JP2558753B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2558753B2 JP2558753B2 JP62283573A JP28357387A JP2558753B2 JP 2558753 B2 JP2558753 B2 JP 2558753B2 JP 62283573 A JP62283573 A JP 62283573A JP 28357387 A JP28357387 A JP 28357387A JP 2558753 B2 JP2558753 B2 JP 2558753B2
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- recording medium
- recording media
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術 垂直磁気記録は、本質的に記録減磁作用が小さく、短
波長、狭トラック化の進む画像記録等の高密度化に適
し、有望視され、各方面で検討，改良が続けられてい
る。かかる磁気記録の具現化には、Co−Cr,Co−Cr−Nb
等の垂直方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜をもった
磁気記録媒体が必要で、ポリイミド等の高分子フィルム
上に、Ti,Ge等の下地を介するか或いは直接、高周波ス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法によりCo−Cr膜を形
成することにより製造されるが、性能を確保するには、
注意深く、高分子フィルムの脱ガス処理を行ったり、高
分子フィルムの温度制御や、真空度管理等を行う必要が
あるものの、それらを管理すれば、ある程度の量は再現
性良く製造できるところまで進展してきている〔例え
ば、応用磁気セミナ、垂直磁気記録方式、昭和60年12
月．参照〕。
波長、狭トラック化の進む画像記録等の高密度化に適
し、有望視され、各方面で検討，改良が続けられてい
る。かかる磁気記録の具現化には、Co−Cr,Co−Cr−Nb
等の垂直方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜をもった
磁気記録媒体が必要で、ポリイミド等の高分子フィルム
上に、Ti,Ge等の下地を介するか或いは直接、高周波ス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法によりCo−Cr膜を形
成することにより製造されるが、性能を確保するには、
注意深く、高分子フィルムの脱ガス処理を行ったり、高
分子フィルムの温度制御や、真空度管理等を行う必要が
あるものの、それらを管理すれば、ある程度の量は再現
性良く製造できるところまで進展してきている〔例え
ば、応用磁気セミナ、垂直磁気記録方式、昭和60年12
月．参照〕。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら従来のCo−Cr,Co−Cr−Nb等の高周波ス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法により形成された垂
直磁化膜は、短波長での出力は大きくとれるが、雑音も
大きく、望まれるC/N特性が得られていないことから改
善が望まれていた。
パッタリング法や電子ビーム蒸着法により形成された垂
直磁化膜は、短波長での出力は大きくとれるが、雑音も
大きく、望まれるC/N特性が得られていないことから改
善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、C/Nの
良好な高密度磁気記録媒体を提供するものである。
良好な高密度磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するため本発明の磁気記録媒体
は、Co系合金垂直磁化膜のパッキングファクタが0.75以
下とし、保護膜に硬質炭素薄膜が配するようにしたもの
である。
は、Co系合金垂直磁化膜のパッキングファクタが0.75以
下とし、保護膜に硬質炭素薄膜が配するようにしたもの
である。
作用 本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、Co系
合金からなる柱状微粒子間に間げきが生じるので、磁気
的な分離が良好となり雑音が改良され、保護膜の硬質炭
素薄膜が、柱状微粒子間の間げきに投びょうされるよう
になり、付着強度が増すことから膜厚を薄くできるので
スペーシング損失を改善することができ出力が大きくと
れるためC/Nの大幅改善がはかれることになる。
合金からなる柱状微粒子間に間げきが生じるので、磁気
的な分離が良好となり雑音が改良され、保護膜の硬質炭
素薄膜が、柱状微粒子間の間げきに投びょうされるよう
になり、付着強度が増すことから膜厚を薄くできるので
スペーシング損失を改善することができ出力が大きくと
れるためC/Nの大幅改善がはかれることになる。
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について
詳しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図で、図で１はポリエチレンテレフタレー
ト，ポリフェニレンサルファイド，ポリアミドイミド，
ポリイミド，ポリエーテルサルフォン等の高分子フィル
ムで、必要ならば、Al2O3,CaO等の50Åから300Åの微粒
子を１〜100ケ／（μｍ）２の密度で配したものを用い
てもよい。２はCo−Cr,Co−Ta,Co−Mo,Co−W,Co−Cr−T
a,Co−Cr−Nb等のCo系合金垂直磁化膜で、パッキングフ
ァクタが0.75以下となるような柱状微粒子の群から成っ
ている。パッキングファクタは、材料（合金垂直磁化
膜）自体の密度で、実際の膜の密度を割った値で定義さ
れるもので、0.75から0.5の範囲が好ましく、0.75より
大きいと後述するように硬質炭素薄膜の投びょう効果が
弱まり、厚くする必要が生じ、スペーシング損失につな
がるのと、0.5以下では、磁束量が不足し出力が低くな
りすぎることから好ましい範囲が決っている。３は硬質
炭素薄膜で、メタンガス等の炭化水素ガスのプラズマを
利用したり、グラファイトをターゲットにしてH2を含む
放電ガスによるグロー放電を用いたスパッタリング等で
形成されるもので、必要ならば、更に潤滑剤を配しても
よい。上記した硬質炭素薄膜は、柱状微粒子間のすき間
に入り込む投びょう効果により、耐久性を確保するのに
必要な膜厚は、従来より薄くできるので、短波長でのス
ペーシング損失を小さくおさえることができる。
詳しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図で、図で１はポリエチレンテレフタレー
ト，ポリフェニレンサルファイド，ポリアミドイミド，
ポリイミド，ポリエーテルサルフォン等の高分子フィル
ムで、必要ならば、Al2O3,CaO等の50Åから300Åの微粒
子を１〜100ケ／（μｍ）２の密度で配したものを用い
てもよい。２はCo−Cr,Co−Ta,Co−Mo,Co−W,Co−Cr−T
a,Co−Cr−Nb等のCo系合金垂直磁化膜で、パッキングフ
ァクタが0.75以下となるような柱状微粒子の群から成っ
ている。パッキングファクタは、材料（合金垂直磁化
膜）自体の密度で、実際の膜の密度を割った値で定義さ
れるもので、0.75から0.5の範囲が好ましく、0.75より
大きいと後述するように硬質炭素薄膜の投びょう効果が
弱まり、厚くする必要が生じ、スペーシング損失につな
がるのと、0.5以下では、磁束量が不足し出力が低くな
りすぎることから好ましい範囲が決っている。３は硬質
炭素薄膜で、メタンガス等の炭化水素ガスのプラズマを
利用したり、グラファイトをターゲットにしてH2を含む
放電ガスによるグロー放電を用いたスパッタリング等で
形成されるもので、必要ならば、更に潤滑剤を配しても
よい。上記した硬質炭素薄膜は、柱状微粒子間のすき間
に入り込む投びょう効果により、耐久性を確保するのに
必要な膜厚は、従来より薄くできるので、短波長でのス
ペーシング損失を小さくおさえることができる。
以下、更に具体的に本発明の一実施例について比較例
との対比で説明する。厚み10μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に、溶液塗布法で直径100ÅのEu2O3
微粒子を15ケ／（μｍ）２で配し、その上にパッキング
ファクタ0.7のCo−Cr垂直磁化膜を0.13μｍ形成した。
パッキングファクタをコントロールするのに、フィルム
温度をコントロールし、かつ真空度をコントロールする
方法を用いた。Crを20.5wt％含むターゲットを用い、Ar
＋H2＝0.07（Torr）A:H2＝1:2、フィルム温度を−60℃
とし13.56（MHz）,1300（Ｗ）でスパッタリングしたこ
とで0.7のパッキングを得た。
との対比で説明する。厚み10μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に、溶液塗布法で直径100ÅのEu2O3
微粒子を15ケ／（μｍ）２で配し、その上にパッキング
ファクタ0.7のCo−Cr垂直磁化膜を0.13μｍ形成した。
パッキングファクタをコントロールするのに、フィルム
温度をコントロールし、かつ真空度をコントロールする
方法を用いた。Crを20.5wt％含むターゲットを用い、Ar
＋H2＝0.07（Torr）A:H2＝1:2、フィルム温度を−60℃
とし13.56（MHz）,1300（Ｗ）でスパッタリングしたこ
とで0.7のパッキングを得た。
一方比較例は、Ar:5×10-3（Torr）でCo−Cr（Cr20.5
wt％）をターゲットとし、フィルム温度120℃13.56（MH
z）,1450（Ｗ）でスパッタリングし、パッキングファク
タ0.82の垂直磁化膜0.13μｍを形成した。夫々のCo−Cr
垂直磁化膜の上に、グラファイトをターゲットにし、Ar
＋H2＝４×10-2（Torr）（Ar:H2＝1:3）で、13.56（MH
z）1800（Ｗ）でスパッタリングすることで硬質炭素膜
を実施例は70Å、比較例は130Å形成し、更に夫々、真
空蒸着法で潤滑剤層とし50Åのパーフルオロアラキン酸
を蒸着してから８ミリ幅の磁気テープを製造した。これ
らのテープを８ミリビデオを改造し、ギャップ長0.15μ
ｍのアモルファス合金スパッタ膜とフェライトの複合型
リングヘッドにより、ビット長0.23μｍ、トラック幅７
μｍの記録密度で記録再生しC/Nを比較した。実施例
は、比較例に対し、初期のC/Nは3.7（dB）良好であっ
た。又40℃80％RH、30℃10％RH、５℃80％RHでの走行を
200回くり返した時のC/Nの変化は実施例も比較例も１
（dB）以内で良好であった。
wt％）をターゲットとし、フィルム温度120℃13.56（MH
z）,1450（Ｗ）でスパッタリングし、パッキングファク
タ0.82の垂直磁化膜0.13μｍを形成した。夫々のCo−Cr
垂直磁化膜の上に、グラファイトをターゲットにし、Ar
＋H2＝４×10-2（Torr）（Ar:H2＝1:3）で、13.56（MH
z）1800（Ｗ）でスパッタリングすることで硬質炭素膜
を実施例は70Å、比較例は130Å形成し、更に夫々、真
空蒸着法で潤滑剤層とし50Åのパーフルオロアラキン酸
を蒸着してから８ミリ幅の磁気テープを製造した。これ
らのテープを８ミリビデオを改造し、ギャップ長0.15μ
ｍのアモルファス合金スパッタ膜とフェライトの複合型
リングヘッドにより、ビット長0.23μｍ、トラック幅７
μｍの記録密度で記録再生しC/Nを比較した。実施例
は、比較例に対し、初期のC/Nは3.7（dB）良好であっ
た。又40℃80％RH、30℃10％RH、５℃80％RHでの走行を
200回くり返した時のC/Nの変化は実施例も比較例も１
（dB）以内で良好であった。
発明の効果 以上のように本発明によれば、C/Nの良好な高密度垂
直磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果があ
る。
直磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果があ
る。
図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面図
である。 １……高分子フィルム、２……垂直磁化膜（パッキング
ファクタ0.75以下）、３……硬質炭素薄膜。
である。 １……高分子フィルム、２……垂直磁化膜（パッキング
ファクタ0.75以下）、３……硬質炭素薄膜。
Claims (1)
- 【請求項１】Co系合金垂直磁化膜のパッキングファクタ
が0.75以下で、保護膜に硬質炭素薄膜が配されたことを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283573A JP2558753B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283573A JP2558753B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125716A JPH01125716A (ja) | 1989-05-18 |
| JP2558753B2 true JP2558753B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=17667274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283573A Expired - Fee Related JP2558753B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558753B2 (ja) |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62283573A patent/JP2558753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01125716A (ja) | 1989-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |