JP2568643B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2568643B2 JP2568643B2 JP63233035A JP23303588A JP2568643B2 JP 2568643 B2 JP2568643 B2 JP 2568643B2 JP 63233035 A JP63233035 A JP 63233035A JP 23303588 A JP23303588 A JP 23303588A JP 2568643 B2 JP2568643 B2 JP 2568643B2
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- magnetic recording
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- electron beam
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術 近年の磁気記録の発展により応用分野も拡大し、磁気
記録密度の向上で機器の小型化も進み、今後の技術改良
には、新しい高記録密度用の磁気記録媒体が求められて
きていて、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録
媒体の実用化が強く望まれている。これらの要望に対し
て有望な磁気記録媒体は斜め蒸着膜（米国特許第423983
5号明細書）か垂直磁化膜（特公昭58−91号公報，特公
昭61−53770号公報）を磁気記録層とするもので、生産
性の面からかかる磁気記録層の形成は電子ビーム蒸着法
が中心になっている（特公昭57−19493号公報，特開昭6
1−238956号公報）。
記録密度の向上で機器の小型化も進み、今後の技術改良
には、新しい高記録密度用の磁気記録媒体が求められて
きていて、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録
媒体の実用化が強く望まれている。これらの要望に対し
て有望な磁気記録媒体は斜め蒸着膜（米国特許第423983
5号明細書）か垂直磁化膜（特公昭58−91号公報，特公
昭61−53770号公報）を磁気記録層とするもので、生産
性の面からかかる磁気記録層の形成は電子ビーム蒸着法
が中心になっている（特公昭57−19493号公報，特開昭6
1−238956号公報）。
発明が解決しようとする課題 しかしながら電子ビーム蒸着法は、薄膜形成速度は大
きいが、高周波スパッタリング法により得られる薄膜に
比べると磁気特性が劣り、高分子フィルムを高温にする
必要があり、低温化の工夫が続けられているが（特開昭
63−815号公報）長尺のものを均一に得る上では課題が
残されている。
きいが、高周波スパッタリング法により得られる薄膜に
比べると磁気特性が劣り、高分子フィルムを高温にする
必要があり、低温化の工夫が続けられているが（特開昭
63−815号公報）長尺のものを均一に得る上では課題が
残されている。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、長尺の
磁気記録媒体を高速でかつ性能の良好な水準を確保して
製造する方法を提供するものである。
磁気記録媒体を高速でかつ性能の良好な水準を確保して
製造する方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を電子
ビーム蒸着する際、電子ビーム照射面以外の溶湯面をス
ピネル膜が被覆するようにしたものである。
製造方法は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を電子
ビーム蒸着する際、電子ビーム照射面以外の溶湯面をス
ピネル膜が被覆するようにしたものである。
作用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成に
より蒸発面が従来は溶湯面全体に及んでいたが、スピネ
ルで被覆され電子ビーム照射部以外は蒸発が無視できる
ようになるので蒸気流の入射角の分散が小さくなり、磁
気特性が改善され、同じ電子ビームパワーでも輻射損失
が減るので温度が高くなり蒸着速度が大きくできるよう
にもなるのである。
より蒸発面が従来は溶湯面全体に及んでいたが、スピネ
ルで被覆され電子ビーム照射部以外は蒸発が無視できる
ようになるので蒸気流の入射角の分散が小さくなり、磁
気特性が改善され、同じ電子ビームパワーでも輻射損失
が減るので温度が高くなり蒸着速度が大きくできるよう
にもなるのである。
実 施 例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いる電子ビー
ム蒸着装置の内部の要部構成図である。図で１は高分子
フィルムで、ポリエチレンテレフタレート，ポリフェニ
レンサルファイド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリ
アミド，ポリイミド等で下塗り層を配したものでもよ
い。２はフィルムの巻出し軸、３は巻取り軸、４は円筒
キャンで冷却するか加熱するかは、目的に応じて選択で
きる。５は蒸発源容器で酸化物、窒化物等の耐火物が望
ましい。６は蒸発材料で、電子ビーム発生源７より放射
される加速電子ビーム８により加熱溶融状態にある。９
はスピネル膜で電子ビーム照射部以外はこの膜で被覆さ
れるように構成するのが望ましい。10はマスクでこの図
では垂直蒸着の場合を模式的に示したが斜め蒸着に於て
も用いられるのは勿論である。
ム蒸着装置の内部の要部構成図である。図で１は高分子
フィルムで、ポリエチレンテレフタレート，ポリフェニ
レンサルファイド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリ
アミド，ポリイミド等で下塗り層を配したものでもよ
い。２はフィルムの巻出し軸、３は巻取り軸、４は円筒
キャンで冷却するか加熱するかは、目的に応じて選択で
きる。５は蒸発源容器で酸化物、窒化物等の耐火物が望
ましい。６は蒸発材料で、電子ビーム発生源７より放射
される加速電子ビーム８により加熱溶融状態にある。９
はスピネル膜で電子ビーム照射部以外はこの膜で被覆さ
れるように構成するのが望ましい。10はマスクでこの図
では垂直蒸着の場合を模式的に示したが斜め蒸着に於て
も用いられるのは勿論である。
上記した構成の装置を用い、本発明により磁気記録媒
体を製造し、比較例と対比し、得られた磁気記録媒体の
特性について説明する。
体を製造し、比較例と対比し、得られた磁気記録媒体の
特性について説明する。
〔実施例−１〕 厚み10μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に
直径130Åのポリイミド球を12ケ／（μｍ）２配したフ
ィルムを準備し、直径50cmの円筒キャンに沿わせてフィ
ルムを移動しながらキャン温度を120℃に加熱して、入
射角12度以内の垂直に近い成分での電子ビーム蒸着を行
った。実施例はCo−Cr（Cr21wt％）をAl2O3容器に入れ
て、30KV90KWの電子ビームを投入し、電子ビーム照射部
以外はCoAl2O4スピネル膜が被覆するように構成した。
この状態でCo−cr垂直磁化膜を1800Å形成し、その表面
にモンテフルオス社製の“フオンブリンＺ−25"を90Å
配し８ミリ幅の磁気テープを製造した。
直径130Åのポリイミド球を12ケ／（μｍ）２配したフ
ィルムを準備し、直径50cmの円筒キャンに沿わせてフィ
ルムを移動しながらキャン温度を120℃に加熱して、入
射角12度以内の垂直に近い成分での電子ビーム蒸着を行
った。実施例はCo−Cr（Cr21wt％）をAl2O3容器に入れ
て、30KV90KWの電子ビームを投入し、電子ビーム照射部
以外はCoAl2O4スピネル膜が被覆するように構成した。
この状態でCo−cr垂直磁化膜を1800Å形成し、その表面
にモンテフルオス社製の“フオンブリンＺ−25"を90Å
配し８ミリ幅の磁気テープを製造した。
一方比較例として、MgO容器に入れて30KV,90KWの電子
ビームを投入してスピネル膜のない状態でCo−Cr垂直磁
化膜を1800Å形成し、同じ潤滑剤層を形成し、８ミリ幅
の磁気テープを製造した。
ビームを投入してスピネル膜のない状態でCo−Cr垂直磁
化膜を1800Å形成し、同じ潤滑剤層を形成し、８ミリ幅
の磁気テープを製造した。
実施例はフィルムの移動速度が73m/min,比較例は60m/
minであった。
minであった。
両者のテープを、改造した８ミリビデオに装着し、ギ
ャップ長0.13μｍのメタルインギャップ型アモルファス
ヘッドによりトラック幅10μm,ビット長0.3μm,0.24μ
ｍを記録し、再生C/Nを比較したところ、実施例と比較
例の相対C/N（dB）差は、0.3μｍで2.2（dB）,0.24μｍ
で3.4（dB）と実施例が優れていた。
ャップ長0.13μｍのメタルインギャップ型アモルファス
ヘッドによりトラック幅10μm,ビット長0.3μm,0.24μ
ｍを記録し、再生C/Nを比較したところ、実施例と比較
例の相対C/N（dB）差は、0.3μｍで2.2（dB）,0.24μｍ
で3.4（dB）と実施例が優れていた。
〔実施例−２〕 厚み10μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径100ÅのTiO2微粒子を15ケ／（μｍ）２配し、直
径1mの円筒キャン（５℃）に沿わせて、蒸発源（点とし
て）とマスクの幾何学寸法関係で定義される最小入射角
を30度とし、酸素分圧を４×10-5（Torr）として、Co−
Ni（Co:78wt％）を電子ビーム蒸着し、1800ÅのCo−Ni
−Ｏ膜を形成し、その上にDupont社製の“KRYTOX143AC"
を80Å配し、８ミリ幅の磁気テープを試作した。
に直径100ÅのTiO2微粒子を15ケ／（μｍ）２配し、直
径1mの円筒キャン（５℃）に沿わせて、蒸発源（点とし
て）とマスクの幾何学寸法関係で定義される最小入射角
を30度とし、酸素分圧を４×10-5（Torr）として、Co−
Ni（Co:78wt％）を電子ビーム蒸着し、1800ÅのCo−Ni
−Ｏ膜を形成し、その上にDupont社製の“KRYTOX143AC"
を80Å配し、８ミリ幅の磁気テープを試作した。
実施例は、MgO・Al2O3〔MgO:Al2O3＝9:1（wt％）〕容
器を用い、電子ビームは40KV,100KWを投入し、CoAl2O3
のスピネル膜とNiAl2O3のスピネル膜の混合膜が被覆し
た状態で蒸着を行ったのに比し、比較例はZrO2容器によ
り、スピネル膜のない状態で蒸着した。実施例は、フィ
ルムの移動速度が95m/minで比較例は70m/minであった。
器を用い、電子ビームは40KV,100KWを投入し、CoAl2O3
のスピネル膜とNiAl2O3のスピネル膜の混合膜が被覆し
た状態で蒸着を行ったのに比し、比較例はZrO2容器によ
り、スピネル膜のない状態で蒸着した。実施例は、フィ
ルムの移動速度が95m/minで比較例は70m/minであった。
両者のテープを８ミリのハイバンド仕様で比較したと
ころ、輝度信号のC/Nは実施例の方が比較例より2.2（d
B）良好であった。
ころ、輝度信号のC/Nは実施例の方が比較例より2.2（d
B）良好であった。
発明の効果 以上のように本発明によれば、電子ビーム蒸着法によ
り高性能な磁気記録媒体を高速で製造できるといったす
ぐれた効果がある。
り高性能な磁気記録媒体を高速で製造できるといったす
ぐれた効果がある。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いた電子ビーム
蒸着装置の断面図である。 １……高分子フィルム、４……円筒キャン、５……蒸発
源容器、８……電子ビーム、９……スピネル膜。
蒸着装置の断面図である。 １……高分子フィルム、４……円筒キャン、５……蒸発
源容器、８……電子ビーム、９……スピネル膜。
Claims (1)
- 【請求項１】高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を電子
ビーム蒸着する際、電子ビーム照射面以外の溶湯面をス
ピネル膜が被覆していることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233035A JP2568643B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233035A JP2568643B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279220A JPH0279220A (ja) | 1990-03-19 |
| JP2568643B2 true JP2568643B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=16948786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233035A Expired - Lifetime JP2568643B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568643B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63233035A patent/JP2568643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0279220A (ja) | 1990-03-19 |
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