JPH103642A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH103642A JPH103642A JP15079696A JP15079696A JPH103642A JP H103642 A JPH103642 A JP H103642A JP 15079696 A JP15079696 A JP 15079696A JP 15079696 A JP15079696 A JP 15079696A JP H103642 A JPH103642 A JP H103642A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic layer
- thickness
- layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属薄膜型の磁気記録媒体において、ノイズ
特性、即ち、Ｓ／Ｎ及びＣ／Ｎを向上させる。 【解決手段】 支持体上に形成された金属薄膜型の磁性
層を有する磁気記録媒体において、当該磁性層を、複数
の構成元素からなる立方晶系の物質、例えばγ−Ｆｅ4
Ｎ、Ｆｅ3Ｏ4、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ等のコラムによ
り構成する。
特性、即ち、Ｓ／Ｎ及びＣ／Ｎを向上させる。 【解決手段】 支持体上に形成された金属薄膜型の磁性
層を有する磁気記録媒体において、当該磁性層を、複数
の構成元素からなる立方晶系の物質、例えばγ−Ｆｅ4
Ｎ、Ｆｅ3Ｏ4、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ等のコラムによ
り構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の結晶構造を
有する物質からなる磁性層を有する金属薄膜型の磁気記
録媒体に関する。
有する物質からなる磁性層を有する金属薄膜型の磁気記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気記録は高密度記録化の方向に
あり、高周波数特性の優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。従来は磁性粉を適当なバインダーに分散させて支
持体上に塗布したいわゆる塗布型の磁気記録媒体が主流
であり、高密度記録に対する要求を満たすために種々の
改善がなされているが、ほぼ限界に近づいている。
あり、高周波数特性の優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。従来は磁性粉を適当なバインダーに分散させて支
持体上に塗布したいわゆる塗布型の磁気記録媒体が主流
であり、高密度記録に対する要求を満たすために種々の
改善がなされているが、ほぼ限界に近づいている。
【０００３】塗布型の磁気記録媒体を超える性能を期待
できる磁気記録媒体として、支持体に蒸着等により磁性
金属を付着させた磁性層を有するいわゆる金属薄膜型の
磁気記録媒体が開発されている。金属薄膜型の磁気記録
媒体は、磁性層にバインダーを含まないことから磁性材
料の密度を高められるため、高密度記録に有望であると
されている。金属薄膜型の磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されている。金
属薄膜型の磁気記録媒体を実用化する際の製造法として
は、真空蒸着法が最も適しており、この方法でＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｏからなる磁性層を形成したＨｉ８方式ＶＴＲ用テ
ープやＣｏ−Ｏからなる磁性層を形成したＤＶＣ（デジ
タルビデオカセット）用テープが既に実用化されてい
る。
できる磁気記録媒体として、支持体に蒸着等により磁性
金属を付着させた磁性層を有するいわゆる金属薄膜型の
磁気記録媒体が開発されている。金属薄膜型の磁気記録
媒体は、磁性層にバインダーを含まないことから磁性材
料の密度を高められるため、高密度記録に有望であると
されている。金属薄膜型の磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されている。金
属薄膜型の磁気記録媒体を実用化する際の製造法として
は、真空蒸着法が最も適しており、この方法でＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｏからなる磁性層を形成したＨｉ８方式ＶＴＲ用テ
ープやＣｏ−Ｏからなる磁性層を形成したＤＶＣ（デジ
タルビデオカセット）用テープが既に実用化されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録媒体は
ますます短波長記録、長時間記録が要求される方向にあ
る。これを実現するためには線記録密度及びトラック密
度の向上が必要となってくる。従って、磁気記録媒体に
おいては、高Ｓ／Ｎ化、高Ｃ／Ｎ化、特に短波長記録領
域における高Ｓ／Ｎ化、高Ｃ／Ｎ化を達成しなければな
らない。金属薄膜型の磁気記録媒体は高密度記録が期待
される媒体ではあるが、今後予想される短波長記録に十
分対応できるＳ／Ｎ、Ｃ／Ｎの水準には達していない。
ますます短波長記録、長時間記録が要求される方向にあ
る。これを実現するためには線記録密度及びトラック密
度の向上が必要となってくる。従って、磁気記録媒体に
おいては、高Ｓ／Ｎ化、高Ｃ／Ｎ化、特に短波長記録領
域における高Ｓ／Ｎ化、高Ｃ／Ｎ化を達成しなければな
らない。金属薄膜型の磁気記録媒体は高密度記録が期待
される媒体ではあるが、今後予想される短波長記録に十
分対応できるＳ／Ｎ、Ｃ／Ｎの水準には達していない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな状況に鑑み、金属薄膜型の磁気記録媒体のＳ／Ｎ、
Ｃ／Ｎを向上させるために鋭意研究した結果、特定の結
晶構造を有する物質から磁性層を構成することにより、
前記の目的を達成できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
うな状況に鑑み、金属薄膜型の磁気記録媒体のＳ／Ｎ、
Ｃ／Ｎを向上させるために鋭意研究した結果、特定の結
晶構造を有する物質から磁性層を構成することにより、
前記の目的を達成できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００６】すなわち本発明は、支持体と、該支持体上
に形成された磁性層とを有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層が、複数の構成元素からなる立方晶系の物質
のコラムにより形成されていることを特徴とする磁気記
録媒体を提供するものである。
に形成された磁性層とを有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層が、複数の構成元素からなる立方晶系の物質
のコラムにより形成されていることを特徴とする磁気記
録媒体を提供するものである。
【０００７】本発明の磁気記録媒体は、磁性層が立方晶
系の物質のコラム（柱状構造）により形成されることを
特徴とする。そして本発明では、立方晶系の物質は複数
の元素により構成される。複数の構成元素からなる立方
晶系の物質としては、γ−Ｆｅ4Ｎ、Ｆｅ3Ｏ4 、Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ2Ｃ、Ｆｅ8Ｎ等が挙げられる。
従来の金属薄膜型の磁気記録媒体では、磁性層の結晶系
については検討されておらず、本発明のように柱状構造
を立方晶系の結晶により構成した金属薄膜は知られてい
ない。本発明において、磁性層はいわゆる斜方蒸着によ
り形成されることが好ましい。
系の物質のコラム（柱状構造）により形成されることを
特徴とする。そして本発明では、立方晶系の物質は複数
の元素により構成される。複数の構成元素からなる立方
晶系の物質としては、γ−Ｆｅ4Ｎ、Ｆｅ3Ｏ4 、Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ2Ｃ、Ｆｅ8Ｎ等が挙げられる。
従来の金属薄膜型の磁気記録媒体では、磁性層の結晶系
については検討されておらず、本発明のように柱状構造
を立方晶系の結晶により構成した金属薄膜は知られてい
ない。本発明において、磁性層はいわゆる斜方蒸着によ
り形成されることが好ましい。
【０００８】本発明において、磁性層を形成する物質の
結晶系は、電子線回折と電子線プローブ微量分析法（Ｅ
ＰＭＡ）の線分析により測定できる。
結晶系は、電子線回折と電子線プローブ微量分析法（Ｅ
ＰＭＡ）の線分析により測定できる。
【０００９】本発明においては、立方晶系の物質からな
る柱状構造は表面が酸化されていることが特に望まし
い。柱状構造の表面を酸化物で覆うことにより、よりＳ
／Ｎ、Ｃ／Ｎが向上する。
る柱状構造は表面が酸化されていることが特に望まし
い。柱状構造の表面を酸化物で覆うことにより、よりＳ
／Ｎ、Ｃ／Ｎが向上する。
【００１０】また、本発明の磁気記録媒体は磁性層が多
層構造であってもよい。多層構造の磁性層の場合、支持
体に最も遠い磁性層を立方晶系の物質のコラムにより形
成する。それ以外の磁性層は立方晶系以外の結晶系の物
質により形成されていても良いが、全ての磁性層が立方
晶系の物質の柱状構造により形成されることがより望ま
しい。
層構造であってもよい。多層構造の磁性層の場合、支持
体に最も遠い磁性層を立方晶系の物質のコラムにより形
成する。それ以外の磁性層は立方晶系以外の結晶系の物
質により形成されていても良いが、全ての磁性層が立方
晶系の物質の柱状構造により形成されることがより望ま
しい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体において、
立方晶系の物質の柱状構造からなる磁性層は、例えば、
磁性金属（単体もしくは合金）を支持体上に蒸着するこ
とにより形成できる。また蒸着時に、適宜窒素イオン、
炭素イオン、酸素イオンを供給してもよい。立方晶系の
柱状構造を有する金属薄膜が形成できればこの方法に限
定されない。本発明において、かかる磁性層の厚さは限
定されないが、通常５００〜２０００Åである。多層の
磁性層を形成する場合、各磁性層の合計の厚さは１５０
０〜２０００Å程度である。
立方晶系の物質の柱状構造からなる磁性層は、例えば、
磁性金属（単体もしくは合金）を支持体上に蒸着するこ
とにより形成できる。また蒸着時に、適宜窒素イオン、
炭素イオン、酸素イオンを供給してもよい。立方晶系の
柱状構造を有する金属薄膜が形成できればこの方法に限
定されない。本発明において、かかる磁性層の厚さは限
定されないが、通常５００〜２０００Åである。多層の
磁性層を形成する場合、各磁性層の合計の厚さは１５０
０〜２０００Å程度である。
【００１２】本発明の磁気記録媒体の支持体の材料とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体；ポ
リカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が使用される。これらの
基材の厚さは２〜５０μｍ程度である。
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートのようなポリエステル；ポリエチレン、ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体；ポ
リカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が使用される。これらの
基材の厚さは２〜５０μｍ程度である。
【００１３】また、磁性層上には、厚さ１０〜２００Å
程度の保護層、特にダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等の炭素薄膜、酸化珪素、炭化珪素等の含珪素
薄膜、酸化ジルコニウム薄膜等からなる保護層を設ける
ことが望ましい。また、磁性層上もしくは保護層上に
は、厚さ２〜５０Å程度の潤滑層、特にパーフルオロポ
リエーテル等のフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を形成す
るのが好ましい。また、磁性層が形成される面と反対の
面には、更にカーボンブラックを主成分とする厚さ０．
１〜１．０μｍ程度のバックコート層等を設けてもよ
い。これらの層を形成する原料は従来公知のものが適宜
使用できる。また、Ｃｕ−Ａｌ合金等の金属を蒸着させ
て厚さ５００〜５０００Å程度のバックコート層を形成
してもよい。
程度の保護層、特にダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等の炭素薄膜、酸化珪素、炭化珪素等の含珪素
薄膜、酸化ジルコニウム薄膜等からなる保護層を設ける
ことが望ましい。また、磁性層上もしくは保護層上に
は、厚さ２〜５０Å程度の潤滑層、特にパーフルオロポ
リエーテル等のフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を形成す
るのが好ましい。また、磁性層が形成される面と反対の
面には、更にカーボンブラックを主成分とする厚さ０．
１〜１．０μｍ程度のバックコート層等を設けてもよ
い。これらの層を形成する原料は従来公知のものが適宜
使用できる。また、Ｃｕ−Ａｌ合金等の金属を蒸着させ
て厚さ５００〜５０００Å程度のバックコート層を形成
してもよい。
【００１４】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を
図１に示す。図１はイオンアシスト蒸着装置の要部であ
り、立方晶系のＦｅ−Ｎ系物質からなる磁性層を形成の
ための装置である。図１中、１はキャンロール、２はベ
ースフィルム、３はイオンガン、４は遮蔽板、５は電子
銃、６はルツボであり、金属鉄を収容している。このう
ち、イオンガン３以外は図示しない真空容器内に収容さ
れている。ベースフィルム２は、円筒状のキャンロール
１を搬送される。また、キャンロール１の下方には、Ｍ
ｇＯ製のルツボ６が置かれ、この中に鉄（例えば純度９
９．９５％のＦｅ）が収容され、このルツボ６内のＦｅ
面に対して電子銃５から電子ビームが照射される。これ
により、Ｆｅが加熱気化して、キャンロール１上を走行
するベースフィルム２に付着する。一方、Ｆｅの蒸着時
には、フィルム２の蒸着面に対して垂直方向にイオンが
照射されるようにイオンガン３を配置し、このイオンガ
ン３には窒素源となるガス、例えば窒素ガスを供給し、
窒素イオンを生成させ、蒸着領域中に供給する。これに
より、Ｆｅを主体として、窒素を含む本発明の磁性層、
例えば立方晶系のγ−Ｆｅ4Ｎからなる柱状構造の磁性
層が形成される。なお、多層構造の磁性層を形成する場
合は、図１のような装置を用いて連続的に形成してもよ
いし、蒸着を複数回繰り返して形成することもできる。
図１の装置を用いてイオンアシストによらない蒸着によ
り、立方晶系の物質からなる磁性層を形成することも可
能である。また、立方晶系の物質からなるコラムを酸化
物層で覆うためには、蒸着中に酸素ガスを導入する。
図１に示す。図１はイオンアシスト蒸着装置の要部であ
り、立方晶系のＦｅ−Ｎ系物質からなる磁性層を形成の
ための装置である。図１中、１はキャンロール、２はベ
ースフィルム、３はイオンガン、４は遮蔽板、５は電子
銃、６はルツボであり、金属鉄を収容している。このう
ち、イオンガン３以外は図示しない真空容器内に収容さ
れている。ベースフィルム２は、円筒状のキャンロール
１を搬送される。また、キャンロール１の下方には、Ｍ
ｇＯ製のルツボ６が置かれ、この中に鉄（例えば純度９
９．９５％のＦｅ）が収容され、このルツボ６内のＦｅ
面に対して電子銃５から電子ビームが照射される。これ
により、Ｆｅが加熱気化して、キャンロール１上を走行
するベースフィルム２に付着する。一方、Ｆｅの蒸着時
には、フィルム２の蒸着面に対して垂直方向にイオンが
照射されるようにイオンガン３を配置し、このイオンガ
ン３には窒素源となるガス、例えば窒素ガスを供給し、
窒素イオンを生成させ、蒸着領域中に供給する。これに
より、Ｆｅを主体として、窒素を含む本発明の磁性層、
例えば立方晶系のγ−Ｆｅ4Ｎからなる柱状構造の磁性
層が形成される。なお、多層構造の磁性層を形成する場
合は、図１のような装置を用いて連続的に形成してもよ
いし、蒸着を複数回繰り返して形成することもできる。
図１の装置を用いてイオンアシストによらない蒸着によ
り、立方晶系の物質からなる磁性層を形成することも可
能である。また、立方晶系の物質からなるコラムを酸化
物層で覆うためには、蒸着中に酸素ガスを導入する。
【００１５】
【実施例】以下に例を挙げて本発明を説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
【００１６】実施例１ （１）磁気テープの製造 厚さ６．５μｍのＰＥＴフィルム上に、図１の装置を用
いたイオンアシスト蒸着により、Ｆｅ−Ｎ系磁性層を形
成した。この磁性層の厚さは１８００Åであった。ま
た、磁性層を構成する物質は、電子線回折と電子線プロ
ーブ微量分析法（ＥＰＭＡ）の線分析によりγ−Ｆｅ4
Ｎであることを確認した。次いで、この磁性層上にベン
ゼンを炭素源とするＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、厚
さ８５Åのダイヤモンドライクカーボン薄膜からなる保
護層を形成した。更に、この保護層上に極性基であるピ
ペロニル基を持つパーフルオロポリエーテル〔ＡＭ２０
０１：モンテカチーニ（株）製〕を厚さが２０Åとなる
ように付着して潤滑層を形成した。また、このフィルム
の磁性層形成面と反対の面に、バックコート層を形成し
た。バックコート層は、２０〜３０ｎｍの直径のカーボ
ンを含有するバインダーを乾燥後の厚さが０．５μｍと
なるようにフィルムに塗布して乾燥して形成した。上記
により得られた、γ−Ｆｅ4Ｎ系磁性層、ダイヤモンド
ライクカーボン保護層、フッ素系潤滑層及びバックコー
ト層が形成されたフィルムを８ｍｍ巾に裁断し、カセッ
トケースにローディングし８ｍｍビデオテープを得た。
いたイオンアシスト蒸着により、Ｆｅ−Ｎ系磁性層を形
成した。この磁性層の厚さは１８００Åであった。ま
た、磁性層を構成する物質は、電子線回折と電子線プロ
ーブ微量分析法（ＥＰＭＡ）の線分析によりγ−Ｆｅ4
Ｎであることを確認した。次いで、この磁性層上にベン
ゼンを炭素源とするＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、厚
さ８５Åのダイヤモンドライクカーボン薄膜からなる保
護層を形成した。更に、この保護層上に極性基であるピ
ペロニル基を持つパーフルオロポリエーテル〔ＡＭ２０
０１：モンテカチーニ（株）製〕を厚さが２０Åとなる
ように付着して潤滑層を形成した。また、このフィルム
の磁性層形成面と反対の面に、バックコート層を形成し
た。バックコート層は、２０〜３０ｎｍの直径のカーボ
ンを含有するバインダーを乾燥後の厚さが０．５μｍと
なるようにフィルムに塗布して乾燥して形成した。上記
により得られた、γ−Ｆｅ4Ｎ系磁性層、ダイヤモンド
ライクカーボン保護層、フッ素系潤滑層及びバックコー
ト層が形成されたフィルムを８ｍｍ巾に裁断し、カセッ
トケースにローディングし８ｍｍビデオテープを得た。
【００１７】（２）性能評価 上記で得られた８ｍｍビデオテープについて、市販の８
ｍｍＶＴＲにノイズメーターを接続し、Ｙ−Ｓ／Ｎ及び
Ｃ−Ｓ／Ｎを測定した。なお、Ｓ／Ｎは後述の比較例２
を基準（０ｄＢ）とする相対評価とした。Ｃ／Ｎについ
ても同様に評価した。その結果を表１に示す。
ｍｍＶＴＲにノイズメーターを接続し、Ｙ−Ｓ／Ｎ及び
Ｃ−Ｓ／Ｎを測定した。なお、Ｓ／Ｎは後述の比較例２
を基準（０ｄＢ）とする相対評価とした。Ｃ／Ｎについ
ても同様に評価した。その結果を表１に示す。
【００１８】実施例２ 実施例１の装置を用い、イオンガンを作動させずＯ2 ガ
スのみを流しながら蒸着し、６．５μｍのＰＥＴフィル
ム上に厚さ１７８０ÅのＦｅ3Ｏ4からなる磁性層を形成
した。それ以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテ
ープを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結
果を表１に示す。
スのみを流しながら蒸着し、６．５μｍのＰＥＴフィル
ム上に厚さ１７８０ÅのＦｅ3Ｏ4からなる磁性層を形成
した。それ以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテ
ープを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結
果を表１に示す。
【００１９】実施例３ 実施例１の装置を用いて６．５μｍのＰＥＴフィルム上
に厚さ１８３０ÅのＦｅ−Ｎｉ（８０：２０、重量％）
からなる磁性層を形成した。それ以外は実施例１と同様
にして８ｍｍビデオテープを作製し、実施例１と同様の
評価を行った。その結果を表１に示す。
に厚さ１８３０ÅのＦｅ−Ｎｉ（８０：２０、重量％）
からなる磁性層を形成した。それ以外は実施例１と同様
にして８ｍｍビデオテープを作製し、実施例１と同様の
評価を行った。その結果を表１に示す。
【００２０】比較例１ 実施例１の装置を用いて６．５μｍのＰＥＴフィルム上
に厚さ１７９０Åのε−Ｆｅ3Ｎからなる磁性層を形成
した。それ以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテ
ープを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結
果を表１に示す。
に厚さ１７９０Åのε−Ｆｅ3Ｎからなる磁性層を形成
した。それ以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテ
ープを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結
果を表１に示す。
【００２１】比較例２ 実施例１の装置を用いて６．５μｍのＰＥＴフィルム上
に厚さ１８２０ÅのＣｏ−Ｏからなる磁性層を形成し
た。それ以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテー
プを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果
を表１に示す。
に厚さ１８２０ÅのＣｏ−Ｏからなる磁性層を形成し
た。それ以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテー
プを作製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果
を表１に示す。
【００２２】比較例３ 実施例１の装置を用い、比較例１と同様して蒸着を行っ
た。ただし、比較例１よりも窒素ガスを多くイオンガン
に導入して、６．５μｍのＰＥＴフィルム上に厚さ１８
３０Åのη−Ｆｅ2Ｎからなる磁性層を形成した。それ
以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテープを作製
し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表１に
示す。
た。ただし、比較例１よりも窒素ガスを多くイオンガン
に導入して、６．５μｍのＰＥＴフィルム上に厚さ１８
３０Åのη−Ｆｅ2Ｎからなる磁性層を形成した。それ
以外は実施例１と同様にして８ｍｍビデオテープを作製
し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表１に
示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、Ｓ／Ｎ、Ｃ／Ｎが著し
く向上した金属薄膜型の磁気記録媒体が得られる。
く向上した金属薄膜型の磁気記録媒体が得られる。
【図１】本発明の磁気記録媒体を製造する蒸着装置の要
部の一例を示す略図
部の一例を示す略図
【符号の説明】 １ キャンロール ２ ベースフィルム ３ イオンガン ４ 遮蔽板 ５ 電子銃 ６ ルツボ
フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 支持体と、該支持体上に形成された磁性
層とを有する磁気記録媒体であって、前記磁性層が、複
数の構成元素からなる立方晶系の物質のコラムにより形
成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記コラムが酸化物層で覆われている請
求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 磁性層の構成元素としてＦｅを含む請求
項１又は２記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15079696A JPH103642A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15079696A JPH103642A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103642A true JPH103642A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15504629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15079696A Pending JPH103642A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH103642A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407466C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-07-30 | 北京科技大学 | 一种纳-微米多孔硅系列热电材料的制备方法 |
| CN103680797A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-03-26 | 北京交通大学 | 一种氟硅烷表面活性剂修饰的磁性纳米颗粒的制备方法 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15079696A patent/JPH103642A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407466C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-07-30 | 北京科技大学 | 一种纳-微米多孔硅系列热电材料的制备方法 |
| CN103680797A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-03-26 | 北京交通大学 | 一种氟硅烷表面活性剂修饰的磁性纳米颗粒的制备方法 |
| CN103680797B (zh) * | 2013-12-17 | 2016-08-17 | 北京交通大学 | 一种氟硅烷表面活性剂修饰的磁性纳米颗粒的制备方法 |
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