JPH05325129A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH05325129A JPH05325129A JP13639292A JP13639292A JPH05325129A JP H05325129 A JPH05325129 A JP H05325129A JP 13639292 A JP13639292 A JP 13639292A JP 13639292 A JP13639292 A JP 13639292A JP H05325129 A JPH05325129 A JP H05325129A
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- film
- layer
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属磁性薄膜の剥離を防止するとともに、金属
磁性薄膜の軟磁気特性を改善し、記録・再生特性の大幅
な向上の図れる磁気ヘッドを提供する。 【構成】一対の磁気コア半体１、１が磁気ギャップｇ形
成面を突き合わせて接合一体化され、これらの一対の磁
気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気
ギャップ形成面に金属磁性薄膜２が成膜されてなる磁気
ヘッドにおいて、前記金属磁性薄膜の下地膜３としてＳ
ｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）が形成されるとともに、金属磁
性薄膜が結晶質金属磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜
として積層されてなるものである。
磁性薄膜の軟磁気特性を改善し、記録・再生特性の大幅
な向上の図れる磁気ヘッドを提供する。 【構成】一対の磁気コア半体１、１が磁気ギャップｇ形
成面を突き合わせて接合一体化され、これらの一対の磁
気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気
ギャップ形成面に金属磁性薄膜２が成膜されてなる磁気
ヘッドにおいて、前記金属磁性薄膜の下地膜３としてＳ
ｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）が形成されるとともに、金属磁
性薄膜が結晶質金属磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜
として積層されてなるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、いわゆるメタルテープ
等の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生を行うの
に好適な磁気ヘッドに関し、詳細には一対の磁気コア半
体よりなる磁気ヘッドのギャップ部を金属磁性薄膜で構
成したいわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッド
に関する。
等の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生を行うの
に好適な磁気ヘッドに関し、詳細には一対の磁気コア半
体よりなる磁気ヘッドのギャップ部を金属磁性薄膜で構
成したいわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッド
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野において、記録信
号の高密度化に伴い記録波長は短波長化してきている。
これに対応して、磁気記録媒体は、高保磁力、高残留磁
束密度を実現するため、従来の酸化物磁気記録媒体か
ら、例えば強磁性金属材料を非磁性支持体上に直接被着
せしめてなるいわゆるメタルテープ等の強磁性金属磁気
記録媒体が使用されるようになってきている。
号の高密度化に伴い記録波長は短波長化してきている。
これに対応して、磁気記録媒体は、高保磁力、高残留磁
束密度を実現するため、従来の酸化物磁気記録媒体か
ら、例えば強磁性金属材料を非磁性支持体上に直接被着
せしめてなるいわゆるメタルテープ等の強磁性金属磁気
記録媒体が使用されるようになってきている。
【０００３】このような磁気記録媒体に対し記録を行う
には、従来の酸化物軟磁性材料をコア材料として用いた
いわゆるフェライトヘッドでは不十分であり、ギャップ
部に酸化物軟磁性材料に比べ飽和磁束密度の高い軟磁性
金属材料を被着したいわゆるメタル・イン・ギャップ
（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドが用いられている。
には、従来の酸化物軟磁性材料をコア材料として用いた
いわゆるフェライトヘッドでは不十分であり、ギャップ
部に酸化物軟磁性材料に比べ飽和磁束密度の高い軟磁性
金属材料を被着したいわゆるメタル・イン・ギャップ
（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドが用いられている。
【０００４】しかし、このような磁気ヘッドにおいて
は、この軟磁性金属材料の磁気特性が大きく磁気ヘッド
の性能を左右する。このようなことから、本発明者ら
は、軟磁性金属材料からなる金属磁性薄膜の下地膜とし
てＰｔ膜が形成されるとともに、金属磁性薄膜が結晶質
金属磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜とされてなる磁
気ヘッドを公開特許公報平３−２４８３０７号に示し
た。この発明では、結晶質金属磁性材料層をＰｔ層によ
って分断し、積層構造とすることが金属磁性薄膜の軟磁
気特性の改善に有効であり、磁気ヘッドの記録・再生特
性の改善に有効であることを示した。
は、この軟磁性金属材料の磁気特性が大きく磁気ヘッド
の性能を左右する。このようなことから、本発明者ら
は、軟磁性金属材料からなる金属磁性薄膜の下地膜とし
てＰｔ膜が形成されるとともに、金属磁性薄膜が結晶質
金属磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜とされてなる磁
気ヘッドを公開特許公報平３−２４８３０７号に示し
た。この発明では、結晶質金属磁性材料層をＰｔ層によ
って分断し、積層構造とすることが金属磁性薄膜の軟磁
気特性の改善に有効であり、磁気ヘッドの記録・再生特
性の改善に有効であることを示した。
【０００５】しかし、この発明では、下地膜としてＰｔ
膜を形成するとしたが、Ｐｔ層は結晶質金属磁性材料層
間の分断層とした場合は問題ないものの、フェライト−
金属磁性薄膜間に形成するとフェライトに対するＰｔ膜
の付着力の弱さから、金属磁性薄膜の剥離を起こし易い
ことが明らかになった。
膜を形成するとしたが、Ｐｔ層は結晶質金属磁性材料層
間の分断層とした場合は問題ないものの、フェライト−
金属磁性薄膜間に形成するとフェライトに対するＰｔ膜
の付着力の弱さから、金属磁性薄膜の剥離を起こし易い
ことが明らかになった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、かか
る従来の実情に鑑みて提案されたもので、金属磁性薄膜
の剥離を防止するとともに、金属磁性薄膜の軟磁気特性
を改善し、記録・再生特性の大幅な向上の図れる磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
る従来の実情に鑑みて提案されたもので、金属磁性薄膜
の剥離を防止するとともに、金属磁性薄膜の軟磁気特性
を改善し、記録・再生特性の大幅な向上の図れる磁気ヘ
ッドを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形
成面を突き合わせて接合一体化され、これら一対の磁気
コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギ
ャップ形成面に金属磁性薄膜が成膜されてなる磁気ヘッ
ドにおいて、前記金属磁性薄膜の下地膜としてＳｉＯX
膜（１≦Ｘ≦２）が形成されるとともに、金属磁性薄膜
が結晶質金属磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜とされ
てなることを特徴とするものである。及び、前記ＳｉＯ
X 膜（１≦Ｘ≦２）が１０Å〜３００Åの厚さを有する
ことを特徴とするものである。
達成するために、一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形
成面を突き合わせて接合一体化され、これら一対の磁気
コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギ
ャップ形成面に金属磁性薄膜が成膜されてなる磁気ヘッ
ドにおいて、前記金属磁性薄膜の下地膜としてＳｉＯX
膜（１≦Ｘ≦２）が形成されるとともに、金属磁性薄膜
が結晶質金属磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜とされ
てなることを特徴とするものである。及び、前記ＳｉＯ
X 膜（１≦Ｘ≦２）が１０Å〜３００Åの厚さを有する
ことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明においては、結晶質金属磁性材料層とＰ
ｔ層からなる金属磁性薄膜が、良好な分断効果を持つＰ
ｔ層により分断された積層構造をとることから、金属磁
性薄膜は、低保磁力、高透磁率を有する良好な軟磁気特
性を示し、また、フェライト−金属磁性薄膜（結晶質金
属磁性材料層）境界には、ＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）を
設けているので、良好な付着力を有したまま、磁気コア
半体どうしのガラス等による溶融接着時の熱によるフェ
ライト−金属磁性薄膜の境界における拡散反応を防止す
ることが可能となる。
ｔ層からなる金属磁性薄膜が、良好な分断効果を持つＰ
ｔ層により分断された積層構造をとることから、金属磁
性薄膜は、低保磁力、高透磁率を有する良好な軟磁気特
性を示し、また、フェライト−金属磁性薄膜（結晶質金
属磁性材料層）境界には、ＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）を
設けているので、良好な付着力を有したまま、磁気コア
半体どうしのガラス等による溶融接着時の熱によるフェ
ライト−金属磁性薄膜の境界における拡散反応を防止す
ることが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。本実施例の磁気ヘッ
ドは、図１の斜視図及び図２の記録媒体対接面を拡大し
た要部拡大平面図に示すように、記録媒体対接面の略中
央に位置する磁気ギャップｇを境として左右別々に作製
された一対の磁気コア半体１、１が磁気ギャップ形成面
を突き合わせて接合一体化されてなる。
いて図面を参照しながら説明する。本実施例の磁気ヘッ
ドは、図１の斜視図及び図２の記録媒体対接面を拡大し
た要部拡大平面図に示すように、記録媒体対接面の略中
央に位置する磁気ギャップｇを境として左右別々に作製
された一対の磁気コア半体１、１が磁気ギャップ形成面
を突き合わせて接合一体化されてなる。
【００１０】これら一対の磁気コア半体１、１のうち少
なくとも一方の磁気コア半体１の磁気ギャップ形成面に
金属磁性薄膜２が成膜されてなる。本発明の特徴は、金
属磁性膜２の下地膜３としてＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）
が形成されるとともに、金属磁性薄膜２が結晶質金属磁
性材料層８とＰｔ層９からなる多層膜とされてなること
を特徴とするものである。
なくとも一方の磁気コア半体１の磁気ギャップ形成面に
金属磁性薄膜２が成膜されてなる。本発明の特徴は、金
属磁性膜２の下地膜３としてＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）
が形成されるとともに、金属磁性薄膜２が結晶質金属磁
性材料層８とＰｔ層９からなる多層膜とされてなること
を特徴とするものである。
【００１１】この例では、両磁気コア半体１、１に磁気
ギャップｇのギャップデプスを規定し、ヘッド巻線に供
する巻線溝４、４が設けられている。Ｔｗは磁気ギャッ
プｇのトラック幅を示し、このトラック幅Ｔｗは、後で
図４を使って説明するトラック幅規制溝５、５によりそ
の幅が決められる。これらのトラック幅規制溝５、５内
には、それぞれ磁気記録媒体との当り特性を確保すると
ともに、摺接による偏摩耗を防止する目的で、磁気コア
半体１、１どうしを溶融接着するガラス等の非磁性材６
が充填されている。
ギャップｇのギャップデプスを規定し、ヘッド巻線に供
する巻線溝４、４が設けられている。Ｔｗは磁気ギャッ
プｇのトラック幅を示し、このトラック幅Ｔｗは、後で
図４を使って説明するトラック幅規制溝５、５によりそ
の幅が決められる。これらのトラック幅規制溝５、５内
には、それぞれ磁気記録媒体との当り特性を確保すると
ともに、摺接による偏摩耗を防止する目的で、磁気コア
半体１、１どうしを溶融接着するガラス等の非磁性材６
が充填されている。
【００１２】この磁気ヘッドを構成するには、まず、図
３に示すように、Ｍｎ−ＺｎもしくはＮｉ−Ｚｎなどの
酸化物軟磁性材によって、例えば長さ３４．５ｍｍ、幅
２．５ｍｍ、厚み１ｍｍ程度の基体７を形成する。図４
に示すように、この基体７の主面の幅方向にトラック幅
規制溝５を切り込む。このトラック幅規制溝５の主面に
接する部分での側面の角度は８°〜４５°程度が普通で
あるが、０°でもかまわない。深さは２００〜３００μ
ｍ、また溝の断面形状も通常はＵの字型もしくはＶの字
型であるが、多角形による断面であっても勿論構わな
い。
３に示すように、Ｍｎ−ＺｎもしくはＮｉ−Ｚｎなどの
酸化物軟磁性材によって、例えば長さ３４．５ｍｍ、幅
２．５ｍｍ、厚み１ｍｍ程度の基体７を形成する。図４
に示すように、この基体７の主面の幅方向にトラック幅
規制溝５を切り込む。このトラック幅規制溝５の主面に
接する部分での側面の角度は８°〜４５°程度が普通で
あるが、０°でもかまわない。深さは２００〜３００μ
ｍ、また溝の断面形状も通常はＵの字型もしくはＶの字
型であるが、多角形による断面であっても勿論構わな
い。
【００１３】次に、図５に示すように、磁気ギャップｇ
のギャップデプスを規制し、巻線を巻装するための巻線
溝４を形成する。そして、基体７の主面を表面粗度が２
０〜１００Å程度になるように研磨する。以上のように
して形成された図６ａに示す基体７に対して、まず、図
６ｂに示すようにＳｉＯ2 膜を下地膜３として形成す
る。この下地膜３はＳｉＯでも可能であり、ＳｉＯX 膜
（１≦Ｘ≦２）のような珪素原子に対し、酸素原子数が
整数比にならないようなＳｉＯ2 とＳｉＯの混合状態の
膜でも良い。
のギャップデプスを規制し、巻線を巻装するための巻線
溝４を形成する。そして、基体７の主面を表面粗度が２
０〜１００Å程度になるように研磨する。以上のように
して形成された図６ａに示す基体７に対して、まず、図
６ｂに示すようにＳｉＯ2 膜を下地膜３として形成す
る。この下地膜３はＳｉＯでも可能であり、ＳｉＯX 膜
（１≦Ｘ≦２）のような珪素原子に対し、酸素原子数が
整数比にならないようなＳｉＯ2 とＳｉＯの混合状態の
膜でも良い。
【００１４】また、この膜厚は１０Å〜３００Åであれ
ば、この部分が非磁性であるために疑似ギャップとして
作用する可能性は少ないが、望ましくは５０Å程度が適
当である。下地膜３の形成にはスパッタが好適である
が、蒸着、ＭＢＥ等の他のPhisical vapor deposition
methodやChemical vapor deposition methodも使用でき
る。
ば、この部分が非磁性であるために疑似ギャップとして
作用する可能性は少ないが、望ましくは５０Å程度が適
当である。下地膜３の形成にはスパッタが好適である
が、蒸着、ＭＢＥ等の他のPhisical vapor deposition
methodやChemical vapor deposition methodも使用でき
る。
【００１５】次に、図６ｃに示すように、第１層目の結
晶質金属磁性材料層８ａを形成する。この結晶質金属磁
性材料層８としては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金）、Sofmax（Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒｕ合金）が好適で
あるが、その他のＦｅ−Ａｌ等これに類似した合金、ま
た窒化系、炭化系軟磁性合金等も使用できる。この第１
層目の結晶質金属磁性材料層８ａの膜厚は、Ｐｔ層９に
よる下地効果が得られないので、余り厚くしないことが
好ましく、全金属磁性薄膜２の厚さに対して２０％以
下、また厚くとも１μｍ以下であることが好ましい。こ
の膜の形成法はスパッタ法や蒸着が好ましい。
晶質金属磁性材料層８ａを形成する。この結晶質金属磁
性材料層８としては、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金）、Sofmax（Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒｕ合金）が好適で
あるが、その他のＦｅ−Ａｌ等これに類似した合金、ま
た窒化系、炭化系軟磁性合金等も使用できる。この第１
層目の結晶質金属磁性材料層８ａの膜厚は、Ｐｔ層９に
よる下地効果が得られないので、余り厚くしないことが
好ましく、全金属磁性薄膜２の厚さに対して２０％以
下、また厚くとも１μｍ以下であることが好ましい。こ
の膜の形成法はスパッタ法や蒸着が好ましい。
【００１６】そして、次に、図６ｄに示すように、金属
磁性薄膜２の分断中間層となる第１層目の中間層となる
Ｐｔ層９ａを形成する。この膜厚は薄いとＰｔ層９ａに
よる金属磁性薄膜の分断効果や下地効果を示さず、厚い
と非磁性層であるＰｔ層９ａが疑似ギャップとして作用
したり、また金属磁性薄膜２中のＦｅやＣｏと作用して
軟磁性を損なう恐れがあることから、１０Å〜１００Å
の範囲が適当で、望ましくは２０Å〜３０Åが好適であ
る。このＰｔ層９ａもスパッタ等により形成する。
磁性薄膜２の分断中間層となる第１層目の中間層となる
Ｐｔ層９ａを形成する。この膜厚は薄いとＰｔ層９ａに
よる金属磁性薄膜の分断効果や下地効果を示さず、厚い
と非磁性層であるＰｔ層９ａが疑似ギャップとして作用
したり、また金属磁性薄膜２中のＦｅやＣｏと作用して
軟磁性を損なう恐れがあることから、１０Å〜１００Å
の範囲が適当で、望ましくは２０Å〜３０Åが好適であ
る。このＰｔ層９ａもスパッタ等により形成する。
【００１７】図６ｅに示すように、次の結晶質金属磁性
材料層８ｂをＰｔ層９ａ上に形成する。この結晶質金属
磁性材料層８ｂの膜厚は、０．１〜１μｍ程度が好適で
ある。このような膜厚であれば、結晶粒成長が抑制さ
れ、優れた配向を示し、優れた軟磁性を有する結晶質金
属磁性材料層８が形成される。
材料層８ｂをＰｔ層９ａ上に形成する。この結晶質金属
磁性材料層８ｂの膜厚は、０．１〜１μｍ程度が好適で
ある。このような膜厚であれば、結晶粒成長が抑制さ
れ、優れた配向を示し、優れた軟磁性を有する結晶質金
属磁性材料層８が形成される。
【００１８】この後、第２層目の中間層となるＰｔ層９
ｂの形成と、結晶質金属磁性材料層８ｃの形成を所定の
層数だけ繰り返し、図７に示すように、積層された金属
磁性薄膜２を形成する。金属磁性薄膜２は３〜２０層程
度に分断された積層構造とすることが望ましく、金属磁
性薄膜２の全膜厚は２〜１０μｍ程度が磁気ヘッド性能
の点で望ましい。
ｂの形成と、結晶質金属磁性材料層８ｃの形成を所定の
層数だけ繰り返し、図７に示すように、積層された金属
磁性薄膜２を形成する。金属磁性薄膜２は３〜２０層程
度に分断された積層構造とすることが望ましく、金属磁
性薄膜２の全膜厚は２〜１０μｍ程度が磁気ヘッド性能
の点で望ましい。
【００１９】最終層の結晶質金属磁性層８ｎを形成した
後、ギャップスペーサを必要に応じて形成し、図８に示
すコアブロック１０を得る。次に、図９に示すように、
同様に作製されたコアブロック１０をギャップスペーサ
を介して端面を突き合わせ、ガラス等の非磁性材６によ
り、一対のコアブロック１０、１０を溶融接着する。
後、ギャップスペーサを必要に応じて形成し、図８に示
すコアブロック１０を得る。次に、図９に示すように、
同様に作製されたコアブロック１０をギャップスペーサ
を介して端面を突き合わせ、ガラス等の非磁性材６によ
り、一対のコアブロック１０、１０を溶融接着する。
【００２０】接着を行った合体ブロックの磁気記録媒体
に対接する記録媒体対接面を円筒研削して適当な形状に
加工する。その後、図９中のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅの点線
で示した位置でスライシングを行い、ヘッドチップを完
成する。以上の図面による実施例の説明では、磁気ヘッ
ドの走行方向に対しギャップが直角にならないようなア
ジマスを有する場合について説明した。勿論、アジマス
が０°であっても問題ない。
に対接する記録媒体対接面を円筒研削して適当な形状に
加工する。その後、図９中のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅの点線
で示した位置でスライシングを行い、ヘッドチップを完
成する。以上の図面による実施例の説明では、磁気ヘッ
ドの走行方向に対しギャップが直角にならないようなア
ジマスを有する場合について説明した。勿論、アジマス
が０°であっても問題ない。
【００２１】また、本実施例は巻線溝４を両側の磁気コ
ア半体１、１に形成した場合を示したが、片側の磁気コ
ア半体１のみに形成しても構わない。また、本実施例で
は、コアブロック１０に対し、巻線溝４形成後に金属磁
性薄膜２の成膜を行う場合について例示したが、巻線溝
４形成前に金属磁性薄膜２を形成する構成でも良い。
ア半体１、１に形成した場合を示したが、片側の磁気コ
ア半体１のみに形成しても構わない。また、本実施例で
は、コアブロック１０に対し、巻線溝４形成後に金属磁
性薄膜２の成膜を行う場合について例示したが、巻線溝
４形成前に金属磁性薄膜２を形成する構成でも良い。
【００２２】以上のようにして磁気ヘッドを試作した。
この磁気ヘッドは、トラック幅規制溝５の角度４５°、
トラック幅２１μｍ、ＳｉＯ2 の下地膜３の厚さ４５
Å、結晶質金属磁性材料層８は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒ
ｕ合金を用い、結晶質金属磁性材料層８を膜厚６μｍの
６層、Ｐｔ層９の膜厚を２０Åとして形成した。この磁
気ヘッドは、単層の同一形状の磁気ヘッドに比較して、
記録・再生特性において２ｄＢ程度の性能の向上が見ら
れた。
この磁気ヘッドは、トラック幅規制溝５の角度４５°、
トラック幅２１μｍ、ＳｉＯ2 の下地膜３の厚さ４５
Å、結晶質金属磁性材料層８は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒ
ｕ合金を用い、結晶質金属磁性材料層８を膜厚６μｍの
６層、Ｐｔ層９の膜厚を２０Åとして形成した。この磁
気ヘッドは、単層の同一形状の磁気ヘッドに比較して、
記録・再生特性において２ｄＢ程度の性能の向上が見ら
れた。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
の磁気ヘッドにおいては、結晶質金属磁性材料層からな
る金属磁性薄膜が、良好な分断効果を持つＰｔ層により
分断された積層構造をとることから、金属磁性薄膜は、
低保磁力、高透磁率を有する良好な軟磁気特性を示し、
記録・再生特性を大幅に向上することができる。また、
フェライト−結晶質金属磁性材料層境界には、ＳｉＯX
膜（１≦Ｘ≦２）を設けているので、良好な付着力を有
したまま、磁気コア半体どうしのガラス等による溶融接
着時の熱によるフェライト−結晶質金属磁性材料層の境
界における拡散反応を防止することが可能となる。ただ
し、第１層目に形成される結晶質金属磁性材料層の下地
膜は、ＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）となることから、下地
膜がＰｔ膜の場合に比べ若干金属磁性薄膜全体で評価さ
れる磁気特性は劣ったものとなるが、磁気ヘッドの特性
としてはＰｔ膜が下地膜の場合に比べほぼ同等の高い性
能が得られる。何故なら、ＳｉＯX膜上に形成される第
１層目の結晶質金属磁性材料層は下地効果がないので、
その層厚を全金属磁性薄膜の膜厚に比べ薄くすること
で、金属磁性薄膜全体の磁気特性の劣化をほぼ防ぐこと
が可能である。
の磁気ヘッドにおいては、結晶質金属磁性材料層からな
る金属磁性薄膜が、良好な分断効果を持つＰｔ層により
分断された積層構造をとることから、金属磁性薄膜は、
低保磁力、高透磁率を有する良好な軟磁気特性を示し、
記録・再生特性を大幅に向上することができる。また、
フェライト−結晶質金属磁性材料層境界には、ＳｉＯX
膜（１≦Ｘ≦２）を設けているので、良好な付着力を有
したまま、磁気コア半体どうしのガラス等による溶融接
着時の熱によるフェライト−結晶質金属磁性材料層の境
界における拡散反応を防止することが可能となる。ただ
し、第１層目に形成される結晶質金属磁性材料層の下地
膜は、ＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）となることから、下地
膜がＰｔ膜の場合に比べ若干金属磁性薄膜全体で評価さ
れる磁気特性は劣ったものとなるが、磁気ヘッドの特性
としてはＰｔ膜が下地膜の場合に比べほぼ同等の高い性
能が得られる。何故なら、ＳｉＯX膜上に形成される第
１層目の結晶質金属磁性材料層は下地効果がないので、
その層厚を全金属磁性薄膜の膜厚に比べ薄くすること
で、金属磁性薄膜全体の磁気特性の劣化をほぼ防ぐこと
が可能である。
【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】本発明を適用した磁気ヘッドの記録媒体対接面
を拡大した要部拡大平面図である。
を拡大した要部拡大平面図である。
【図３】本実施例の磁気ヘッドの製造方法の一例を工程
順に示すもので、基体の斜視図である。
順に示すもので、基体の斜視図である。
【図４】同じく製造工程を示すもので、トラック幅規制
溝を切り込んだ基体の斜視図である。
溝を切り込んだ基体の斜視図である。
【図５】同じく製造工程を示すもので、巻線溝を形成し
た基体の斜視図である。
た基体の斜視図である。
【図６】同じく製造工程を示すもので、下地膜と金属磁
性材料層及びＰｔ層を形成した基体の斜視図である。
性材料層及びＰｔ層を形成した基体の斜視図である。
【図７】同じく製造工程を示すもので、金属磁性薄膜部
分を拡大して示す要部拡大断面図である。
分を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図８】同じく製造工程を示すもので、基体に金属磁性
薄膜が形成されたコアブロックを示す斜視図である。
薄膜が形成されたコアブロックを示す斜視図である。
【図９】同じく製造工程を示すもので、一対のコアブロ
ックを溶融接着した状態を示す斜視図である。
ックを溶融接着した状態を示す斜視図である。
１ 磁気コア半体 ２ 金属磁性薄膜 ３ 下地膜（ＳｉＯX 膜） ４ 巻線溝 ５ トラック幅規制溝 ６ ガラス等の非磁性材 ７ 基体 ８、８ａ、８ｂ・・・８ｎ 結晶質金属磁性材料層 ９、９ａ、９ｂ・・・９ｎ Ｐｔ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加納 庄一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の磁気コア半体が磁気ギャップ形成
面を突き合わせて接合一体化され、これら一対の磁気コ
ア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャ
ップ形成面に金属磁性薄膜が成膜されてなる磁気ヘッド
において、 前記金属磁性薄膜の下地膜としてＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦
２）が形成されるとともに、金属磁性薄膜が結晶質金属
磁性材料層とＰｔ層からなる多層膜とされてなることを
特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 ＳｉＯX 膜（１≦Ｘ≦２）が１０Å〜３
００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１項記載
の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13639292A JPH05325129A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13639292A JPH05325129A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325129A true JPH05325129A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15174090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13639292A Pending JPH05325129A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325129A (ja) |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13639292A patent/JPH05325129A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030422 |