JPS62273624A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS62273624A JPS62273624A JP11485086A JP11485086A JPS62273624A JP S62273624 A JPS62273624 A JP S62273624A JP 11485086 A JP11485086 A JP 11485086A JP 11485086 A JP11485086 A JP 11485086A JP S62273624 A JPS62273624 A JP S62273624A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 28
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 9
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 abstract description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- ADHNUPOJJCKWRT-JLXBFWJWSA-N (2e,4e)-octadeca-2,4-dienoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC\C=C\C=C\C(O)=O ADHNUPOJJCKWRT-JLXBFWJWSA-N 0.000 abstract description 3
- ADHNUPOJJCKWRT-UHFFFAOYSA-N 2,4-octadecadienoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC=CC=CC(O)=O ADHNUPOJJCKWRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 81
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- -1 ω-tricosenic acid Chemical compound 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N ethenyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC=C AFSIMBWBBOJPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- GWOWVOYJLHSRJJ-UHFFFAOYSA-L cadmium stearate Chemical compound [Cd+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O GWOWVOYJLHSRJJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- XFMDETLOLBGJAX-UHFFFAOYSA-N 2-methylideneicosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=C)C(O)=O XFMDETLOLBGJAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N octadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C HMZGPNHSPWNGEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAJWMJJORKPKS-UHFFFAOYSA-N octadecyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C FSAJWMJJORKPKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006297 γ-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造
方法に関する。
方法に関する。
一般に、強磁性金属もしくは合金を真空蒸着、スパッタ
リング等によって基体上に被着するか、または磁性粉末
を結合剤と共に基体上に結着して作られた磁気記録媒体
は、記録再生時に磁気ヘッド等と摺接することによって
、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着等によって被着
された強磁性金属薄膜層は、高密度記録に適した特性を
有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて摩耗や
損傷を受けやすく、また空気中で徐々に酸化されて最大
磁束密度等の磁気特性が劣化する等の電点を有している
。
リング等によって基体上に被着するか、または磁性粉末
を結合剤と共に基体上に結着して作られた磁気記録媒体
は、記録再生時に磁気ヘッド等と摺接することによって
、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着等によって被着
された強磁性金属薄膜層は、高密度記録に適した特性を
有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて摩耗や
損傷を受けやすく、また空気中で徐々に酸化されて最大
磁束密度等の磁気特性が劣化する等の電点を有している
。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐摩耗性および耐食性を改善する努力が払われ
ており、たとえば高級脂肪酸やその金属塩、アミド、エ
ステル等を溶媒に溶かし塗布する方法(特開昭53−8
8704号)や真空蒸着する方法(特開昭56−723
5号、特開昭57−135628号)。
などして耐摩耗性および耐食性を改善する努力が払われ
ており、たとえば高級脂肪酸やその金属塩、アミド、エ
ステル等を溶媒に溶かし塗布する方法(特開昭53−8
8704号)や真空蒸着する方法(特開昭56−723
5号、特開昭57−135628号)。
あるいはフッ素系有機化合物やケイ素系有機化合物のプ
ラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり(特開昭58
−88828号、特開昭58−60427号)、さらに
はプラズマ重合保護膜層上に炭素炭素不飽和基を有する
化合物からなる潤滑剤層を設ける(特開昭59−154
643号)ことなどが提案されている。
ラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり(特開昭58
−88828号、特開昭58−60427号)、さらに
はプラズマ重合保護膜層上に炭素炭素不飽和基を有する
化合物からなる潤滑剤層を設ける(特開昭59−154
643号)ことなどが提案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記の高級脂肪酸やその金属塩、アミド、エス
テル等からなる潤滑剤層を磁性層上に設けたものは、潤
滑剤層が不均一に被着していたり、磁性層との付着力が
弱いために、走行性を改善するものの未だ十分ではなく
、またプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり、プ
ラズマ重合保護膜層上にさらに炭素炭素不飽和基を有す
る化合物からなる潤滑剤層を設けたものは、耐摩耗性お
よび耐食性を改善するものの未だ十分ではなく、いずれ
も磁気ヘッドとの摺接により短期間で摩耗したり、高温
多湿下で最高磁束密度等の磁気特性が劣化し、十分に良
好な耐久性が得られるまでに至っていない。
テル等からなる潤滑剤層を磁性層上に設けたものは、潤
滑剤層が不均一に被着していたり、磁性層との付着力が
弱いために、走行性を改善するものの未だ十分ではなく
、またプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり、プ
ラズマ重合保護膜層上にさらに炭素炭素不飽和基を有す
る化合物からなる潤滑剤層を設けたものは、耐摩耗性お
よび耐食性を改善するものの未だ十分ではなく、いずれ
も磁気ヘッドとの摺接により短期間で摩耗したり、高温
多湿下で最高磁束密度等の磁気特性が劣化し、十分に良
好な耐久性が得られるまでに至っていない。
本発明は上記従来技術の欠点を補い、耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明に係る磁気記録媒体の一つは、磁性層上に架橋結
合された脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜を設
けることにより、耐摩耗性および耐食性を十分に改善し
たものである。また、本発明に係る磁気記録媒体の他の
一つは、磁性層上に耐摩耗性および耐食性を付与する高
分子化合物からなる保護膜層を設け、さらにこの高分子
化合物からなる保護膜層上に架橋結合された脂肪族化合
物の単分子膜またはその累積膜を設けることにより、耐
摩耗性および耐食性を十分に改善したものである。
合された脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜を設
けることにより、耐摩耗性および耐食性を十分に改善し
たものである。また、本発明に係る磁気記録媒体の他の
一つは、磁性層上に耐摩耗性および耐食性を付与する高
分子化合物からなる保護膜層を設け、さらにこの高分子
化合物からなる保護膜層上に架橋結合された脂肪族化合
物の単分子膜またはその累積膜を設けることにより、耐
摩耗性および耐食性を十分に改善したものである。
これらの架橋結合された脂肪族化合物の単分子膜または
その累積膜は、磁性層または高分子化合物からなる保護
膜層上に二重結合や三重結合などの不飽和結合を持つ重
合性脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜をラング
ミュア・ブロジェット法により形成した後、この重合性
脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜に紫外線、電
子線またはγ線を照射することによって得られる。この
紫外線、電子線またはγ線の照射により、重合性脂肪族
化合物の単分子膜またはその累積膜に重合反応を生じさ
せ、垂直配向した分子間で架橋結合を形成させることが
できる。その結果、膜の機械的強度が向上し、膜質が一
段とち密になって、良好な潤滑効果が得られ、かつガス
の透過を十分に抑制できるようになる。
その累積膜は、磁性層または高分子化合物からなる保護
膜層上に二重結合や三重結合などの不飽和結合を持つ重
合性脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜をラング
ミュア・ブロジェット法により形成した後、この重合性
脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜に紫外線、電
子線またはγ線を照射することによって得られる。この
紫外線、電子線またはγ線の照射により、重合性脂肪族
化合物の単分子膜またはその累積膜に重合反応を生じさ
せ、垂直配向した分子間で架橋結合を形成させることが
できる。その結果、膜の機械的強度が向上し、膜質が一
段とち密になって、良好な潤滑効果が得られ、かつガス
の透過を十分に抑制できるようになる。
ラングミュア・ブロジェット法により形成される脂肪族
化合物の単分子膜は、金属表面の潤滑性や耐摩耗性の向
上を目的として古くから研究されている(バウデン・テ
ィパー、曽田範宗訳「固体の摩擦と潤滑」、昭和57.
1.20、丸善、2.169)。しかしながら、単分子
膜自体の機械的強度が十分でなく、積層数を多くしない
と膜が破断し、良好な潤滑効果が得られないという欠点
があり、特に磁性層上の保護膜または潤滑剤層として用
いる場合には、膜厚が余り厚くなりすぎると、スペーシ
ングロスが大きくなり、電磁変換特性への悪影響が問題
となる。
化合物の単分子膜は、金属表面の潤滑性や耐摩耗性の向
上を目的として古くから研究されている(バウデン・テ
ィパー、曽田範宗訳「固体の摩擦と潤滑」、昭和57.
1.20、丸善、2.169)。しかしながら、単分子
膜自体の機械的強度が十分でなく、積層数を多くしない
と膜が破断し、良好な潤滑効果が得られないという欠点
があり、特に磁性層上の保護膜または潤滑剤層として用
いる場合には、膜厚が余り厚くなりすぎると、スペーシ
ングロスが大きくなり、電磁変換特性への悪影響が問題
となる。
本発明は、前述したように、分子間で架橋結合を形成す
ることによって機械的強度を向上させ。
ることによって機械的強度を向上させ。
かつガスの透過を十分に抑制する効果を持たせた脂肪族
化合物の単分子膜またはその累積膜を磁性層または高分
子化合物からなる保護膜層の上に設けることで、従来、
脂肪族化合物の単分子膜が持っていた機械的強度が不十
分で破断しやすい等の欠点を解消して、スペーシングロ
スを大きくすることなく耐摩耗性および耐食性を十分に
改善し、耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するもので
ある。
化合物の単分子膜またはその累積膜を磁性層または高分
子化合物からなる保護膜層の上に設けることで、従来、
脂肪族化合物の単分子膜が持っていた機械的強度が不十
分で破断しやすい等の欠点を解消して、スペーシングロ
スを大きくすることなく耐摩耗性および耐食性を十分に
改善し、耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するもので
ある。
本発明において、単分子膜またはその累積膜を形成する
のに用いる重合性脂肪族化合物としては、2.4−オク
タデカジエン酸、ω−トリコセン酸、α−オクタデシル
アクリル酸、ジアセチレンモノカルボン酸類(たとえば
、CH3(CHz)zs−C=c−c=c−(cH2)
、−c○OHCH,−(CH,)、5−C−C−CEC
−(CH,)2−COOH)などのカルボン酸やビニル
ステアレート、オクタデシルアクリレート、オクタデシ
ルメタクリレートなどのエステルがある。これらの重合
性脂肪族化合物をクロロホルム、ヘキサン、ベンゼン等
の溶媒に溶かし、水面上に展開して単分子膜を作り、適
当な表面圧に圧縮した水面上の単分子膜を磁性層または
高分子化合物からなる保護膜層上に移すことにより、磁
性層または高分子化合物からなる保護膜層上に重合性脂
肪族化合物の単分子膜またはその累積膜を形成する。そ
の後、紫外線、電子線またはγ線を照射することにより
1重合反応を起こさせ1分子間を架橋結合させる。重合
条件としては、たとえば300Wの水銀灯を用い、単分
子膜を被着したフィルムをlc+*/+minの速度で
走行させながら紫外線を照射するか、電子線照射やγ線
照射をそれぞれ1.0Mrad程度の条件で行なえば十
分である。
のに用いる重合性脂肪族化合物としては、2.4−オク
タデカジエン酸、ω−トリコセン酸、α−オクタデシル
アクリル酸、ジアセチレンモノカルボン酸類(たとえば
、CH3(CHz)zs−C=c−c=c−(cH2)
、−c○OHCH,−(CH,)、5−C−C−CEC
−(CH,)2−COOH)などのカルボン酸やビニル
ステアレート、オクタデシルアクリレート、オクタデシ
ルメタクリレートなどのエステルがある。これらの重合
性脂肪族化合物をクロロホルム、ヘキサン、ベンゼン等
の溶媒に溶かし、水面上に展開して単分子膜を作り、適
当な表面圧に圧縮した水面上の単分子膜を磁性層または
高分子化合物からなる保護膜層上に移すことにより、磁
性層または高分子化合物からなる保護膜層上に重合性脂
肪族化合物の単分子膜またはその累積膜を形成する。そ
の後、紫外線、電子線またはγ線を照射することにより
1重合反応を起こさせ1分子間を架橋結合させる。重合
条件としては、たとえば300Wの水銀灯を用い、単分
子膜を被着したフィルムをlc+*/+minの速度で
走行させながら紫外線を照射するか、電子線照射やγ線
照射をそれぞれ1.0Mrad程度の条件で行なえば十
分である。
一方、高分子化合物からなる保護膜層は、プラズマ重合
法、スパッタリング法などの公知の方法により磁性層上
に被着形成される。プラズマ重合法により保護膜層を形
成す場合、モノマーとしては、メタン、エチレン、ベン
ゼン、アセチレン等の炭化水素もしくはそのフッ素化合
物(たとえばテトラフロロエチレン)またはケイ素を含
む有機化合物(たとえばテトラメチルシラン)などが用
いられる。また、スパッタリング法により保護膜層を形
成するのに適した高分子化合物の例としては、ポリテト
ラフルオルエチレン(商品名テフロン)、ポリイミドな
どが挙げられる。これらの方法により形成された高分子
化合物からなる保護膜層は、その後、紫外線、電子線ま
たはγ線を照射することにより、新たな架橋結合が形成
され、その結果1機械的強度およびガスの透過を抑制す
る効果がさらに向上する。この高分子化合物からなる保
護膜層は50〜100人の厚さに被着させるのが好まし
く、この高分子化合物からなる保護膜層と脂肪族化合物
の単分子膜またはその累積膜との合計の膜厚が200人
を越えると、磁気記録媒体としてのスペーシングロスが
大きくなりすぎて、電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
法、スパッタリング法などの公知の方法により磁性層上
に被着形成される。プラズマ重合法により保護膜層を形
成す場合、モノマーとしては、メタン、エチレン、ベン
ゼン、アセチレン等の炭化水素もしくはそのフッ素化合
物(たとえばテトラフロロエチレン)またはケイ素を含
む有機化合物(たとえばテトラメチルシラン)などが用
いられる。また、スパッタリング法により保護膜層を形
成するのに適した高分子化合物の例としては、ポリテト
ラフルオルエチレン(商品名テフロン)、ポリイミドな
どが挙げられる。これらの方法により形成された高分子
化合物からなる保護膜層は、その後、紫外線、電子線ま
たはγ線を照射することにより、新たな架橋結合が形成
され、その結果1機械的強度およびガスの透過を抑制す
る効果がさらに向上する。この高分子化合物からなる保
護膜層は50〜100人の厚さに被着させるのが好まし
く、この高分子化合物からなる保護膜層と脂肪族化合物
の単分子膜またはその累積膜との合計の膜厚が200人
を越えると、磁気記録媒体としてのスペーシングロスが
大きくなりすぎて、電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
基体上の磁性層は、γ−Fe2o3粉末、Fe50゜粉
末、Go含有y−Fe、O,粉末、CO含有Fe、04
粉末、Fe粉末、Co粉末、Fe−Ni粉末などの磁性
粉末を結合剤成分および有機溶媒とともに基体上に塗布
、乾燥するか、またはCo、 Ni、 Fe。
末、Go含有y−Fe、O,粉末、CO含有Fe、04
粉末、Fe粉末、Co粉末、Fe−Ni粉末などの磁性
粉末を結合剤成分および有機溶媒とともに基体上に塗布
、乾燥するか、またはCo、 Ni、 Fe。
Go−Ni、Go−Cr、Go−P、Co−N1−Pな
どの強磁性材を真空蒸着、イオンブレーティング、スパ
ッタリング、メッキ等によって基体上に被着させるなど
の方法で形成される。
どの強磁性材を真空蒸着、イオンブレーティング、スパ
ッタリング、メッキ等によって基体上に被着させるなど
の方法で形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
以下、本発明の代表的な実施例について詳述し、併せて
検証のための比較例を示す。
検証のための比較例を示す。
実施例1
厚さ10.のポリエステルフィルムを基体として使用し
、これを真空蒸着装置に装填し、I X’lO−’トー
ルの真空下でコバルトを加熱蒸発させて、ポリエステル
フィルム上に厚さ1000人の強磁性金属薄膜からなる
磁性層を形成した。次いで、第3図に示すラングミュア
・ブロジェット法による単分子膜形成装置を用い、磁性
層を形成したフィルム1を供給リール2から単分子膜形
成ロール3に沿って巻取リール4に巻き取られるように
装填した。
、これを真空蒸着装置に装填し、I X’lO−’トー
ルの真空下でコバルトを加熱蒸発させて、ポリエステル
フィルム上に厚さ1000人の強磁性金属薄膜からなる
磁性層を形成した。次いで、第3図に示すラングミュア
・ブロジェット法による単分子膜形成装置を用い、磁性
層を形成したフィルム1を供給リール2から単分子膜形
成ロール3に沿って巻取リール4に巻き取られるように
装填した。
また、水槽5内の水6にCdCu2を5X10−’Mの
濃度になるように溶かし、0.INのHCAと0.1N
のNaOHでPHが7.0になるように調整した。その
水面上に2,4−オクタデカジエン酸のクロロホルム溶
液を展開させ、浮き7.8により表面圧を20mN/+
mに保ちながら、フィルム1を水中を通して2cm/@
inの速度で走行させることにより、磁性層上に2,4
−オクタデカジエン酸カドミウムの単分子膜を1層形成
した0次いで、3QOWの水銀灯を用い、上記単分子膜
を被着したフィルムを1cm/a+inの速度で走行さ
せながら紫外線を照射した。その後、フィルムを所定の
幅に裁断して、第1図に示すようなポリエステルフィル
ムからなる基体1上に強磁性金属薄膜からなる磁性層9
および架橋結合された2、4−オクタデカジエン酸カド
ミウムの単分子膜10を順次積層して形成した磁気テー
プを作った。
濃度になるように溶かし、0.INのHCAと0.1N
のNaOHでPHが7.0になるように調整した。その
水面上に2,4−オクタデカジエン酸のクロロホルム溶
液を展開させ、浮き7.8により表面圧を20mN/+
mに保ちながら、フィルム1を水中を通して2cm/@
inの速度で走行させることにより、磁性層上に2,4
−オクタデカジエン酸カドミウムの単分子膜を1層形成
した0次いで、3QOWの水銀灯を用い、上記単分子膜
を被着したフィルムを1cm/a+inの速度で走行さ
せながら紫外線を照射した。その後、フィルムを所定の
幅に裁断して、第1図に示すようなポリエステルフィル
ムからなる基体1上に強磁性金属薄膜からなる磁性層9
および架橋結合された2、4−オクタデカジエン酸カド
ミウムの単分子膜10を順次積層して形成した磁気テー
プを作った。
実施例2
実施例1中の単分子膜形成工程において、2゜4−オク
タデカジエン酸カドミウムの単分子膜を3層累積して形
成した以外は実施例1と同様にして磁気テープを作った
。
タデカジエン酸カドミウムの単分子膜を3層累積して形
成した以外は実施例1と同様にして磁気テープを作った
。
実施例3
実施例1中の単分子膜形成工程において、2゜4−オク
タデカジエン酸に代えてω−トリコセン酸とステアリン
酸を用い、ω−トリコセン酸カドミウムの単分子膜を1
層、ステアリン酸カドミウムの単分子膜を2層累積して
形成し、紫外線照射に代えて電子線照射を1.0Mra
dの条件で行なった以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープを作った。
タデカジエン酸に代えてω−トリコセン酸とステアリン
酸を用い、ω−トリコセン酸カドミウムの単分子膜を1
層、ステアリン酸カドミウムの単分子膜を2層累積して
形成し、紫外線照射に代えて電子線照射を1.0Mra
dの条件で行なった以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープを作った。
実施例4
実施例1中の単分子膜形成工程において、2゜4−オク
タデカジエン酸に代えてビニルステアレートを用い、紫
外線照射に代えて”Coによるγ線照射を1.0Mra
dの条件で行なった以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープを作った。
タデカジエン酸に代えてビニルステアレートを用い、紫
外線照射に代えて”Coによるγ線照射を1.0Mra
dの条件で行なった以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープを作った。
比較例1
実施例1中の単分子膜の形成および紫外線照射を省き、
それ以外は実施例1と同様にして磁気テープを作った。
それ以外は実施例1と同様にして磁気テープを作った。
比較例2
実施例1中の紫外線照射を省き、それ以外は実施例1と
同様にして磁気テープを作った。
同様にして磁気テープを作った。
上記実施例1〜4および比較例1.2で得られた磁気テ
ープについて摩擦係数を測定し、耐摩耗性および耐食性
を試験した。耐摩耗性試験は、市販のVTRテープデツ
キを用い、20℃、50%RHの条件下で、得られた磁
気テープのスチル再生試験(テープ固定、磁気ヘッドの
み摺動)を行ない、スチル再生寿命(スチル再生ができ
なくなるまでの時間)を測定して行なった。また、耐食
性試験は、得られた磁気テープを60℃、90%RHの
条件下に7日間放置後の最大磁束密度を測定し、放置前
の磁気テープの最大磁束密度を100%として、これと
比較した値で劣化率を調べる方法で行なった。表1はそ
の結果である。
ープについて摩擦係数を測定し、耐摩耗性および耐食性
を試験した。耐摩耗性試験は、市販のVTRテープデツ
キを用い、20℃、50%RHの条件下で、得られた磁
気テープのスチル再生試験(テープ固定、磁気ヘッドの
み摺動)を行ない、スチル再生寿命(スチル再生ができ
なくなるまでの時間)を測定して行なった。また、耐食
性試験は、得られた磁気テープを60℃、90%RHの
条件下に7日間放置後の最大磁束密度を測定し、放置前
の磁気テープの最大磁束密度を100%として、これと
比較した値で劣化率を調べる方法で行なった。表1はそ
の結果である。
表1
次に、高分子化合物からなる保護膜層を有する本発明の
他の実施例について詳述し、併せて検証のための比較例
を示す。
他の実施例について詳述し、併せて検証のための比較例
を示す。
実施例5
厚さl10l1のポリエステルフィルムを基体として使
用し、これを真空蒸着装置に装填し、lX10−’トー
ルの真空下でコバルトを加熱蒸発させて、ポリエステル
フィルム上に厚さ1000人の強磁性金属薄膜からなる
磁性層を形成した。次いで、第4図に示すプラズマ処理
装置を使用し、磁性層を形成したポリエステルフィルム
1を処理槽ll内の供給リール12から供給され、巻取
リール13に巻き取られるように装填した。処理槽11
内を排気系14により減圧し、ガス導入管15からモノ
マーガスとしてのメタンを100sec+aの流量で導
入して、ガス圧o、os h−ル、下部電極16の高周
波電力密度O,SW/c112の条件でプラズマ重合処
理を行ない、磁性層上に厚さ50人のプラズマ重合保護
膜層を形成した。第4図中、17は上部電極、18は高
周波電源であり、印加周波数は13.56MHzとした
。次いで。
用し、これを真空蒸着装置に装填し、lX10−’トー
ルの真空下でコバルトを加熱蒸発させて、ポリエステル
フィルム上に厚さ1000人の強磁性金属薄膜からなる
磁性層を形成した。次いで、第4図に示すプラズマ処理
装置を使用し、磁性層を形成したポリエステルフィルム
1を処理槽ll内の供給リール12から供給され、巻取
リール13に巻き取られるように装填した。処理槽11
内を排気系14により減圧し、ガス導入管15からモノ
マーガスとしてのメタンを100sec+aの流量で導
入して、ガス圧o、os h−ル、下部電極16の高周
波電力密度O,SW/c112の条件でプラズマ重合処
理を行ない、磁性層上に厚さ50人のプラズマ重合保護
膜層を形成した。第4図中、17は上部電極、18は高
周波電源であり、印加周波数は13.56MHzとした
。次いで。
実施例1と同様にしてプラズマ重合保護膜層上に2,4
−オクタデカジエン酸カドミウムの単分子膜を1層形成
し、紫外線照射を行なった。その後、フィルムを所定の
幅に裁断して、第2図に示すようなポリエステルフィル
ムからなる基体1上に強磁性金属薄膜からなる磁性層9
.プラズマ重合保護膜層19および架橋結合された2、
4−オクタデカジエン酸カドミウムの単分子膜10を順
次積層して形成した磁気テープを作った。
−オクタデカジエン酸カドミウムの単分子膜を1層形成
し、紫外線照射を行なった。その後、フィルムを所定の
幅に裁断して、第2図に示すようなポリエステルフィル
ムからなる基体1上に強磁性金属薄膜からなる磁性層9
.プラズマ重合保護膜層19および架橋結合された2、
4−オクタデカジエン酸カドミウムの単分子膜10を順
次積層して形成した磁気テープを作った。
実施例6
実施例5中の単分子膜形成工程において、2゜4−オク
タデカジエン酸カドミウムの単分子膜を3層形成した以
外は実施例5と同様にして磁気テープを作った。
タデカジエン酸カドミウムの単分子膜を3層形成した以
外は実施例5と同様にして磁気テープを作った。
実施例7
実施例5中の単分子膜形成工程において、2゜4−オク
タデカジエン酸に代えてω−トリコセン酸とステアリン
酸を用い、プラズマ重合保護膜層上にω−トリコセン酸
カドミウムの単分子膜1層。
タデカジエン酸に代えてω−トリコセン酸とステアリン
酸を用い、プラズマ重合保護膜層上にω−トリコセン酸
カドミウムの単分子膜1層。
ステアリン酸カドミウムの単分子膜を2層累積して形成
し、紫外線照射に代えて電子線照射を1.OMradの
条件で行なった以外は実施例5と同様にして磁気テープ
を作った。
し、紫外線照射に代えて電子線照射を1.OMradの
条件で行なった以外は実施例5と同様にして磁気テープ
を作った。
実施例8
実施例5中の単分子膜形成工程において、2゜4−オク
タデカジエン酸に代えてビニルステアレートを用い、紫
外線照射に代えて”Coによるγ線照射を1.OMra
dの条件で行なった以外は実施例5と同様にして磁気テ
ープを作った。
タデカジエン酸に代えてビニルステアレートを用い、紫
外線照射に代えて”Coによるγ線照射を1.OMra
dの条件で行なった以外は実施例5と同様にして磁気テ
ープを作った。
比較例3
実施例5中のプラズマ重合像SSの形成、単分子膜の形
成および紫外線照射を省き、それ以外は実施例5と同様
にして磁気テ゛−プを作った。
成および紫外線照射を省き、それ以外は実施例5と同様
にして磁気テ゛−プを作った。
比較例4
実施例5中の単分子膜の形成および紫外線照射を省き、
それ以外は実施例5と同様にして磁気テープを作った。
それ以外は実施例5と同様にして磁気テープを作った。
上記実施例5〜8および比較例3,4で得られた磁気テ
ープについて摩擦係数を測定し、耐摩耗性および耐食性
を試験した。試験条件は表1と同じである。表2にその
結果を示す。
ープについて摩擦係数を測定し、耐摩耗性および耐食性
を試験した。試験条件は表1と同じである。表2にその
結果を示す。
表2
〔発明の効果〕
表1および表2から明らかなように、本発明で得られた
磁気テープ(実施例1〜4および実施例5〜8)は、比
較例1.2および比較例3.4で得られた磁気テープに
比べ、摩擦係数が小さく、スチル再生寿命が長くて、劣
化率が小さい。このことから、本発明により得られる磁
気記録媒体は耐摩耗性、耐食性に優れ、耐久性が一段と
向上していることがわかる。
磁気テープ(実施例1〜4および実施例5〜8)は、比
較例1.2および比較例3.4で得られた磁気テープに
比べ、摩擦係数が小さく、スチル再生寿命が長くて、劣
化率が小さい。このことから、本発明により得られる磁
気記録媒体は耐摩耗性、耐食性に優れ、耐久性が一段と
向上していることがわかる。
第1図は本発明による磁気記録媒体の一例を示す部分拡
大断面図、第2図は本発明による磁気記録媒体の他の例
を示す部分拡大断面図、第3図は脂肪族化合物の単分子
膜を形成する際に用いるラングミュア・ブロジェット法
による単分子膜形成装置の概略断面図、第4図は高分子
化合物からなる保護膜層を形成する際に用いるプラズマ
処理装置の概略断面図である。 1・・・基体(ポリエステルフィルム)9・・・磁性層
(強磁性金属薄膜) 10・・・架橋結合された脂肪族化合物の単分子膜また
はその累積膜 19・・・プラズマ重合保護膜層 代理人弁理士 中 村 純之助 1−sa<ポリエステルフィルム) 9°−°感性層(強雇性!属薄膜) 第1図 1、− 基体(ポリエステルフィルム)9−チー石性層
(強雇性!属薄膜) 19・−プラズマ重含保護膜層 第 2 図 端3図 第4図
大断面図、第2図は本発明による磁気記録媒体の他の例
を示す部分拡大断面図、第3図は脂肪族化合物の単分子
膜を形成する際に用いるラングミュア・ブロジェット法
による単分子膜形成装置の概略断面図、第4図は高分子
化合物からなる保護膜層を形成する際に用いるプラズマ
処理装置の概略断面図である。 1・・・基体(ポリエステルフィルム)9・・・磁性層
(強磁性金属薄膜) 10・・・架橋結合された脂肪族化合物の単分子膜また
はその累積膜 19・・・プラズマ重合保護膜層 代理人弁理士 中 村 純之助 1−sa<ポリエステルフィルム) 9°−°感性層(強雇性!属薄膜) 第1図 1、− 基体(ポリエステルフィルム)9−チー石性層
(強雇性!属薄膜) 19・−プラズマ重含保護膜層 第 2 図 端3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁性層上に架橋結合された脂肪族化合物の単分子膜
またはその累積膜を有する磁気記録媒体。 2、基体上に磁性層を形成する工程と、この磁性層上に
ラングミュア・ブロジェット法により重合性脂肪族化合
物の単分子膜またはその累積膜を形成する工程と、この
重合性脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜に紫外
線、電子線またはγ線を照射し、分子間を架橋結合する
工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。 3、磁性層上に高分子化合物からなる保護膜層を有し、
さらにこの高分子化合物からなる保護膜層上に架橋結合
された脂肪族化合物の単分子膜またはその累積膜を有す
る磁気記録媒体。 4、基体上に磁性層を形成する工程と、この磁性層上に
高分子化合物からなる保護膜層を形成する工程と、この
高分子化合物からなる保護膜層上にラングミュア・ブロ
ジェット法により重合性脂肪族化合物の単分子膜または
その累積膜を形成する工程と、この重合性脂肪族化合物
の単分子膜またはその累積膜に紫外線、電子線またはγ
線を照射し、分子間を架橋結合する工程とを含む磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11485086A JPS62273624A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11485086A JPS62273624A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62273624A true JPS62273624A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14648269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11485086A Pending JPS62273624A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62273624A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01107315A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH01298521A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH02281416A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Onoda Cement Co Ltd | 両親媒性単分子層被膜を有するデータ記録構造体及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP11485086A patent/JPS62273624A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01107315A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH01298521A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH02281416A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Onoda Cement Co Ltd | 両親媒性単分子層被膜を有するデータ記録構造体及びその製造方法 |
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