JPH10228639A

JPH10228639A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10228639A
Application number: JP2634997A
Authority: JP
Inventors: Hirohide Mizunoya; 博英水野谷; Noriyuki Kitaori; 典之北折; Akira Shiga; 章志賀
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1997-02-10
Filing date: 1997-02-10
Publication date: 1998-08-25

Abstract

(57)【要約】【課題】広い記録周波数帯域にわたって高い出力が得
られる磁気記録媒体を提供することである。【解決手段】支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は複数の磁性膜が積層されたもの
であり、前記磁性膜のうち最上層の磁性膜は、その保磁
力Ｈcnが１２００〜１７００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂrnが
４０００〜６５００Ｇであり、前記最上層の磁性膜に隣
接した下層の磁性膜は、その残留磁束密度Ｂr1が前記最
上層の磁性膜の残留磁束密度Ｂrnの１．４〜２倍である
磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、広範囲にわたって
高い出力が得られる磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、真空蒸着等の手段により磁性膜を
形成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この
種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記
録に適したものである。

【０００３】ところで、斜め蒸着手段で形成された磁性
膜は、一層（単層）であったり、二層以上の複数層から
なる積層タイプであったりする。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この磁性膜が積層タイ
プのものは、記録波長が短い場合には上層磁性膜を利用
させ、記録波長が長い場合には下層磁性膜までを利用さ
せるようにし、もって広い記録周波数帯域にわたって高
い出力を得ようとしたものである。しかし、これまでの
積層タイプのものでは、上・下層の磁気特性（保磁力Ｈ
ｃ、残留磁束密度Ｂｒ）が同等であり、充分な出力特性
が得られていない。

【０００５】従って、本発明が解決しようとする課題
は、広い記録周波数帯域にわたって高い出力が得られる
磁気記録媒体を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体と
磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜は
複数の磁性膜が積層されたものであり、前記磁性膜のう
ち最上層の磁性膜は、その保磁力Ｈcnが１２００〜１７
００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂrnが４０００〜６５００Ｇで
あり、前記最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜は、
その残留磁束密度Ｂr1が前記最上層の磁性膜の残留磁束
密度Ｂrnの１．４〜２倍であることを特徴とする磁気記
録媒体によって解決される。

【０００７】特に、支持体と磁性膜とを有する磁気記録
媒体において、前記磁性膜は複数の磁性膜が積層された
ものであり、前記磁性膜のうち最上層の磁性膜は、その
保磁力Ｈcnが１２００〜１７００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂ
rnが４０００〜６５００Ｇであり、前記最上層の磁性膜
に隣接した下層の磁性膜は、その保磁力Ｈc1が８００〜
１２００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂr1が前記最上層の磁性膜
の残留磁束密度Ｂrnの１．４〜２倍であることを特徴と
する磁気記録媒体によって解決される。

【０００８】上記磁気記録媒体において、最上層の磁性
膜は、その厚さＬn が８０〜１２０ｎｍであるものが好
ましい。又、最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜
は、その厚さＬ1 が４０〜１００ｎｍであるものが好ま
しい。更には、最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜
の厚さＬ1 ／最上層の磁性膜の厚さＬn が０．５〜０．
９であるものが好ましい。尚、トータルの磁性膜の厚さ
は０．１〜０．３μｍであるのが好ましい。

【０００９】又、支持体と磁性膜との間に、金属、半金
属、カーボンの群の中から選ばれる材料からなる下地膜
が設けられたものが好ましい。そして、上記磁気記録媒
体は、好ましくは、最短記録波長が０．２〜０．４μｍ
の信号が用いられて記録されたものである。すなわち、
上記のように構成させていると、上層の磁性膜と下層の
磁性膜との間でバランスがとれたものであり、高域から
低域にかけて全般的に高い出力が得られる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
と磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜
は複数の磁性膜が積層されたものであり、前記磁性膜の
うち最上層の磁性膜は、その保磁力Ｈcnが１２００〜１
７００Ｏｅ（特に、１４００〜１６００Ｏｅ）、残留磁
束密度Ｂrnが４０００〜６５００Ｇ（特に、４５００〜
５８００Ｇ）であり、前記最上層の磁性膜に隣接した下
層の磁性膜は、その残留磁束密度Ｂr1が前記最上層の磁
性膜の残留磁束密度Ｂrnの１．４〜２倍（特に、１．６
〜１．９）である。特に、支持体と磁性膜とを有する磁
気記録媒体において、前記磁性膜は複数の磁性膜が積層
されたものであり、前記磁性膜のうち最上層の磁性膜
は、その保磁力Ｈcnが１２００〜１７００Ｏｅ（特に、
１４００〜１６００Ｏｅ）、残留磁束密度Ｂrnが４００
０〜６５００Ｇ（特に、４５００〜５７００Ｇ）であ
り、前記最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜は、そ
の保磁力Ｈc1が８００〜１２００Ｏｅ（特に、８００〜
１０００Ｏｅ）、残留磁束密度Ｂr1が前記最上層の磁性
膜の残留磁束密度Ｂrnの１．４〜２倍（特に、１．６〜
１．９）である。上記特性（Ｈcn，Ｂrn，Ｂr1／Ｂrn）
を満たすことで、広い周波数帯域にわたり高い出力特性
が得られる。更に、最上層の磁性膜は、その厚さＬn が
８０〜１２０ｎｍ（特に、９０〜１１５ｎｍ）である。
最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜は、その厚さＬ
1 が４０〜１００ｎｍ（特に、６０〜８５ｎｍ）であ
る。最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜の厚さＬ1
／最上層の磁性膜の厚さＬn は０．５〜０．９（特に、
０．５５〜０．８５）である。又、支持体と磁性膜との
間に、金属、半金属、カーボンの群の中から選ばれる材
料からなる下地膜が設けられた。そして、上記の磁気記
録媒体は、特に、最短記録波長が０．２〜０．４μｍの
信号が用いられて記録されたものである。

【００１１】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明になる磁気記録媒体の概略断面図である。図１中、１
は支持体である。この支持体１は、磁性を有するもので
も、非磁性のものでも良い。一般的には非磁性のもので
ある。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスル
フォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフ
ィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹
脂といったフレキシブルな高分子材料が用いられる。

【００１２】この非磁性の支持体１上に磁性膜が設けら
れる。磁性膜は、複数の磁性膜が積層されたものであ
る。例えば、二層、あるいは三層以上の磁性膜が積層さ
れたものである。尚、以下においては、磁性膜は二層積
層タイプのもので説明する。２ａは支持体１上に設けら
れた磁性膜、２ｂは磁性膜２ａ上に設けられた磁性膜で
ある。磁性膜２ａ，２ｂは、例えば図２に示す斜め蒸着
装置を用いて設けられる。従って、磁性膜２ａ，２ｂは
斜め蒸着磁性膜である。図２中、１は支持体、１０は冷
却キャンロール、１１はルツボ、１２はルツボ１１に充
填された磁性金属、１３は遮蔽板、１４は酸素ガス供給
ノズル、１５は電子銃である。そして、真空槽１６内
を、例えば１０^-4〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度に排気し、磁性
金属１２に電子銃１５からの電子ビームを照射して蒸発
させ、金属磁性粒子を堆積（斜め蒸着）させることによ
り斜め蒸着磁性膜２ａ，２ｂが設けられる。

【００１３】磁性膜２ａ，２ｂは次の条件を満たすよう
に成膜される。磁性膜２ａの厚さＬ1 は４０〜１００ｎ
ｍ（特に、６０〜８５ｎｍ）、磁性膜２ｂの厚さＬn は
８０〜１２０ｎｍ（特に、９０〜１１５ｎｍ）であるよ
うに成膜される。かつ、Ｌ1／Ｌn が０．５〜０．９
（特に、０．５５〜０．８５）であるように成膜され
る。更に、磁性膜２ａは、その保磁力Ｈc1が８００〜１
２００Ｏｅ（特に、９００〜１１５０Ｏｅ）、残留磁束
密度Ｂr1が７０００〜１００００Ｇ（特に、８０００〜
９５００Ｇ）であり、磁性膜２ｂは、その保磁力Ｈcnが
１２００〜１７００Ｏｅ（特に、１４００〜１６００Ｏ
ｅ）、残留磁束密度Ｂrnが４０００〜６５００Ｇ（特
に、４５００〜５８００Ｇ）であり、Ｂr1／Ｂrnが１．
４〜２倍（特に、１．６〜１．９）であるように成膜さ
れる。この範囲の磁気特性の時、低域での出力を損なう
ことなく、高域での出力向上を図ることが出来る。上記
の保磁力及び残留磁束密度を有する磁気記録媒体は、支
持体１の走行速度、電子銃１５の出力、酸素ガス供給ノ
ズル１４からの酸素ガス供給量などの諸条件を調整する
ことにより得られる。例えば、先ず、酸素ガス供給量以
外の条件をある値に設定しておき、この後、酸素ガス供
給量を微調整することによって本発明の磁気記録媒体を
得ることが出来る。酸素ガス供給量を増加させると、保
磁力は高くなり、残留磁束密度は低くなる。逆に、酸素
ガス供給量を減少させると、保磁力は低くなり、残留磁
束密度は高くなる。具体的な条件は、個々の蒸着装置に
より異なるが、本装置の場合、以下の実施例に示す設定
値により目的とする磁性膜が得られる。

【００１４】磁性膜２ａ，２ｂを構成する磁性金属１２
の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらに異種の金属
を含有させた合金が用いられる。尚、磁性膜としては、
前記材料の窒化物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）
や炭化物（例えば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げ
られる。

【００１５】金属磁性膜２ｂ上に１〜５０ｎｍ、特に３
〜２０ｎｍ程度のダイヤモンドライクカーボン等からな
る保護膜３が設けられる。保護膜は、例えばＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜できる。そし
て、必要に応じて、フッ素系潤滑剤の膜４が浸漬あるい
は超音波噴霧などの手段により１〜７ｎｍ程度の厚さ設
けられる。潤滑剤としては、アウジモント社製のフォン
ブリンＡＭ２００１、フォンブリンＺＤＯＬ、フォン
ブリンＺＤＩＡＣ、ダイキン工業社製のデムナムＳＡ、
デムナムＳＨ等がある。

【００１６】又、支持体１と磁性膜２ａとの間に、磁性
膜２ａの下地膜５が設けられる。下地膜５は、Ａｌ，Ｔ
ｉあるいはＣｕ−Ａｌ合金などの金属材料からなる厚さ
２０〜１００ｎｍの金属膜、Ｓｉ等の半金属材料からな
る厚さ２０〜１００ｎｍの半金属膜、あるいはダイヤモ
ンドライクカーボン等のカーボンからなる厚さ２０〜１
００ｎｍのカーボン膜で形成される。金属膜や半金属膜
は、磁性膜の形成と同様な手段、例えば蒸着やスパッタ
等の装置で形成できる。カーボン膜は、例えばＥＣＲマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜できる。

【００１７】

【実施例１】蒸着装置を用い、６μｍ厚のＰＥＴフィル
ム１上に厚さ３０ｎｍの金属（Ｔｉ）からなる非磁性の
金属膜（下地膜）５を設けた。下地膜５を設けたＰＥＴ
フィルム１を、図２に示す斜め蒸着装置に装填し、下地
膜５上にＣｏ金属斜め蒸着磁性膜２ａを設けた。尚、こ
の下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は下記
の通りである。

【００１８】ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍ
ｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２９０ｓｃｃｍ磁性膜２ａが設けられた支持体を、再度、図２に示す斜
め蒸着装置に装填し、磁性膜２ａ上にＣｏ金属斜め蒸着
磁性膜２ｂを設けた。尚、この上層の斜め蒸着磁性膜２
ｂを成膜する時の条件は下記の通りである。

【００１９】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍこの後、磁性膜２ｂの上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用い
て１３ｎｍ厚のダイヤモンドライクカーボン膜（保護
膜）３が設けられ、更にその上にパーフルオロポリエー
テル系の潤滑剤の膜４が５ｎｍの厚さ設けられた。

【００２０】又、反対側の面にカーボンブラックとバイ
ンダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さが０．５μｍとな
るよう塗布され、バックコート膜６が設けられた。この
後、所定の工程を経て磁気テープが作製された。

【００２１】

【実施例２】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は半金属（Ｓ
ｉ）からなる厚さ３０ｎｍの非磁性の半金属膜である。
下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は下記の
通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２８０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００２２】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３００ｓｃｃｍ

【００２３】

【実施例３】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は厚さ２０ｎｍ
のダイヤモンドライクカーボン膜である。下層の斜め蒸
着磁性膜２ａを成膜する時の条件は下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；３０ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００２４】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；３０ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３１０ｓｃｃｍ

【００２５】

【実施例４】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２９０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００２６】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍ

【００２７】

【実施例５】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２８０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００２８】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３１０ｓｃｃｍ

【００２９】

【実施例６】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；３０ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２１０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３０】ＰＥＴフィルム１の走行速度；９ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；３０ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２０ｓｃｃｍ

【００３１】

【実施例７】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；１２ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２４０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３２】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍ

【００３３】

【比較例１】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３４】ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２３０ｓｃｃｍ

【００３５】

【比較例２】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３２０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３６】ＰＥＴフィルム１の走行速度；６ｍ／ｍｉ
ｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２０ｓｃｃｍ

【００３７】

【比較例３】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。下層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の条件は
下記の通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；７ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２０ｓｃｃｍ上層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。

【００３８】ＰＥＴフィルム１の走行速度；１１ｍ／ｍ
ｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２８０ｓｃｃｍ

【００３９】

【比較例４】下記方法とした以外は、実施例１の方法に
準じて磁気テープを作製した。下地膜５は設けられなか
った。又、磁性膜は一層であり、その成膜条件は下記の
通りである。ＰＥＴフィルム１の走行速度；５ｍ／ｍｉｎ電子銃１５の出力；２５ｋｗ斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３１０ｓｃｃｍ

【００４０】

【特性】上記各例で得た磁気テープの磁性膜の厚さ（Ｌ
1 ，Ｌn ）、磁気特性（保磁力Ｈc1，Ｈcn、残留磁束密
度Ｂr1，Ｂrn）を求めたので、その結果を下記の表−
１，表−２に示す。尚、厚さは断面ＴＥＭ写真により、
磁気特性はＶＳＭにより求めたものである。

【００４１】表−１下層磁性膜上層磁性膜Ｌ1 Ｈc1 Ｂr1 Ｌn Ｈcn Ｂrn (nm) (Oe) (G) (nm） (Oe) (G) 実施例１ 74 1080 8000 118 1390 5590 実施例２ 85 930 8210 113 1530 5030 実施例３ 76 900 9480 92 1460 5670 実施例４ 71 1040 8020 114 1430 5530 実施例５ 82 960 8170 109 1620 4930 実施例６ 77 820 9600 91 1530 5320 実施例７ 62 890 8580 111 1410 5610 比較例１ 92 1430 4970 93 1430 4970 比較例２ 91 1510 5410 106 1060 8090 比較例３ 123 1440 5630 84 1520 5290 比較例４ − − − − 173 1580 4850 表−２Ｌ1 ／Ｌn Ｈc1／Ｈcn Ｂr1／Ｂrn 実施例１０．６３０．７８１．４３実施例２０．７５０．６１１．６３実施例３０．８３０．６２１．６７実施例４０．６２０．７３１．４５実施例５０．７５０．５９１．６６実施例６０．８５０．５４１．８０実施例７０．５６０．６３１．５３比較例１０．９８１．００１．００比較例２０．８６１．４２０．６７比較例３１．４６０．９５１．０６又、上記各例で得た磁気テープについて、記録波長λが
０．３３μｍ，０．４９μｍ，０．９８μｍ，２μｍ，
５μｍ，１０μｍ，２１μｍの再生出力を調べたので、
その結果を表−３に示す。

【００４２】表−３再生出力（ｄＢ） 0.33μｍ 0.49μｍ 0.98μｍ２μｍ５μｍ 10μｍ 21μｍ実施例１２．９２．７２．５２．１１．９２．３２．７実施例２３．３３．１２．６２．３１．９２．２２．６実施例３２．７２．４２．２１．９２．４２．５２．７実施例４２．８２．６２．３２．０１．９２．２２．６実施例５３．６３．１２．７２．２１．６１．９２．１実施例６３．０２．７２．４２．１１．９１．７１．５実施例７２．１１．８１．６１．４１．１０．９０．８比較例１０００００００比較例２ -０．６ -０．５ -０．２０．１０．４０．８１．１比較例３０．８０．６０．３０．４０．７０．９１．０比較例４ -１．３ -１．１ -０．８ -０．３０．１０．３０．５これによれば、本発明の条件を満たす場合、出力が高い
ことが判る。

【００４３】

【発明の効果】最上層の磁性膜は、その保磁力Ｈcnが１
２００〜１７００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂrnが４０００〜
６５００Ｇであり、最上層の磁性膜に隣接した下層の磁
性膜は、その残留磁束密度Ｂr1が前記最上層の磁性膜の
残留磁束密度Ｂrnの１．４〜２倍である複数の磁性膜が
積層されたもので構成させたから、上層の磁性膜と下層
の磁性膜との間でバランスがとれたものであり、高域か
ら低域にかけて全般的に高い出力が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体の概略断面図

【図２】斜め蒸着装置の概略図

【符号の説明】

１支持体２ａ下層磁性膜２ｂ上層磁性膜３保護膜４潤滑剤の膜５下地膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は複数の磁性膜が積層されたものであり、前記磁性膜のうち最上層の磁性膜は、その保磁力Ｈcnが
１２００〜１７００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂrnが４０００
〜６５００Ｇであり、前記最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜は、その残
留磁束密度Ｂr1が前記最上層の磁性膜の残留磁束密度Ｂ
rnの１．４〜２倍であることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項２】支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は複数の磁性膜が積層されたものであり、前記磁性膜のうち最上層の磁性膜は、その保磁力Ｈcnが
１２００〜１７００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂrnが４０００
〜６５００Ｇであり、前記最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜は、その保
磁力Ｈc1が８００〜１２００Ｏｅ、残留磁束密度Ｂr1が
前記最上層の磁性膜の残留磁束密度Ｂrnの１．４〜２倍
であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】最上層の磁性膜は、その厚さＬn が８０
〜１２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は請求
項２の磁気記録媒体。
【請求項４】最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜
は、その厚さＬ1 が４０〜１００ｎｍであることを特徴
とする請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。
【請求項５】最上層の磁性膜に隣接した下層の磁性膜
の厚さＬ1 ／最上層の磁性膜の厚さＬn が０．５〜０．
９であることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
の磁気記録媒体。
【請求項６】支持体と磁性膜との間に、金属、半金
属、カーボンの群の中から選ばれる材料からなる下地膜
が設けられてなることを特徴とする請求項１〜請求項５
いずれかの磁気記録媒体。
【請求項７】最短記録波長が０．２〜０．４μｍの信
号が用いられて記録されたものであることを特徴とする
請求項１〜請求項６いずれかの磁気記録媒体。