JPH0465447B2

JPH0465447B2 -

Info

Publication number: JPH0465447B2
Application number: JP5491285A
Authority: JP
Inventors: Tokihiko Shimizu; Yoshiki Goto; Sanemori Soga; Narihiro Sato
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-03-19
Filing date: 1985-03-19
Publication date: 1992-10-20
Also published as: JPS61214119A

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野本発明は、情報産業分野等で利用される高記録
密度の磁気記録媒体に関する。従来の技術情報の高密度記録の要求にともない有機バイン
ダーにγ−Fe₂O₃等強磁性粉末を分散させた塗布
型磁気記録媒体に代つて、プラスチツク等の非磁
性基板に真空蒸着法，スパツタリング法，イオン
プレーテイング法等で直接強磁性金属薄膜を設け
た磁気記録媒体が研究開発され一部実用化に供さ
れている。発明が解決しようとする問題点強磁性金属薄膜の媒体は、記録再生時におい
て、ヘツドとの接触走査で薄膜層が容易に剥離，
摩耗，損傷等を起こす。上記欠陥を改善するため
媒体の表面上に保護膜を設けることが提案されて
いる。例えばポリテトラフルオロエチレン，ポリ
トリフルオロクロロエチレン等の弗素樹脂層を設
けたり、弗素系りん酸エステルの単分子層を設け
る試み（特開昭59−154647）が提案されている。
しかし、前者は、媒体表面との結合力が小さいた
め使用中に離脱しやすく、後者は分子内及び分子
間の結合力が小さいため使用中に分解や離脱が生
じやすく、長期の耐久性に対して効果が少ない。問題点を解決するための手段非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜上に、ポ
リホスフアゼン含有層を形成して保護膜とする。作用本発明は、上記構成により強磁性金属薄膜表面
との結合力を高めると同時に、保護膜自身の耐熱
性，耐酸化性により離脱及び分解が抑制されるた
め、摩耗等に対する耐久性が向上し、かつ潤滑性
にも優れた高記録密度の磁気記録媒体を得ること
が出来る。実施例第１図は、本発明の磁気記録媒体の断面図であ
る。第１図において、１は非磁性基板、２は強磁
性金属薄膜、３はポリホスフアゼン保護膜からな
る。本発明による磁気記録媒体に使用しうる非磁性
基板１としては、ポリ塩化ビニル，酢酸セルロー
ス，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレ
ン，ポリプロピレン，ポリカーボネート，ポリイ
ミド，ポリアミド等の高分子材料，非磁性金属材
料，ガラス，磁器等のセラミツク材料等周知の材
料からなるフイルム，板状等が挙げられる。また本発明の磁気記録媒体に使用しうる強磁性
金属薄膜２としては、鉄，コバルト，ニツケルの
１種以上の合金またはこれらと、マンガン，クロ
ム，チタン，リン，イツトリウム，サマリウム，
ビスマス等とを組合せた合金があり、その他上記
金属の酸化物等も利用しうる。非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２を形成させ
るに当つては、真空蒸着法，スパツタリング法，
イオンプレーテイング法，メツキ法等任意の周知
の方法で形成させることが出来る。本発明によれ
ば、上述したような強磁性金属薄膜２の上にポリ
ホスフアゼン含有層を設けるものである。本発明
で使用しうるポリホスフアゼンは、つぎの一般
式；（式中Ｒ，R′は弗素化炭化水素基、ｎは整数
である。）で表わされる弗素系ポリホスフアゼンが、望まし
く弗素化炭化水素として弗素化アルキル基，弗素
化フエニル基等が挙げられる。さらに弗素系ポリホスフアゼンにおいても、つ
ぎの一般式；で表わされるもので、ｍ，m′が０〜７の範囲、
ｎが４〜30の範囲の時、良好な結果が得られた。
側鎖分子のｍ，m′が７以上の場合は、潤滑性と
耐久性が低下をきたした。主鎖のｎが４未満の場
合は、分子の耐久性の低下をきたし耐久性の低下
をきたし、31以上の場合は、媒体表面での均一な
薄膜形成が困難となり保護膜の機能を発揮できな
かつた。ポリホスフアゼン含有保護膜の形成法
は、エタノール，メチルイソブチルケトン，テト
ラヒドロフラン，メチルエチルケトン，アセト
ン，ジメチルホルムアミド，ジメチルスルフオオ
キシドの溶媒に一般式(1)，(2)のポリホスフアゼン
を溶解し塗布工程で薄膜を形成した。その厚み
は、50〜500Åが好適であつた。501Å以上になる
と信号再生時にスペーシングロスにより出力低下
が生じ、50Å未満の時は、島状の薄膜になり耐摩
耗性，潤滑性のある保護膜としての機能を発揮で
きなかつた。以下に実施例をもつて説明する。実施例１厚さ12μmのポリイミドフイルム基板上に、真
空蒸着法によりコバルト（90wt％）−クロム
（10wt％）からなる膜厚1500Åの強磁性金属薄膜
を作つた。この媒体の表面にポリジトリフロロエ
トキシホスフアゼン（一般式(2)ｍ＝０，ｎ＝４）
が0.10重量％のエタノール溶液を塗布し、厚みが
295Åの保護薄膜を形成した。膜厚測定は、エリ
プソメーターで測定した。試料はテープ状のもの
を作製した。実施例２実施例１と同構成の強磁性金属薄膜表面に一般
式(2)のｍ＝４、ｎ＝10の弗素化ポリホスフアゼン
0.05重量％のテトラヒドロフラン溶液を塗布乾燥
し、310Åの保護膜を形成し、さらに切断してテ
ープ状の試料を作製した。実施例３実施例１と同構成の強磁性金属薄膜表面に一般
式(2)のｍ＝７、ｎ＝30の弗素化ポリホスフアゼン
の0.01重量％のジメチルスルホアミド溶液を塗布
乾燥し、280Åの保護膜を形成し、さらに切断し
てテープ状の試料を作製した。比較例１実施例１と同構成の強磁性金属薄膜表面にポリ
フロロエーテル（クライトシクス143、デイユポ
ン製）の0.01重量％弗素系炭化水素物（商品名ダ
イフロン，ダイキン製）溶液を塗布乾燥し、320
Åの保護膜を形成し、実施例と同様にテープ状の
試料を作製した。比較例２実施例１と同構成の強磁性金属薄膜表面にパー
フルオロアルキルリン酸エステル（サーフロンＳ
−112 旭硝子製）の0.1重量％イソプロパノール
溶液を塗布乾燥し、335Åの保護膜を形成し、テ
ープ状試料を作製した。上記実施例および比較例で得られた各磁気テー
プについて媒体表面の摩擦係数，耐久性を調べた
結果は、後記の表に示されるとおりであつた。（摩擦試験条件）測定機…動摩擦係数自動測定機（協和科学製）ヘツド材料，形状…鋼球（SUJ）直径３〓ヘツド荷重…20ｇｒヘツド走行速度…10mm／Ｓ測定雰囲気…25℃ 60％RH （耐久試験条件）測定機…磁気記録測定機ヘツド荷重…10ｇヘツド走行速度…0.1m／Ｓ測定雰囲気…25℃ 60％RH 出力が初期値より3dB低下するまでの走行回数
を測定

【表】上表の結果から明らかなように、本発明品は、
潤滑性に優れ、かつ耐久性に共に優れているもの
であることがわかる。発明の効果本発明の磁気記録媒体は、潤滑性，耐久性に優
れ、実用上きわめて有益なものである。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例における磁気記録媒体の断
面図である。１……非磁性基板、２……強磁性金属薄膜、３
……保護膜。

Claims

【特許請求の範囲】１非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜面上に
ポリホスフアゼン含有層を形成して成る磁気記録
媒体。２ポリホスフアゼンがつぎの一般式；（式中Ｒ，R′は弗素化炭化水素基、ｎは整数
である）で表わされる弗素系ポリホスフアゼンから成る特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。３ポリホスフアゼンがつぎの一般式；（式中ｍ，m′は０〜７の整数、ｎは４〜30で
ある）で表わされる弗素系ポリホスフアゼンから成る特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。