JPS60214426A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60214426A JPS60214426A JP7198584A JP7198584A JPS60214426A JP S60214426 A JPS60214426 A JP S60214426A JP 7198584 A JP7198584 A JP 7198584A JP 7198584 A JP7198584 A JP 7198584A JP S60214426 A JPS60214426 A JP S60214426A
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- JP
- Japan
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- vapor
- evaporation source
- sputtering
- magnetic recording
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
磁気記録媒体は、面内記録方式と垂直記録方式とに大別
される。
される。
□ 垂直記録方式は目下研究開発されつつある新しい方
式で、磁化単位が反平行に配列されるため、短波長にな
る程自己減磁率が小さくなる特徴を有しており、光記録
と同等以上の高記録密度の可能性をもつもので、第１図
は最も優れた垂直記録方式の一例を示すものである。第
１図は主磁極１及び補助磁極２を備えた型の垂直磁化方
式の磁気記録媒体構造の一例を示す断面図である。図に
於て、３は補助磁極２の励磁コイルであり、磁気記録媒
体４は基板６の表面に補助媒体としての軟磁性層６を形
成しその上にＣｏ−Ｃｌ等の合金薄膜で垂直磁化可能な
磁気記録層７を形成した３層構造になっている。
式で、磁化単位が反平行に配列されるため、短波長にな
る程自己減磁率が小さくなる特徴を有しており、光記録
と同等以上の高記録密度の可能性をもつもので、第１図
は最も優れた垂直記録方式の一例を示すものである。第
１図は主磁極１及び補助磁極２を備えた型の垂直磁化方
式の磁気記録媒体構造の一例を示す断面図である。図に
於て、３は補助磁極２の励磁コイルであり、磁気記録媒
体４は基板６の表面に補助媒体としての軟磁性層６を形
成しその上にＣｏ−Ｃｌ等の合金薄膜で垂直磁化可能な
磁気記録層７を形成した３層構造になっている。
破線で示した磁束は高透磁率の補助媒体である軟磁性層
６によって集束され、記録用媒体である磁気記録層７を
通って主磁極１を通る。
６によって集束され、記録用媒体である磁気記録層７を
通って主磁極１を通る。
かかる媒体を得る方法としては、スパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、無電解めっき法が現在知られている。
子ビーム蒸着法、無電解めっき法が現在知られている。
このｓ考量を比較すると、性能面では、スパッタリング
法が優れ、生産性面では電子ビーム蒸着法が優れている
が、性能、生産性の両方共が実用水準にある方法は現状
では知られていない。
法が優れ、生産性面では電子ビーム蒸着法が優れている
が、性能、生産性の両方共が実用水準にある方法は現状
では知られていない。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなさ・れだもので、優れた垂直
磁化膜を高速で得ることのできる製造方法を提供するも
のである。
磁化膜を高速で得ることのできる製造方法を提供するも
のである。
発明の構成
本発明は、Ｃｏ −Ｍ 、又はＣｏ−Ｎｉ−Ｍ（Ｍは添
加元素）合金垂直磁化膜を移動する基板上に形成する際
、Ｍをターゲットとするスパッタ領域へ、該ターゲット
に設けられた噴出孔よシフラスター蒸気としてＣｏ又は
Ｃｏ −Ｎ ｉ蒸気を噴出させることを特徴とし、高速
で優れた性能の垂直磁化膜を得ることができるものであ
る。
加元素）合金垂直磁化膜を移動する基板上に形成する際
、Ｍをターゲットとするスパッタ領域へ、該ターゲット
に設けられた噴出孔よシフラスター蒸気としてＣｏ又は
Ｃｏ −Ｎ ｉ蒸気を噴出させることを特徴とし、高速
で優れた性能の垂直磁化膜を得ることができるものであ
る。
実施例の説明
以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。第
２図は本発明の実施のために用いた蒸着装置の要部構成
図である。
２図は本発明の実施のために用いた蒸着装置の要部構成
図である。
円筒状キャン８に沿って基板９は送り出し軸１０から巻
取り軸１１へ移動するよう構成される。
取り軸１１へ移動するよう構成される。
このキャン８と対向して、噴出孔１２を有するターゲッ
ト１３が配設される。このターゲット１３は支持体１４
で絶縁保持され、ターゲット１３と支持体１４でひとつ
の空間を構成し、内部に電子ビーム蒸発源を配し、かつ
内部を排気系１５で排気するよう構成する。電子ビーム
蒸発源１６は蒸発−容器１７と蒸着材料１８と電子ビー
ム発生器１９とで換式的に示されている。
ト１３が配設される。このターゲット１３は支持体１４
で絶縁保持され、ターゲット１３と支持体１４でひとつ
の空間を構成し、内部に電子ビーム蒸発源を配し、かつ
内部を排気系１５で排気するよう構成する。電子ビーム
蒸発源１６は蒸発−容器１７と蒸着材料１８と電子ビー
ム発生器１９とで換式的に示されている。
真空槽２ｏは別の排気系２１で排気され、かつスパッタ
）ングを行うために圧力コントロールのために外部より
、可変リーク弁２２の制御で、ガス導入ポート２３よシ
アルボン等の放電ガスを導入できるよう構成する。２４
はマスクである。
）ングを行うために圧力コントロールのために外部より
、可変リーク弁２２の制御で、ガス導入ポート２３よシ
アルボン等の放電ガスを導入できるよう構成する。２４
はマスクである。
クラスター蒸気流を作、るためには、電子ビーム蒸発源
を用いる必要はないし、噴出孔は、スリット状に構成す
るか、複数個の小孔群を配列するかは、マスク２４との
関係で適宜工夫するものとする。
を用いる必要はないし、噴出孔は、スリット状に構成す
るか、複数個の小孔群を配列するかは、マスク２４との
関係で適宜工夫するものとする。
又、ターゲット１３の下部に永久磁石を配していわゆる
マグネトロン放電による。高速化をはかるとともできる
のは勿論である。
マグネトロン放電による。高速化をはかるとともできる
のは勿論である。
第２図に示した装置により、ポリエステル類、ポリオレ
フィン類、セルロース誘導体、ポリアミド。
フィン類、セルロース誘導体、ポリアミド。
ポリイミド等の基板上に直接又はあらかじめパーマロイ
等の軟磁性層を配してから、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ。
等の軟磁性層を配してから、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ。
−Ｖ 、 Ｃｏ−Ｔ ｉ 、 Ｃｏ −Ｍｏ 、 Ｃｏ
−Ｗ 、 Ｃｏ −Ｒｕ 、 Ｃｏ −Ｍｎ 。
−Ｗ 、 Ｃｏ −Ｒｕ 、 Ｃｏ −Ｍｎ 。
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｃｒ等の垂直磁化膜が高速で得られ
、且つ垂直磁化膜の特性がスパッタリング法で得られる
ものと同等以上であることについて簡単に考察を加える
。
、且つ垂直磁化膜の特性がスパッタリング法で得られる
ものと同等以上であることについて簡単に考察を加える
。
ターゲットはいずれも非磁性材料であるから、マグネト
ロンスパッタリングによる高速化が容易にはかれると共
に、ターゲットの元素は垂直磁化膜の成分比率でいけば
約２０％程度であり、Ｃｏ。
ロンスパッタリングによる高速化が容易にはかれると共
に、ターゲットの元素は垂直磁化膜の成分比率でいけば
約２０％程度であり、Ｃｏ。
又はＣｏ −Ｎ ｉはクラスター蒸気で送られるから充
分高速化に対応できる。又、クラスターはゆるく結合さ
れた１ ０００個から１０ｏ、ｏｏｏ個程度の原子集団
であるから、運動エネルギーは、ターゲットからスパッ
タ放出されるＭ原子に比べると小さい。
分高速化に対応できる。又、クラスターはゆるく結合さ
れた１ ０００個から１０ｏ、ｏｏｏ個程度の原子集団
であるから、運動エネルギーは、ターゲットからスパッ
タ放出されるＭ原子に比べると小さい。
従って９Ｍ原子の方が基板上で動き易いので、結晶の表
面に偏析し易い。このことからスパッタ法で得られる垂
直磁化膜以上の結晶配向性が得られることになる。
面に偏析し易い。このことからスパッタ法で得られる垂
直磁化膜以上の結晶配向性が得られることになる。
結晶配向性は六方稠密構造のＣ軸の分散度合で表わされ
るが、（００２）面のＸ線回折から調べたロッキング曲
線の半値幅であるΔθ５ｏで表現されるが、高速スパッ
タリング法で得られる値の約Ｓにまで改良できる。
るが、（００２）面のＸ線回折から調べたロッキング曲
線の半値幅であるΔθ５ｏで表現されるが、高速スパッ
タリング法で得られる値の約Ｓにまで改良できる。
以下に本発明のさらに具体的な一実施例について説明す
る。
る。
円筒状キャンの直径を５ｏｃＩｎとし、キャンの直下８
ｃｍの所にターゲットの上面がくるようターゲットを置
いた。
ｃｍの所にターゲットの上面がくるようターゲットを置
いた。
ターゲットは厚み５ｍｍとし、電子ビーム加工により１
００μｍ直径の小孔を基板の移動方向と直交する方向に
１５ｗｎピッチで１４ケあけ、この孔よりＣｏ又はＣｏ
Ｎ ｉのクラスター蒸気流が噴射するようにした。
００μｍ直径の小孔を基板の移動方向と直交する方向に
１５ｗｎピッチで１４ケあけ、この孔よりＣｏ又はＣｏ
Ｎ ｉのクラスター蒸気流が噴射するようにした。
マスクの開孔の幅は厚み１２μｍのポリエチレンテレフ
タレート基板の移動方向に４．６傭とした。
タレート基板の移動方向に４．６傭とした。
ターゲットには直流の電圧を印加し、放電ガスはアルゴ
ンを用い、真空度は４Ｘ１０ Ｔｏｒｒとした。ターゲ
ットの裏側にアルニコ磁石を配置し、前記小孔群を囲む
ドーナツ状の放電集中が起るようにした。キャン温度は
４５℃一定とした。
ンを用い、真空度は４Ｘ１０ Ｔｏｒｒとした。ターゲ
ットの裏側にアルニコ磁石を配置し、前記小孔群を囲む
ドーナツ状の放電集中が起るようにした。キャン温度は
４５℃一定とした。
ターゲツト材を変化させて得られた垂直磁化膜の特性と
、生産性を評価するために膜の形成速度を表にまとめて
示した。
、生産性を評価するために膜の形成速度を表にまとめて
示した。
特性は基板の幅方向１４．６．に渡υ±５チ以内で均一
であったので、中央値で示した。
であったので、中央値で示した。
比較例は、スパッタリング法単独、電子ビーム蒸着法単
独の場合を挙げた。
独の場合を挙げた。
磁気特性は、試料振動型磁束計で調べた。
以下余白
一表 ゛
他の実施例としてターゲットに１３．５６ＭＨｚの高周
波電圧を印加してほぼ同様の条件でＣｏ−Ｍ垂直磁化膜
を製作し、ｄθ６゜は全て３度以下で膜形成速度も１５
μｍ／ ｍｉｎ 〜２２ Ｉ！ｍ／ｍｉｎの範囲の値
にできることを確認した。
波電圧を印加してほぼ同様の条件でＣｏ−Ｍ垂直磁化膜
を製作し、ｄθ６゜は全て３度以下で膜形成速度も１５
μｍ／ ｍｉｎ 〜２２ Ｉ！ｍ／ｍｉｎの範囲の値
にできることを確認した。
以上のように本実施例によれば、スパッタリングとクラ
スター蒸着の利点を生かすことができ、Ｃ軸配向の目安
であるΔθ５ｏの値はスパッタリング法で得られる値よ
りもよい値になり、膜形成速度ハスバッタリング法のチ
ャンピオンデータの１０倍以上にでき、電子ビーム蒸着
法に近い速度を得ることができる。
スター蒸着の利点を生かすことができ、Ｃ軸配向の目安
であるΔθ５ｏの値はスパッタリング法で得られる値よ
りもよい値になり、膜形成速度ハスバッタリング法のチ
ャンピオンデータの１０倍以上にでき、電子ビーム蒸着
法に近い速度を得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、スパッタリング用のターゲット
に噴射孔を設け、この噴射孔よりＣＯ又はＣｏ−Ｎｉの
クラスター蒸気を噴射させ、移動する基板上にＣｏ −
Ｍ 、又はＣｏ −Ｎ ｉ −Ｍ （Ｍがスパッタされ
るターゲツト材）からなる垂直磁化膜を形成するもので
、高速でＣ軸配向性の良好な垂直記録用媒体を製造でき
るものでその実用的効果は大きい４．
に噴射孔を設け、この噴射孔よりＣＯ又はＣｏ−Ｎｉの
クラスター蒸気を噴射させ、移動する基板上にＣｏ −
Ｍ 、又はＣｏ −Ｎ ｉ −Ｍ （Ｍがスパッタされ
るターゲツト材）からなる垂直磁化膜を形成するもので
、高速でＣ軸配向性の良好な垂直記録用媒体を製造でき
るものでその実用的効果は大きい４．
第１図は垂直記録用の媒体の拡大断面図、第２図は本発
明を実施するのに用いた蒸着装置の一例を示す要部構成
図である。 １・・・・・・主磁極、７・・・・・・垂直磁化膜から
成る磁気記録層、８・・・・・・円筒状キャン、１２・
・・・・・小孔（クラスター蒸気流噴射孔）、１３・・
・・・・ターゲット（Ｍで構成される）
明を実施するのに用いた蒸着装置の一例を示す要部構成
図である。 １・・・・・・主磁極、７・・・・・・垂直磁化膜から
成る磁気記録層、８・・・・・・円筒状キャン、１２・
・・・・・小孔（クラスター蒸気流噴射孔）、１３・・
・・・・ターゲット（Ｍで構成される）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｏ−Ｍ又はＣｏ −Ｎ ｉ −Ｍ （Ｍは、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ。 Ｔ ｉ 、 Ｒｕ 、 Ｖ 、Ｍｎの中より選ばれた元
素）合金垂直磁化膜を移動する基板上に形成する際、Ｍ
をターゲットとするスパッタ領域へ、該ターゲットに設
けられた噴出孔よりクラスター蒸気として、ＣＯ又はＣ
ｏ−Ｎｉ蒸気を噴出させることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198584A JPS60214426A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198584A JPS60214426A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214426A true JPS60214426A (ja) | 1985-10-26 |
Family
ID=13476264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198584A Pending JPS60214426A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214426A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256217A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-11-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| US6764721B2 (en) | 2000-04-06 | 2004-07-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for a perpendicular magnetic recording medium |
| CN105112854A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-02 | 安徽省宁国市海伟电子有限公司 | 一种超薄耐高压金属化薄膜蒸镀设备 |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP7198584A patent/JPS60214426A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256217A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-11-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| US6764721B2 (en) | 2000-04-06 | 2004-07-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for a perpendicular magnetic recording medium |
| CN105112854A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-02 | 安徽省宁国市海伟电子有限公司 | 一种超薄耐高压金属化薄膜蒸镀设备 |
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