JPS62271220A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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JPS62271220A
JPS62271220A JP11357986A JP11357986A JPS62271220A JP S62271220 A JPS62271220 A JP S62271220A JP 11357986 A JP11357986 A JP 11357986A JP 11357986 A JP11357986 A JP 11357986A JP S62271220 A JPS62271220 A JP S62271220A
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fluorine
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JP11357986A
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Hiroshi Matsuda
宏 松田
Kenji Saito
謙治 斉藤
Toshihiko Miyazaki
俊彦 宮崎
Nobuyuki Saito
信之 斉藤
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業−1−の利用分野〕 本発明は、耐久性、耐環境性に優れた高密度記録用の薄
膜堆積型磁気記録媒体の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来より、ポリエステル等のプラスチックフィルムから
なる非磁性基体の上に1強磁性徴粒子を高分子結合剤中
に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁気記録媒
体が広く用いられている。
また近年では全屈等の薄膜を基若、スパッタリング等の
方法で磁性層として非磁性基体上に形成せしめた強磁性
iv膜型磁磁気録奴体の開発が進められており、一部実
用化しているものもある。
磁性層の磁気キ5シ性、耐食性、耐摩耗性、摩擦係数、
形状(カール、変形)は磁気記録媒体の性能を左右する
要素であり、これらの前記性能要素は磁性層の材料や製
法、基体、保護間滑剤(あるいは層)に依存するもので
ある。磁性層材料については磁束密度が大きく、薄型化
可能な強磁性薄膜型磁気記録媒体が従来の塗布型磁気記
録媒体に勝っている。
しかしながら磁性層をなす強心性pJ膜型の苅着テープ
の代表であるCQ−Ni合金膜は、耐食性と耐久性が実
用上十分ではない。すなわち、Co−Ni合金自体が#
金合金でなく、かつ特性向上の目的で斜め蒸着で形成す
るためにV、度が小さく、酸化しやすい状態となってい
る。そのためCo−Ni合金膜の膜表面を酸化処理する
方法(特開昭53−85403号公報他)、Co−Ni
合金膜の上に酸化物や窒化物の保護層を設ける方法(特
開昭57−187134号公報他)、Go−Ni合金膜
の上に防錆剤を塗布する方法(特開昭57−15251
8号公報他)等の#食方法が検討されているが、Go−
Ni合金膜の膜厚そのものが薄くかつ密度が低いため、
十分な耐食性が保証されないという問題点があった。又
、Co−Ni合金膜の上に脂肪酸金属塩の単分子膜から
成る保護層をラングミュア・ブロジェット法で形成する
方法(特開昭81−48119号)が知られており、係
る方法によれば耐候性、耐久性、走行性が改善される。
然し乍ら高度の電磁変換特性を保つために保護層を薄く
すれば、その耐久性、走行性は十分であるとはいい難く
、また保護層を厚くすれば、短波長を用いた高密度磁気
記録ができないという問題点があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであ
りその目的は、優れた記録再生特性を有するとともに耐
食性、耐久性においても実用的に十分な性能を有する磁
気記録媒体を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の上記目的は、基体上に、磁性体層を積層し、次
いで含フッ素有機化合物の単分子膜又はその累積膜を含
む有機保護層を積層し、更に得られた積層物に熱処理及
び/又は真空処理を施す磁気記録媒体の製造方法によっ
て達成される。
第1図は本発明の方法により製造される磁気記録媒体の
好ましい構成を示す模式図で、1は基体、2は強磁性体
層、3は下地処理の役割を果たす中間層、4は有機保護
層である。
基体1をなす材料としては、ガラス、アルミニウム、表
面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子支持基材とし
てポリエステル、セルロース、アクリル、ポリアミド、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリ
ポリフロロオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酪酸ビニ
ル、塩化ビニル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニ
リデン ポリカーボネート、フェノール構■旨、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
アセタール、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレ
ンサルファイド等が挙げられる。
強磁性体層2をなす材料としては、Fe、 Go、 N
iを主体とする合金、あるいはその酸化物、窒化物等が
使用可能であるが、高密度記録特性に優れ、また耐食性
にも優れるGo−Cr合金あるいはGo−Cr合金を主
成分とする強磁性nI2が好ましい。
電磁変換特性の優れた磁気記録媒体を得るためには、強
磁性体層2の保磁力の大きいことが望ましい1強磁性体
層2がGo−C:r合金膜の場合はその保磁力向」二の
ためにCo−Cr合金膜の形成温度を高くすることが好
ましく (101)°C〜300°C)、その場合、基
体1としては@述の材料のうち耐熱性を有するポリアミ
ド、ポリイミド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂を使用
することが好ましい。
また本発明によって得られる磁気記録媒体であるフロッ
ピーディスク、磁気テープ等はカールが発生しないこと
が走行性、ヘッドタッチの点から重要である。カールの
ない磁気記録媒体を作成するためには、基体lの材料と
してCo−Cr合金膜との熱応力、成膜詩に発生する応
力を打ち消す様な熱膨張の値を有するものを選ぶ必要が
ある。
以下、基体1として芳香族ポリイミド膜を用いる場合に
つき説明する。
芳香族ポリイミド膜(フィルム)としては、シアミン成
分としてパラフェニレンジアミン(PPD)を弔独で使
用するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテル
(DADE)とを併用し、また、テトラカルボン酸成分
として、ビフェニルテトラカルボン酸二無本物(BPD
A)とピロメリット酸二無水物(pxnA)とを併用し
て、共重合させて得られた芳香族ポリアミック酸の溶液
を製膜し、/!Xいでイミト化して得られた芳香族ポリ
イミド膜(フィルム)が好ましく、その厚みが4−〜1
00−のものが記録媒体用として有用である。
この芳香族ポリイミドフィルムは、前述のようにPPD
、BPDAおよびPMDAの3成分あるいはppn 。
DADE 、BPDAおよびPMDAの4成分を共重合
させて形成されたものなので、耐熱性、引張弾性に優れ
ているばかりでなく、画成分を構成する各成分の使用量
比率を調整することによって、得られる芳香族ポリイミ
ド膜の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致
するような値にすることができ、また、芳香族ポリイミ
ド膜の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を
好適にするように変えることができる。
この芳香族ポリイミドフィルムは、その熱膨張係数が約
1.OX 10’ 〜3.OX 10’ cm/cm/
”Cの範囲であり、引張弾性定数が約300〜1200
kg/■2、特に325〜700kg/mm2の範囲で
あって、更に二次転移温度が約300℃以上、特に31
0°C以上であることが好ましく、さらに上述の性能に
加えて、熱分解開始温度が約400°C以上、特に45
0℃以上であって、約250 ’Cの温度付近での連続
使用に耐えうるちのであり、また、引張試験における引
張強度が約20kg/1n112、以上、特に約25k
g/+m2、以上であり、しかも破断点の伸び率が約3
0%以上、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体
の!!IJ造の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性
層の形成が可能であると共に、カールの発生を防止でき
、さらに巻きムラ、走行性、およびヘッドタッチの優れ
た磁気記録媒体となるので最適である。
芳香族ポリイミドを得るための芳香族ポリアミック酸は
、磁気記録媒体の機械的及び熱的性質などを上述の様に
好適にするために、その生成に使用されるジアミン成分
として、全ジアミン成分に対して約40〜95モル%、
特に45〜90モル%範囲の使用量割合のPPDと、全
ジアミン成分に対して約5〜60モル%、特に10〜5
5モル%の使用量割合のDADEとの2成分からなるも
のが好ましい、また、芳香族ポリアミック酸を生成する
ためのテトラカルボン酸成分は、全テトラカルボン酸成
分に対して約10〜90モル%、特に15〜85モル%
の使用量割合のEIPDAと、全テトラカルボン酸成分
に対して約10〜90モル%、特に15〜85モル%の
使用量割合のPMDAとからなることが好ましい。
さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混、練せしめることも可能である。しかし本発
明によって製造される磁気記録媒体に優れた高密度記録
特性を付与するためには、JIS B 0801による
基体の表面粗さの最大高さくRmax)が0.05−以
下であることが望ましい。
以上に述べてきた、芳香族ポリイミド膜の上にCo−C
r合金からなる磁性層を形成するには、例えばスパッタ
リング法、電子ビーム連続蒸着法などの公知の方法が使
用できるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の
表面に磁性層を形成する際、1囚の温度(成膜温度)を
約250°Cにまで上げることができるので、優れた性
能の磁性層が容易に形成されうるのである。
Go−Cr合金が磁気記Q層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影Δを受けないことである。
すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、高出
力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。
このGo−Cr合金からなる磁性層2の厚みは0.1μ
s〜2.Opの範囲が好ましく、基体1に直接形成させ
る以外にも、磁性層を形成するに先立ち、接着性向上、
磁気特性向」二、その他の目的で必要に応じてコロナ放
電処理その他の1■i処理を施したり、AI 、 Ti
、 Cr、 Ge、 5i02.A1203 @:の非
磁性膜、あるいはFe−Ni合金膜、またはGo−Zr
Fe−P−C:、Fe−Go−9i−B等の非晶質膜で
代表される高透磁率IIQを介して設けてもかまわない
これらCo−Cr合金強磁性薄膜は、必要に応じて基体
1の両面に形成することもできる。
に記のような強磁性体層2の表面には、後述の有機保護
層4との′!F:着性をよくするために中間層が設けら
れる。
中間層3としては、特に酸化コバルトよりなる層が摺動
特性上からも好ましい、酸化コバルト層は、所定圧の酸
素を含む不活性ガス中でのスパッタリング法、希薄酸素
下での真空基若法、もしくはイオンブレーティング法等
の物理蒸着法、あるいはプラズマ酸化処理によって、G
o−Cr合金強磁性体層2の表面に直接堆積形成あるい
は下地として酸化層形成をした上に形成している。中間
層3の厚みは、Go −Cr系合金磁性層の持つ高密度
記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減
少のため薄い事が望ましく中間層3の厚みは30〜30
0 Aが好ましく、50〜150人が特に好ましい、た
だし中間層3と有機保護層4を合わせた厚みを好ましく
は250 A以下、より好ましくは120A以下におさ
えることが適当である。
有機保護層4は、分子内に親木性部位と疎水性部位とを
併有する含フッ素化合物(以下、両親媒性含フッ素化合
物)の単分子膜又はその累積膜からなる層であり、その
形成にあたってはそのような単分子膜又はその累積膜を
50〜90°Cで熱処理、或いは室温〜70°C下で真
空処理を施したものが用いられる。
有機保護層4を構成する両親媒性含フッ素、化合物の一
例としては以下に示す構造を有する化合物の炭化水素鎖
を構成する水素原子の一部又は全てがフッ素原子に置換
された化合物を挙げることができる。
■ CH3(CH2)k  R ■ CH2= 0H(CH2)k  Rt:>    
)I (C)12)+a−C= c−c ヨC−(CH
2)n −R・■ CH3(C)12) kcOOcH
= CH2旧記化合物においてRは親木性部位であり具
体的には、 −COO)! 、 −C)+20H、−3o3H、−C
OOCH3,−C)12Si(’N′′:J−X (X
 −C1、Br、I、BF4.PF6 、TC:NQ、
TCNQ2など)などの親木性基が挙げられる。また、
フッ素原子を含む炭素鎖を構成する炭素数は■、■及び
■の化合物についてはkは4〜20の整数であり、(1
)の化合物についてはm、nは各々0〜28の整数であ
り、かつ、m、!:nの和が6〜35の整数である。
北記の両親媒性含フッ素化合物の単分子膜又は単分子累
積膜を作成する方法としては1例えば以下に説明するよ
うな1.Langmuirらの開発したラングミュア・
プロジェット法(以下LB法)が使用できる。
すなわち、まず目的とする両親媒性含フッ素化合物をク
ロロホルム等の溶剤シこ溶解させる。次に、第2図(a
)、(b)に示す装置を用いて1両親媒性含フッ素化合
物の溶液を水相14上に展開させて両親媒性含フッ素化
合物を膜状に形成させる。
この際、末端にカルボキシル基を有する両親媒性含フッ
素化合物を用いる場合には水相14中にあらかじめ所望
の全屈イオン、例えば、Ag+、Cu”、Li”、 N
a”、K+、Ba++、Ca”、 Co1、Cr”、 
Cd”、Mg++、Mn”、pb→、Cu←、Fe++
、N1++、Zn++。
Qo+++、C,+++、Fe+++、An””、Ru
+++、La”+十等やアンモニウムイオンを溶解させ
ておけば、これらの塩として膜状に形成させることもで
きる。
その際、カルボキシル基の水素原子がこれらの金属イオ
ン若しくはアンモニウムイオンと置換する割合は水相1
4のpHやイオン濃度を調節することによって任意の割
合のものを得ることができる。
このカルボキシル基を有する両親奴性含フッ素化合物を
塩にした場合、遊#酸の状態をとるものと比較して、水
面上単分子膜の固化を図ることができ、その後の累積(
後述)が容易になる場合が多い。殊に CF3(0F2
) 8COOHのようなフッ化炭素鎖のみからなるカル
ボン酸の場合には、 Aj!3”。
La”、Cr3+等の3価金属塩とすることにより累積
を容易に行うことができる。
次にこの展開層が水相」二を自由に拡散して広がりすぎ
ないように仕切板(または浮子)7を設けて展開面積を
制限して膜物質の集合状態を制御しその集合状態に比例
した表面圧を得る。この仕切板7を動かし展開面積を縮
小して膜物質の集合状態を制御し1表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧を設定することが出
来る。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体15
を垂直に上下させることにより両親媒性含フッ素化合物
の単分子膜が担体15上に移しとられる。ここでいう担
体とは、既述の磁性体薄膜を示す、この様にして両親媒
性含フッ素化合物の単分子膜を中間層3上に形成するこ
とができる。
両親媒性含フッ素化合物の単分子膜はこのようにして製
造されるが前記の操作を繰り返す事により所望の累積数
の両親媒性含フッ素化合物の単分子累積膜を形成するこ
とができる。
両親媒性含フッ素化合物の単分子膜を担体とに移すには
上述した垂直浸漬法の他、水平付着法。
回転円筒法などの方法も採用できる。
水平付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方
法で、回転円筒法は円筒形の担体を水面上を回転させて
担体表面に移しとる方法である。
前述した垂直浸漬法では、表面が親木性である担体を水
面を横切る方向に水中から引き上げると両親媒性含フッ
素化合物の親木基が担体側に向いた単分子膜が担体とに
形成される。前述のように担体を上下させると、各工程
ごとに一枚ずつ両親媒性含フッ素化合物の単分子膜が積
み重なっていく。製++tt分子の向きが引上行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると各層間は両親
媒性含フッ素化合物の親木基と疎水基が向かいあうY型
膜が形成される。それに対し水平付着法は、両親奴性含
フッ素化合物の疎水基が担体側に向いた単分子膜が担体
上に形成される。この方法では、累植しても、製膜分子
の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が担体側
に向いたxWlが形成される0反対に全ての層において
親木基が担体側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれる。
単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いるときには担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。
また、前述した親木基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。
上述の方法に口って中間層3上に形成される両親媒性含
フッ素化合物の単分子膜及び単分子累積膜は高度の秩序
性を有する超薄膜(単分子層昌りの厚み:15〜35人
)であり、これらの膜で保護層を形成した場合には、電
磁変換特性に与える形容を著しく小さなものにすること
が町r屯となる。
この際、係る有機保護層の下地たる中間M(特にコバル
ト層)3はCo−Cr磁性層2に比べて親木性が高く、
従って、有機保護層をGo−Cr磁性層上に直接形成す
る場合と比較してより強固な密着性を保つことができる
この保護層の厚さは、15〜100Aの範囲が好適であ
る。
係る保護層形成を行なった磁性薄膜は熱処理及び/又は
真空処理に付される。これらの処理を行うことにより、
中間層3と保護層4との密着性が向丘すると共に保護層
4そのものが安定化し、電磁変換特性を木質的に低下さ
せることなく、特に耐久性、並びに走行性の優れた薄膜
堆積型磁気記録媒体が得られる。
前記熱処理としては、基体や有機保護層の材質にもよる
が、40℃〜90℃の環境温度にて1分間〜30分間加
熱するのが適当である。また、真空処理としでは、1O
−2torr 〜10−’ torrの減圧状態に5分
間〜10分間ざらのが適当である。。
もちろん、熱処理と真空処理の両方を実施してもよい。
本発明によって得られるGo −Cr合金強磁性体薄膜
堆積型磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体
の少なくとも片側表面には磁気記ti?層を形成し、こ
れと反対側の一方の面には、必要に応じて表面と対称型
の薄膜を積層形成しても良く、あるいは当該基体の保護
、滑性、補強、その他の有効な効果を補足する目的で各
種のバックコート層を形成しても良い。パンクコート層
としては。
Ai、 Ti、 V、 Zr、 Co、 Nb、 Ta
、 W、 Cr、 Si、 Ge等の金属、半金属ある
いはその酸化物、窒化物、炭化物の薄膜、あるいは酸化
物微粒子炭酸カルシウム等の易滑性微粒子と、カーボン
、金属粉末等の導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル
等の潤滑剤を少なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬
化性樹脂等の高分子7へイングーに混、!して塗10し
たものが挙げられる。
〔実施例〕
以下、本発明の具体的実施例を挙げることにより本発明
を更に詳細に説明する。
[I]磁気テープの製造 くテープの評価方法〉 出力の周波数特性: 0.75MHz、 4.5MHz、 7.5MHzの単
一信号を記録し、再生出力を測定。
スチル耐久性テスト: 20℃、65%および0℃の環境下でスチル再生出力の
時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内を
Oとする。
耐蝕テスト: 50℃、80%で1000時間放置後飽和磁束密度の低
下が10%以内を0とする。
実施例1 内容積300交の重合釜に3.3’ 、4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリ
ット酸二無水物:80モル、パラフェニレンジアミンニ
ア0モル及び4,4゛−ジアミンジフェニルエーテル;
30モルを原料として厚さlouの芳香族ポリイミド膜
ノベースフィルムを製造した。
この芳香族ポリイミドフィルムについて種々の物性を測
定したが、その結果、引張弾性定数が490kg/im
2.熱膨張係数αは100〜300℃で1.6X 10
’ cm/cm/’C1Rz (JIS B 0801
による10点平均粗さ)は80人であった。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、電子ビーム加熱装器を有した磁気テープの連続
成膜装器により、ち該ベースフィルム(7)表面にCa
 78wt1− Cr 22wtXの垂直磁化蒸着膜を
ベースフィルムの温度を200℃として、0.1g/s
eeの成膜速度で約0.4−厚形成した後、その上部に
酸素lO%を含むアルゴンガス中でCOをスパッタし、
酸化コバルト薄膜を8OA厚形成した。
次に、(1)式に示すフッ素4換脂肪酸CF3(CF2
)2(CH2) 14 C:00H(1)をクロロホル
ムに溶解せしめ(濃度1mg/ml)だ後、塩化カドミ
ウム4X104Mを含むpH8,5、水温20℃の水相
14 (第1図)上に展開し、膜状に析出させた。溶媒
蒸発除去後、表面圧を30mN/mに迄高めた。この表
面圧を一定に保ち乍ら上述磁性体gi膜を担体とし、L
omm/akinの速度で係る担体を水面を横切る方向
に水中より引き上げ、フッ素置換脂肪酸(1)のカドミ
ウム塩単分子膜を係る担体上に形成した。こうして得た
磁気シートを70℃の恒温炉にて、15分間熱処理を行
なった後、8.0mm幅にスリットした。この テープのカールは、−<  O,IQIll−’と小さ
く、実用北問題のない量であった。このテープを8ミリ
VTRテープ用カセツトに装着し、 8ミリビデオデツ
キにて出力の周波数特性、スチル耐久性、50℃・80
XR)Iでの耐食性テスト等を行なった。
結果は第1表に示す如く、大変良好であった。
実施例2 実施例1におけるフッ素置換脂肪酸カドミウム塩(CF
3(CF2)2(CH2) +s (:00)2cdン
の単分子l!2を3層に累植した以外は、実施例1と全
く同様にして、テープを作製し、性能評価を行った結果
を第1表に示す、その結果は、単分子I漠のものと同等
に良好であった・ 実施例3 下記式(2)に示すフッ素全置換脂肪酸;パーフルオロ
デカン酸 CF3 (CF2 )8 C0(1)!     (2
)をクロロホルムに溶解せしめ(濃度2B/ml)だ後
、塩化アルミニウム5×10″X、カリウムイオン2X
lO−Mを含むPH5、水温15℃の水相14(第2図
)上に展開し、パーフルオロデカン酸アルミニウム塩を
膜状に形成させた。溶媒蒸発除去後、表面圧を30mN
/mに迄高めた。この表面圧を一定に保ち乍ら実施例1
と同様にして作成した、膜厚80への酸化コノヘルド膜
を表面に有するGo−Cr磁性薄膜を担体とし、 10
mm/ff1inの速度で係る担体を水面を横切る方向
に水中より引き上げ、パーフルオロデカン酸アルミニウ
ム塩の単分子膜を係る担体トに形成した。こうして得た
磁気シートを50°Cの真空恒温炉(真空度1O−2t
orr)にて5分間真空熱処理を行なった後、 80国
m幅スリットした。二のテープを実施例1と同様にして
性能評価を行なった。結果を第1表に示す。
比較例1.2 実施例1及び3に於いて各々熱処理乃至真空処理工程を
省略した他は全く同等にして得られたテープの性能評価
を行なった。結果を第1表に示す。
[IIコ磁気ディスクの製造 くディスクの評価法〉 スチルビデオデツキ(試作機)で再生出力、耐久性、円
周方向の出力変動(出力ムラ)を測定、耐久性は連続5
0時間再生し、出力の低下が6dB以下のものをOとす
る。出力ムラは1トラツク中での出力の最大値と最小値
の差を示す。
実施例4 3.3’、4,4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物;40モル、ピロメリット酸二焦氷物:60モル。
パラフェニレンジアミン;50モル及び4.4゛−ジア
ミンジフェニルエーテル、 50モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0.unの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。
この芳香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数か400
kg/mm2、100〜300℃における熱膨張係数α
か2.6X 10’ ca+/cm/”C3Rzは30
人であった。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて当1該ベースフィルム
上にCo 8(1wt% −Gr 20wt!l;の組
直磁化膜をベースフィルムの温度を 150℃として、
約0.5ul形成した後、その上部に酸素12%を含む
アルゴンガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜
を 100人厚形成した。次に係る磁性薄膜J二に実施
例1と同様の方法に依り、フッ素置換脂肪酸カドミウム
@(cF3cF2)、(C1+2ン、4coo)、c 
d)ノー11i分−f−膜を作成した後70℃の恒温炉
で15分間熱処理を行なった。
こうして得られたダンプルを直径47+nmφのディス
クに打ち抜き加工し、どデオディスク再生機を用いて評
価した。
その結果は第2表に示した様に大変良好であった。
実施例5 実施例4に於ける有機保護層をパーフルオロデカン酸ア
ルミニウム塩単分子膜に変更した他は実施例4と全く同
様にしてディスクを作成した。この際、単分子膜の作成
条件は実施例3と全く同等であった。かかるディスクの
性能評価の結果を第2表シこ示す。
比較例3,4 実施例4及びSに於いて、各々熱処理工程を省略した他
は全く回等にして得られたディスクの性能評価を行なっ
た。その結果を第2表に示す。
比較例5 X流側xにおいて酸化コバルト層とパーフルオロデカン
酸アルミニウム塩層の代わりに純鉄系磁性体をに塗!1
jシた市販のメタル塗布型の磁気シートを直径47mm
小のディスクに打ち抜ご加工し、ビデオディスク再生機
を用いて評価した。結果を第2表に示す。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による磁気記録媒体の製造
方法によれば、走行性、耐久性、耐頌境性の優れた高密
度磁気記録媒体の実現をならしめることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によって製造される磁気記録媒体の構成
図であり、第2図(a)、(b)は本発明の製造方法に
使用される単分子又は単分子累植膜形成装置である。 ■・・・基体、     ?・・・強磁性体層、3・・
・中間層、    4・・・有機保護層、5・・・水槽
、     6・・・枠、7・・・仕切板、    8
・・・おもり、9・・・滑車、10・・・磁石、 +1・・・対磁石、    12・・・吸引パイプ、!
3・・・吸引ノズル、  14・・・水相、15・・・
担体(基板)、18・・・担体上下腕。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体上に、磁性体層を積層し、次いで含フッ素有
    機化合物の単分子膜又はその累積膜を含む有機保護層を
    積層し、更に得られた積層物に熱処理及び/又は真空処
    理を施すことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  2. (2)前記有機保護層と前記磁性体層の間に中間層を設
    けた特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  3. (3)前記有機保護層の厚みが15Å以上100Å以下
    である特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  4. (4)前記中間層が酸化コバルトの薄膜である特許請求
    の範囲第2項記載の製造方法。
  5. (5)前記基体が芳香族ポリイミドフィルムである特許
    請求の範囲第1項記載の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01243228A (ja) * 1988-03-23 1989-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体
JPH02281416A (ja) * 1989-04-21 1990-11-19 Onoda Cement Co Ltd 両親媒性単分子層被膜を有するデータ記録構造体及びその製造方法

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JPH02281416A (ja) * 1989-04-21 1990-11-19 Onoda Cement Co Ltd 両親媒性単分子層被膜を有するデータ記録構造体及びその製造方法

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