図１中、１は支持体であ
る。この支持体１は、磁性を有するものでも、非磁性の
ものでも良い。一般的には非磁性のものである。例え
ば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略
す。）等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等の
オレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル
系の樹脂といったフレキシブルな高分子材料が用いられ
る。支持体１の厚さは、特に、３μｍ以上、５μｍ以下
である。

【００１３】この非磁性の支持体１上に厚さが１００ｎ
ｍ以上、１５０ｎｍ以下（特に、１１０ｎｍ以上、１３
０ｎｍ以下）の磁性層２が設けられる。磁性層２は一つ
であっても良いが、二つ、あるいは三つ以上が積層され
たものであっても良い。尚、前記の厚さは、磁性層が積
層されている積層タイプの場合には合計の厚さである。
そして、積層タイプの場合には、上層側の磁性層が下層
側の磁性層より厚い。特に、上層側の磁性層が下層側の
磁性層より２倍以上、６倍以下（特に、３倍以上、４倍
以下）厚い。そして、磁性層が二層の積層タイプの場合
には、上層側の磁性層の厚さが８０ｎｍ以上、１３０ｎ
ｍ以下、下層側の磁性層の厚さが２０ｎｍ以上、５０ｎ
ｍ以下、上層側の磁性層の厚さ／下層側の磁性層の厚さ
が２倍以上、６倍以下、磁性層の合計厚さは１００ｎｍ
以上、１５０ｎｍ以下である。

【００１４】磁性層２は、例えば図２に示す斜め蒸着装
置を用いて設けられる。図２中、１は支持体、１０は冷
却キャンロール、１１はルツボ、１２はルツボ１１に充
填された磁性金属、１３は遮蔽板、１４は酸素ガス供給
ノズル、１５は電子銃である。そして、真空槽１６内
を、例えば１０^-4〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度に排気し、磁性
金属１２に電子銃１５からの電子ビームを照射して蒸発
させ、金属磁性粒子を堆積（斜め蒸着）させることによ
り金属薄膜型の磁性層２が設けられる。

【００１５】磁性層２は、Ｈｃ⊥が２１００Ｏｅ以上、
２９５０Ｏｅ以下（特に、２５００Ｏｅ以上、２９００
Ｏｅ以下）である。Ｈｃ‖は１２００Ｏｅ以上、１６０
０Ｏｅ以下（特に、１３００Ｏｅ以上、１５００Ｏｅ以
下）である。そして、Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖が１．８０以上、
２．１０以下（特に、１．８５以上、２．０５以下）で
ある。これは、Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖が１．８０未満である
と、高域での充分な出力が得られず、逆に、２．１０を
越えた範囲では、オーバーライト特性が低下してしまう
からである。又、飽和磁束密度は５０００Ｇ以上、７０
００Ｇ以下（特に、５５００Ｇ以上、６５００Ｇ以下）
である。角型比Ｓｑは０．９０以上、１未満（特に、
０．９０以上、０．９５以下）である。この範囲の磁気
特性の時、再生出力が高く、かつ、オーバーライト特性
に優れたものとなる。上記の保磁力及び角型比、飽和磁
束密度を有する磁気記録媒体は、支持体１の走行速度、
電子銃１５の出力、酸素ガス供給ノズル１４からの酸素
ガス供給量などの諸条件を調整することにより得られ
る。例えば、先ず、酸素ガス供給量以外の条件をある値
に設定しておき、この後、酸素ガス供給量を微調整する
ことによって本発明の磁気記録媒体を得ることが出来
る。酸素ガス供給量を増加させると、保磁力は高くな
り、残留磁束密度は低くなる。逆に、酸素ガス供給量を
減少させると、保磁力は低くなり、残留磁束密度は高く
なる。具体的な条件は、個々の蒸着装置により異なる
が、本装置の場合、以下の実施例に示す設定値により目
的とする磁性膜が得られる。

【００１６】磁性層２を構成する磁性金属１２の材料と
しては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらに異種の金属を含有さ
せた合金が用いられる。尚、金属薄膜型の磁性層として
は、前記材料の窒化物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ）や炭化物（例えば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も
挙げられる。

【００１７】磁性層２上には１〜５０ｎｍ、特に３〜２
０ｎｍ程度のダイヤモンドライクカーボン等からなる保
護層３が設けられる。保護層３は、例えばＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜できる。そして、
必要に応じて、フッ素系潤滑剤の層４が浸漬あるいは超
音波噴霧などの手段により１〜７ｎｍ程度の厚さ設けら
れる。

【００１８】

【実施例１】厚さ４μｍのＰＥＴフィルム１を図２に示
す斜め蒸着装置に装填し、ＰＥＴフィルム１上にＣｏ金
属斜め蒸着磁性層２を設けた。尚、この斜め蒸着磁性層
２を成膜する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍ この後、磁性層２の上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いて
１２ｎｍ厚のダイヤモンドライクカーボン層（保護層）
３が設けられ、更にその上にパーフルオロポリエーテル
系の潤滑剤の層４が４ｎｍの厚さ設けられた。

【００１９】又、反対側の面にカーボンブラックとバイ
ンダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さが０．５μｍとな
るよう塗布され、バックコート層５が設けられた。この
後、所定の工程を経て磁気テープが作製された。

【００２０】

【実施例２】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。斜め蒸着磁性層２を成膜
する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；５．５ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２３ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；１９０ｓｃｃｍ

【００２１】

【実施例３】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。斜め蒸着磁性層２を成膜
する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２４ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２１０ｓｃｃｍ

【００２２】

【実施例４】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。斜め蒸着磁性層２を成膜
する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２３ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；１６０ｓｃｃｍ

【００２３】

【実施例５】厚さ３．６μｍのＰＥＴフィルム１を図２
に示す斜め蒸着装置に装填し、ＰＥＴフィルム１上にＣ
ｏ金属斜め蒸着磁性層２ａを設けた。尚、この斜め蒸着
磁性層２ａを成膜する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２０ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；４００ｓｃｃｍ 磁性層２ａが設けられた支持体を、再度、図２に示す斜
め蒸着装置に装填し、磁性層２ａ上にＣｏ金属斜め蒸着
磁性層２ｂを設けた。尚、この上層の斜め蒸着磁性層２
ｂを成膜する時の条件は下記の通りである。

【００２４】 ＰＥＴフィルム１の走行速度；８ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２４ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２００ｓｃｃｍ この後、磁性層２ｂの上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い
て１２ｎｍ厚のダイヤモンドライクカーボン層（保護
層）３が設けられ、更にその上にパーフルオロポリエー
テル系の潤滑剤の層４が４ｎｍの厚さ設けられた。

【００２５】又、反対側の面にカーボンブラックとバイ
ンダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さが０．５μｍとな
るよう塗布され、バックコート層５が設けられた。この
後、所定の工程を経て磁気テープが作製された。

【００２６】

【実施例６】下記方法とした以外は、実施例５の方法に
準じて磁気テープを作製した。下層の斜め蒸着磁性層２
ａを成膜する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２０ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；４００ｓｃｃｍ 上層の斜め蒸着磁性層２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００２７】 ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２０ｓｃｃｍ

【００２８】

【実施例７】下記方法とした以外は、実施例５の方法に
準じて磁気テープを作製した。下層の斜め蒸着磁性層２
ａを成膜する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２０ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２３ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；４２０ｓｃｃｍ 上層の斜め蒸着磁性層２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００２９】 ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍ

【００３０】

【比較例１】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。斜め蒸着磁性層２を成膜
する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；４．５ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２４ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；１５０ｓｃｃｍ

【００３１】

【比較例２】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。斜め蒸着磁性層２を成膜
する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；５．２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２２ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；１７０ｓｃｃｍ

【００３２】

【比較例３】下記方法とした以外は、実施例５の方法に
準じて磁気テープを作製した。下層の斜め蒸着磁性層２
ａを成膜する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；９ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２６０ｓｃｃｍ 上層の斜め蒸着磁性層２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３３】 ＰＥＴフィルム１の走行速度；９ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２６０ｓｃｃｍ

【００３４】

【比較例４】下記方法とした以外は、実施例５の方法に
準じて磁気テープを作製した。下層の斜め蒸着磁性層２
ａを成膜する時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３１０ｓｃｃｍ 上層の斜め蒸着磁性層２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３５】 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１０ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３００ｓｃｃｍ

【００３６】

【特性】上記各例で得た磁気テープの磁性層の厚さ、磁
気特性（保磁力Ｈｃ⊥，Ｈｃ‖、角型比Ｓｑ、飽和磁束
密度Ｂｓ）を求めたので、その結果を下記の表−１に示
す。尚、厚さは断面ＴＥＭ写真により、磁気特性はＶＳ
Ｍにより求めたものである。

【００３７】 表−１ 膜厚（nm） 磁気特性 下層 上層 Ｈｃ‖ Ｈｃ⊥ Ｈｃ⊥／Ｈｃ‖ Ｓｑ Ｂｓ (Oe) (Oe) (G) 実施例１ − 114 1430 2870 2.01 0.94 6650 実施例２ − 142 1400 2550 1.82 0.92 6530 実施例３ − 134 1500 2780 1.85 0.92 6210 実施例４ − 129 1260 2390 1.90 0.93 6900 実施例５ 42 98 1350 2510 1.86 0.91 6700 実施例６ 39 106 1450 2620 1.81 0.90 6310 実施例７ 30 115 1510 2900 1.92 0.93 6150 比較例１ − 172 1500 2370 1.58 0.83 6090 比較例２ − 155 1480 2630 1.78 0.82 6110 比較例３ 89 92 1400 2370 1.69 0.85 6250 比較例４ 70 80 1420 2470 1.74 0.82 5980 又、上記各例で得た磁気テープについて、記録波長λが
０．３３μｍ，０．４９μｍ，０．９８μｍ，２μｍ，
５μｍ，１０μｍ，２１μｍの再生出力を調べたので、
その結果を表−２に示す。

【００３８】 表−２ 再生出力 0.33μｍ 0.49μｍ 0.98μｍ ２μｍ ５μｍ 10μｍ 21μｍ 実施例１ +3.0 +2.2 +1.6 +0.8 -0.3 -0.6 -0.9 実施例２ +2.1 +1.8 +1.2 +0.9 -0.1 -0.3 -0.7 実施例３ +2.6 +2.0 +1.4 +0.5 +0.1 -0.1 -0.5 実施例４ +3.1 +2.4 +1.8 +1.3 +0.8 +0.5 +0.2 実施例５ +1.7 +1.6 +1.4 +1.1 +0.1 +0.4 +0.5 実施例６ +1.5 +1.3 +0.9 +1.6 +0.1 +0.3 +0.5 実施例７ +2.8 +2.6 +1.9 +1.4 +0.6 +1.1 +1.5 比較例１ -1.5 -1.2 -1.0 -0.8 -0.5 -0.2 0.0 比較例２ -0.8 -0.6 -0.3 -0.1 0.0 +0.6 +0.9 比較例３ ０ ０ ０ ０ ０ ０ ０ 比較例４ +0.8 +0.5 +0.3 +0.1 0.0 +0.3 +0.4 ＊比較例３を基準（０ｄＢ） 又、上記各例で得た磁気テープについて、波長１．３２
μｍ（又は１０μｍ）の信号を記録した後、次に波長
０．３３μｍの信号をオーバーライトし、最初に記録し
た波長１．３２μｍ（又は１０μｍ）の信号を読み取っ
て信号の残存分を測定し、オーバーライト特性（消去
率）を調べたので、その結果を表−３に示す。

【００３９】 表−３ オーバーライト特性（％） 1.32μｍ−0.33μｍ 10μｍ−0.33μｍ 実施例１ ８７ ８５ 実施例２ ８５ ８２ 実施例３ ８６ ８５ 実施例４ ８８ ８４ 実施例５ ８２ ８０ 実施例６ ８１ ７９ 実施例７ ８１ ７９ 比較例１ ６９ ６７ 比較例２ ７１ ６９ 比較例３ ７０ ６８ 比較例４ ６９ ６９ 上記表−２及び表−３から、本発明になるものは、再生
出力が高く、かつ、オーバーライト特性に優れた（消去
率が高い）ものであることが判る。

【００４０】

【発明の効果】磁性層の厚さを１００ｎｍ以上、１５０
ｎｍ以下、磁性層の面に垂直方向の保磁力成分Ｈｃ⊥／
前記磁性層の面に水平方向の保磁力成分Ｈｃ‖を１．８
０以上、２．１０以下と構成させたので、０．４０μｍ
以下の波長の信号でも磁性層の下層部分まで進入でき、
再生出力が高く、かつ、オーバーライト特性に優れたも
のである。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体の概略断面図

【図２】斜め蒸着装置の概略図

【図３】磁気記録媒体の概略断面図

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 磁性層 ２ａ 下層磁性層 ２ｂ 上層磁性層 ３ 保護層 ４ 潤滑剤層 ５ バックコート層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体と磁性層とを具備した磁気記録媒
   体において、 前記磁性層の厚さは１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下で
   あり、かつ、前記磁性層の面に垂直方向の保磁力成分Ｈ
   ｃ⊥／前記磁性層の面に水平方向の保磁力成分Ｈｃ‖が
   １．８０以上、２．１０以下であることを特徴とする磁
   気記録媒体。
2. 【請求項２】 支持体と磁性層とを具備した磁気記録媒
   体において、 前記磁性層の厚さは１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下で
   あり、かつ、前記磁性層の面に垂直方向の保磁力成分Ｈ
   ｃ⊥／前記磁性層の面に水平方向の保磁力成分Ｈｃ‖が
   １．８０以上、２．１０以下であり、角型比Ｓｑが０．
   ９０以上、１未満であることを特徴とする磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 磁性層は、Ｈｃ⊥が２１００Ｏｅ以上、
   ２９５０Ｏｅ以下であり、Ｈｃ‖が１２００Ｏｅ以上、
   １６００Ｏｅ以下であることを特徴とする請求項１又は
   請求項２の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 磁性層は、飽和磁束密度が５０００Ｇ以
   上、７０００Ｇ以下であることを特徴とする請求項１〜
   請求項３いずれかの磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 支持体の厚さが３μｍ以上、５μｍ以下
   であることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの
   磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項１〜請求項５いずれかの磁気記録
   媒体に対して、最短記録波長λが０．２５μｍ以上、
   ０．４０μｍ以下の信号を用いて記録することを特徴と
   する磁気記録方法。