JPH04229412A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH04229412A JPH04229412A JP40760590A JP40760590A JPH04229412A JP H04229412 A JPH04229412 A JP H04229412A JP 40760590 A JP40760590 A JP 40760590A JP 40760590 A JP40760590 A JP 40760590A JP H04229412 A JPH04229412 A JP H04229412A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、音声や映像などのアナ
ログ信号、あるいは情報機器などのデジタル信号を不揮
発性記録するための磁気記録装置に用いられる磁気記録
媒体に関するものである。
ログ信号、あるいは情報機器などのデジタル信号を不揮
発性記録するための磁気記録装置に用いられる磁気記録
媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野では、記録装置の
大容量化、小型化、アクセス時間の短縮化などのため、
磁気記録媒体の高記録密度化が行われている。高記録密
度化のためには、媒体上に記録されたＮ−Ｓの磁極間に
働く自己減磁作用が小さい垂直磁気記録方法が有望視さ
れている。最も一般的な垂直磁気記録可能な垂直磁化膜
はＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜である。
大容量化、小型化、アクセス時間の短縮化などのため、
磁気記録媒体の高記録密度化が行われている。高記録密
度化のためには、媒体上に記録されたＮ−Ｓの磁極間に
働く自己減磁作用が小さい垂直磁気記録方法が有望視さ
れている。最も一般的な垂直磁気記録可能な垂直磁化膜
はＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜である。
【０００３】以下図面を参照しながら、従来の磁気記録
媒体の一例について説明する。図６は一般的な従来の磁
気記録媒体の模式断面図である。基板１１の上にＦｅ
−Ｎｉ 合金磁性薄膜（パーマロイ膜）１２が成膜され
、このＦｅ −Ｎｉ 合金磁性薄膜１２の上にＣｏ −
Ｃｒ 合金磁性薄膜１３が成膜され、さらに、Ｃｏ −
Ｃｒ 合金磁性薄膜１３上に潤滑膜１４が形成されてい
る。Ｆｅ −Ｎｉ 合金磁性薄膜１２は軟磁性膜であり
、上方に配設される垂直磁化膜のＣｏ−Ｃｒ 合金磁性
薄膜１３との組合せにより、磁気ヘッドで記録再生する
場合に磁気的相互作用を強める効果を期待できる。（た
とえば、「垂直磁気記録を用いた高密度磁気記録」岩崎
、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．１９２，Ｐ１００ ，
１９７８）
媒体の一例について説明する。図６は一般的な従来の磁
気記録媒体の模式断面図である。基板１１の上にＦｅ
−Ｎｉ 合金磁性薄膜（パーマロイ膜）１２が成膜され
、このＦｅ −Ｎｉ 合金磁性薄膜１２の上にＣｏ −
Ｃｒ 合金磁性薄膜１３が成膜され、さらに、Ｃｏ −
Ｃｒ 合金磁性薄膜１３上に潤滑膜１４が形成されてい
る。Ｆｅ −Ｎｉ 合金磁性薄膜１２は軟磁性膜であり
、上方に配設される垂直磁化膜のＣｏ−Ｃｒ 合金磁性
薄膜１３との組合せにより、磁気ヘッドで記録再生する
場合に磁気的相互作用を強める効果を期待できる。（た
とえば、「垂直磁気記録を用いた高密度磁気記録」岩崎
、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．１９２，Ｐ１００ ，
１９７８）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな、Ｃｏ −Ｃｒ ／Ｆｅ −Ｎｉ の２層膜媒体で
は、異種合金の積層膜構造であるため、垂直磁化膜層で
あるＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜１３の初期成長部分に
歪を生じたり、Ｆｅ −Ｎｉ 合金磁性薄膜１２自体の
特性安定性や密着性および耐蝕性などに問題を有したり
していた。
うな、Ｃｏ −Ｃｒ ／Ｆｅ −Ｎｉ の２層膜媒体で
は、異種合金の積層膜構造であるため、垂直磁化膜層で
あるＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜１３の初期成長部分に
歪を生じたり、Ｆｅ −Ｎｉ 合金磁性薄膜１２自体の
特性安定性や密着性および耐蝕性などに問題を有したり
していた。
【０００５】本発明は上記問題を解決するもので、軟磁
性層と垂直磁化膜層との間に歪を生じたり、垂直磁化膜
層が不安定で密着性や耐蝕性が悪かったりすることのな
い磁気記録媒体を提供することを目的とするものである
。
性層と垂直磁化膜層との間に歪を生じたり、垂直磁化膜
層が不安定で密着性や耐蝕性が悪かったりすることのな
い磁気記録媒体を提供することを目的とするものである
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明の磁気記録媒体では、基板上に高周波スパッタ
法により作成した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金薄膜を軟磁
性膜として設け、上に、直流スパッタ法で作成した垂直
磁化膜としての第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜を設
けたものである。
に本発明の磁気記録媒体では、基板上に高周波スパッタ
法により作成した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金薄膜を軟磁
性膜として設け、上に、直流スパッタ法で作成した垂直
磁化膜としての第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜を設
けたものである。
【０００７】ここで、高周波スパッタ法に用いる高周波
電源の周波数は５０ｋＨｚ〜２ＭＨｚの範囲で選ぶこと
により、直流スパッタ法とは十分相違する特性の膜を得
ることができる。なお、高周波電源の周波数をさらに広
い範囲から選択することも可能である。
電源の周波数は５０ｋＨｚ〜２ＭＨｚの範囲で選ぶこと
により、直流スパッタ法とは十分相違する特性の膜を得
ることができる。なお、高周波電源の周波数をさらに広
い範囲から選択することも可能である。
【０００８】また、上記構成において、さらに、Ｃｏ
−Ｃｒ 合金磁性薄膜としてＮｂ やＴａ を含有する
ものを用いるものである。
−Ｃｒ 合金磁性薄膜としてＮｂ やＴａ を含有する
ものを用いるものである。
【０００９】
【作用】上記構成によって、高周波スパッタ法により作
成した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜は、保磁力Ｈ
ｃの小さい軟磁気特性を示し、記録再生ヘッドとの相互
作用を強化し、記録再生特性を向上する作用を有する。 さらに、直流スパッタ法により作成する垂直磁化膜とし
ての第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜が膜成長する初
期成長部分の歪の存在を軽減する作用も有する。この作
用の結果、直流スパッタ法で作成する第２のＣｏ −Ｃ
ｒ 合金磁性薄膜の結晶配向性が向上し、垂直磁気特性
が改善され、高密度記録領域で優れた特性を示す磁気記
録媒体が得られる。
成した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜は、保磁力Ｈ
ｃの小さい軟磁気特性を示し、記録再生ヘッドとの相互
作用を強化し、記録再生特性を向上する作用を有する。 さらに、直流スパッタ法により作成する垂直磁化膜とし
ての第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜が膜成長する初
期成長部分の歪の存在を軽減する作用も有する。この作
用の結果、直流スパッタ法で作成する第２のＣｏ −Ｃ
ｒ 合金磁性薄膜の結晶配向性が向上し、垂直磁気特性
が改善され、高密度記録領域で優れた特性を示す磁気記
録媒体が得られる。
【００１０】さらにＮｂ またはＴａ をＣｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜に添加すれば、さらに高密度記録特性が
向上した磁気記録媒体が得られる。
合金磁性薄膜に添加すれば、さらに高密度記録特性が
向上した磁気記録媒体が得られる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例の磁気記録媒体につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実
施例の磁気記録媒体の模式断面図である。図１に示すよ
うに、磁気記録媒体は、表面にＮｉ −Ｐメッキ膜を備
えたアルミ製基板１上に、高周波（以下ＲＦと略す）ス
パッタ法により作成した第１のＣｏ−Ｃｒ 合金磁性薄
膜２が設けられ、この第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄
膜２上に、直流（以下ＤＣと略す）スパッタ法により作
成した第２のＣｏ −Ｃｒ 合成磁性薄膜３が設けられ
、さらにこの第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３上に
、磁気ヘッドとの接触をなめらかにするための潤滑膜４
が設けられた構成とされている。
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実
施例の磁気記録媒体の模式断面図である。図１に示すよ
うに、磁気記録媒体は、表面にＮｉ −Ｐメッキ膜を備
えたアルミ製基板１上に、高周波（以下ＲＦと略す）ス
パッタ法により作成した第１のＣｏ−Ｃｒ 合金磁性薄
膜２が設けられ、この第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄
膜２上に、直流（以下ＤＣと略す）スパッタ法により作
成した第２のＣｏ −Ｃｒ 合成磁性薄膜３が設けられ
、さらにこの第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３上に
、磁気ヘッドとの接触をなめらかにするための潤滑膜４
が設けられた構成とされている。
【００１２】以下に、上記磁気記録媒体の製法について
詳述する。本実施例では、成膜装置として対向ターゲッ
トスパッタ装置を用いた。ターゲットはＣｒ の組成比
率が１９．２重量％であり、直径が９０ｍｍφのものを
用い、ターゲット間距離は８５ｍｍとした。電源として
は最大１ｋＶ，３Ａの直流電源と、周波数５０ｋＨｚ〜
１６００ｋＨｚの範囲で発振するＲＦ電源とを用いた。 ＲＦ電源の周波数として、２０５ ｋＨｚを使用した。 アルミ製の基板１は、東洋鋼鈑（株）製のＮｉ −Ｐメ
ッキポリッシュ仕上げで、平均表面粗さＲａ ＝０．０
０３ μｍのものを使用した。スパッタは、Ａｒ ガス
流量を２０ｓｃｃｍとし、ガス圧５．０ ×１０−３Ｔ
ｏｒｒになるようにコンダクタンスバルブを調整して、
まず基板１上にパワー２８０ Ｗで４分間、ＲＦスパッ
タし、続いて真空を破ることなくパワー５００ Ｗで２
分間、ＤＣスパッタした。潤滑膜４としては、スパッタ
法によるカーボン膜を用い、さらに液体潤滑剤を薄く塗
布してハードディスクとして仕上げた。図２および図３
にＲＦ，ＤＣスパッタにより作成した第１および第２の
Ｃｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜２，３の面内、垂直両方向
での磁気ヒステリシスを示す。ＤＣスパッタにより作成
した第２のＣｏ−Ｃｒ 合金磁性薄膜３は垂直磁化膜と
なり、ＲＦスパッタにより作成した第１のＣｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜２は面内磁化膜となる。
詳述する。本実施例では、成膜装置として対向ターゲッ
トスパッタ装置を用いた。ターゲットはＣｒ の組成比
率が１９．２重量％であり、直径が９０ｍｍφのものを
用い、ターゲット間距離は８５ｍｍとした。電源として
は最大１ｋＶ，３Ａの直流電源と、周波数５０ｋＨｚ〜
１６００ｋＨｚの範囲で発振するＲＦ電源とを用いた。 ＲＦ電源の周波数として、２０５ ｋＨｚを使用した。 アルミ製の基板１は、東洋鋼鈑（株）製のＮｉ −Ｐメ
ッキポリッシュ仕上げで、平均表面粗さＲａ ＝０．０
０３ μｍのものを使用した。スパッタは、Ａｒ ガス
流量を２０ｓｃｃｍとし、ガス圧５．０ ×１０−３Ｔ
ｏｒｒになるようにコンダクタンスバルブを調整して、
まず基板１上にパワー２８０ Ｗで４分間、ＲＦスパッ
タし、続いて真空を破ることなくパワー５００ Ｗで２
分間、ＤＣスパッタした。潤滑膜４としては、スパッタ
法によるカーボン膜を用い、さらに液体潤滑剤を薄く塗
布してハードディスクとして仕上げた。図２および図３
にＲＦ，ＤＣスパッタにより作成した第１および第２の
Ｃｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜２，３の面内、垂直両方向
での磁気ヒステリシスを示す。ＤＣスパッタにより作成
した第２のＣｏ−Ｃｒ 合金磁性薄膜３は垂直磁化膜と
なり、ＲＦスパッタにより作成した第１のＣｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜２は面内磁化膜となる。
【００１３】磁気ヘッドとして、ギャップ長０．２７μ
ｍ、センダスト膜厚１．９１μｍ、フライングハイト０
．１８μｍ（周速２２．６ｍ／ｓｅｃ）であるＭＩＧ型
ヘッドを用いて電磁変換特性を測定した。図４に本実施
例の場合Ａと、従来例の場合Ｂの出力特性を示す。明ら
かに本実施例の場合のほうが出力が高く、Ｃ／Ｎ比も高
いことが見い出された。
ｍ、センダスト膜厚１．９１μｍ、フライングハイト０
．１８μｍ（周速２２．６ｍ／ｓｅｃ）であるＭＩＧ型
ヘッドを用いて電磁変換特性を測定した。図４に本実施
例の場合Ａと、従来例の場合Ｂの出力特性を示す。明ら
かに本実施例の場合のほうが出力が高く、Ｃ／Ｎ比も高
いことが見い出された。
【００１４】次に第２の実施例として、第１および第２
のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜２，３中にＮｂ または
Ｔａ を添加した場合について以下に述べる。添加する
元素として、Ｚｒ （△印），Ｔａ （□印），Ｎｂ
（×印）およびＷ（◇印）選び、ターゲットの上に添加
元素のチップを置いて、第１の実施例と同様の方法でハ
ードディスクとして仕上げた。図５に各添加元素ごとの
電磁変換特性より得られた半値記録密度Ｄ５０とそのと
きの出力Ｅ５０を示す。ノンドープ時（○印）と比較し
てＮｂ 添加の場合が最も良い特性を示し、Ｔａ も効
果が認められる。しかし、Ｚｒ とＷの添加では半値記
録密度Ｄ５０または出力Ｅ５０の低下があり効果は認め
難い。Ｎｂ 添加ではノンドープに比べて１０ＫＦＲＰ
Ｉ 以上半値記録密度Ｄ５０が向上した。
のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜２，３中にＮｂ または
Ｔａ を添加した場合について以下に述べる。添加する
元素として、Ｚｒ （△印），Ｔａ （□印），Ｎｂ
（×印）およびＷ（◇印）選び、ターゲットの上に添加
元素のチップを置いて、第１の実施例と同様の方法でハ
ードディスクとして仕上げた。図５に各添加元素ごとの
電磁変換特性より得られた半値記録密度Ｄ５０とそのと
きの出力Ｅ５０を示す。ノンドープ時（○印）と比較し
てＮｂ 添加の場合が最も良い特性を示し、Ｔａ も効
果が認められる。しかし、Ｚｒ とＷの添加では半値記
録密度Ｄ５０または出力Ｅ５０の低下があり効果は認め
難い。Ｎｂ 添加ではノンドープに比べて１０ＫＦＲＰ
Ｉ 以上半値記録密度Ｄ５０が向上した。
【００１５】なお、上記実施例では、第１と第２のＣｏ
−Ｃｒ 合金磁性薄膜２，３の作成に際して、同一組
成のターゲットを使用したが、組成を独立に調整するこ
とも当然可能である。
−Ｃｒ 合金磁性薄膜２，３の作成に際して、同一組
成のターゲットを使用したが、組成を独立に調整するこ
とも当然可能である。
【００１６】ここで、磁気記録媒体の特性向上の原因と
しては、ＲＦスパッタによる第１のＣｏ −Ｃｒ 合金
磁性薄膜２は準軟磁気的面内膜（面内Ｈｃ 〜１９０
Ｏｅ ）であり、この上に垂直磁化膜であるＤＣスパッ
タの第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３が存在するた
め、ヘッド−媒体間の磁気的相互作用が増強される効果
、または、下地であるＲＦスパッタの第１Ｃｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜２が、上層であるＤＣスパッタの第２Ｃ
ｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３の結晶性、結晶配向性を向
上させる効果が考えられる。
しては、ＲＦスパッタによる第１のＣｏ −Ｃｒ 合金
磁性薄膜２は準軟磁気的面内膜（面内Ｈｃ 〜１９０
Ｏｅ ）であり、この上に垂直磁化膜であるＤＣスパッ
タの第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３が存在するた
め、ヘッド−媒体間の磁気的相互作用が増強される効果
、または、下地であるＲＦスパッタの第１Ｃｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜２が、上層であるＤＣスパッタの第２Ｃ
ｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３の結晶性、結晶配向性を向
上させる効果が考えられる。
【００１７】また、Ｃｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜がＲＦ
スパッタでは面内的、ＤＣスパッタでは垂直的となる理
由については、ＤＣスパッタのほうがＡｒ＋イオンの得
る運動エネルギーが大きいことが垂直磁気異方性の出現
に役割を果していると考えられる。特に、ターゲットが
向いあって面対称な電位ポテンシャルを形成する対向タ
ーゲットスパッタでは、ＲＦ励起ではＡｒ＋イオンがタ
ーゲット間の空間で滞留しやすく、高エネルギーを得て
、ターゲットに射突する粒子の数が減少すると考えられ
る。
スパッタでは面内的、ＤＣスパッタでは垂直的となる理
由については、ＤＣスパッタのほうがＡｒ＋イオンの得
る運動エネルギーが大きいことが垂直磁気異方性の出現
に役割を果していると考えられる。特に、ターゲットが
向いあって面対称な電位ポテンシャルを形成する対向タ
ーゲットスパッタでは、ＲＦ励起ではＡｒ＋イオンがタ
ーゲット間の空間で滞留しやすく、高エネルギーを得て
、ターゲットに射突する粒子の数が減少すると考えられ
る。
【００１８】さらに、第１および第２のＣｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜２，３へのＮｂ やＴａ の添加で効果が
得られる理由としては、垂直磁気異方性の向上や結晶粒
の微細化などに、これらの添加元素が効果を有するため
と考えられる。
合金磁性薄膜２，３へのＮｂ やＴａ の添加で効果が
得られる理由としては、垂直磁気異方性の向上や結晶粒
の微細化などに、これらの添加元素が効果を有するため
と考えられる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明では、ＲＦスパッタ
した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜の上に、ＤＣス
パッタした第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜を設けた
ことにより、電磁変換特性が向上し、より高い記録密度
で高い出力レベルと、高い信号対雑音比を示す磁気記録
媒体を実現できた。さらに、本発明では、Ｃｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜にＮｂ またはＴａ を添加することに
より、一層電磁変換特性が向上した磁気記録媒体を得ら
れた。
した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜の上に、ＤＣス
パッタした第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜を設けた
ことにより、電磁変換特性が向上し、より高い記録密度
で高い出力レベルと、高い信号対雑音比を示す磁気記録
媒体を実現できた。さらに、本発明では、Ｃｏ −Ｃｒ
合金磁性薄膜にＮｂ またはＴａ を添加することに
より、一層電磁変換特性が向上した磁気記録媒体を得ら
れた。
【図１】本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の模式断
面図。
面図。
【図２】同磁気記録媒体のＲＦスパッタにより作成した
第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜の面内および垂直両
方向での磁気ヒステリシスを示す特性図。
第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜の面内および垂直両
方向での磁気ヒステリシスを示す特性図。
【図３】同磁気記録媒体のＤＣスパッタにより作成した
第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜の面内および垂直両
方向での磁気ヒステリシスを示す特性図。
第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜の面内および垂直両
方向での磁気ヒステリシスを示す特性図。
【図４】本発明の実施例の磁気記録媒体と従来例の磁気
記録媒体との記録密度、信号出力およびキャリア対雑音
比を示す特性図。
記録媒体との記録密度、信号出力およびキャリア対雑音
比を示す特性図。
【図５】本発明の実施例のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜
において添加元素を変えたときの半値記録密度Ｄ５０と
そのときの出力Ｅ５０を示す特性図。
において添加元素を変えたときの半値記録密度Ｄ５０と
そのときの出力Ｅ５０を示す特性図。
【図６】従来の磁気記録媒体の模式断面図。
１ 基板
２ 第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜３
第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜４ 潤滑膜
第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜４ 潤滑膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、高周波スパッタ法により作
成した第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜が設けられ、
この第１のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄膜上に、直流スパ
ッタ法により作成した第２のＣｏ −Ｃｒ 合金磁性薄
膜が設けられた磁気記録媒体。 - 【請求項２】 第１および第２のＣｏ −Ｃｒ 合金
磁性薄膜の少なくとも一方にＮｂ またはＴａ の少な
くとも一方が添加されている請求項１記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2407605A JP2549769B2 (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2407605A JP2549769B2 (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229412A true JPH04229412A (ja) | 1992-08-18 |
| JP2549769B2 JP2549769B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=18517174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2407605A Expired - Fee Related JP2549769B2 (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549769B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS61222022A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6361421A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2407605A patent/JP2549769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS61222022A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6361421A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2549769B2 (ja) | 1996-10-30 |
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