JPS62229516A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は耐久性、耐環境性に優れた高密度記録用薄膜堆
積型磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］ 従来より、通常はポリエステル等のプラスチックフィル
ムからなる非磁性支持体の上に、強磁性微粒子を高分子
結合剤中に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁
気記録媒体が広く用いられ、また近年は金属等のＦＩ　
Ｉｔ！Ｉを蒸着・スパッタリング等の方法で非磁性支持
体上に形成せしめた、強磁性薄膜型磁気記録媒体の開発
が進められており、一部実用化しているものもある。特
に、強磁性薄膜型磁気記録媒体のうち、Ｃａ−Ｃｒ垂直
磁化膜は高密度磁気記録媒体として将来性があるとされ
、脚光をあびている。

［発明が解決しようとする問題点］ 塗布型媒体では磁性層厚が大きいために高周波（短波長
）記録再生で反磁界の影響が大きく、短波長での再生出
力の向上を図るためには磁性層厚を薄くするか保持力Ｈ
ｃを大きくする必要が有る。

例えばメタルパウダー塗布媒体（ＭＰ媒体）では保持力
が１３００〜１５０００ｅ有り、従来磁気ヘッドに使用
されていたフェライトヘッドでは１分な記録が出来ず、
ＭＰ媒体用には高価なセンダストやアモルファスヘッド
が必要である。また磁性層厚みの減少は、短波長の記録
再生には優れるものの長波長の再生出力が減少する欠点
がある。また塗布型媒体の本質的な欠点として磁性粉を
高分子バインダーに分散させて使用するため、おのずか
ら磁束量を増加するのに限界があり、飛躍的な高出力化
は難しい。

一方、金属薄膜型の蒸着テープの代表であるＣｏ−Ｎｉ
合金膜は、耐食性と耐久性が実用上の問題である。すな
わち、Ｃｏ−Ｎｉ合金自体が耐食合金でなく、かつ特性
向上の目的で斜め蒸着で形成するために密度の小さいこ
とがあり、酸化しやすい状態となっている。Ｃｏ−Ｎｉ
合金膜では膜表面を酸化処理する（特開昭５３−８５４
０３号他）、＃化物、窒化物の保護層を設けるｌ開閉５
７−１８７１３４号他）。

防錆剤を塗布する（＃開閉５７−１５２５１８号他）等
の耐食方法が検討されているが、Ｃｏ−Ｎ１ｖの膜厚そ
のものが薄くかつ密度が低いため、十分な耐食性が保証
されない。

［問題点を解決するための手段及び作用１本光ＩＪはＦ
述した従来の磁気記録媒体の有する欠点を克服し、優れ
た記録再生特性であるとともに、耐食性、耐久性におい
ても実用的に上方な性能を右する磁気記録媒体を提供す
るものである。

本発明は、基体と該基体に積層されたＣｏ−Ｃｒ合金強
磁性体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と
該酸化コバルト層に積層された有機保護層とからなり、
該有機保護層が ＣｎＦ２ｎ、＋（：ＯＯＨまたは （ＣｎＦ２ｎ、ＩＣ０Ｏ）−Ｎ （式中、、ｎは正の整数、踵は金属を示す）で表わされ
る含フッ素有機化合物からなることを特徴とする磁気記
録媒体である。

第１図は本発明の磁気記録媒体の構成を示す図で、１は
基体、２はＣｏ−０ｒ合金強磁性体層、３は酸化コバル
ト層、４は有機保護層である。

木発す１の磁気記録媒体の基体ｌとしては、ガラス、ア
ルミニウム、表面酸化処理アルミニウム等の外に、高分
子支持基材としてポリエステル、セルロース、アクリル
、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオ
レフィン、ボリボリフ０ロオレフィン、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマー
、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、フェノール
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテル
ケトン、ポリアセタール、ポリフェニレンオキサイド、
ポリフェニレンサルファイド等が挙げられる。

電磁変換特性の優れた磁気記録媒体を得るためには、保
持力の大きいことが望ましい、磁性層であるＣｏ−Ｃｒ
合金膜の保持力向上のためにはＣｏ−０ｒ合金膜の形成
温度が高いことが好ましく（１００℃〜３００℃）、高
分子基体としては耐熱性を有するポリアミド、ポリイミ
ド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂が良い。これらの高
分子基体を用いたフロッピーディスク、磁気テープでは
媒体のカールのないことが走行性、ヘッドタッチの点か
ら重要である。カールのない記録媒体を作成するために
は、ｃｏ−Ｃｒ合金膜との熱応力、成膜時に発生する応
力を打ち消す様に高分子基体の８膨張の値を最適に選ぶ
必要がある。

芳香族ポリイミド膜（フィルム）としてはジアミン成分
としてパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）　単独で使用
するか、或いはＰＰＤとジアミノジフェニルエーテル（
ＤＡＤＥ）とを共に使用し、また、テトラカルボンｍ成
分として、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰ
ＤＡ）とピロメリット酸二無水物（ＰＭＯＡ）とを共に
使用して、共重合で得られた芳香族ポリアミック酸の溶
液から、製膜およびイミド化によって得られた芳香族ポ
リイミド膜（フィルム）が好ましくその厚みは４ＩＬ〜
１００島が記Ｑ媒体用として有用である。

このベースフィルムは、前述のようにＰＰＤ　。

ＢＰＤＡおよびＰＭＯＡの３成分あるいはＰＰＤ、　Ｄ
ＡＤＥ。

ＢＰＤＡおよびＰＭＯＡの４成分から共重合で形成され
たものであるので、＃熱性、引張弾性に優れているばか
りでなく１画成分を構成する各成分の使用量比率を色々
と調整することによって、得られた芳香族ポリイミド膜
の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致する
ような値にすることができ、また、芳香族ポリイミド膜
の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を好適
にするように変えることができる。

ベースフィルムを形成しているポリイミド膜は、その熱
膨張係数が約１．ＯＸ　１０−５〜３、ＯＸ　１０−５
ｃｍ／ｃｍ／’Ｏ（１）　ａ囲であり、引張弾性定数が
約３００〜１２００ｋｇ／ｌｌ１１２、特に３２５〜７
００ｋｇ／−腸２の範囲であって、更に二次転移温度が
約３００℃以上、特に３１０℃以上であることが好まし
く、さらに上述の性能に加えて、熱分解開始温度が約４
００℃以上、特に４５０℃以上であって、約２５０℃の
温度付近での連続使用に耐えうるちのであり、また、引
張試験における引張強度が約２０ｋｇ／ａｍ２以上、特
に約２５ｋｇ／層量２以上であり、しかも破断点の伸び
率が約３０％以上、特に４０％以上であるものが、磁気
記録媒体の製造の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁
性層の形成が可能であると共に。

カールの発生を防止でき、さらに巻きムラ、走行性、お
よびヘッドタッチの優れた磁気記録媒体となるので最適
である。

機械的及び熱的性質などを上述の様に磁気記録媒体にと
って好適にするためには、芳香族ポリアミック酸を生成
するために使用されているジアミン成分は、全ジアミン
成分に対して約４０〜９５モル％、特に４５〜９０モル
％範囲の使用量割合のＰＰＤと、全ジアミン成分に対し
て約５〜６０モル％、特に１０〜５５モル％の使用量割
合のＤＡＤＥとの２成分からなることが好ましい、また
、芳香族ポリアミック酸を生成するためのテトラカルボ
ン酸成分は、全テトラカルボン酸成分に対して約１０〜
９０モル％、特に１５〜８５モル％の使用量割合のＢＰ
ＤＡと、全テトラカルボン酸成分に対して約１０〜３０
モル％、特に１５〜８５モル％の使用量割合のＰＭＯＡ
とからなることが好ましいのである。

さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混線せしめることも可能で、この様なポリイミ
ドフィルムを本発明の基体に用いても良い。しかし本発
明磁気記録媒体の優れた高密度記録特性を生かすために
は、基体表面粗さが最大０．０５ル層以下（Ｒｗａｘが
０．０５μｍ＋）であることが望ましい。

前述の芳香族ポリイミド膜の上にＣｏ−Ｃｒ合金からな
る磁性層を形成するには、例えばスパッタリング法、電
子ビーム連続蒸着法などの公知の方法を挙げることがで
きるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の表面
に磁性層を形成する際、膜の温度（成膜温度）を約２５
０℃にまですることができるので、優れた性能の磁性層
が容易に形成されうるのである。

Ｃｏ−Ｃｒ合金が磁気記録層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影響を受けないことである。

すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、高出
力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。また
斜め蒸着法で形成しないために膜密度が高く、薄膜化に
よる磁束密度の減少が小さい、さらにＣｏ−Ｃｒ合金膜
が磁気記録層として優れる点は極めて耐食性が良いこと
である。

このＣｏ　−Ｃｒ合金からなる磁性層２の厚みは０．１
　ｐ、ｍ〜２．０ル■の範囲が好ましく、基体ｌに直接
形成させる以外にも、磁性層を形成するに先立ち、接着
性向と、磁気特性向上、その他の目的で必要に応じてコ
ロナ放電処理その他の前処理を施したり、Ａｉ’、　Ｔ
ｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　５ｉ０２．　Ａｊ７２０３等の
非磁性膜、あるいはＦｅ−Ｎｉ合金膜、またはＣｏ−Ｚ
ｒ。

Ｆｅ−Ｐ−Ｇ、　Ｆｅ−Ｃｏ−９ｉ−Ｂ等の非晶質膜で
代表される高透磁率膜を介して設けてもかまわない。

これらＣｏ−Ｃｒ合金強磁性薄膜は、必要に応じて基体
ｌの両面に形成することもできる。

酸化コバルト層３は、所定圧の酸素を含む不活性ガス中
でのスパッタリング法、希薄酸素下での真空蒸着法、も
しくはイオンブレーティング法等の物理蒸着法、あるい
はプラズマ酸化処理によって、Ｃｏ−Ｃｒ合金強磁性体
層２の表面に直接堆積形成あるいは酸化層形成をしてい
る。酸化コバルト層３は磁気記録層とヘッドとの凝着を
防ぎ、耐摩耗性の向上に極めて有効である。酸化コバル
ト層３の厚みは耐摩耗性を保障するに十分な厚みが必要
であるが一方、Ｃｏ−Ｃｒ系合金磁性層の持つ高密度記
録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減少
のため薄い事が望ましい、それ放置化コバルト層３の厚
みは３０〜３００Ａが望ましく、５０〜１５０　Ａが特
に好ましい。

酸化コバルト層３は、磁気記録層２の保護に大きな役割
を果すものであり、さらに、金属ヘッド、フェライトヘ
ッド等とのなじみも良く、表面の摩擦係数も低下する。

殊に酸化コバルト層の最表部がＣａ３０ａ　である時、
その効果が著しい。

しかしながら、磁気記録媒体の表面が極めて平坦な場合
（例えば１点平均粗さＲｚ　（ＪＩＳ−ＢＯ８０１）で
０．０２−以下）あるいは、多湿条件等の悪環境条件下
での耐久性が必ずしも十分でない。

そこで本発明磁気記録媒体の高密度記録特性を損なわず
かつ摩擦を低減し、走行安定性を向上させる為には、有
機化合物による保護層４を酸化コバルト層３の表面に積
層することが大変有効である。有機化合物による滑性と
酸化コバルト層３の強靭な保護作用とが積層され、より
一層摩耗し難く、かつ高温高湿、低温高湿での走行性能
、耐久性に優れた効果がある。

本発明においては有機保護層として ＣｎＦｚｎ、Ｉ１ＣＯＯＨまたは （ＣｎＦｚｎ、＋Ｃ００）Ｊ （式中、、ｎは正の整数、Ｎは金属を示す）で表わされ
る含フッ票有機化合物が用いられる３この有機保護層を
乎均膜厚５Ａ以との膜厚で設けることによって、耐久性
の向上とともに悪環境下１例えば多湿雰囲気中における
磁気記録媒体の走行容易性、走行安定性に大変有効であ
る。

有機化合物による当該保護層も金属酸化物層同様に、電
磁変換特性の面において、膜厚の影響によるスペーシン
グロスを生じやすい為、厚みは２０ＯＡ以ド、さらには
１００　Ａ以下であることが望ましい。当該保護層にお
いては、必ずしも均一な連続膜である必要はなく、斑点
状等の様に不連続であっても良い。

／に：発明で使用する ＣｎＦ２　ｎ　−１ＣＯＯＨまたは （ＣｎＦ２ｎ、Ｉｃ０Ｏ）Ｊ （式中１．ｎは正の整数、Ｘは金属を示す）の化合物に
おいて、ｎは４以上が好ましい。

。が３以下であると潤滑の効果が顕著ではなくなる。

金属ｘとしてはＢａ、　Ｐｂ、　Ｌｉ、　Ｃｏ、　Ｆｅ
、　Ｃａ、　Ｍｎ。

Ｍｇ等の金属元素が挙げられる０、はこの金属踵に対応
して決まるもので１〜４の数値をとりうる。

有機保護層４の膜形成方法としては、リバースロール法
、バーコーティング法等により酸化コバルト層３の表面
に直接塗布する湿式コーティング・法が適用される。

本発明におけるＣａ−Ｇｒ合金強磁性体薄膜堆積型磁気
記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体の少なくと
も片側表面には磁気記録層を形成し、これと反対側の一
方の面には、必要に応じて表面と対称型の薄膜を積層形
成しても良く、あるいは当該ノ＾体の保護、滑性、補強
、その他の有効な効果を補足する目的で各種のバックコ
ート層を形成しても良い、バックコート層としては、Ａ
ｊ）、　Ｔｉ。

Ｖ、　Ｚｒ、　Ｃｏ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　　Ｗ、　Ｃｒ
、　Ｓｉ、　Ｇｅ等の金属、半金属あるいはその酸化物
、窒化物、炭化物の薄膜、あるいは酸化物微粒子炭酸カ
ルシウム等の易滑性微粒子−と、カーボン、金属粉末等
の導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を
少なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬化性樹脂等の
高分子バインダーに混練して塗布したものが挙げられる
。

以に述べた様に、表面平坦性に優れかつ８膨張率を：Ａ
整した高弾性率、高耐熱性共重合ポリイミドフィルムｂ
に高温でＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成し、さらにその上に酸
化コバルト層を形成し、さらに有機化合物保護層を形成
した磁気記録媒体はカールが小さく、かつ高密度記録特
性が優れ耐摩耗性、耐久性、耐環境性がいずれも実用り
十分な性能を有しており、極めて優れた磁気記録媒体で
ある。

［実施例］ 以下実施例により本発明を説明する。

くテープの評価方法〉 出力の周波数特性： ０．７５ＭＨｚ、　４．５ＭＨｚ、　７．５ＭＨｚの単
一信号を記録し、再生出力を測定。

スチル耐久性テスト： ２０℃、６５％および０℃の環境下でスチル再生出力の
時間変化を測定。２０分経過後出力低下が３ｄＢ以内を
Ｏとする。

１耐食テスト： ５０℃、８０％で１０００時間放置後飽和磁束密度の低
下が１０５以内を０とする。

くディスクの評価方法〉 出力の周波数特性： １゜３ＭＨｚ、　７．０ＭＨｚの単一信号を記録し、再
生出力を７１１１１定。

耐久性： ２０℃、６５％の環境下でスチル再生出力の時間変化を
測定。５０時間経過後出力低下が３ｄＢ以内をＯとする
。

出力ムラ： ｌトラック内での出力の最大値と最小値の差。

実施例１ 内容積３００　Ｍの重合釜に３．３’、４．４’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物；２０モル、ピロメリ
ット酸二無水物：８０モル、バラフェニレンジアミン；
７０モル及び４．４′−ジアミノジフェニルエーテル；
３０モル、さらにＮ−メチル−２−ピロリドン１９８．
０ｋｇを入れた。この混合液を５０°Ｃの反応温度、常
圧下で４４時間攪拌して重合反応を行ない、高分子量の
芳香族ポリアミック酸を約２０．０重量％含有する反応
液を得た。

この芳香族ポリアミック酸の溶液組成物を平滑なキャス
ティングロールＬに流延し、キャスティング法にて均一
な厚さを右する溶液組成物の液膜を形成して、その液膜
を約６０〜２００°Ｃの温度範囲で昇温しながら乾燥し
て固化し、さらにその固化膜をキャスティングロールか
らはぎとり、炉の中で３５０°Ｃの温度にまで加熱して
熱処理し、厚さｌＯＪＬｍの芳香族ポリイミド膜のベー
スフィルムを製造した。

この芳香族ポリイミドフィルムについて種々の物性をａ
ｌｌ定したが、その結果、引張弾性定数力４９０ｋｇ／
ｍｍ２　、熱膨張係数（Ｘ’ｌＯＯ〜３００”Ｃがり、
Ｓ　Ｘ　１０−５ｃｍ／ｃｍ／”Ｃ！、Ｒｚは８０Ａで
あった。

この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、電子ビーム加熱装置を有した磁気テープの連続
成膜装置により、当該ベースフィルムノ表面ニＣｏ　７
８ｗｔ＄　−Ｃｒ　２２ｗｔ＄（７）垂直磁化蒸着膜を
ベースフィルムの温度を２００℃として、０．１　ルｌ
Ｉｌ／ｓｅｃの成膜速度で約０．４ル田厚形成した後、
その上部に酸素１０％を含むアルゴンガス中でＣｏをス
パッタし、酸化コバルト薄膜を８０Ａ厚形成した。さら
にイソプロピルアルコールで溶解した含フッ素有機化合
物Ｃ４Ｆｑ　１ＣＯＯＨをリバースロール法により前記
酸化コバルト層上に８　Ｘ　１０１ｇ／ｃｍ２塗布した
。

このようにして得られた磁気シートを８．ｈｍ１幅にス
リットした。このテープのカールは、−く０、　ｌｍｍ
−’　　と小さく、実用上問題のないｆｉｌ、であった
。このテープを８ミリＶＴＲテープ用カセクトに装着し
、８ミリビデオデツキにて出力の周波数特性、スチル耐
久性、５０℃、８０％での耐食性テスト等を行なった。

結果は第１表に示す如く良好であった。

実施例２ 実施例１におけるＣ４ＦｑＣ［Ｏ）ｌ　８Ｘ　１０−’
ｇ／ｃｍ２を０８Ｆ１７ＣＯＯＨ５Ｘ　１０−’ｇ／ｃ
ｍ２　に変えた他は実施例１と同様にして、テープを作
成し、性能評価を行った。結果を第１表に示す。

実施例３ 実施例１における（１４ＦｑｃＯＯＨ８Ｘ　１０−’ｇ
／ｃｍ２を（Ｇ４ＦｑＣＯＯ）２Ｂａ　８Ｘ　１０　’
ｇ／ｃｍ２　に変えた他は実施例１と同様にしてテープ
を作成し、性能評価を行った。結果を第１表に示す。

実施例４ 実施例１におけるＣ４ＦｑＣ［ＯＨ８Ｘ　１０−’ｇ／
ｃｎ＋２を（Ｃ＋＋Ｆ；＋５ＣＯＯ）４Ｐｂ　８Ｘ　１
０−’ｇ／ｃｍ２　に変えた他は実施例１と同様にして
テープを作成し、性能評価を行った。結果を第１表に示
す。

比較例１ １１ｇｍ厚ポリエステルフィルム上に斜め蒸着法により
８０ｗｔ＄　Ｃｏ　−２０ｗｔ＄　Ｎｉ合金から磁気記
録層を０．１２ＪＬｍ形成した後、実施例１と同一方法
にてＣＩＩＦＩＣＯＯＨを８　Ｘ　１０−’ｇ／ｃＩ＋
＋２塗布し、８ｍｍビデオテープを作製した。評価結果
は第１表に示す。

実施例５ ３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物＝４０モル、ピロメリット酸二無水物＝ＢＯモル。

パラフェニレンジアミン＝５０モル、及び４．４′−ジ
アミノジフェニルエーテル２５０モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例１と同一方法にて芳香族ポリア
ミック醜の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例１と同一方法にて厚さ４
０ｇｍの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。この芳
香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が４００ｋｇ／
ｍｍ２熱膨張係数（Ｊｌｏｏ−３００・Ｃが２．６　Ｘ
　１０−５ｃ＋ａ／ｃｍ／’Ｃ，Ｒ／　は３０Ａであっ
た。

この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて当該ベースフィルムヒ
にＣｏ　８０ｗｔ＄−Ｃｒ　２０ｗｔ＄の垂直磁化膜を
ベースフィルムの温度を１５０℃として約０．５　ｇｔ
ｔ＋形成した後、その上部に酸素１２％を含むアルゴン
ガス中でＣｏをスパッタし、酸化コバルト薄膜を１００
　Ａ厚形酸した０次いで、イソプロピルアルコールで溶
解したＣ＋　ａ　Ｆ３　ｒ　ＣｐＯＨをバーコード法に
より前記酸化コバルト層上に８　Ｘ　１０１ｇ／ｃｍ”
ｑ布した。

こうして得られたサンプルを直径４７φのディスクに打
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ（試験機）を用いて
評価した。

実施例６ 実施例５におけるＧ＋ａＦ：＋７ＣＯＯＨ８Ｘ　１０１
ｇ／ｃｍ２　を（Ｃ＋＋Ｆ３５［１：００）２Ｂａ　８
Ｘ　ｌ０１ｇ／ｃｒａ２に変えた他は実施例５と同様に
して、磁気ディスクを作成し、評価試験を行った。結果
を第２表に示す。

実施例７ 実施例５におけるＣ＋５ｈＩＣＯＯＨ８Ｘ　１０−７ｇ
／ｃｍ２　を（Ｃ：＋　＋Ｆｚ＋＋Ｃ：００）Ｃｏ　８
　Ｘ　１０−’ｇ／ｃｍ２　に変えた他は実施例５と同
様にして磁気ディスクを作成し、評価試験を行った。結
果を第２表に示す。

［発明の効果］ 以１−説明したように１本発明による磁気記録媒体は、
基体の芳香族ポリイミドフィルムの表面に、１：し膜堆
積法にてＣｏ−Ｃｒ合金強磁性体薄膜を形成し、その表
面に酸化コバルト層を形成した膜面りに更に滑性有機化
合物である Ｃｎ　Ｆ２　ｎ　−１ＣＯＯＨまたは （Ｏｎ　Ｆ２　ｎ　、＋　Ｃ００）ｓ　Ｍ（式中、、ｎ
は正の整数、Ｘは金属を示す）で表わされる含フッ未有
機化合物の保護層を積層形成することにより、走行性、
耐久性、耐環境性の優れた高密度磁気記録媒体の実現を
ならしめるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の構成図である。 ｌ・・・ノ＾体である芳香族ポリイミドフィルム、２・
・・Ｃｏ−Ｃｒ合金強磁性体層、 ３・・・酸化コバルト層、 ４・・・有機保護層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体と該基体に積層されたＣｏ−Ｃｒ合金強磁性
   体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と該酸
   化コバルト層に積層された有機保護層とからなり、該有
   機保護層が Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ＿＋＿１ＣＯＯＨまたは （Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ＿＋＿１ＣＯＯ）＿ｍＭ（式中＿ｍ
   、＿ｎは正の整数、Ｍは金属を示す）で表わされる含フ
   ッ素有機化合物からなることを特徴とする磁気記録媒体
   。
2. （２）基体が芳香族ポリイミドフィルムからなる特許請
   求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。