JPS6015807A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6015807A JPS6015807A JP12306383A JP12306383A JPS6015807A JP S6015807 A JPS6015807 A JP S6015807A JP 12306383 A JP12306383 A JP 12306383A JP 12306383 A JP12306383 A JP 12306383A JP S6015807 A JPS6015807 A JP S6015807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- face
- laminated film
- thickness
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＶＴＲ等の映像信号の記録、再生に好適な磁
気ヘッドに関するものである。
気ヘッドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、ＶＴＲ等の映像用の記録、再生ヘッドの素材とし
て、主にＭｎ−ｚｎ系フェライト単結晶。
て、主にＭｎ−ｚｎ系フェライト単結晶。
センダスト合金、アモルファス合金等が使用されている
。しかしこれらの材料は、高周波領域で透磁率が低いこ
とが問題とされており、例えば３゜ＭＨｚにおける透磁
率はＭｎ−Ｚｎ系フェライト単結晶では６０以下であり
、センダスト、アモルファス合金にいたっては１０以下
と非常に小さく、磁気ヘッドの再生出力が小さくなって
しまう。
。しかしこれらの材料は、高周波領域で透磁率が低いこ
とが問題とされており、例えば３゜ＭＨｚにおける透磁
率はＭｎ−Ｚｎ系フェライト単結晶では６０以下であり
、センダスト、アモルファス合金にいたっては１０以下
と非常に小さく、磁気ヘッドの再生出力が小さくなって
しまう。
発明の目的
本発明は、以上のような従来の問題点を解決し高周波領
域において、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供す
ることを目的とするものである。
域において、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供す
ることを目的とするものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するもので、非磁性基板の一生
面上に設けられた、又は非磁性基板により挾持された積
層膜を備え、少なくとも前記積層膜の端面を記録媒体に
対向して配し、前記積層膜の端面に垂直に作動ギャップ
を設けた構造を有し、前記積層膜は鉄よりなる薄膜とバ
ナジウムよりなる薄膜を交互に積層させた構成より彦り
、前記鉄及びバナジウムよりなる薄膜それぞれの単層膜
の厚さが５０Ａ以下であることを特徴とする特許ラドを
提供するものである。
面上に設けられた、又は非磁性基板により挾持された積
層膜を備え、少なくとも前記積層膜の端面を記録媒体に
対向して配し、前記積層膜の端面に垂直に作動ギャップ
を設けた構造を有し、前記積層膜は鉄よりなる薄膜とバ
ナジウムよりなる薄膜を交互に積層させた構成より彦り
、前記鉄及びバナジウムよりなる薄膜それぞれの単層膜
の厚さが５０Ａ以下であることを特徴とする特許ラドを
提供するものである。
実施例の説明
本発明の一実施例である磁気ヘッドの斜視図を第１図に
示す。
示す。
図において、１はセラミックス等からなる非磁性基板、
２は積層膜、３は巻線、４け作動ギャップである。
２は積層膜、３は巻線、４け作動ギャップである。
具体的には非磁性基板１の側面へ蒸着法あるいはスパッ
タ法により鉄（Ｆｅ）薄膜とノζナジウム（Ｖ）薄膜の
多重積層膜２を形成する。この多重層をオングストロー
ムの単位で規則正しく重ね合せることにより、主磁路形
成面内に磁化容易方向を持った膜を形成することができ
る。
タ法により鉄（Ｆｅ）薄膜とノζナジウム（Ｖ）薄膜の
多重積層膜２を形成する。この多重層をオングストロー
ムの単位で規則正しく重ね合せることにより、主磁路形
成面内に磁化容易方向を持った膜を形成することができ
る。
Ｆｅの膜厚を１６１、■の膜厚を３ＯＡとし、これを１
２０００層重ね合せ全体の積層膜２の厚さを２７０００
０裏としだ。即ちトランク幅２７μｍの狭トラツクヘッ
ドを作製した。Ｆｅ薄膜と Ｖ薄膜の層を６Ｑｏｏ回ず
つ重ね蒸着する方法として第２図に示したような方法を
用いた。
２０００層重ね合せ全体の積層膜２の厚さを２７０００
０裏としだ。即ちトランク幅２７μｍの狭トラツクヘッ
ドを作製した。Ｆｅ薄膜と Ｖ薄膜の層を６Ｑｏｏ回ず
つ重ね蒸着する方法として第２図に示したような方法を
用いた。
即ち、ペルジャー６内にＦｅ とＶの蒸着源１０を基板
１の下に位置するようにそれぞれ配置し、基板１と蒸着
源１０の間に、高速回転式のシャッター５を置き、蒸着
源１００Ｆ８ と■が交互に基板１に付着するようにモ
ーター７を駆動する。ＦｅとＶの膜の厚さの比率は、シ
ャッター５に設けられた窓８及び９０円周方向の長さで
調節するものとした。こうすることによりＦｅ とＶの
薄膜を交互に何千層も高速に形成することができる。こ
の薄膜の透磁率は、リング状にした場合３０ＭＨｚで２
６０．１００ＭＨ２で１６０という非常に大きな値を示
すことが確認できた。まだこの薄膜を用いた磁気ヘッド
で３０ ＭＨｚの信号を記録・再生したところ、従来の
磁気ヘッド、特に高周波特性に優れているとされていた
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト単結晶ヘッドに比べても、６〜
１０倍近い大きな再生出力を得ることができた。また１
００ＭＨ２の信号も効率よく、テープに記録・再生可能
なことを確認することもできだ。
１の下に位置するようにそれぞれ配置し、基板１と蒸着
源１０の間に、高速回転式のシャッター５を置き、蒸着
源１００Ｆ８ と■が交互に基板１に付着するようにモ
ーター７を駆動する。ＦｅとＶの膜の厚さの比率は、シ
ャッター５に設けられた窓８及び９０円周方向の長さで
調節するものとした。こうすることによりＦｅ とＶの
薄膜を交互に何千層も高速に形成することができる。こ
の薄膜の透磁率は、リング状にした場合３０ＭＨｚで２
６０．１００ＭＨ２で１６０という非常に大きな値を示
すことが確認できた。まだこの薄膜を用いた磁気ヘッド
で３０ ＭＨｚの信号を記録・再生したところ、従来の
磁気ヘッド、特に高周波特性に優れているとされていた
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト単結晶ヘッドに比べても、６〜
１０倍近い大きな再生出力を得ることができた。また１
００ＭＨ２の信号も効率よく、テープに記録・再生可能
なことを確認することもできだ。
なお、積層膜２の形成に際しては、ＦｅとＶとどちらを
先に形成しても特性上の変化はみられなかりだ。
先に形成しても特性上の変化はみられなかりだ。
しかし、Ｆｅ又はＶの膜の一層の厚さが５０λ以上にな
ると、面内磁気異方性が弱まりその結果、高周波領域に
おける透磁率が低下するため、磁気ヘッドの再生出力が
小さくなってしまう。従って、Ｆｅ又はＶの一層の膜厚
を５０λ以下に抑える必要がある。
ると、面内磁気異方性が弱まりその結果、高周波領域に
おける透磁率が低下するため、磁気ヘッドの再生出力が
小さくなってしまう。従って、Ｆｅ又はＶの一層の膜厚
を５０λ以下に抑える必要がある。
一方、層の重ね回数を１０層〜１６０００層まで変化さ
せたが、Ｆｅ及びＶの一層の厚さが同じであれば、透磁
率はあまり変化しないことがわかった。
せたが、Ｆｅ及びＶの一層の厚さが同じであれば、透磁
率はあまり変化しないことがわかった。
以上のことから、Ｆｅ及びＶの一層の厚さが５０Ａ以下
で、交互に重ね合せた膜よりなる磁気ヘッドは、従来に
ない極めて高い周波数特性を有したヘッドと言える。
で、交互に重ね合せた膜よりなる磁気ヘッドは、従来に
ない極めて高い周波数特性を有したヘッドと言える。
なお上記実施例では非磁性基板１上に積層膜２を設けた
場合について述べたが、積層膜２の磨耗防止のため、積
層膜２を非磁性基板で挟持した構造であっても良い。
場合について述べたが、積層膜２の磨耗防止のため、積
層膜２を非磁性基板で挟持した構造であっても良い。
発明の効果
以上のように本発明は非磁性基板の一生面上に設けられ
た積層膜を備え、少なくとも前記積層膜の端面を記録媒
体に対向して配し、前記積層膜の端面に垂直に作動ギャ
ップを設け、前記積層膜は鉄より斤る薄膜とバナジウム
よりなる薄膜を交互に積層させた構成を有し、前記鉄及
びバナジウムよりなる薄膜それぞれの単層膜の厚さが６
０Ａ以下であることを特徴とするもので、従来にない高
周波特性を持った磁気ヘッドを提供することができ、高
品位ＶＴＲ等の映像用磁気ヘッドとして使用され、社会
的効果は著大である。
た積層膜を備え、少なくとも前記積層膜の端面を記録媒
体に対向して配し、前記積層膜の端面に垂直に作動ギャ
ップを設け、前記積層膜は鉄より斤る薄膜とバナジウム
よりなる薄膜を交互に積層させた構成を有し、前記鉄及
びバナジウムよりなる薄膜それぞれの単層膜の厚さが６
０Ａ以下であることを特徴とするもので、従来にない高
周波特性を持った磁気ヘッドを提供することができ、高
品位ＶＴＲ等の映像用磁気ヘッドとして使用され、社会
的効果は著大である。
第１図は本発明の一実施例である磁気ヘッドの斜視図、
第２図は本発明における磁気ヘッドの製造方法の一工程
を示す斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＦｅとＶの薄膜の
積層、３・・・・・・巻線、４・・・・・・作動ギャッ
プ、６・・・・・・回転式シャッター、６・・・・・・
ペルジャー、７・・・・・・モーター、８．９・・・・
・・窓、１ｏ・・・・・・蒸着源。
第２図は本発明における磁気ヘッドの製造方法の一工程
を示す斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＦｅとＶの薄膜の
積層、３・・・・・・巻線、４・・・・・・作動ギャッ
プ、６・・・・・・回転式シャッター、６・・・・・・
ペルジャー、７・・・・・・モーター、８．９・・・・
・・窓、１ｏ・・・・・・蒸着源。
Claims (1)
- 非磁性基板の一生面上に設けられた積層膜を備え、少な
くとも前記積層膜の端面を記録媒体に対向して配し、前
記積層膜の端面に垂直に作動ギャップを設け、前記積層
膜は鉄よりなる薄膜とバナジウムより々る薄膜を交互に
積層させた構成を有し、前記鉄及びバナジウムよりなる
薄膜それぞれの単層膜の厚さが５０５−以下であること
を特徴とする磁気ヘット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12306383A JPS6015807A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12306383A JPS6015807A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015807A true JPS6015807A (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14851274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12306383A Pending JPS6015807A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015807A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197906A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | 高透磁率人工格子磁性薄膜 |
| JPS62124733U (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-07 | ||
| JPS63121842U (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-08 |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP12306383A patent/JPS6015807A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197906A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | 高透磁率人工格子磁性薄膜 |
| JPS62124733U (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-07 | ||
| JPH0355219Y2 (ja) * | 1986-01-30 | 1991-12-09 | ||
| JPS63121842U (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-08 | ||
| JPH0529395Y2 (ja) * | 1987-01-31 | 1993-07-28 |
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