JPS6361421A - Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法 - Google Patents
Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法Info
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- JPS6361421A JPS6361421A JP20388186A JP20388186A JPS6361421A JP S6361421 A JPS6361421 A JP S6361421A JP 20388186 A JP20388186 A JP 20388186A JP 20388186 A JP20388186 A JP 20388186A JP S6361421 A JPS6361421 A JP S6361421A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の属する技術分野〉
本発明は垂直磁化記録用Ｃｏ −Ｃｒ垂直磁気異方性膜
の作製方法に関する。
の作製方法に関する。
〈従来の技術〉
垂直磁化方式による記録方式は、面内磁化記録方式によ
る記録密度を陵駕できる記録方式であり、現在は２００
ＫＣＩ（Ｆｌｕｘ Ｃｈａｒｇｅ／Ｉｎｃｈ）を越える
高密度記録が可能なことが報告されている（石板等、電
子通信学会技術研究会報告、ＭＲ−８５−１６）。
る記録密度を陵駕できる記録方式であり、現在は２００
ＫＣＩ（Ｆｌｕｘ Ｃｈａｒｇｅ／Ｉｎｃｈ）を越える
高密度記録が可能なことが報告されている（石板等、電
子通信学会技術研究会報告、ＭＲ−８５−１６）。
このような高密度状態では、磁化記Ｓ、★媒体から生ず
る漏洩磁界は記録媒体の鉛直方向で急激に減少するため
、ハードディスクではヘッド−媒体間距離を低減させる
ことによって、またフレキシブルディスクではヘッド−
媒体間の接触状態を安定に維持することが不可欠である
。さらに、ハードディスクでは、磁気ヘッドはコンタク
トスタートストップを繰り返すため、またフレキシブル
ディスクではヘッドと媒体は接触状態にあるため、耐久
性向上を確立させることも不可欠である。すなわち、Ｃ
ｏ −Ｃｒ膜を実用に供するためには、ヘッド−媒体間
の距離を安定に維持すること、および耐久性向上が重要
である。
る漏洩磁界は記録媒体の鉛直方向で急激に減少するため
、ハードディスクではヘッド−媒体間距離を低減させる
ことによって、またフレキシブルディスクではヘッド−
媒体間の接触状態を安定に維持することが不可欠である
。さらに、ハードディスクでは、磁気ヘッドはコンタク
トスタートストップを繰り返すため、またフレキシブル
ディスクではヘッドと媒体は接触状態にあるため、耐久
性向上を確立させることも不可欠である。すなわち、Ｃ
ｏ −Ｃｒ膜を実用に供するためには、ヘッド−媒体間
の距離を安定に維持すること、および耐久性向上が重要
である。
〈発明が解決しようとする問題点〉
Ｃｏ −Ｃｒ薄膜はＲＦスパッタで作製すると他の方法
に比べ膜成長の実効温度が高くでき、高垂直磁気異方性
を実現しやすい。ところが従来のスパッタ法によりＣｏ
およびＣｒをターゲットとし、基板上にＣｏ −Ｃｒ膜
を作製すると、Ｃｏ −Ｃｒ膜には異常成長が生じ、表
面に突起が生じる。ディスク面にこのような突起が存在
するとヘッドが突起に衝突し、ヘッドクラッシュを生じ
るためヘッドの安定浮上確保ができない。さらに、ハー
ドディスクにおいてコンタクトストップ時、またフレキ
シブルディスクの接触走行時において、突起とヘッドが
衝突すると、突起がヘッドによって削りとられ、Ｃｏ
−Ｃｒ媒体が急速に摩耗する故、ディスクの耐久性は著
るしく低下する。
に比べ膜成長の実効温度が高くでき、高垂直磁気異方性
を実現しやすい。ところが従来のスパッタ法によりＣｏ
およびＣｒをターゲットとし、基板上にＣｏ −Ｃｒ膜
を作製すると、Ｃｏ −Ｃｒ膜には異常成長が生じ、表
面に突起が生じる。ディスク面にこのような突起が存在
するとヘッドが突起に衝突し、ヘッドクラッシュを生じ
るためヘッドの安定浮上確保ができない。さらに、ハー
ドディスクにおいてコンタクトストップ時、またフレキ
シブルディスクの接触走行時において、突起とヘッドが
衝突すると、突起がヘッドによって削りとられ、Ｃｏ
−Ｃｒ媒体が急速に摩耗する故、ディスクの耐久性は著
るしく低下する。
したがって、Ｃｏ −Ｃｒ 薄膜を用いた垂直磁化記録
媒体を実用化するには、この異常成長を除去する手法の
確立が必要である。
媒体を実用化するには、この異常成長を除去する手法の
確立が必要である。
この発明は上述したＣｏおよびＣｒをターゲット物質と
してＲＦスパッタにより基板上にＣ。
してＲＦスパッタにより基板上にＣ。
−Ｃｒ薄膜を作製・する従来のＣｏ −Ｃｒ薄膜作製方
法の欠点を除去するためになされたものであって、形成
されるＣｏ −Ｃｒ薄膜上に異常突起を生じることのな
いＣｏ Ｃｒ膜３膜の作製方法を提供しようとするも
のである。
法の欠点を除去するためになされたものであって、形成
されるＣｏ −Ｃｒ薄膜上に異常突起を生じることのな
いＣｏ Ｃｒ膜３膜の作製方法を提供しようとするも
のである。
く問題点を解決するだめの手段〉
上述の目的を達成するためのこの発明のＣ０−Ｃｒ薄膜
の作製方法は、ＣｏとＣｒをターゲット物質としてＲＦ
スパフタにより基板上にＣｏ −Ｃｒ藩膜を作製するに
当り、基板側に負の直流バイアスを加えることを特徴と
するものである。
の作製方法は、ＣｏとＣｒをターゲット物質としてＲＦ
スパフタにより基板上にＣｏ −Ｃｒ藩膜を作製するに
当り、基板側に負の直流バイアスを加えることを特徴と
するものである。
さらにこの発明のＣｏ −Ｃｒ Ｆｊ［膜の作製方法は
、Ｃｏ −Ｃｒ薄膜作製前に逆スパッタ法により基板表
面をスパッタクリーニングすることにより、さらに優れ
たＣｏ −Ｃｒ薄膜を作製することができる。
、Ｃｏ −Ｃｒ薄膜作製前に逆スパッタ法により基板表
面をスパッタクリーニングすることにより、さらに優れ
たＣｏ −Ｃｒ薄膜を作製することができる。
く作 用〉
Ｃｏ −Ｃｒ膜作製時、基板側に負のバイアスを印加す
ると、詳しい機構は不明であるが、Ｃ０−Ｃｒ膜の異常
成長は著しく抑制される。さらに、Ｃｏ −Ｃｒ膜作製
以前に基板を逆スパッタ法によりクリーニングすること
により、異常成長の抑制は助長される。
ると、詳しい機構は不明であるが、Ｃ０−Ｃｒ膜の異常
成長は著しく抑制される。さらに、Ｃｏ −Ｃｒ膜作製
以前に基板を逆スパッタ法によりクリーニングすること
により、異常成長の抑制は助長される。
く実 施 例〉
以下、この発明の代表的な実施例について説明する。
実施例−１
Ｃｒ濃度２１ａｔ％のＣｏ −Ｃｒ合金ターゲットを用
い、ガラス基板上に、ＲＦ２Ｆ２パスパック法りＣｏ
−Ｃｒ膜を成膜した。成膜時のスパッタ条件は、Ａｒ圧
” Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、スパッタパワー＝ｉｏ
ｏｗ、基板温度＝１００℃、バイアス電位は５〜１５０
ｖの範囲で変化させて行った。得られたＣｏ −Ｃｒ膜
の膜厚は２ ／Ｉｍであった。バイアス電位と異常成長
粒子数の関係を示すと第１図のごとき特性図が得られる
。
い、ガラス基板上に、ＲＦ２Ｆ２パスパック法りＣｏ
−Ｃｒ膜を成膜した。成膜時のスパッタ条件は、Ａｒ圧
” Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、スパッタパワー＝ｉｏ
ｏｗ、基板温度＝１００℃、バイアス電位は５〜１５０
ｖの範囲で変化させて行った。得られたＣｏ −Ｃｒ膜
の膜厚は２ ／Ｉｍであった。バイアス電位と異常成長
粒子数の関係を示すと第１図のごとき特性図が得られる
。
走査型電子顕微鏡により８．２５ Ｘ １０’ ４”の
面積にわたってＣｏ −Ｃｒ表面を観測し、測定した個
数を１ＣＩＡあたりの個数に換算して第１図の縦軸に示
した。バイアスを印加していない場合は、２Ｘ１０’個
／ｄの異常粒成長が観測された。バイアス電位が１０ｖ
を越えると異常粒成長は急激に減少し６０Ｖ付近で最小
となる。さらにバイアス電位を増加させると異常粒成長
は増加し、１００■を越えると無バイアス時よりも異常
粒成長の数は多くなる。
面積にわたってＣｏ −Ｃｒ表面を観測し、測定した個
数を１ＣＩＡあたりの個数に換算して第１図の縦軸に示
した。バイアスを印加していない場合は、２Ｘ１０’個
／ｄの異常粒成長が観測された。バイアス電位が１０ｖ
を越えると異常粒成長は急激に減少し６０Ｖ付近で最小
となる。さらにバイアス電位を増加させると異常粒成長
は増加し、１００■を越えると無バイアス時よりも異常
粒成長の数は多くなる。
以上の様に、バイアス電位１０〜１００Ｖの範囲で無バ
イアス時に比べ異常粒成長を著しく低減することができ
ることが判る。
イアス時に比べ異常粒成長を著しく低減することができ
ることが判る。
実施例−２
実施例−１に示したＣｏ −Ｃｒ膜作製前に逆スパッタ
法により、基板表面のクリーニングを行った。逆スバフ
タ条件は以下の通りである。
法により、基板表面のクリーニングを行った。逆スバフ
タ条件は以下の通りである。
Ａｒ圧＝ ２． ＯＸ １０−”Ｔｏｒｒ。
スパッタパワー＝７０Ｗ。
逆スパッタ時間 ３０５ｅｃｏｎｄｓ ＊スパッタクリ
ーニングを行なった基板上に、実施例−１と同じ作製条
件でＣｏ −Ｃｒ膜を作製した。第２図に得られたＣｏ
−Ｃｒ膜におけるバイアス電位と異常成長粒子数の関
係を示す。
ーニングを行なった基板上に、実施例−１と同じ作製条
件でＣｏ −Ｃｒ膜を作製した。第２図に得られたＣｏ
−Ｃｒ膜におけるバイアス電位と異常成長粒子数の関
係を示す。
ただし、第２図中の曲線ａは第１図の測定結果を示した
ものである。このときの測定方法は実施例−１と同じで
ある。
ものである。このときの測定方法は実施例−１と同じで
ある。
Ｃｏ −Ｃｒ膜形成前にスパッタクリーニングを施した
場合、クリーニングを行なわない場合に比べ異常成長粒
子数は約１７２〜１／３に減少しており、スパッタクリ
ーニングも異常成長抑制に効果が認められる。
場合、クリーニングを行なわない場合に比べ異常成長粒
子数は約１７２〜１／３に減少しており、スパッタクリ
ーニングも異常成長抑制に効果が認められる。
実施例−３
５インチのＳｔ基板上にＣｏ −Ｃｒ膜を形成し、ａｃ
ｏｕｓｔｉｃ ｅｍｉｓｓｉｏｎ法（八、Ｅ、）により
・”−７ド浮上性を測定した。Ｃｏ −Ｃｒ膜の作製方
法は実施例−１の場合と同しであり、バイアス電位は６
０Ｖとした。Ｃｏ −ｃｒｌ１２の膜厚は０．２５４で
ある。
ｏｕｓｔｉｃ ｅｍｉｓｓｉｏｎ法（八、Ｅ、）により
・”−７ド浮上性を測定した。Ｃｏ −Ｃｒ膜の作製方
法は実施例−１の場合と同しであり、バイアス電位は６
０Ｖとした。Ｃｏ −ｃｒｌ１２の膜厚は０．２５４で
ある。
Ｃｏ −Ｃｒ膜作製前に逆スパッタを実施例−２と同じ
方法で行った。ＡＥセンサー（Ａｃｏｕｓｔｉｃｅｍｉ
ｓｓｉｏｎ ５ｅｎｓｏｒ ）には型式Ｓ−９２２０（
外形８ｗφ、厚さ３１ｔ、出力５１．２ｄＢ、 ｒｅｆ
Ｉ Ｖ（ｍ／ｓ） ）を用いた。周速を調整し、浮
上量を変化させＡ、Ｅ、ヒントを測定した。第３図はヘ
ッドヒツトを生じない限界浮上量とバイアス電位の関係
を示す。バイアス電位を印加しで作製したＣｏ −Ｃｒ
ディスクでは、Ｃｏ −Ｃｒ作製以前に実施例−２の方
法で、逆スパッタクリーニングを行った。
方法で行った。ＡＥセンサー（Ａｃｏｕｓｔｉｃｅｍｉ
ｓｓｉｏｎ ５ｅｎｓｏｒ ）には型式Ｓ−９２２０（
外形８ｗφ、厚さ３１ｔ、出力５１．２ｄＢ、 ｒｅｆ
Ｉ Ｖ（ｍ／ｓ） ）を用いた。周速を調整し、浮
上量を変化させＡ、Ｅ、ヒントを測定した。第３図はヘ
ッドヒツトを生じない限界浮上量とバイアス電位の関係
を示す。バイアス電位を印加しで作製したＣｏ −Ｃｒ
ディスクでは、Ｃｏ −Ｃｒ作製以前に実施例−２の方
法で、逆スパッタクリーニングを行った。
スパッタクリーニング後、バイアスを印加して作製した
ディスクでは、バイアス電位１０〜１００■の範囲で０
．１ ／１１浮上でも、ヘッドは安定に浮上可能である
ことがわかった。−方、本方法によらないで作製したデ
ィスクでは０．１８−浮上においてヘッドヒツトを生じ
、低浮上ｆｆｉ ？、Ｉ域にてヘッドの安定浮上を４’
ｌｆ保することができないことが判った。
ディスクでは、バイアス電位１０〜１００■の範囲で０
．１ ／１１浮上でも、ヘッドは安定に浮上可能である
ことがわかった。−方、本方法によらないで作製したデ
ィスクでは０．１８−浮上においてヘッドヒツトを生じ
、低浮上ｆｆｉ ？、Ｉ域にてヘッドの安定浮上を４’
ｌｆ保することができないことが判った。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、この発明のＣｏ −Ｃ
ｒ薄改作製方法によると、スパッタ時に基板側に負のバ
イアスを加えるだけで従来の方法により作製したＣｏ
−Ｃｒ膜に生していた異常粒成長を著しく抑制すること
が可能であり、信頼性、耐久性に優れたＣｏ −Ｃｒ垂
直磁気異方性媒体を作製できる。
ｒ薄改作製方法によると、スパッタ時に基板側に負のバ
イアスを加えるだけで従来の方法により作製したＣｏ
−Ｃｒ膜に生していた異常粒成長を著しく抑制すること
が可能であり、信頼性、耐久性に優れたＣｏ −Ｃｒ垂
直磁気異方性媒体を作製できる。
第１図はバイアス電位と異常粒成長数の関係を示す特性
図、第２図はバイアス電位と異常粒成長数の関係を示す
特性図、第３図はへソドヒノトを生じないディスクの限
界浮上量とバイアス電位の関係を示す特性図である。
図、第２図はバイアス電位と異常粒成長数の関係を示す
特性図、第３図はへソドヒノトを生じないディスクの限
界浮上量とバイアス電位の関係を示す特性図である。
Claims (2)
- （１）ＣｏとＣｒをターゲット物質としてＲＦスパッタ
により基板上にＣｏ−Ｃｒ薄膜を作製するに当り、基板
側に負の直流バイアスを加えることを特徴とするＣｏ−
Ｃｒ薄膜の作製方法。 - （２）Ｃｏ−Ｃｒ薄膜作製前に、逆スパッタ法により基
板表面をスパッタクリーニングすることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のＣｏ−Ｃｒ薄膜の作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20388186A JPS6361421A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20388186A JPS6361421A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361421A true JPS6361421A (ja) | 1988-03-17 |
Family
ID=16481264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20388186A Pending JPS6361421A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | Ｃｏ−Ｃｒ薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6361421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229412A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH09503025A (ja) * | 1993-09-24 | 1997-03-25 | イノベイティブ スパッタリング テクノロジー エヌ．ヴイ．（アイ．エス．ティー．） | 積層された金属構造体 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20388186A patent/JPS6361421A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229412A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH09503025A (ja) * | 1993-09-24 | 1997-03-25 | イノベイティブ スパッタリング テクノロジー エヌ．ヴイ．（アイ．エス．ティー．） | 積層された金属構造体 |
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