JPH01320640A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来の技術 近年、高密度記録への要望から、従来の長手記録方式で
もＣｏ　−Ｎ　ｉ　−０斜め蒸着膜、原理的に高密度で
の記録減磁の少ない垂直磁気記録方式では、Ｃｏ−０ｒ
垂直磁化膜等の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気
記録媒体の実用化が待望されている。かかる磁気記録媒
体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の高
分子フィルム上に直接又は下地層か軟磁性層を介して、
強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着法、イオンブレーティ
ング法。

スパッタリング法等により配設し、その上に各種の潤滑
剤、保護膜を配し所定の形状に加工することで得るもの
である。

保護膜は、プラズマ重合膜（特開昭６１−１５１８３７
号公報、特開昭６０−５７５３６号公報）酸化膜（特開
昭６１−１３１２２４号公報、Ｕ、Ｓ、Ｐ、３１０９７
４６号公報）硬質カーボン膜（特開昭６１−１２６６２
７号公報、特開昭６１−１４２５２５号公報、特開昭８
１−２３３４１２号公報）等数多くの提案がなされてい
て、ダイアモンド状硬質炭素薄膜の有無で、スチル耐久
性は大幅に改善されることが報告され〔外国論文誌：ア
イイーイーイー　トランザクションズ　オンマグネティ
クス（ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮＭＡ
ＧＮＥＴＩＣ５）　　Ｖｏｌ、　ＭＡＧ−２３、、［５
Ｐ、Ｐ、　２４１０〜２４１２　（１９８７）］特に期
待されている。ダイアモンド状硬質炭素薄膜は、上記論
文誌に示されているようなプラズマインジェクンヨン型
のＣＶＤ法をはじめ、高周波スパッタリング法、イオン
ビームデポジション法等により形成されていて、スペー
シング損失の点から、膜厚を極力小さくして耐久性を得
る条件の模索が続けられている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記した構成では、耐久性に重要な要素
である硬さの上限に制限があり、膜厚を薄くすると環境
条件によって十分な耐久性が得られないといった課題が
あった。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、薄くして
も耐久性を確保できる保護膜の形成を可能にした製造方
法を提供するものである。

課題を解決するための手段 」二相した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、強磁性金属薄膜上に配したダイアモンド
状硬質炭素薄膜にイオン注入を行う方法にあって、イオ
ン注入時の温度を１００℃以上２５０°Ｃ以下の範囲に
保持するようにしたものである。

作　　用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成によ
シ、ダイアモンド状硬質炭素薄膜の硬さが更に増した状
態を、磁気ヘッドとの高速摺接下でも保つことができる
ようになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図は、本発明の製造方法により製造される磁
気記録媒体の拡大断面図である。

第１図で１は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
サルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド
、ポリアミド等の高分子フィルムで、必要ならＳｉＯ２
，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２等や樹脂粒子等の微粒子塗布層
や水溶性高分子から成るミミズ状隆起層等を配したもの
でもよい。２は強磁性金属薄膜で、Ｃｏ　、Ｃｏ−Ｆｅ
　、Ｃｏ−Ｎｉ　、Ｃｏ−Ｃｒ　。

Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−８ｍ、Ｃｏ−０，Ｃｏ−
Ｎ１−Ｐ。

Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等を電子ビーム蒸着
法。

イオンブレーティング法、高周波スパッタリング法等で
薄膜化したものである。３は、イオン注入層を有するダ
イアモンド状硬質炭素膜で、高周波スハノタリング法、
イオンビームデポジション法。

プラズマＣＶＤ法等で形成したダイアモンド状硬質炭素
薄膜４を形成し、この薄膜を１００°Ｃ以上２５０°Ｃ
以下の温度に保持して、Ｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ。

等の元素のイオンを注入したイオン注入層５を形成した
ものである。１００°Ｃ以下では、後述するように磁気
ヘッドと高速で摺動した時の昇温でアニールされてイオ
ン注入効果が弱まることになり、２５０°Ｃ以上では使
用される高分子フィルムに制約がでてくるのと、実際に
磁気記録再生が行われる実負荷条件としてテープ表面が
２００　’Ｃを越えることはないことから余裕をみても
不要であると判断したことからの上限である。６は脂肪
酸、脂肪酸の金属塩、パーフルオロカルボン酸、等の潤
滑剤層である。尚、磁気ディスクの場合は不要であるが
薄手の磁気テープの場合は、１の高分子フィルムのもう
一方の面にいわゆるバックコート層を配してもよいのは
勿論である。

以下、更に具体的な実施例により得られた磁気記録媒体
と比較例で得られた磁気記録媒体とのスチル特性を比較
して説明する。厚み７μｍのポリエチレンナフタレート
フィルム上に１１１５０ＡのＴ　ｉ０２微粒子を１０ケ
／（μｍ）２配し、その上に直径１ｒｒＬの円筒キャン
に沿わせて、Ｃｏ−Ｎ１（Ｃ。

：　７６　ｗｔ％）を、酸素分圧４Ｘ１０−”　（Ｔｏ
ｒｒ）、　　最小入射角４８度で０．１μｍ電子ビーム
蒸着し、更にグラファイトをターゲットにして、１ａ５
６（ＭＨｚ）の高周波を利用しＡｒ＋Ｈ２＝０．０８（
Ｔｏｒｒ）　Ａｒ：Ｈ２＝１：　２．１．３（ＫＷ）の
グロー放電によるスパッタリングで膜厚６０人と１２０
人のダイアモンド状硬質炭素膜を形成し、その表面に、
１０ｋｅｖ９ｏ〔μＡ／ｆｆｌ　］のＢ１イオンを注入
し〔注入時間２秒〕だ。その時、４０口の直径の円筒キ
ャンに（イ）度巻付は走行させ、円筒キャン温度を変化
させた。

更にその上に真空蒸着法でパーフルオロステアリン酸を
約５ＯＡ蒸着し、８ミリ幅の磁気テープにした。

これらの磁気テープを改造した８ミリビデオにかけてメ
チル特性を調べた。使用した磁気ヘッドはアモルファス
合金とフェライトの複合型のいわゆるメタルインギヤノ
ブヘッドで、シリンダ径は２２朋のものを用いた。

スチル状態で再生出力が初期から１（ｄＢ）低下するま
での時間を、イオン注入時の温度との関係で示したのが
第２図である。第２図は、５０″Ｃ８０％ＲＨでのスチ
ル特性で、１００℃〜２５０℃が好ましいことがわかる
。

２５０℃以上でスチルがバラツクようになってるのは、
イオン注入時の温度で高分子フィルムに熱シワが生じた
だめである。

発明の効果 以上のように本発明によれば、硬質炭素膜にイオン注入
する際の温度を好ましい範囲に保つことでスチル特性を
６０人の膜厚でも確保できるようにすることができると
いったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法によって製造できる磁気記録媒体
の拡大断面図、′第２図はイオン注入温度とスチル特性
の関係を示す図である。 １・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・強磁性金
属薄膜、４・・・・・・ダイアモンド状硬質炭素膜、５
・・・−・・イオン注入層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 強磁性金属薄膜上に配したダイアモンド状硬質炭素薄膜
   にイオン注入を行う方法にあって、イオン注入時の温度
   を１００℃以上、２５０℃以下の範囲に保持することを
   特徴とする磁気記録媒体の製造方法。