JPH0279220A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0279220A JPH0279220A JP23303588A JP23303588A JPH0279220A JP H0279220 A JPH0279220 A JP H0279220A JP 23303588 A JP23303588 A JP 23303588A JP 23303588 A JP23303588 A JP 23303588A JP H0279220 A JPH0279220 A JP H0279220A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年の磁気記録の発展により応用分野も拡大し、磁気記
録密度の向上で機器の小型化も進み、今後の技術改良に
は、新しい高記録密度用の磁気記録媒体が求められてき
ていて、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒
体の実用化が強く望まれている。これらの要望に対して
有望な磁気記録媒体は斜め蒸着膜(米国特許第4239
835号明細書)か垂直磁化膜(特公昭58−91号公
報、特公昭61−53770号公報)を磁気記録層とす
るもので、生産性の面からかかる磁気記録層の形成は電
子ビーム蒸着法が中心になっている(特公昭57−19
493号公報、特開昭61−238966号公報)。
録密度の向上で機器の小型化も進み、今後の技術改良に
は、新しい高記録密度用の磁気記録媒体が求められてき
ていて、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒
体の実用化が強く望まれている。これらの要望に対して
有望な磁気記録媒体は斜め蒸着膜(米国特許第4239
835号明細書)か垂直磁化膜(特公昭58−91号公
報、特公昭61−53770号公報)を磁気記録層とす
るもので、生産性の面からかかる磁気記録層の形成は電
子ビーム蒸着法が中心になっている(特公昭57−19
493号公報、特開昭61−238966号公報)。
発明が解決しようとする課題
しかしながら電子ビーム蒸着法は、薄膜形成速度は大き
いが、高周波スパッタリング法により得られる薄膜に比
べると磁気特性が劣シ、高分子フィルムを高温にする必
要があり、低温化の工夫が続けられているが(特開昭6
3−815号公報)長尺のものを均一に得る上では課題
が残されている。
いが、高周波スパッタリング法により得られる薄膜に比
べると磁気特性が劣シ、高分子フィルムを高温にする必
要があり、低温化の工夫が続けられているが(特開昭6
3−815号公報)長尺のものを均一に得る上では課題
が残されている。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、長尺の磁
気記録媒体を高速でかつ性能の良好な水準を確保して製
造する方法を提供するものである。
気記録媒体を高速でかつ性能の良好な水準を確保して製
造する方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体の製
造方法は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を電子ビ
ーム蒸着する際、電子ビーム照射面以外の溶湯面をスピ
ネル膜が被覆するようにしたものである。
造方法は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を電子ビ
ーム蒸着する際、電子ビーム照射面以外の溶湯面をスピ
ネル膜が被覆するようにしたものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成によ
シ蒸発面が従来は溶湯面全体に及んでいたが、スピネル
で被覆され電子ビーム照射部以外は蒸発が無視できるよ
うになるので蒸気流の入射角の分散が小さくなシ、磁気
特性が改善され、同じ電子ビームパワーでも輻射損失が
減るので温度が高くなシ蒸着速度が大きくできるように
もなるのである。
シ蒸発面が従来は溶湯面全体に及んでいたが、スピネル
で被覆され電子ビーム照射部以外は蒸発が無視できるよ
うになるので蒸気流の入射角の分散が小さくなシ、磁気
特性が改善され、同じ電子ビームパワーでも輻射損失が
減るので温度が高くなシ蒸着速度が大きくできるように
もなるのである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。
明する。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いる電子ビーム
蒸着装置の内部の要部構成図である。図で1は高分子フ
ィルムで、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリア
ミド、ポリイミド等で下塗シ層を配したものでもよい。
蒸着装置の内部の要部構成図である。図で1は高分子フ
ィルムで、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリア
ミド、ポリイミド等で下塗シ層を配したものでもよい。
2はフィルムの巻出し軸、3は巻取シ軸、4は円筒キャ
ンで冷却するか加熱するかは、目的に応じて選択できる
。
ンで冷却するか加熱するかは、目的に応じて選択できる
。
5は蒸発源容器で酸化物、窒化物等の耐火物が望ましい
。6は蒸発材料で、電子ビーム発生源7より放射される
加速電子ビーム8により加熱溶融状態にある。9はスピ
ネル膜で電子ビーム照射部以外はこの膜で被覆されるよ
うに構成するのが望ましい。1oはマスクでこの図では
垂直蒸着の場合を模式的に示したが斜め蒸着に於ても用
いられるのは勿論である。
。6は蒸発材料で、電子ビーム発生源7より放射される
加速電子ビーム8により加熱溶融状態にある。9はスピ
ネル膜で電子ビーム照射部以外はこの膜で被覆されるよ
うに構成するのが望ましい。1oはマスクでこの図では
垂直蒸着の場合を模式的に示したが斜め蒸着に於ても用
いられるのは勿論である。
上記した構成の装置を用い、本発明にょシ磁気記録媒体
を製造し、比較例と対比し、得られた磁気記録媒体の特
性について説明する。
を製造し、比較例と対比し、得られた磁気記録媒体の特
性について説明する。
〔実施例−1〕
厚み10μmのポリエチレンナフタレートフィルム上に
直径130人のポリイミド球を12V(μm)2配した
フィルムを準備し、直径500gの円筒キャンに沿わせ
てフィルムを移動しなからキャン温度を100℃に加熱
して、入射角12度以内の垂直に近い成分での電子ビー
ム蒸着を行った。実施例はCo−0r (Or 21
wt%)をAl2O3容器に入れて、30KV90KW
の電子ビームを投入し、電子ビーム照射部以外はc
OA 1204 スピネル膜が被覆するように構成
した。この状態でCo−Cr垂直磁化膜をI 800人
形成し、その表面にモンテフルオス社製の1フォンプリ
ンZ−26”を90人配し8ミリ幅の磁気テープを製造
した。
直径130人のポリイミド球を12V(μm)2配した
フィルムを準備し、直径500gの円筒キャンに沿わせ
てフィルムを移動しなからキャン温度を100℃に加熱
して、入射角12度以内の垂直に近い成分での電子ビー
ム蒸着を行った。実施例はCo−0r (Or 21
wt%)をAl2O3容器に入れて、30KV90KW
の電子ビームを投入し、電子ビーム照射部以外はc
OA 1204 スピネル膜が被覆するように構成
した。この状態でCo−Cr垂直磁化膜をI 800人
形成し、その表面にモンテフルオス社製の1フォンプリ
ンZ−26”を90人配し8ミリ幅の磁気テープを製造
した。
一方比較例として、Mqo容器に入れて3oKV 。
90KWの電子ビームを投入してスピネル膜のない状態
でCo−Cr垂直磁化膜を1800人形成し、同じ潤滑
剤層を形成し、8ミリ幅の磁気テープを製造した。
でCo−Cr垂直磁化膜を1800人形成し、同じ潤滑
剤層を形成し、8ミリ幅の磁気テープを製造した。
実施例はフィルムの移動速度が73m/m 、比較例は
60 m /―であった。
60 m /―であった。
両者のテープを、改造した8ミリビテ゛オに装着し、ギ
ャップ長0.13μmのメタルインギャップ型アモルフ
ァスヘッドによシトラック幅10/Im。
ャップ長0.13μmのメタルインギャップ型アモルフ
ァスヘッドによシトラック幅10/Im。
ビット長0,3 μrn 、 0.24pmを記録し、
再生C/Nを比較したところ、実施例と比較例の相対C
/N(dB)差は、0 、3 fi mで2.2(dB
)、0.24μmで3、、*(dB)と実施例が優れて
いた。
再生C/Nを比較したところ、実施例と比較例の相対C
/N(dB)差は、0 、3 fi mで2.2(dB
)、0.24μmで3、、*(dB)と実施例が優れて
いた。
〔実施例−2〕
、1110μmのポリエチレンテレフタレートフィルム
上に直径100人のT z 02微粒子を16ケ/(μ
m)2配し、直径1mの円筒キャン(6℃)に沿わせて
、蒸発源(点として)とマスクの幾何学寸法関係で定義
される最小入射角を30度とし、酸素分圧を4x10
(Torr)として、Co−N1(Coニア8w t
% )を電子ビーム蒸着し、1800人のCo−Ni
−0膜を形成し、その上にDupon を社製の”KR
YTOX143AC”を80人配し、8ミリ幅の磁気テ
ープを試作した。
上に直径100人のT z 02微粒子を16ケ/(μ
m)2配し、直径1mの円筒キャン(6℃)に沿わせて
、蒸発源(点として)とマスクの幾何学寸法関係で定義
される最小入射角を30度とし、酸素分圧を4x10
(Torr)として、Co−N1(Coニア8w t
% )を電子ビーム蒸着し、1800人のCo−Ni
−0膜を形成し、その上にDupon を社製の”KR
YTOX143AC”を80人配し、8ミリ幅の磁気テ
ープを試作した。
実施例ti、Mg0−A#203[:N90:Ad20
3=9:1(wt%)〕容器を用い、電子ビームは40
KV。
3=9:1(wt%)〕容器を用い、電子ビームは40
KV。
100KW を投入し、CoAl2O4のスピネル膜と
NlA12o3のスピネル膜の混合膜が被覆した状態で
蒸着を行ったのに比し、比較例はZ r 02容器によ
り、スピネル膜のない状態で蒸着した。実施例は、フィ
ルムの移動速度が95 m 1m1nで比較例は7om
/頽であった。
NlA12o3のスピネル膜の混合膜が被覆した状態で
蒸着を行ったのに比し、比較例はZ r 02容器によ
り、スピネル膜のない状態で蒸着した。実施例は、フィ
ルムの移動速度が95 m 1m1nで比較例は7om
/頽であった。
両者のテープを8ミリのハイバンド仕様で比較したとこ
ろ、輝度信号のC/Nは実施例の方が比較例よp2.2
(dB)良好であった。
ろ、輝度信号のC/Nは実施例の方が比較例よp2.2
(dB)良好であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、電子ビーム蒸着法によυ
高性能な磁気記録媒体を高速で製造できるといったすぐ
れた効果がある。
高性能な磁気記録媒体を高速で製造できるといったすぐ
れた効果がある。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いた電子ビーム
蒸着装置の断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、4・・・・・・円筒キ
ャン、6・・・・・・蒸発源容器、8・・・・・・電子
ビーム、9・・・・・・スピネル膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名1−
本分子フィルム 4−円筒キマン 5−蒸発源!L尋 8− 電子ビーム 9−・・スピ卑ル膜
蒸着装置の断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、4・・・・・・円筒キ
ャン、6・・・・・・蒸発源容器、8・・・・・・電子
ビーム、9・・・・・・スピネル膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名1−
本分子フィルム 4−円筒キマン 5−蒸発源!L尋 8− 電子ビーム 9−・・スピ卑ル膜
Claims (1)
- 高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着す
る際、電子ビーム照射面以外の溶湯面をスピネル膜が被
覆していることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63233035A JP2568643B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63233035A JP2568643B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0279220A true JPH0279220A (ja) | 1990-03-19 |
JP2568643B2 JP2568643B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=16948786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63233035A Expired - Lifetime JP2568643B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2568643B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63233035A patent/JP2568643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2568643B2 (ja) | 1997-01-08 |
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