JPS62271220A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業−1−の利用分野〕
本発明は、耐久性、耐環境性に優れた高密度記録用の薄
膜堆積型磁気記録媒体の製造方法に関する。
膜堆積型磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来より、ポリエステル等のプラスチックフィルムから
なる非磁性基体の上に1強磁性徴粒子を高分子結合剤中
に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁気記録媒
体が広く用いられている。
なる非磁性基体の上に1強磁性徴粒子を高分子結合剤中
に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁気記録媒
体が広く用いられている。
また近年では全屈等の薄膜を基若、スパッタリング等の
方法で磁性層として非磁性基体上に形成せしめた強磁性
iv膜型磁磁気録奴体の開発が進められており、一部実
用化しているものもある。
方法で磁性層として非磁性基体上に形成せしめた強磁性
iv膜型磁磁気録奴体の開発が進められており、一部実
用化しているものもある。
磁性層の磁気キ5シ性、耐食性、耐摩耗性、摩擦係数、
形状(カール、変形)は磁気記録媒体の性能を左右する
要素であり、これらの前記性能要素は磁性層の材料や製
法、基体、保護間滑剤(あるいは層)に依存するもので
ある。磁性層材料については磁束密度が大きく、薄型化
可能な強磁性薄膜型磁気記録媒体が従来の塗布型磁気記
録媒体に勝っている。
形状(カール、変形)は磁気記録媒体の性能を左右する
要素であり、これらの前記性能要素は磁性層の材料や製
法、基体、保護間滑剤(あるいは層)に依存するもので
ある。磁性層材料については磁束密度が大きく、薄型化
可能な強磁性薄膜型磁気記録媒体が従来の塗布型磁気記
録媒体に勝っている。
しかしながら磁性層をなす強心性pJ膜型の苅着テープ
の代表であるCQ−Ni合金膜は、耐食性と耐久性が実
用上十分ではない。すなわち、Co−Ni合金自体が#
金合金でなく、かつ特性向上の目的で斜め蒸着で形成す
るためにV、度が小さく、酸化しやすい状態となってい
る。そのためCo−Ni合金膜の膜表面を酸化処理する
方法(特開昭53−85403号公報他)、Co−Ni
合金膜の上に酸化物や窒化物の保護層を設ける方法(特
開昭57−187134号公報他)、Go−Ni合金膜
の上に防錆剤を塗布する方法(特開昭57−15251
8号公報他)等の#食方法が検討されているが、Go−
Ni合金膜の膜厚そのものが薄くかつ密度が低いため、
十分な耐食性が保証されないという問題点があった。又
、Co−Ni合金膜の上に脂肪酸金属塩の単分子膜から
成る保護層をラングミュア・ブロジェット法で形成する
方法(特開昭81−48119号)が知られており、係
る方法によれば耐候性、耐久性、走行性が改善される。
の代表であるCQ−Ni合金膜は、耐食性と耐久性が実
用上十分ではない。すなわち、Co−Ni合金自体が#
金合金でなく、かつ特性向上の目的で斜め蒸着で形成す
るためにV、度が小さく、酸化しやすい状態となってい
る。そのためCo−Ni合金膜の膜表面を酸化処理する
方法(特開昭53−85403号公報他)、Co−Ni
合金膜の上に酸化物や窒化物の保護層を設ける方法(特
開昭57−187134号公報他)、Go−Ni合金膜
の上に防錆剤を塗布する方法(特開昭57−15251
8号公報他)等の#食方法が検討されているが、Go−
Ni合金膜の膜厚そのものが薄くかつ密度が低いため、
十分な耐食性が保証されないという問題点があった。又
、Co−Ni合金膜の上に脂肪酸金属塩の単分子膜から
成る保護層をラングミュア・ブロジェット法で形成する
方法(特開昭81−48119号)が知られており、係
る方法によれば耐候性、耐久性、走行性が改善される。
然し乍ら高度の電磁変換特性を保つために保護層を薄く
すれば、その耐久性、走行性は十分であるとはいい難く
、また保護層を厚くすれば、短波長を用いた高密度磁気
記録ができないという問題点があった。
すれば、その耐久性、走行性は十分であるとはいい難く
、また保護層を厚くすれば、短波長を用いた高密度磁気
記録ができないという問題点があった。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであ
りその目的は、優れた記録再生特性を有するとともに耐
食性、耐久性においても実用的に十分な性能を有する磁
気記録媒体を提供することにある。
りその目的は、優れた記録再生特性を有するとともに耐
食性、耐久性においても実用的に十分な性能を有する磁
気記録媒体を提供することにある。
本発明の上記目的は、基体上に、磁性体層を積層し、次
いで含フッ素有機化合物の単分子膜又はその累積膜を含
む有機保護層を積層し、更に得られた積層物に熱処理及
び/又は真空処理を施す磁気記録媒体の製造方法によっ
て達成される。
いで含フッ素有機化合物の単分子膜又はその累積膜を含
む有機保護層を積層し、更に得られた積層物に熱処理及
び/又は真空処理を施す磁気記録媒体の製造方法によっ
て達成される。
第1図は本発明の方法により製造される磁気記録媒体の
好ましい構成を示す模式図で、1は基体、2は強磁性体
層、3は下地処理の役割を果たす中間層、4は有機保護
層である。
好ましい構成を示す模式図で、1は基体、2は強磁性体
層、3は下地処理の役割を果たす中間層、4は有機保護
層である。
基体1をなす材料としては、ガラス、アルミニウム、表
面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子支持基材とし
てポリエステル、セルロース、アクリル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリ
ポリフロロオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酪酸ビニ
ル、塩化ビニル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニ
リデン ポリカーボネート、フェノール構■旨、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
アセタール、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレ
ンサルファイド等が挙げられる。
面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子支持基材とし
てポリエステル、セルロース、アクリル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリ
ポリフロロオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酪酸ビニ
ル、塩化ビニル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニ
リデン ポリカーボネート、フェノール構■旨、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
アセタール、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレ
ンサルファイド等が挙げられる。
強磁性体層2をなす材料としては、Fe、 Go、 N
iを主体とする合金、あるいはその酸化物、窒化物等が
使用可能であるが、高密度記録特性に優れ、また耐食性
にも優れるGo−Cr合金あるいはGo−Cr合金を主
成分とする強磁性nI2が好ましい。
iを主体とする合金、あるいはその酸化物、窒化物等が
使用可能であるが、高密度記録特性に優れ、また耐食性
にも優れるGo−Cr合金あるいはGo−Cr合金を主
成分とする強磁性nI2が好ましい。
電磁変換特性の優れた磁気記録媒体を得るためには、強
磁性体層2の保磁力の大きいことが望ましい1強磁性体
層2がGo−C:r合金膜の場合はその保磁力向」二の
ためにCo−Cr合金膜の形成温度を高くすることが好
ましく (101)°C〜300°C)、その場合、基
体1としては@述の材料のうち耐熱性を有するポリアミ
ド、ポリイミド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂を使用
することが好ましい。
磁性体層2の保磁力の大きいことが望ましい1強磁性体
層2がGo−C:r合金膜の場合はその保磁力向」二の
ためにCo−Cr合金膜の形成温度を高くすることが好
ましく (101)°C〜300°C)、その場合、基
体1としては@述の材料のうち耐熱性を有するポリアミ
ド、ポリイミド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂を使用
することが好ましい。
また本発明によって得られる磁気記録媒体であるフロッ
ピーディスク、磁気テープ等はカールが発生しないこと
が走行性、ヘッドタッチの点から重要である。カールの
ない磁気記録媒体を作成するためには、基体lの材料と
してCo−Cr合金膜との熱応力、成膜詩に発生する応
力を打ち消す様な熱膨張の値を有するものを選ぶ必要が
ある。
ピーディスク、磁気テープ等はカールが発生しないこと
が走行性、ヘッドタッチの点から重要である。カールの
ない磁気記録媒体を作成するためには、基体lの材料と
してCo−Cr合金膜との熱応力、成膜詩に発生する応
力を打ち消す様な熱膨張の値を有するものを選ぶ必要が
ある。
以下、基体1として芳香族ポリイミド膜を用いる場合に
つき説明する。
つき説明する。
芳香族ポリイミド膜(フィルム)としては、シアミン成
分としてパラフェニレンジアミン(PPD)を弔独で使
用するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテル
(DADE)とを併用し、また、テトラカルボン酸成分
として、ビフェニルテトラカルボン酸二無本物(BPD
A)とピロメリット酸二無水物(pxnA)とを併用し
て、共重合させて得られた芳香族ポリアミック酸の溶液
を製膜し、/!Xいでイミト化して得られた芳香族ポリ
イミド膜(フィルム)が好ましく、その厚みが4−〜1
00−のものが記録媒体用として有用である。
分としてパラフェニレンジアミン(PPD)を弔独で使
用するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテル
(DADE)とを併用し、また、テトラカルボン酸成分
として、ビフェニルテトラカルボン酸二無本物(BPD
A)とピロメリット酸二無水物(pxnA)とを併用し
て、共重合させて得られた芳香族ポリアミック酸の溶液
を製膜し、/!Xいでイミト化して得られた芳香族ポリ
イミド膜(フィルム)が好ましく、その厚みが4−〜1
00−のものが記録媒体用として有用である。
この芳香族ポリイミドフィルムは、前述のようにPPD
、BPDAおよびPMDAの3成分あるいはppn 。
、BPDAおよびPMDAの3成分あるいはppn 。
DADE 、BPDAおよびPMDAの4成分を共重合
させて形成されたものなので、耐熱性、引張弾性に優れ
ているばかりでなく、画成分を構成する各成分の使用量
比率を調整することによって、得られる芳香族ポリイミ
ド膜の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致
するような値にすることができ、また、芳香族ポリイミ
ド膜の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を
好適にするように変えることができる。
させて形成されたものなので、耐熱性、引張弾性に優れ
ているばかりでなく、画成分を構成する各成分の使用量
比率を調整することによって、得られる芳香族ポリイミ
ド膜の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致
するような値にすることができ、また、芳香族ポリイミ
ド膜の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を
好適にするように変えることができる。
この芳香族ポリイミドフィルムは、その熱膨張係数が約
1.OX 10’ 〜3.OX 10’ cm/cm/
”Cの範囲であり、引張弾性定数が約300〜1200
kg/■2、特に325〜700kg/mm2の範囲で
あって、更に二次転移温度が約300℃以上、特に31
0°C以上であることが好ましく、さらに上述の性能に
加えて、熱分解開始温度が約400°C以上、特に45
0℃以上であって、約250 ’Cの温度付近での連続
使用に耐えうるちのであり、また、引張試験における引
張強度が約20kg/1n112、以上、特に約25k
g/+m2、以上であり、しかも破断点の伸び率が約3
0%以上、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体
の!!IJ造の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性
層の形成が可能であると共に、カールの発生を防止でき
、さらに巻きムラ、走行性、およびヘッドタッチの優れ
た磁気記録媒体となるので最適である。
1.OX 10’ 〜3.OX 10’ cm/cm/
”Cの範囲であり、引張弾性定数が約300〜1200
kg/■2、特に325〜700kg/mm2の範囲で
あって、更に二次転移温度が約300℃以上、特に31
0°C以上であることが好ましく、さらに上述の性能に
加えて、熱分解開始温度が約400°C以上、特に45
0℃以上であって、約250 ’Cの温度付近での連続
使用に耐えうるちのであり、また、引張試験における引
張強度が約20kg/1n112、以上、特に約25k
g/+m2、以上であり、しかも破断点の伸び率が約3
0%以上、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体
の!!IJ造の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性
層の形成が可能であると共に、カールの発生を防止でき
、さらに巻きムラ、走行性、およびヘッドタッチの優れ
た磁気記録媒体となるので最適である。
芳香族ポリイミドを得るための芳香族ポリアミック酸は
、磁気記録媒体の機械的及び熱的性質などを上述の様に
好適にするために、その生成に使用されるジアミン成分
として、全ジアミン成分に対して約40〜95モル%、
特に45〜90モル%範囲の使用量割合のPPDと、全
ジアミン成分に対して約5〜60モル%、特に10〜5
5モル%の使用量割合のDADEとの2成分からなるも
のが好ましい、また、芳香族ポリアミック酸を生成する
ためのテトラカルボン酸成分は、全テトラカルボン酸成
分に対して約10〜90モル%、特に15〜85モル%
の使用量割合のEIPDAと、全テトラカルボン酸成分
に対して約10〜90モル%、特に15〜85モル%の
使用量割合のPMDAとからなることが好ましい。
、磁気記録媒体の機械的及び熱的性質などを上述の様に
好適にするために、その生成に使用されるジアミン成分
として、全ジアミン成分に対して約40〜95モル%、
特に45〜90モル%範囲の使用量割合のPPDと、全
ジアミン成分に対して約5〜60モル%、特に10〜5
5モル%の使用量割合のDADEとの2成分からなるも
のが好ましい、また、芳香族ポリアミック酸を生成する
ためのテトラカルボン酸成分は、全テトラカルボン酸成
分に対して約10〜90モル%、特に15〜85モル%
の使用量割合のEIPDAと、全テトラカルボン酸成分
に対して約10〜90モル%、特に15〜85モル%の
使用量割合のPMDAとからなることが好ましい。
さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混、練せしめることも可能である。しかし本発
明によって製造される磁気記録媒体に優れた高密度記録
特性を付与するためには、JIS B 0801による
基体の表面粗さの最大高さくRmax)が0.05−以
下であることが望ましい。
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混、練せしめることも可能である。しかし本発
明によって製造される磁気記録媒体に優れた高密度記録
特性を付与するためには、JIS B 0801による
基体の表面粗さの最大高さくRmax)が0.05−以
下であることが望ましい。
以上に述べてきた、芳香族ポリイミド膜の上にCo−C
r合金からなる磁性層を形成するには、例えばスパッタ
リング法、電子ビーム連続蒸着法などの公知の方法が使
用できるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の
表面に磁性層を形成する際、1囚の温度(成膜温度)を
約250°Cにまで上げることができるので、優れた性
能の磁性層が容易に形成されうるのである。
r合金からなる磁性層を形成するには、例えばスパッタ
リング法、電子ビーム連続蒸着法などの公知の方法が使
用できるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の
表面に磁性層を形成する際、1囚の温度(成膜温度)を
約250°Cにまで上げることができるので、優れた性
能の磁性層が容易に形成されうるのである。
Go−Cr合金が磁気記Q層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影Δを受けないことである。
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影Δを受けないことである。
すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、高出
力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。
力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。
このGo−Cr合金からなる磁性層2の厚みは0.1μ
s〜2.Opの範囲が好ましく、基体1に直接形成させ
る以外にも、磁性層を形成するに先立ち、接着性向上、
磁気特性向」二、その他の目的で必要に応じてコロナ放
電処理その他の1■i処理を施したり、AI 、 Ti
、 Cr、 Ge、 5i02.A1203 @:の非
磁性膜、あるいはFe−Ni合金膜、またはGo−Zr
。
s〜2.Opの範囲が好ましく、基体1に直接形成させ
る以外にも、磁性層を形成するに先立ち、接着性向上、
磁気特性向」二、その他の目的で必要に応じてコロナ放
電処理その他の1■i処理を施したり、AI 、 Ti
、 Cr、 Ge、 5i02.A1203 @:の非
磁性膜、あるいはFe−Ni合金膜、またはGo−Zr
。
Fe−P−C:、Fe−Go−9i−B等の非晶質膜で
代表される高透磁率IIQを介して設けてもかまわない
。
代表される高透磁率IIQを介して設けてもかまわない
。
これらCo−Cr合金強磁性薄膜は、必要に応じて基体
1の両面に形成することもできる。
1の両面に形成することもできる。
に記のような強磁性体層2の表面には、後述の有機保護
層4との′!F:着性をよくするために中間層が設けら
れる。
層4との′!F:着性をよくするために中間層が設けら
れる。
中間層3としては、特に酸化コバルトよりなる層が摺動
特性上からも好ましい、酸化コバルト層は、所定圧の酸
素を含む不活性ガス中でのスパッタリング法、希薄酸素
下での真空基若法、もしくはイオンブレーティング法等
の物理蒸着法、あるいはプラズマ酸化処理によって、G
o−Cr合金強磁性体層2の表面に直接堆積形成あるい
は下地として酸化層形成をした上に形成している。中間
層3の厚みは、Go −Cr系合金磁性層の持つ高密度
記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減
少のため薄い事が望ましく中間層3の厚みは30〜30
0 Aが好ましく、50〜150人が特に好ましい、た
だし中間層3と有機保護層4を合わせた厚みを好ましく
は250 A以下、より好ましくは120A以下におさ
えることが適当である。
特性上からも好ましい、酸化コバルト層は、所定圧の酸
素を含む不活性ガス中でのスパッタリング法、希薄酸素
下での真空基若法、もしくはイオンブレーティング法等
の物理蒸着法、あるいはプラズマ酸化処理によって、G
o−Cr合金強磁性体層2の表面に直接堆積形成あるい
は下地として酸化層形成をした上に形成している。中間
層3の厚みは、Go −Cr系合金磁性層の持つ高密度
記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減
少のため薄い事が望ましく中間層3の厚みは30〜30
0 Aが好ましく、50〜150人が特に好ましい、た
だし中間層3と有機保護層4を合わせた厚みを好ましく
は250 A以下、より好ましくは120A以下におさ
えることが適当である。
有機保護層4は、分子内に親木性部位と疎水性部位とを
併有する含フッ素化合物(以下、両親媒性含フッ素化合
物)の単分子膜又はその累積膜からなる層であり、その
形成にあたってはそのような単分子膜又はその累積膜を
50〜90°Cで熱処理、或いは室温〜70°C下で真
空処理を施したものが用いられる。
併有する含フッ素化合物(以下、両親媒性含フッ素化合
物)の単分子膜又はその累積膜からなる層であり、その
形成にあたってはそのような単分子膜又はその累積膜を
50〜90°Cで熱処理、或いは室温〜70°C下で真
空処理を施したものが用いられる。
有機保護層4を構成する両親媒性含フッ素、化合物の一
例としては以下に示す構造を有する化合物の炭化水素鎖
を構成する水素原子の一部又は全てがフッ素原子に置換
された化合物を挙げることができる。
例としては以下に示す構造を有する化合物の炭化水素鎖
を構成する水素原子の一部又は全てがフッ素原子に置換
された化合物を挙げることができる。
■ CH3(CH2)k R
■ CH2= 0H(CH2)k Rt:>
)I (C)12)+a−C= c−c ヨC−(CH
2)n −R・■ CH3(C)12) kcOOcH
= CH2旧記化合物においてRは親木性部位であり具
体的には、 −COO)! 、 −C)+20H、−3o3H、−C
OOCH3,−C)12Si(’N′′:J−X (X
−C1、Br、I、BF4.PF6 、TC:NQ、
TCNQ2など)などの親木性基が挙げられる。また、
フッ素原子を含む炭素鎖を構成する炭素数は■、■及び
■の化合物についてはkは4〜20の整数であり、(1
)の化合物についてはm、nは各々0〜28の整数であ
り、かつ、m、!:nの和が6〜35の整数である。
)I (C)12)+a−C= c−c ヨC−(CH
2)n −R・■ CH3(C)12) kcOOcH
= CH2旧記化合物においてRは親木性部位であり具
体的には、 −COO)! 、 −C)+20H、−3o3H、−C
OOCH3,−C)12Si(’N′′:J−X (X
−C1、Br、I、BF4.PF6 、TC:NQ、
TCNQ2など)などの親木性基が挙げられる。また、
フッ素原子を含む炭素鎖を構成する炭素数は■、■及び
■の化合物についてはkは4〜20の整数であり、(1
)の化合物についてはm、nは各々0〜28の整数であ
り、かつ、m、!:nの和が6〜35の整数である。
北記の両親媒性含フッ素化合物の単分子膜又は単分子累
積膜を作成する方法としては1例えば以下に説明するよ
うな1.Langmuirらの開発したラングミュア・
プロジェット法(以下LB法)が使用できる。
積膜を作成する方法としては1例えば以下に説明するよ
うな1.Langmuirらの開発したラングミュア・
プロジェット法(以下LB法)が使用できる。
すなわち、まず目的とする両親媒性含フッ素化合物をク
ロロホルム等の溶剤シこ溶解させる。次に、第2図(a
)、(b)に示す装置を用いて1両親媒性含フッ素化合
物の溶液を水相14上に展開させて両親媒性含フッ素化
合物を膜状に形成させる。
ロロホルム等の溶剤シこ溶解させる。次に、第2図(a
)、(b)に示す装置を用いて1両親媒性含フッ素化合
物の溶液を水相14上に展開させて両親媒性含フッ素化
合物を膜状に形成させる。
この際、末端にカルボキシル基を有する両親媒性含フッ
素化合物を用いる場合には水相14中にあらかじめ所望
の全屈イオン、例えば、Ag+、Cu”、Li”、 N
a”、K+、Ba++、Ca”、 Co1、Cr”、
Cd”、Mg++、Mn”、pb→、Cu←、Fe++
、N1++、Zn++。
素化合物を用いる場合には水相14中にあらかじめ所望
の全屈イオン、例えば、Ag+、Cu”、Li”、 N
a”、K+、Ba++、Ca”、 Co1、Cr”、
Cd”、Mg++、Mn”、pb→、Cu←、Fe++
、N1++、Zn++。
Qo+++、C,+++、Fe+++、An””、Ru
+++、La”+十等やアンモニウムイオンを溶解させ
ておけば、これらの塩として膜状に形成させることもで
きる。
+++、La”+十等やアンモニウムイオンを溶解させ
ておけば、これらの塩として膜状に形成させることもで
きる。
その際、カルボキシル基の水素原子がこれらの金属イオ
ン若しくはアンモニウムイオンと置換する割合は水相1
4のpHやイオン濃度を調節することによって任意の割
合のものを得ることができる。
ン若しくはアンモニウムイオンと置換する割合は水相1
4のpHやイオン濃度を調節することによって任意の割
合のものを得ることができる。
このカルボキシル基を有する両親奴性含フッ素化合物を
塩にした場合、遊#酸の状態をとるものと比較して、水
面上単分子膜の固化を図ることができ、その後の累積(
後述)が容易になる場合が多い。殊に CF3(0F2
) 8COOHのようなフッ化炭素鎖のみからなるカル
ボン酸の場合には、 Aj!3”。
塩にした場合、遊#酸の状態をとるものと比較して、水
面上単分子膜の固化を図ることができ、その後の累積(
後述)が容易になる場合が多い。殊に CF3(0F2
) 8COOHのようなフッ化炭素鎖のみからなるカル
ボン酸の場合には、 Aj!3”。
La”、Cr3+等の3価金属塩とすることにより累積
を容易に行うことができる。
を容易に行うことができる。
次にこの展開層が水相」二を自由に拡散して広がりすぎ
ないように仕切板(または浮子)7を設けて展開面積を
制限して膜物質の集合状態を制御しその集合状態に比例
した表面圧を得る。この仕切板7を動かし展開面積を縮
小して膜物質の集合状態を制御し1表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧を設定することが出
来る。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体15
を垂直に上下させることにより両親媒性含フッ素化合物
の単分子膜が担体15上に移しとられる。ここでいう担
体とは、既述の磁性体薄膜を示す、この様にして両親媒
性含フッ素化合物の単分子膜を中間層3上に形成するこ
とができる。
ないように仕切板(または浮子)7を設けて展開面積を
制限して膜物質の集合状態を制御しその集合状態に比例
した表面圧を得る。この仕切板7を動かし展開面積を縮
小して膜物質の集合状態を制御し1表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧を設定することが出
来る。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体15
を垂直に上下させることにより両親媒性含フッ素化合物
の単分子膜が担体15上に移しとられる。ここでいう担
体とは、既述の磁性体薄膜を示す、この様にして両親媒
性含フッ素化合物の単分子膜を中間層3上に形成するこ
とができる。
両親媒性含フッ素化合物の単分子膜はこのようにして製
造されるが前記の操作を繰り返す事により所望の累積数
の両親媒性含フッ素化合物の単分子累積膜を形成するこ
とができる。
造されるが前記の操作を繰り返す事により所望の累積数
の両親媒性含フッ素化合物の単分子累積膜を形成するこ
とができる。
両親媒性含フッ素化合物の単分子膜を担体とに移すには
上述した垂直浸漬法の他、水平付着法。
上述した垂直浸漬法の他、水平付着法。
回転円筒法などの方法も採用できる。
水平付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方
法で、回転円筒法は円筒形の担体を水面上を回転させて
担体表面に移しとる方法である。
法で、回転円筒法は円筒形の担体を水面上を回転させて
担体表面に移しとる方法である。
前述した垂直浸漬法では、表面が親木性である担体を水
面を横切る方向に水中から引き上げると両親媒性含フッ
素化合物の親木基が担体側に向いた単分子膜が担体とに
形成される。前述のように担体を上下させると、各工程
ごとに一枚ずつ両親媒性含フッ素化合物の単分子膜が積
み重なっていく。製++tt分子の向きが引上行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると各層間は両親
媒性含フッ素化合物の親木基と疎水基が向かいあうY型
膜が形成される。それに対し水平付着法は、両親奴性含
フッ素化合物の疎水基が担体側に向いた単分子膜が担体
上に形成される。この方法では、累植しても、製膜分子
の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が担体側
に向いたxWlが形成される0反対に全ての層において
親木基が担体側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれる。
面を横切る方向に水中から引き上げると両親媒性含フッ
素化合物の親木基が担体側に向いた単分子膜が担体とに
形成される。前述のように担体を上下させると、各工程
ごとに一枚ずつ両親媒性含フッ素化合物の単分子膜が積
み重なっていく。製++tt分子の向きが引上行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると各層間は両親
媒性含フッ素化合物の親木基と疎水基が向かいあうY型
膜が形成される。それに対し水平付着法は、両親奴性含
フッ素化合物の疎水基が担体側に向いた単分子膜が担体
上に形成される。この方法では、累植しても、製膜分子
の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が担体側
に向いたxWlが形成される0反対に全ての層において
親木基が担体側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれる。
単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いるときには担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。
けではなく、大面積担体を用いるときには担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。
また、前述した親木基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。
上述の方法に口って中間層3上に形成される両親媒性含
フッ素化合物の単分子膜及び単分子累積膜は高度の秩序
性を有する超薄膜(単分子層昌りの厚み:15〜35人
)であり、これらの膜で保護層を形成した場合には、電
磁変換特性に与える形容を著しく小さなものにすること
が町r屯となる。
フッ素化合物の単分子膜及び単分子累積膜は高度の秩序
性を有する超薄膜(単分子層昌りの厚み:15〜35人
)であり、これらの膜で保護層を形成した場合には、電
磁変換特性に与える形容を著しく小さなものにすること
が町r屯となる。
この際、係る有機保護層の下地たる中間M(特にコバル
ト層)3はCo−Cr磁性層2に比べて親木性が高く、
従って、有機保護層をGo−Cr磁性層上に直接形成す
る場合と比較してより強固な密着性を保つことができる
。
ト層)3はCo−Cr磁性層2に比べて親木性が高く、
従って、有機保護層をGo−Cr磁性層上に直接形成す
る場合と比較してより強固な密着性を保つことができる
。
この保護層の厚さは、15〜100Aの範囲が好適であ
る。
る。
係る保護層形成を行なった磁性薄膜は熱処理及び/又は
真空処理に付される。これらの処理を行うことにより、
中間層3と保護層4との密着性が向丘すると共に保護層
4そのものが安定化し、電磁変換特性を木質的に低下さ
せることなく、特に耐久性、並びに走行性の優れた薄膜
堆積型磁気記録媒体が得られる。
真空処理に付される。これらの処理を行うことにより、
中間層3と保護層4との密着性が向丘すると共に保護層
4そのものが安定化し、電磁変換特性を木質的に低下さ
せることなく、特に耐久性、並びに走行性の優れた薄膜
堆積型磁気記録媒体が得られる。
前記熱処理としては、基体や有機保護層の材質にもよる
が、40℃〜90℃の環境温度にて1分間〜30分間加
熱するのが適当である。また、真空処理としでは、1O
−2torr 〜10−’ torrの減圧状態に5分
間〜10分間ざらのが適当である。。
が、40℃〜90℃の環境温度にて1分間〜30分間加
熱するのが適当である。また、真空処理としでは、1O
−2torr 〜10−’ torrの減圧状態に5分
間〜10分間ざらのが適当である。。
もちろん、熱処理と真空処理の両方を実施してもよい。
本発明によって得られるGo −Cr合金強磁性体薄膜
堆積型磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体
の少なくとも片側表面には磁気記ti?層を形成し、こ
れと反対側の一方の面には、必要に応じて表面と対称型
の薄膜を積層形成しても良く、あるいは当該基体の保護
、滑性、補強、その他の有効な効果を補足する目的で各
種のバックコート層を形成しても良い。パンクコート層
としては。
堆積型磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体
の少なくとも片側表面には磁気記ti?層を形成し、こ
れと反対側の一方の面には、必要に応じて表面と対称型
の薄膜を積層形成しても良く、あるいは当該基体の保護
、滑性、補強、その他の有効な効果を補足する目的で各
種のバックコート層を形成しても良い。パンクコート層
としては。
Ai、 Ti、 V、 Zr、 Co、 Nb、 Ta
、 W、 Cr、 Si、 Ge等の金属、半金属ある
いはその酸化物、窒化物、炭化物の薄膜、あるいは酸化
物微粒子炭酸カルシウム等の易滑性微粒子と、カーボン
、金属粉末等の導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル
等の潤滑剤を少なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬
化性樹脂等の高分子7へイングーに混、!して塗10し
たものが挙げられる。
、 W、 Cr、 Si、 Ge等の金属、半金属ある
いはその酸化物、窒化物、炭化物の薄膜、あるいは酸化
物微粒子炭酸カルシウム等の易滑性微粒子と、カーボン
、金属粉末等の導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル
等の潤滑剤を少なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬
化性樹脂等の高分子7へイングーに混、!して塗10し
たものが挙げられる。
以下、本発明の具体的実施例を挙げることにより本発明
を更に詳細に説明する。
を更に詳細に説明する。
[I]磁気テープの製造
くテープの評価方法〉
出力の周波数特性:
0.75MHz、 4.5MHz、 7.5MHzの単
一信号を記録し、再生出力を測定。
一信号を記録し、再生出力を測定。
スチル耐久性テスト:
20℃、65%および0℃の環境下でスチル再生出力の
時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内を
Oとする。
時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内を
Oとする。
耐蝕テスト:
50℃、80%で1000時間放置後飽和磁束密度の低
下が10%以内を0とする。
下が10%以内を0とする。
実施例1
内容積300交の重合釜に3.3’ 、4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリ
ット酸二無水物:80モル、パラフェニレンジアミンニ
ア0モル及び4,4゛−ジアミンジフェニルエーテル;
30モルを原料として厚さlouの芳香族ポリイミド膜
ノベースフィルムを製造した。
ェニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリ
ット酸二無水物:80モル、パラフェニレンジアミンニ
ア0モル及び4,4゛−ジアミンジフェニルエーテル;
30モルを原料として厚さlouの芳香族ポリイミド膜
ノベースフィルムを製造した。
この芳香族ポリイミドフィルムについて種々の物性を測
定したが、その結果、引張弾性定数が490kg/im
2.熱膨張係数αは100〜300℃で1.6X 10
’ cm/cm/’C1Rz (JIS B 0801
による10点平均粗さ)は80人であった。
定したが、その結果、引張弾性定数が490kg/im
2.熱膨張係数αは100〜300℃で1.6X 10
’ cm/cm/’C1Rz (JIS B 0801
による10点平均粗さ)は80人であった。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、電子ビーム加熱装器を有した磁気テープの連続
成膜装器により、ち該ベースフィルム(7)表面にCa
78wt1− Cr 22wtXの垂直磁化蒸着膜を
ベースフィルムの温度を200℃として、0.1g/s
eeの成膜速度で約0.4−厚形成した後、その上部に
酸素lO%を含むアルゴンガス中でCOをスパッタし、
酸化コバルト薄膜を8OA厚形成した。
使用し、電子ビーム加熱装器を有した磁気テープの連続
成膜装器により、ち該ベースフィルム(7)表面にCa
78wt1− Cr 22wtXの垂直磁化蒸着膜を
ベースフィルムの温度を200℃として、0.1g/s
eeの成膜速度で約0.4−厚形成した後、その上部に
酸素lO%を含むアルゴンガス中でCOをスパッタし、
酸化コバルト薄膜を8OA厚形成した。
次に、(1)式に示すフッ素4換脂肪酸CF3(CF2
)2(CH2) 14 C:00H(1)をクロロホル
ムに溶解せしめ(濃度1mg/ml)だ後、塩化カドミ
ウム4X104Mを含むpH8,5、水温20℃の水相
14 (第1図)上に展開し、膜状に析出させた。溶媒
蒸発除去後、表面圧を30mN/mに迄高めた。この表
面圧を一定に保ち乍ら上述磁性体gi膜を担体とし、L
omm/akinの速度で係る担体を水面を横切る方向
に水中より引き上げ、フッ素置換脂肪酸(1)のカドミ
ウム塩単分子膜を係る担体上に形成した。こうして得た
磁気シートを70℃の恒温炉にて、15分間熱処理を行
なった後、8.0mm幅にスリットした。この テープのカールは、−< O,IQIll−’と小さ
く、実用北問題のない量であった。このテープを8ミリ
VTRテープ用カセツトに装着し、 8ミリビデオデツ
キにて出力の周波数特性、スチル耐久性、50℃・80
XR)Iでの耐食性テスト等を行なった。
)2(CH2) 14 C:00H(1)をクロロホル
ムに溶解せしめ(濃度1mg/ml)だ後、塩化カドミ
ウム4X104Mを含むpH8,5、水温20℃の水相
14 (第1図)上に展開し、膜状に析出させた。溶媒
蒸発除去後、表面圧を30mN/mに迄高めた。この表
面圧を一定に保ち乍ら上述磁性体gi膜を担体とし、L
omm/akinの速度で係る担体を水面を横切る方向
に水中より引き上げ、フッ素置換脂肪酸(1)のカドミ
ウム塩単分子膜を係る担体上に形成した。こうして得た
磁気シートを70℃の恒温炉にて、15分間熱処理を行
なった後、8.0mm幅にスリットした。この テープのカールは、−< O,IQIll−’と小さ
く、実用北問題のない量であった。このテープを8ミリ
VTRテープ用カセツトに装着し、 8ミリビデオデツ
キにて出力の周波数特性、スチル耐久性、50℃・80
XR)Iでの耐食性テスト等を行なった。
結果は第1表に示す如く、大変良好であった。
実施例2
実施例1におけるフッ素置換脂肪酸カドミウム塩(CF
3(CF2)2(CH2) +s (:00)2cdン
の単分子l!2を3層に累植した以外は、実施例1と全
く同様にして、テープを作製し、性能評価を行った結果
を第1表に示す、その結果は、単分子I漠のものと同等
に良好であった・ 実施例3 下記式(2)に示すフッ素全置換脂肪酸;パーフルオロ
デカン酸 CF3 (CF2 )8 C0(1)! (2
)をクロロホルムに溶解せしめ(濃度2B/ml)だ後
、塩化アルミニウム5×10″X、カリウムイオン2X
lO−Mを含むPH5、水温15℃の水相14(第2図
)上に展開し、パーフルオロデカン酸アルミニウム塩を
膜状に形成させた。溶媒蒸発除去後、表面圧を30mN
/mに迄高めた。この表面圧を一定に保ち乍ら実施例1
と同様にして作成した、膜厚80への酸化コノヘルド膜
を表面に有するGo−Cr磁性薄膜を担体とし、 10
mm/ff1inの速度で係る担体を水面を横切る方向
に水中より引き上げ、パーフルオロデカン酸アルミニウ
ム塩の単分子膜を係る担体トに形成した。こうして得た
磁気シートを50°Cの真空恒温炉(真空度1O−2t
orr)にて5分間真空熱処理を行なった後、 80国
m幅スリットした。二のテープを実施例1と同様にして
性能評価を行なった。結果を第1表に示す。
3(CF2)2(CH2) +s (:00)2cdン
の単分子l!2を3層に累植した以外は、実施例1と全
く同様にして、テープを作製し、性能評価を行った結果
を第1表に示す、その結果は、単分子I漠のものと同等
に良好であった・ 実施例3 下記式(2)に示すフッ素全置換脂肪酸;パーフルオロ
デカン酸 CF3 (CF2 )8 C0(1)! (2
)をクロロホルムに溶解せしめ(濃度2B/ml)だ後
、塩化アルミニウム5×10″X、カリウムイオン2X
lO−Mを含むPH5、水温15℃の水相14(第2図
)上に展開し、パーフルオロデカン酸アルミニウム塩を
膜状に形成させた。溶媒蒸発除去後、表面圧を30mN
/mに迄高めた。この表面圧を一定に保ち乍ら実施例1
と同様にして作成した、膜厚80への酸化コノヘルド膜
を表面に有するGo−Cr磁性薄膜を担体とし、 10
mm/ff1inの速度で係る担体を水面を横切る方向
に水中より引き上げ、パーフルオロデカン酸アルミニウ
ム塩の単分子膜を係る担体トに形成した。こうして得た
磁気シートを50°Cの真空恒温炉(真空度1O−2t
orr)にて5分間真空熱処理を行なった後、 80国
m幅スリットした。二のテープを実施例1と同様にして
性能評価を行なった。結果を第1表に示す。
比較例1.2
実施例1及び3に於いて各々熱処理乃至真空処理工程を
省略した他は全く同等にして得られたテープの性能評価
を行なった。結果を第1表に示す。
省略した他は全く同等にして得られたテープの性能評価
を行なった。結果を第1表に示す。
[IIコ磁気ディスクの製造
くディスクの評価法〉
スチルビデオデツキ(試作機)で再生出力、耐久性、円
周方向の出力変動(出力ムラ)を測定、耐久性は連続5
0時間再生し、出力の低下が6dB以下のものをOとす
る。出力ムラは1トラツク中での出力の最大値と最小値
の差を示す。
周方向の出力変動(出力ムラ)を測定、耐久性は連続5
0時間再生し、出力の低下が6dB以下のものをOとす
る。出力ムラは1トラツク中での出力の最大値と最小値
の差を示す。
実施例4
3.3’、4,4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物;40モル、ピロメリット酸二焦氷物:60モル。
水物;40モル、ピロメリット酸二焦氷物:60モル。
パラフェニレンジアミン;50モル及び4.4゛−ジア
ミンジフェニルエーテル、 50モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0.unの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。
ミンジフェニルエーテル、 50モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0.unの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。
この芳香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数か400
kg/mm2、100〜300℃における熱膨張係数α
か2.6X 10’ ca+/cm/”C3Rzは30
人であった。
kg/mm2、100〜300℃における熱膨張係数α
か2.6X 10’ ca+/cm/”C3Rzは30
人であった。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて当1該ベースフィルム
上にCo 8(1wt% −Gr 20wt!l;の組
直磁化膜をベースフィルムの温度を 150℃として、
約0.5ul形成した後、その上部に酸素12%を含む
アルゴンガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜
を 100人厚形成した。次に係る磁性薄膜J二に実施
例1と同様の方法に依り、フッ素置換脂肪酸カドミウム
@(cF3cF2)、(C1+2ン、4coo)、c
d)ノー11i分−f−膜を作成した後70℃の恒温炉
で15分間熱処理を行なった。
使用し、スパッタリング装置にて当1該ベースフィルム
上にCo 8(1wt% −Gr 20wt!l;の組
直磁化膜をベースフィルムの温度を 150℃として、
約0.5ul形成した後、その上部に酸素12%を含む
アルゴンガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜
を 100人厚形成した。次に係る磁性薄膜J二に実施
例1と同様の方法に依り、フッ素置換脂肪酸カドミウム
@(cF3cF2)、(C1+2ン、4coo)、c
d)ノー11i分−f−膜を作成した後70℃の恒温炉
で15分間熱処理を行なった。
こうして得られたダンプルを直径47+nmφのディス
クに打ち抜き加工し、どデオディスク再生機を用いて評
価した。
クに打ち抜き加工し、どデオディスク再生機を用いて評
価した。
その結果は第2表に示した様に大変良好であった。
実施例5
実施例4に於ける有機保護層をパーフルオロデカン酸ア
ルミニウム塩単分子膜に変更した他は実施例4と全く同
様にしてディスクを作成した。この際、単分子膜の作成
条件は実施例3と全く同等であった。かかるディスクの
性能評価の結果を第2表シこ示す。
ルミニウム塩単分子膜に変更した他は実施例4と全く同
様にしてディスクを作成した。この際、単分子膜の作成
条件は実施例3と全く同等であった。かかるディスクの
性能評価の結果を第2表シこ示す。
比較例3,4
実施例4及びSに於いて、各々熱処理工程を省略した他
は全く回等にして得られたディスクの性能評価を行なっ
た。その結果を第2表に示す。
は全く回等にして得られたディスクの性能評価を行なっ
た。その結果を第2表に示す。
比較例5
X流側xにおいて酸化コバルト層とパーフルオロデカン
酸アルミニウム塩層の代わりに純鉄系磁性体をに塗!1
jシた市販のメタル塗布型の磁気シートを直径47mm
小のディスクに打ち抜ご加工し、ビデオディスク再生機
を用いて評価した。結果を第2表に示す。
酸アルミニウム塩層の代わりに純鉄系磁性体をに塗!1
jシた市販のメタル塗布型の磁気シートを直径47mm
小のディスクに打ち抜ご加工し、ビデオディスク再生機
を用いて評価した。結果を第2表に示す。
以上説明したように、本発明による磁気記録媒体の製造
方法によれば、走行性、耐久性、耐頌境性の優れた高密
度磁気記録媒体の実現をならしめることができる。
方法によれば、走行性、耐久性、耐頌境性の優れた高密
度磁気記録媒体の実現をならしめることができる。
第1図は本発明によって製造される磁気記録媒体の構成
図であり、第2図(a)、(b)は本発明の製造方法に
使用される単分子又は単分子累植膜形成装置である。 ■・・・基体、 ?・・・強磁性体層、3・・
・中間層、 4・・・有機保護層、5・・・水槽
、 6・・・枠、7・・・仕切板、 8
・・・おもり、9・・・滑車、10・・・磁石、 +1・・・対磁石、 12・・・吸引パイプ、!
3・・・吸引ノズル、 14・・・水相、15・・・
担体(基板)、18・・・担体上下腕。
図であり、第2図(a)、(b)は本発明の製造方法に
使用される単分子又は単分子累植膜形成装置である。 ■・・・基体、 ?・・・強磁性体層、3・・
・中間層、 4・・・有機保護層、5・・・水槽
、 6・・・枠、7・・・仕切板、 8
・・・おもり、9・・・滑車、10・・・磁石、 +1・・・対磁石、 12・・・吸引パイプ、!
3・・・吸引ノズル、 14・・・水相、15・・・
担体(基板)、18・・・担体上下腕。
Claims (5)
- (1)基体上に、磁性体層を積層し、次いで含フッ素有
機化合物の単分子膜又はその累積膜を含む有機保護層を
積層し、更に得られた積層物に熱処理及び/又は真空処
理を施すことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (2)前記有機保護層と前記磁性体層の間に中間層を設
けた特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 - (3)前記有機保護層の厚みが15Å以上100Å以下
である特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 - (4)前記中間層が酸化コバルトの薄膜である特許請求
の範囲第2項記載の製造方法。 - (5)前記基体が芳香族ポリイミドフィルムである特許
請求の範囲第1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11357986A JPS62271220A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11357986A JPS62271220A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62271220A true JPS62271220A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14615805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11357986A Pending JPS62271220A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62271220A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243228A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH02281416A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Onoda Cement Co Ltd | 両親媒性単分子層被膜を有するデータ記録構造体及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP11357986A patent/JPS62271220A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243228A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH02281416A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Onoda Cement Co Ltd | 両親媒性単分子層被膜を有するデータ記録構造体及びその製造方法 |
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