JPH06314422A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH06314422A JPH06314422A JP5124699A JP12469993A JPH06314422A JP H06314422 A JPH06314422 A JP H06314422A JP 5124699 A JP5124699 A JP 5124699A JP 12469993 A JP12469993 A JP 12469993A JP H06314422 A JPH06314422 A JP H06314422A
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- magnetic
- density
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 金属磁性薄膜型の磁気記録媒体において、磁
性層２表面に高さ３５ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起
及び高さ９ｎｍ±４ｎｍの第２の表面突起をそれぞれ
１．０×１０4 〜７．０×１０4 個／ｍｍ2 、６００×
１０4 〜９０００×１０4 個／ｍｍ2 の密度で形成す
る。 【効果】 良好な電磁変換特性を確保しつつ、走行耐久
性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
性層２表面に高さ３５ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起
及び高さ９ｎｍ±４ｎｍの第２の表面突起をそれぞれ
１．０×１０4 〜７．０×１０4 個／ｍｍ2 、６００×
１０4 〜９０００×１０4 個／ｍｍ2 の密度で形成す
る。 【効果】 良好な電磁変換特性を確保しつつ、走行耐久
性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に磁性
層として金属磁性薄膜を有するいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に関する。
層として金属磁性薄膜を有するいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）
等の分野においては、高画質化を図るために、高密度記
録化が一層強く要求されており、これに対応する磁気記
録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法，
スパッタリング法，イオンプレーティング法等）により
直接非磁性支持体上に被着せしめて磁性層を形成する、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されてい
る。
等の分野においては、高画質化を図るために、高密度記
録化が一層強く要求されており、これに対応する磁気記
録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法，
スパッタリング法，イオンプレーティング法等）により
直接非磁性支持体上に被着せしめて磁性層を形成する、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されてい
る。
【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、角形比及び短波長領域における電磁変換特性に優
れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁
性層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がな
いために磁性材料の充填密度を高くできる等、数々の利
点を有している。
磁力、角形比及び短波長領域における電磁変換特性に優
れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁
性層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がな
いために磁性材料の充填密度を高くできる等、数々の利
点を有している。
【０００４】このような磁気記録媒体においては、高密
度記録化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るために磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にあ
る。しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑過ぎる
と、磁気ヘッドと媒体が吸着を引き起こし、摩擦力が増
大する。このため、媒体に生じる剪断応力が大きくな
り、磁気記録媒体が大きな損傷を受けてしまう。
度記録化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るために磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にあ
る。しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑過ぎる
と、磁気ヘッドと媒体が吸着を引き起こし、摩擦力が増
大する。このため、媒体に生じる剪断応力が大きくな
り、磁気記録媒体が大きな損傷を受けてしまう。
【０００５】そこで、良好なスチル特性を確保するため
に、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設け、
この層状作用により該非磁性支持体上に積層形成される
磁性層、保護膜等の表面に適当な粗度を付与し、磁気記
録媒体の表面性を制御しようとする方法が行われてい
る。
に、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設け、
この層状作用により該非磁性支持体上に積層形成される
磁性層、保護膜等の表面に適当な粗度を付与し、磁気記
録媒体の表面性を制御しようとする方法が行われてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支持体
上に形成される表面突起の大きさの制御が非常に重要に
なる。すなわち、この表面突起が大きくなるにつれて、
スペーシングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が
生じてしまう。これに対して、上記表面突起の高さを抑
えると、スペーシングロスによる悪影響は免れるもの
の、十分な走行耐久性を確保することができなくなる。
に磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支持体
上に形成される表面突起の大きさの制御が非常に重要に
なる。すなわち、この表面突起が大きくなるにつれて、
スペーシングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が
生じてしまう。これに対して、上記表面突起の高さを抑
えると、スペーシングロスによる悪影響は免れるもの
の、十分な走行耐久性を確保することができなくなる。
【０００７】したがって、上記表面突起の大きさや密度
を良好に制御して、高電磁変換特性と良好な走行性の両
者をバランス良く確保する事は、非常に難しいとされて
いる。そこで、本発明は上述の従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、良好な電磁変換特性を確保しつつ、
耐久性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
を良好に制御して、高電磁変換特性と良好な走行性の両
者をバランス良く確保する事は、非常に難しいとされて
いる。そこで、本発明は上述の従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、良好な電磁変換特性を確保しつつ、
耐久性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、非磁性支持
体上に大きさの異なる２種類の表面突起をそれぞれある
密度で形成することにより、良好な走行耐久性と高電磁
変換特性の両方を確保することが可能となることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、非磁性支持
体上に大きさの異なる２種類の表面突起をそれぞれある
密度で形成することにより、良好な走行耐久性と高電磁
変換特性の両方を確保することが可能となることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明の磁気記録媒体は、非磁
性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層を有する磁気
記録媒体において、上記磁性層表面に高さ３５ｎｍ±１
５ｎｍの表面突起を１．０×１０4 〜７．０×１０4 個
／ｍｍ2 の密度で有し、高さ９ｎｍ±４ｎｍの表面突起
を６００×１０4 〜９０００×１０4 個／ｍｍ2 の密度
で有することを特徴とするものである。
性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層を有する磁気
記録媒体において、上記磁性層表面に高さ３５ｎｍ±１
５ｎｍの表面突起を１．０×１０4 〜７．０×１０4 個
／ｍｍ2 の密度で有し、高さ９ｎｍ±４ｎｍの表面突起
を６００×１０4 〜９０００×１０4 個／ｍｍ2 の密度
で有することを特徴とするものである。
【００１０】本発明は、非磁性支持体上に磁性層として
金属磁性薄膜が使用されてなるいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に適用される。上記非磁性支持体として
は、プラスチックフィルム等が使用可能である。また、
上記金属磁性薄膜の構成材料としては、特に限定される
ものではなく、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の従来公知の強磁
性金属材料が何れも使用可能である。上記金属磁性薄膜
の成膜方法としては、真空薄膜形成技術が挙げられ、例
えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等が何れも使用可能である。
金属磁性薄膜が使用されてなるいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に適用される。上記非磁性支持体として
は、プラスチックフィルム等が使用可能である。また、
上記金属磁性薄膜の構成材料としては、特に限定される
ものではなく、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃ
ｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の従来公知の強磁
性金属材料が何れも使用可能である。上記金属磁性薄膜
の成膜方法としては、真空薄膜形成技術が挙げられ、例
えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等が何れも使用可能である。
【００１１】このような磁気記録媒体では、上記金属磁
性薄膜表面に表面突起を形成することにより、表面性が
制御されて、走行性が改善されるが、表面突起を形成す
る場合、その高さ分だけスペーシングロスが大きくなり
電磁変換特性の劣化を招く。そこで、本発明では、磁性
層表面に高さの異なる２種類の突起、すなわち高さ３５
ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起と高さ９ｎｍ±４ｎｍ
の第２の表面突起とをそれぞれ１．０×１０4 〜７．０
×１０4 個／ｍｍ2 ，６００×１０4 〜９０００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成して表面性を制御すること
とする。これら高さの異なる２種類の表面突起を所定の
密度で形成することにより、電磁変換特性をほとんど劣
化させることなく走行耐久性が向上することとなる。例
えば、第１の表面突起、第２の表面突起の密度が上記範
囲からはずれると走行耐久性，電磁変換特性のいずれか
が劣化する。
性薄膜表面に表面突起を形成することにより、表面性が
制御されて、走行性が改善されるが、表面突起を形成す
る場合、その高さ分だけスペーシングロスが大きくなり
電磁変換特性の劣化を招く。そこで、本発明では、磁性
層表面に高さの異なる２種類の突起、すなわち高さ３５
ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起と高さ９ｎｍ±４ｎｍ
の第２の表面突起とをそれぞれ１．０×１０4 〜７．０
×１０4 個／ｍｍ2 ，６００×１０4 〜９０００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成して表面性を制御すること
とする。これら高さの異なる２種類の表面突起を所定の
密度で形成することにより、電磁変換特性をほとんど劣
化させることなく走行耐久性が向上することとなる。例
えば、第１の表面突起、第２の表面突起の密度が上記範
囲からはずれると走行耐久性，電磁変換特性のいずれか
が劣化する。
【００１２】上記第１の表面突起，第２の表面突起を有
する磁気記録媒体は、各表面突起の高さに対応する粒径
の粒子を用いることによって作製できる。
する磁気記録媒体は、各表面突起の高さに対応する粒径
の粒子を用いることによって作製できる。
【００１３】たとえば、非磁性支持体原材料（チップ）
に粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子を添加して分
散させ非磁性支持体を作製すると、第１の粒子の突出分
とこの上を覆う樹脂被膜の厚さを合わせ、ちょうど粒径
に相当する高さの表面突起が形成される。なお、このと
き第１の粒子の原材料への添加量は非磁性支持体表面に
突出する表面突起の密度が上記範囲となるように調整す
る。
に粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子を添加して分
散させ非磁性支持体を作製すると、第１の粒子の突出分
とこの上を覆う樹脂被膜の厚さを合わせ、ちょうど粒径
に相当する高さの表面突起が形成される。なお、このと
き第１の粒子の原材料への添加量は非磁性支持体表面に
突出する表面突起の密度が上記範囲となるように調整す
る。
【００１４】さらにこの非磁性支持体上に粒径が９ｎｍ
±４ｎｍの第２の粒子を上記範囲の密度となるように配
置して、バインダー樹脂等により定着させる。これによ
り、高さが３５ｎｍ±１５ｎｍ，９ｎｍ±４ｎｍの２種
類の表面突起を有する非磁性支持体が得られる。
±４ｎｍの第２の粒子を上記範囲の密度となるように配
置して、バインダー樹脂等により定着させる。これによ
り、高さが３５ｎｍ±１５ｎｍ，９ｎｍ±４ｎｍの２種
類の表面突起を有する非磁性支持体が得られる。
【００１５】そして、この非磁性支持体上に金属磁性薄
膜を成膜する。突起を有する非磁性支持体上に金属磁性
薄膜を成膜すると層状作用によって突起形状が該金属磁
性薄膜の表面に反映される。したがって、高さが３５ｎ
ｍ±１５ｎｍの第１の表面突起，高さが９ｎｍ±４ｎｍ
の第２の表面突起を金属磁性薄膜表面に有する上記磁気
記録媒体が得られることとなる。
膜を成膜する。突起を有する非磁性支持体上に金属磁性
薄膜を成膜すると層状作用によって突起形状が該金属磁
性薄膜の表面に反映される。したがって、高さが３５ｎ
ｍ±１５ｎｍの第１の表面突起，高さが９ｎｍ±４ｎｍ
の第２の表面突起を金属磁性薄膜表面に有する上記磁気
記録媒体が得られることとなる。
【００１６】なお、以上が本発明の基本的な構成である
が、本発明においては、必要に応じて、上記非磁性支持
体上に下塗り膜やバックコート層、トップコート層等、
或いは上記磁性層上に保護膜等を適宜形成しても良い。
この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコート
層、保護膜等の成膜方法は、通常この種の磁気記録媒体
に適用される方法であれば良く、特に限定されない。
が、本発明においては、必要に応じて、上記非磁性支持
体上に下塗り膜やバックコート層、トップコート層等、
或いは上記磁性層上に保護膜等を適宜形成しても良い。
この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコート
層、保護膜等の成膜方法は、通常この種の磁気記録媒体
に適用される方法であれば良く、特に限定されない。
【００１７】
【作用】非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層
を有する磁気記録媒体において、上記磁性層表面に高さ
が異なる２種類の表面突起をそれぞれ所定の密度で形成
すると、磁性層の表面性が良好に制御される。これによ
り磁気ヘッドとの摺動時の当たりが良好となり、走行性
が向上する。また、スペーシングロスによる電磁変換特
性の劣化が抑えられる。
を有する磁気記録媒体において、上記磁性層表面に高さ
が異なる２種類の表面突起をそれぞれ所定の密度で形成
すると、磁性層の表面性が良好に制御される。これによ
り磁気ヘッドとの摺動時の当たりが良好となり、走行性
が向上する。また、スペーシングロスによる電磁変換特
性の劣化が抑えられる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例を図
面を参照しながら説明する。本実施例は、非磁性支持体
上に粒径の異なる２種類の粒子によって表面突起が形成
されている金属磁性薄膜型の磁気テープの例である。本
実施例の磁気テープは図１に示すようにポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）からなる非磁性支持体１上に膜
厚０．５μｍ以下とされる薄膜の磁性層２を有してい
る。この磁性層２は、金属磁性薄膜からなり、例えば真
空蒸着法等により成膜される。
面を参照しながら説明する。本実施例は、非磁性支持体
上に粒径の異なる２種類の粒子によって表面突起が形成
されている金属磁性薄膜型の磁気テープの例である。本
実施例の磁気テープは図１に示すようにポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）からなる非磁性支持体１上に膜
厚０．５μｍ以下とされる薄膜の磁性層２を有してい
る。この磁性層２は、金属磁性薄膜からなり、例えば真
空蒸着法等により成膜される。
【００１９】上記磁性層２の表面には、比較的大きな第
１の表面突起３と、比較的小さな第２の表面突起４が形
成されている。上記第１の表面突起３は、粒径３５ｎｍ
±１５ｎｍとなる第１の粒子５によって形成されるもの
であり、上記非磁性支持体１内に内添された上記第１の
粒子５の粒子形状が上記磁性層２の表面に反映されたか
たちで形成されてなるものである。このとき、上記第１
の粒子５の密度は、１．０×１０4 〜７．０×１０4 個
／ｍｍ2 とされる。
１の表面突起３と、比較的小さな第２の表面突起４が形
成されている。上記第１の表面突起３は、粒径３５ｎｍ
±１５ｎｍとなる第１の粒子５によって形成されるもの
であり、上記非磁性支持体１内に内添された上記第１の
粒子５の粒子形状が上記磁性層２の表面に反映されたか
たちで形成されてなるものである。このとき、上記第１
の粒子５の密度は、１．０×１０4 〜７．０×１０4 個
／ｍｍ2 とされる。
【００２０】このような第１の粒子５は、その密度が上
記範囲内となるように上記非磁性支持体１内で適当に分
散されてその一部がある程度凝集したかたちで存在して
いる。この第１の粒子５として、本実施例ではＳｉＯ2
粒子を使用した。
記範囲内となるように上記非磁性支持体１内で適当に分
散されてその一部がある程度凝集したかたちで存在して
いる。この第１の粒子５として、本実施例ではＳｉＯ2
粒子を使用した。
【００２１】一方、上記第２の表面突起４は、粒子粒径
９ｎｍ±４ｎｍなる第２の粒子６によって形成されるも
のであり、上記非磁性支持体１上に分散され、バインダ
ー樹脂等により定着されてなるものである。この時、上
記第２の粒子６の密度は、６００×１０4 〜９０００×
１０4 個／ｍｍ2 とされる。ここでは、上記第２の粒子
６としてＳｉＯ2 粒子を使用した。
９ｎｍ±４ｎｍなる第２の粒子６によって形成されるも
のであり、上記非磁性支持体１上に分散され、バインダ
ー樹脂等により定着されてなるものである。この時、上
記第２の粒子６の密度は、６００×１０4 〜９０００×
１０4 個／ｍｍ2 とされる。ここでは、上記第２の粒子
６としてＳｉＯ2 粒子を使用した。
【００２２】そこで、上述のような構成を有する磁気テ
ープにおいて、上記第１の粒子５及び第２の粒子６の密
度を変化させたときの電磁変換特性及び耐久性を調べ
た。この結果を図２〜図７に示す。図２は、上記第１の
粒子５の密度とＲＦ特性の関係を示す。
ープにおいて、上記第１の粒子５及び第２の粒子６の密
度を変化させたときの電磁変換特性及び耐久性を調べ
た。この結果を図２〜図７に示す。図２は、上記第１の
粒子５の密度とＲＦ特性の関係を示す。
【００２３】図２に示すように、いずれの粒径の場合に
おいても上記第１の粒子５の密度が高くなるほど、ＲＦ
特性は低下する傾向にあり、０ｄＢ以上の出力を得るた
めには粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍ及び６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合でそれぞれ７．０万個／ｍｍ2 以下、５．０万
個／ｍｍ2 以下とし粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で
３．５万個／ｍｍ2 以下としなければならないことが判
った。
おいても上記第１の粒子５の密度が高くなるほど、ＲＦ
特性は低下する傾向にあり、０ｄＢ以上の出力を得るた
めには粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍ及び６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合でそれぞれ７．０万個／ｍｍ2 以下、５．０万
個／ｍｍ2 以下とし粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で
３．５万個／ｍｍ2 以下としなければならないことが判
った。
【００２４】また、上述と同様に３種類の粒径の場合に
おいて、上記第１の粒子５の密度とクロッグまでのパス
回数の関係を調べ、これを図３に示した。上記クロッグ
までのパス回数は５台のデッキのうち最初の１台がクロ
ッグを起こすまでのパス回数とした。
おいて、上記第１の粒子５の密度とクロッグまでのパス
回数の関係を調べ、これを図３に示した。上記クロッグ
までのパス回数は５台のデッキのうち最初の１台がクロ
ッグを起こすまでのパス回数とした。
【００２５】図３に示すように、上記第１の粒子５の粒
径を３５ｎｍ±１５ｎｍ、６５ｎｍ±１５ｎｍ及び９５
ｎｍ±１５ｎｍとした場合、何れにおいても上記第１の
粒子５の密度が高くなる程、クロッグまでのパス回数が
増加する傾向にあった。また、パス回数の加減を７０回
とすると、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍ及び６５ｎｍ±１
５ｎｍの場合には密度をそれぞれ０．７万個／ｍｍ2 以
上、０．８万個／ｍｍ2 以上としなければならないのに
対し、粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの場合は１．０万個／ｍ
ｍ2 以上としなければならないことが判った。
径を３５ｎｍ±１５ｎｍ、６５ｎｍ±１５ｎｍ及び９５
ｎｍ±１５ｎｍとした場合、何れにおいても上記第１の
粒子５の密度が高くなる程、クロッグまでのパス回数が
増加する傾向にあった。また、パス回数の加減を７０回
とすると、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍ及び６５ｎｍ±１
５ｎｍの場合には密度をそれぞれ０．７万個／ｍｍ2 以
上、０．８万個／ｍｍ2 以上としなければならないのに
対し、粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの場合は１．０万個／ｍ
ｍ2 以上としなければならないことが判った。
【００２６】従って、良好な電磁変換特性と耐久性の両
者を実現可能とするためには、上記第１の粒子５の粒径
が３５±１５ｎｍの場合で１．０〜７．０万個／ｍ
ｍ2 、６５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．８万個／ｍｍ2
〜５．０万個／ｍｍ2 、９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で
０．７万個／ｍｍ2 〜３．５万個／ｍｍ2 とする必要が
あることが判った。
者を実現可能とするためには、上記第１の粒子５の粒径
が３５±１５ｎｍの場合で１．０〜７．０万個／ｍ
ｍ2 、６５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．８万個／ｍｍ2
〜５．０万個／ｍｍ2 、９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で
０．７万個／ｍｍ2 〜３．５万個／ｍｍ2 とする必要が
あることが判った。
【００２７】さらに、この結果を、図４に示される上記
第１の粒子の密度と４時間走行後の理想状態からのレベ
ルダウンの関係を合わせて検討したところ、粒径９５ｎ
ｍ±１５ｎｍおよび粒径６５ｎｍ±１５ｎｍとした場合
には上記範囲においてもレベルダウンが大きく使用不可
能であった。一方、粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの場合は、
上記範囲で十分な特性を得ることができる。
第１の粒子の密度と４時間走行後の理想状態からのレベ
ルダウンの関係を合わせて検討したところ、粒径９５ｎ
ｍ±１５ｎｍおよび粒径６５ｎｍ±１５ｎｍとした場合
には上記範囲においてもレベルダウンが大きく使用不可
能であった。一方、粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの場合は、
上記範囲で十分な特性を得ることができる。
【００２８】次に、上記第２の粒子６の密度とスチル特
性及びＲＦ特性の関係を調べた。なお、スチル特性は８
個のヘッドに関してクロッグを起こすまでの平均時間
（分）とした。この結果、図５に示すように、実用的な
スチル特性を得るためには、上記第２の粒子の密度を６
００×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければならないこと
が判った。
性及びＲＦ特性の関係を調べた。なお、スチル特性は８
個のヘッドに関してクロッグを起こすまでの平均時間
（分）とした。この結果、図５に示すように、実用的な
スチル特性を得るためには、上記第２の粒子の密度を６
００×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければならないこと
が判った。
【００２９】また、図６より、ＲＦ特性の観点から出力
を０ｄＢ以上とするためには９０００×１０4 個／ｍｍ
2 以下としなければならないことが判った。
を０ｄＢ以上とするためには９０００×１０4 個／ｍｍ
2 以下としなければならないことが判った。
【００３０】従って、良好な電磁変換特性と耐久性の両
者を実現可能とするためには、上記第２粒子６の粒子が
６００〜９０００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要がある
ことが判った。
者を実現可能とするためには、上記第２粒子６の粒子が
６００〜９０００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要がある
ことが判った。
【００３１】以上の結果から、磁性層表面に高さの異な
る２種類の表面突起を所定の密度で形成することによ
り、電磁変換特性と走行性のバランスに優れた磁気テー
プを得ることが可能となることが判った。
る２種類の表面突起を所定の密度で形成することによ
り、電磁変換特性と走行性のバランスに優れた磁気テー
プを得ることが可能となることが判った。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体では、磁性層表面に高さの異なる２種
類の表面突起を組み合わせて形成することによって磁性
層表面の表面粗さを制御しているので、スペーシングロ
スによる電磁変換特性の劣化を抑えて走行耐久性の向上
を図ることができる。
明の磁気記録媒体では、磁性層表面に高さの異なる２種
類の表面突起を組み合わせて形成することによって磁性
層表面の表面粗さを制御しているので、スペーシングロ
スによる電磁変換特性の劣化を抑えて走行耐久性の向上
を図ることができる。
【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の一例の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性
図である。
図である。
【図３】非磁性支持体内に内添される第１の粒子の密度
とクロッグまでのパス回数の関係を示す特性図である。
とクロッグまでのパス回数の関係を示す特性図である。
【図４】第１の粒子密度とレベルダウンの関係を示す特
性図である。
性図である。
【図５】非磁性支持体上に分散される第２の粒子の密度
とスチル特性の関係を示す特性図である。
とスチル特性の関係を示す特性図である。
【図６】第２の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性
図である。
図である。
１・・・非磁性支持体 ２・・・磁性層 ３・・・第１の表面突起 ４・・・第２の表面突起 ５・・・第１の粒子 ６・・・第２の粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 泰美 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる
磁性層を有する磁気記録媒体において、 上記磁性層表面に高さ３５ｎｍ±１５ｎｍの表面突起を
１．０×１０4 〜７．０×１０4 個／ｍｍ2 の密度で有
し、高さ９ｎｍ±４ｎｍの表面突起を６００×１０4 〜
９０００×１０4 個／ｍｍ2 の密度で有することを特徴
とする磁気記録媒体。 【００００】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124699A JPH06314422A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124699A JPH06314422A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314422A true JPH06314422A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14891909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124699A Pending JPH06314422A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314422A (ja) |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP5124699A patent/JPH06314422A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020611 |