JPH03116526A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03116526A JPH03116526A JP25566589A JP25566589A JPH03116526A JP H03116526 A JPH03116526 A JP H03116526A JP 25566589 A JP25566589 A JP 25566589A JP 25566589 A JP25566589 A JP 25566589A JP H03116526 A JPH03116526 A JP H03116526A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、特に性能の優
れた垂直磁化膜の生産性を向上させた製造方法に関する
。
れた垂直磁化膜の生産性を向上させた製造方法に関する
。
従来の技術
近年、磁気記録技術の発展はめざましく、記録密度の向
上、とりわけ装置の小型化、高性能化。
上、とりわけ装置の小型化、高性能化。
多機能化に於ける進歩は著しく、この傾向は今後も続く
ことが予測され、重要な要素である磁気メディアは薄膜
磁気記録層、垂直磁化薄膜の採用に向って改良が進めら
れている。
ことが予測され、重要な要素である磁気メディアは薄膜
磁気記録層、垂直磁化薄膜の採用に向って改良が進めら
れている。
垂直磁化薄膜はＣｏ−０ｒスパツタ膜に代表され、Ｎｉ
−ＦｅとＣｏ−Ｃｒのいわゆる積層２層媒体と単磁極ヘ
ッドの組み合わせでは、６８０ＫＦＲＰＩの記録再生が
報告され〔アイイーイーイー トランザクションズ オ
ン マグネティクス（ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）ｖｏｌ。
−ＦｅとＣｏ−Ｃｒのいわゆる積層２層媒体と単磁極ヘ
ッドの組み合わせでは、６８０ＫＦＲＰＩの記録再生が
報告され〔アイイーイーイー トランザクションズ オ
ン マグネティクス（ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）ｖｏｌ。
ＭＡＧ ２３．Ａ３２０７２（１９８７））るに至って
いる一方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ単層膜とリングヘッドの既
存のインターフェース技術によっての高密度化も確認さ
れ〔特開昭６１−７７１２８号公報〕実用化への期待が
高まってきている。
いる一方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ単層膜とリングヘッドの既
存のインターフェース技術によっての高密度化も確認さ
れ〔特開昭６１−７７１２８号公報〕実用化への期待が
高まってきている。
実用化にあたって今日重要なテーマは、耐久性に優れ、
記録性能の良好な磁気ディスク、磁気テープ等の磁気記
録媒体を再現よく、高速で製造する技術の確立であると
いえる。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術〔アイ
イーイーイー トランザクションズ オン マグネティ
クス（ＩＥＥＥＴｉ’ＬＡＮ５ＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）ｖｏｌ 。
記録性能の良好な磁気ディスク、磁気テープ等の磁気記
録媒体を再現よく、高速で製造する技術の確立であると
いえる。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術〔アイ
イーイーイー トランザクションズ オン マグネティ
クス（ＩＥＥＥＴｉ’ＬＡＮ５ＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ
ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）ｖｏｌ 。
ＭＡ−２３，Ａ３２４４９（１９８７”）参照〕スパッ
タリング法〔同誌２４４３頁（１９８７）参照〕が中心
に検討されている。
タリング法〔同誌２４４３頁（１９８７）参照〕が中心
に検討されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら現状では電子ビーム蒸着法は高速性は十分
といえ、得られる特性が不十分で、−ガスバッタリング
法は特性は良好であるが生産性が低いといった整理の域
をでず、夫々の製造パラメータ、フィルム温度、フィル
ムのアウトガス、入射角、製膜速度、真空度１分圧等が
綿密に実験され部分的に改善はみられるものの、未だス
パッタリング法の高速化には課題が残されている。本発
明は上記した事情に鑑みなされたもので、スパッタリン
グ法の高速化によυ高性能の磁気記録媒体を得ることを
目的とするものである。
といえ、得られる特性が不十分で、−ガスバッタリング
法は特性は良好であるが生産性が低いといった整理の域
をでず、夫々の製造パラメータ、フィルム温度、フィル
ムのアウトガス、入射角、製膜速度、真空度１分圧等が
綿密に実験され部分的に改善はみられるものの、未だス
パッタリング法の高速化には課題が残されている。本発
明は上記した事情に鑑みなされたもので、スパッタリン
グ法の高速化によυ高性能の磁気記録媒体を得ることを
目的とするものである。
課題を解決するだめの手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、移動する高分子フィルム上にＣｏ−Ｍ合金
垂直磁化膜を形成する方法にあって、スパッタリング用
のターゲットをＣｏ −Ｍ 微粒子により構成し、マグ
ネトロンスパッタリングにより製膜するようにしたもの
である。
製造方法は、移動する高分子フィルム上にＣｏ−Ｍ合金
垂直磁化膜を形成する方法にあって、スパッタリング用
のターゲットをＣｏ −Ｍ 微粒子により構成し、マグ
ネトロンスパッタリングにより製膜するようにしたもの
である。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、ターゲットからの漏れ磁束が増えマグネトロン放電を
強めることができると共に、ターゲットからのガス放出
を減少させることができ、スパッタ表面積も実効的に大
きくなることで高速化できることになる。
、ターゲットからの漏れ磁束が増えマグネトロン放電を
強めることができると共に、ターゲットからのガス放出
を減少させることができ、スパッタ表面積も実効的に大
きくなることで高速化できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
（実施例１）
第１図は本発明を実施するのに用いたスパッタリング装
置の要部構成図である。第１図で１はポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリエーテルエーテルケトン等の
高分子フィルムで必要に応じて微粒子塗布層等を配した
ものを用いてもよい。
置の要部構成図である。第１図で１はポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリエーテルエーテルケトン等の
高分子フィルムで必要に応じて微粒子塗布層等を配した
ものを用いてもよい。
２は円筒キャンで、一般に冷却機能と連結した回転支持
体であればよい。３は送り出し軸、４は巻取シ軸、６は
ターゲット６は磁界発生コイ／Ｌ／７はマスク、８は電
子線発生器９は電子ビームである。
体であればよい。３は送り出し軸、４は巻取シ軸、６は
ターゲット６は磁界発生コイ／Ｌ／７はマスク、８は電
子線発生器９は電子ビームである。
本発明はターゲット６がＧｏ−Ｍ合金微粒子から成るこ
とを特徴とするもので、第２図に示したように、微粒子
１０はすき間が存在するので７ラツクスＢ１とＢ２の差
が小さくでき、マグネトロンスパッタリングに有効でか
つ、表面積も大きくとれスパッタレイトが大きくでき、
脱ガスも容易で、含有ガスの結晶成長への悪影響の懸念
もなくせる。
とを特徴とするもので、第２図に示したように、微粒子
１０はすき間が存在するので７ラツクスＢ１とＢ２の差
が小さくでき、マグネトロンスパッタリングに有効でか
つ、表面積も大きくとれスパッタレイトが大きくでき、
脱ガスも容易で、含有ガスの結晶成長への悪影響の懸念
もなくせる。
微粒子の大きさはｏ、ｓ ｓｗから４ｆｌの範囲が望ま
しい。小さい方が表面積は大きいがＢ１ とＢ２の差が
開くからで４ｆｌ径以上になると、表面積増の効果が小
さくなるからである。
しい。小さい方が表面積は大きいがＢ１ とＢ２の差が
開くからで４ｆｌ径以上になると、表面積増の効果が小
さくなるからである。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。直径５０ｆｆの円筒キャンに沿って、
至近距離が４．５１の位置にフィルム移動方向に１０３
のターゲットを配置し、各種の合金ターゲットにより垂
直磁化膜を０．２μｍ１３．５６ＭＨｚ の高周波マ
グネ）ロンスパッタリング法で形成した。用いたフィル
ムは厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（平均粗す３０入、最大粗さ６０人）で、垂直磁化膜
の上にはアモルファスカーボン膜を２０ｏ人配シ、更ニ
ハーフルオロポリエーテルとして市販のモンテジソン社
製のフオンプリンＺ−２５をＯ−５（ｒｒｑ／ｖｌ ）
塗布した。夫々を８ミリテープにしてギャップ長０．１
６μｍの積層合金型ヘッドで、ビット長０．２２μｍを
記録再生しＣ／Ｎを比較した。製造条件とＣ／Ｎの結果
を第１表にまとめて示した。スパッタリングはあらかじ
めＩ Ｘ １０喝（Ｔｏｒｒ）に排気した後、Ａｒ分圧
を０．００８ （Ｔｏｒｒ）一定にして比較した。又磁
界発生器は共通とし、ターゲット厚みは、平板は８ｎと
し、実施例も実質厚み８ｊ１１とし、非磁性体の銅をタ
ーゲットにした時表面磁束が最大で１８００ （Ｇａｕ
ｓ ｓ ）となるような条件トシタ。又、ホリエチレン
テレフタレートフィルムを静電吸着させ、キャン（温度
６０℃）と密着させる為に４０ＫＶ、２０μＡ／ｄの電
子線照射を行った。
対比で説明する。直径５０ｆｆの円筒キャンに沿って、
至近距離が４．５１の位置にフィルム移動方向に１０３
のターゲットを配置し、各種の合金ターゲットにより垂
直磁化膜を０．２μｍ１３．５６ＭＨｚ の高周波マ
グネ）ロンスパッタリング法で形成した。用いたフィル
ムは厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（平均粗す３０入、最大粗さ６０人）で、垂直磁化膜
の上にはアモルファスカーボン膜を２０ｏ人配シ、更ニ
ハーフルオロポリエーテルとして市販のモンテジソン社
製のフオンプリンＺ−２５をＯ−５（ｒｒｑ／ｖｌ ）
塗布した。夫々を８ミリテープにしてギャップ長０．１
６μｍの積層合金型ヘッドで、ビット長０．２２μｍを
記録再生しＣ／Ｎを比較した。製造条件とＣ／Ｎの結果
を第１表にまとめて示した。スパッタリングはあらかじ
めＩ Ｘ １０喝（Ｔｏｒｒ）に排気した後、Ａｒ分圧
を０．００８ （Ｔｏｒｒ）一定にして比較した。又磁
界発生器は共通とし、ターゲット厚みは、平板は８ｎと
し、実施例も実質厚み８ｊ１１とし、非磁性体の銅をタ
ーゲットにした時表面磁束が最大で１８００ （Ｇａｕ
ｓ ｓ ）となるような条件トシタ。又、ホリエチレン
テレフタレートフィルムを静電吸着させ、キャン（温度
６０℃）と密着させる為に４０ＫＶ、２０μＡ／ｄの電
子線照射を行った。
第
表
本発明によれば、高速で高性能垂直磁化膜の形成が可能
であることが第１表よシわかる。他にＣｏ−Ｔａ 、
Ｃｏ−Ｗ、 Ｃｏ−ｌＲｈ 、 Ｃｏ−Ｒｅ 、Ｃｏ−
Ｃｒ−８ｍ。
であることが第１表よシわかる。他にＣｏ−Ｔａ 、
Ｃｏ−Ｗ、 Ｃｏ−ｌＲｈ 、 Ｃｏ−Ｒｅ 、Ｃｏ−
Ｃｒ−８ｍ。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ、Ｇｏ−Ｃｒ−Ｅｕ 等でも同様の効
果がある。
果がある。
（実施例２）
課題を解決するための別の手段は、Ｃｏ−Ｍ非磁性合金
をターゲットにしてマグネトロンスパッタリングすると
同時にＣｏ含有化合物蒸気をグロー放電によりＣｏ被着
させてＣｏ−Ｍ系垂直磁化膜を形成するようにしたもの
である。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した
構成により、ターゲットが非磁性であることで、マグネ
トロン放電に対し強い磁場でプラズマ密度をあげかつ、
二次電子をトラップする効果も強めることができるので
、フィルムにダメージを与えない状態で高速化でき、か
つターゲットは非磁性でもＣｏ含有蒸気のグロー放電で
Ｃｏを膜中に増やすことでＣｏ−Ｍ系の垂直磁化膜を形
成できることになる。
をターゲットにしてマグネトロンスパッタリングすると
同時にＣｏ含有化合物蒸気をグロー放電によりＣｏ被着
させてＣｏ−Ｍ系垂直磁化膜を形成するようにしたもの
である。本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した
構成により、ターゲットが非磁性であることで、マグネ
トロン放電に対し強い磁場でプラズマ密度をあげかつ、
二次電子をトラップする効果も強めることができるので
、フィルムにダメージを与えない状態で高速化でき、か
つターゲットは非磁性でもＣｏ含有蒸気のグロー放電で
Ｃｏを膜中に増やすことでＣｏ−Ｍ系の垂直磁化膜を形
成できることになる。
用いるＣ ｏ−Ｍ合金は非磁性となるようにＭとしてＣ
ｒ、Ｔｉ 、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｃｒ−Ｎｂ
、Ｃｒ −Ｒｈ、Ｃｒ−Ｐｒ等を含ませたターゲットを
平板状に形成してもよいし、実施例１の構成としてもよ
いのは勿論である。
ｒ、Ｔｉ 、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｃｒ−Ｎｂ
、Ｃｒ −Ｒｈ、Ｃｒ−Ｐｒ等を含ませたターゲットを
平板状に形成してもよいし、実施例１の構成としてもよ
いのは勿論である。
放電ガスとしてはＡｒ、Ｘｅ等の不活性気体と混合する
か或いは単独で、Ｃ０（Ｃｏ）４．ｃｏ（Ｃ９Ｈ１２）
２゜Ｃｏ Ｃｌ ２等のＧｏ化合物蒸気を用いることが
できる。
か或いは単独で、Ｃ０（Ｃｏ）４．ｃｏ（Ｃ９Ｈ１２）
２゜Ｃｏ Ｃｌ ２等のＧｏ化合物蒸気を用いることが
できる。
以下、実施例１と同じ装置を用いて実施しだ例と比較例
との対比で説明する。
との対比で説明する。
厚み１１μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（平
均粗さ２６人、最大粗さ５０入）上に１３．５６ （Ｍ
Ｈｚ ）の高周波を用いたマグネトロンスパッタリング
法で垂直磁化膜を０．２μｍ形成した。
均粗さ２６人、最大粗さ５０入）上に１３．５６ （Ｍ
Ｈｚ ）の高周波を用いたマグネトロンスパッタリング
法で垂直磁化膜を０．２μｍ形成した。
スパッタリングに先立ち、予備排気を６×１０（Ｔｏｒ
ｒ）まで行った後放電ガスを０．００６（Ｔｏｒｒ）一
定にして比較した。他の条件は実施例１と同じとした。
ｒ）まで行った後放電ガスを０．００６（Ｔｏｒｒ）一
定にして比較した。他の条件は実施例１と同じとした。
条件と得られたＣハについて第２表に示した。
第
２
表
上表よシ、本実施例は高速で高性能垂直磁化膜の形成に
有用なことがわかる。更に実施例１とターゲットを同様
の構成にすれば、Ｃ／Ｎが向上する。
有用なことがわかる。更に実施例１とターゲットを同様
の構成にすれば、Ｃ／Ｎが向上する。
（実施例３）
課題を解決するための別の手段は、移動する高分子フィ
ルム上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁化膜を形成する方法にあっ
て、スパッタリング用のターゲットよシ水素ガスを導入
するようにしたものである。
ルム上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁化膜を形成する方法にあっ
て、スパッタリング用のターゲットよシ水素ガスを導入
するようにしたものである。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、ターゲットの表面が常に環元され、膜特性を劣化させ
る酸化膜の形成を防ぎ、垂直磁化膜の高密度域での雑音
を改善できる。第３図はターゲットの要部断面構成図で
ある。第３図で１１はカソードでＧｏ−Ｍ合金から成り
細孔１２を多数カソード面にもつものである。水素ガス
は真空槽の外から矢印で示した導入路でカソード面よシ
放出される。細孔の大きさと密度は、０．１〜０．５ｆ
ｆφのものを１０ケ〜６０ケ／ｄ配することを１つの目
安として最適化すればよい。１３はマグネットで１４は
ホルダーである。
、ターゲットの表面が常に環元され、膜特性を劣化させ
る酸化膜の形成を防ぎ、垂直磁化膜の高密度域での雑音
を改善できる。第３図はターゲットの要部断面構成図で
ある。第３図で１１はカソードでＧｏ−Ｍ合金から成り
細孔１２を多数カソード面にもつものである。水素ガス
は真空槽の外から矢印で示した導入路でカソード面よシ
放出される。細孔の大きさと密度は、０．１〜０．５ｆ
ｆφのものを１０ケ〜６０ケ／ｄ配することを１つの目
安として最適化すればよい。１３はマグネットで１４は
ホルダーである。
第４図は別のターゲットの要部断面構成図である。第４
図で、１５はＣｏ−Ｍ合金から成る粒子集合体のターゲ
ットで、１６は水素を吸蔵した合金で、１７は温調プレ
ート、１８は冷却プレートである。第４図のターゲット
は温調プレートのコントロールで吸蔵水素を放出させ粒
子間よシ真空中へ放射しターゲットの表面清浄化を保持
するようにしたものである。他に吸蔵水素を放出させて
ターゲット小孔よシ水素を放出するようにしてもよく本
発明の要旨を逸脱しない範囲で他の構成をとることもで
きるのは勿論である。
図で、１５はＣｏ−Ｍ合金から成る粒子集合体のターゲ
ットで、１６は水素を吸蔵した合金で、１７は温調プレ
ート、１８は冷却プレートである。第４図のターゲット
は温調プレートのコントロールで吸蔵水素を放出させ粒
子間よシ真空中へ放射しターゲットの表面清浄化を保持
するようにしたものである。他に吸蔵水素を放出させて
ターゲット小孔よシ水素を放出するようにしてもよく本
発明の要旨を逸脱しない範囲で他の構成をとることもで
きるのは勿論である。
以下、更に具体的に本発明によって得られた磁気記録媒
体を比較例との対比で説明し、本発明の製造方法を詳述
していく。
体を比較例との対比で説明し、本発明の製造方法を詳述
していく。
実施例として、Ｃｏ−Ｍ合金のターゲットとして、Ｔｙ
ｐｅ Ｉ 、 Ｔｙｐｅ ＩＩ を準備し、比較例は
、平板のカソードを用いた。
ｐｅ Ｉ 、 Ｔｙｐｅ ＩＩ を準備し、比較例は
、平板のカソードを用いた。
Ｔｙｐｅ Ｉのカソードは厚み５ｆｆで０．４ｆｆφの
小孔を平均２０ケ／ｄ配したもので、Ｔ７ｐｅ ＩＦの
カソードは、直径０．８ｆｆの粒子を厚み方向に６ｆｌ
充填したもので、その下に水素を吸蔵したスポンジチタ
ンを２．５Ｂ配したものである。
小孔を平均２０ケ／ｄ配したもので、Ｔ７ｐｅ ＩＦの
カソードは、直径０．８ｆｆの粒子を厚み方向に６ｆｌ
充填したもので、その下に水素を吸蔵したスポンジチタ
ンを２．５Ｂ配したものである。
夫々のカソードを実施例１と同じジオメトリ−で配し、
垂直磁化膜、保護潤滑層を配し高密度域でのＣ／Ｎ特性
を比較した。条件とＣ／Ｎの結果を第３表にまとめて示
したＡｒ導入ポートよシ比較例は水素を同時に導入する
方法をとった。
垂直磁化膜、保護潤滑層を配し高密度域でのＣ／Ｎ特性
を比較した。条件とＣ／Ｎの結果を第３表にまとめて示
したＡｒ導入ポートよシ比較例は水素を同時に導入する
方法をとった。
第
表
第３表よりわかるように更に高速化してもＣ１特性の良
好な磁気記録媒体が製造されるといったすぐれた効果が
ある。
好な磁気記録媒体が製造されるといったすぐれた効果が
ある。
発明の効果
以上のように本発明によれば高性能垂直磁気記録媒体を
高速で製膜することができるといったすぐれた効果があ
る。
高速で製膜することができるといったすぐれた効果があ
る。
第１図は本発明を実施するのに用いたスパッタリング装
置の要部断面構成図、第２図はターゲットの要部拡大断
面図、第３図、第４図はいずれもターゲットの要部断面
構成図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・円筒キ
ャン、６・・・・・・ターゲット、８・・・・・・電子
線発生器、９・・・・・・電子ヒーム、１０・・・・・
・微粒子、１１・・・・・・カソード、１２・・・・・
・細孔、１６・・・・・・粒子集合体ターゲット、１６
・・・・・・水素吸蔵合金、１７・・・・・・温調プレ
ート。
置の要部断面構成図、第２図はターゲットの要部拡大断
面図、第３図、第４図はいずれもターゲットの要部断面
構成図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・円筒キ
ャン、６・・・・・・ターゲット、８・・・・・・電子
線発生器、９・・・・・・電子ヒーム、１０・・・・・
・微粒子、１１・・・・・・カソード、１２・・・・・
・細孔、１６・・・・・・粒子集合体ターゲット、１６
・・・・・・水素吸蔵合金、１７・・・・・・温調プレ
ート。
Claims (2)
- （１）移動する高分子フィルム上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁
化膜を形成する方法にあって、スパッタリング用のター
ゲットをＣｏ−Ｍ微粒子により構成し、マグネトロンス
パッタリングにより製膜することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。 - （２）移動する高分子フィルム上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁
化膜を形成する方法にあって、スパッタリング用のター
ゲットを非磁性のＣｏ−Ｍ合金とし、放電ガスにＣｏ化
合物気体を含む条件でマグネトロンスパッタリングする
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。（３）移動
する高分子フィルム上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁化膜を形成
する方法にあってスパッタリング用のターゲットより水
素ガスを導入することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25566589A JPH03116526A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25566589A JPH03116526A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116526A true JPH03116526A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17281914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25566589A Pending JPH03116526A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103210115A (zh) * | 2010-07-29 | 2013-07-17 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25566589A patent/JPH03116526A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103210115A (zh) * | 2010-07-29 | 2013-07-17 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
| CN104975264A (zh) * | 2010-07-29 | 2015-10-14 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
| TWI551705B (zh) * | 2010-07-29 | 2016-10-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for magnetic recording film and method for manufacturing the same |
| US9567665B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-02-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same |
| CN104975264B (zh) * | 2010-07-29 | 2020-07-28 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 |
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