JPS6258417A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6258417A JPS6258417A JP19834185A JP19834185A JPS6258417A JP S6258417 A JPS6258417 A JP S6258417A JP 19834185 A JP19834185 A JP 19834185A JP 19834185 A JP19834185 A JP 19834185A JP S6258417 A JPS6258417 A JP S6258417A
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- film layer
- protective film
- metal thin
- thin film
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- Lubricants (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記
録媒体に関し、さらに詳しくは摩擦係数が小さくて走行
性に優れ、かつ耐久性に優れた前記の磁気記録媒体に関
する。
録媒体に関し、さらに詳しくは摩擦係数が小さくて走行
性に優れ、かつ耐久性に優れた前記の磁気記録媒体に関
する。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が太き（て摩耗や損傷を受は易く、また
空気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が太き（て摩耗や損傷を受は易く、また
空気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
このため、従来から強磁性金属薄膜層上に種々の保護膜
層を設けるなどして、耐久性および耐食性を改善するこ
とが行われており、たとえば、フッ素系有機化合物やケ
イ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層を強磁性金属
薄膜層上に設けたり（特開昭５８−８８８２８号、特開
昭５８−６０４２７号）、さらにはプラズマ重合保護膜
層上に潤滑剤層を設ける（特開昭５９−１５４６４３号
）ことが提案されている。
層を設けるなどして、耐久性および耐食性を改善するこ
とが行われており、たとえば、フッ素系有機化合物やケ
イ素系有機化合物のプラズマ重合保護膜層を強磁性金属
薄膜層上に設けたり（特開昭５８−８８８２８号、特開
昭５８−６０４２７号）、さらにはプラズマ重合保護膜
層上に潤滑剤層を設ける（特開昭５９−１５４６４３号
）ことが提案されている。
ところが、これらのプラズマ重合保護膜層を強磁性金属
薄膜層上に設けたもの、さらにはプラズマ重合保護膜層
上に潤滑剤層を設けたものは、耐久性および耐食性を改
善するものの充分でなく、摩擦係数が充分に小さくなら
ず、磁気ヘッドによる摺動傷も発生しやすいなどの欠点
がある。
薄膜層上に設けたもの、さらにはプラズマ重合保護膜層
上に潤滑剤層を設けたものは、耐久性および耐食性を改
善するものの充分でなく、摩擦係数が充分に小さくなら
ず、磁気ヘッドによる摺動傷も発生しやすいなどの欠点
がある。
この発明はかかる現状に鑑み種々検討を行った結果なさ
れたもので、強磁性金属薄膜層をアミノ化合物のモノ−
７−ガスまたはアミノ化合物のモノマーガスを含む有機
化合物のモノマーガスもしくは窒素ガスを含む有機化合
物のモノマーガス中にさらし、プラズマ重合を行って、
強磁性金属薄膜層上に少なくとも炭素原子と窒素原子を
含有する有機高分子化合物からなる保護膜層を形成し、
さらにこの有機高分子化合物からなる保護膜層に含まれ
る窒素原子の四級化処理を施して、少なくとも炭素原子
と四級化窒素原子を含有した有機高分子化合物からなる
保護膜層を設け、この上にさらに潤滑剤層を設けること
によって、潤滑剤層を有機高分子化合物からなる保護膜
層上に強固に被着させ、摩擦係数を充分に小さくして走
行性を充分に向上させるとともに、耐久性を充分に向上
させたものである。
れたもので、強磁性金属薄膜層をアミノ化合物のモノ−
７−ガスまたはアミノ化合物のモノマーガスを含む有機
化合物のモノマーガスもしくは窒素ガスを含む有機化合
物のモノマーガス中にさらし、プラズマ重合を行って、
強磁性金属薄膜層上に少なくとも炭素原子と窒素原子を
含有する有機高分子化合物からなる保護膜層を形成し、
さらにこの有機高分子化合物からなる保護膜層に含まれ
る窒素原子の四級化処理を施して、少なくとも炭素原子
と四級化窒素原子を含有した有機高分子化合物からなる
保護膜層を設け、この上にさらに潤滑剤層を設けること
によって、潤滑剤層を有機高分子化合物からなる保護膜
層上に強固に被着させ、摩擦係数を充分に小さくして走
行性を充分に向上させるとともに、耐久性を充分に向上
させたものである。
この発明において、強磁性金属薄膜層の表面に形成され
る有機高分子化合物からなる保護膜層は、処理槽内で、
アミノ化合物のモノマーガス、またはアミノ化合物のモ
ノマーガスと有機化合物のモノマーガスとの混合モノマ
ーガス、あるいは窒素ガスと有機化合物のモノマーガス
との混合モノマーガスを、高周波によりプラズマ重合さ
せて前記の強磁性金属薄膜層上に析出形成することによ
って形成される。このプラズマ重合によって保護膜層を
形成するのに使用するアミノ化合物のモノマーガスとし
ては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、エ
チルアミン、シクロプロピルアミン、トリメチルシリル
ジメチルアミンなどのアミノ化合物のモノマーガスが好
適なものとして使用され、これらのアミノ化合物のモノ
マーガスおよび窒素ガスと混合して使用される有機化合
物のモノマーガスとしては、たとえば、エチレン、プロ
ピレン等の炭化水素系化合物のモノマーガス、０２Ｆ４
等のフッ素系有機化合物のモノマーガスおよびテトラメ
チルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘ
キサメチルジシラザン等のケイ素系有機化合物のモノマ
ーガス等が好ましく使用される。これらのアミノ化合物
のモノマーガス、およびアミノ化合物のモノマーガスや
窒素ガスと混合した有機化合物のモノマーガスは、高周
波によりラジカルが生成され、この生成されたラジカル
が反応し重合して被膜となる。このラジカルはこれらの
アミノ化合物や有機化合物が二重結合または三重結合を
有していたり、また有機化合物が末端に金属元素を有す
る金属塩化合物であるかあるいはＯＨ基等の官能基を有
しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合を有
するアミノ化合物のモノマーガスや有機化合物のモノマ
ーガス、および金属元素、官能基等を有する有機化合物
のモノマーガスがより好ましく使用される。これらのア
ミノ化合物のモノマーガスと有機化合物のモノマーガス
が混合して使用される際、その組成割合はアミノ化合物
のモノマーガス対有機化合物のモノマーガスの容積比に
して１対１０〜３対１の割合で併存させるのが好ましく
、アミノ化合物のモノマーガスが少なすぎると保護膜層
中の窒素原子の含有割合が少なくなって所期の効果が得
られない。また窒素ガスと有機化合物のモノマーガスが
混合して使用される際、その組成割合は窒素ガス対有機
化合物のモノマーガスの容積比にして１対１０〜１０対
１の割合で併存させるのが好ましく、窒素ガスが少なす
ぎると保護膜層中の窒素原子の含有割合が少なくなって
所期の効果が得られない。またこれらのモノマーガスを
プラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよ
び酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモノマーガ
スを単独でプラズマ重合する場合に比べて３〜５倍の速
度で析出されるため、これらのキャリアガスを併存させ
て行うのが好ましい。これらのキャリアガスと併存させ
る際、その組成割合はキャリアガス対前記のモノマーガ
スの容積比にして１対２０〜１対１の割合で併存させる
のが好ましく、キャリアガスが少なすぎると析出速度が
低下し、多すぎるとモノマーガスが少なくなってプラズ
マ重合反応に支障をきたす。なお、炭化水素系化合物の
モノマーガスを使用するときは、酸素ガスをキャリアガ
スとして使用すると酸化反応が生じるため、酸素ガスを
キャリアガスとして使用するのは好ましくない。
る有機高分子化合物からなる保護膜層は、処理槽内で、
アミノ化合物のモノマーガス、またはアミノ化合物のモ
ノマーガスと有機化合物のモノマーガスとの混合モノマ
ーガス、あるいは窒素ガスと有機化合物のモノマーガス
との混合モノマーガスを、高周波によりプラズマ重合さ
せて前記の強磁性金属薄膜層上に析出形成することによ
って形成される。このプラズマ重合によって保護膜層を
形成するのに使用するアミノ化合物のモノマーガスとし
ては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、エ
チルアミン、シクロプロピルアミン、トリメチルシリル
ジメチルアミンなどのアミノ化合物のモノマーガスが好
適なものとして使用され、これらのアミノ化合物のモノ
マーガスおよび窒素ガスと混合して使用される有機化合
物のモノマーガスとしては、たとえば、エチレン、プロ
ピレン等の炭化水素系化合物のモノマーガス、０２Ｆ４
等のフッ素系有機化合物のモノマーガスおよびテトラメ
チルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘ
キサメチルジシラザン等のケイ素系有機化合物のモノマ
ーガス等が好ましく使用される。これらのアミノ化合物
のモノマーガス、およびアミノ化合物のモノマーガスや
窒素ガスと混合した有機化合物のモノマーガスは、高周
波によりラジカルが生成され、この生成されたラジカル
が反応し重合して被膜となる。このラジカルはこれらの
アミノ化合物や有機化合物が二重結合または三重結合を
有していたり、また有機化合物が末端に金属元素を有す
る金属塩化合物であるかあるいはＯＨ基等の官能基を有
しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合を有
するアミノ化合物のモノマーガスや有機化合物のモノマ
ーガス、および金属元素、官能基等を有する有機化合物
のモノマーガスがより好ましく使用される。これらのア
ミノ化合物のモノマーガスと有機化合物のモノマーガス
が混合して使用される際、その組成割合はアミノ化合物
のモノマーガス対有機化合物のモノマーガスの容積比に
して１対１０〜３対１の割合で併存させるのが好ましく
、アミノ化合物のモノマーガスが少なすぎると保護膜層
中の窒素原子の含有割合が少なくなって所期の効果が得
られない。また窒素ガスと有機化合物のモノマーガスが
混合して使用される際、その組成割合は窒素ガス対有機
化合物のモノマーガスの容積比にして１対１０〜１０対
１の割合で併存させるのが好ましく、窒素ガスが少なす
ぎると保護膜層中の窒素原子の含有割合が少なくなって
所期の効果が得られない。またこれらのモノマーガスを
プラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよ
び酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモノマーガ
スを単独でプラズマ重合する場合に比べて３〜５倍の速
度で析出されるため、これらのキャリアガスを併存させ
て行うのが好ましい。これらのキャリアガスと併存させ
る際、その組成割合はキャリアガス対前記のモノマーガ
スの容積比にして１対２０〜１対１の割合で併存させる
のが好ましく、キャリアガスが少なすぎると析出速度が
低下し、多すぎるとモノマーガスが少なくなってプラズ
マ重合反応に支障をきたす。なお、炭化水素系化合物の
モノマーガスを使用するときは、酸素ガスをキャリアガ
スとして使用すると酸化反応が生じるため、酸素ガスを
キャリアガスとして使用するのは好ましくない。
プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の電力は
、ガス圧が高くなるほど保護膜層の被着速度が速くなる
反面上ツマーガスが架橋密度低くプラズマ重合されて硬
い保護膜層が得られず、またガス圧を低くして高周波電
力を高くすると被着速度が遅くなる反面架橋密度が比較
的高くて硬い保護膜層が得られる。ところが、ガス圧を
低くして高周波電力を高くしすぎると、モノマーガスが
粉末化してしまい保護膜層が形成されないため、ガス圧
をｏ、ｏｏｓ〜３トールの範囲内とし、高周波電力を０
．０３〜３Ｗ／ｃｆｆｌの範囲内とするのが好ましく、
ガス圧を０．０１〜１トールとし、高周波電力を０．０
５〜２ Ｗ／ｃＪの範囲内とするのがより好ましい。ま
た、このようなプラズマ重合による保護膜層の形成は、
高周波を印加した電極側で行うのがより好ましい。この
ようにしてプラズマ重合によって被着形成される有機高
分子化合物からなる保護膜層は、緻密で摩擦係数も小さ
く、従ってこの有機高分子化合物からなる保護ｌｉ層が
形成されると耐久性が向上される。このような有機高分
子化合物からなる保護膜層の膜厚は、２０〜ｉ’ｏｏｏ
人の範囲内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこ
の保護膜層による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚
すぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換
特性に悪影響を及ぼす。
、ガス圧が高くなるほど保護膜層の被着速度が速くなる
反面上ツマーガスが架橋密度低くプラズマ重合されて硬
い保護膜層が得られず、またガス圧を低くして高周波電
力を高くすると被着速度が遅くなる反面架橋密度が比較
的高くて硬い保護膜層が得られる。ところが、ガス圧を
低くして高周波電力を高くしすぎると、モノマーガスが
粉末化してしまい保護膜層が形成されないため、ガス圧
をｏ、ｏｏｓ〜３トールの範囲内とし、高周波電力を０
．０３〜３Ｗ／ｃｆｆｌの範囲内とするのが好ましく、
ガス圧を０．０１〜１トールとし、高周波電力を０．０
５〜２ Ｗ／ｃＪの範囲内とするのがより好ましい。ま
た、このようなプラズマ重合による保護膜層の形成は、
高周波を印加した電極側で行うのがより好ましい。この
ようにしてプラズマ重合によって被着形成される有機高
分子化合物からなる保護膜層は、緻密で摩擦係数も小さ
く、従ってこの有機高分子化合物からなる保護ｌｉ層が
形成されると耐久性が向上される。このような有機高分
子化合物からなる保護膜層の膜厚は、２０〜ｉ’ｏｏｏ
人の範囲内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこ
の保護膜層による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚
すぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換
特性に悪影響を及ぼす。
このようにして形成された有機高分子化合物からなる保
護膜層は、次いで保護膜層中に含まれる窒素原子の四級
化処理が施され、四級化窒素原子を含む有機高分子化合
物からなる保護膜層が形成される。この保護膜層中に含
まれる窒素原子の四級化処理は、臭化メチル等のハロゲ
ン化メチルを里いて行われる。このようにして有機高分
子化合物からなる保護膜層中に含有される四級化窒素原
子の濃度は、炭素原子の濃度に対して１０原子％以上で
あることが好ましく、このように四級化窒素原子を含む
有機高分子化合物からなる保護膜層が形成されると、保
護膜層表面にアミノ基等の窒素残基がより親水性の強い
四級化窒素に変えられて保持されるため、この上にさら
に形成される潤滑剤層に対する吸着力が充分に強化され
、潤滑剤層が有機高分子化合物からなる保護膜層に強固
に被着される。従って、この四級化窒素原子を含む有機
高分子化合物からなる保護膜層上に、さらに潤滑剤層を
被着すると、潤滑剤層が強固に被着され、摩擦係数が充
分に低減されて耐久性が充分に向上される。
護膜層は、次いで保護膜層中に含まれる窒素原子の四級
化処理が施され、四級化窒素原子を含む有機高分子化合
物からなる保護膜層が形成される。この保護膜層中に含
まれる窒素原子の四級化処理は、臭化メチル等のハロゲ
ン化メチルを里いて行われる。このようにして有機高分
子化合物からなる保護膜層中に含有される四級化窒素原
子の濃度は、炭素原子の濃度に対して１０原子％以上で
あることが好ましく、このように四級化窒素原子を含む
有機高分子化合物からなる保護膜層が形成されると、保
護膜層表面にアミノ基等の窒素残基がより親水性の強い
四級化窒素に変えられて保持されるため、この上にさら
に形成される潤滑剤層に対する吸着力が充分に強化され
、潤滑剤層が有機高分子化合物からなる保護膜層に強固
に被着される。従って、この四級化窒素原子を含む有機
高分子化合物からなる保護膜層上に、さらに潤滑剤層を
被着すると、潤滑剤層が強固に被着され、摩擦係数が充
分に低減されて耐久性が充分に向上される。
このようにアミノ化合物のモノマーガス等のプラズマ重
合により形成した四級化窒素を含む有機高分子化合物か
らなる保護膜層上に、さらに被着形成される潤滑剤層は
、潤滑剤を、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テト
ラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン、
フレオン等の適当な溶剤に熔解し、溶解によって得られ
た溶液中に前記の四級化窒素を含む有機高分子化合物か
らなる保護膜層を浸漬するか、あるいは前記溶液を前記
の四級化窒素を含む有機高分子化合物からなる保護膜層
上に塗布または噴霧するなどの方法で行われ、この他、
潤滑剤を前記の四級化窒素を含むを機高分子化合物から
なる保護膜層上に真空蒸着するなどの方法でも行われる
。
合により形成した四級化窒素を含む有機高分子化合物か
らなる保護膜層上に、さらに被着形成される潤滑剤層は
、潤滑剤を、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テト
ラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン、
フレオン等の適当な溶剤に熔解し、溶解によって得られ
た溶液中に前記の四級化窒素を含む有機高分子化合物か
らなる保護膜層を浸漬するか、あるいは前記溶液を前記
の四級化窒素を含む有機高分子化合物からなる保護膜層
上に塗布または噴霧するなどの方法で行われ、この他、
潤滑剤を前記の四級化窒素を含むを機高分子化合物から
なる保護膜層上に真空蒸着するなどの方法でも行われる
。
使用される潤滑剤としては、特に限定されないが、たと
えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸等の脂肪酸、ステアリン酸亜鉛等の脂肪酸金属
塩、ステアリン酸アミド等の脂肪酸アミド、ステアリン
酸−ｎ−ブチル、ミリスチン酸オクチル等の脂肪酸エス
テル、ステアリルアルコール、ミリスチルアルコール等
の脂肪族アルコール、トリメチルステアリルアンモニウ
ムクロライド、塩化ステアロイル等の塩化物、ステアリ
ルアミン、ステアリルアミンアセテート、ステアリルア
ミンハイドロクロライド等のアミン、パーフルオロアル
キルカルボン酸等のフッ素系脂肪酸、ＣＦ３ （ＣＦ
２ ）ｓ （ＣＨ２）２０Ｈ等のフッ素系脂肪酸エス
テル、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルキ
ルポリエーテル、トリアルキルリ゛ン酸エステル等のリ
ン酸エステル、シリコーンオイル、変性シリコーンオイ
ル、パラフィン、スクアラン、ワックスなどが好適なも
のとして使用され、これらの潤滑剤はいずれか一種が単
独で、あるいは二種以上が混合して使用される。
えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステ
アリン酸等の脂肪酸、ステアリン酸亜鉛等の脂肪酸金属
塩、ステアリン酸アミド等の脂肪酸アミド、ステアリン
酸−ｎ−ブチル、ミリスチン酸オクチル等の脂肪酸エス
テル、ステアリルアルコール、ミリスチルアルコール等
の脂肪族アルコール、トリメチルステアリルアンモニウ
ムクロライド、塩化ステアロイル等の塩化物、ステアリ
ルアミン、ステアリルアミンアセテート、ステアリルア
ミンハイドロクロライド等のアミン、パーフルオロアル
キルカルボン酸等のフッ素系脂肪酸、ＣＦ３ （ＣＦ
２ ）ｓ （ＣＨ２）２０Ｈ等のフッ素系脂肪酸エス
テル、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルキ
ルポリエーテル、トリアルキルリ゛ン酸エステル等のリ
ン酸エステル、シリコーンオイル、変性シリコーンオイ
ル、パラフィン、スクアラン、ワックスなどが好適なも
のとして使用され、これらの潤滑剤はいずれか一種が単
独で、あるいは二種以上が混合して使用される。
このような潤滑剤を用いて形成されるＢｅ１ｔ剤層の層
厚は、２０〜５００人の範囲内となるようにするのが好
ましく、２０人より薄いとその優れた潤滑効果を充分に
発揮させて、耐久性を充分に向上させることができず、
５００人より厚くするとスペーシングロスが大きくなり
すぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
厚は、２０〜５００人の範囲内となるようにするのが好
ましく、２０人より薄いとその優れた潤滑効果を充分に
発揮させて、耐久性を充分に向上させることができず、
５００人より厚くするとスペーシングロスが大きくなり
すぎて電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Ｃｏ、Ｆｅｓ
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−Ｐ合金
、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金などの強磁性材が使用され、これ
らの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、メブキ等の手
段によって基体上に被着形成される。
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−Ｐ合金
、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金などの強磁性材が使用され、これ
らの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、
イオンブレーティング、スパッタリング、メブキ等の手
段によって基体上に被着形成される。
また、基体としては、ポリエステルフィルム、ポリイミ
ドフィルムなどの合成樹脂フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等、従来から使用されているものがいずれ
も好適なものとして使用され、磁気記録媒体としては、
これらのポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体として用いた磁気テープ、
合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等か
らなる円盤を基体として用いた磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
ドフィルムなどの合成樹脂フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等、従来から使用されているものがいずれ
も好適なものとして使用され、磁気記録媒体としては、
これらのポリエステルフィルム、ポリイミドフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体として用いた磁気テープ、
合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラス板等か
らなる円盤を基体として用いた磁気ディスクや磁気ドラ
ムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含
する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０ＩＪｍのポリエステルフィルムを真空蒸着装置
に装填し、酸素ガス圧ｌＸｌ０−’トールの残留ガス圧
下でコバルト−ニッケル合金（重量比８０：２０）を加
熱蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ１５００人
のコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金属薄膜層を
形成した。次いで、第１図に示すプラズマ処理装置を使
用し、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィル
ム１を処理槽２の原反ロール３からガイドロール４を介
して、円筒状キャン５に摺接させながら移動させ、さら
にガイドロール６を介して巻き取りロール７に巻き取る
ようにセットした。次いで、処理槽２に取りつけたガス
導入管８から処理槽２内にトリメチルシリルジメチルア
ミンのモノマーガスを５０ｍ１／ｍ１−ｎの流量で導入
し、ガス圧０．０２ トールで電極９に１３．５６ＭＩ
Ｉｚの高周波を２００Ｗ印加してプラズマ重合を行い、
厚さ１５０人の保護膜層を形成した。引き続いて、臭化
メチルで四級化窒素処理して保護膜層表面のアミノ基を
四級化窒素に代え、四級化窒素を含む保護膜層を形成し
た。その後、この四級化窒素を含む保護膜層上に、ステ
アリン酸の０．１重量％ベンゼン溶液を塗布、乾燥して
厚さが８０人の潤滑剤層を形成した。しかる後、所定の
巾に裁断して、第２図に示すようなポリエステルフィル
ム１上に強磁性金属薄膜層１２、保護膜層１３および潤
滑剤１４を順次に積層形成した磁気テープＡをつくった
。なお、第１図中１０は処理槽２内を減圧するための排
気系で１１は電極９に高周波を印加するための高周波電
源である。
に装填し、酸素ガス圧ｌＸｌ０−’トールの残留ガス圧
下でコバルト−ニッケル合金（重量比８０：２０）を加
熱蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ１５００人
のコバルト−ニッケル合金からなる強磁性金属薄膜層を
形成した。次いで、第１図に示すプラズマ処理装置を使
用し、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィル
ム１を処理槽２の原反ロール３からガイドロール４を介
して、円筒状キャン５に摺接させながら移動させ、さら
にガイドロール６を介して巻き取りロール７に巻き取る
ようにセットした。次いで、処理槽２に取りつけたガス
導入管８から処理槽２内にトリメチルシリルジメチルア
ミンのモノマーガスを５０ｍ１／ｍ１−ｎの流量で導入
し、ガス圧０．０２ トールで電極９に１３．５６ＭＩ
Ｉｚの高周波を２００Ｗ印加してプラズマ重合を行い、
厚さ１５０人の保護膜層を形成した。引き続いて、臭化
メチルで四級化窒素処理して保護膜層表面のアミノ基を
四級化窒素に代え、四級化窒素を含む保護膜層を形成し
た。その後、この四級化窒素を含む保護膜層上に、ステ
アリン酸の０．１重量％ベンゼン溶液を塗布、乾燥して
厚さが８０人の潤滑剤層を形成した。しかる後、所定の
巾に裁断して、第２図に示すようなポリエステルフィル
ム１上に強磁性金属薄膜層１２、保護膜層１３および潤
滑剤１４を順次に積層形成した磁気テープＡをつくった
。なお、第１図中１０は処理槽２内を減圧するための排
気系で１１は電極９に高周波を印加するための高周波電
源である。
実施例２
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラメチル
シランのモノマーガスとアンモニアのモノマーガスとを
容積比（テトラメチルシランのモノマーガス対アンモニ
アのモノマーガス）２対１で混合した混合モノマーガス
を同量使用した以外は、実施例１と同様にして強磁性金
属薄膜層上に、厚さ１４０人の保護膜層を形成し、磁気
テープＡをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラメチル
シランのモノマーガスとアンモニアのモノマーガスとを
容積比（テトラメチルシランのモノマーガス対アンモニ
アのモノマーガス）２対１で混合した混合モノマーガス
を同量使用した以外は、実施例１と同様にして強磁性金
属薄膜層上に、厚さ１４０人の保護膜層を形成し、磁気
テープＡをつくった。
実施例３
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラメチル
シランのモノマーガスと窒素ガスとを容積比（テトラメ
チルシランのモノマーガス対窒素ガス）３対ｌで混合し
た混合モノマーガスを同量使用した以外は、実施例１と
同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１５０人の保護
膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラメチル
シランのモノマーガスと窒素ガスとを容積比（テトラメ
チルシランのモノマーガス対窒素ガス）３対ｌで混合し
た混合モノマーガスを同量使用した以外は、実施例１と
同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１５０人の保護
膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。
実施例４
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、エチレンのモ
ノマーガスとアンモニアのモノマーガスとを容積比（エ
チレンのモノマーガス対アンモニアのモノマーガス）５
対２で混合した混合上ツマーガスを同量使用した以外は
、実施例１と同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１
４０人の保護膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、エチレンのモ
ノマーガスとアンモニアのモノマーガスとを容積比（エ
チレンのモノマーガス対アンモニアのモノマーガス）５
対２で混合した混合上ツマーガスを同量使用した以外は
、実施例１と同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１
４０人の保護膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。
実施例５
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラフルオ
ロエチレンのモノマーガスとアンモニアのモノマーガス
とを容積比（テトラフルオロエチレンのモノマーガス対
アンモニアのモノマーガス）５対２で混合した混合上ツ
マーガスを同量使用した以外は、実施例・１と同様にし
て強磁性金属薄膜層上に、厚さ１５０人の保護膜層を形
成し、磁気テープＡをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラフルオ
ロエチレンのモノマーガスとアンモニアのモノマーガス
とを容積比（テトラフルオロエチレンのモノマーガス対
アンモニアのモノマーガス）５対２で混合した混合上ツ
マーガスを同量使用した以外は、実施例・１と同様にし
て強磁性金属薄膜層上に、厚さ１５０人の保護膜層を形
成し、磁気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１において、臭化メチルによる窒素原子の四級化
処理を省いた以外は実施例１と同様にして磁気テープを
つくった。
処理を省いた以外は実施例１と同様にして磁気テープを
つくった。
比較例２
実施例２において、臭化メチルによる窒素原子の四級化
処理を省いた以外は実施例２と同様にして磁気テープを
つくった。
処理を省いた以外は実施例２と同様にして磁気テープを
つくった。
比較例３
実施例３において、臭化メチルによる窒素原子の四級化
処理を省いた以外は実施例３と同様にして磁気テープを
つくった。
処理を省いた以外は実施例３と同様にして磁気テープを
つくった。
比較例４
実施例４において、臭化メチルによる窒素原子の四級化
処理を省いた以外は実施例４と同様にして磁気テープを
つくった。
処理を省いた以外は実施例４と同様にして磁気テープを
つくった。
比較例５
実施例５において、臭化メチルによる窒素原子の四級化
処理を省いた以外は実施例５と同様にして磁気テープを
つ（った。
処理を省いた以外は実施例５と同様にして磁気テープを
つ（った。
比較例６
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラメチル
シランのモノマーガスを同量使用した以外は、実施例１
と同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１３０人の保
護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラメチル
シランのモノマーガスを同量使用した以外は、実施例１
と同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１３０人の保
護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例７
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、エチレンのモ
ノマーガスを同量使用した以外は、実施例１と同様にし
て強磁性金属薄膜層上に、厚さ１５０人の保護膜層を形
成し、磁気テープをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、エチレンのモ
ノマーガスを同量使用した以外は、実施例１と同様にし
て強磁性金属薄膜層上に、厚さ１５０人の保護膜層を形
成し、磁気テープをつくった。
比較例８
実施例１の保護膜層の形成において、トリメチルシリル
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラフルオ
ロエチレンのモノマーガスを同量使用した以外は、実施
例１と同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１８０人
の保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
ジメチルアミンのモノマーガスに代えて、テトラフルオ
ロエチレンのモノマーガスを同量使用した以外は、実施
例１と同様にして強磁性金属薄膜層上に、厚さ１８０人
の保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
摩擦係数を測定し、耐久性を試験した。
摩擦係数を測定し、耐久性を試験した。
耐久性試験は、得られた磁気テープのスチル試験を行い
スチル再生寿命を測定して行った。
スチル再生寿命を測定して行った。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、実施例１〜５で得られた磁気
テープは、いずれも比較例１〜８で得られた磁気テープ
に比し、摩擦係数が小さくて、スチル再生寿命が長く、
このことからこの発明によって得られる磁気記録媒体は
、摩擦係数が充分に小さくて走行性に優れ、かつ耐久性
に優れていることがわかる。
テープは、いずれも比較例１〜８で得られた磁気テープ
に比し、摩擦係数が小さくて、スチル再生寿命が長く、
このことからこの発明によって得られる磁気記録媒体は
、摩擦係数が充分に小さくて走行性に優れ、かつ耐久性
に優れていることがわかる。
第１図はプラズマ処理装置の１例を示す概略断面図、第
２図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡大
断面図である。
２図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡大
断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、この強磁性金属薄膜層上に少なく
とも炭素原子と四級化窒素原子を含有させた有機高分子
化合物からなる保護膜層を設け、さらにこの保護膜層上
に潤滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記録媒体 ２、強磁性金属薄膜層上に形成した有機高分子化合物か
らなる保護膜層中にさらに水素原子を含有させた特許請
求の範囲第１項記載の磁気記録媒体 ３、強磁性金属薄膜層上に形成した有機高分子化合物か
らなる保護膜層中にさらに水素原子およびケイ素原子を
含有させた特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体 ４、強磁性金属薄膜層上に形成した有機高分子化合物か
らなる保護膜層中にさらにフッ素原子を含有させた特許
請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体 ５、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層を
アミノ化合物のモノマーガスまたはアミノ化合物のモノ
マーガスを含む有機化合物のモノマーガスもしくは窒素
ガスを含む有機化合物のモノマーガス中にさらし、プラ
ズマ重合を行って、強磁性金属薄膜層上に少なくとも炭
素原子と窒素原子を含有する有機高分子化合物からなる
保護膜層を形成し、さらにこの有機高分子化合物からな
る保護膜層に含まれる窒素原子の四級化処理を施して、
少なくとも炭素原子と四級化窒素原子を含有した有機高
分子化合物からなる保護膜層を形成し、しかる後、この
有機高分子化合物からなる保護膜層上に潤滑剤層を形成
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法 ６、強磁性金属薄膜層上に形成した有機高分子化合物か
らなる保護膜層中にさらに水素原子を含有させた特許請
求の範囲第５項記載の磁気記録媒体の製造方法 ７、強磁性金属薄膜層上に形成した有機高分子化合物か
らなる保護膜層中にさらに水素原子およびケイ素原子を
含有させた特許請求の範囲第５項記載の磁気記録媒体の
製造方法 ８、強磁性金属薄膜層上に形成した有機高分子化合物か
らなる保護膜層中にさらにフッ素原子を含有させた特許
請求の範囲第５項記載の磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834185A JPS6258417A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834185A JPS6258417A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258417A true JPS6258417A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16389507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19834185A Pending JPS6258417A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320622A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US6623836B1 (en) | 1992-11-19 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-09-07 JP JP19834185A patent/JPS6258417A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320622A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2600297B2 (ja) * | 1988-06-23 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US6623836B1 (en) | 1992-11-19 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US7083873B2 (en) | 1992-11-19 | 2006-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film with hydrogen and at least two additional elements |
| US7391592B2 (en) | 1992-11-19 | 2008-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film and at least two additional elements |
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