JPS60113315A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｒ利用分野〕 本発明は、高密度記録ができる薄膜型の磁気記録媒体に
関し、更に詳しくはフレキンプルディスクに好適な、有
機高分子基板の両面に強磁性薄膜よりなる磁気記録層を
設けた両面磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

上述の薄膜型磁気記録媒体は、近年高密度磁気記録媒体
として注目され、財に多くの提案がある。例えば特開昭
５４−１４７０１０号公報にはｃｏの蒸着膜が、特公昭
５ｓ−ｃ＋１号公報にはＣｏ−Ｃｒ合金のスパッタ膜か
らなる垂直磁化膜及び垂直磁化膜と低保磁力膜とからな
る複合膜が開示されている。

このような蒸着、スパッタ又はイオンブレーティング等
の薄膜形成手段によって形成される強磁性薄膜は、厚み
が１．５μｍ以下にもかかわらず、磁性層の厚みが３＃
ｒｎ以上である従来の塗布型の磁気記録媒体以上の性能
を示す。

しかしながら形成される強磁性薄膜厚さが薄い為に、基
板の表面状ｖＭ（表面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸と
して発現し、スペーシングロスやドルツブアウトの原因
となる。従って、電磁変換特性（再生出力、エラー）の
観点からは、基板の表面状態が出来るだけ平滑であるこ
とが好ましい。

一方、基板に長尺の有機高分子樹脂フィルムを用いる場
合、フィルム巻取、巻出しといったハンドリングの観１
点からは、フィルム表面が平滑であると、フィルム−フ
ィルム相互の滑り性が悪くブロッキング現象が発生し、
製品にはなり得す、ベースフィルム表面カ適度に粗であ
ることが要求される。

ところで、本発明者の一人は先に、上記問題を解決する
ものとして、特開昭５７−１１３４１８号公報において
、基板表面の表面粗度（ＣＬＡと突起物高さ）が所定範
囲にある基板を用いることを提案した。そして特開昭５
７−１１３４１８号公報の基板により、−・応の特性と
取扱性の問題は解決さねだが、高密度記録への要梢は強
く、より一層の改善が望まれている。

〔本発明の目的〕

本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、基板として
用いる長尺の有機高分子フィルムのハンドリング性を向
上さすと共に、蒸着やスパッタ時に発生する基板の凹凸
を防止し、もって媒体の表面性を改良したもので、特に
両面フレキシブルディスクとした時に表裏共良好な特性
を有する磁気記録媒体を目的としたものである。

〔本発明の構成及び作用］ 以下に、まず本発明に到った経緯を説明する。従来、ポ
リエステルフィルム等の有機高分子フィルムのハンドリ
ング性、すなわち滑り性を改善する手段として、例えば
酸化ケイ素、カオリン、タルク、炭酸カルシウムあるい
はアルミナ等の種々のフィラーの微小粒子を添加したポ
リエステル等の樹脂を用いて製膜し、次いで二軸延伸工
程でフィルム厚が滅する際に該フィラーがフィルム面に
微小突起として突出するのを利用することが試みられて
いる。同様に微小突起を利用する滑り性の改善技術とし
ては、ポリエステル等の樹脂の重合時に用いる触媒を重
合体に不溶性の粒子に変換させる方法も知られている。

本発明者の一人は、かかる技術を利用し表面粗度を調節
した媒体を特開昭５７−１１３４１８号公報で開示した
が、研究の進展と共に重大な障害が発生し得ることが判
明した。すなわち、かかる微小粒子を添加したフィルム
では、微小粒子の為に、又は／及び微小粒子を核として
フィルム組成内に発生するポイ下の為に、スパッタや蒸
着による金属薄膜形成時に媒体に凹凸が生成され、記録
再生特性に悪影響を及ぼす。以上の現象は良好な結晶特
性、保磁力等の磁気特性を有する強磁性薄膜を製造する
には適当な基板温度（通常は百数十℃）が必要であり、
かつ、蒸着やスパッタ時に基板に到達する熱を有効に逃
がす必要もあるが、かかる微小粒子やボイドは上述の熱
の移動の局所的むらの原因となりガラス転移温度以上の
フィルム温度ではフィルムに凹凸を生成せしめることに
より説明され得る。

以上の理由により、本発明の目的とする磁気配録媒体用
のフィルムでは通常の微小粒子を多セに用いることはで
きず、もし仮りに−、ラドとの滑り性の為に微小粒子を
添加しても極力実用に障害にならない程度に最小限度に
すべきであり、通常はｏ、ｘｗｔ％、好ましくは０．０
５ｗｔ％以下にすべきである。このように微小粒子の添
加量の少ない、又は添加しないフィルムでは、フィルム
の巻取り１巻出し、スリット等の作業がまったく不可能
であるが、本発明ではフィルムの一つの表面に易滑の為
のコーティングを施すことにより解決した。

すなわち、本発明は一方の表面に易滑の為の塗膜を形成
し、た有機高分子フィルムからなる基板の両面に厚さ１
．５μｍ以下の強磁性薄膜よりなる磁気記録層を設けた
磁気記録媒体であり、特に磁気記録層形成時の基板温度
が、該有機高分子フィルムのガラス転移温度以上の時に
効果を発揮し、さらに７レキシプルデイスクとして有用
である。

ところで、上述の本発明になる磁気記録媒体の記録再生
特性を調べたところ、易滑塗膜を設けた面の再生出力は
、他の表面の再生出力より小なることが判明した。かか
る両面の再生出力差は、実用上易滑面の再生出力を基準
とし信号処理をすれば大きな問題がないことがわかった
。しかし、さらに高密度記録再生を目的とする場合はエ
ラーレートの観点より両面の再生出力値（Ｓ／Ｎ）を一
定レベル内に収めろ必要があり、かかる目的にはフレキ
シブルディスクを収めるジーヤケットに切欠き部や凸部
を設ける等の手段で＠裏を区別し、表裏の再生プリアン
プのゲインを調整し、見かけ上表裏の出力差を沖少さす
対策も考えられるが従来の塗布型フレキシブルディスク
との互換性、すなわち、現用のフレキシブルティスフ装
置の適用性、及び装置の信号処理回路の複雑化等の問題
がある。

そこでさらに研究を進めた結果、基板両側の磁気記録層
の同条件で言ｅ録した時の再生出力を同−若しくはその
出力差を〜・定レベル内とすることに想到し、また磁気
記録層の強磁性薄膜（単−又は複数）の厚さ及び／又は
強磁性薄膜の保磁力を調節することによりその再生出力
を制御できることを見出し、フレキシブルディスクによ
り好ましい菌株の本発明に到った。なお、記録再生特性
は再生出力のみで規定されるのでなく、他にオーパーラ
−（ト、減磁２周波数特性等の緒特性をすべて良好なレ
ベルに満足さす必要があり、再生出力値を表裏同一とす
るに、磁気記録層のどの特性を調節すべきかは、磁気記
録の原理、すなわち長手記録か垂直記録かと云った配録
再生過程により決定されるべきである。例えば垂直磁気
記録においては、垂直磁化膜の保磁力又は垂直磁化膜の
膜厚又は低保磁力層の膜厚により調整するのがよく、特
に膜厚の調整は製造時の制御が容易であり簡便に実施で
きてよい。

以下本発明の詳細な説明する。

まず、本発明の基板となる有機高分子フィルムとは、ポ
リオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル
、その他の熱可塑性樹脂フィルムであるが、中でも二軸
配向したポリエチレンテレフタレート又はポリエチレン
ナフタレートは、低コストで寸法安定性。

耐熱性１機械的特性に優れている点で好ましい。ここに
いうポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフ
タレートはホモポリマーのみならず繰り返し単位の数の
８５係以上カソレぞれエチレンテレフタレート又はエチ
レンナフタレート単位よりなり、残りが他の成分である
ような共重合ポリマーも含み、さらに特性を損わない範
囲で他の樹脂とのブレンド物であってもよい。

本発明の磁気記録層は、強磁ｅｌ　（７エｐ磁性、フェ
リ磁性）連続薄膜からなるものであればよく多層膜構成
であってもよく、層間に接着層などの中間層を有するも
のであってもよい。ただし７、その全体の膜厚は１．５
μｍ以下であることが必要である。膜厚が、１．５ｐｍ
を越えるとその表面特性が基板の表面特性と相違してく
る場合があり、所望の特性を得られない場合がある。強
磁性薄膜としては公知のものが全て適用できる。すなわ
ち、従来から開発の盛んな長手記録用のγ−Ｆｅ　７０
ｓ薄膜、Ｃｏ−Ｐメッキ薄膜、Ｆｅ　、Ｎｉ　、　Ｃｏ
及びこれらの合金膜よりなる蒸着薄膜等は勿論、最近そ
の測密度記録可能性から注目されている垂直磁気記録方
式（特公昭５８−１１１７６４号公報参照）に用いる膜
面に垂直方向に磁化容易軸を発現させたＣｏ　Ｃｒ合金
膜等の垂直磁化膜からなる単層の、あるいは該垂直磁化
膜とその下ｌ１ｌｌＶこ設けられるＮｉ　Ｆｅ合金膜等
の（Ｉｔ保磁力膜とからなる複層の垂直磁気記録層にも
適ｔｔ」できる。

方が記録再生感度が高くて也い。

本発明の磁気配録媒体は基板の両面に上述の磁気記録層
を設けｔこものであり、特にフレキシブルディスクを目
標とする場合は線記録密度、トラック密度共に高くする
ことのできる垂直磁気記録媒体が好ましい。垂直磁気記
録媒体に使用されるＣｏ−Ｃｒ合金膜は、その六方晶系
（ｈＣｐ　）のＣ軸が基板に垂直配向し、その垂直方向
に測定した保磁力（ｌ１ｃｖ　）が、例えば５００工ル
ステツド程度以上の値を有することが要求されるが、か
かる特性を満足さすには蒸着やスパッタ時の基板温度と
して１３０〜１８０℃程度の、ポリエステルフィルムの
ガラス転移温度をはるかに越える温度が必要とされ、本
発明の効果は著しい。

なお、上述の強磁性薄膜の形成手段としては、従来より
公知の真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタ
法等の物理蒸着（ＰＶＤ）法、及びメッキ法が適用でき
る、中でもポリエステルを基板とし、前述の垂直磁気記
録媒体を得るには低温膜形成が可能で、且つ垂直磁化膜
が安定にできるという点からマグネトロンスパッタ法、
あるいは特開昭５７−１５１１３８０号公報等に開示の
対向ターゲットスパッタ法が好ましい。

一方、前述の有機高分子フィルムを製造する技術は当該
技術分野で既に知られている。

例えばボリエ千しソテレフタレートのフイルムノ”ＪＪ
　合は、溶融ポリエチレンテレブタンート樹脂をエクス
トルーダーで口金から押出し１、これを４０℃程度に冷
却した回転ドラム上で冷却させ押出しフィルムと［７、
続いてこれを加熱した金属ロールや赤外ヒーターで加熱
しながらフィルム走行方向（長手方向）に３〜４倍程度
延伸し、さらに続いてテンターに導かれ１１０℃程度の
温度で横方向（巾方向）に３〜４倍延伸され、次いで２
００℃程度で熱固定され完成される。そして、かかる逐
次二軸延伸フィルムは通常ｐ−ル状に巻取られ次の加工
工程に供せられるが、前述の様に樹脂に不溶な微小粒子
（）・ｒラー）を含まなＬ１原料を用いて製膜されたフ
ィルムはフィルム−フィルム間の滑り性がわるく熱固定
され完成されたフィルムをｐ−ル状にきれいな巻姿で巻
をることけ不可部であり製品にはなり得ない。

本発明は上述の問題を、押出しフィルムの形成段階と完
成された二軸延伸フィルレノ・の巻取り工程の間の一連
の連続した工程の内で、フィルムの連続的な流れを何ら
乱すことなく易滑の為の塗布を施すことにより解決した
ものである。そして、易滑の為の塗布は、単に易滑のみ
を目的とするのでなく、該塗膜上に形成した磁気記録層
の記録再生特性が良好であり、かつ、該塗膜と磁気記録
層との接着性も十分なものであることが好ましい。かか
る多数の目的を同時に満足さｆ′ニは、用いる塗液、塗
布量、そして塗布工程を十分に選定することが必要であ
る。

かかる目的に使用される塗液は、例えばＡｔ２（ｃＨ，
＝ｃＨｃｏｏ）４ｃｘ、　、　Ａｌｔ　（ＣＨｔ　””
ＣＨＣＯＯ）ａ　（ＯＨ）ｔ　。

Ｍｇ（ＣＨ２＝Ｃ）ＴＣＯＯ”１２　、　Ｔｉ　（ＣＨ
２＝ＣＩ（Ｃｏ（１）、等で代表される金属塩と、ポリ
アクリルアミＩＬ　水溶性シ！Ｊ　コンｍＢＷ、　ポリ
ビニル−フルコール、７１１性、メラミン樹脂、アクリ
ル酸エステル共す合体、塩化ビニリデン共重合体、酢酸
ビニル共重合体等で代表されろ水溶性又は水膨潤性又は
水分散性のフィルム形成性高分子仕置物、その重量体又
はこれらの７７＝４合物とを、水溶液又は水分散液とし
たものが４？に好ましい。さらに該塗液に必要なら、易
滑をさらに抜くする目的でポリテトラフルオルエチレン
の如キ■機フィラー若（、〈はアルミナ、シリカ、二硫
化モリブデンの如き無機フィラーの微粉末やフィルムと
の儒れ性や塗液の分散性を改良する目的で界面活性剤等
の添加剤を添加してもよい。

該ｔＪｈ　＊　Ｋ　ｉ＝いて、上述の金属塩は約０．１
〜約ＩＧｗｔ係、より好＝ｚＬ＜は約０．５〜約ｓＷｔ
チ含有し、上述のフィルム形成性高分子化合物、その単
量体又はその混合物は好ましくは約ｆ１，０５−約５ｗ
ｔ９！＋、より好ましくは約０．２〜約２ｗｔ％含有せ
しめるのが良い。そして上述の有機又は無機フィラーの
微粉末は、平均粒径５０〜５０００λ程度のものを約０
，０２〜約１ｗｔ％含有させてもよい。かかる微粉末は
塗膜表面粗度の増大による再生出力の低下を来たさない
様に、易滑の目的を達し得る範囲で、できる限り微細な
ものを少量使用すべきである。

塗布っけ、上述と同じ理由、づ−なわち易滑と再生出力
値との相関で、Ａ余される４、のであす、走行している
フィルムｌｒｎ’当り好ましく約０．５〜約１０９、よ
り好ＩＬ＜け約０．５〜約３９の崩で適用され、後述の
様に最終的に得られる二軸延伸フィルムにおいて、該フ
ィルム面１ｒｎ’当り約０．００１−約０．３９の固型
分が形成されるように選定するのが幽い。

塗布工程は、結晶配向が完了する前の走行しているフィ
ルムの片面に行われ、次いで結晶配向を完了せしめろＡ
ｆ＋に加熱ＶＣよｒ）該塗布層を実質的に形態保持性を
有する多数の微小突起に該フィルム上で変換せしめろノ
）法により行われなければならない。具体的には、フィ
ルム製造エイｑにおいて、走行している未延伸、製造容
易性より好ましくけ一軸延伸フイルムの段階でフィルム
の片面、好マ（、どけ下面に塗液を塗布し１次いで該フ
ィルムをテンター内に導き横延伸に伴ｌ（いその面＆な
拡大し、且つ加熱されて水を揮発し、二軸延伸されたフ
ィルム面子で多数の微小突起を有−ｆ″る薄い固体塗膜
層に変換されフィルム面）　Ｋ　強固に固設される。塗
布装首は公知の技術手段′、例えばリバースフ−ター、
キスマイヤーコーター、グラビアコーター等が使用され
得る。

以上の手段により最終的に得られる二軸延伸フィル！、
の片面に微小突起を有する連続した塗膜面をフィルムｌ
’ｒｒｌ’当り約１〜３００１１１ｇ。

好ましくは約２．５〜２００■有する易滑性にすぐれ、
かつ磁気記録媒体とした時に再生出力のすぐれた、かつ
強磁性薄膜との接着性のよい基板が得られる。

以上の基板を用い、両面に強磁性薄膜よりなる磁気記録
層を設けた媒体を作製したところ、後に詳述する様Ｋ、
易滑の為の゛塗膜を有しない面Ｖ（−比べ該塗膜を有す
る而の再生出力は数ｄＢの出力低下を示すことが判明し
た。これは、塗膜を設けた面の表面形状、表面用度によ
るスペーシ／ダｐスに起因する出力低下と判断された。

かかる両面の出力差は両面フレキシソノ１デイスクとし
た時には、前述の様に不都合なものであり、両者の出力
を同一とすべく種々検討した結果、磁気記録層の膜厚又
は／及び磁気記録層の保磁力を表裏で調整することによ
り改善されることを見い出した。

以丁この点を具体的なデータによりｈ′［述する。

本発明の磁気記録媒体として、片面に易滑の為の塗膜を
形成した５０μｍ厚さのポリニーレンチレフタレ−１−
フィルムを基板と［−て用（・両面に前述の特開昭５７
−１５８３１１０号公報等に開示の公知の対向ターゲッ
トスパッタ法により０．４Ｂｍ厚さのＮｉＦｐＭｏ合金
よりなる低保磁力Ｍ（保磁力は約１０ｅ（エルステッド
）、飽和磁化は約６３０　ｅｎｕ／　ｃｃ　）と０．４
ｔｔｍ厚さのＣｏＣｒ合金よりなる垂直磁化膜（Ｃｒ　
：　２０ｗｔ％、垂直方向保磁力４５００ｅ、飽和磁什
は約４０ｃ＋ｅｍｕ／ｃｃ）との接合膜よりなる磁シを
記録層を形成１、表裏の再生出力を比較した。すなわち
、得られた媒体を０．５インチ巾にスリット［７テ一ブ
評価装置Ｗ　（テープデツギ）により、補助磁徐励磁タ
イプの垂直ヘッドで記録再生したところ、塗膜を有しな
い面は５０　ｋＢＰＩの記録層１θで９５／／ＶＯ９の
再生出力を得たが塗膜を形成せしめた面では７０μＶｏ
−ｐの再生出力であった。

用いた主磁罹は結晶化ガラス基鈑上にスパッタで形成し
た厚さ約１μｍ、巾２　ｍｍのＭＯ／’　−マロイ膜で
あり、補助磁極はＭｎＺｎ７エライト棒に記録３０ター
ン、再生５００ターンの巻線を施したものを使用した。

そして記録は４．７６ａｎ／　ｓｅｃ、再生は９．５２
ＣＩｌｌ／　ｓｅｅで短形波の記録再生を行った。

一方、塗膜を有しない面に形成した磁気記録層上に非磁
性体であるｋｌを種々の厚さに蒸着し、そのＭ膜厚すな
わちスペーシングに対する出力低下を調べた。その結果
を第１図に示した。縦軸はＡＪを蒸着しない時の再生出
力値を規準とした時の５０　ＫＢＰＩの記録密度におけ
る再生出力値（ｄＢ単位）であり、横軸はＡｌ膜厚ｄ（
に）である。

前述の本発明になる媒体の塗膜を有する面の再生出力は
、塗膜を有しない面に比・＼−２．６５ｄＩ３の出力低
下を来たしており、第１図よりこの出力低下は２００Ｘ
のスペーシングに相当する。すなわち本例の様に、易滑
に抜群の効果を発揮する塗膜を設けても、高々２００Ａ
のスペーシングを来たすのみであり、磁気記録層との接
着も良好であった。逆に一層えば、塗膜の組成や塗布ｈ
１、塗布方法は出力低下が−３〜−４ｄＢ以内となる様
に選定しなければならないことがわかる。

次に、より一層の改善を目的に以下の検討を行った。ま
ず、塗膜を有しない面上で低保磁力膜の膜厚と特性を同
一と１−１該低保磁力膜上のＣｏＣｒ合金よりなる垂直
磁化膜の保磁力Ｈｃｖを種々変えて再生出力の変化を調
べた。

結果を第２図に示した。本図より、塗膜を有しない面上
に形成したＣｏＣｒ合金膜の保磁力を２５０〜３００エ
ルステッドにすれば、ＣｏＣｒ合金膜の保磁力が４５’
Ｏエルステツドである塗膜を有する面の前述の丙生出カ
フ０／ＩＶＯ−ｐとほぼ同一レベルにできることがわか
る。

しかしながら、垂直磁化膜の保磁力は記録の安定性より
むやみに低下さすことはできす、又オーバーライドの観
点よりむやみに大きくすることはできない。保磁力の調
整は総合的な記録再生特性を判断し適当な範囲で行うべ
きである。

次に低保磁力膜の膜厚δｂ及び垂直磁化膜の膜厚δｒを
変えて再生出力Ｅｐの変化を調べた結果をそれぞれ第３
図と第４図に示す。縦軸はいずれも５０ＫＢＰＩの記録
密度における再生出力Ｅｐである。第３図及び第４図よ
り強磁性薄膜の膜厚によっても再生出力差を調整し得る
ことが理解される。なお、この場合も総・金的な記録再
生特性を考慮して、調整範囲を選定すべきである。特に
垂直磁化膜の膜厚は記録密度特性（周波数特性）への影
響が大であり、ＭＦＭ記録においてはＩＦと２Ｆの分解
能が好ましくは７０％以上となる様に決定されねばなら
ない。

以上、本発明の基鈑の表裏両面の再生出力を同−若しく
は許容レベル内に調節する方法を述べたが、第１図〜第
４図の結果はあくまで一例であり、記録再生方式やヘッ
ドの形状により変わり得るものであり、上述の検討結果
は何ら本発明を制限するものでない。９％言易滑の為の
塗膜を有する面と有しない面との出力差を上述の基本思
想に基づき補正すればよい訳である。

次に本発明の詳細な説明する。

〔実施例〕

ＡＩ、　（ＣＨ，＝ＣＪ（Ｃｏｎ）２Ｃｍ！、　ノ３０
　％水溶１６３ｊｉｔ部、Ｔ　ｉ　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ
Ｏ）４の１０幅水溶液１５重量部、ポリビニルアルコー
ル１０重量部、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル１０ｉ量部、および二硫化モリブデン２重１部を、
最初ホモジナイザーで、次いで超音波分散機で十分に混
合して塗布用組成物を調製した。この塗布用組成物をＰ
）１７のイオン交換水に溶解せしめ全固型分濃度２　ｗ
ｔ　１１６の塗布液とした。

微小粒子（フィラー）を含有しないポリエチレンテレフ
タレートの溶融樹脂をエクストルーダーで口金（ダイ）
より押出し４０℃に冷却したドラム上で冷却し未延伸フ
ィルムとし、続いてこれを９３℃に加熱した金属μｍｍ
上上長手方向に３．４倍に延伸した、次いで、この−軸
延伸ｊ−だフィルムがテコ／ターに至る直前の位置で、
該フィルムの下面に上記の塗布液をフィルム１ｍ゛あた
り約２．０．１７塗布した。片面塗布を受けた該−軸延
伸フィルムは次いでテンター内で１０５℃で横方向に３
．７倍に延伸され、さらに２１０℃で１５秒間熱固定さ
れ、５０μｍ厚さの二軸延伸フィルムとしてロール状に
巻取った。巻取りはきわめてスムーズに進行し巻姿も良
好であった。

上記の０表裏異る表面性を臀する基板の両面にＮｉＦｅ
Ｍｏ膜からなる低保磁力膜と（：ｎＣｒ膜からなる垂直
磁化膜との二層構造を有する垂直磁気記録媒体を以下の
様に作製した。

屯ユ すなわち、２４０巾の長尺の上述基板を３５ト直径の６
０℃に保ったキャンに密着させながらキャンの回転に沿
って連続的に送りながら、キャンに臨設したＮｉＦｅＭ
ｏ合金（Ｆｅ　１５ｗｔ　％　、　Ｍｏ　４．５ｗｔチ
）ターゲットを有するスパッタ陰極のスパッタによりＮ
ｉＦｅＭｏ膜を順次両面に形成した。得られたＮｉＦｅ
Ｍｏ膜の保磁力はいずれもｌ　Ｏｅ程度であった。

ここでＮｉＦｅＭｏ膜の膜厚は易滑の為の塗膜を有さな
い表面側は０　、３　ｆｉｍとし、塗膜を有する面側は
０．４μｍとした。

次に同様の操作で該ＮｉＦｅＭｏ膜上にＣｏＣｒ　膜を
両面に形成した。ただしキャンの温度は１３０’Ｃとし
、ＣｏＣｒ　（Ｃｒ　２０ｗｔ％）合金ターゲットを使
用した。得られたＣｏＣｒ膜の垂直方向の保磁力はいず
れも４ｓ００ｅ（±ａｏｏｅ）であり、飽和磁化は約４
００　ｅｍｕ／ｃｃ　、面内の飽和磁化曲線の増磁曲線
に原点より接線を引いてめた実効的異方性磁界（Ｈｋｅ
ｆｆ）は約２．２　ｋｏｅであった。

ここで（：□Ｃｒ膜の膜厚は塗膜を有さない面側では０
，３５μｍとし、塗膜を有する面側は０．４ａｍとした
。膜厚の調整は、ターゲットへの投入電力を制御するこ
とにより容易になし得た。

以上の様に作製した両面媒体を０．５インチ巾に切り取
り萌述のテープ評価装置により記録再生特性を調べた。

塗膜を有さない面の５０ＫＢＰＩの記録密度における再
生出力は７４μＶｏ　−ｐであり２０ＫＢＰ　Ｉでは１
４０ｐＶｎ−ｐであった。そして塗膜を有する面の再生
用゛力は５ｏＫＢＰＩで７０６Ｖｏ　ｐ、２０ＫＢＰｒ
で１３０μＶｏ−ｐであった。塗膜を有さない面に比べ
て塗膜を有する面の再生出力低下率は高々−０，４〜−
０，６ｄＢであり問題とならない範囲であり、仙の記録
再生特性も満足すべきレベルであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は平担な表面を有する基板上に作製した垂直磁気
記録媒体において、該媒体表面上に形成したＡＩ！膜の
厚さくｄ、横軸）に対する再生出力の低下率（−ｄＢ）
を示すグラフである。 第２図は、（：ｏＣｒ合金膜（垂直磁化膜）の垂直方向
保磁力（）ｌｃｖ、横軸）に対する再生出力（Ｅｐ）の
変化を示すグラフである。 第３図けＮｉＦｅＭｏ合金膜（典保磁力膜）の膜厚（δ
ｂ、横軸）に対する再生出方ＣＥｐ）の変化を示したグ
ラフである。 第４図はＣｏＣｒ合金膜（垂直磁化膜）の膜厚（δｒ、
横軸）に対する再生出力（Ｈｐ）の変化を示したグラフ
である。 矛１図 ′″Ｉ″２図 −Ａ−３霞 オ斗図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）　一方の表面に易滑の為の塗膜を形成した有機高
   分子フィルムからなる基板の両面に厚さ１．５４ｍ以下
   の強磁性薄膜よりなる磁気ｉ己録層を設けたことを特徴
   とする磁気記録媒体。
2. （２）　前記有機高分子フィルレム力−二軸自己向ポリ
   エチレンテレフタレート、若しくをよ二自−配向ポリエ
   チレンナフタレートのフィルムである特許請求の範囲第
   （］）項記載の磁気Ｗｅ録媒体。
3. （３）　前記磁気記録層を両面の再生出力力１１しくな
   る様に調節した特許請求の範囲第（１）項、若しくは第
   （２）項記載の磁気記録媒体。
4. （４）　前記磁気記録層の膜厚を両面の再生出力カー略
   等しくなる様に調節した特許請求の範囲第（３）項記載
   の磁気記録媒体。
5. （５）　前記磁気記録層の保磁力を両面の再生出力が略
   等しくなる様に調節した特許請求の範囲第（３）項記載
   の磁気配録媒体。
6. （６）　前記磁気記録層が単−若しくは複数の強磁性薄
   膜からなる垂直磁気記録層である特許請求の範囲第＋１
   １項、第（２）項、第（３）項、第（４）項。 若しくは第（５）項記載の垂直磁気記録媒体。