JPS62271222A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は、耐久性、耐環境性に優れた高密度記録用の薄
膜堆積型磁気記録媒体の製造方法に関する。

（従来の技術） 従来より、ポリエステル等のプラスチックフィルムから
なる非磁性基体のＦに、強磁性微粒Ｙ−を高分子結合剤
中に均一に分散せしめた磁性層を打する塗Ｉｌ型磁気記
録媒体が広く用いられている。

また近年では金属等の薄膜を蒸着、スパッタリング等の
方法で磁性層として非磁性基体トに形成せしめた強磁性
薄膜型磁気記録媒体の開発か進められており、　一部実
用化しているものもある。

磁性層の磁気特性、耐食性、耐り耗性、玲源係数、形状
（カール、変形）は磁気記録媒体の＋Ｌ能を左右する要
素であり、こわらの前記付能恕素は磁性層の材料や製法
、基体、保護潤滑剤（あるいは層）に依存するものであ
る。磁性層材料については磁束密度か大きく、薄望化可
能な強磁性薄膜型磁気記録媒体が従来の塗！Ｅｆ型磁気
記録媒体に勝っている。

しかしながら磁性層をなす強磁性薄膜型の蒸着テープの
代表であるＧｏ−Ｎｉ合金膜は、耐食性と耐久性が実用
トド分ではない。すなわち、Ｃｏ−Ｎｉ合金自体が耐食
合金でなく、かつ特性向上の目的で斜め蒸着で形成する
ために密度が小さく、酸化しやすい状態となっている。

そのためＧｏ−Ｎｉ合金膜の膜表面を酸化処理する方法
（特開昭５３−８５４０３号他）、Ｇａ−Ｎｉ合金膜の
ヒに酸化物や窒化物の保護層を設ける方法（特開昭５７
−１６７１３４号他）、ＧＧｍＮ１合金膜のトに防錆剤
を塗布する方法（特開昭５７−１５２５１８号他）等の
耐食方法が検討されているが、Ｇｏ−Ｎｉ合金１１！２
の膜厚そのものが薄くかつ密度が低いため、［−分な耐
食性が保証されないという問題点があった。又、Ｇｏ−
Ｎｉ合金膜の上に脂肪酸金属塩のｍ分子膜から成る保護
層をラングミュア・プロジェット法で形成する方法（特
開昭６１−４８１１９号）が知られており、係る方法に
よれば耐候性、耐久性、走行性が改善される。然し乍ら
高度の電磁変換特性を保つために保護層を薄くすれば、
その耐久性、走行性はト分であるとはいい難く、また保
護層を厚くすれば、短波長を用いた高密度磁気記録がで
きないという問題点があった。

〔発明の目的〕

本発明は上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであ
りその目的は、優れた記録再生特性を有するとともに耐
食性、耐久性においても実用的にト分な性能を存する磁
気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するためのｆ段〕

本発明の上記目的は、基体トに、磁性体層を積層し、次
いで分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する脂肪酸
のｍ分子膜又はその累積膜を含む有機保護層を積層し、
更に得られた積層物に熱処理及び／又は真空処理を施す
磁気記録媒体の製造方法によって達成される。

第１図は本発明の方法により製造される磁気記録媒体の
好ましい構成を示す模式図で、１は基体、２は強磁性体
層、３は丁地処理の役割を果たす中間層、４は有機保護
層である。

基体１をなす材料としては、ガラス、アルミニウム、表
面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子支持基材とし
てポリエステル、セルロース、アクリル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリ
ポリフロロオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリカーボネート、フェノール樹脂、ポリエー
テルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリア
セタール、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレン
サルファイド等か挙げられる。

強磁性体層２をなす材料としては、Ｆｅ、　Ｇｏ、　Ｎ
ｉをＪＥ体とする合金、あるいはその酸化物、窒化物等
が使用可能であるが、高密度記録特性に優れまた耐食性
にも優れるＧｏ−（ｒ合金あるいはＧｏ−にｒ金合金主
成分とする強磁性膜が好ましい。

電磁変換特性の優ねた磁気記録媒体を得るためには、強
磁性体層２の保６に！１．力の大きいことが望ましい。

強電性体層２が（：ｏ　−Ｃｒｔ合金膜の場合はその保
ｂｄ方向りのためにＧｏ−Ｃｒ合金膜の形成温度を高く
することが好ましく　（１００℃〜３００℃）、その場
合、基体１としては前述の材料のうち耐熱性を有するポ
リアミド、ポリイミド樹脂、特に芳６族ポリイミド樹脂
を使用することが好ましい。

また本発明によって得られる磁気記録媒体であるフロッ
ピーディスク、磁気テープ等はカールが発生しないこと
が走行性、ヘッドタッチの点から重要である。カールの
ない磁気記録媒体を作成するためには、基体１の材料と
してＧｏ−１：ｒ合金膜との熱応力、成膜時に発生する
応力を打ち消す様な熱膨張の値を有するものを選ぶ必要
かある。

以下、基体１として芳香族ポリイミド）模を用いる場合
につき説明する。

芳香族ポリイミド膜（フィルム）としては、ジアミン成
分としてバラフェニレンシアミン（ｐｐｏ）をｊｆＬ独
で使用するか、或いはＰＰＤとジアミノジフェニルエー
テル（Ｄへ〇Ｅ）とを併用し、また、テトラカルボン酸
成分として、ビフェニルテトラカルホン酸二無水物（Ｂ
ＰＤ八）とどロメリット酸−無氷物（ＰＭＤ八）とを併
用して、共重合させて得らｉた方香族ポリアミック酸の
溶液を、製膜し、次いでイミド化して得られた芳香族ポ
リイミド膜（フィルム）が好ましく、その厚みが４間〜
＋００．のものが記録媒体用として有用である。

この芳香族ポリイミドフィルムは、前述のようにＰＩＩ
Ｄ、口ＰＤＡおよびＰＭＤＡの３成分あるいはＰＰＤ　
。

ＤＡＤＥ、ＢＰＤ＾およびＰＭＯＡの４成分を共重合さ
せて形成されたものなので、耐熱性、引張弾性に優れて
いるばかりでなく、画成分を構成する各成分の使用量比
率を：Ｊ８整することによって、得られる芳香族ポリイ
ミド膜の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨・１艮係数に大
略一致するような値にすることができ、また、芳香族ポ
リイミド膜の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の
性能を好適にするように変えることができる。

この芳香族ポリイミドフィルムは、その熱膨張係数が約
１．Ｏｘ　１０’　〜３．Ｏｘ　Ｉｏ−”　ｃｍ／ｃｍ
／”Ｃの範囲であり、引張弾性定数が約３００〜１２０
０ｋｇ／ｍｍ２、特に３２５〜７００ｋｇ／ｍｍ２の範
囲であって、更に二次転移温度が約３００℃以上、特に
３１０℃以Ｆであることが好ましく、ざらにト述の性能
に加えて、熱分解開始温度が約４００℃以上、特に４５
０℃以上であって、約２５０℃の温度付近での連続使用
に耐えつるものであり、また、引張試験における引張強
度が約２０ｋｇ／■２、以上、特に約２５ｋｇ／ｍｍ’
、以上であり、しかも破断点の伸び率が約３０％以上、
特に４０％以Ｆであるものが、磁気記録媒体の製造の際
に優れた耐熱性を示し、高温での磁性層の形成が可能で
あると共に、カールの発生を防止でき、さらに巻きムラ
、走行性、およびヘッドタッチの優れた磁気記録媒体と
なるので最適である。

芳香族ポリイミドを得るための芳香族ポリアミック酸は
、磁気記録媒体の機械的及び熱的性質などを上述の様に
好適にするために、その生成に使用されるジアミン成分
として、全ジアミン成分に対して約４０〜９５モル％、
特に４５〜９０モル％範囲の使用量割合のＰＰＤと、全
ジアミン成分に対して約５〜６０モル％、特に１０〜５
５モル％の使用量割合のＤＡＤＥとの２成分からなるも
のが好ましい。また、芳香族ポリアミック酸を生成する
ためのテトラカルボン酸成分は、全テトラカルボン酸成
分に対して約１０〜９０モル％、特に１５〜８５モル％
の使用量割合のＢＰＤ＾と、全テトラカルボン酸成分に
対して約１０〜９０モル％、特に１５〜８５モル％の使
用量割合のＰＭＤＡとからなることが好ましい。

さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応して
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混錬せしめることも可能である。しかし本発明
によって製造される磁気記録媒体に優れた高密度記録特
性を付１丁するためには、ＪＩＳ　Ｂ　０６旧における
基体の表面粗さの最大高さくＲｍａｘ）か０．０５．以
下であることが望ましい。

以上に述べてきた、芳香族ポリイミド膜の上にＧｏ−（
、ｒ合金からなる磁性層を形成するには、例えばスパッ
タリング法、電子ビーム連続蒸着法なとの公知の方法か
使用できるが、そわらの方法で前記芳香族ポリイミド膜
の表面に磁性層を形成する際、膜の温度（成膜温度）を
約２５０°ＣにまでＬげることができるので、優れた性
能の磁性層が容易に形成されつるのである。

Ｇｏ−Ｃｒ合金が磁気記録層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより東向磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影響を受けないことである。

すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、高出
力を得るために１分なＩ漠Ｊｔ、ｌを持たすことができ
る。

このＣｏ−（：ｒ合金からなる磁性層２の厚みは０１μ
〜２．０ｕ＋の範囲が好ましく、基体１に直接形成させ
る以外にも、磁性層を形成するに先つ。

ち、接着性向ト、磁気特性向ト、その他の目的で必要に
応じてコロナ放電処理その他の前処理をｂ’ｅｘしたり
、　八Ｒ、Ｔｉ、　（：ｒ、　Ｇｅ、　５ｉ０２．へＲ
２０ｊ等の非磁性膜、あるいはＦｅ−Ｎｉ合金１摸、ま
たはＧｏ−７，ｒ。

ｉ’ｃ−Ｐ−Ｃ，Ｆｅ−Ｇｏ−５ｉ−Ｂ等の非晶質膜で
代表される高速＠生膜を介して設けてもかまわない。

これらＣｏ−Ｃｒ合金強磁性薄１漠は、必要に応して〕
、（体１の両面に形成１−ることもてきる。

１−８記のような強磁性体層２の表面には、後述の有機
保護層４との密着性をよくするために中間層か設けられ
る。

中間層３としては、特に酸化コバルトよりなる層か摺動
特性」二からも好ましい。酸化コバルト層は、所定圧の
酸素を含む不活性ガス中でのスパッタリング法、希薄酸
素ドでの真空蒸着法、もしくはイオンブレーティング法
等の物理蒸着法、あるいはプラズマ酸化処理によって、
Ｇｏ−Ｃｒ合金強磁性体層２の表面に直接堆積形成ある
いはＦ地として酸化層形成をしたトに形成している。中
間層３の厚みは、Ｇｏ−Ｃｒ系合金磁性層の持つ高密度
記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減
少のため薄い！１ｔか望ましく中間層３の厚みは３０〜
３００人が好ましく、５０〜１５０人が特に好ましい。

ただし中間層３と有機保護層４を合わせた厚みを好まし
くは２５０Å以下以上り好ましくは１２０Å以下以上さ
えることが適当である。

有機保護層４は、分子−内に親水性部位と疎水性部位と
を併行する脂肪酸く以１、両親媒性脂肪酸）の単分子膜
又はその累積膜からなる層てあり、その形成にあたって
はそのような単分子膜又はその累積膜を５０〜９０℃で
熱処理、或いは室温〜７０℃下で真空処理を施したもの
が用いられる。

有機保護層４を構成する両親媒性脂肪酸の一例としては
以下に示す構造を有する化合物を挙げることができる。

■　（：１１３（Ｃ１ｌ、）ｋ−ＧＯＯＮ■　　　ＩＩ
（ＣＨ２）ＴＩｌ　−ＣＥＣ−ＣＥＩＩニー（ＣＨ２）
、−Ｃ０ＯＨ■　ＣＨ２＝　（、Ｈ（ＣＨ２）　ｋ　　
Ｃ０ＯＨ上記化合物に関してｋは８〜２８の整数であり
、好ましくは１６〜２０である。又、ｍ、ｎは各々　０
〜２８の整数であり、かつ、ｍとｎの和が１２〜３５の
整数である。

上記の両親媒性脂肪酸の単分子膜又は単分子累積膜を作
成する方法としては、例えば以下に説明するようなＩ　
、　Ｌａｎｇｍｕ　ｉ　ｒらの開発したラングミュア・
プロジェット法く以下ＬＢ法）か使用できる。

すなわち、まず目的とする両親媒性脂肪酸をクロロホル
ム等の溶剤に溶解させる。次に、第２図（ａ）　、　（
ｂ）に示す装置を用いて、両親媒性脂肪酸の溶液を水相
１４上に展開させて両親媒性脂肪酸を膜状に形成させる
。

次にこの展開層が水相りを自由に拡散して広かりすきな
いように仕切板（または浮Ｊ′）７を設けて展開面積を
制限して膜物質の集合状、聾を一制御しその集合状態に
比例した表面圧を得る。この仕切板７を動かし展開面積
を縮小して膜物質の集合状態をＭ制御し、表面圧を徐々
にＦ昇させ、累積膜の製造に適する表面圧を設定するこ
とか出来る。この表面圧を維持しなから静かに清浄な担
体１５を屯直にトドさせることにより両親媒性脂肪酸の
９分を膜か担体Ｉ５Ｆに移しとられる。ここでいう担体
とは、既述の磁性体薄膜を示す。この様にして両親媒性
脂肪酸の中１分子膜を中間層３［に形成することができ
る。

両親媒性脂肪酸の中−分′ｉ−膜はこのようにして製造
されるか首記の操作を繰り返す′１′Ｓにより所望の累
！＋’！数の両親媒性脂肪酸の甲１分子累積膜を形成す
ることかできる。

両親媒性脂肪酸の重分ＦｒＦＡを担体上に移すには上述
した取直浸漬法の他、水平付着法、回転円筒法などの方
法も使用できる。

水モ付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方
法で、回転円筒法は円筒形の担体を水面計を回転させて
担体表面に移しとる一方法である。

面述した垂直浸漬法では、表面が親水性である担体を水
面を横切る方向に水中から引きｌ二げると両親媒性脂肪
酸の親木基が担体側に向いたｌｉｔ分Ｆ　＋１桑か担体
Ｆに形成される。面述のように担体をトドさせると、各
工程ごとに一枚ずつ両親媒性脂肪酸のｍ分子−１１５１
！が積み重なっていく。製膜分子−の向きか引上工程と
浸漬工程で逆になるのて、この方法によると各層間は両
親媒性脂肪酸の親水基と疎水シ１（が向かいあうＹ型膜
が形成される。それに対し水下付着法は、両親媒性脂肪
酸の疎水基が担体側に向いたｒｉ′Ｉ、分子」ｑが担体
ヒに形成される。この方法では、累積しても、製１漠分
子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が担体
側に向いた×１１Ｑか形成される。反対に全ての層にお
いて親水Ｊ、ｔ：が担体側に向いた累積＋１ＱはＺ型膜
と呼ばれる。

単分子層を担体トに移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面禎担体を用いるときには担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。

また、萌述した親木基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。

ト述の方法に囚って中間層３上に形成される脂肪酸のｍ
分そ膜及び帖分子累禎膜は高度の秩序性を有する超薄膜
（ｍ分子一層当りの厚み：１５〜３５人）であり、これ
らのｌ１ｆｉで保護層を形成した場合には、電磁変換特
性に与える影ツを著しく小さなものにすることが可能と
なる。

保護層のＪ７ざは１５〜１００人の範囲が好適である。

この際、係る有機保護層の下地たる中間層（特にコバル
ト層）３は（：ｏ−Ｃｒ　磁性層２に比べて親水性が高
く、従って、有機保護層を（：、ｏ−Ｃｒ　＆ｆｉ性層
Ｆに直接形成する場合と比較してより強固な密着性を保
つことができる。

係る保護層形成を行なった磁性薄膜は、熱処理及び又は
真空処理に付すことにより、中間層３と保護層４との密
着性か向」二すると共に保護層４そのものが安定化し、
電磁変換特性を本質的に低ドさせることなく、特に耐久
性、並びに走行性の優れた薄膜堆積型磁気記録媒体が得
られる。

一般にＬＢ法においては成膜分７−ｉの末端カルボキシ
ル基の水素ｖ、ｒ−をカドミウム、鉛等の金属イオンを
水相ヒにて置換させ、膜の強固化を図ることが多い。本
発明に用いた両親媒性脂肪酸を金属塩として磁性層の保
護層を構成しても同様に電磁変換特性を本質的に低下さ
せることなく特に耐久性並びに走行性の優れた薄膜堆積
型磁気記録媒体を得ることかできる。しかしながら係る
金属塩のｍ分？Ｉｌ！２を担体く磁性薄膜）上に移しと
る速度は（担体−ヒ下速度）最大でも５ｃｍ／ｍｉｎ　
、好ましくは０．３〜２ｃｍ／ｍｉｎでありこれ以［の
製膜速度でもって製膜した場合、担体上に移し取られた
昨分子膜又はｍ分Ｆ累積膜においては、もはや高度の秩
序を保っているとはいい難くＥ述の保護作用とじての特
性も失われてくる。しかるに末端カルボキシル基を金属
塩にすることなく遊離酸のまま製膜した場合１ｍ／ｍｉ
ｎの速度で製膜したとしても担体トに移し取られたｍ分
７′膜又は単分子″Ａ禎膜は高度の秩序構造を保ってお
り、−Ｅ述の保護層としての特性が確保されていること
が確認された。

更に製膜分子として■もしくは■のごとき重合性分子を
用いた場合には係る重合性分ｔを水面Ｆ中分子膜もしく
は担体に移し取った後、光、熱等のエネルギー照射を行
なって重合せしめるとこにより特に耐久性に優れる保護
層を形成することが６丁能になる。

本発明において熱処理としては、基体や有機保護層の材
質にもよるが、４０℃〜９０℃の環境温度にて１分間〜
３０分間加熱するのが適当である。また、真空処理とし
ては、ＩＱ−２Ｌｏｒｒ”−□　１０−’　ｔ、ｏｒｒ
の餞圧状態に５分間〜１０分間さらすのが′ｉ！ｉ当で
ある。

もちろん、熱処理と真空処理の両方を実施してもよい。

本発明によって得られる［１：ｏ−Ｃｒ合金強磁性体薄
膜堆積型磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基
体の少なくとも片側表面には磁気記録層を形成し、これ
と反対側の＝一方の面には、必認に応じて表面と対称型
の薄膜を積層形成しても良く、あるいは当該基体の保護
、滑性、補強、その他の有効な効果を補足する目的で各
種のバックコート層を形成しても良い。バンクコート層
としては、ＡＩ、　Ｔｉ、　Ｖ、７．ｒ、　Ｃｏ、　Ｎ
ｂ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ｃｒ、　Ｓｉ、　Ｇｅ等の金属、
゛ｉ金金属るいはその酸化物、窒化物、炭化物の薄膜、
あるいは酸化物微粒り炭酸カルシウム等の桔滑性微粒子
−と、カーボン、金属粉末等の４電性粒子と、脂肪酸、
脂肪酸エステル等の潤滑剤を少なくとも一種類含む熱可
塑性または熱硬化性樹脂等の高分子バインダーに混練し
て塗布したものが挙げられる。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的実施例を挙げることにより本発明
を更に詳！１１に説明する。

［Ｉ］磁気テープの製造 くデーゾの３’Ｐ価方法〉 出力の周波数特性： ０．７５ＭＨｚ、　４．５ＭＨｚ、　７．５ＭＨｚの東
−信号を記録し、再生出力を測定。

スチル耐久性テスト： ２０℃、６５％および０℃の環境下でスチル再生出力の
時間変化を測定。２０分経過後出力低下が３ｄＢ以内を
Ｏとする。

耐蝕テスト： ５０℃、８０％で１０００時間放置後飽和磁束密度の低
下が１０％以内を○とする。

実施例１ 内容積３００２の重合釜に３，３°、１，４°−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物：２０モル、ピロメリッ
ト酸−無水物；８０モル、パラフェニレンジアミンニア
０モル及び４，４−ジアミンジフェニルエーテル、３０
モルを原料として厚さ１０μの芳香族ポリイミド膜のベ
ースフィルムを製造した。

この芳香族ポリイミドフィルムについて種々の物性を測
定したが、その結果、引張弾性定数が４９０ｋｇ／ｍｍ
２．熱膨張係数αは　１００〜３００℃で！、８Ｘ　Ｉ
Ｑ’　ｃｔｎ／ｃｍ／ｌ：、Ｒｚ　　（ＪＩＳ　Ｂ　０
６０１による１０点平均粗さ）は８０人であった。

この）ｉ香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとし
て使用し、電ｆビーム加熱装置を有した磁気テープの連
続成膜装置により、当該ベースフィルムの表面にＣｏ　
７８ｗｔ’Ｊｉ　−Ｃｒ　２２ｗｔ％ｉの垂直磁化蒸着
膜をベースフィルムの温度を２００℃として、０、Ｉｐ
／ｓｅｃの成膜速度で約０．１μ厚形成した後、その上
部に酸素ｌＯ％を含むアルゴンガス中でＧｏをスパッタ
し、酸化コバルト薄膜を８０人厚形成した。

次に、（１）式に示す両親媒性脂肪酸；ステアリン酸 ＣＪ（Ｇｌ１２）＋ｂ　ＧＯＯＨ（１）をクロロホルム
に溶解せしめ（濃度５ｘｌＯ−ｊ）た後、ｐＨ：ｌ　、
水温２０℃の水相１４（第２図）上に展開し、膜状に析
出させた。溶媒蒸発除去後、表面圧を３０ｍＮ／ｍに迄
高めた。この表面圧を一定に保ち乍ら上述磁性体Ｔ４膜
を担体とし、１ｍ／ｍｉｎの速度で係る担体を水面を横
切る方向に水中より引きトげ、ステアリン酸単分子膜を
係る担体上に形成した。

こうして得た磁気シートを７０”Ｃの恒温炉にて、１５
分間熱処理を行なった後、　８　、　ＯｍＩＢ幅にスリ
ットした。この テープのカールは、−＜　　０．１＋ｎ＋ｎ−’と小さ
く、実用ヒ問題のない量であった。このテープを８ミリ
ＶＴＲテープ用カセツトに装着し、　８ミリビデオデツ
キにて出力の周波数特性、スチル耐久性、５０℃・８０
！ｌ１Ｒ１１での耐食性テスト等を行なった。

結果は第１表に示す如く、大変良好であった。

実施例２ 実施例１におけるステアリン酸の弔分子膜を３層累禎し
た以外は、実施例１と全く同様にして、テープを作製し
、性能評価を行った結果を第１表に示す。その結果は、
単分子膜のものと同等に良好であった。

実施例３ ′Ｆ記式（２）に示すω−トリコセン酸ＯＨ２・ＣＨ（
（：）Ｉ２）２゜０００１１　　　　（２）を１．１．
ｌ−トリクロロエタンに溶解せしめ（濃度ｌＸ１０〜３
Ｍ）だ後、ｐＨ３、水温２０℃の水相１４（第２図）Ｆ
に展開し、膜状に析出させた。溶媒蒸発除去後、表面圧
を３０ｍＮ／ｍに迄高めた。表面圧を一定に保ち乍ら実
施例１と同様にして作成した、膜厚８０人の酸化コバル
ト膜を含むＣｒｏ−Ｃｒ磁性薄膜を担体とし、１ｍ　／
ｍｉｎの速度で係る担体を水面を横切る方向に水中より
引きトげ、ω−トリコセン酸の１１１分７′−膜を係る
担体トに形成した。こうして得た磁気シートを５０℃の
真空恒温炉（真空度１０’　Ｌｏｒｒ）にて５分間真空
熱処理を行なった後、　８　、０ｍｍ幅スリットした。

このテープを実施例１と同様にして性能評価を行なった
。結果を第１表に示す。

比較例１ 実施例１におけるステアリン酸の重分１膜をステアリン
酸カドミウム塩のｍ分７−１漠に変更した以外は全〈実
施例１と同様にしてディスクを作製した。この時の製膜
条件として水相１４は塩化カドミウム５　ｘ　１０−　
Ｍ　、　ｐＨ６，８、水温２０℃に調製した。

又、製膜は表面圧３０＋ｕＮ／ｍのもと、引きＦげ速度
ｌｍ／ｍｉｎにて行った。係るテープの性能評価結果を
第１表に示す。

比較例２．３ 実施例１及び３に於いて各々熱処理乃至真空処理工程を
省略した他は全く同等にして得られたテープの性能評価
を行なった。結果を第１表に示す。

［ｎ］磁気ディスクの製造 〈ディスクの評価法〉 スチルビデオデツキ（試作機）で再生出力、耐久性、円
周方向の出力変動（出力ムラ）を測定、耐久性は連続５
０時間釘生し、出力の低Ｆが６ｄＢ以ドのものをＯとす
る。出力ムラは１トラツク中での出力の最大値と最小値
の差を示す。

実施例４ ３、：］］’、４，４°−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物４０モル、ピロメリット酸二無水物：６０モル
、バラフェニレンジアミン：５０モル及び４，４°−ジ
アミンジフェニルエーテル：５０モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例１と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例１と同一方法にて厚さ４
０ＩｉＪＩの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。

この芳香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が４００
ｋｇ／＋ｎｍ２、１００〜３００℃における熱膨張係数
αが２．６ｘ　１０’　ｃｍ／ｃｍ／”Ｃ１Ｒｚは３０
人であった。

この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて＋４４　課ヘースフィ
ルムトにＣｏ　８０ｗＬ％　−Ｃｒ　２０ｗ１Ｊの用直
電化膜をベースフィルムの温度を１５０℃として、約０
．５鱗形成した後、そのＦ部に酸素１２％を含む媒ジア
セチレン化合物；　ＩＱ、＋２−ウントリアコンタジイ
ノイン酸 Ｃ１１３（Ｃ１１２）＋ｔＣＦ（ニーＣ＝Ｃ−（ＧＨ２
）ａｃＯＯＩＩ　　（：］）をクロロホルムに溶解せし
め（濃度ｆＩＩ１ｇ／ｍｌ）た後、ｐＨ５水温２０℃の
水相１４（第２図）上に展開しｔｏ、＋２−ウンドリア
コンタジイノイン酸を膜状に析出させた。溶媒蒸発除去
後、表面圧を３０ｍＮ／ｍにまで高めた。表面圧を一定
に保ちながら、−ト述磁性薄膜を担体とし、１ｍ／１Ｉ
ｌｉｎ　　の速度で係る担体を水面を横切る方向に水中
より引き−［げ、１０．１２−ウントリアコンタジｒツ
イン酸の単分子膜を係る担体トに形成した。このように
して得た磁気シートを真空恒温炉にて５分間真空処理を
行った後、直径４７＋ｎｍφのディスクに打ち抜き加り
し、ビデオディスク再生機を用いて評価した。

その結果は第２表に示した様に大変良好であった。

実施例５ 実施例４に於ける有機保護層をステアリン酸のｍ分子膜
に変更した他は実施例４と全く同様にしてディスクを作
成した。この際、学分子−膜の作成条件は実施例１と全
く同等であった。かかるディスクの性能評価の結果を第
２表に示す。

比較例４，５ 実施例４及び５に於いて、各々熱処理り程を省略した他
は全く同等にして得られたディスクの性能評価を行なっ
た。その結果を第２表に示す。

比較例６ 実施例１において酸化コバルト層とパーフルオロデカン
酸アルミニウム塩層の代わりに純鉄系磁性体を塗布した
市販のメタル塗布型の磁気シートを直径４７０ｍφのデ
ィスクに打ち抜き加下し、ビデオディスク再生機を用い
て評価した。結果を第２表に示す。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明による磁気記録媒体の製造
方法によれば、走行性、耐久性、耐環境性の優れた高密
度磁気記録媒体の実現をならしめることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によって製造される磁気記録媒体の構成
図であり、第２図（ａ）　、　（ｂ）は本発明の製造方
法に使用される中１分子−又は四分子累積膜形成装置で
ある。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、磁性体層を積層し、次いで分子内に親
   水性部位と疎水性部位とを有する脂肪酸の単分子膜又は
   その累積膜を含む有機保護層を積層し、更に得られた積
   層物に熱処理及び／又は真空処理を施すことを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造方法。
2. （２）前記有機保護層と前記磁性体層の間に中間層を設
   けた特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
3. （３）前記有機保護層の厚みが１５Å以上１００Å以下
   である特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
4. （４）前記中間層が酸化コバルトの薄膜である特許請求
   の範囲第２項記載の製造方法。
5. （５）前記基体が芳香族ポリイミドフィルムである特許
   請求の範囲第１項記載の製造方法。