JPS62229519A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は耐久性、＃環境性に優れた高密度記録用薄膜堆
積型磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］ 従来より１通常はポリエステル等のプラスチックフィル
ムからなる非磁性支持体の上に、強磁性微粒子を高分子
結合剤中に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁
気記録媒体が広く用いられ、また近年は金属等の薄膜を
蒸着・スパッタリングτの方法で非磁性支持体上に形成
せしめた、強磁性薄膜型磁気記録短体の開発が進められ
ており、一部実用化しているものもある。特に１強磁性
薄膜型磁気記録媒体のうち、Ｇｏ−Ｇｒ昨直磁化膜は高
密度磁気記録媒体として将来性があるとされ、脚光をあ
びている。

［発明が解決しようとする問題点］ 塗１（ｉ型媒体では磁性層厚が大きいために高周波（短
波長）記録再生で反磁界の彩テが大きく、短波長での再
生出力の向上を図るためには磁性層厚を薄くするか保持
力Ｈｃを大きくする必要が有る。

例えばメタルパウダー塗布媒体（ＭＰ媒体）では保持力
が１３００〜１５０００ｅ有り、従来磁気ヘッドに使用
されていたフェライトヘッドではヒ分な記録が出来ず、
ＭＰ媒体用には高価なセンダストやアモルファスヘッド
が必要である。また磁性層厚みの減少は、短波長の記録
再生には優れるものの長波長の再生出力が減少する欠点
がある。また塗布型媒体の本質的な欠点として磁性粉を
高分子バインダーに分散させて使用するため、おのずか
ら磁束腎を増加するのに限界があり、飛躍的な高出力化
は難しい。

一方、金属薄Ｖ型の蒸着テープの代表であるＣｏ−Ｎｉ
合金膜は、耐食性と耐久性が実用玉の問題である。すな
わち、Ｇｏ−Ｎｉ合金自体が耐食合金でなく、かつ特性
向上の目的で斜め蒸着で形成するために密度の小さいこ
とがあり、酸化しやすい状態となっている。　Ｃｏ−１
合金膜では膜表面を酸化処理する（特開昭５３−８５４
０３号他）、酸化物、窒化物の保護層を設ける（特開昭
５７−１６７１３４号他）、防１剤を塗布する（特開昭
５７−１５２５１８号他）等の１耐食方法が検討されて
いるが、Ｃｏ−Ｘ１膜の膜厚そのものが薄くかつ密度が
低いため、十分な耐食性が保証されない。

［問題点を解決するための手段及び作用］本発明は上述
した従来の磁気記録媒体の有する欠点を克服し、優れた
記録再生特性であるとともに、耐食性、耐久性において
も実用的に十分な性能を有する磁気記録媒体を提供する
ものである。

本発明は、ノ、（体と、該）、（体に積層されたＣｏ−
Ｃｒ合金強磁性体層と該強磁性体層に形成された酸化コ
バルト層と該酸化コバルト層に植層された有機保護層と
からなり、該有機保護層がフッ素樹脂からなることを特
徴とする磁気記録媒体である。

第１図は本発明の磁気記録媒体の構成を示す図で、ｌは
基体、２はＣｏ−Ｃｒ合金強磁性体層、３は酸化コバル
ト層、４は保護層である。

本発明の磁気記録媒体の基体１としては、ガラス、アル
ミニウム、表面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子
支持基材としてポリエステル、セルロース、アクリル、
ポリアミド、ポリイミド。

ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ボリポリフロロオ
レフィ・ン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビ
ニル／酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化どニリデン、ポ
リカーボネート、フェノール樹脂、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタール、
ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイ
ド等が挙げられる。

電磁変換特性の優れた磁気記録媒体を得るためには、保
持力の大きいことが望ましい、磁性層であるＧｏ−Ｃｒ
合金膜の保持力向上のためにはＧｏ−Ｃｒ合金膜の形成
温度が高いことが好ましく（１００”ｃ！〜３００℃）
、高分子基体としては耐熱性を有するポリアミド、ポリ
イミド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂が良い。これら
の高分子基体を用いたフロッピーディスク、磁気テープ
では媒体のカールのないことが走行性、ヘッドタッチの
点から重要である。カールのない記録媒体を作成するた
めには、Ｇｏ−Ｃｒ合金膜との熱応力、成膜時に発生す
る応力を打ち消す様に高分子基体の熱膨張の値を最適に
選ぶ必要がある。

芳香族ポリイミド膜（フィルム）としてはジアミン成分
としてパラフェニレンジアミン（ｐｐｎ）単独で使用す
るか、或いはＰＰＤとジアミノジフェニルエーテル（Ｄ
Ａ口Ｅ）とを共に使用し、また、テトラカルボン酸成分
として、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤ
Ａ）とピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）とを共に使
用して、共重合で得られた芳香族ポリアミック酸の溶液
から、製膜およびイミド化によって得られた芳香族ポリ
イミド膜（フィルム）が好ましくその厚みは４ＪＬ〜１
００ｐが記録媒体用として有用である。

このベースフィルムは、　ｆｉｉｊ述のようにＰＰＤ。

ＢＰＤＡおよびＰＭＯＡの３成分あるいはＰＰＤ、　［
］ＡＤＥ。

ＢＰＤＡおよびＰＩＩＤＡの４成分から共重合で形成さ
れたも′のであるので、耐熱性、引張弾性に優れている
ばかりでなく、内戚分を構成する各成分の使用量比率を
色々と調整することによって、得られた芳香族ポリイミ
ド膜の８膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致
するような値にすることができ、また、芳香族ポリイミ
ド膜の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を
好適にするように変えることができる。

ベースフィルムを形成しているポリイミド膜は、その熱
膨張係数が約１．０Ｘ１０”５〜３、ＯＸ　１（１５ｃ
層／Ｃ１ｍ／’０の範囲であり、引張弾性定数が約３０
０〜１２００ｋｇ／ｍｓ２　、特に３２５〜７００ｋｇ
／ｓ＋ｓ２の範囲であって、更に二次転移温度が約３０
０°Ｃ以ト、特に３１０℃以上であることが好ましく、
ざらにＬ述の性能に加えて、熱分解開始温度が約４００
℃以上、特に４５０℃以上であって、約２５０℃の温度
付近での連続使用に耐えうるちのであり、また、引張試
験における引張強度が約２０ｋｇ／ａｍ２以上、特に約
２５ｋｇ／ｍｍ２以上であり、しかも破断点の伸び率が
約３０％以上、特に４０％以上であるものが、磁気記録
媒体の製造の際に侵れた＃熱性を示し、高温での磁性層
の形成が可能であると共に、カールの発生を防止でき、
さらに巻きムチ、走行性、およびヘッドタッチの優れた
磁気記録媒体となるので最適である。

機械的及び熱的性質などを上述の様に磁気記録媒体にと
って好適にするためには、芳香族ポリアミック酸を生成
するために使用されているジアミン成分は、全ジアミン
成分に対して約４０〜３５モル％、特に４５〜９０モル
％範囲の使用量割合のＰＰＤと、全ジアミン成分に対し
て約５〜６０モル％、特に１０〜５５モル％の使用量割
合のＤＡＤＥとの２成分からなることが好ましい。また
、芳香族ポリアミック酸を生成するためのテトラカルボ
ン酸成分は、全テトラカルボン酸成分に対して約１０〜
９０モル％、特に１５〜８５モル％の使用Ｑ　：’ｌＩ
Ｉ合のＢＰ口Ａと、全テトラカルボン酸成分に対して約
１０〜８０モル％、特に１５〜８５モル％の使用量割合
のＰＭＯＡとからなることが好ましいのである。

さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混練せしめることも可能で、この様なポリイミ
ドフィルムを本発明の基体に用いても良い、しかし本発
明磁気記録媒体の優れた高密度記録特性を生かすために
は、基体表面粗さが最大０．０５　ＪＡ　ｒａ以下（Ｒ
ｗａｘが０．０５．朧）であることが望ましい。

前述の芳香族ポリイミド膜の上にＣｏ−Ｃｒ合金からな
る磁性層を形成するには、例えばスパッタリング法、電
子ビーム連続蒸着法などの公知の方法を挙げることがで
きるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の表面
に磁性層を形成する際、膜の温度（成膜温度）を約２５
０℃にまですることができるので、優れた性能の磁性層
が容易に形成されうるのである。

Ｃｏ−Ｃｒ合金が磁気記録層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反Ｊｉａ弄の影響を受けないことであ
る。すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、
高出力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。

また斜め蒸着法で形成しないために膜密度が高く、薄膜
化による磁束密度の減少が小さい。さらにＧｏ−Ｃｒ合
金膜が磁気記゛　鎧層として優れる点は極めて耐食性が
良いことである。

このＧｏ−Ｃｒ合金からなる磁性層２の厚みは０．１　
ｇｒａ〜２．Ｏｐ、ｔａの範囲が好ましく、基体ｌに直
接形成させる以外にも、磁性層を形成するに先ケち、接
着性向上、磁気特性向上、その他の目的で必要に応じて
コロナ放電処理その他の前処理を施したり、　Ａｊ）、
　Ｔｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｉ０？、　Ａｊ’２０３
等の非磁性膜、あるいはＦｅ−Ｎｉ合金膜、またはＣｏ
　−Ｚ　ｒ　。

Ｆｅ−Ｐ−Ｃ，Ｆｅ−Ｇｏ−Ｓｉ−Ｂｉ　ｃ７）非晶質
膜で代表される高透磁−＜ｔ　＋ｐｘを介して、投けて
もかまわない。

これらＣｏ−Ｃｒ合金強磁性薄膜は、必要に応じて基体
ｌの両面に形成することもできる。

酸化コバルト層３は、所定圧の酸素を含む不活性ガス中
でのスパー２タリング法、希薄酸素下での真空蒸着法、
もしくはイオンブレーティング法等の物理蒸着法、ある
いはプラズマ酸化処理によって、Ｃｏ−Ｃｒ合金強磁性
体層２の表面に直接堆積形成あるいは酸化層形成をして
いる。酸化コバルト層３は磁気記録層とヘッドとの凝着
を防ぎ、耐摩耗性の向丘に極めて有効である。酸化コバ
ルト層３の厚みは耐摩耗性を保障するに十分な厚みが必
要であるが−・方、Ｇｏ−Ｃｒ系合金磁性層の持つ高密
度記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス
減少のため薄い事が望ましい、それ装置化コバルト層３
の厚みは３０〜３００Ａが望ましく。

５０〜１５０　Ａが特に好ましい。

酸化コバルト層３は、磁気記録層２の保護に大きな役割
を果すものであり、さらに、金属ヘッド、フェライトヘ
ッド等とのなじみも良く、表面の摩擦係数も低下する。

殊に酸化コバルト層の最表部がＣＯ３０４である時、そ
の効果が著しい。

しかしながら、磁気記録媒体の表面が極めて平坦な場合
（例えば上点モ均粗ざＲｚ　（ＪＩＳ−８０８０１）で
０．０２ｇ以下）あるいは、多湿条件等の悪環境条件下
での耐久性が必ずしも十分でない。

そこで本発明磁気記録媒体の高密度記録特性を損なわず
かつ摩擦を低減し、走行安定性を向丘させる為には、ｔ
Ｊｇ１化合物による保護Ｐ３４を酸化コバルト層３の表
面に積層することが大変有効である。有機化合物による
滑性と酸化コバルト層３の強靭な保護作用とが積層され
、より一層摩耗し難く、かつ高温高湿、低温高湿での走
行性能、耐久性に優れた効果がある。

本発明においては有機保護層としてフッ素樹脂が用いら
れる。

この有機保護層をモ均膜厚５Ａ以丑の膜厚で設けること
によって、耐久性の向上とともに悪環境下、例えば多湿
雰囲気中における磁気記録媒体の走行容易性、走行安定
性に大変有効である。

有機化合物による当該保護層も金属酩化物層同様に、電
磁変換特性の面において、膜厚の影響によるスペーシン
グロスを生じやすい為、厚みは２００Ａ以ド、さらには
１００　Ａ以ｒであることが望ましい。当該保護層にお
いては、必ずしも均一な連続膜である必要はなく、斑点
状等の様に不連続であっても良い。

本発明において有機保護層と使用されるフッ素樹脂とし
ては、四フッ化エチレン樹脂（略称ＰＴＦＥ）　、ポリ
フッ化ビニリデン樹脂、ポリフッ化ビニル樹脂、四フッ
化エチレン・六フッ化プロピレン共玉合樹脂、四フッ化
エチレン・エチレン共１合ｍ　ＩＭ、四フッ化エチレン
°パーフロロアルコキシエチレン共重合樹脂、三フッ化
塩化エチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＣＴＦＥ　）　
、三フッ化塩化エチレン樹脂、笠が挙げられる。

保護層４の膜形成方法としては、電子ビーム法や抵抗加
熱法あるいはイオンブレーティングによる真空蒸着によ
り形成する乾式コーティングが適用される。

未発Ｉ１１におけるＣｏ−Ｃｒ合金強磁性体ｖｉ膜堆請
型磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体の少
なくとも片側表面には磁気記録層を形成し、これと反対
側の一方の面には、必要に応じて表面と対称型の薄膜を
ｖ１層形成しても良く、あるいは尚該基体の保護、滑性
、補強、その他の有効な効果を補足する目的で各種のバ
ックコート層を形成しても良い。バックコート層として
は、Ａｊ＋、　Ｔｉ。

Ｖ、　Ｚｒ、　Ｃｏ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　　Ｗ、　Ｃｒ
、　Ｓｉ、　Ｇｅ等の金属、半金属あるいはその酸化物
、窒化物、炭化物の薄膜、あるいは酸化物微粒子炭酸カ
ルシウム等の易滑性微粒子と、カーボン、金属粉末等の
導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を少
なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬化性樹脂等の高
分子バインダーに混練して塗布したものが挙げられる。

以り述べた様に、表面平坦性に優れかつ熱膨張率を調整
した高弾性率、高１耐熱性共重合ポリイミドフィルム！
二に高温でＧｏ−Ｃｒ合金膜を形成し、さらにその上に
酸化コバルト層を形成し、さらにフッ素樹脂の保６糊層
を形成した磁気記録媒体はカールが小さく、かつ高密度
記録特性が優れ１耐摩耗性、耐久性、耐環境性がいずれ
も実用上十分な性能を有しており、極めて優れた磁気記
録媒体である。

［実施例］ 以下実施例により本発明を説明する。

なお、以下の実施例における評価方法を次に示す。

くテープの評価方法〉 出力の周波数特性： ０．７５ＭＨｚ、　４．５ＭＨｚ、　７．５ＭＨｚの単
一信号を記録し、１す生出力を測定。

スチル１耐久性テスト： ２０℃、６５％および０℃の環境下でスチル再生出力の
時間変化をΔ１１定。２０分経過後出力低下が３ｄＥ１
以内を０とする。

１酎食テスト： ５０°Ｃ２８０％で１０００時間放置後飽和磁束密度の
低下が１０％以内をＯとする。

くディスクの評価方法〉 出力の周波数特性： １．３ＭＨｚ、　？、ＯＭＨｚの単一信号を記録し、再
生出力を測定。

耐久性： ２０℃、６５％の環境下でスチル再生出力の時間変化を
測定。５０時間経過後出力低下が３ｄＢ以内をＯとする
。

出力ムラ： ｌトラック内での出力の最大値と最小値の差。

実施例１ 内容積３００１の重合釜に３．３’、４．４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物：２０モル、ピロメリッ
ト酸二無水物；８０モル、パラフェニレンジアミン；７
０モル及び４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；３
０モル、ざらにＮ−メチル−２−ピロリドン１９８．０
ｋｇを入れた。この混合液を５０℃の反応温度、常圧下
で４４時間攪拌して重合反応を行ない、高分子量の芳香
族ポリアミック酸を約２０．０重量％含有する反応液を
得た。

この芳香族ポリアミｙり酸のＨ液組成物をモ滑なキャス
ティングロールＬに流延し、キャスティングυ、にて均
一な厚さを有する溶液組成物の液１模を形成して、その
液膜を約６０〜２００℃の温度範囲でシ１温しながら乾
燥して固化し、さらにその固化ｊ模をキャスティングロ
ールからはぎとり、炉の中で３５０°Ｃの温度にまで加
熱して熱処理し、厚さ１０ル鵬の芳香族ポリイミド膜の
ベースフィルムを製造した。

この芳８族ポリイミドフィルムについて種々の物性を測
定したが、その結果、引張弾性定数が４９０ｋｇ／ｍｍ
２　、熱膨張係数（！　１００−３００’Ｃかり、Ｓ　
Ｘ　１０−５ｃｍ／ｃｍ／’０１Ｒｚは８０Ａ　テあっ
た。

この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、電子ビーム加熱装置を有した磁気テープの連続
成膜装置により、当該ベース７　イ／ｌ／　ム（７）表
面ニＣｏ　７８ｗｔ＄　−Ｃｒ　２２ｗｔＸ（７）垂直
磁化膜をベースフィルムの温度を２３０°Ｃとして、０
．１　ルｍ　／ｓｅｃの成膜速度で約０．４ルｍ厚形成
した後、その上部に酸素ｌＯ％を含むアルゴンガス中で
ＣＯをスパッタし、酸化コバルト薄膜を０．０＋ｇｍ厚
形成した。さらに、電子ビーム加熱装置にてゆつくり昇
温させながら四フッ化エチレン樹脂である゛テフロン７
Ａ−Ｊ”　　（商品名）を前記酸化コバルト層上に２Ｏ
Ａ　／ｓｅｅの蒸着速度にて平均膜厚３０Ａａ層形成し
た。

このようにして得られた磁気シートを８．０＋ａｍ幅に
スリットした。このテープのカールは、７く０、ｌｍｍ
−’　　と小さく、実用上問題のない量であった。この
テープを８ミリＶＴＲテープ用カセツトに装若し、８ミ
リビデオデツキにて出力の周波数特性、スチル耐久性、
５０℃、８０％での耐食性テスト等を行なった。テスト
の結果は第１表に示すように良好なものであった。

実施例２ 実施例５ ３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物＝４０モル、ピロメリット酸二無水９）　：　８０
モル。

パラフェニレンジアミン＝５０モル、及び４，４′−ジ
アミ／ジフェニルエーテル＝５０モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例１と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例１と回・方法にて厚さ４
０ル躊の芳香族ポリイミドフィルムを製造した。この芳
香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が４００ｋｇ／
ｍｍ２　、熱膨張係数α１０Ｇ−：１００・Ｃが２．６
　Ｘ　１０−５ｃｍ／ｃｍ／’Ｃ，ＲＺは３０Ａであっ
た・ この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて当該ベースフィルム上
にＣｏ　８０ｗｔＸ−Ｃｒ　２０ｗｔＸの垂直磁化膜を
ベースフィルムの温度を１５０°Ｃとして約０．５　Ｊ
Ｌｒａ形成した後、その上部に酸素１２％を含むアルゴ
ンガス中でＣＯをスパッタし、酸化コバルト薄膜を８Ｏ
Ａ厚形成した。次いで、抵抗加熱法でポート型蒸発源温
度６００℃にて四フッ化エチレン樹脂である°゛ルブロ
ンＬ−５Ｆ　　（商品名、低分子量ＰＴＦＥ）を真空蒸
着法により前記酸化コバルト層上に５ＯＡ　／ｓｅｅの
蒸着速度にて平均膜厚３０Ａの保護層を積層形成した。

こうして得られたサンプルを直径４７φのディスクに打
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ（試験機）を用いて
評価した。その結果は第２表に示したように良好であっ
た。

実施例３ 芳香族ポリイミドフィルムの作成、垂直磁化蒸着膜の形
成、酸化コバルト薄膜の形成を実施例１と同様に行なっ
た。そして、電子ビーム加熱装置にてゆっくり昇温させ
ながらポリフッ化ビニリデン樹脂（略称ＰＶＤＦ）であ
る“ＫＦポリマー”　（商品名）を前記酸化コバルト層
上に３０Ａ　／ｓｅｃの蒸着速度にて平均膜厚３０Ａ積
層形成した。

このようにして得られた磁気シートを８．０＋ｍ幅にス
リットした。このテープのカールは、〒く０．１ｍｍ−
１と小さく、実用上問題のない量であった。このテープ
を８ミリＶＴＲテープ用カセ−／　）に装着し、８ミリ
ビデオデツキにて実施例１と同様の評価を行なった。そ
の結果は第１表に示したように大変良好であった。

実施例４ 芳香族ポリイミドフィルムの作成、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化
膜、酸化コバルト層の形成を実施例２と同様に行なった
。さらに電子ビーム加熱装置にてゆっくりシ１温させな
がら溶融したポリフッ化ビニル樹脂（略称ＰＶＦ　）を
前記酸化コバルト層上に３０Ａ　／ｓｅｃの蒸着速度に
て平均膜厚０．００５　ｇ、ｍの保１喜層を積層形成し
た。

こうして得られたサンプルを、直径４７φのディスクに
打ち抜き加工し、スチルビデオデツキ（試験機）を用い
て評価した。

その結果は第２表に示したように良好であった。

実施例５ 芳香族ポリイミドフィルムの作成、垂直磁化蒸着膜の形
成、酸化コバルト薄膜の形成を実施例１と同様に行なっ
た０次に、電子ビーム加熱装置にてゆっくり昇温させな
がら溶融した四ツ・フ化エチレンー六フッ化プロピレン
の共重合樹脂（略称ＦＥＰ　）である“テフロン１００
”　（商品名）を前記酸化コバルト層上に１ＯＡ／ｓｅ
ｅの蒸着速度にて平均膜厚０．００３体ｆｆｌ積層形成
した。

このようにして得られた磁気シートを８．０ｍａ＋幅に
スリットした。このテープのカールは、〒く０．１ｍｍ
−１と小さく、実用上問題のない量でありた。このテー
プを８ミリＶＴＲテープ用カセツトに装着し、８ミリビ
デオデツキにて実施例１と同様の評価を行なった。その
結果は第１表に示したように大変良好であった。

実施例６ 芳香族ポリイミドフィルム（厚さ４０ｇｍ）の作成、垂
直磁化蒸着膜の形成、酸化コバルト薄膜の形成を実施例
２と同様に行なった。次に、電子ビーム加熱装置にてゆ
っくり昇温させながら溶融した四フッ化エチレン・エチ
レン共重合樹脂（略称ＥＴＦＥ）である°“テフゼル°
′　（商品名）を前記コバルト層上に３ＯＡ／ｓｅｅの
蒸着速度にて平均膜厚５０Ａ積層形成した。

こうして得られたサンプルを直径４７φのディスクに打
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ（試験機）を用いて
評価した。その結果は第２表に示したように良好であっ
た。

実施例７ 芳香族ポリイミドフィルムの作成、垂直磁化蒸着膜の形
成、酸化コバルト薄膜の形成を実施例１と同様に行なっ
た。次に、電子ビーム加熱装置にてゆっくり昇温させな
がら四フッ化エチレン°パーフロロアルコキシエチレン
共ｍ　合ｍ　脂（略称ＰＦＡ　）である°゛テフロン３
４０−Ｊ”　　（商品名）を前記コバルト層上に３０Ａ
／ＳｅＣの蒸着速度にて４ｉ均膜厚０．００３終ｌｌ、
ｉＬＩ層形成した。

このようにして得られた磁気シートを８．０ｍ＋＋＋幅
にスリットした。このテープのカールは、〒く０．１ｍ
ｍ　ｌ　　と小さく、実用上問題のない量であった。こ
のテープを８ミリＶＴＲテープ用カセツトに装着し、８
ミリビデオデツキにて実施例１と同様の評価を行なった
。その結果は第１表に示したように大変良好であった。

比較例１ ＋１ｐａ＋厚ポリエステルフイルム上に斜め蒸着法によ
り８０ｗｔ＄　Ｇｏ−２０ｗｔ駕Ｎｉ合金から磁気記録
層を０．１２ｐｍ形成した後、実施例１と同一方法にて
ＰＴＦＥを０．００３Ｊｉ、ＩＩ＋形成し、８ｍｍビデ
オテープを作製した。

［発明の効果］ 以１−説明したように、本発明による磁気記録媒体は、
基体の芳香族ポリイミドフィルムの表面に、１；し膜堆
積法にてＣｏ−Ｃｒ合金強磁性体薄膜を形成し、その表
面に酸化コバルト層を形成した膜面りに更に滑性有機化
合物であるフッ素樹脂の保護層を積層形成することによ
り、走行性、＃久性、１ｌＶｌＪ環境性の優れた高密度
磁気記録媒体の実現をならしめるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の構成図である。 ｌ・・・基体である芳香族ポリイミドフィルム。 ２・・・Ｇｏ−Ｃｒ合金強磁性体層。 ３・・・酸化コバルト層。 ４・・・有機保護層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体と該基体に積層されたＣｏ−Ｃｒ合金強磁性
   体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と該酸
   化コバルト層に積層された有機保護層とからなり、該有
   機保護層がフッ素樹脂からなることを特徴とする磁気記
   録媒体。