JPH04147433A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04147433A JPH04147433A JP27395190A JP27395190A JPH04147433A JP H04147433 A JPH04147433 A JP H04147433A JP 27395190 A JP27395190 A JP 27395190A JP 27395190 A JP27395190 A JP 27395190A JP H04147433 A JPH04147433 A JP H04147433A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
近年、磁気記録の高密度化の進展は目覚しく、高ＨＣの
薄膜媒体で１ギガビツト／（インチ）２の面記録密度の
可能性も発表される［Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ１’ｎｔｅｒ
Ｉｌｌａｇ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、 ＦＡ−０１（
１９９０）］等、垂直磁気記録を含めて、更に一層の高
密度化が期待されている［日本応用磁気学会、第６３回
研究会資料６３−７ （１９９０）］。
薄膜媒体で１ギガビツト／（インチ）２の面記録密度の
可能性も発表される［Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ１’ｎｔｅｒ
Ｉｌｌａｇ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、 ＦＡ−０１（
１９９０）］等、垂直磁気記録を含めて、更に一層の高
密度化が期待されている［日本応用磁気学会、第６３回
研究会資料６３−７ （１９９０）］。
現状で最も高密度記録性能が実用レベルで実現されてい
るのは、粒状性の表面を有したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、Ｃｏ−Ｎｉ−０系の斜め蒸着膜を配
し、潤滑剤を配したもので、２０μｍトラック、０．４
９μｍの記録波長で、５０（ｄＢ）を上まわるＣ／Ｎ
（Ｉ ＭＨｚ、 ３０ＫＨｚリゾリユ一ジヨンバンド輻
条件で）を得ている。
るのは、粒状性の表面を有したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、Ｃｏ−Ｎｉ−０系の斜め蒸着膜を配
し、潤滑剤を配したもので、２０μｍトラック、０．４
９μｍの記録波長で、５０（ｄＢ）を上まわるＣ／Ｎ
（Ｉ ＭＨｚ、 ３０ＫＨｚリゾリユ一ジヨンバンド輻
条件で）を得ている。
更にＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜に代る垂直磁化膜としてＣｏ
−０膜も提案され、より短波長、狭トラツク化が目指さ
れている。
−０膜も提案され、より短波長、狭トラツク化が目指さ
れている。
これらの磁気記録媒体は、直径５０ｃｍから１膜程度の
円筒状キャンに沿わせて、高分子フィルムを移動させな
がら、最小入射角を決めるマスクを配し、９０度から最
小入射角の範囲で、酸素の存在化でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ
（Ｎｉ ； １０〜２５ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、
磁気記録層を形成する過程でその特性の大半が決まって
いる。
円筒状キャンに沿わせて、高分子フィルムを移動させな
がら、最小入射角を決めるマスクを配し、９０度から最
小入射角の範囲で、酸素の存在化でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ
（Ｎｉ ； １０〜２５ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、
磁気記録層を形成する過程でその特性の大半が決まって
いる。
従って、真空排気系の設計、酸素導入法の最適化、蒸発
源とキャンの相対関係等についての工夫がなされている
。
源とキャンの相対関係等についての工夫がなされている
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら４０度から１０度の範囲でＣｏ又はＣｏ−
Ｎｉ （Ｎｉ ； ５〜２５ｗｔ％）を酸素を介在させ
て、電子ビーム蒸着したＣｏ−０又はＣ０Ｎｉ −０垂
直磁化膜は短波長特性は改善できているが、中、長波域
が斜め蒸着膜より低く、広帯域のＣ／Ｎでは斜め蒸着膜
以下で短波長特性が良好にも拘らず高密度磁気記録特性
を生かしたディジタル記録に適さないことから改善が望
まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなされたもの
で、広帯域Ｃ／Ｎに優れたＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ０系垂
直磁化膜を形成する方法を提供するものである。
Ｎｉ （Ｎｉ ； ５〜２５ｗｔ％）を酸素を介在させ
て、電子ビーム蒸着したＣｏ−０又はＣ０Ｎｉ −０垂
直磁化膜は短波長特性は改善できているが、中、長波域
が斜め蒸着膜より低く、広帯域のＣ／Ｎでは斜め蒸着膜
以下で短波長特性が良好にも拘らず高密度磁気記録特性
を生かしたディジタル記録に適さないことから改善が望
まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなされたもの
で、広帯域Ｃ／Ｎに優れたＣｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ０系垂
直磁化膜を形成する方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体の製
造方法は、入射角４０度から１０度の範囲内で成膜する
際、蒸発源中心と、成膜中心を結ぶ直線に沿って、電子
ビーム加熱のための照射を行うようにしたものである。
造方法は、入射角４０度から１０度の範囲内で成膜する
際、蒸発源中心と、成膜中心を結ぶ直線に沿って、電子
ビーム加熱のための照射を行うようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、蒸着範囲内での蒸着速度を最大にてきるのと、蒸気流
と電子ビームの相互作用も最大となるので、柱状微粒子
の構造がち密になり、高い飽和磁束密度で垂直磁化可能
な構成とできることから低域から高周波域までの特性を
改善できることになる。
、蒸着範囲内での蒸着速度を最大にてきるのと、蒸気流
と電子ビームの相互作用も最大となるので、柱状微粒子
の構造がち密になり、高い飽和磁束密度で垂直磁化可能
な構成とできることから低域から高周波域までの特性を
改善できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第１図は本発明の実施に用いた蒸着装置の要部構
成図である。
する。第１図は本発明の実施に用いた蒸着装置の要部構
成図である。
図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−
２，６−ナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
オリエーテルエーテルケトン、アラミド等の高分子フィ
ルムで、２は送り出し軸、３は巻取り軸、４は回転キャ
ン、５は蒸発源容器で、６はＣｏ、Ｃｏ−Ｎ１（Ｎｉ
； １０〜３０ｗｔ％）の蒸着材料で、７はマスクで、
８は入射角範囲限定のための開孔部で、９は加速電子ビ
ームで、３０ｋｖ〜６０ｋｖ、１００〜４００ｋＷの範
囲で、磁界偏向により、最大入射角位置く回転キャン上
で）Ａと最小入射角位置Ｂとした時間長の中央Ｃと、蒸
発中心Ｐを結ぶＣＰに沿って電子ビームを照射できるよ
うに構成するのがポイントである。
２，６−ナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
オリエーテルエーテルケトン、アラミド等の高分子フィ
ルムで、２は送り出し軸、３は巻取り軸、４は回転キャ
ン、５は蒸発源容器で、６はＣｏ、Ｃｏ−Ｎ１（Ｎｉ
； １０〜３０ｗｔ％）の蒸着材料で、７はマスクで、
８は入射角範囲限定のための開孔部で、９は加速電子ビ
ームで、３０ｋｖ〜６０ｋｖ、１００〜４００ｋＷの範
囲で、磁界偏向により、最大入射角位置く回転キャン上
で）Ａと最小入射角位置Ｂとした時間長の中央Ｃと、蒸
発中心Ｐを結ぶＣＰに沿って電子ビームを照射できるよ
うに構成するのがポイントである。
実際には蒸発中心Ｐにたてた垂線とＰＣのなす角をαと
した時に、α±３°の範囲に電子ビームを照射できるよ
うにすればよい。
した時に、α±３°の範囲に電子ビームを照射できるよ
うにすればよい。
１０はガス導入ボートＡ、１１はガス導入ボートＢであ
る。たとえばガス導入ボートＡよりは酸素ガス、ガス導
入ボートＢからはＡｒ、Ｘｅ、Ｈｅ等の不活性気体を導
入するように組み合わせで条件を最適化する。
る。たとえばガス導入ボートＡよりは酸素ガス、ガス導
入ボートＢからはＡｒ、Ｘｅ、Ｈｅ等の不活性気体を導
入するように組み合わせで条件を最適化する。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１５０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を２０ケ／μ２配し
て、直径０．５ｍの回転キャン（キャン温度２５°Ｃ）
に沿わせて移動しながら、最大入射角と最小入射角を限
定して、Ｃｏを蒸着した。膜厚は０．２μｍ一定とした
。
に直径１５０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を２０ケ／μ２配し
て、直径０．５ｍの回転キャン（キャン温度２５°Ｃ）
に沿わせて移動しながら、最大入射角と最小入射角を限
定して、Ｃｏを蒸着した。膜厚は０．２μｍ一定とした
。
電子ビーム蒸発源容器をキャン直下に配置し、αを変え
、（マスクとガス導入ボートのセットを移動してパラメ
ータを変えた）同時に電子ビームの入射角を磁界偏向条
件を調整して成膜した。ガス導入は導入ボートＡより酸
素を、導入ボートＢよりＨｅを導入し磁気特性を調整し
た。
、（マスクとガス導入ボートのセットを移動してパラメ
ータを変えた）同時に電子ビームの入射角を磁界偏向条
件を調整して成膜した。ガス導入は導入ボートＡより酸
素を、導入ボートＢよりＨｅを導入し磁気特性を調整し
た。
磁性層の上にパーフルオロポリエーテルラウリルを４５
Ａ塗布し、０．４５μｍのバックコート層を配し、８ミ
リ幅の磁気テープに加工し、８ミリビデオを改造し、帯
域１２ＭＨｚ（最短波長０．３μ）の広帯域Ｃ／Ｎを比
較した。トラックピッチは１０μｍである。成膜条件と
得られたＣ／Ｎを表に示した。
Ａ塗布し、０．４５μｍのバックコート層を配し、８ミ
リ幅の磁気テープに加工し、８ミリビデオを改造し、帯
域１２ＭＨｚ（最短波長０．３μ）の広帯域Ｃ／Ｎを比
較した。トラックピッチは１０μｍである。成膜条件と
得られたＣ／Ｎを表に示した。
（以 下 余 白）
表より明らかなように、成膜効率も改善された上に広帯
域Ｃ／Ｈの改善がはかれることがわかる。
域Ｃ／Ｈの改善がはかれることがわかる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、垂直磁気記録媒体の広帯
域Ｃ／Ｎを改善し、成膜速度（効率）も大きくできると
いったすぐれた効果がある。
域Ｃ／Ｎを改善し、成膜速度（効率）も大きくできると
いったすぐれた効果がある。
第１図は本発明の一実施例における蒸着装置の要部構成
図である。 ■・・・・・・高分子フィルム、６・・・・・・蒸着材
料、９・・・・・・加速電子ビーム。
図である。 ■・・・・・・高分子フィルム、６・・・・・・蒸着材
料、９・・・・・・加速電子ビーム。
Claims (1)
- 移動する高分子フィルム上へ、Ｃｏ又はＣｏ−Ｎｉを入
射角範囲４０度から１０度の範囲内で酸素の存在下で垂
直磁化膜を形成する際、電子ビーム加熱のビーム照射を
、成膜中心と蒸発源中心を結ぶ線に沿うように行うこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395190A JPH04147433A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395190A JPH04147433A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147433A true JPH04147433A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17534846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27395190A Pending JPH04147433A (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04147433A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029942A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法並に装置 |
| JPS6095730A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁性膜作製装置 |
| JPS60201531A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP27395190A patent/JPH04147433A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029942A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法並に装置 |
| JPS6095730A (ja) * | 1983-10-29 | 1985-05-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁性膜作製装置 |
| JPS60201531A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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